CN112154377A

CN112154377A - 用于原位夹具表面粗糙化的装置和方法

Info

Publication number: CN112154377A
Application number: CN201980034220.7A
Authority: CN
Inventors: E·佐丹
Original assignee: ASML Holding NV
Current assignee: ASML Holding NV
Priority date: 2018-05-22
Filing date: 2019-05-14
Publication date: 2020-12-29
Also published as: TWI825099B; WO2019224040A1; NL2023127A; TW202004907A; TW202412096A

Abstract

公开了一种专用的粗糙化衬底，其被设置有适用于在半导体光刻装置中对夹具的表面进行原位粗糙化的磨料元件。还公开了一种使用所述粗糙化衬底的方法，其中所述粗糙化衬底被装载，被定位成与所述夹具相对，并且然后被压向所述夹具并被横向移动。

Description

用于原位夹具表面粗糙化的装置和方法

相关申请的交叉引用

本申请要求美国临时专利申请第62/674,678号的优先权，该案在2018年5月22日提交且以整体内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开涉及可以被用于将掩模版或衬底保持在用于半导体光刻的设备中的夹具，并且更具体地涉及与掩模版或衬底接触的这种夹具的表面的处理。

背景技术

光刻装置是将期望的图案施加到衬底上(通常施加到衬底的目标部分上)的机器。例如，光刻装置可以被用于集成电路(IC)的制造中。在该情况下，图案形成装置(备选地被称为掩模或掩模版)可以被用于生成将被形成在IC的单独层上的电路图案。该图案可以被转印到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或多个裸片的一部分)上。图案通常经由成像而被转印到被设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通常，单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分的网络。

已知的光刻装置包括所谓的步进器，其中每个目标部分通过将整个图案一次性曝光到目标部分上被辐照；以及所谓的扫描仪，其中通过在给定方向(“扫描”方向)上通过辐射束扫描图案同时平行或反平行于该方向同步扫描衬底，辐照每个目标部分。也可以通过将图案压印到衬底上来将图案从图案形成装置转印到衬底。

物体(诸如图案形成装置或衬底)通过使用夹具分别被附接到物体支撑件，诸如掩模台或晶片台。静电夹具可以被提供以将物体静电地夹持到物体支撑件。作为保持物体的部件，夹具与物体接触。有必要使夹具的与物体接触的表面粗糙化。否则，即使在静电夹持力被去除之后，物体仍然有继续粘附到夹具的趋势，因为夹具和物体的极其平坦的表面可以经由光学接触而粘住。该“粘性”可以使从夹具上去除物体复杂化并使从夹具上去除物体所需的时间延长，或甚至使得无损去除不可能。

在夹具的整个使用寿命中，夹具表面必须定期地或例如当该夹具表面开始表现出粘性时被粗糙化。夹具粗糙化通常在扫描仪/步进器离线且夹具从其操作环境中去除的情况下被实行。这种情况可以导致大量的停机时间。

因此，需要一种用于减少机器停机时间的夹具粗糙化的***。

发明内容

以下呈现了一个或多个实施例的简化概述，以便提供对实施例的基本理解。该概述不是全部预期实施例的详尽综述，且不旨在标识全部实施例的关键或重要元素，也不旨在对任何或全部实施例的范围设置限制。其唯一的目的是作为稍后呈现的更详细的描述的前奏以简化的形式呈现一个或多个实施例的一些构思。

根据实施例的一个方面，公开了一种设备和方法，其中夹具粗糙化可以通过提供粗糙化衬底被原地实行，该粗糙化衬底可以以与掩模版或衬底相同的方式被装载并随后被移动到夹具的需要粗糙化的(多个)表面并且被压向该(多个)表面。粗糙化衬底包括通过挠曲件被连接到衬底基座的磨料元件，以使得磨料元件可以与夹具的(多个)表面一致并且对(多个)夹具表面运用基本均匀的法向力。然后，磨料元件被横向地来回移动，以使(多个)夹具表面粗糙化。

根据实施例的另一方面，每个磨料元件具有被控制以使磨料元件横向移动的相应致动器，诸如压电元件。

根据实施例的另一方面，公开了一种装置，该装置包括衬底基座和多个磨料元件，这些磨料元件中的每个磨料元件通过相应联接元件机械地联接至衬底基座。衬底基座可以包括掩模版基座。相应磨料元件中的每个相应磨料元件可以包括压电元件，该压电元件被布置成在控制单元的控制下横向地移动相应磨料元件。相应联接元件中的每个相应联接元件可以包括相应挠曲件，该相应挠曲件可以被预装载并且可以在基本上垂直于衬底基座的方向上具有低的弹簧常数。弹簧常数在基本上垂直于衬底基座的方向上在约50N/m至约5000N/m的范围内。

多个磨料元件中的每个磨料元件可以具有基本上相同的形状和大小。多个磨料元件可以以阵列方式被布置，该阵列可以是有序阵列。阵列可以基本上覆盖衬底基座。

磨料元件中的每个磨料元件可以包括陶瓷材料。针对磨料元件中的每个磨料元件，该磨料元件与衬底基座之间的距离可以被止挡件限制。

根据实施例的另一方面，公开了一种使半导体光刻装置中的夹具的表面粗糙化的方法，该方法包括以下步骤：将粗糙化衬底装载到载物台上，粗糙化衬底具有被设置有多个磨料元件的面；使粗糙化衬底与夹具对准，以使得夹具的具有突节的表面与粗糙化衬底的具有磨料元件的面相对；将磨料元件压向夹具的表面；通过基本上在基本上平行于夹具的表面的平面中平移磨料元件来使突节粗糙化，直到获得期望的粗糙度为止；将粗糙化衬底移离夹具；将粗糙化衬底移动到粗糙化掩模版可以从载物台被卸载的位置；以及从载物台卸载粗糙化衬底。在基本上平行于夹具的表面的平面中平移粗糙化衬底直到获得期望的粗糙度为止的步骤包括：确定突节何时具有期望的粗糙度。确定何时已经获得期望的粗糙度包括：确定何时经过了已知会产生期望的粗糙度的时间量。确定何时已经获得期望的粗糙度包括：感测突节的粗糙度。通过基本上在基本上平行于夹具的表面的平面中平移磨料元件来使突节粗糙化直到获得期望的粗糙度为止可以包括：移动衬底。多个磨料元件可以机械地被联接到相应致动器，并且通过基本上在基本上平行于夹具的表面的平面中平移磨料元件来使突节粗糙化直到获得期望的粗糙度为止可以包括：使致动器基本上在基本上平行于夹具的表面的平面中移动这些致动器的相应磨料元件。致动器可以包括压电元件。

下文参考随附图式详细描述了本公开的主题的其他实施例、特征和优点以及各种实施例的结构和操作。

附图说明

图1描绘了根据本发明的实施例的方面的光刻装置。

图2描绘了传统边缘夹具的局部横截面，并且示意性图示了夹具压力。

图3是根据本发明的实施例的一方面的粗糙化衬底的平面图。

图4A是根据本发明的实施例的一方面的粗糙化衬底的横截面图。

图4B是根据本发明的实施例的一方面的与夹具接合的粗糙化衬底的横截面图。

图5是图示了根据本发明的实施例的一方面的使夹具表面粗糙化的方法的流程图。

图6是根据本发明的另一实施例的一方面的粗糙化衬底的平面图。

下文参考随附图式详细描述了本发明的其他特征和优点以及本发明的各种实施例的结构和操作。应注意，本发明不限于本文中所描述的特定实施例。本文中仅出于说明目的呈现这种实施例。基于本文中所包含的教导，附加实施例对于相关领域的技术人员将是明显的。

具体实施方式

现在参考图式描述各种实施例，其中贯穿全文，相似的附图标记被用于指代相似的元件。在以下描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节，以便促进对一个或多个实施例的透彻理解。然而，在一些或全部情况下，可以显而易见的是，可以在不采用下文所描述的具体设计细节的情况下实践下文所描述的任何实施例。在以下描述中和在权利要求书中，可以采用术语“向上”、“向下”、“顶部”、“底部”、“竖直”、“水平”等。除非另外指示，否则这些术语仅旨在示出相对定向，而不是相对于重力的任何定向。

图1示意性地描绘了根据本发明的实施例的光刻装置100。装置包括：照射***(照射器)IL，被配置成调节辐射束B(例如UV辐射或EUV辐射)；支撑结构或支撑件或图案支撑件(例如掩模台)MT，被配置成支撑图案形成装置(例如掩模)MA并被连接到第一***PM，该第一***被配置成根据某些参数准确地定位图案形成装置；衬底台(例如晶片台)WT，被配置成保持衬底(例如涂覆抗蚀剂的晶片)W并被连接到第二***PW，该第二***被配置成根据某些参数准确地定位衬底；以及投影***(例如折射投影透镜***)PS，被配置成将被图案形成装置MA赋予给辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如，包括一个或多个裸片)上。

照射***可以包括各种类型的光学组件，诸如折射、反射、磁性、电磁、静电或其他类型的光学组件，或其任何组合，以用于引导、塑形或控制辐射。

支撑结构以取决于图案形成装置的定向、光刻装置的设计和其他条件(诸如例如图案形成装置是否保持在真空环境中)的方式保持图案形成装置。支撑结构可以使用机械、真空、静电或其他夹持技术来保持图案形成装置。支撑结构可以是例如框架或台，其可以根据需要被固定或是可移动的。支撑结构可以确保例如相对于投影***，图案形成装置处于期望位置。本文中对术语“掩模版”或“掩模”的任何使用可以被视为与更通用的术语“图案形成装置”同义。

如本文中所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地解释为是指如下的任设备，该设置可以被用于向辐射束在其横截面中赋予图案，以诸如在衬底的目标部分中创建图案。应当注意，例如如果图案包括相移特征或所谓的辅助特征，则被赋予给辐射束的图案可能不完全与衬底的目标部分中的期望图案对应。通常，被赋予给辐射束的图案将与器件中的在目标部分中正被创建的特定功能层(诸如集成电路)对应。

图案形成装置可以是透射的或反射的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列和可编程LCD面板。掩模在光刻中是众所周知的，并且包括各种掩模类型，诸如二进制、交替相移和衰减相移，以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每个小反射镜可以个别地被倾斜以便在不同方向上反射入射的辐射束。倾斜的反射镜在辐射束中赋予图案，该图案被反射镜矩阵反射。

如本文中所使用的术语“投影***”应该被广义地解释为涵盖任何类型的投影***，包括折射、反射、折反射、磁性、电磁和静电光学***，或其任何组合，以适合于被使用的曝光辐射或其他因素，诸如使用浸没液体或使用真空。本文中术语“投影透镜”的任何使用可以被视为与更通用的术语“投影***”同义。

支撑结构和衬底台在下文中也可以被称为物品支撑件。物品包括但不限于图案形成装置(诸如掩模版)和衬底(诸如晶片)。

如本文中所描绘，装置是反射型的(例如，采用反射掩模)。备选地，装置可以是透射型的(例如，采用透射掩模)。

光刻装置可以是具有两个(双载物台)或更多个衬底台(和/或两个或更多个掩模台)的类型。在这种“多载物台”机器中，额外的台可以被并行地使用，或在一个或多个其他台被用于曝光时，可以对一个或多个台实行准备步骤。

光刻装置也可以是以下类型，其中衬底的至少一部分可以被具有相对高的折射率的液体(例如水)覆盖，以便填充投影***与衬底之间的空间。浸没液体也可以被施加到光刻装置中的其他空间，例如在掩模与投影***之间的空间。用于增加投影***的数值孔径的浸没技术在本领域中是众所周知的。如本文中所使用的术语“浸没”并不意味着结构(诸如衬底)必须浸入液体中，而是仅意味着在曝光期间液***于投影***与衬底之间。

参照图1，照射器IL接收来自辐射源SO的辐射束。例如当该源是准分子激光器时，该源和光刻装置可以是单独的实体。在这种情况下，不认为源形成光刻装置的一部分，并且辐射束借助于包括例如合适的导向镜和/或扩束器的光束传递***从源SO传递到照射器IL。在其他情况下，例如当该源是汞灯时，该源可以是光刻装置的一体部分。如果需要，源SO和照射器IL以及光束传递***一起可以被称为辐射***。

照射器IL可以包括用于调整辐射束的角强度分布的调整器。通常，可以调整照射器的光瞳平面中的强度分布的至少外部和/或内部径向范围(通常分别称为σ-外部和σ-内部)。另外，照射器IL可以包括各种其他组件，诸如积光器和聚光器。照射器可以被用于调节辐射束，以在其横截面中具有期望的均匀性和强度分布。

辐射束B入射到被保持在支撑结构(例如掩模台)MT上的图案形成装置(例如掩模)MA上，并且被图案形成装置图案化。在被图案形成装置(例如掩模)MA反射之后，辐射束B穿过投影***PS，该投影***将光束聚焦到衬底W的目标部分C上。借助于第二***PW和位置传感器IF2(例如干涉测量设备、线性编码器或电容传感器)，衬底台WT可以被准确地移动，例如以便将不同目标部分C定位在辐射束B的路径中。类似地，第一***PM和另一位置传感器IF1可以被用于例如在从掩模库中机械取回图案形成装置(例如掩模)MA之后、或在扫描期间，相对于辐射束B的路径准确地定位图案形成装置(例如掩模)MA。通常，可以借助于长冲程模块(粗略定位)和短冲程模块(精细定位)来实现支撑结构(例如掩模台)MT的移动，该长冲程模块和该短冲程模块形成第一***PM的一部分。类似地，可以使用长冲程模块和短冲程模块来实现衬底台WT的移动，该长冲程模块和该短冲程模块形成第二***PW的一部分。在步进器(与扫描仪相反)的情况下，支撑结构(例如掩模台)MT可以仅被连接到短冲程致动器，或可以被固定。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置(例如掩模)MA和衬底W。尽管如图示的衬底对准标记占据专用的目标部分，但这些衬底对准标记可以位于目标部分之间的空间中(将这些衬底对准标记称为划线对准标记)。类似地，在超过一个裸片被设置在图案形成装置(例如掩模)MA上的情形下，掩模对准标记可以位于裸片之间。

图2描绘了静电夹具110的局部横截面，该静电夹具可以被施加到物品(诸如掩模版或晶片)的边缘。图2还通过图中的箭头示意性地图示了可能被夹具生成的夹具压力。夹具110包括由绝缘材料形成的夹具下部120和由介电材料形成的夹具上部130。夹具上部130形成有多个突节140。突节140的顶部确定物品(未示出)将被保持的平面150。第一电极160被设置在夹具下部120与夹具上部130之间，并且第一电极160适于被保持在电压(通常为3kV)下以生成静电夹持力。接地电极170保持接地，并通过空隙180与第一电极160间隔开，该空隙充当第一电极与接地电极之间的阻挡层。空隙108可以填充有绝缘材料、介电材料，或可以留空。

图2中的向下指向的箭头示意性地图示了图2的夹具可以生成的夹持压力。箭头的长度指示夹持力，并且将看到，在第一电极的宽度上可以生成均匀夹持压力，该均匀夹持压力的大小将取决于多个参数，这些参数包括所施加的电压、夹具上部130的介电常数和夹具110的各个部分的尺寸。当电压被施加到电极160时，物品可以通过静电夹持力被保持在平面150中。例如，在2016年9月27日授权的美国专利第9,455,172号中公开了关于该性质的静电夹具的附加细节，该专利的全部内容通过引用并入于此。

如所提及，在操作中，突节140的顶部与将被保持的物品的大体上平坦的表面接触。这种情况可能会导致这些表面的光学接触粘合，这会干扰从夹具有效地去除物品。为了解决这个问题，可以故意使突节的顶部粗糙化以防止完全的光学接触。通常，表面粗糙度Ra(偏离平均值的轮廓高度偏差的绝对值的算术平均值)优选在约3nm至约7nm的范围内。

在使用期间，由于磨损，突节顶部表面可能变得太光滑，以使得再次可能进行光学接触粘合。当这种情况发生时，有必要使突节的顶部重新粗糙化。一种实现这种情况的方法是从工具上去除夹具并手动使其粗糙化。然而，这种情况导致显著的停机时间损失。反而，具有一种用于原位修复突节顶部且停机时间更少的***是有利的。

以下的讨论使用掩模版作为示例，但是应当理解，所公开的原理可以被应用于其他被夹持的物品，诸如衬底。图3示出了根据实施例的一个方面的粗糙化掩模版200的示例。粗糙化掩模版200包括以下文所描述的方式被安装在掩模版基座220上的磨料元件210的阵列。粗糙化掩模版200可以像任何其他掩模版一样被装载到工具中，但是在将该粗糙化掩模版面向夹具被定位之后，该粗糙化掩模版被压向夹具并被横向移动。这种情况使得被布置成基本上覆盖粗糙化掩模版200的表面的磨料元件210与夹具上的突节的顶部接触，并且然后使这些顶部粗糙化。在图2的布置上的磨料元件210(例如陶瓷“石头”)作为示例被布置在有序阵列中，但是其他布置也是可能的，包括未被排序的阵列和包含不同大小和形状的磨料元件的阵列。此外，图2中的阵列是4X4阵列，但是本领域的普通技术人员将清楚的是，可以使用其他大小的阵列。选择阵列和磨料元件210的整体大小，以使得粗糙化掩模版足够接近标准掩模版的尺寸，以使其与标准掩模版具有相同的大小，从而设计成与标准掩模版一起工作的设备也将与粗糙化掩模版一起工作。

磨料元件210可以由用于使表面粗糙化的任何材料(诸如陶瓷材料)构成。可以被使用的材料的其他示例包括氧化铝和氧化锆。

与粗糙化过程有关的参数包括：当磨料元件210在夹具表面上滑动时施加在磨料元件210上的力的量、磨料元件210与在磨料元件区域上方的突节140之间的压力的均匀性、以及石头的粗糙度。原位粗糙化的主要挑战之一是在全部掩模版夹具突节上确保均匀且一致的压力。该设计目标通过下文所描述的***满足。至于石头粗糙度，相同的材料可以具有多种不同的粗糙度。通常，针对在本文中所公开的***中使用的石头粗糙度的范围是约200nm至约1000nm。

图4A示出了根据实施例的一个方面的粗糙化掩模版200的示例。粗糙化掩模版4A包括大量的磨料元件210，这些磨料元件一起基本上覆盖掩模版基座220的整个表面。

如所提及，与粗糙化过程有关的两个参数是：磨料元件210在夹具表面上滑动时施加在磨料元件上的力的量，以及磨料元件210与在磨料元件区域上方的突节140之间的压力的均匀性。最有利的是，在全部掩模版夹具突节上，压力是均匀且一致的。为了控制这些参数并且如图4A中所示出，磨料元件中的每个磨料元件被设置有至少一个挠曲件230。挠曲件230可以例如是弹簧。如图4B中所示出，挠曲件230被预装载以确保均匀的最小法向力，同时符合夹具110的形状和平坦度。止挡件240限制了磨料元件210在来自挠曲件230的预载荷作用下而实现的竖直行程。

因此，每个磨料元件210通过挠曲件230被附接到掩模版基座220。挠曲件230在z方向上被预装载，并且被设计成在z方向上具有低的弹簧常数(即是“软的”)。挠曲件230在基本上垂直于掩模版基座220的方向上具有在约50N/m至约5000N/m的范围内的弹簧常数。这种情况确保了夹具与磨料元件之间的法向力的期望的一致性，该法向力将与预装载力大致相同。

柔顺的预装载的挠曲件确保顺应夹具表面。磨料元件阵列中的每个磨料元件利用挠曲件机械地被联接至掩模版基座，该挠曲件在z方向(与对应于xy平面的阵列正交)上被预装载、具有低的弹簧常数(例如弹簧)并且在z、Rx(绕x轴旋转)和Ry(绕y轴旋转)上具有低的弹簧常数(是软的)、并且针对全部其他自由度具有较高的弹簧常数(***)。止挡件240约束了磨料元件在z方向上的移动，以使得磨料元件210与掩模版基座保持最多的预定距离。由于所施加的力足以克服针对全部磨料元件210的预载荷，因此低弹力弹簧允许在z方向上的位移范围内基本上恒定的弹力。

因此，如图4B中所示出，粗糙化掩模版200在z方向上被移动，以使得当磨料元件210压向夹具110上的突节140时，由磨料元件210的位移产生的力克服了被挠曲件230施加的向上的弹力。在该状况下，被挠曲件230施加的力基本上恒定，因此在突节140上施加基本上恒定的法向力。每一磨料元件210接触某一数量n的突节140。每一磨料元件210独立地顺应夹具表面。

图5是使用粗糙化掩模版200的夹具粗糙化过程的示例的流程图。在步骤S500中，粗糙化掩模版200像普通掩模版一样被装载到掩模版载物台上。然后，在步骤S510中，使粗糙化掩模版200与夹具110对准，以使得夹具110的具有突节140的表面与粗糙化掩模版200的具有磨料元件210的表面相对。在步骤S520中，掩模版载物台被控制以将粗糙化掩模版200压向夹具110，以使得磨料元件210将与突节140接触，以实现期望的接触力和位移。挠曲件230将变形以维持大约预载荷的单独力。在步骤S530中，掩模版载物台然后被命令在xy平面中平移粗糙化掩模版200以执行抛光，直到获得期望的粗糙度为止。期望的粗糙度将具有在约3nm至约7nm范围内的Ra。然后，在步骤S540中，将粗糙化中间掩模200拉动离开夹具。然后，在步骤S550中，粗糙化掩模版200被从夹具移动到粗糙化掩模版200可以被卸载的位置。然后，在步骤S560中，从掩模版载物台卸载粗糙化掩模版200。

当实行一定时间的相对运动以产生期望的表面粗糙度时，步骤S530可以被终止，该时间是先验已知的。备选地，实行步骤S530的一部分可以涉及例如以光学方式使用传感器数据进行已经获得期望的表面粗糙度的肯定确定，在该情况下，实行相对xy运动直到该确定为肯定为止。

在图6中所示出的备选实施例中，每个单独的磨料元件210利用单独的致动器250(例如利用压电元件)被单独地致动。致动器250在控制单元260的控制下，以使这些致动器的相应磨料元件210横向移动，即在xy平面中移动。该力可以以协调的方式被施加，以使得随着磨料元件210在xy平面中在不同方向上的运动以使得这些运动整体上彼此抵消，总的净的所施加的横向力将基本上为零。

还可以使用以下条款来描述实施例：

1.一种装置，包括：

衬底基座；

多个磨料元件，磨料元件中的每个磨料元件通过相应联接元件机械地联接到衬底基座。

2.根据条款1的装置，其中衬底基座包括掩模版基座。

3.根据条款1的装置，进一步其中相应磨料元件中的每个相应磨料元件包括压电元件，该压电元件被布置成在控制单元的控制下横向地移动相应磨料元件。

4.根据条款1的装置，其中相应联接元件中的每个联接元件包括相应挠曲件。

5.根据条款4的装置，其中每个相应挠曲件被预装载。

6.根据条款4的装置，其中每个相应挠曲件在基本上垂直于衬底基座的方向上具有低的弹簧常数。

7.根据条款4的装置，其中每个相应挠曲件在基本上垂直于衬底基座的方向上具有在约50N/m至约5000N/m的范围内的弹簧常数。

8.根据条款1的装置，其中多个磨料元件中的每个磨料元件具有基本上相同的形状和大小。

9.根据条款1的装置，其中多个磨料元件以阵列方式被布置。

10.根据条款9的装置，其中阵列是有序阵列。

11.根据条款9的装置，其中阵列基本上覆盖衬底基座。

12.根据条款1的装置，其中磨料元件中的每个磨料元件包括陶瓷材料。

13.根据条款1的装置，其中针对磨料元件中的每个磨料元件，磨料元件与衬底基座之间的距离被止挡件限制。

14.一种使半导体光刻装置中的夹具的表面粗糙化的方法，方法包括以下步骤：

将粗糙化衬底装载到载物台上，粗糙化衬底具有被设置有多个磨料元件的面；

使粗糙化衬底与夹具对准，以使得夹具的具有突节的表面与粗糙化衬底的具有磨料元件的面相对；

将磨料元件压向夹具的表面；

通过基本上在基本上平行于夹具的表面的平面中平移磨料元件来使突节粗糙化，直到获得期望的粗糙度为止；

将粗糙化衬底移离夹具；

将粗糙化衬底移动到粗糙化掩模版可以从载物台被卸载的位置；以及

从载物台卸载粗糙化衬底。

15.根据条款14的方法，其中在基本上平行于夹具的表面的平面中平移粗糙化衬底直到获得期望的粗糙度为止的步骤包括：确定突节何时具有期望的粗糙度。

16.根据条款15的方法，其中确定何时已经获得期望的粗糙度包括确定何时经过了已知会产生期望的粗糙度的时间量。

17.根据条款15的方法，其中确定何时已经获得期望的粗糙度包括：感测突节的粗糙度。

18.根据条款14的方法，其中通过基本上在基本上平行于夹具的表面的平面中平移磨料元件来使突节粗糙化直到获得期望的粗糙度为止包括：移动衬底。

19.根据条款14的方法，其中多个磨料元件机械地被联接到相应致动器，并且其中通过基本上在基本上平行于夹具的表面的平面中平移磨料元件来使突节粗糙化直到获得期望的粗糙度为止包括：使致动器基本上在基本上平行于夹具的表面的平面中移动这些致动器的相应磨料元件。

20.根据条款19的方法，其中致动器包括压电元件。

本公开借助于说明了特定功能和其关系的实施方式的功能构建块来进行。为了便于描述，在本文中已经任意限定了这些功能构建块的边界。只要适当执行指定的功能和其关系，就可以限定交替的边界。例如，计量模块功能可以在几个***之间被划分，或至少部分地由整体控制***执行。

上文描述包括一个或多个实施例的示例。当然，出于描述前述实施例的目的，不可能描述组件或方法的每一可能的组合，但本领域的普通技术人员可以认识到，各种实施例的许多进一步的组合和置换是可能的。因此，所描述的实施例旨在涵盖落入所附权利要求书的精神和范围内的全部这种更改、修改和变型。此外，在详细描述或权利要求书中使用术语“包括(includes)”的意义上，这种术语旨在以类似于术语“包括(comprising)”的方式为包括在内的，因为“包括(comprising)”在被采用时在权利要求中作为过渡词被解释。此外，尽管可以以单数形式描述或要求所描述的方面和/或实施例的元件，但是除非明确声明了对单数的限制，否则可以预期复数形式。附加地，除非另有说明，否则任何方面和/或实施例的全部或一部分可以与任何其他方面和/或实施例的全部或一部分一起被利用。

Claims

1.一种装置，包括：

衬底基座；

多个磨料元件，所述磨料元件中的每个磨料元件通过相应联接元件机械地联接到所述衬底基座。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述衬底基座包括掩模版基座。

3.根据权利要求1所述的装置，进一步其中相应磨料元件中的每个相应磨料元件包括压电元件，所述压电元件被布置成在控制单元的控制下横向地移动所述相应磨料元件。

4.根据权利要求1所述的装置，其中所述相应联接元件中的每个联接元件包括相应挠曲件。

5.根据权利要求4所述的装置，其中每个相应挠曲件都被预装载。

6.根据权利要求4所述的装置，其中每个相应挠曲件在基本上垂直于所述衬底基座的方向上具有低的弹簧常数。

7.根据权利要求4所述的装置，其中每个相应挠曲件在基本上垂直于所述衬底基座的方向上具有在约50N/m至约5000N/m的范围内的弹簧常数。

8.根据权利要求1所述的装置，其中所述多个磨料元件中的所述每个磨料元件具有基本上相同的形状和大小。

9.根据权利要求1所述的装置，其中所述多个磨料元件以阵列方式被布置。

10.根据权利要求9所述的装置，其中所述阵列是有序阵列。

11.根据权利要求9所述的装置，其中所述阵列基本上覆盖所述衬底基座。

12.根据权利要求1所述的装置，其中所述磨料元件中的每个磨料元件包括陶瓷材料。

13.根据权利要求1所述的装置，其中针对所述磨料元件中的每个磨料元件，所述磨料元件与所述衬底基座之间的距离被止挡件限制。