CN112151273B - 多层陶瓷电子组件 - Google Patents

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Abstract

本公开提供一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括陶瓷主体，所述陶瓷主体包括介电层以及被设置为彼此面对的第一内电极和第二内电极，且对应的介电层介于所述第一内电极与所述第二内电极之间。所述第一内电极包括对所述电容的产生有贡献的主体部以及具有比所述主体部窄的宽度和从一表面暴露的端部的引出部，并且所述第二内电极包括对所述电容的产生有贡献的主体部以及具有比所述第二内电极的所述主体部窄的宽度和从另一表面暴露的端部的引出部。所述第一内电极的所述引出部和所述第二内电极的所述引出部的宽度w2与所述第一内电极的所述主体部和所述第二内电极的所述主体部的宽度w1的比w2/w1满足0.3≤w2/w1≤0.5。

Description

多层陶瓷电子组件
本申请要求于2019年6月26日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0076144号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容出于所有目的通过引用被全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种多层陶瓷电子组件，更具体地，涉及一种具有优异可靠性的多层陶瓷电子组件。
背景技术
由于近来基板的安装密度越来越高的趋势，存在对减小多层陶瓷电容器的安装面积的需要。此外，对于通过减小产品的厚度而嵌在基板中的产品或者以LSC式安装的产品的需求不断增长。
在这种情况下，不仅安装面积减小，而且基板中产生的等效串联电感(ESL)减小。因此，对纤薄的多层陶瓷电容器的需求不断增长。
然而，纤薄的多层陶瓷电容器具有低的防潮可靠性。
常规上，为了防止防潮可靠性的这种劣化，将引出部(作为暴露到陶瓷主体的外部的区域)的宽度小于对电容的产生有贡献的主体部的宽度的图案涂覆到内电极。
然而，如果为了防止防潮可靠性的劣化而使暴露到陶瓷主体的外部的引出部的宽度比对电容的产生有贡献的主体部的宽度小太多，则存在使等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL)增加的副作用。
因此，需要确定第一内电极和第二内电极中的引出部的宽度与对电容的产生有贡献的主体部的宽度的比，从而可确保低的ESR和ESL并提高可靠性。
发明内容
本公开的一方面在于提供一种多层陶瓷电子组件，更具体地，提供一种具有优异可靠性的多层陶瓷电子组件。
根据本公开的一方面，一种多层陶瓷电子组件包括陶瓷主体，所述陶瓷主体包括介电层以及彼此面对的第一内电极和第二内电极，且对应的介电层介于所述第一内电极与所述第二内电极之间，并且所述陶瓷主体包括在所述陶瓷主体的厚度方向上彼此背对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面且彼此背对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面至所述第四表面且彼此背对的第五表面和第六表面，其中，所述介电层沿着所述陶瓷主体的所述厚度方向堆叠。在所述陶瓷主体的所述第五表面和所述第六表面上分别设置有第一外电极和第二外电极，其中，所述第一外电极电连接到所述第一内电极，并且所述第二外电极电连接到所述第二内电极。所述陶瓷主体包括：有效部，通过包括被设置为彼此面对且对应的介电层介于它们之间的所述第一内电极和所述第二内电极而产生电容；以及覆盖部，分别设置在所述有效部的上部和下部上。所述第一内电极包括对所述电容的产生有贡献的主体部以及具有比所述主体部窄的宽度和从所述第五表面暴露的端部的引出部，并且所述第二内电极包括对所述电容的产生有贡献的主体部以及具有比所述第二内电极的所述主体部窄的宽度和从所述第六表面暴露的端部的引出部。所述第一内电极的所述引出部和所述第二内电极的所述引出部的宽度w2与所述第一内电极的所述主体部和所述第二内电极的所述主体部的宽度w1的比w2/w1满足0.3≤w2/w1≤0.5。
附图说明
通过下面结合附图进行的详细描述，本公开的以上和其他方面、特征及优点将被更加清楚地理解，在附图中：
图1是根据本公开中的实施例的多层陶瓷电容器的示意性透视图；
图2是根据实施例的陶瓷主体的示意图；
图3是图2的分解透视图；
图4是各自堆叠在介电层上的第一内电极和第二内电极的平面图；
图5是根据实施例的沿着图1的线I-I'截取的截面图；以及
图6是在图1的B方向上获取的俯视图。
具体实施方式
本发明可以以许多不同的形式实施，并且不应被解释为限于在此阐述的实施例。更确切地说，提供这些实施例，使得本公开将是彻底和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本发明的范围。因此，为了清楚起见，可夸大附图中的元件的形状和尺寸，并且相同的附图标记将始终用于表示相同或相似的元件。
在说明书中，理解的是，除非另外特别指出，否则当某个部件“包括”某个元件时，该某个部件还可包括其他元件，而不排除其他元件。
在附图中，为了清楚起见，将省略用于描述本公开的任何不必要的内容，并且出于清楚地示出层和区域的目的，放大了厚度。附图中同样的附图标记表示同样的元件，因此将省略它们的描述。
在下文中，将参照附图如下描述本公开的优选实施例。
图1是根据本公开中的实施例的多层陶瓷电容器的示意性透视图。
图2是根据实施例的陶瓷主体的示意图。
图3是图2的分解透视图。
图4是各自堆叠在介电层上的第一内电极和第二内电极的平面图。
图5是根据实施例的沿着图1的线I-I'截取的截面图。
图6是在图1的B方向上获取的俯视图。
参照图1至图6，根据实施例的多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体110，包括介电层111以及被设置为彼此面对的第一内电极121和第二内电极122，且对应的介电层111介于第一内电极121与第二内电极122之间，并且陶瓷主体110包括彼此背对的第一表面S1和第二表面S2、连接到第一表面S1和第二表面S2并且彼此背对的第三表面S3和第四表面S4以及连接到第一表面至第四表面并且彼此背对的第五表面S5和第六表面S6；以及第一外电极131和第二外电极132，设置在陶瓷主体110的外表面上，第一外电极131电连接到第一内电极121，并且第二外电极132电连接到第二内电极122。陶瓷主体110包括：有效部A，通过包括被设置为彼此面对且对应的介电层111介于它们之间的第一内电极121和第二内电极122而产生电容；以及覆盖部C1和C2，设置在有效部A的上部和下部上。
在下文中，根据实施例的多层陶瓷电子组件将具体描述为多层陶瓷电容器，但不限于此。
关于根据实施例的多层陶瓷电容器100，“长度方向”、“宽度方向”和“厚度方向”分别定义为“L”方向、“W”方向和“T”方向。“厚度方向”可被用于与介电层堆叠所沿的方向相同的含义，例如，“层叠方向”。
在实施例中，陶瓷主体110在构造方面不受特别限制，而是可以是如附图中示出的矩形长方体的形状。
陶瓷主体110可包括彼此面对的第一表面S1和第二表面S2、连接到第一表面S1和第二表面S2并且彼此背对的第三表面S3和第四表面S4以及连接到第一表面至第四表面并且彼此背对的第五表面S5和第六表面S6。
第一表面S1和第二表面S2是在陶瓷主体110的厚度方向上面对的表面。第三表面S3和第四表面S4可定义为在长度方向上面对的表面，而第五表面S5和第六表面S6可定义为在宽度方向上面对的表面。
形成在陶瓷主体110中的多个第一内电极121和多个第二内电极122的端部交替地暴露于陶瓷主体的第五表面S5和第六表面S6。
内电极121和122可以是成对的具有不同极性的第一内电极121和第二内电极122。
第一内电极121的一端可暴露于第五表面S5，而第二内电极122的一端可暴露于第六表面S6。
第一内电极121的另一端形成为距第六表面S6特定距离。
第二内电极122的另一端形成为距第五表面S5特定距离。这将在下面更详细地描述。
第一外电极131形成在第五表面S5上，以电连接到第一内电极121，而第二外电极132形成在第六表面S6上，以电连接到第二内电极122。
第一内电极和第二内电极中的每个的厚度可以是0.4μm或更小。
根据实施例，形成介电层111的原材料不受特别限制，只要可获得足够的电容即可，例如，可以是钛酸钡(BaTiO3)粉末。
关于形成介电层111的材料，根据本公开的目的，可将各种陶瓷添加剂、有机溶剂、增塑剂、粘合剂、分散剂等添加到钛酸钡等的粉末中。
这样的陶瓷主体110可包括：有效部A，作为对电容器的电容的产生有贡献的部分；以及上覆盖部C1和下覆盖部C2，分别设置在有效部A的上部和下部上，作为上边缘部和下边缘部。
有效部A可通过重复地堆叠多个第一内电极121和多个第二内电极122同时使介电层介于第一内电极121与第二内电极122之间形成。
除了上覆盖部C1和下覆盖部C2不包括内电极之外，上覆盖部C1和下覆盖部C2可具有与介电层111的材料和成分相同的材料和成分。
换言之，上覆盖部C1和下覆盖部C2可包括陶瓷材料，例如，BaTiO3基陶瓷材料。
上覆盖部C1和下覆盖部C2可通过在竖直方向上分别在有效部A的上表面和下表面上堆叠单个介电层或者至少两个介电层形成。上覆盖部C1和下覆盖部C2基本上可防止由于物理应力或化学应力导致的内电极的损坏。
形成第一内电极121和第二内电极122的材料不受特别限制，而是例如，可以是包括银(Ag)、钯(Pd)、铂(Pt)、镍(Ni)和铜(Cu)中的至少一种的导电膏。
根据实施例的多层陶瓷电容器可包括：第一外电极131，电连接到第一内电极121；以及第二外电极132，电连接到第二内电极122。
第一外电极131和第二外电极132可电连接到第一内电极121和第二内电极122，以产生电容。第二外电极132可连接到与第一外电极131的电位不同的电位。
第一内电极121和第二内电极122被设置为彼此面对且对应的介电层111介于它们之间，并且第一内电极121和第二内电极122可交替地暴露于陶瓷主体110的在宽度方向上的第五表面S5和第六表面S6。
通过使第一内电极121和第二内电极122交替地暴露于陶瓷主体110的在宽度方向上的第五表面S5和第六表面S6，可实现反向几何电容器(RGC)或低电感片式电容器(LICC)。
换言之，陶瓷主体110的长度是第三表面S3与第四表面S4之间的距离，陶瓷主体110的宽度是第五表面S5与第六表面S6之间的距离，其中，第一内电极121和第二内电极122交替地暴露于第五表面S5和第六表面S6。陶瓷主体110的长度可大于陶瓷主体110的宽度。
常规多层陶瓷电子组件可包括设置在陶瓷主体的在长度方向上彼此背对的表面上的外电极。
在这种情况下，当将交流(AC)施加到外电极时，电流路径长，因此会形成较长的电流回路。此外，由于感应磁场的尺寸增大，电感也会增大。
根据实施例，为了解决该问题，第一外电极131和第二外电极132可设置在陶瓷主体110的在宽度方向上的第五表面S5和第六表面S6上，以减小电流路径的长度。
在这种情况下，由于第一外电极131与第二外电极132之间的距离小，因此电流路径变短，这将减小电流回路的长度，从而导致电感减小。
参照图3和图4，关于根据实施例的多层陶瓷电容器，第一内电极121包括对电容的产生有贡献的主体部121a以及具有与主体部121a相比较窄的宽度和暴露于第五表面S5的一端的引出部121b。第二内电极122包括对电容的产生有贡献的主体部122a以及具有与主体部122a相比较窄的宽度和暴露于第六表面S6的一端的引出部122b。第一内电极121和第二内电极122的引出部121b和122b的宽度w2与主体部121a和122a的宽度w1的比满足0.3≤w2/w1≤0.5。在一个示例中，宽度w2是指引出部121b和122b从主体暴露的边缘的宽度。在一个示例中，引出部121b和122b中的每个在平面图中可具有梯形形状，并且主体部121a和122a中的每个在平面图中可具有矩形形状。引出部121b和122b中的每个引出部的梯形的较短底边可从陶瓷主体110暴露，并且可具有宽度w2。引出部121b的梯形的较长底边可以与主体部121a的矩形形状的一边相连，因此可具有与主体部121a的宽度w1相同的宽度。引出部122b的梯形的较长底边可以与主体部122a的矩形形状的一边相连，因此可具有与主体部122a的宽度w1相同的宽度。然而，本公开不限于此。
常规上，为了防止这样的防潮可靠性的劣化，将引出部(作为暴露于陶瓷主体的外部的区域)的宽度小于对电容的产生有贡献的主体部的宽度的图案涂覆到内电极。
然而，如果为了防止防潮可靠性的劣化而使暴露于陶瓷主体的外部的引出部的宽度比对电容产生有贡献的主体部的宽度小太多，则存在等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL)增加的副作用。
根据实施例，通过将第一内电极121和第二内电极122的引出部121b和122b的宽度w2与主体部121a和122a的宽度w1的比调节为满足0.3≤w2/w1≤0.5，可获得能够实现低ESR并且具有优异可靠性的多层陶瓷电子组件。
换言之，根据实施例，为了防止防潮可靠性的劣化，将引出部121b和122b(作为暴露于陶瓷主体110的外部的区域)的宽度小于对电容的产生有贡献的主体部121a和122a的宽度的图案涂覆到第一内电极121和第二内电极122；然而，为了减少由此可能引起的ESR和ESL增加的副作用，调节了第一内电极121和第二内电极122的引出部121b和122b的宽度w2与主体部121a和122a的宽度w1的比w2/w1。
当第一内电极121和第二内电极122的引出部121b和122b的宽度w2与主体部121a和122a的宽度w1的比w2/w1小于0.3时，ESR和ESL太高。
相比之下，当第一内电极121和第二内电极122的引出部121b和122b的宽度w2与主体部121a和122a的宽度w1的比w2/w1大于0.5时，防潮可靠性降低。
特别地，当第一内电极121和第二内电极122的引出部121b和122b的宽度w2与主体部121a和122a的宽度w1的比w2/w1满足0.3≤w2/w1≤0.5时，可在提高可靠性的同时获得低ESL。此外，可利用单个芯片替代至少两个芯片。
也就是说，多层陶瓷电子组件的长度和宽度分别为1.0±0.1mm和0.5±0.1mm(尺寸为1005)。
当常规多层陶瓷电容器的长度和宽度为0603尺寸(即，分别为0.6mm和0.3mm)时，ESL约为160pH，ESR约为20mΩ。
当第一内电极121和第二内电极122的引出部121b和122b的宽度w2与主体部121a和122a的宽度w1的比w2/w1满足0.3≤w2/w1≤0.5时，尽管多层陶瓷电子组件的长度和宽度分别为1.0±0.1mm和0.5±0.1mm，但ESL可为80pH或更小并且ESR可为10mΩ或更小。
换言之，当第一内电极121和第二内电极122的引出部121b和122b的宽度w2与主体部121a和122a的宽度w1的比w2/w1满足0.3≤w2/w1≤0.5时，根据实施例的多层陶瓷电容器100有助于获得替代两个尺寸为0603的多层陶瓷电容器的电特性。
因此，可利用一个根据实施例的多层陶瓷电子组件代替两个常规的多层陶瓷电容器，从而减小基板安装表面积。
参照图5，第一外电极131和第二外电极132分别设置在陶瓷主体110的在宽度方向上的第五表面S5和第六表面S6上，并且可延伸到陶瓷主体110的在厚度方向上的第一表面S1和第二表面S2。
第一外电极131和第二外电极132设置在陶瓷主体110的外表面上。第一外电极131可包括电极层131a和导电层131b，电极层131a包括第一导电金属，导电层131b设置在电极层131a上并且包括第二导电金属，第二外电极132可包括电极层132a和导电层132b，电极层132a包括第一导电金属，导电层132b设置在电极层132a上并且包括第二导电金属。
参照图5，导电层131b和132b均包括单层，但不限于此。例如，导电层均可具有至少两层。
电极层131a和132a可包括第一导电金属和玻璃。
为了产生电容，第一外电极131和第二外电极132可分别形成在陶瓷主体110的在宽度方向上的第五表面S5和第六表面S6上。包括在第一外电极131和第二外电极132中的电极层131a和132a可分别电连接到第一内电极121和第二内电极122。
电极层131a和132a可利用与第一内电极121和第二内电极122的导电材料相同的导电材料形成，但不限于此。例如，电极层131a和132a可包括从由铜(Cu)、银(Ag)、镍(Ni)和它们的合金组成的组中选择的至少一种第一导电金属。
电极层131a和132a可通过涂覆通过将玻璃料添加到第一导电金属的粉末制备的导电膏并烧制导电膏来形成。
根据实施例，第一外电极131和第二外电极132包括电极层131a和132a，并且可包括包含第二导电金属的导电层131b和132b。
第二导电金属不受特别限制，而是可以是从由铜(Cu)、镍(Ni)、锡(Sn)和它们的合金组成的组中选择的至少一种。
另外，根据实施例，多层陶瓷电容器100可具有100μm或更小的厚度。
由于近来基板的安装密度越来越高的趋势，对厚度为100μm或更小的多层陶瓷电容器的需求已经增加。然而，所述多层陶瓷电容器具有低的防潮可靠性。
根据实施例，可通过将第一内电极121和第二内电极122的引出部121b和122b的宽度w2与主体部121a和122a的宽度w1的比调节为满足0.3≤w2/w1≤0.5来防止防潮可靠性的劣化。
就此而言，即使在厚度为100μm或更小的多层陶瓷电容器中布置薄的覆盖部的情况下，也可防止可靠性的劣化。
参照图5，覆盖部C1和C2的厚度Tc可满足相对于多层陶瓷电子组件的宽度W的1/40或更小以及相对于多层陶瓷电子组件的厚度T的1/5或更小。
在常规多层陶瓷电子组件中，当覆盖部C1和C2的厚度Tc满足相对于常规多层陶瓷电子组件的宽度W的1/40或更小或者相对于常规多层陶瓷电子组件的厚度T的1/5或更小时，可靠性会劣化。
然而，根据实施例，即使当覆盖部C1和C2的厚度Tc满足相对于多层陶瓷电子组件的宽度W的1/40或更小或者多层陶瓷电子组件的厚度T的1/5或更小时，通过将第一内电极121和第二内电极122的引出部121b和122b的宽度w2与主体部121a和122a的宽度w1的比调节为满足0.3≤w2/w1≤0.5，也可防止可靠性的劣化。
根据实施例，小型化和高容量的多层陶瓷电容器的特征在于介电层111的厚度为0.4μm或更小并且第一内电极121和第二内电极122中的每个的厚度为0.4μm或更小。
在常规多层陶瓷电子组件中，当如以上实施例中那样介电层111薄至0.4μm或更小并且内电极薄至0.4μm或更小时，可靠性会劣化。
然而，在实施例中，可通过将第一内电极121和第二内电极122的引出部121b和122b的宽度w2与主体部121a和122a的宽度w1的比调节为满足0.3≤w2/w1≤0.5来提高可靠性。
然而，薄膜不一定意味着介电层111以及第一内电极121和第二内电极122的厚度为0.4μm或更小；可理解的是，包括比常规产品的介电层和内电极薄的介电层和内电极。
参照图6，第一外电极131和第二外电极132的设置在陶瓷主体110的在厚度方向上的第一表面S1上(或第二表面S2上)的面积之和与陶瓷主体110的第一表面S1(或第二表面S2)的面积的表面积比可以为50％或更大。
当第一外电极131和第二外电极132的设置在陶瓷主体110的在厚度方向上的第一表面S1(或第二表面S2)上的面积之和与陶瓷主体110的第一表面S1(或第二表面S2)的面积的表面积比为50％或更大时，可实现低ESL。
在下文中，将描述根据实施例的用于制造多层陶瓷电子组件的方法，但不限于此。
根据实施例的用于制造多层陶瓷电子组件的方法涉及：通过将制备成包括BaTiO3等的粉末的浆料涂覆在载体膜上并干燥来制备多个陶瓷生片，从而形成介电层。
陶瓷生片的制造包括：通过混合陶瓷粉末、粘合剂和溶剂来制备浆料以及使用刮刀法将浆料形成为具有几微米厚的片的形式。
可制备导电膏，以包括40重量份至50重量份(相对于100重量份的导电膏)的粒径为0.1μm至0.2μm的镍颗粒。
通过使用丝网印刷方法将用于内电极的导电膏涂覆在生片上来形成内电极图案并且堆叠其中形成有内电极图案的生片来制备陶瓷主体110。
在烧制根据实施例的内电极图案之后，制备内电极图案，使得第一内电极121和第二内电极122的引出部121b和122b的宽度w2与主体部121a和122a的宽度w1的比w2/w1满足0.3≤w2/w1≤0.5。
然后可在陶瓷主体的外表面上制备电极层，以使电极层包括第一导电金属和玻璃。
第一导电金属不受特别限制，而是例如，可以是从由Cu、Ag、Ni和它们的合金组成的组中选择的至少一种。
玻璃不受特别限制，并且可以是具有与制造常规多层陶瓷电容器的外电极时使用的玻璃的成分相同成分的材料。
电极层形成在陶瓷主体的上表面和下表面以及端部上，因此可分别电连接到第一内电极和第二内电极。
电极层可包括的相对于第一导电金属的至少5％体积的玻璃量。
可在第一电极层上形成导电层，以包括第二导电金属。
第二导电金属不受特别限制，而是例如，可以是从由Cu、Ni、Sn和它们的合金组成的组中选择的至少一种。
根据实施例，将第一内电极121和第二内电极122的引出部121b和122b的宽度w2与主体部121a和122a的宽度w1的比w2/w1调节为满足0.3≤w2/w1≤0.5。
下表1示出了：在第一内电极121和第二内电极122的引出部121b和122b的宽度w2与主体部的宽度w1的不同的比w2/w1下，根据ESL、ESR和可靠性的测量结果。
[表1]
样品 w2/w1 ESL(pH) ESR(mΩ) 可靠性
*1 1.0 53.91 5.86 X
*2 0.9 55.07 5.87 X
*3 0.8 57.18 5.96 X
*4 0.7 60.40 6.15 X
*5 0.6 63.19 6.69 X
6 0.5 67.05 7.42 O
7 0.4 71.75 8.19 O
8 0.3 78.28 9.26 O
*9 0.2 84.55 10.66 O
*10 0.1 92.54 13.05 O
*比较示例
上表1中作为比较示例的样品编号1至5是第一内电极121和第二内电极122的引出部121b和122b的宽度w2与主体部121a和122a的宽度w1的比w2/w1大于0.5的情况，从而导致防潮可靠性降低。
另外，作为比较示例的样品编号9和10是第一内电极121和第二内电极122的引出部121b和122b的宽度w2与主体部121a和122a的宽度w1的比w2/w1小于0.3的情况，从而导致ESR和ESL过高。
相比之下，作为本公开的示例的样品编号6至8是将第一内电极121和第二内电极122的引出部121b和122b的宽度w2与主体部121a和122a的宽度w1的比w2/w1调节为满足0.3≤w2/w1≤0.5的情况。因此，可获得能够实现低ESL并且具有优异可靠性的多层陶瓷电子组件。
特别地，作为本公开的示例的样品编号6至8是第一内电极121和第二内电极122的引出部121b和122b的宽度w2与主体部121a和122a的宽度w1的比w2/w1满足0.3≤w2/w1≤0.5的情况。这有助于在实现低ESL并提高可靠性的同时利用单个芯片代替至少两个芯片。
换言之，在尺寸为0603(即，长0.6mm和宽0.3mm)的常规多层电容器的情况下，ESL约为160pH，ESR约为20mΩ。
然而，根据本公开的实施例，当多层电容器的尺寸为1005(长度和宽度分别为1.0±0.1mm和0.5±0.1mm)时，在第一内电极121和第二内电极122的引出部121b和122b的宽度w2与主体部121a和122a的宽度w1的比w2/w1满足0.3≤w2/w1≤0.5的样品编号6至8的情况下，ESL可以为80pH或更小，并且ESR可约为10mΩ或更小。
也就是说，当第一内电极121和第二内电极122的引出部121b和122b的宽度w2与主体部121a和122a的宽度w1的比w2/w1满足0.3≤w2/w1≤0.5时，根据实施例的多层陶瓷电容器100有助于获得替代两个尺寸为0603的多层陶瓷电容器的电特性。
因此，可利用一个根据实施例的多层陶瓷电子组件代替两个常规多层陶瓷电容器，从而减小基板安装表面积。
虽然以上已经示出并描述了示例实施例，但是对于本领域技术人员而言将明显的是，在不脱离本公开的由所附权利要求限定的范围的情况下，可以进行修改和变型。

Claims (17)

1.一种多层陶瓷电子组件，包括：
陶瓷主体，包括介电层以及彼此面对的第一内电极和第二内电极，且对应的介电层介于所述第一内电极与所述第二内电极之间，并且所述陶瓷主体包括在所述陶瓷主体的厚度方向上彼此背对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面且在长度方向上彼此背对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面至所述第四表面且在宽度方向上彼此背对的第五表面和第六表面，其中，所述介电层沿着所述陶瓷主体的所述厚度方向堆叠；以及
第一外电极和第二外电极，分别设置在所述陶瓷主体的所述第五表面和所述第六表面上，所述第一外电极电连接到所述第一内电极，并且所述第二外电极电连接到所述第二内电极，
其中，在所述长度方向上测量的所述陶瓷主体的长度大于在所述宽度方向上测量的所述陶瓷主体的宽度，
其中，所述陶瓷主体包括：有效部，通过包括被设置为彼此面对且对应的介电层介于它们之间的所述第一内电极和所述第二内电极而产生电容；以及覆盖部，分别设置在所述有效部的上部和下部上，
其中，所述第一内电极包括：主体部，对所述电容的产生有贡献；以及引出部，具有比所述主体部窄的宽度和从所述第五表面暴露的端部，
所述第二内电极包括：主体部，对所述电容的产生有贡献；以及引出部，具有比所述第二内电极的所述主体部窄的宽度和从所述第六表面暴露的端部，
所述第一内电极的所述引出部和所述第二内电极的所述引出部的宽度w2与所述第一内电极的所述主体部和所述第二内电极的所述主体部的宽度w1的比w2/w1满足0.3≤w2/w1≤0.5，
其中，所述多层陶瓷电子组件在所述厚度方向上的厚度为100μm或更小，所述覆盖部中的每个的厚度相对于所述多层陶瓷电子组件的在所述厚度方向上的厚度的比满足1/5或更小，并且
其中，所述第一内电极和所述第二内电极中的每个的所述引出部和所述主体部分别具有梯形形状和矩形形状，所述第一内电极和所述第二内电极中的每个的所述引出部的梯形形状的较长底边与所述第一内电极和所述第二内电极中的相应内电极的所述主体部的矩形形状的长边相连，所述第一内电极和所述第二内电极中的每个的所述引出部的梯形形状的较长底边和所述第一内电极和所述第二内电极中的相应内电极的所述主体部的矩形形状的长边具有宽度w1，所述第一内电极和所述第二内电极的所述引出部的梯形形状的较短底边分别从所述陶瓷主体的所述第五表面和所述第六表面暴露并且具有宽度w2。
2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述多层陶瓷电子组件的长度和宽度分别为1.0±0.1mm和0.5±0.1mm。
3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第一外电极和所述第二外电极中的每个包括电极层，所述电极层包括第一导电金属和玻璃，玻璃的体积含量为第一导电金属的体积含量的至少5％。
4.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第一内电极的厚度为0.4μm或更小，所述第二内电极的厚度为0.4μm或更小，所述介电层的厚度为0.4μm或更小。
5.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述覆盖部中的每个的厚度相对于所述多层陶瓷电子组件的宽度的比满足1/40或更小。
6.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第一外电极和所述第二外电极中的每个包括电极层和导电层。
7.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第一外电极和所述第二外电极延伸到所述第一表面和所述第二表面，并且
所述第一外电极和所述第二外电极的设置在所述第一表面和所述第二表面中的一个表面上的面积之和相对于所述陶瓷主体的所述第一表面和所述第二表面中的所述一个表面的面积的表面积比为50％或更大。
8.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第一内电极的厚度为0.4μm或更小，所述第二内电极的厚度为0.4μm或更小。
9.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述介电层的厚度为0.4μm或更小。
10.一种多层陶瓷电子组件，包括：
陶瓷主体，包括介电层以及彼此面对的第一内电极和第二内电极，且对应的介电层介于所述第一内电极与所述第二内电极之间，并且所述陶瓷主体包括在所述陶瓷主体的厚度方向上彼此背对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面且在长度方向上彼此背对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面至所述第四表面且在宽度方向上彼此背对的第五表面和第六表面，其中，所述介电层沿着所述陶瓷主体的所述厚度方向堆叠；以及
第一外电极和第二外电极，分别设置在所述陶瓷主体的所述第五表面和所述第六表面上，所述第一外电极电连接到所述第一内电极，并且所述第二外电极电连接到所述第二内电极，
其中，在所述长度方向上测量的所述陶瓷主体的长度大于在所述宽度方向上测量的所述陶瓷主体的宽度，
其中，所述陶瓷主体包括：有效部，通过包括被设置为彼此面对且对应的介电层介于它们之间的所述第一内电极和所述第二内电极而产生电容；以及覆盖部，分别设置在所述有效部的上部和下部上，
其中，所述第一内电极包括：主体部，对所述电容的产生有贡献；以及引出部，具有比所述主体部窄的宽度和从所述第五表面暴露的端部，
所述第二内电极包括：主体部，对所述电容的产生有贡献；以及引出部，具有比所述第二内电极的所述主体部窄的宽度和从所述第六表面暴露的端部，
所述第一内电极的所述引出部和所述第二内电极的所述引出部的宽度w2与所述第一内电极的所述主体部和所述第二内电极的所述主体部的宽度w1的比w2/w1满足0.3≤w2/w1≤0.5，并且
其中，所述多层陶瓷电子组件在所述厚度方向上的厚度为100μm或更小，所述覆盖部中的每个的厚度相对于所述多层陶瓷电子组件的在所述宽度方向上的宽度的比满足1/40或更小，并且
其中，所述第一内电极和所述第二内电极中的每个的所述引出部和所述主体部分别具有梯形形状和矩形形状，所述第一内电极和所述第二内电极中的每个的所述引出部的梯形形状的较长底边与所述第一内电极和所述第二内电极中的相应内电极的所述主体部的矩形形状的长边相连，所述第一内电极和所述第二内电极中的每个的所述引出部的梯形形状的较长底边和所述第一内电极和所述第二内电极中的相应内电极的所述主体部的矩形形状的长边具有宽度w1，所述第一内电极和所述第二内电极的所述引出部的梯形形状的较短底边分别从所述陶瓷主体的所述第五表面和所述第六表面暴露并且具有宽度w2。
11.根据权利要求10所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述多层陶瓷电子组件的长度和宽度分别为1.0±0.1mm和0.5±0.1mm。
12.根据权利要求10所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第一外电极和所述第二外电极中的每个包括电极层，所述电极层包括第一导电金属和玻璃，玻璃的体积含量为第一导电金属的体积含量的至少5％。
13.根据权利要求10所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第一内电极的厚度为0.4μm或更小，所述第二内电极的厚度为0.4μm或更小，所述介电层的厚度为0.4μm或更小。
14.根据权利要求10所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第一外电极和所述第二外电极中的每个包括电极层和导电层。
15.根据权利要求10所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第一外电极和所述第二外电极延伸到所述第一表面和所述第二表面，并且
所述第一外电极和所述第二外电极的设置在所述第一表面和所述第二表面中的一个表面上的面积之和相对于所述陶瓷主体的所述第一表面和所述第二表面中的所述一个表面的面积的表面积比为50％或更大。
16.根据权利要求10所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第一内电极的厚度为0.4μm或更小，所述第二内电极的厚度为0.4μm或更小。
17.根据权利要求10所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述介电层的厚度为0.4μm或更小。
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