CN112122778A - 激光加工去除熔渣***、方法、计算机设备及可读存储介质 - Google Patents

激光加工去除熔渣***、方法、计算机设备及可读存储介质 Download PDF

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CN112122778A CN202011019356.1A CN202011019356A CN112122778A CN 112122778 A CN112122778 A CN 112122778A CN 202011019356 A CN202011019356 A CN 202011019356A CN 112122778 A CN112122778 A CN 112122778A
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Abstract

本申请提供了一种激光加工去除熔渣***、方法、计算机设备及可读存储介质。所述激光加工去除熔渣***包括：激光加工装置、第一气嘴以及控制装置。所述第一气嘴与所述激光加工装置输出的激光光束同轴，且所述第一气嘴和所述激光加工装置设置于待加工硬脆基板的同侧。所述控制装置分别与所述激光加工装置和所述第一气嘴电连接。所述控制装置用于根据所述待加工硬脆基板当前待加工孔的预设吹扫能量值和吹扫能量阈值确定所述第一气嘴的吹扫能量值。

Description

激光加工去除熔渣***、方法、计算机设备及可读存储介质
技术领域
本申请涉及激光加工技术领域，特别是涉及激光加工去除熔渣***、方法、计算机设备及可读存储介质。
背景技术
激光加工是利用高能量激光束经过透镜聚焦后，在焦点上达到极高的能量密度作用在加工材料上，靠光热效应使待加工材料处于高温并发生气化进而达到切割或打孔的加工方法。激光加工时，在焦点处的材料达到上万度的高温，在如此高的温度下，材料被瞬间熔化或气化蒸发。激光加工方法以其加工速度快、生产效率高、精度高、材料加工范围广泛、经济效益好等优点，得到精细微加工行业的广泛应用。
目前针对硬脆材料的打孔主要采用激光加工。例如加工氧化铝材料，主要选择CO2或Nd：YAG激光器。采用激光加工时，会产生很多熔渣。产生的熔渣在空中飘浮，也会有一部分落入打的孔中。目前针对熔渣的去除大多采用人工划片或者超声波的方式来去除熔渣，具有去除效率低的缺陷。
发明内容
基于此，有必要针对现有激光加工打孔时，采用人工划片或者超声波的方式来去除熔渣，具有去除效率低的问题，提供一种激光加工去除熔渣***、方法、计算机设备及可读存储介质。
一种激光加工去除熔渣***，包括：
激光加工装置；
第一气嘴，与所述激光加工装置输出的激光光束同轴，且所述第一气嘴和所述激光加工装置设置于待加工硬脆基板的同侧；以及
控制装置，分别与所述激光加工装置和所述第一气嘴电连接，用于根据所述待加工硬脆基板当前待加工孔的预设吹扫能量值和吹扫能量阈值确定所述第一气嘴的吹扫能量值。
在其中一个实施例中，所述控制装置用于将所述当前待加工孔的所述预设吹扫能量值和所述吹扫能量阈值进行比较；
若所述预设吹扫能量值大于或等于所述吹扫能量阈值，则确定所述第一气嘴的吹扫能量值为所述预设吹扫能量值；
若所述预设吹扫能量值小于所述吹扫能量阈值，则确定所述第一气嘴的吹扫能量值为所述吹扫能量阈值。
在其中一个实施例中，所述控制装置还用于根据所述待加工硬脆基板的预设待加工孔数量和各个所述预设待加工孔对应的所述预设吹扫能量值确定所述吹扫能量阈值。
在其中一个实施例中，所述的激光加工去除熔渣***还包括：
第二气嘴，与所述控制装置电连接，所述第二气嘴和所述第一气嘴设置于所述待加工硬脆基板的不同侧，且所述第二气嘴和所述第一气嘴在吹扫时设置于所述当前待加工孔的相对两侧。
在其中一个实施例中，所述第二气嘴和所述第一气嘴的吹扫方向不同轴，且所述第二气嘴与所述第一气嘴对所述当前待加工孔的吹扫能量值相同。
在其中一个实施例中，所述的激光加工去除熔渣***还包括：
视觉定位装置，与所述控制装置电连接，所述控制装置通过所述视觉定位装置确定所述第一气嘴和所述第二气嘴设置于所述当前待加工孔的相对两侧。
一种激光加工去除熔渣方法，应用于如权利要求-中任一项所述的激光加工去除熔渣***，所述方法包括：
控制所述第一气嘴和所述激光加工装置移动至所述待加工硬脆基板的所述当前待加工孔；
根据所述当前待加工孔的所述预设吹扫能量值和所述吹扫能量阈值确定所述第一气嘴的所述吹扫能量值。
在其中一个实施例中，所述根据所述当前待加工孔的所述预设吹扫能量值和所述吹扫能量阈值确定所述第一气嘴的所述吹扫能量值的步骤包括：
将所述当前待加工孔的所述预设吹扫能量值和所述吹扫能量阈值进行比较；
若所述预设吹扫能量值大于或等于所述吹扫能量阈值，则确定所述第一气嘴的吹扫能量值为所述预设吹扫能量值；
若所述预设吹扫能量值小于所述吹扫能量阈值，则确定所述第一气嘴的吹扫能量值为所述吹扫能量阈值。
在其中一个实施例中，所述根据所述当前待加工孔的所述预设吹扫能量值和所述吹扫能量阈值确定所述第一气嘴的所述吹扫能量值的步骤之前，所述方法还包括：
根据所述待加工硬脆基板的预设待加工孔数量和各个所述预设待加工孔对应的所述预设吹扫能量值确定所述吹扫能量阈值。
在其中一个实施例中，所述根据所述当前待加工孔的所述预设吹扫能量值和所述吹扫能量阈值确定所述第一气嘴的所述吹扫能量值的步骤之前，所述方法还包括：
控制第二气嘴移动至所述当前待加工孔的对侧位置，其中，所述第二气嘴和所述第一气嘴设置于所述待加工硬脆基板的不同侧，且所述第二气嘴和所述第一气嘴在吹扫时设置于所述当前待加工孔的相对两侧；
根据所述当前待加工孔的所述预设吹扫能量值和所述吹扫能量阈值确定所述第二气嘴的所述吹扫能量值。
在其中一个实施例中，所述第二气嘴和所述第一气嘴对所述当前待加工孔的吹扫方向不同轴。
一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述实施例中任一项所述方法的步骤。
一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述实施例中任一项所述的方法的步骤。
与现有技术相比，上述激光加工去除熔渣***、方法、计算机设备及可读存储介质，将所述第一气嘴与所述激光加工装置输出的激光光束同轴设置，同时将所述第一气嘴和所述激光加工装置设置于待加工硬脆基板的同侧。并通过所述控制装置根据所述待加工硬脆基板当前待加工孔的预设吹扫能量值和吹扫能量阈值确定所述第一气嘴的吹扫能量值，从而实现对熔渣的快速去除，提高加工效率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请一实施例提供的激光加工去除熔渣***的加工示意图；
图2为本申请一实施例提供的激光加工去除熔渣***的结构框图；
图3为本申请另一实施例提供的激光加工去除熔渣***的加工示意图；
图4为本申请另一实施例提供的激光加工去除熔渣***的结构框图；
图5为本申请一实施例提供的激光加工去除熔渣方法的流程图；
图6为本申请一实施例提供的计算机设备的内部结构图。
附图标记说明：
10、激光加工去除熔渣***；100、激光加工装置；101、待加工硬脆基板；200、第一气嘴；300、控制装置；400、第二气嘴；500、视觉定位装置。
具体实施方式
为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进，因此本申请不受下面公开的具体实施的限制。
需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
请参见图1和图2，本申请一实施例提供一种激光加工去除熔渣***10。所述激光加工去除熔渣***10包括：激光加工装置100、第一气嘴200以及控制装置300。所述第一气嘴200与所述激光加工装置100输出的激光光束同轴，且所述第一气嘴200和所述激光加工装置100设置于待加工硬脆基板101的同侧。所述控制装置300分别与所述激光加工装置100和所述第一气嘴200电连接。所述控制装置300用于根据所述待加工硬脆基板101当前待加工孔的预设吹扫能量值和吹扫能量阈值确定所述第一气嘴200的吹扫能量值。
可以理解，所述激光加工装置100的具体结构不限制，只要具有激光加工功能即可。在一个实施中，所述激光加工装置100可包括激光器、传输光纤、准直镜头、振镜和切割头。在进行激光加工时，激光器发射的激光通过传输光纤射入准直镜头，再进入振镜后经振镜照射进入切割头中进行聚焦焦点并照射在所述待加工硬脆基板101上，从而实现对所述待加工硬脆基板101激光加工。在一个实施例中，所述待加工硬脆基板101可以为陶瓷基板、玻璃基板等硬脆材料基板。在一个实施例中，所述待加工硬脆基板101的厚度可为0.05mm-2.0mm。
在一个实施例中，所述第一气嘴200可采用传统的激光加工用气嘴。在一个实施例中，所述第一气嘴200可用于吹气或吹水。其中，当所述第一气嘴200吹气时，吹出的气体可以为空气、氮气等。在一个实施例中，所述第一气嘴200吹气或吹水的能量值区间为0-2Mpa。在一个实施例中，所述控制装置300可以为上位机。
在一个实施例中，所述第一气嘴200与所述激光加工装置100输出的激光光束同轴是指：所述第一气嘴200的吹气方向与所述激光加工装置100输出的激光光束102同轴。将所述第一气嘴200与所述激光加工装置100输出的激光光束同轴设置的同时，需要将所述第一气嘴200和所述激光加工装置100设置于所述待加工硬脆基板101的同侧。如此可保证所述激光光束在对所述待加工硬脆基板101进行加工时，通过所述第一气嘴200配合，可及时将激光加工产生的熔渣去除，提高加工效率。
在一个实施例中，所述吹扫能量阈值可通过所述待加工硬脆基板101的预设待加工孔数量和各个所述预设待加工孔对应的所述预设吹扫能量值确定。例如，若所述预设待加工孔数量为N，则计算这N个所述预设待加工孔的所述预设吹扫能量值的中位值。该中位值即为所述吹扫能量阈值。在一个实施例中，N个所述预设待加工孔中的各个所述预设待加工孔对应的所述预设吹扫能量值可根据所述预设待加工孔的类型进行设定。
在一个实施例中，所述激光加工去除熔渣***10在工作时，即所述激光加工装置100在对所述待加工硬脆基板101的当前待加工孔进行加工时，所述控制装置300可根据所述待加工硬脆基板101当前待加工孔的预设吹扫能量值和吹扫能量阈值确定所述第一气嘴200的吹扫能量值。具体的，所述控制装置300可将所述当前待加工孔的所述预设吹扫能量值和所述吹扫能量阈值进行比较(如差值比较)。
若所述预设吹扫能量值大于或等于所述吹扫能量阈值，则确定此时所述第一气嘴200的吹扫能量值为所述预设吹扫能量值。即此时所述第一气嘴200可按照预设的吹扫能量值进行吹气或吹水。在一个实施例中，所述预设吹扫能量值是指气压或者水压。
若所述预设吹扫能量值小于所述吹扫能量阈值，则确定此时所述第一气嘴200的吹扫能量值为所述吹扫能量阈值。即当所述预设吹扫能量值小于所述吹扫能量阈值时，此时所述第一气嘴200采用所述吹扫能量阈值进行吹扫。如此采用上述自适应能量值的吹扫方式可保证激光加工产生的熔渣被有效去除，从而提高去除效率。在一个实施例中，通过所述第一气嘴200进行熔渣去除时，可通过导向槽进行引流，从而进一步提高熔渣去除效率。
本实施例中，将所述第一气嘴200与所述激光加工装置100输出的激光光束同轴设置，同时将所述第一气嘴200和所述激光加工装置100设置于待加工硬脆基板101的同侧。并通过所述控制装置300根据所述待加工硬脆基板101当前待加工孔的预设吹扫能量值和吹扫能量阈值确定所述第一气嘴200的吹扫能量值，从而实现对熔渣的快速去除，提高加工效率。
请参见图3，在一个实施例中，所述的激光加工去除熔渣***10还包括：第二气嘴400。所述第二气嘴400与所述控制装置300电连接。所述第二气嘴400和所述第一气嘴200设置于所述待加工硬脆基板101的不同侧，且所述第二气嘴400和所述第一气嘴200在吹扫时设置于所述当前待加工孔的相对两侧。
在一个实施例中，所述第二气嘴400与所述第一气嘴200的结构相同。在一个实施例中，所述第二气嘴400和所述第一气嘴200设置于所述待加工硬脆基板101的不同侧是指：所述第一气嘴200设置于所述待加工硬脆基板101的一侧，所述第一气嘴200设置于所述待加工硬脆基板101的另一侧。即所述第二气嘴400和所述第一气嘴200设置于所述待加工硬脆基板101的两侧。
在一个实施例中，所述第二气嘴400和所述第一气嘴200在吹扫时设置于所述当前待加工孔的相对两侧是指：在对所述待加工硬脆基板101的所述当前待加工孔进行吹扫时，所述第一气嘴200和所述激光加工装置100设置于所述待加工硬脆基板101的同一侧，即所述第一气嘴200设置于所述当前待加工孔的一侧。所述第二气嘴400设置于所述待加工硬脆基板101的另一侧，即所述第二气嘴400设置于所述当前待加工孔的对侧。同时所述第二气嘴400和所述第一气嘴200的吹扫方向均向所述当前待加工孔进行吹扫。
在一个实施例中，所述第二气嘴400和所述第一气嘴200同时对所述当前待加工孔的吹扫能量值相同。具体的，可通过设置功率计分别监测所述第二气嘴400和所述第一气嘴200的吹扫能量值。将所述第二气嘴400和所述第一气嘴200的吹扫能量值相同设置，可保证所述待加工硬脆基板101处于平衡状态，有效避免所述待加工硬脆基板101出现弯折现象，提高加工质量。
在一个实施例中，所述第二气嘴400和所述第一气嘴200的吹扫方向不同轴。即所述第二气嘴400和所述第一气嘴200同时对所述当前待加工孔进行吹扫时，所述第二气嘴400和所述第一气嘴200之间的吹扫方向可成一非零角度，如此可使得去除熔渣时，效果更好。
请参见图4，在一个实施例中，所述的激光加工去除熔渣***10还包括：视觉定位装置500。所述视觉定位装置500与所述控制装置300电连接。所述控制装置300通过所述视觉定位装置500确定所述第一气嘴200和所述第二气嘴400设置于所述当前待加工孔的相对两侧。
在一个实施例中，所述视觉定位装置500可包括两个CCD(charge coupleddevice，电荷耦合器件)相机。其中一个CCD相机用于辅助所述第一气嘴200定位于所述当前待加工孔。另一个CCD相机可用于辅助所述第二气嘴400定位于所述当前待加工孔的对侧。如此可使得所述第二气嘴400和所述第一气嘴200同时对所述当前待加工孔进行吹扫时，吹扫位置更精准，从而更好地去除熔渣，提高加工效率。
请参见图5，本申请一实施例提供一种激光加工去除熔渣方法，应用于上述实施例中任一项所述的激光加工去除熔渣***10。所述方法包括：
S102：控制所述第一气嘴200和所述激光加工装置100移动至所述待加工硬脆基板101的所述当前待加工孔。
在一个实施例中，可通过所述控制装置300控制所述第一气嘴200和所述激光加工装置100移动至所述待加工硬脆基板101的所述当前待加工孔。具体的，所述控制装置300可通过驱动电机驱动所述第一气嘴200和所述激光加工装置100移动至所述待加工硬脆基板101的所述当前待加工孔。即通过所述控制装置300将所述第一气嘴200和所述激光加工装置100移动至所述当前待加工孔的加工位置。在一个实施例中，所述第一气嘴200、所述激光加工装置100以及所述控制装置300均可采用上述实施例所述的结构，此处不再赘述。
S104：根据所述当前待加工孔的所述预设吹扫能量值和所述吹扫能量阈值确定所述第一气嘴200的所述吹扫能量值。
在一个实施例中，可通过控制装置300根据所述当前待加工孔的所述预设吹扫能量值和所述吹扫能量阈值确定所述第一气嘴200的所述吹扫能量值。在一个实施例中，所述吹扫能量阈值可通过所述待加工硬脆基板101的预设待加工孔数量和各个所述预设待加工孔对应的所述预设吹扫能量值确定。例如，若所述预设待加工孔数量为N，则计算这N个所述预设待加工孔的所述预设吹扫能量值的中位值。该中位值即为所述吹扫能量阈值。在一个实施例中，N个所述预设待加工孔中的各个所述预设待加工孔对应的所述预设吹扫能量值可根据所述预设待加工孔的类型进行设定。
在一个实施例中，所述激光加工装置100在对所述待加工硬脆基板101的当前待加工孔进行加工时，所述控制装置300可将所述当前待加工孔的所述预设吹扫能量值和所述吹扫能量阈值进行比较(如差值比较)。若所述预设吹扫能量值大于或等于所述吹扫能量阈值，则确定此时所述第一气嘴200的吹扫能量值为所述预设吹扫能量值。即此时所述第一气嘴200可按照预设的吹扫能量值进行吹气或吹水。在一个实施例中，所述预设吹扫能量值是指气压或者水压。
若所述预设吹扫能量值小于所述吹扫能量阈值，则确定此时所述第一气嘴200的吹扫能量值为所述吹扫能量阈值。即当所述预设吹扫能量值小于所述吹扫能量阈值时，此时所述第一气嘴200采用所述吹扫能量阈值进行吹扫。如此采用上述自适应能量值的吹扫方式可保证激光加工产生的熔渣被有效去除，从而提高去除效率。在一个实施例中，通过所述第一气嘴200进行熔渣去除时，可通过导向槽进行引流，从而进一步提高熔渣去除效率。
本实施例所述的激光加工去除熔渣方法，首先控制所述第一气嘴200和所述激光加工装置100移动至所述待加工硬脆基板101的所述当前待加工孔。然后根据所述待加工硬脆基板101当前待加工孔的预设吹扫能量值和吹扫能量阈值确定所述第一气嘴200的吹扫能量值，从而可实现对熔渣的快速去除，提高加工效率。
在一个实施例中，所述根据所述当前待加工孔的所述预设吹扫能量值和所述吹扫能量阈值确定所述第一气嘴200的所述吹扫能量值的步骤之前，所述方法还包括：控制第二气嘴400移动至所述当前待加工孔的对侧位置。其中，所述第二气嘴400和所述第一气嘴200设置于所述待加工硬脆基板101的不同侧，且所述第二气嘴400和所述第一气嘴200在吹扫时设置于所述当前待加工孔的相对两侧。根据所述当前待加工孔的所述预设吹扫能量值和所述吹扫能量阈值确定所述第二气嘴400的所述吹扫能量值。
在一个实施例中，可通过所述控制装置300控制所述第二气嘴400移动至所述当前待加工孔的对侧位置。具体的，所述控制装置300也可通过驱动电机将所述第二气嘴400移动至所述当前待加工孔的对侧位置。在一个实施例中，所述第二气嘴400的具体结构、以及所述第二气嘴400与所述第一气嘴200之间的位置关系均可采用上述实施例，此处不再赘述。
在一个实施例中，可通过所述控制装置300根据所述当前待加工孔的所述预设吹扫能量值和所述吹扫能量阈值确定所述第二气嘴400的所述吹扫能量值。具体的，所述控制装置300可将所述当前待加工孔的所述预设吹扫能量值和所述吹扫能量阈值进行比较(如差值比较)。若所述预设吹扫能量值大于或等于所述吹扫能量阈值，则确定此时所述第二气嘴400的吹扫能量值为所述预设吹扫能量值。即此时所述第二气嘴400可按照预设的吹扫能量值进行吹气或吹水。在一个实施例中，所述预设吹扫能量值是指气压或者水压。若所述预设吹扫能量值小于所述吹扫能量阈值，则确定此时所述第一气嘴200的吹扫能量值为所述吹扫能量阈值。即当所述预设吹扫能量值小于所述吹扫能量阈值时，此时所述第二气嘴400采用所述吹扫能量阈值进行吹扫。如此采用上述自适应能量值的吹扫方式可保证激光加工产生的熔渣被有效去除，从而提高去除效率。
在一个实施例中，所述第二气嘴400和所述第一气嘴200同时对所述当前待加工孔的吹扫能量值相同。具体的，可通过设置功率计分别监测所述第二气嘴400和所述第一气嘴200的吹扫能量值。将所述第二气嘴400和所述第一气嘴200的吹扫能量值相同设置，可保证所述待加工硬脆基板101处于平衡状态，有效避免所述待加工硬脆基板101出现弯折现象，提高加工质量。
在一个实施例中，提供了一种计算机设备，该计算机设备可以是终端，其内部结构图可以如图6所示。该计算机设备包括通过***总线连接的处理器、存储器、网络接口、显示屏和输入装置。其中，该计算机设备的处理器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质、内存储器。该非易失性存储介质存储有操作***和计算机程序。该内存储器为非易失性存储介质中的操作***和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的网络接口用于与外部的终端通过网络连接通信。该计算机程序被处理器执行时以实现一种激光加工去除熔渣方法。该计算机设备的显示屏可以是液晶显示屏或者电子墨水显示屏，该计算机设备的输入装置可以是显示屏上覆盖的触摸层，也可以是计算机设备外壳上设置的按键、轨迹球或触控板，还可以是外接的键盘、触控板或鼠标等。
本领域技术人员可以理解，图6中示出的结构，仅仅是与本申请方案相关的部分结构的框图，并不构成对本申请方案所应用于其上的计算机设备的限定，具体的计算机设备可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。
请参见图6，本申请另一实施例提供一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述实施例中任一项所述的激光加工去除熔渣方法的步骤。
在一个实施例中，所述处理器执行计算机程序时实现以下步骤：
S102：控制所述第一气嘴200和所述激光加工装置100移动至所述待加工硬脆基板101的所述当前待加工孔；
S104：根据所述当前待加工孔的所述预设吹扫能量值和所述吹扫能量阈值确定所述第一气嘴200的所述吹扫能量值。
本申请一实施例还提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述实施例中任一项所述的激光加工去除熔渣方法的步骤。
在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：
S102：控制所述第一气嘴200和所述激光加工装置100移动至所述待加工硬脆基板101的所述当前待加工孔；
S104：根据所述当前待加工孔的所述预设吹扫能量值和所述吹扫能量阈值确定所述第一气嘴200的所述吹扫能量值。
上述计算机设备和计算机可读存储介质，通过控制所述第一气嘴200和所述激光加工装置100移动至所述待加工硬脆基板101的所述当前待加工孔。然后根据所述待加工硬脆基板101当前待加工孔的预设吹扫能量值和吹扫能量阈值确定所述第一气嘴200的吹扫能量值，从而可实现对熔渣的快速去除，提高加工效率。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和/或易失性存储器。非易失性存储器可包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)或闪存。易失性存储器可包括随机存取存储器(RAM)或者外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限，RAM以多种形式可得，诸如静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)、双数据率SDRAM(DDRSDRAM)、增强型SDRAM(ESDRAM)、同步链路(Synchlink)DRAM(SLDRAM)、存储器总线(Rambus)直接RAM(RDRAM)、直接存储器总线动态RAM(DRDRAM)、以及存储器总线动态RAM(RDRAM)等。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (13)

1.一种激光加工去除熔渣***，其特征在于，包括：
激光加工装置；
第一气嘴，与所述激光加工装置输出的激光光束同轴，且所述第一气嘴和所述激光加工装置设置于待加工硬脆基板的同侧；
控制装置，分别与所述激光加工装置和所述第一气嘴电连接，用于根据所述待加工硬脆基板当前待加工孔的预设吹扫能量值和吹扫能量阈值确定所述第一气嘴的吹扫能量值。
2.如权利要求1所述的激光加工去除熔渣***，其特征在于，所述控制装置用于将所述当前待加工孔的所述预设吹扫能量值和所述吹扫能量阈值进行比较；
若所述预设吹扫能量值大于或等于所述吹扫能量阈值，则确定所述第一气嘴的吹扫能量值为所述预设吹扫能量值；
若所述预设吹扫能量值小于所述吹扫能量阈值，则确定所述第一气嘴的吹扫能量值为所述吹扫能量阈值。
3.如权利要求1所述的激光加工去除熔渣***，其特征在于，所述控制装置还用于根据所述待加工硬脆基板的预设待加工孔数量和各个所述预设待加工孔对应的所述预设吹扫能量值确定所述吹扫能量阈值。
4.如权利要求1所述的激光加工去除熔渣***，其特征在于，还包括：
第二气嘴，与所述控制装置电连接，所述第二气嘴和所述第一气嘴设置于所述待加工硬脆基板的不同侧，且所述第二气嘴和所述第一气嘴在吹扫时设置于所述当前待加工孔的相对两侧。
5.如权利要求4所述的激光加工去除熔渣***，其特征在于，所述第二气嘴和所述第一气嘴的吹扫方向不同轴，且所述第二气嘴与所述第一气嘴对所述当前待加工孔的吹扫能量值相同。
6.如权利要求4所述的激光加工去除熔渣***，其特征在于，还包括：
视觉定位装置，与所述控制装置电连接，所述控制装置通过所述视觉定位装置确定所述第一气嘴和所述第二气嘴设置于所述当前待加工孔的相对两侧。
7.一种激光加工去除熔渣方法，其特征在于，应用于如权利要求1-6中任一项所述的激光加工去除熔渣***，所述方法包括：
控制所述第一气嘴和所述激光加工装置移动至所述待加工硬脆基板的所述当前待加工孔；
根据所述当前待加工孔的所述预设吹扫能量值和所述吹扫能量阈值确定所述第一气嘴的所述吹扫能量值。
8.如权利要求7所述的激光加工去除熔渣方法，其特征在于，所述根据所述当前待加工孔的所述预设吹扫能量值和所述吹扫能量阈值确定所述第一气嘴的所述吹扫能量值的步骤包括：
将所述当前待加工孔的所述预设吹扫能量值和所述吹扫能量阈值进行比较；
若所述预设吹扫能量值大于或等于所述吹扫能量阈值，则确定所述第一气嘴的吹扫能量值为所述预设吹扫能量值；
若所述预设吹扫能量值小于所述吹扫能量阈值，则确定所述第一气嘴的吹扫能量值为所述吹扫能量阈值。
9.如权利要求7所述的激光加工去除熔渣方法，其特征在于，所述根据所述当前待加工孔的所述预设吹扫能量值和所述吹扫能量阈值确定所述第一气嘴的所述吹扫能量值的步骤之前，所述方法还包括：
根据所述待加工硬脆基板的预设待加工孔数量和各个所述预设待加工孔对应的所述预设吹扫能量值确定所述吹扫能量阈值。
10.如权利要求7所述的激光加工去除熔渣方法，其特征在于，所述根据所述当前待加工孔的所述预设吹扫能量值和所述吹扫能量阈值确定所述第一气嘴的所述吹扫能量值的步骤之前，所述方法还包括：
控制第二气嘴移动至所述当前待加工孔的对侧位置，其中，所述第二气嘴和所述第一气嘴设置于所述待加工硬脆基板的不同侧，且所述第二气嘴和所述第一气嘴在吹扫时设置于所述当前待加工孔的相对两侧；
根据所述当前待加工孔的所述预设吹扫能量值和所述吹扫能量阈值确定所述第二气嘴的所述吹扫能量值。
11.如权利要求10所述的激光加工去除熔渣方法，其特征在于，所述第二气嘴和所述第一气嘴对所述当前待加工孔的吹扫方向不同轴。
12.一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求7至11中任一项所述方法的步骤。
13.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求7至11中任一项所述的方法的步骤。
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