CN112103398A - 一种显示面板 - Google Patents
一种显示面板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112103398A CN112103398A CN202010987006.8A CN202010987006A CN112103398A CN 112103398 A CN112103398 A CN 112103398A CN 202010987006 A CN202010987006 A CN 202010987006A CN 112103398 A CN112103398 A CN 112103398A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- light
- metal
- side wall
- display panel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 157
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 157
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 72
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 23
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 23
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 11
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 abstract description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 23
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 7
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 6
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 4
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 4
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明公布一种显示面板，包括：在基板的表面上设置有缓冲层；在缓冲层上设置有第一金属反射层，所述第一金属反射层包括倾斜于基板的表面的第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁与第二侧壁之间的夹角为90度，所述第一金属反射层用于反射光；在缓冲层上设置有薄膜晶体管；在所述薄膜晶体管和所述第一金属反射层上设置有第二绝缘层；在第二绝缘层上设置有阳极；所述阳极上设置有画素定义层，所述画素定义层上设置有第一孔；在所述第一孔中设置有第一发光层；在画素定义层上设置有阴极。上述技术方案可以提高显示面板的反射效率、显示效果和可视角度。
Description
技术领域
本发明涉及显示面板领域，尤其涉及一种显示面板。
背景技术
双面显示器是一种能够在显示器件两侧显示图像的器件，它具有广泛的应用领域，例如可应用于通讯行业、飞机场、数码照相机、摄像机、电子产品等。传统的双面显示面板多为将两块显示面板相对放置，使两侧分别能看到一块显示板。尽管这样做到了双面显示,但其本质是将两个单面的显示面板叠加，必然带来所占空间大、功耗大等缺点。而新型双面显示面板仅用一块显示面板即可实现双面显示，相较于传统双面显示器件而言具有面板更薄、功耗更低等优点，使其应用于小型电子产品成为可能。
如申请号为CN201811037109.7，名称为显示面板及其制造方法、显示装置中，置于发光层一侧的金属反射层多为平面或者凹凸的结构，平面或者凹凸的结构的金属反射层用来反射光的效果还是不足，使得显示面板的可视效果和显示效果受到影响。
发明内容
为此，需要提供一种显示面板，解决显示面板的金属反射层反射光的效率不足的问题。
为实现上述目的，本实施例提供了一种显示面板，包括：
在基板的表面上设置有缓冲层；
在缓冲层上设置有第一金属反射层，所述第一金属反射层包括倾斜于基板的表面的第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁与第二侧壁之间的夹角为90度，所述第一侧壁与第二侧壁之间形成的开口向上，所述第一侧壁与第二侧壁用于反射射入的光线；
在缓冲层上设置有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管位于所述第一金属反射层的一侧；
在所述薄膜晶体管和所述第一金属反射层上设置有第二绝缘层；
在第二绝缘层上设置有阳极，所述阳极为透光的阳极，所述阳极通过第二绝缘层上的孔连接所述薄膜晶体管的源极或者漏极；
所述阳极上设置有画素定义层，所述画素定义层上设置有第一孔；
在所述第一孔中设置有第一发光层，所述第一发光层位于第一金属反射层的上方；
在画素定义层上设置有阴极，所述阴极为透光的阴极，所述阴极连接所述第一发光层。
进一步地，还包括第二发光层和第二金属层反射层；
所述画素定义层上设置有第二孔，所述第二孔中设置有所述第二发光层；还包括第二金属反射层；
所述阴极上设置有第二金属反射层，所述第二金属反射层位于所述第二发光层的上方，所述第二金属反射层位于所述第一发光层的一侧，所述第二金属反射层用于反射第二发光层的光，所述第二发光层正下方的结构为透光结构。
进一步地，所述薄膜晶体管的导电沟道的投影位于所述第二金属反射层的投影内，所述投影方向垂直于基板。
进一步地，所述第二金属反射层的结构与所述第一金属反射层的结构相同。
进一步地，所述第二金属层和所述阴极分别处于同一层的不同区域。
进一步地，所述薄膜晶体管包括栅极、第一绝缘层、有源层、源极和漏极；
所述栅极设置在缓冲层上；
所述栅极上设置有所述第一绝缘层；
所述第一绝缘层上设置有所述有源层，所述有源层位于所述栅极的上方；
所述有源层上设置有所述源极和所述漏极；
所述第二绝缘层设置在所述源极和所述漏极上，所述第二绝缘层用于保护下方的薄膜晶体管。
进一步地，包括透光的电容，所述电容包括下极板和上极板；
所述下极板设置在所述缓冲层上，并位于所述栅极的一侧；
所述上极板设置在所述第一绝缘层上，所述上极板连接所述薄膜晶体管的源极或者漏极，所述上极板在所述下极板的上方。
进一步地，所述第二绝缘层包括钝化层和平坦层；
所述钝化层设置在所述源极和漏极上；
所述平坦层设置在所述钝化层上；
所述平坦层上设置有所述第二绝缘层上的孔，所述第二绝缘层上的孔贯穿所述平坦层和所述钝化层，所述第二绝缘层上的孔的孔底为所述源极或者所述漏极。
进一步地，所述第一金属反射层还包括有平行于基板的表面的底壁，所述底壁设置在第一侧壁和第二侧壁之间。
区别于现有技术，上述技术方案具有相垂直的第一侧壁与第二侧壁的第一金属反射层利用垂直镜面反射原理将光线反射，让入射光以垂直于基板表面的方向反射出去，使得第一金属反射层以较高的效率来反射第一发光层的光，形成顶发光或者底发光的显示面板，可以提高显示面板的反射效率、显示效果和可视角度。
附图说明
图1为本实施例在基板上制作缓冲层的剖面结构示意图；
图2为本实施例在基板上制作透明导电层和金属膜层的剖面结构示意图；
图3为本实施例使用半色掩膜版对基板上的光阻进行曝光的剖面结构示意图；
图4为本实施例所述半色掩膜版上的透光率的结构示意图；
图5为本实施例在基板上蚀刻未被光阻覆盖的金属膜层和透明导电层的剖面结构示意图；
图6为本实施例在基板上去除下极板区上的光阻的剖面结构示意图；
图7为本实施例在基板上去除下极板区上方的金属膜层，并保留下极板区上的透明导电层的剖面结构示意图；
图8为本实施例所述栅极、下极板和第一金属反射层的剖面结构示意图；
图9为本实施例所述第一种结构的第一金属反射层的剖面结构示意图；
图10为本实施例所述第二种结构的第一金属反射层的剖面结构示意图；
图11为本实施例所述缓冲层的棱形垂直结构的剖面结构示意图；
图12为本实施例在基板上制作第一绝缘层的剖面结构示意图；
图13为本实施例在基板上制作有源层的剖面结构示意图；
图14为本实施例在基板上制作源极、漏极和上极板的剖面结构示意图；
图15为本实施例在基板上制作第二绝缘层的剖面结构示意图；
图16为本实施例在基板上制作钝化层和平坦层的剖面结构示意图；
图17为本实施例在基板上制作阳极的剖面结构示意图；
图18为本实施例在基板上制作画素定义层的剖面结构示意图；
图19为本实施例在基板上制作第一发光层和第二发光层的剖面结构示意图；
图20为本实施例在基板上制作阴极的剖面结构示意图；
图20a为本实施例在基板上制作第一阴极和第二阴极的剖面结构示意图；
图21为本实施例在基板上制作第二金属反射层的剖面结构示意图；
图22为本实施例所述双面显示面板的结构示意图；
图23为本实施例所述第一金属反射层反射第一发光层的光和所述第二金属反射层反射第二发光层的光的剖面结构示意图；
图24为本实施例在基板上盖设盖板的剖面结构示意图；
图25为本实施例在盖板上制作第二金属反射层的剖面结构示意图。
附图标记说明：
1、基板；
2、缓冲层；21、棱形垂直结构；
3、透明导电层；
4、金属膜层；
5、薄膜晶体管；51、栅极；52、有源层；53、源极；54、漏极；
6、第一金属反射层；61、第一侧壁；62、第二侧壁；
7、电容；71、下极板；72、上极板；
8、第一绝缘层；
9、第二绝缘层；91、钝化层；92、平坦层；
10、阳极；
11、画素定义层；111、第一孔；112、第二孔；
12、第一发光层；
13、第二发光层；
14、阴极；141、第一阴极；142、第二阴极；
15、第二金属反射层；
16、盖板；
PR、光阻。
具体实施方式
为详细说明技术方案的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合具体实施例并配合附图详予说明。
请参阅图1至图25，本实施例提供一种显示面板，包括如下制作步骤：在基板的表面制作缓冲层；具体的，通过化学气相沉积镀上缓冲层材料，在基板1的表面形成缓冲层2，结构如图1所示。缓冲层材料如聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethyleneterephthalate，缩写PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylenenaphthalate，缩写PEN)、聚亚酰胺(Polyimide，缩写PI)、有机光敏材料，氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧化铝或者氧化钛等具有相似特性的材料。一方面，缓冲层2用于承载用于反射作用的第一金属反射层6；另一方面，缓冲层2用于吸收外在冲击，减少基板1本身所受到的外力。
在缓冲层2上制作多个棱形垂直结构21,第一金属反射层6覆盖在缓冲层2上的棱形垂直结构21处；具体的，通过显影、蚀刻或者纳米压印技术蚀刻出多个凹槽，在缓冲层上形成多个棱形垂直结构。一个棱形垂直结构包括倾斜于基板的表面的侧壁一和侧壁二，所述侧壁一与所述基板的表面之间的夹角为45度，所述侧壁一与所述侧壁二之间的夹角为90度，结构如图11所示。
要说明的是，蚀刻掉的凹槽的横截面为三角形，即所述侧壁一的顶部与侧壁二的顶部连接，使棱形垂直结构为三棱柱，缓冲层上包括有多个这样的三棱柱的棱形垂直结构，相邻的两个棱形垂直结构是彼此连接的，覆盖在此形状的第一金属反射层6的结构如图9所示；如，蚀刻掉的凹槽为梯形，相邻的两个棱形垂直结构之间也具有间隔，所述侧壁一(梯形的腰)的顶部与侧壁二(梯形的腰)的顶部之间具有间隔，侧壁一的顶部与侧壁二的顶部之间为平行于基板的表面的壁，覆盖在此形状的第一金属反射层6的结构如图10所示。
制作栅极51、透光的电容7的下极板71和第一金属反射层6；具体的，先采用蒸镀或者溅镀的方式依次镀上透明导电层材料和金属膜层材料，在基板上形成透明导电层3和金属膜层4，结构如图2所示。透明导电层3是设置在缓冲层上，金属膜层4设置在透明导电层3上。其中，透明导电层材料为氧化铟锡(Indiumtinoxide，缩写ITO)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO2)、碳纳米管或者石墨烯等透明导电膜，金属膜层材料为铝、钼、钛、镍、铜、银、铬等导电性优良金属中的一种或多种，以及合金。
接下来涂布一层光阻PR，利用半色掩膜版进行曝光，使半色掩膜版上对准电容的下极板71区的部分的光线透过率为50％，使半色掩膜版上对准栅极51区的部分的光线透过率为0％，使半色掩膜版上对准第一金属反射层6区的部分的光线透过率为0％，使半色掩膜版其余部分的光线透过率为100％，结构如图3所示(图3中只展示电容区和栅极区)。曝光后，利用显影液进行显影，第一金属反射层区上的光阻得到保留，栅极区上的光阻得到保留，下极板区上的光阻也得到保留且下极板区上的光阻PR的厚度小于栅极区上的光阻PR的厚度，其余部位的光阻被全部去除。要说明的是，下极板区上的光阻被减薄，即50％透光率区得光阻相较于0％透光区的光阻会减薄，结构如图4所示。
显影后，以光阻为掩膜蚀刻未被光阻覆盖的金属膜层和透明导电层，结构如图5所示。再通过灰化处理去除下极板区上的光阻，结构如图6所示。因为第一金属反射层区和栅极区上的光阻的厚度大于下极板区上的光阻的厚度，所以在灰化处理后，第一金属反射层区和栅极区上的光阻会减薄但不会被去除，可以对下方的金属膜层起到保护作用。
灰化处理后，通过控制蚀刻时间或者蚀刻药液的选择性，去除下极板区上方的金属膜层，保留下极板区上的透明导电层，结构如图7所示。最后去除全部的光阻，在下极板区上形成下极板，在栅极区上形成栅极，在第一金属反射层区上形成第一金属反射层，结构如图8所示。所述下极板71包含有透明导电层，使得下极板71为透明的下极板71，光线可以穿过透明的下极板71。所述第一金属反射层6和栅极51均包含有透明导电层3和金属膜层4。所述下极板71可以连接所述栅极51，所述下极板71或者所述栅极51位于所述第一金属反射层6的一侧。
所述第一金属反射层6覆盖缓冲层上的棱形垂直结构21，所述第一金属反射层包括倾斜于基板的表面的第一侧壁61和第二侧壁62。所述第一金属反射层的第一侧壁61贴合在缓冲层的侧壁一上，所述第一金属反射层的第二侧壁62贴合在缓冲层的侧壁二上。所述第一侧壁与所述基板的表面之间的夹角为45度，所述第一侧壁与第二侧壁之间的夹角为90度，所述第一侧壁与第二侧壁之间形成的开口向上。
第一种结构中，一组的所述第一侧壁和所述第二侧壁的横截面为三角形，结构如图9所示；第二种结构中，一组的所述第一侧壁和所述第二侧壁的横截面为梯形，所述第一金属反射层还包括有平行于基板的表面的壁，结构如图10所示。当上方的第一发光层发出光到所述第一侧壁上时，入射光的方向为垂直于基板的表面，入射光被所述第一侧壁反射后，入射光的方向为平行于基板的表面且入射光与所述第二侧壁的入射角也为45度，那么当所述第二侧壁反射入射光后，入射光的方向为平行于基板的表面方向，结构如图23所示。第一金属反射层能够将入射光以垂直于基板表面的方向反射出去，使得第一金属反射层以较高的效率来反射第一发光层的光，形成顶发光的显示面板，结构如图22所示。第一金属反射层可以提高显示面板的反射效率、显示效果和可视角度。
要说明的是，所述第一侧壁和基板表面的夹角不仅仅为45度，还可以为其他任意的度数，如30度、50度、80度等。
优选的，所述第一发光层的投影位于所述第一金属反射层的投影内，所述投影方向垂直于基板。使得第一发光层发出的光可以被第一金属反射层全部反射到远离基板的方向处。
为了隔离金属间的接触，制作第一绝缘层8；具体的，通过化学气相沉积镀上氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氧化铝或者氧化钛等绝缘的材料，在缓冲层、栅极、第一金属反射层和下极板上形成第一绝缘层，结构如图12所示。第一绝缘层覆盖缓冲层、栅极、第一金属反射层和下极板，避免金属与其它的线路连接形成短路。
接下来制作有源层52；所述有源层位于所述栅极的上方，所述有源层材料如多晶硅、氧化物半导体、石墨烯、碳纳米管、有机半导体等，结构如图13所示。有源层52制作完毕后，制作源极53、漏极54和上极板72；这一步骤和制作第一金属反射层、栅极和下极板的步骤相同，同样是先依次制作透明导电层和金属膜层然后蚀刻，在此便不再次赘述，结构如图14所示。所述源极53和所述漏极54之间的有源层区域为薄膜晶体管的导电沟道。那么，所述源极53连接所述有源层52，所述漏极54连接所述有源层52。所述源极53、所述漏极54、所述有源层52、所述栅极51及部分的第一绝缘层8形成薄膜晶体管5(ThinFilmTransistor，缩写TFT)，薄膜晶体管作为开关起到让电路导通的作用。
所述源极和所述漏极均包含与透明导电层和金属膜层，而所述上极板包含透明导电层。所述上极板与所述源极或者所述漏极连接，所述上极板在所述下极板的上方。所述上极板也为透明的，所述上极板和所述下极板相互平行，所述上极板和所述下极板之间的第一绝缘层作为电容的介电层，起到隔离上极板和下极板之间的电连接的作用。
为了保护下方的薄膜晶体管，制作第二绝缘层9；具体的，通过化学气相沉积先镀上氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氧化铝或者氧化钛等绝缘的材料，在薄膜晶体管(源极、漏极和有源层)上形成钝化层91。然后再通过化学气相沉积先镀上聚酰亚胺、氮化硅(SiNx)或者氧化硅(SiOx)等绝缘的材料，在钝化层91上形成平坦层92，结构如图16所示。要说明的是，所述钝化层的作用是隔离金属间的电连接，避免形成短路。所述平坦层的上表面为平面，所述平坦层的作用是平整显示器件的基板上因各种不同层图案所造成的面内段差，便于后续膜层的良好叠加，提升显示效果。或者在某些实施例中，通过增加钝化层的厚度，也可以充当平坦层的作用，以铺平基板上高低不平的膜层，结构如图15所示。
为了让阳极和薄膜晶体管形成连接，在第二绝缘层上蚀刻出孔；具体的，涂布光阻，图形化光阻，即曝光和显影光阻，使要蚀刻孔的部位开口。然后以光阻为掩膜蚀刻平坦层至所述源极或者所述漏极，形成第二绝缘层上的孔，结构如图15或者图16所示。第二绝缘层上的孔制作完毕后，去除光阻。所述第二绝缘层上的孔贯穿所述平坦层和所述钝化层，第二绝缘层上的孔的孔底为所述源极或者所述漏极，如阳极要连接源极，那么第二绝缘层上的孔的孔底为源极；如阳极要连接漏极，那么第二绝缘层上的孔的孔底为漏极。
接着，制作阳极10，所述阳极10通过第二绝缘层上的孔连接所述薄膜晶体管5的源极53或者漏极54，结构如图17所示。优选的，所述阳极的材料为氧化铟锡(Indiumtinoxide，缩写ITO)，即阳极为透光的阳极，使得光线可以穿透自身。然后，制作画素定义层，所述画素定义层设置在所述阳极和所述平坦层上。同时在画素定义层11上制作第一孔111和第二孔112，所述第一孔111的孔底和所述第二孔112的孔底均为所述阳极10。所述第一孔位于第一金属反射层的上方，所述第二孔位于第一孔(或者第一金属反射层)的一侧，结构如图18所示。而后在所述第一孔中制作第一发光层12，在所述第二孔中制作第二发光层13，结构如图19所示。所述第一发光层12和所述第二发光层13均包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、有机发光层EM、电子传输层ETL、电子注入层EIL。所述第一发光层和所述第二发光层可以向外发出显示面板所需要的光，但这些太过于分散，所以需要第一金属反射层和第二金属反射层来进行调控。
在画素定义层上制作阴极14，所述阴极14覆盖第一孔中的第一发光层12和第二孔中的第二发光层13，结构如图20所示。所述阴极可以是镁银合金等，使得阴极为透光的阴极。最后在阴极上制作第二金属反射层15，所述第二金属反射层15位于所述第二发光层13的上方，所述第二金属反射层15位于所述第一发光层12的一侧，所述第二金属反射层用于反射第二发光层的光到基板处，结构如图21所示。所述第二发光层为底发光(发光的方向请参阅图21上向下的箭头)，所述第一发光层为顶发光(发光的方向请参阅图21上向上的箭头)，显示面板具备双面显示的功能，结构如图22所示。在每个RGB子画素中同时具有顶发光和底发光两种发光模式，并通过同一组TFT驱动电路控制。优选的，所述第一发光层和所述第二发光层在实现顶发光或者底发光时，彼此间不互相干扰。
薄膜晶体管的导电沟道会受到光的影响，导致性能在某些时候出现异常。优选的，所述薄膜晶体管的导电沟道的投影位于所述第二金属反射层的投影内，所述投影方向垂直于基板，结构如图21所示。第二金属反射层遮挡住环境光，保护薄膜晶体管的导电沟道不受环境光线影响的作用，利于提高薄膜晶体管工作的稳定性。要说明的是，所述第二发光层正下方的结构为透光结构，使得光线透过第二发光层正下方的结构。
在某些实施例中，第一发光层与第二发光层并非同时制作，阴极也并非同时制作，工艺流程为：第二发光层13(底发光)→第二阴极142(不透光且具有高反射率)→第一发光层12(顶发光)→第一阴极141(透光)，结构如图20a所示。其中，所述第一阴极141和所述第二阴极142组成上文所述的阴极14。由于第一发光层与第二发光层分开制作，更利于发光器件性能优化。优选的，所述薄膜晶体管的导电沟道的投影位于第二阴极的投影内，所述投影方向垂直于基板。
阴极和第二金属反射层制作完毕后，将盖板16盖在阴极14及第二金属反射层15上，此时的所述第二金属反射的为平面的结构，结构如图21和图24所示。优选的，所述第二金属反射层的结构与所述第一金属反射层的结构相同，具有倾斜于基板的表面的侧壁。此时所述盖板上也设置有具有棱形垂直结构的缓冲层，第二金属反射层覆盖在该棱形垂直结构的缓冲层上，还可以在第二金属反射层远离缓冲层的一侧设置有覆盖第二金属反射层的绝缘层，所述盖板通过所述第二金属反射层盖设在所述阴极上，结构如图25所示。
本实施例还提供一种显示面板，所述显示面板包括：在基板1的表面上设置有缓冲层2，结构如图1所示。缓冲层2如聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethyleneterephthalate，缩写PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylenenaphthalate，缩写PEN)、聚亚酰胺(Polyimide，缩写PI)、有机光敏材料，氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧化铝或者氧化钛等具有相似特性的材料。一方面，缓冲层用于承载第一金属反射层；另一方面，缓冲层用于吸收外在冲击，减少基板本身所受到的外力。
在缓冲层2上设置有多个棱形垂直结构21。一个棱形垂直结构包括倾斜于基板的表面的侧壁一和侧壁二，所述侧壁一与所述基板的表面之间的夹角为45度，所述侧壁一与所述侧壁二之间的夹角为90度，结构如图11所示。要说明的是，所述侧壁一的顶部与侧壁二的顶部连接，使棱形垂直结构为三棱柱，缓冲层上包括有多个这样的三棱柱的棱形垂直结构，相邻的两个棱形垂直结构是彼此连接的，覆盖在此形状的第一金属反射层的结构如图9所示；相邻的两个棱形垂直结构之间也具有间隔，所述侧壁一的顶部与侧壁二的顶部之间具有间隔，侧壁一的顶部与侧壁二的顶部之间为平行于基板的表面的壁，覆盖在此形状的第一金属反射层的结构如图10所示。
在缓冲层2上设置有第一金属反射层6，所述第一金属反射层6包括倾斜于基板的表面的第一侧壁61和第二侧壁62，所述第一侧壁61与所述基板的表面之间的夹角为45度，所述第一侧壁61与第二侧壁62之间的夹角为90度，所述第一侧壁与第二侧壁之间形成的开口向上，所述第一金属反射层6用于反射第一发光层的光。所述第一金属反射层6覆盖缓冲层上的棱形垂直结构21。所述第一金属反射层的第一侧壁61贴合在缓冲层的侧壁一上，所述第一金属反射层的第二侧壁62贴合在缓冲层的侧壁二上。
要说明的是，所述第一侧壁和基板表面的夹角不仅仅为45度，还可以为其他任意的度数，如30度、50度、80度等。
第一种结构中，一组的所述第一侧壁和所述第二侧壁的横截面为三角形，结构如图9所示；第二种结构中，一组的所述第一侧壁和所述第二侧壁的横截面为梯形，所述第一金属反射层还包括有平行于基板的表面的壁，结构如图10所示。当上方的第一发光层发出光到所述第一侧壁上时，入射光的方向为垂直于基板的表面，入射光被所述第一侧壁反射后，入射光的方向为平行于基板的表面且入射光与所述第二侧壁的入射角也为45度，那么当所述第二侧壁反射入射光后，入射光的方向为平行于基板的表面方向，结构如图23所示。第一金属反射层能够将入射光以垂直于基板表面的方向反射出去，使得第一金属反射层以较高的效率来反射第一发光层的光，形成顶发光的显示面板，结构如图22所示。第一金属反射层可以提高显示面板的反射效率、显示效果和可视角度。
优选的，所述第一发光层12的投影位于所述第一金属反射层6的投影内，所述投影方向垂直于基板。使得第一发光层发出的光可以被第一金属反射层全部反射到远离基板的方向处。
在缓冲层上设置有薄膜晶体管5，所述薄膜晶体管5位于所述第一金属反射层的一侧。同时，在薄膜晶体管5的一侧可以设置有电容7。所述薄膜晶体管包括栅极51、第一绝缘层8、有源层52、源极53和漏极54。
所述栅极51设置在缓冲层上，所述电容7的下极板71设置在缓冲层上，所述下极板71可以视补偿电路的情况选择连接所述栅极51与否，所述下极板71或者所述栅极51位于所述第一金属反射层6的一侧，结构如图8所示。优选的，所述下极板71包含有透明导电层3，使得下极板71为透明的下极板71，光线可以穿过透明的下极板71。所述第一金属反射层6和栅极51均包含有透明导电层3和金属膜层4。所述栅极51(或者第一金属反射层6)的金属膜层4设置在所述透明导电层3上。所述下极板的透明导电层、所述第一金属反射层的透明导电层和所述栅极的透明导电层为同层设置。
其中，透明导电层材料为氧化铟锡(Indiumtinoxide，缩写ITO)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO2)、碳纳米管或者石墨烯等透明导电膜，金属膜层材料为铝、钼、钛、镍、铜、银、铬等导电性优良金属中的一种或多种，以及合金。
为了隔离金属间的接触，所述栅极上设置有所述第一绝缘层8；第一绝缘层8覆盖缓冲层2、栅极51、第一金属反射层6和下极板71，避免金属与其它的线路连接形成短路，结构如图12所示。第一绝缘层如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氧化铝或者氧化钛等绝缘的材料。
所述第一绝缘层上设置有所述有源层52，所述有源层52位于所述栅极51的上方，结构如图13所示；所述有源层材料如多晶硅、氧化物半导体、石墨烯、碳纳米管、有机半导体等。
所述有源层52上设置有所述源极53和所述漏极54；所述源极53连接所述有源层52，所述漏极54连接所述有源层52，结构如图14所示。所述源极53、所述漏极54、所述有源层52、所述栅极51及部分的第一绝缘层形成薄膜晶体管5(ThinFilmTransistor，缩写TFT)，薄膜晶体管5作为开关起到让电路导通的作用。所述源极和所述漏极之间的有源层区域为薄膜晶体管5的导电沟道。
所述上极板72设置在第一绝缘层8上，所述上极板72连接所述源极53或者所述漏极54，起到电容与薄膜晶体管的连通。所述上极板72在所述下极板71的上方。优选的，所述源极和所述漏极均包含与透明导电层和金属膜层，而所述上极板包含透明导电层，所述源极和所述漏极的透明导电层与所述上极板的透明导电层是同层设置。所述上极板与所述源极或者所述漏极连接，所述上极板在所述下极板的上方。所述上极板也为透明的，所述上极板和所述下极板相互平行，所述上极板和所述下极板之间的第一绝缘层作为电容的介电层，起到隔离上极板和下极板之间的电连接的作用。
为了保护下方的薄膜晶体管，在所述薄膜晶体管和所述第一金属反射层上设置有第二绝缘层9；所述第二绝缘层9用于保护下方的薄膜晶体管；所述第二绝缘层9包括依次设置的钝化层91和平坦层92，结构如图16所示。所述钝化层91设置在所述源极53和漏极54上，所述钝化层91的作用是隔离金属间的电连接，避免形成短路。所述平坦层92设置在所述钝化层91上，所述平坦层的上表面为平面。所述平坦层的作用是平整显示器件的基板上因各种不同层图案所造成的面内段差，便于后续膜层的良好叠加，提升显示效果。或者在某些实施例中，通过增加钝化层的厚度，也可以充当平坦层的作用，以铺平基板上高低不平的膜层，结构如图15所示。
其中，所述钝化层如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氧化铝或者氧化钛等绝缘的材料，所述平坦层如聚酰亚胺、氮化硅(SiNx)或者氧化硅(SiOx)等绝缘的材料。
要说明的是，所述平坦层上设置有所述第二绝缘层上的孔，所述第二绝缘层上的孔贯穿所述平坦层和所述钝化层，所述第二绝缘层上的孔的孔底为所述源极或者所述漏极，结构如图15或者图16所示。
在第二绝缘层上设置有透光的阳极10，所述阳极10通过第二绝缘层上的孔连接所述薄膜晶体管的源极53或者漏极54，结构如图17所示；所述第二绝缘层上的孔贯穿所述平坦层和所述钝化层，第二绝缘层上的孔的孔底为所述源极或者所述漏极，如阳极要连接源极，那么第二绝缘层上的孔的孔底为源极；如阳极要连接漏极，那么第二绝缘层上的孔的孔底为漏极。
所述阳极上设置有画素定义层11，所述画素定义层上设置有第一孔111；所述第一孔111的孔底为所述阳极10。在所述第一孔111中设置有第一发光层12，所述第一发光层12位于第一金属反射层6的上方，结构如图18和图19所示。
在某些实施例中，显示面板为双面显示面板，在所述画素定义层11上设置有第二孔112，所述第二孔112的孔底为所述阳极10。所述第二孔112位于第一孔111(或者第一金属反射层)的一侧，结构如图18和图19所示。在每个RGB子画素中同时具有顶发光和底发光两种发光模式，并通过同一组TFT驱动电路控制。
所述第一发光层12和所述第二发光层13均包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、有机发光层EM、电子传输层ETL、电子注入层EIL。所述第一发光层和所述第二发光层可以向外发出显示面板所需要的光，但这些太过于分散，所以需要第一金属反射层和第二金属反射层来进行调控。
在画素定义层11上设置有透光的阴极14，所述阴极14覆盖第一孔中的第一发光层12和第二孔中的第二发光层13，结构如图20所示。所述阴极可以是镁银合金等，使得阴极为透光的阴极。
在阴极上设置有第二金属反射层15，所述第二金属反射层15位于所述第二发光层13的上方，所述第二金属反射层15位于所述第一发光层12的一侧，所述第二金属反射层15用于反射第二发光层的光到基板处，结构如图21所示。所述第二发光层13为底发光(发光的方向请参阅图21上向下的箭头)，所述第一发光层12为顶发光(发光的方向请参阅图21上向上的箭头)，显示面板具备双面显示的功能，结构如图22所示。优选的，所述第一发光层和所述第二发光层在实现顶发光或者底发光时，彼此间不互相干扰。
薄膜晶体管的导电沟道会受到光的影响，导致性能在某些时候出现异常。优选的，所述薄膜晶体管的导电沟道的投影位于所述第二金属反射层的投影内，所述投影方向垂直于基板，结构如图21所示。第二金属反射层遮挡住环境光，保护薄膜晶体管的导电沟道不受环境光线影响的作用，利于提高薄膜晶体管工作的稳定性。要说明的是，所述第二发光层正下方的结构为透光结构，使得光线透过第二发光层正下方的结构。
或者在某些实施例中，可以让阴极代替第二反射金属层的作用。所述阴极14包括第一阴极141和第二阴极142；所述第一阴极141为透光的第一阴极，所述第一阴极141覆盖所述第一发光层12；所述第二阴极142为遮光且具有反射率的第二阴极142，所述第二阴极142覆盖所述第二发光层13，所述第二阴极142用于反射第二发光层13的光，结构如图20a所述。由于第一发光层与第二发光层分开制作，更利于发光器件性能优化。优选的，所述第二阴极覆盖住下方的所述薄膜晶体管的导电沟道的投影位于所述第二阴极的投影内，所述投影方向垂直于基板。
将盖板16盖在阴极及第二金属反射层上，此时的所述第二金属反射的为平面的结构，结构如图21和图24所示。优选的，所述第二金属反射层15的结构与所述第一金属反射层6的结构相同，具有倾斜于基板的表面的侧壁。此时所述盖板16上也设置有具有棱形垂直结构的缓冲层，第二金属反射层覆盖在该棱形垂直结构的缓冲层上，还可以在第二金属反射层远离缓冲层的一侧设置有覆盖第二金属反射层的绝缘层，所述盖板通过所述第二金属反射层盖设在所述阴极上，结构如图25所示。
需要说明的是，尽管在本文中已经对上述各实施例进行了描述，但并非因此限制本发明的专利保护范围。因此，基于本发明的创新理念，对本文所述实施例进行的变更和修改，或利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，直接或间接地将以上技术方案运用在其他相关的技术领域，均包括在本发明的专利保护范围之内。
Claims (9)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
在基板的表面上设置有缓冲层；
在缓冲层上设置有第一金属反射层，所述第一金属反射层包括倾斜于基板的表面的第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁与第二侧壁之间的夹角为90度，所述第一侧壁与第二侧壁之间形成的开口向上，所述第一侧壁与第二侧壁用于反射射入的光线；
在缓冲层上设置有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管位于所述第一金属反射层的一侧；
在所述薄膜晶体管和所述第一金属反射层上设置有第二绝缘层；
在第二绝缘层上设置有阳极，所述阳极为透光的阳极，所述阳极通过第二绝缘层上的孔连接所述薄膜晶体管的源极或者漏极；
所述阳极上设置有画素定义层，所述画素定义层上设置有第一孔；
在所述第一孔中设置有第一发光层，所述第一发光层位于第一金属反射层的上方；
在画素定义层上设置有阴极，所述阴极为透光的阴极，所述阴极连接所述第一发光层。
2.根据权利要求1所述的一种显示面板，其特征在于，还包括第二发光层和第二金属层反射层；
所述画素定义层上设置有第二孔，所述第二孔中设置有所述第二发光层；还包括第二金属反射层；
所述阴极上设置有第二金属反射层，所述第二金属反射层位于所述第二发光层的上方，所述第二金属反射层位于所述第一发光层的一侧，所述第二金属反射层用于反射第二发光层的光，所述第二发光层正下方的结构为透光结构。
3.根据权利要求2所述的一种显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管的导电沟道的投影位于所述第二金属反射层的投影内，所述投影方向垂直于基板。
4.根据权利要求2所述的一种显示面板，其特征在于，所述第二金属反射层的结构与所述第一金属反射层的结构相同。
5.根据权利要求2所述的一种显示面板，其特征在于，所述第二金属层和所述阴极分别处于同一层的不同区域。
6.根据权利要求1所述的一种显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括栅极、第一绝缘层、有源层、源极和漏极；
所述栅极设置在缓冲层上；
所述栅极上设置有所述第一绝缘层；
所述第一绝缘层上设置有所述有源层，所述有源层位于所述栅极的上方；
所述有源层上设置有所述源极和所述漏极；
所述第二绝缘层设置在所述源极和所述漏极上，所述第二绝缘层用于保护下方的薄膜晶体管。
7.根据权利要求6所述的一种显示面板，其特征在于，包括透光的电容，所述电容包括下极板和上极板；
所述下极板设置在所述缓冲层上，并位于所述栅极的一侧；
所述上极板设置在所述第一绝缘层上，所述上极板连接所述薄膜晶体管的源极或者漏极，所述上极板在所述下极板的上方。
8.根据权利要求1所述的一种显示面板，其特征在于，所述第二绝缘层包括钝化层和平坦层；
所述钝化层设置在所述源极和漏极上；
所述平坦层设置在所述钝化层上；
所述平坦层上设置有所述第二绝缘层上的孔，所述第二绝缘层上的孔贯穿所述平坦层和所述钝化层，所述第二绝缘层上的孔的孔底为所述源极或者所述漏极。
9.根据权利要求1所述的一种显示面板，其特征在于，所述第一金属反射层还包括有平行于基板的表面的底壁，所述底壁设置在第一侧壁和第二侧壁之间。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010987006.8A CN112103398A (zh) | 2020-09-18 | 2020-09-18 | 一种显示面板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010987006.8A CN112103398A (zh) | 2020-09-18 | 2020-09-18 | 一种显示面板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112103398A true CN112103398A (zh) | 2020-12-18 |
Family
ID=73759484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010987006.8A Pending CN112103398A (zh) | 2020-09-18 | 2020-09-18 | 一种显示面板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112103398A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113437238A (zh) * | 2021-06-24 | 2021-09-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板、显示装置及制作方法 |
| CN113571558A (zh) * | 2021-07-14 | 2021-10-29 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示背板及显示终端 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120307171A1 (en) * | 2011-05-30 | 2012-12-06 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Pixel structure, lcd panel, and manufacturing method thereof |
| CN105047774A (zh) * | 2015-07-06 | 2015-11-11 | 天津宝坻紫荆科技有限公司 | 一种复合反射层及半导体发光器件 |
| CN110828483A (zh) * | 2019-11-18 | 2020-02-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 顶发射oled显示背板及其制作方法和oled显示装置 |
| CN211265480U (zh) * | 2020-02-27 | 2020-08-14 | 福建华佳彩有限公司 | 一种双面有机发光二极管显示结构 |
| CN212934665U (zh) * | 2020-09-18 | 2021-04-09 | 福建华佳彩有限公司 | 一种显示面板 |
-
2020
- 2020-09-18 CN CN202010987006.8A patent/CN112103398A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120307171A1 (en) * | 2011-05-30 | 2012-12-06 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Pixel structure, lcd panel, and manufacturing method thereof |
| CN105047774A (zh) * | 2015-07-06 | 2015-11-11 | 天津宝坻紫荆科技有限公司 | 一种复合反射层及半导体发光器件 |
| CN110828483A (zh) * | 2019-11-18 | 2020-02-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 顶发射oled显示背板及其制作方法和oled显示装置 |
| CN211265480U (zh) * | 2020-02-27 | 2020-08-14 | 福建华佳彩有限公司 | 一种双面有机发光二极管显示结构 |
| CN212934665U (zh) * | 2020-09-18 | 2021-04-09 | 福建华佳彩有限公司 | 一种显示面板 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113437238A (zh) * | 2021-06-24 | 2021-09-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板、显示装置及制作方法 |
| CN113571558A (zh) * | 2021-07-14 | 2021-10-29 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示背板及显示终端 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11152443B2 (en) | Display panel having a storage capacitor and method of fabricating same | |
| US9209231B2 (en) | Array substrate, method for fabricating the same, and OLED display device | |
| US9401390B2 (en) | Array substrate, method for fabricating the same, and OLED display device | |
| US20230056754A1 (en) | Display substrate and manufacturing method therefor, and display device | |
| US20220037616A1 (en) | Display substrate, manufacturing method thereof and display device | |
| US20160035807A1 (en) | Oled pixel structure and oled display device | |
| US11227903B2 (en) | Organic light emitting display device having a reflective barrier and method of manufacturing the same | |
| JP4637831B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法並びに表示装置 | |
| CN109065590B (zh) | 有机发光显示基板及其制作方法、有机发光显示装置 | |
| US11758786B2 (en) | Array substrate, fabricating method therefor and display panel | |
| US11980074B2 (en) | Display substrate including configuration of insulation layers covering contact pads in bonding region, and manufacturing method thereof | |
| JP2004119197A (ja) | 有機ｅｌパネルおよびその製造方法、それを用いた電気光学パネル並びに電子機器 | |
| KR20200062434A (ko) | 표시 기판, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 표시 장치 | |
| CN212934665U (zh) | 一种显示面板 | |
| US20220328599A1 (en) | Display substrate, manufacturing method thereof, and display device | |
| CN112103398A (zh) | 一种显示面板 | |
| US12004380B2 (en) | Organic light-emitting diode display device and manufacturing method thereof | |
| TWI297210B (en) | System for displaying images including electroluminescent device and method for fabricating the same | |
| US20240016017A1 (en) | Display panel and method for manufacturing same | |
| JP2004152738A (ja) | 有機ｅｌパネルおよびその製造方法、それを用いた電気光学パネル並びに電子機器 | |
| CN110137233B (zh) | 阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
| TWI750698B (zh) | 顯示面板 | |
| US11968853B2 (en) | Organic electroluminescent structure and display device | |
| CN114122294B (zh) | 一种显示基板及显示装置 | |
| US20240179953A1 (en) | Display panel and electronic device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |