CN112099315A - 一种光刻设备及其控制方法、装置和存储介质 - Google Patents

一种光刻设备及其控制方法、装置和存储介质 Download PDF

Info

Publication number
CN112099315A
CN112099315A CN201910522070.6A CN201910522070A CN112099315A CN 112099315 A CN112099315 A CN 112099315A CN 201910522070 A CN201910522070 A CN 201910522070A CN 112099315 A CN112099315 A CN 112099315A
Authority
CN
China
Prior art keywords
motion
exposure area
exposure
stage
procedure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910522070.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112099315B (zh
Inventor
周畅
朱岳彬
陈超
廖飞红
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Micro Electronics Equipment Co Ltd
Original Assignee
Shanghai Micro Electronics Equipment Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Micro Electronics Equipment Co Ltd filed Critical Shanghai Micro Electronics Equipment Co Ltd
Priority to CN201910522070.6A priority Critical patent/CN112099315B/zh
Priority to TW108132095A priority patent/TWI728458B/zh
Priority to KR1020190120836A priority patent/KR102327697B1/ko
Publication of CN112099315A publication Critical patent/CN112099315A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112099315B publication Critical patent/CN112099315B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716Stages
    • G03F7/70725Stages control
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/201Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by an oblique exposure; characterised by the use of plural sources; characterised by the rotation of the optical device; characterised by a relative movement of the optical device, the light source, the sensitive system or the mask
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605Workpiece metrology
    • G03F7/70681Metrology strategies
    • G03F7/70683Mark designs
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70975Assembly, maintenance, transport or storage of apparatus
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67225Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one lithography chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67282Marking devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67715Changing the direction of the conveying path
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/682Mask-wafer alignment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本发明实施例公开了一种光刻设备及其控制方法、装置和存储介质,光刻设备包括两个运动台;运动台的工作区包括曝光区和非曝光区,光刻设备的控制方法包括:控制一运动台在曝光区进行第一工序的过程中,控制另一运动台在非曝光区进行第二工序,且当第一工序完成时,非曝光区的运动台运动到非曝光区和曝光区的交界处,第一工序包括曝光,因曝光时间较长,进而可以使得在非曝光区进行第二工序的运动台向曝光区运动的速度较慢,进而不会造成光刻设备和承载两个运动台的导轨的振动,则不会对正在曝光的运动台造成串扰,有利于提高曝光精度,并有利于提高光刻设备的产率。

Description

一种光刻设备及其控制方法、装置和存储介质
技术领域
本发明实施例涉及光刻设备技术领域,尤其涉及一种光刻设备及其控制方法、装置和存储介质。
背景技术
随着光刻技术的发展,大世代双运动台的光刻机得到越来越广泛的应用。
大世代的光刻机可用于尺寸较大的基板的曝光,但是基板尺寸较大造成运动台承载基板运动时惯性较大,运动台高速运动时会带来光刻机设备的振动,使得两个运动台已发生串扰,影响曝光精度。
发明内容
本发明提供一种光刻设备及其控制方法、装置和存储介质,以实现提高光刻设备产率以及消除光刻设备两个运动台之间的串扰,提高曝光性能。
第一方面,本发明实施例提供了一种光刻设备的控制方法,光刻设备包括两个运动台;运动台的工作区包括曝光区和非曝光区,光刻设备的控制方法包括:
控制一运动台在曝光区进行第一工序的过程中,控制另一运动台在非曝光区进行第二工序,且当第一工序完成时,非曝光区的运动台运动到非曝光区和曝光区的交界处,第一工序包括曝光。
其中,光刻设备包括第一运动台和第二运动台,非曝光区包括第一非曝光区和第二非曝光区,第一非曝光区、曝光区和第二非曝光区沿第一方向依次设置;第一运动台的工作区包括曝光区和第一非曝光区,第二运动台的工作区包括曝光区和第二非曝光区;
控制一运动台在曝光区进行第一工序的过程中,控制另一运动台在非曝光区进行第二工序包括:
控制第一运动台在曝光区进行第一工序的过程中,控制第二运动台在第二非曝光区进行第二工序。
其中,控制第一运动台在曝光区进行第一工序的过程中,控制第二运动台在第二非曝光区进行第二工序完成之后还包括:
控制第二运动台在曝光区进行第一工序的过程中,控制第一运动台在第一非曝光区进行第二工序。
其中,第一工序包括依次执行调平调焦、掩模对准和曝光;第二工序包括依次执行交接物料和基板对准。
其中,在曝光区进行第一工序的运动台调平调焦所使用的时间之和与在非曝光区进行第二工序的运动台交接物料所使用的时间相等;
在曝光区进行第一工序的运动台掩膜对准和曝光所使用的时间之和与在非曝光区进行第二工序的运动台的基板对准所使用的时间相等。
其中,光刻设备包括基板对准标记检出传感器,基板对准标记检出传感器设置在非曝光区,在第一方向上,基板对准标记检出传感器与曝光区和非曝光区边界的距离大于或者等于运动台在第一方向上的长度。
其中,在第一方向上,基板对准标记检测传感器与曝光区和非曝光区边界的距离等于运动台在第一方向上的长度。
其中,任一运动台靠近另一运动台的一侧包括基板对准标记,运动台承载的物料包括n对物料对准标记;n对物料对准标记和基板对准标记沿第一方向等间隔依次设置,控制另一运动台在非曝光区进行第二工序,包括:
控制运动台的基板对准标记与基板对准标记检出传感器对准后,控制运动台沿第一方向分n次向曝光区步进运动,其中每次步进过程中运动台匀速运动,其中,n≥1。
其中,光刻设备还包括沿第一方向设置的承载第一运动台和第二运动台的导轨,导轨与第一运动台之间包括第一运动滑块,导轨与第二运动台之间包括第二运动滑块,第一运动滑块靠近第二运动台的一侧或第二运动滑块靠近第一运动台的一侧设有距离传感器,光刻设备的控制方法还包括:
在距离传感器检测到第一运动台和第二运动台之间的距离小于预设距离阈值时,控制第一运动台和/或第二运动台停止运动。
第二方面,本发明实施例还提供了一种光刻设备的控制装置,光刻设备包括两个运动台;运动台的工作区包括曝光区和非曝光区,光刻设备的控制装置包括控制模块;
控制模块用于控制一运动台在曝光区进行第一工序的过程中,控制另一运动台在非曝光区进行第二工序,且当第一工序完成时,非曝光区的运动台运动到非曝光区和曝光区的交界处,第一工序包括曝光。
第三方面,本发明实施例还提供了一种光刻设备,第二方面提供的控制装置,还包括两个运动台,运动台的工作区包括曝光区和非曝光区。
其中,光刻设备还包括基板对准标记检出传感器,基板对准标记检出传感器设置在非曝光区,在第一方向上,基板对准标记检出传感器与曝光区和非曝光区边界的距离大于或者等于运动台在第一方向上的长度。
其中,在第一方向上,基板对准标记检测传感器与曝光区和非曝光区边界的距离大于或等于运动台在第一方向上的长度。
其中,任一运动台靠近另一运动台的一侧包括基板对准标记,运动台承载的物料包括n对物料对准标记;n对物料对准标记和基板对准标记沿第一方向等间隔依次设置,其中,n≥1。
第四方面,本发明实施例还提供了一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,该程序被处理器执行时实现第一方面提供的光刻设备的控制方法。
本发明实施例提供的光刻设备及其控制方法、装置和存储介质,通过控制一运动台在曝光区进行第一工序的过程中,控制另一运动台在非曝光区进行第二工序,且当第一工序完成时,非曝光区的运动台运动到非曝光区和曝光区的交界处,第一工序包括曝光。因曝光所需的时间通常较长,进而可以使得在非曝光区进行第二工序的运动台完成第二工序的时间较长,进而使得在非曝光区进行第二工序的运动台向曝光区运动的速度较慢,进而不会造成光刻设备和承载两个运动台的导轨的振动,则不会对正在曝光的运动台造成串扰,有利于提高曝光精度。并且,当第一工序和第二工序同时完成时,非曝光区的运动台运动到非曝光区和曝光区的交界处,使得运动台可以实现第一工序和第二工序的无缝衔接,且一运动台在曝光区的第一工序和另一运动台在非曝光区的第二工序同时进行有利于提高光刻设备的产率。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种光刻设备的控制方法的流程图;
图2是本发明实施例提供的光刻设备的运动台及其工作区的示意图;
图3是本发明实施例提供的一种光刻设备的俯视图;
图4是本发明实施例提供的两运动台完成第一工序和第二工序的时间分布图;
图5是本发明实施例提供的另一种光刻设备的结构示意图;
图6是本发明实施例提供的另一种光刻设备的控制方法的流程图;
图7是本发明实施例提供的一种光刻设备的控制装置的结构框图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
为提高光刻设备的整机产率,具备双运动台的光刻设备应用越来越广泛。然而对于大世代(例如6代,8.5代)双运动台光刻机,运动台的尺寸较大,且两个运动台在同一导轨上运动,造成一个运动台高速运动时,对另一个运动台造成扰动。而现有对双运动台光刻机的控制方法中,通常一个运动台在曝光区进行曝光时,另一运动台在非曝光区高速进行基板对准,给正在进行曝光的运动台带来很大扰动,最终影响曝光精度。
基于上述问题,本发明实施例提供了一种光刻设备的控制方法。图1为本发明实施例提供的一种光刻设备的控制方法的流程图,本实施例可适用于具备大尺寸双运动台的光刻设备的控制,该方法可以由光刻设备的控制装置来执行,光刻设备的控制装置可以采用软件和/或硬件的方式来实现,光刻设备包括两个运动台;运动台的工作区包括曝光区和非曝光区,光刻设备的控制方法包括:
步骤110、控制一运动台在曝光区进行第一工序的过程中,控制另一运动台在非曝光区进行第二工序,且当第一工序完成时,非曝光区的运动台运动到非曝光区和曝光区的交界处,第一工序包括曝光。
具体的,光刻设备的运动台用于承载物料,以及承载物料在曝光区和非曝光区进行运动。光刻设备包括两个运动台,可通过控制一运动台在曝光区进行第一工序时,控制另一运动台在非曝光区进行第二工序。第一工序包括曝光,曝光所需时间通常较长,一运动台在曝光区的第一工序和另一运动台在非曝光区的第二工序同时完成,可以使得在非曝光区进行第二工序的运动台完成第二工序的时间较长,进而使得在非曝光区进行第二工序的运动台向曝光区运动的速度较慢,进而不会造成光刻设备和承载两个运动台的导轨的振动,则不会对正在曝光的运动台造成串扰,有利于提高曝光精度。
并且,一运动台在曝光区进行的第一工序和另一运动台在非曝光区进行的第二工序同时完成时,非曝光区的运动台运动到非曝光区和曝光区的交界处,使得在非曝光区完成第二工序的运动台可直接进入到曝光区进行第一工序,同时在曝光区完成第一工序的运动台可直接进入非曝光区进行第二工序,对于每一个运动台来说,实现了第一工序和第二工序的无缝衔接;对于两个运动台来说,一运动台在曝光区的第一工序和另一运动台在非曝光区的工序同时进行,有利于提高光刻设备的产率。
本发明实施例提供的光刻设备的控制方法,通过控制一运动台在曝光区进行第一工序的过程中,控制另一运动台在非曝光区进行第二工序,且当第一工序完成时,非曝光区的运动台运动到非曝光区和曝光区的交界处,第一工序包括曝光。因曝光所需的时间通常较长,进而可以使得在非曝光区进行第二工序的运动台完成第二工序的时间较长,进而使得在非曝光区进行第二工序的运动台向曝光区运动的速度较慢,进而不会造成光刻设备和承载两个运动台的导轨的振动,则不会对正在曝光的运动台造成串扰,有利于提高曝光精度。并且,当第一工序和第二工序同时完成时,非曝光区的运动台运动到非曝光区和曝光区的交界处,使得运动台可以实现第一工序和第二工序的无缝衔接,且一运动台在曝光区的第一工序和另一运动台在非曝光区的第二工序同时进行有利于提高光刻设备的产率。
图2是本发明实施例提供的光刻设备的运动台及其工作区的示意图。参考图2,在上述方案的基础上,可选的,光刻设备包括第一运动台10和第二运动台20,非曝光区包括第一非曝光区B1和第二非曝光区B2,第一非曝光区B1、曝光区和第二非曝光区B2沿第一方向依次设置;第一运动台10的工作区包括曝光区A和第一非曝光区B1,第二运动台20的工作区包括曝光区A和第二非曝光区B2;
控制一运动台在曝光区进行第一工序的过程中,控制另一运动台在非曝光区进行第二工序包括:
步骤111、控制第一运动台10在曝光区A进行第一工序的过程中,控制第二运动台20在第二非曝光区B2进行第二工序。
具体的,控制第一运动台10在曝光区进行第一工序时,控制第二运动台20在第二非曝光区B2进行第二工序,使得第一运动台10的第一工序和第二运动台20的工序同时进行,相对于单运动台的光刻设备的控制来说,可节省第二运动台20进行第二工序的时间,有利于提高光刻设备的产率。
第一运动台10和第二运动台20通常在同一导轨上运动,设置第一运动台10的工作区包括曝光区A和第一非曝光区B1,第二运动台20的工作区包括曝光区A和第二非曝光区B2,进而可在控制第一运动台10在曝光区完成第一工序时,沿第一方向的反方向进入第一非曝光区B1,同时控制第二运动台20沿第一方向的反方向进入曝光区A,使得第一运动台10和第二运动台20不会相撞,保证光刻设备的安全性和可靠性。
在上述方案的基础上,可选的,控制第一运动台10在曝光区A进行第一工序的过程中,控制第二运动台20在第二非曝光区B2进行第二工序完成之后还包括:
步骤112、控制第二运动台20在曝光区A进行第一工序的过程中,控制第一运动台10在第一非曝光区B1进行第二工序。
具体的,第一运动台10在曝光区A进行的第一工序和第二运动台20在第二非曝光区B2进行的第二工序同时完成后,控制第一运动台10进入到第一非曝光区B1进行第二工序,同时控制第二运动台20进入曝光区A进行第一工序,即第一运动台10的第二工序与第二运动台20的第一工序同时进行,相对于单运动台的光刻设备的控制来说,可节省第一运动台10进行第二工序的时间,有利于提高光刻设备的产率。
在上述方案的基础上,可选的,第一工序包括依次执行调平调焦、掩模对准和曝光;第二工序包括依次执行交接物料和基板对准。
具体的,运动台在曝光区进行的第一工序时,首先进行或者辅助进行调平调焦和掩膜对准,进而保证后续曝光工序的有效进行。继续参考图2,光刻设备还包括掩模板30,掩模板30上包括掩膜标记31,运动台上包括掩膜对准标记检出传感器32和掩膜对准基准标记33,掩模对准包括如下步骤:
掩膜对准标记检查传感器32与掩膜对准基准标记33的对准;
掩膜对准标记检查传感器32与掩膜标记31的对准。
第二工序中,交接物料包括卸物料和上物料,本实施例中将运动台归位的过程也计入交接物料的工序中,运动台归位包括运动台从曝光区进入到非曝光区至运动台运动到上下物料的位置的过程。基板对准包括运动台自身的对准和运动台所承载的物料对准。
在上述方案的基础上,可选的,在曝光区进行第一工序的运动台调平调焦所使用的时间与在非曝光区进行第二工序的运动台交接物料所使用的时间相等;
在曝光区进行第一工序的运动台掩膜对准和曝光所使用的时间之和与在非曝光区进行第二工序的运动台的基板对准所使用的时间相等,进而可以保证第一工序和第二工序的总时间相等。并且,因曝光时间通常较长,在曝光区进行第一工序的运动台掩膜对准和曝光所使用的时间之和与在非曝光区进行第二工序的运动台基板对准所使用的时间相等,进而使得运动台在非曝光区进行基板对准的时间较长,进而使得基板对准过程中,运动台的运动速度较为缓慢,使之不容易对正在曝光区进行曝光的运动台造成扰动,进而可以进一步提高曝光精度。
继续参考图2,在上述技术方案的基础上,可选的,光刻设备包括基板对准标记检出传感器50,基板对准标记检出传感器50设置在非曝光区,在第一方向x上,基板对准标记检出传感器50与曝光区和非曝光区边界的距离d大于或者等于运动台在第一方向x上的长度c。其中,非曝光区包括第一非曝光区B1和第二非曝光区B2。
具体的,运动台以及物料的表面通常设有对准标记,基板对准标记检出传感器可通过检测运动台和物料表面的对准标记来完成运动台和物料的对准,即基板对准。在第一方向x上,基板对准标记检出传感器与曝光区和非曝光区边界的距离d大于或者等于运动台在第一方向x上的长度c,可以保证运动台完成基板对准后,不会进入曝光区,进而保证两个运动台不会相撞,保证光刻设备的可靠性。其中,基板对准标记检测传感器50可以是对准摄像装置。为保证在曝光区进行第一工序的运动台和在非曝光区进行第二工序的运动台同时完成相应的工序时,非曝光区的运动台到达非曝光区与曝光区的交界处,当基板对准标记检出传感器与曝光区和非曝光区边界的距离大于运动台在第一方向上的长度时,在非曝光区的运动台完成基板对准后,无法到达非曝光区与曝光区的边界,因此第二工序还需包括基板对准后运动台向曝光区与非曝光区交界处的运动。
在上述方案的基础上,可选的,在第一方向x上,基板对准标记检测传感器50与曝光区和非曝光区边界的距离d等于运动台在第一方向上的长度c。
具体的,第一方向x上,基板对准标记检测传感器50与曝光区和非曝光区边界的距离d等于运动台在第一方向上的长度c,可以使得运动台在非曝光区完成基板对准后,恰好停在曝光区与非曝光区的交界处,因一运动台在曝光区进行的第一工序与另一运动台在非曝光区进行的第二工序同时完成,使得在非曝光区进行第二工序的运动台在完成基板对准后,可直接进入到曝光区进行曝光,实现运动台在非曝光区进行第二工序与在曝光区进行第一工序的无缝衔接,进一步提高产率。
图3是本发明实施例提供的一种光刻设备的俯视图,参考图2和3,在上述方案的基础上,可选的,任一运动台靠近另一运动台的一侧包括基板对准标记60,运动台承载的物料40包括n对物料对准标记70;n对物料对准标记70和基板对准标记60沿第一方向x等间隔依次设置,控制另一运动台在非曝光区进行第二工序,包括:
控制运动台的基板对准标记60与基板对准标记检出传感器50对准后,控制运动台沿第一方向分n次向曝光区步进运动,其中每次步进过程中运动台匀速运动,其中,n≥1。
具体的,任一运动台靠近另一运动台的一侧设有一对基板对准标记60,基板对准标记检出传感器50可通过检测运动台上的基板对准标记60进行运动台对准。运动台承载的物料表面设有沿第一方向等间隔依次设置的n对物料对准标记,随着运动台由非曝光区向曝光区的步进运动,基板对准标记检出传感器依次检测每对物料对准标记来进行物料对准。参考图3,在曝光区与非曝光区的交界处,还可设有检测传感器80,用于检测运动台是否到达曝光区与非曝光无的交界。
图4是本发明实施例提供的两运动台完成第一工序和第二工序的时间分布图。参考图3和图4,以运动台在第一方向上的长度c等于1.8米,物料表面设有10对物料对准标记为例进行说明,在非曝光区进行第二工序的运动台(图4中运动台2)进行交接物料的时间,以及在曝光区进行第一工序的运动台(图4中运动台1)进行调平调焦的时间为t1,在曝光区进行第一工序的运动台进行掩膜对准的时间为t2,在曝光区进行第一工序的运动台进行曝光的时间为t3,在非曝光区进行第二工序的运动台进行基板对准的时间为t2+t3,则在非曝光区进行第二工序的运动台进行基板对准时,每次向曝光区步进运动的时间为(t2+t3)/10,每次步进运动的路程为1.8/10=0.18m,每次步进运动的速度为1.8/(t2+t3)。在非曝光区进行第二工序的运动台进行基板对准时,通过控制运动台分n次向曝光区步进运动,其中每次步进过程中运动台匀速运动,且在非曝光区进行第二工序的运动台进行基板对准的时间等于在曝光区进行第一工序的运动台进行掩膜对准和曝光的时间之和,使得运动台向曝光区步进运动的速度较为缓慢,并且为匀速运动,因此可以减小甚至消除进行基板对准的运动台产生的导轨产生的振动,进而使得正在曝光的运动台不会受到扰动,在提高光刻设备的产率的同时,提高曝光精度。
图5是本发明实施例提供的另一种光刻设备的结构示意图,图6是本发明实施例提供的另一种光刻设备的控制方法的流程图。参考图5,在上述方案的基础上,可选的,光刻设备还包括沿第一方向x设置的承载第一运动台10和第二运动台20的导轨90,导轨90与第一运动台10之间包括第一运动滑块100,导轨90与第二运动台20之间包括第二运动滑块200,第一运动滑块100靠近第二运动台20的一侧或第二运动滑块200靠近第一运动台10的一侧设有距离传感器101,参考图6,光刻设备的控制方法包括:
步骤210、控制一运动台在曝光区进行第一工序的过程中,控制另一运动台在非曝光区进行第二工序,且当第一工序完成时,非曝光区的运动台运动到非曝光区和曝光区的交界处,第一工序包括曝光。
步骤220、在距离传感器101检测到第一运动台10和第二运动台20之间的距离小于预设距离阈值时,控制第一运动台10和/或第二运动台20停止运动。
具体的,第一运动滑块100带动第一运动台10在导轨90上运动,第二运动滑块200带动第二运动台20在导轨90上运动。通过在第一运动滑块100靠近第二运动台20的一侧或第二运动滑块200靠近第一运动台10的一侧设置距离传感器101,并在距离传感器101检测到第一运动台10和第二运动台20之间的距离小于预设距离阈值时,控制第一运动台10和/或第二运动台20停止运动,可避免第一运动台10和第二运动台20相撞,保证光刻设备的安全性和可靠性。
本发明实施例还提供了一种光刻设备的控制装置,该控制装置可执行本发明任意实施例所提供的光刻设备的控制方法,图7是本发明实施例提供的一种光刻设备的控制装置的结构框图,光刻设备包括两个运动台;运动台的工作区包括曝光区和非曝光区,光刻设备的控制装置包括控制模块310;控制模块310用于控制一运动台在曝光区进行第一工序的过程中,控制另一运动台在非曝光区进行第二工序,且当第一工序完成时,非曝光区的运动台运动到非曝光区和曝光区的交界处,第一工序包括曝光。
本发明实施例提供的光刻设备的控制装置,通过控制模块控制一运动台在曝光区进行第一工序的过程中,控制另一运动台在非曝光区进行第二工序,且当第一工序和第二工序同时完成时,非曝光区的运动台运动到非曝光区和曝光区的交界处,第一工序包括曝光。因曝光所需的时间通常较长,进而可以使得在非曝光区进行第二工序的运动台向曝光区运动的速度较慢,进而不会造成光刻设备和承载两个运动台的导轨的振动,则不会对正在曝光的运动台造成串扰,有利于提高曝光精度,并且,一运动台在曝光区的第一工序和另一运动台在非曝光区的第二工序同时进行有利于提高光刻设备的产率。
在上述方案的基础上,可选的,光刻设备包括第一运动台和第二运动台,非曝光区包括第一非曝光区和第二非曝光区,第一非曝光区、曝光区和第二非曝光区沿第一方向依次设置;第一运动台的工作区包括曝光区和第一非曝光区,第二运动台的工作区包括曝光区和第二非曝光区;
控制模块包括第一控制单元,用于控制第一运动台在曝光区进行第一工序的过程中,控制第二运动台在第二非曝光区进行第二工序。
可选的,控制模块还包括第二控制单元,用于在控制第一运动台在曝光区进行第一工序的过程中,控制第二运动台在第二非曝光区进行第二工序完成之后:
控制第二运动台在曝光区进行第一工序的过程中,控制第一运动台在第一非曝光区进行第二工序。
在上述技术方案的基础上,可选的,在曝光区进行第一工序的运动台调平调焦、掩模对准所使用的时间之和与在非曝光区进行第二工序的运动台交接物料所使用的时间相等;
在曝光区进行第一工序的运动台掩膜对准和曝光所使用的时间之和与在非曝光区进行第二工序的运动台的基板对准所使用的时间相等;
在第一方向上,基板对准标记检测传感器与曝光区和非曝光区边界的距离等于运动台在第一方向上的长度;运动台靠近曝光区与非曝光区边界的一侧包括基板对准标记,运动台承载的物料包括n对物料对准标记;n对物料对准标记和基板对准标记沿第一方向等间隔依次设置,控制模块在控制另一运动台在非曝光区进行第二工序时,具体用于,
控制运动台的基板对准标记与基板对准摄像装置对准后,控制运动台沿第一方向分n次向曝光区步进运动,其中每次步进过程中运动台匀速运动。
本发明实施例所提供的光刻设备的控制装置可执行本发明任意实施例所提供的光刻设备的控制方法,具备执行方法相应的功能模块和有益效果。
本发明实施例还提供了一种光刻设备,该光刻设备的结构示意图可参考图2,该光刻设备包括上述任意实施例提供的控制装置,还包括两个运动台,运动台的工作区包括曝光区和非曝光区。
本发明实施例提供的光刻设备,通过控制装置控制一运动台在曝光区进行第一工序的过程中,控制另一运动台在非曝光区进行第二工序,且当第一工序和第二工序同时完成时,非曝光区的运动台运动到非曝光区和曝光区的交界处,第一工序包括曝光。因曝光所需的时间通常较长,进而可以使得在非曝光区进行第二工序的运动台向曝光区运动的速度较慢,进而不会造成光刻设备和承载两个运动台的导轨的振动,则不会对正在曝光的运动台造成串扰,有利于提高曝光精度,并且,一运动台在曝光区的第一工序和另一运动台在非曝光区的第二工序同时进行有利于提高光刻设备的产率。
继续参考图2,在上述方案的基础上,可选的,该光刻设备还包括基板对准标记检出传感器50,基板对准标记检出传感器50设置在非曝光区,在第一方向上,基板对准标记检出传感器与曝光区和非曝光区边界的距离大于或者等于运动台在第一方向上的长度。
在上述方案的基础上,进一步的,在第一方向上,基板对准标记检测传感器50与曝光区和非曝光区边界的距离大于或等于运动台在第一方向上的长度。
在上述技术方案的基础上,任一运动台靠近另一运动台的一侧包括基板对准标记60,运动台承载的物料40包括n对物料对准标记70;n对物料对准标记70和基板对准标记60沿第一方向x等间隔依次设置,其中,n≥1。
本发明实施例提供了一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,该程序被处理器执行时实现如本发明实施例提供的光刻设备的控制方法:
控制一运动台在曝光区进行第一工序的过程中,控制另一运动台在非曝光区进行第二工序,且当第一工序完成时,非曝光区的运动台运动到非曝光区和曝光区的交界处,第一工序包括曝光。
可以采用一个或多个计算机可读的介质的任意组合。计算机可读介质可以是计算机可读信号介质或者计算机可读存储介质。计算机可读存储介质例如可以是——但不限于——电、磁、光、电磁、红外线、或半导体的***、装置或器件,或者任意以上的组合。计算机可读存储介质的更具体的例子(非穷举的列表)包括:具有一个或多个导线的电连接、便携式计算机磁盘、硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、可擦式可编程只读存储器(EPROM或闪存)、光纤、便携式紧凑磁盘只读存储器(CD-ROM)、光存储器件、磁存储器件、或者上述的任意合适的组合。在本文件中,计算机可读存储介质可以是任何包含或存储程序的有形介质,该程序可以被指令执行***、装置或者器件使用或者与其结合使用。
计算机可读的信号介质可以包括在基带中或者作为载波一部分传播的数据信号,其中承载了计算机可读的程序代码。这种传播的数据信号可以采用多种形式,包括——但不限于——电磁信号、光信号或上述的任意合适的组合。计算机可读的信号介质还可以是计算机可读存储介质以外的任何计算机可读介质,该计算机可读介质可以发送、传播或者传输用于由指令执行***、装置或者器件使用或者与其结合使用的程序。
计算机可读介质上包含的程序代码可以用任何适当的介质传输,包括——但不限于——无线、电线、光缆、RF等等,或者上述的任意合适的组合。
可以以一种或多种程序设计语言或其组合来编写用于执行本发明操作的计算机程序代码,所述程序设计语言包括面向对象的程序设计语言—诸如Java、Smalltalk、C++,还包括常规的过程式程序设计语言—诸如”C”语言或类似的程序设计语言。程序代码可以完全地在用户计算机上执行、部分地在用户计算机上执行、作为一个独立的软件包执行、部分在用户计算机上部分在远程计算机上执行、或者完全在远程计算机或本实施例提供的设备上执行。在涉及远程计算机的情形中,远程计算机可以通过任意种类的网络——包括局域网(LAN)或广域网(WAN)—连接到用户计算机,或者,可以连接到外部计算机(例如利用因特网服务提供商来通过因特网连接)。
注意,上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本发明不限于这里所述的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明,但是本发明不仅仅限于以上实施例,在不脱离本发明构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (15)

1.一种光刻设备的控制方法,其特征在于,所述光刻设备包括两个运动台;所述运动台的工作区包括曝光区和非曝光区,所述光刻设备的控制方法包括:
控制一所述运动台在所述曝光区进行第一工序的过程中,控制另一运动台在所述非曝光区进行第二工序,且当所述第一工序完成时,所述非曝光区的运动台运动到所述非曝光区和所述曝光区的交界处,所述第一工序包括曝光。
2.根据权利要求1所述的光刻设备的控制方法,其特征在于,所述光刻设备包括第一运动台和第二运动台,所述非曝光区包括第一非曝光区和第二非曝光区,所述第一非曝光区、所述曝光区和所述第二非曝光区沿第一方向依次设置;所述第一运动台的工作区包括曝光区和第一非曝光区,所述第二运动台的工作区包括曝光区和第二非曝光区;
所述控制一所述运动台在所述曝光区进行第一工序的过程中,控制另一运动台在所述非曝光区进行第二工序包括:
控制所述第一运动台在所述曝光区进行第一工序的过程中,控制所述第二运动台在所述第二非曝光区进行第二工序。
3.根据权利要求2所述光刻设备的控制方法,其特征在于,所述控制第一运动台在所述曝光区进行第一工序的过程中,控制所述第二运动台在所述第二非曝光区进行第二工序完成之后还包括:
控制所述第二运动台在所述曝光区进行第一工序的过程中,控制所述第一运动台在所述第一非曝光区进行第二工序。
4.根据权利要求1所述的光刻设备的控制方法,其特征在于,所述第一工序包括依次执行调平调焦、掩模对准和曝光;所述第二工序包括依次执行交接物料和基板对准。
5.根据权利要求4所述的光刻设备的控制方法,其特征在于,在所述曝光区进行第一工序的运动台调平调焦所使用的时间之和与在所述非曝光区进行第二工序的运动台交接物料所使用的时间相等;
在所述曝光区进行第一工序的运动台掩膜对准和曝光所使用的时间之和与在所述非曝光区进行第二工序的运动台的基板对准所使用的时间相等。
6.根据权利要求4所述的光刻设备的控制方法,其特征在于,所述光刻设备包括基板对准标记检出传感器,所述基板对准标记检出传感器设置在所述非曝光区,在第一方向上,所述基板对准标记检出传感器与所述曝光区和所述非曝光区边界的距离大于或者等于所述运动台在第一方向上的长度。
7.根据权利要求6所述的光刻设备的控制方法,其特征在于,在第一方向上,所述基板对准标记检测传感器与所述曝光区和所述非曝光区边界的距离等于所述运动台在第一方向上的长度。
8.根据权利要求7所述的光刻设备的控制方法,其特征在于,任一运动台靠近另一运动台的一侧包括基板对准标记,所述运动台承载的物料包括n对物料对准标记;所述n对物料对准标记和所述基板对准标记沿第一方向等间隔依次设置,所述控制另一运动台在所述非曝光区进行第二工序,包括:
控制所述运动台的所述基板对准标记与所述基板对准标记检出传感器对准后,控制所述运动台沿第一方向分n次向所述曝光区步进运动,其中每次步进过程中所述运动台匀速运动,其中,n≥1。
9.根据权利要求2所述的光刻设备的控制方法,其特征在于,光刻设备还包括沿第一方向设置的承载所述第一运动台和所述第二运动台的导轨,所述导轨与所述第一运动台之间包括第一运动滑块,所述导轨与所述第二运动台之间包括第二运动滑块,所述第一运动滑块靠近所述第二运动台的一侧或所述第二运动滑块靠近所述第一运动台的一侧设有距离传感器,所述光刻设备的控制方法还包括:
在所述距离传感器检测到所述第一运动台和所述第二运动台之间的距离小于预设距离阈值时,控制所述第一运动台和/或所述第二运动台停止运动。
10.一种光刻设备的控制装置,其特征在于,所述光刻设备包括两个运动台;所述运动台的工作区包括曝光区和非曝光区,所述光刻设备的控制装置包括控制模块;
所述控制模块用于控制一所述运动台在所述曝光区进行第一工序的过程中,控制另一运动台在所述非曝光区进行第二工序,且当所述第一工序完成时,所述非曝光区的运动台运动到所述非曝光区和所述曝光区的交界处,所述第一工序包括曝光。
11.一种光刻设备,其特征在于,包括权利要求10所述的控制装置,还包括两个运动台,所述运动台的工作区包括曝光区和非曝光区。
12.根据权利要求11所述的光刻设备,其特征在于,还包括基板对准标记检出传感器,所述基板对准标记检出传感器设置在所述非曝光区,在第一方向上,所述基板对准标记检出传感器与所述曝光区和所述非曝光区边界的距离大于或者等于所述运动台在第一方向上的长度。
13.根据权利要求12所述的光刻设备,其特征在于,在第一方向上,所述基板对准标记检测传感器与所述曝光区和所述非曝光区边界的距离大于或等于所述运动台在第一方向上的长度。
14.根据权利要求13所述的光刻设备,其特征在于,任一运动台靠近另一运动台的一侧包括基板对准标记,所述运动台承载的物料包括n对物料对准标记;所述n对物料对准标记和所述基板对准标记沿第一方向等间隔依次设置,其中,n≥1。
15.一种计算机可读存储介质,其特征在于,其上存储有计算机程序,其特征在于,该程序被处理器执行时实现如权利要求1-9任一所述的光刻设备的控制方法。
CN201910522070.6A 2019-06-17 2019-06-17 一种光刻设备及其控制方法、装置和存储介质 Active CN112099315B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910522070.6A CN112099315B (zh) 2019-06-17 2019-06-17 一种光刻设备及其控制方法、装置和存储介质
TW108132095A TWI728458B (zh) 2019-06-17 2019-09-05 一種光刻設備及其控制方法、裝置及儲存介質
KR1020190120836A KR102327697B1 (ko) 2019-06-17 2019-09-30 포토리소그래피 설비 및 그의 제어방법, 장치와 저장매체

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910522070.6A CN112099315B (zh) 2019-06-17 2019-06-17 一种光刻设备及其控制方法、装置和存储介质

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112099315A true CN112099315A (zh) 2020-12-18
CN112099315B CN112099315B (zh) 2021-10-22

Family

ID=73749328

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910522070.6A Active CN112099315B (zh) 2019-06-17 2019-06-17 一种光刻设备及其控制方法、装置和存储介质

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR102327697B1 (zh)
CN (1) CN112099315B (zh)
TW (1) TWI728458B (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002043213A (ja) * 2000-07-25 2002-02-08 Nikon Corp ステージ装置および露光装置
CN101005014A (zh) * 2006-01-19 2007-07-25 三星电子株式会社 半导体器件制造设备及使用其的方法
JP2007293376A (ja) * 2007-08-14 2007-11-08 Hitachi High-Technologies Corp 露光装置及び基板製造方法
CN102445858A (zh) * 2011-11-28 2012-05-09 上海华力微电子有限公司 一种光刻机之间的工艺匹配方法
CN104375388A (zh) * 2014-10-13 2015-02-25 江苏影速光电技术有限公司 一种多工件台直写光刻***
CN109856925A (zh) * 2019-03-22 2019-06-07 上海微电子装备(集团)股份有限公司 双工件台柔性卷带曝光装置及曝光方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69738910D1 (de) * 1996-11-28 2008-09-25 Nikon Corp Ausrichtvorrichtung und belichtungsverfahren
US6836093B1 (en) 1999-12-21 2004-12-28 Nikon Corporation Exposure method and apparatus
JP2005317916A (ja) * 2004-03-30 2005-11-10 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
CN106483778B (zh) * 2015-08-31 2018-03-30 上海微电子装备(集团)股份有限公司 基于相对位置测量的对准***、双工件台***及测量***

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002043213A (ja) * 2000-07-25 2002-02-08 Nikon Corp ステージ装置および露光装置
CN101005014A (zh) * 2006-01-19 2007-07-25 三星电子株式会社 半导体器件制造设备及使用其的方法
JP2007293376A (ja) * 2007-08-14 2007-11-08 Hitachi High-Technologies Corp 露光装置及び基板製造方法
CN102445858A (zh) * 2011-11-28 2012-05-09 上海华力微电子有限公司 一种光刻机之间的工艺匹配方法
CN104375388A (zh) * 2014-10-13 2015-02-25 江苏影速光电技术有限公司 一种多工件台直写光刻***
CN109856925A (zh) * 2019-03-22 2019-06-07 上海微电子装备(集团)股份有限公司 双工件台柔性卷带曝光装置及曝光方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200144448A (ko) 2020-12-29
KR102327697B1 (ko) 2021-11-17
CN112099315B (zh) 2021-10-22
TWI728458B (zh) 2021-05-21
TW202101120A (zh) 2021-01-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2041622B1 (en) Precise positioning system for dual stage switching exposure
US8134689B2 (en) Dual stage positioning and switching system
CN100504614C (zh) 步进扫描光刻机双台交换定位***
US10095132B2 (en) Mask transmission device and transmission method
CN103984208A (zh) 掩模版传输***
CN104375388A (zh) 一种多工件台直写光刻***
CN112099315B (zh) 一种光刻设备及其控制方法、装置和存储介质
CN102157421A (zh) 一种硅片预对准装置及预对准方法
CN108710266A (zh) 一种触发式对位结构的直写式曝光***及方法
US6680775B1 (en) Substrate treating device and method, and exposure device and method
CN106444294B (zh) 一种掩膜版固定***
CN112099317B (zh) 一种光刻设备及其控制方法、装置和存储介质
US9280067B2 (en) Exposure aparatus and method of manufacturing device to avoid collision between an elevating member of a substrate stage and a conveyance arm
JPH05267160A (ja) 周辺露光装置
EP1669804A2 (en) Barrier film material and pattern formation method using the same
CN214278628U (zh) Ic引线框无缝拼接机构
KR20150050371A (ko) 노출 및 현상장치, 노출 및 현상방법
CN103676488A (zh) 掩模交接机构及具有该掩模交接机构的掩模台
JP2874714B2 (ja) 半導体解析/加工装置
KR100922657B1 (ko) 스캐너 장비의 레티클 슬라이딩 감지 장치 및 방법
JP2005066753A (ja) ワーク搬送システムの制御方法
JPH0365011B2 (zh)
JPH01184823A (ja) 投影露光装置
JPH06295858A (ja) 荷電粒子ビーム露光方法
JPH04245617A (ja) 電子線描画装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant