CN112086374A - 一种显示装置及其制备方法、电子设备 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种显示装置及其制备方法、电子设备，其中，所述显示装置的保护膜包括减薄区域，且所述减薄区域在所述衬底上的正投影与绑定结构在所述衬底上的正投影至少部分重合，这样在AOI(Automated Optical Inspection，自动光学检测)检测绑定结构的绑定效果的过程中，减少了减薄区域的保护膜对光线的吸收，提高了进入感光元件中的光线量，从而提高了感光元件获取的图像清晰度，满足了AOI检测的成像要求，满足了对绑定结构的绑定效果的精确检测要求。
Description
技术领域
本申请设计显示技术领域，更具体地说，涉及一种显示装置及其制备方法、电子设备。
背景技术
在OLED(OrganicLight-Emitting Diode，有机发光二极管)显示装置或Micro-LED显示装置等柔性显示装置的制备工艺中，当绑定结构经过绑定工序绑定在衬底上之后，需要利用AOI(Automated OpticalInspection，自动光学检测)技术进行压痕检测，以检测绑定结构的绑定效果。
如何提高AOI检测的精确度成为亟待解决的问题。
发明内容
为解决上述技术问题，本申请提供了一种显示装置及其制备方法、电子设备，以实现提高在对显示装置进行AOI检测时的检测精确度。
为实现上述技术目的，本申请实施例提供了如下技术方案：
一种显示装置，包括：
衬底，所述衬底包括台阶区；
位于所述台阶区一侧的绑定结构；
位于所述台阶区背离所述绑定结构一侧的保护膜，所述保护膜包括减薄区域，所述减薄区域在所述衬底上的正投影与所述绑定结构在所述衬底上的正投影至少部分重合。
一种显示装置的制备方法，包括：
提供衬底，所述衬底包括台阶区；
在所述台阶区的一侧形成绑定结构；
在所述台阶区背离所述绑定结构一侧形成保护膜；
对所述保护膜进行处理，以在所述保护膜中形成减薄区域，所述减薄区域在所述衬底上的正投影与所述绑定结构在所述衬底上的正投影至少部分重合。
一种电子设备，包括如上述任一项所述的显示装置。
从上述技术方案可以看出，本申请实施例提供了一种显示装置及其制备方法、电子设备，其中，所述显示装置的保护膜包括减薄区域，且所述减薄区域在所述衬底上的正投影与绑定结构在所述衬底上的正投影至少部分重合，这样在AOI检测绑定结构的绑定效果的过程中，减少了减薄区域的保护膜对光线的吸收，提高了进入感光元件中的光线量，从而提高了感光元件获取的图像清晰度，满足了AOI检测的成像要求，满足了对绑定结构的绑定效果的精确检测要求。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为导电粒子受压正常时感光元件获取的灰度图像；
图2为导电粒子受压不足时感光元件获取的灰度图像；
图3为导电粒子受压过度时感光元件获取的灰度图像；
图4为本申请的一个实施例提供的一种显示装置沿垂直于衬底表面方向上的剖面结构示意图；
图5为本申请的另一个实施例提供的一种显示装置沿垂直于衬底表面方向上的剖面结构示意图；
图6为本申请的一个实施例提供的一种台阶区沿垂直于衬底方向上的局部剖面示意图；
图7为本申请的另一个实施例提供的一种台阶区沿垂直于衬底方向上的局部剖面示意图；
图8为本申请的又一个实施例提供的一种台阶区沿垂直于衬底方向上的局部剖面示意图；
图9为本申请的再一个实施例提供的一种台阶区沿垂直于衬底方向上的局部剖面示意图；
图10为本申请的一个可选实施例提供的一种台阶区沿垂直于衬底方向上的局部剖面示意图；
图11为本申请的另一个可选实施例提供的一种台阶区沿垂直于衬底方向上的局部剖面示意图；
图12为本申请的又一个可选实施例提供的一种台阶区沿垂直于衬底方向上的局部剖面示意图；
图13为本申请的再一个可选实施例提供的一种台阶区沿垂直于衬底方向上的局部剖面示意图；
图14为本申请的一个实施例提供的一种显示装置的制备方法的流程示意图；
图15-图17为本申请的一个实施例提供的一种显示装置的制备流程示意图；
图18为本申请的另一个实施例提供的一种显示装置的制备方法的流程示意图；
图19为本申请的一个实施例提供的一种电子设备的结构示意图。
具体实施方式
正如背景技术中所述，如何提高AOI检测的精确度是本领域技术人员亟待解决的技术问题，发明人在实际的检测过程中发现，由于衬底自身以及衬底背面的保护膜等结构的透光率较差，导致在AOI检测过程中感光元件难以获取清晰的绑定效果图像，无法准确检测绑定结构的绑定效果。具体地，现有技术中在利用AOI技术检测绑定结构的绑定效果时，由于衬底及保护膜等结构的穿透率较低，透过衬底和保护膜进入感光元件的光线量较少，导致检测效果不佳。
发明人经过研究发现，AOI技术对于绑定结构的绑定效果的检测原理包括：感光元件设置在衬底背离绑定结构一侧对绑定结构所在区域进行成像，光线依次透过绑定结构与衬底之间的导电膜、衬底、衬底背面的保护膜进入感光元件中，以使感光元件根据不同感光区域接收到的光强度进行灰度成像，导电膜中的导电粒子如果在绑定过程中受压正常，则导电粒子所在区域在灰度图像中显示明显(如图1所示，图1为导电粒子受压正常时感光元件获取的灰度图像)，但如果导电粒子受压不足或者受压过度而导致被压碎，则其所在位置在灰度图像中则显示不明显，难以与其他背景区域相区分(参考图2和图3，图2和图3分别为导电粒子受压不足和受压过度时感光元件获取的灰度图像)。
但是发明人经过进一步研究发现，由于衬底自身的光线透过率较小，且衬底背面的保护膜的光线透过率较小，能够穿透衬底和保护膜的光线量很小，导致感光元件实际接收的光线量很小，最终成像的灰度图像中各个区域的灰度差异很小，这样即使导电粒子受压正常，也无法在灰度图像中观察到明显的亮度差异。这使得在AOI检测过程中，无论导电粒子是否受压正常，都无法从感光元件最终获取的灰度图像中观察出导电粒子所在位置，导致AOI检测失去了实际意义，无法准确检测绑定结构的绑定效果。
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请实施例提供了一种显示装置，如图4所示，图4为所述显示装置沿垂直于衬底表面方向上的剖面结构示意图，所述显示装置包括：
衬底40，所述衬底40包括台阶区BB。参考图4，所述衬底40的台阶区BB是指除用于设置显示像素的显示区域AA之外的其他区域，在图4中，所述台阶区BB还包括弯折区bending，通过弯折区bending的弯折可以将大部分的台阶区BB弯折到衬底40的显示区域的背面，实现台阶区BB的“隐藏”，提高显示装置的屏占比。
位于所述台阶区BB一侧的绑定结构20。所述绑定结构20与所述衬底40的绑定方式包括但不限于COF(Chip on Film)和COP(Chip on Panel)。
位于所述台阶区BB背离所述绑定结构20一侧的保护膜10，所述保护膜10包括减薄区域11，所述减薄区域11在所述衬底40上的正投影与所述绑定结构20在所述衬底40上的正投影至少部分重合。所述保护膜10的减薄区域11可以是包括凹槽或通孔等结构的区域，对于保护膜10的减薄工艺可以包括激光去除工艺。相较于正常厚度的保护膜10，减薄区域11的保护膜10对于光线的吸收量较小，有利于增加最终射入用于AOI检测的感光元件30(例如CCD(Charge-coupled Device，电荷耦合元件))中的光线量，从而提高了感光元件30获取的图像清晰度，满足了AOI检测的成像要求，满足了对绑定结构20的绑定效果的精确检测要求。
所述减薄区域11在所述衬底40上的正投影与所述绑定结构20在所述衬底40上的正投影至少部分重合可以是如图4所示的部分重合，也可以是如图5所示的全部重合，图5为所述显示装置沿垂直于衬底表面方向上的剖面结构示意图。当所述减薄区域11在所述衬底40上的正投影与所述绑定结构20在所述衬底40上的正投影部分重合时，用于AOI检测的感光元件30的感光区域在所述衬底40上的正投影应位于该部分重合区域中，以利用减薄区域11对于光线的吸收量小的优势对绑定结构20进行检测。
为了较为清楚地说明台阶区BB部分的结构，本申请实施例提供的附图中仅示出了部分显示区，且为了清楚的表示感光元件30的可行设置位置，图4和图5中还示出了用于AOI检测的感光元件30。另外，附图4和5中还示出了位于显示区域AA中的驱动膜层90、偏光片60和保护盖板70，以及用于固定或封装偏光片60、保护盖板70以及绑定结构20的粘接层80，所述驱动膜层90至少包括由薄膜晶体管阵列构成的多个像素电路，在一些实施例中，所述驱动膜层90还包括多个发光单元，所述发光单元包括但不限于OLED发光单元和Micro-LED发光单元，所述发光单元的阳极与所述像素电路电连接。此外图4和图5中还示出了与所述像素电路电连接的互联走线100，所述互联走线100包括但不限于数据扇出线、栅极扇出线和电源扇出线等。
在本申请的一些实施例中，仍然参考图4和图5，所述绑定结构20可以具体包括第一导电衬垫26、导电粒子23和第二导电衬底24，所述导电粒子23的载体可以包括各向异性导电膜25。所述第一导电衬垫26与衬底上的互联走线100电连接，使得第一导电衬垫26与驱动膜层90的像素电路电连接。所述第一导电衬垫26通过导电粒子25与第二导电衬垫24电连接。所述第二导电衬垫26与芯片或FPC上的功能电路电连接。
所述功能电路包括但不限于数据信号电路、扫描信号电路和电源信号电路中的至少一种。
在上述实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，如图6所示，图6为所述台阶区沿垂直于衬底方向上的局部剖面示意图(不包括所述弯折区)，所述减薄区域11包括镂空区域12，所述镂空区域12贯穿所述保护膜10。
在本实施例中，所述镂空区域12可以是减薄区域11的部分区域，也可以是减薄区域11的全部区域，所述镂空区域12即完全去除了保护膜10的区域，该区域中由于不存在保护膜10对于光线的吸收，有利于提高感光元件可以接收到的光线量，提高感光元件的成像效果，从而提高AOI检测的准确度。
所述镂空区域12的形状可以为孔状(即通孔)，也可以是其他多边形形状(例如三角形、菱形等)，该镂空区域12的形状可以根据实际的设计需求或显示装置的种类等因素而定。
在图6以及后续附图中还示出了用于粘接所述保护膜10的光学胶层OCA、粘接层80以及绑定结构20的可行具体结构，如前文所述，所述绑定结构20可包括第一导电衬垫26、导电粒子23和第二导电衬底24，所述导电粒子23的载体可以包括各向异性导电膜25。所述第一导电衬垫26与衬底上的互联走线100电连接，使得第一导电衬垫26与驱动膜层90的像素电路电连接。所述第一导电衬垫26通过导电粒子25与第二导电衬垫24电连接。所述第二导电衬垫26与芯片或FPC上的功能电路电连接。
在上述实施例的基础上，在本申请的另一个实施例中，如图7所示，图7为所述台阶区沿垂直于衬底方向上的局部剖面示意图，所述衬底40还包括凹槽41；所述凹槽41位于所述衬底40背离所述绑定结构20一侧。
所述绑定结构20在所述衬底40上的正投影以及所述镂空区域12在所述衬底40上的正投影与所述凹槽41至少部分重合。
在本实施例中，在所述保护膜10包括镂空区域12的同时，进一步对所述衬底40进行挖槽，以降低挖槽区域中衬底40对于光线的吸收，从而增加所述镂空区域12与所述凹槽41的交叠区域中光线的透过率，提高用于AOI检测的感光元件可以接收到的光线量，提高AOI检测的准确度。
类似的，所述绑定结构20在所述衬底40上的正投影以及所述镂空区域12在所述衬底40上的正投影与所述凹槽41可以部分重合，也可以全部重合，即所述镂空区域12在所述衬底40上的正投影覆盖所述凹槽41，此时有利于增加光线可大量通过区域的面积，使得用于AOI检测的感光元件可以对较大面积的绑定结构20进行清洗成像，实现对绑定结构20的全面检测。
所述凹槽41的形成工艺也可以是激光去除工艺，即在所述保护膜10的镂空区域12形成之后，进一步采用激光去除工艺对衬底40进行部分去除，以形成所述凹槽41。
对于所述衬底40的具体结构，在本申请的一个实施例中，如图8所示，图8为所述台阶区沿垂直于衬底方向上的局部剖面示意图，所述衬底40包括：
依次层叠设置的第一柔性膜42、缓冲层43和第二柔性膜44；所述缓冲层43包括无机膜层；
可选的，所述缓冲层43用于隔离所述第一柔性膜42和所述第二柔性膜44。
所述第二柔性膜44靠近所述绑定结构20设置。
所述凹槽41贯穿所述第一柔性膜42或深入部分所述第一柔性膜42。
也就是说，衬底40包括至少一层有机层，可选的，最靠近阵列层的有机层在绑定结构对应的区域为厚度均匀的完整结构，但是该有机层背离绑定结构一侧的衬底40的至少另一有机层在绑定结构对应的区域为厚度减薄，可选的为镂空结构。
在本实施例中，所述衬底40的双层柔性膜夹缓冲层43的设置方式可以有效保证衬底40的支撑性能，具体地，所述第二柔性膜44作为最靠近绑定结构20、薄膜晶体管和显示像素的一层柔性膜，在薄膜晶体管等元件的制备过程中，可能会由于杂质渗入等问题影响自身柔性性能，导致在后续的高温制程中破碎而无法起到良好的支撑作用，而缓冲层43和第一柔性膜42的存在则很好的解决了这一问题，缓冲层43作为隔离第一柔性膜42和第二柔性膜44的膜层存在，隔绝杂质侵入所述第一柔性膜42，保证第一柔性膜42的支撑和柔性性能。所述缓冲层43可选的，为无机材料制备，也可采用金属材料制备，以在隔离的基础上提高衬底40的散热性能和防紫外干扰的性能。
当衬底40具有双层柔性膜夹缓冲层43的结构时，所述凹槽41可以贯穿所述第一柔性膜42(如图8所示)，也可以深入部分所述第一柔性膜42，即所述凹槽41主要形成于背离所述绑定结构20一侧的柔性膜中，所述凹槽41通常不形成于所述缓冲层43中，这是由于一方面在缓冲层43中形成凹槽41所需的激光能量过大，较难控制对缓冲层43的去除深度，可能会完全破坏衬底40；另一方面，如果去除了部分或全部缓冲层43，则无法保证凹槽41所在区域衬底40的支撑性能，当凹槽41上方的第二柔性膜44由于杂质或高温制程的影响而破碎时，如果缓冲层43也被凹槽41部分或全部贯穿，则可能会导致凹槽41所在区域衬底40完全失效。
可选的，所述第一柔性膜42和第二柔性膜44均为聚酰亚胺膜层，聚酰亚胺膜层具有耐高温、延展性好和柔性性能好等优点，是作为衬底40的最佳选择之一。此外，由于本申请实施例提供的显示装置中保护膜10的减薄区域11和衬底40的凹槽41的设置方案，解决了聚酰亚胺膜层本身吸光率较大对AOI检测的负面影响。所述聚酰亚胺膜层由于本身呈黄色，因此也可称为黄色聚酰亚胺膜(Yellow Polyimide)，简写为YPI。
在图8中，还示出了用于粘接保护膜10与所述衬底40的光学胶层40。另外，图8中所述凹槽41和所述镂空区域12构成了一个梯形形状，该梯形形状一般形成于对保护膜10、光学胶层OCA和第一柔性膜42的激光去除过程中。
可选的，仍然参考图8，所述凹槽41和所述镂空区域12在垂直于衬底40表面的方向上的剖面形状为正梯形，正梯形形状的开口面积更大，可在一定程度上增加进入用于AOI检测的感光元件的光线量，有利于感光元件对绑定结构所在区域的成像。此外，正梯形形状靠近缓冲层43的一面面积较小，有利于保证衬底40的支撑能力。进一步，正梯形形状的凹槽41以及所述镂空区域12的倾斜侧面可以避免陡峭台阶带来的应力集中问题。
可选的，仍然参考图8，所述凹槽41与所述镂空区域12的开口侧壁为连续的，即设置开口的保护膜10、光学胶层OCA以及第一柔性膜42等在朝向凹槽41或镂空区域12的端面平滑连续，衔接处无台阶，可以形成反光面，避免吸收环境光，提高开口区域内的亮度，有利于感光元件对绑定结构所在区域的成像。
可以理解的，本实施例以衬底40包括两层聚酰亚胺夹持一层无机的缓冲层的设计为例进行说明，但是在本申请其他可选实施例中，所述衬底40还可以包括纯有机膜层(例如单层或多层聚酰亚胺)或包括多层有机膜层与至少一层无机膜层的叠层结构。
在上述实施例的基础上，在本申请的又一个实施例中，如图9所示，图9为所述台阶区沿垂直于衬底方向上的局部剖面示意图，所述显示装置还包括：
位于所述减薄区域11中的透镜结构50，所述透镜结构50包括平凹透镜；所述平凹透镜包括凸向所述衬底40的第一弧面cf1。
具体的，透镜材料一般为有机材料，例如可以是UV胶材，所述UV胶材可以包括丙烯酸树脂(Aacrylic Resin)，在本申请的一些实施例中，所述UV胶材还可以包括透明聚酰亚胺。所述透镜结构50的形成过程大致可以包括：通过滴入UV胶材的方式设置于凹槽41以及所述镂空区域12中，滴入后可以利用液体的张力形成一个凹液面，在固化后形成该第一弧面cf1。另外，透镜结构50也可以通过在凹槽41的边缘滴入UV胶材的方式形成，在滴入过程中，胶水在凹槽41的边缘区堆积，少量胶水向凹槽41的中心流动，从而形成第一弧面cf1。
可选的，所述透镜结构50填充所述凹槽41以及所述镂空区域12中，并且覆盖凹槽41与所述镂空区域12的交界区域，以提高保护膜10与衬底40的结合能力，避免膜层分离。同时形成所述透镜结构50的透镜材料还可为疏水材料，这样即使第一柔性膜42以凹槽的形成开口，由于疏水材料形成的透镜结构50的存在也可起到良好的密封作用，以密封衬底40由于凹槽41导致的开口，提高密封性能，提高隔绝水氧的能力。
所述透镜结构50可以形成于所述减薄区域11形成之后，类似的，所述透镜结构50的第一弧面cf1起到凹透镜的放大效果，以优化用于AOI检测的感光元件的成像效果。
参考图10，图10为所述台阶区沿垂直于衬底方向上的局部剖面示意图，在图10所示的结构中，当所述减薄区域11包括镂空区域12，且所述衬底40包括凹槽41时，所述透镜结构50也可以形成于所述镂空区域12和所述凹槽41中。
在上述实施例的基础上，在本申请的再一个实施例中，如图11所示，图11为所述台阶区沿垂直于衬底方向上的局部剖面示意图，所述凹槽41深入部分所述第一柔性膜42，且所述第一柔性膜42包括朝向所述保护膜10一侧的第二弧面cf2，所述第二弧面cf2凸向所述缓冲层43。
具体的，第一柔性膜42朝向所述保护膜10一侧形成凹槽，该凹槽为非贯穿式的凹槽。凹槽开口朝向所述保护膜10，凹槽沿垂直于衬底40表面方向上的截面形状至少包括圆形的一部分。
所述第二弧面cf2凸向所述缓冲层43。
所述第二弧面cf2在衬底所在平面的投影覆盖绑定结构。
在本实施例中，在凹槽41的制备过程中可以通过控制激光的功率或其他刻蚀材料的浓度等参数控制凹槽41的各个区域的去除程度，从而形成如图9所示的第二弧面cf2，具有第二弧面cf2的凹槽41实质上起到了一个类似凹透镜的放大效果，以优化用于AOI检测的感光元件的成像效果。
下面对本申请实施例提供的绑定结构20进行说明，如图12所示，图12为所述台阶区沿垂直于衬底方向上的局部剖面示意图，所述绑定结构20包括：第一绑定结构21和第二绑定结构22。
所述第一绑定结构21包括位于所述衬底40上的第一导电膜211。
所述第二绑定结构22包括位于所述衬底40上的第二导电膜221，所述第一导电膜211和第二导电膜221均包括导电粒子，且所述第一导电膜211和所述第二导电膜221同层设置。
所述台阶区BB还包括互联走线100。
所述第一绑定结构21和所述第二绑定结构22通过所述第一导电膜211的导电粒子212、第二导电膜221的导电粒子222和所述互联走线100电连接。
附图12中还示出了第一绑定结构21的第一衬垫214以及第一绑定结构21的第二衬垫213，所述第一衬垫214与所述互联走线100电连接，所述第一衬垫214通过所述第一绑定结构21的导电粒子212与所述第二衬垫213电连接，所述第二衬垫213与芯片或功能电路的引脚电连接。类似的，附图12中还示出了第二绑定结构22的第三衬垫224以及第二绑定结构21的第四衬垫223，所述第三衬垫224与所述互联走线100电连接，所述第三衬垫224通过所述第二绑定结构22的导电粒子222与所述第四衬垫223电连接，所述第四衬垫223与FPC(Flexible Printed Circuit，柔性电路板)或功能电路的衬垫电连接。FPC上可设置各类器件和走线。
相应的，仍然参考图12，当所述导电膜和所述焊盘的数量均为两个时，所述减薄区域11的数量为两个，所述第一导电膜在所述衬底40上的正投影与一个所述减薄区域11在所述衬底40上的正投影至少部分重合，所述第二导电膜在所述衬底40上的正投影与另一个所述减薄区域11在所述衬底40上的正投影至少部分重合。在本实施例中，通过将减薄区域11设置为两个，可以分别通过两个减薄区域11对第一导电膜和第二导电膜进行AOI检测。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述绑定结构的数量还可以为一个，参考图13，图13为所述台阶区沿垂直于衬底方向上的局部剖面示意图，所述绑定结构20包括：位于所述衬底40上依次层叠设置的至少一个第一导电衬垫26、多个导电粒子23和至少一个第二导电衬垫24。
所述显示装置还包括：功能电路。所述台阶区BB还包括互联走线100，所述互联走线与所述第一导电衬垫26电连接，所述第一导电衬垫26通过所述导电粒子23与所述第二导电衬垫24电连接。所述第一导电衬垫26与衬底上的互联走线100电连接，使得第一导电衬垫26与驱动膜层90的像素电路电连接。所述第一导电衬垫26通过导电粒子25与第二导电衬垫24电连接。所述第二导电衬垫26与芯片或FPC上的功能电路电连接。如前文所述，所述功能电路可以包括扫描信号电路、数据信号电路和电源信号电路中的至少一种。
在本实施例中，所述导电粒子的载体可以为各向异性导电膜25。所述第二导电衬垫24可以为FPC90的导电衬垫，所述FPC90上可用于设置芯片、走线和各类器件。
可选的，仍然参考图13，所述镂空区域12设置于保护膜10和光学胶层OCA的最边缘，避免由于镂空区域12所在位置作为容纳灰尘的区域存在。类似的，在本申请的一些实施例中，所述减薄区域也可设置于保护膜10的最边缘，避免减薄区域容纳灰尘。
下面对本申请实施例提供的显示装置的制备方法进行描述，下文描述的显示装置的制备方法可与上文描述的显示装置相互对应参照。
相应的，本申请实施例还提供了一种显示装置的制备方法，如图14所示，图14为所述显示装置的制备方法的流程示意图，所述显示装置的制备方法包括：
S101：提供衬底40，所述衬底40包括台阶区BB。参考图15，图15为所述衬底40的剖面结构示意图。所述衬底40的台阶区BB是指除用于设置显示像素的显示区域AA之外的其他区域，所述台阶区BB还包括弯折区bending，通过弯折区bending的弯折可以将大部分的台阶区BB弯折到衬底40的显示区域的背面，实现台阶区BB的“隐藏”，提高显示装置的屏占比。
S102：在所述台阶区BB的一侧形成绑定结构20。参考图16，图16为经过步骤S102后的衬底40及其表面结构的剖面结构示意图。所述绑定结构20与所述衬底40的绑定方式包括但不限于COF(Chip on Film)和COP(Chip on Panel)。图16中还示出了位于显示区域AA中的驱动膜层90、偏光片60和保护盖板70，以及用于固定或封装偏光片60、保护盖板70以及绑定结构20的粘接层80，所述驱动膜层90至少包括由薄膜晶体管阵列构成的多个像素电路，在一些实施例中，所述驱动膜层90还包括多个发光单元，所述发光单元包括但不限于OLED发光单元和Micro-LED发光单元，所述发光单元的阳极与所述像素电路电连接。此外图4和图5中还示出了与所述像素电路电连接的互联走线100，所述互联走线100包括但不限于数据扇出线、栅极扇出线和电源扇出线等。
在本申请的一些实施例中，仍然参考图16，所述绑定结构20可以具体包括第一导电衬垫26、导电粒子23和第二导电衬底24，所述导电粒子23的载体可以包括各向异性导电膜25。所述第一导电衬垫26与衬底上的互联走线100电连接，使得第一导电衬垫26与驱动膜层90的像素电路电连接。所述第一导电衬垫26通过导电粒子25与第二导电衬垫24电连接。所述第二导电衬垫26与芯片或FPC上的功能电路电连接。
S103：在所述台阶区BB背离所述绑定结构20一侧形成保护膜10。参考图17，图17为经过步骤S103后的衬底40及其表面结构的剖面结构示意图。
S104：对所述保护膜10进行处理，以在所述保护膜10中形成减薄区域11，所述减薄区域11在所述衬底40上的正投影与所述绑定结构20在所述衬底40上的正投影至少部分重合。参考图4，图4为经过步骤S104后形成的显示装置沿垂直于衬底40表面方向上的剖面结构示意图。
可选的，如图6所示，所述减薄区域包括镂空区域12，所述镂空区域12贯穿所述保护膜10。在图6还示出了用于粘接所述保护膜10的光学胶层OCA和粘接层80以及绑定结构20的可行具体结构，如前文所述，所述绑定结构20可包括第一导电衬垫26、导电粒子23和第二导电衬底24，所述导电粒子23的载体可以包括各向异性导电膜25。所述第一导电衬垫26与衬底上的互联走线100电连接，使得第一导电衬垫26与驱动膜层90的像素电路电连接。所述第一导电衬垫26通过导电粒子25与第二导电衬垫24电连接。所述第二导电衬垫26与芯片或FPC上的功能电路电连接。
在本实施例中，所述镂空区域可以是减薄区域11的部分区域，也可以是减薄区域11的全部区域，所述镂空区域即完全去除了保护膜10的区域，该区域中由于不存在保护膜10对于光线的吸收，有利于提高感光元件可以接收到的光线量，提高感光元件的成像效果，从而提高AOI检测的准确度。
所述镂空区域的形状可以为孔状(即通孔)，也可以是其他多边形形状(例如三角形、菱形等)，该镂空区域的形状可以根据实际的设计需求或显示装置的种类等因素而定。
在上述实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述对所述保护膜10进行处理包括：
利用二氧化碳激光对所述保护膜10进行激光切割处理，以在所述保护膜10中形成镂空区域。
一般情况下，保护膜10对于二氧化碳激光的吸收率较高，因此可采用二氧化碳激光对所述保护膜10进行激光切割处理，以快速高效地形成所述镂空区域。
在上述实施例的基础上，在本申请的又一个实施例中，如图18所示，图18为所述显示装置的制备方法的流程示意图，所述对所述保护膜10进行处理之后还包括：
S105：利用紫外激光对所述衬底40进行激光切割处理，以形成位于所述衬底40背离所述绑定结构20一侧的凹槽。
所述绑定结构20在所述衬底40上的正投影以及所述镂空区域在所述衬底40上的正投影与所述凹槽至少部分重合。
由于衬底40的主要构成部分为聚酰亚胺膜层，其对紫外激光的吸收率较高，因此采用紫外激光对衬底40进行激光切割可以快速高效地形成所述凹槽。
相应的，本申请实施例还提供了一种电子设备，如图19所示，图19为电子设备A100的结构示意图，所述电子设备A100包括如上述任一实施例所述的显示装置。
综上所述，本申请实施例提供了一种显示装置及其制备方法、电子设备，其中，所述显示装置的保护膜包括减薄区域，且所述减薄区域在所述衬底上的正投影与绑定结构在所述衬底上的正投影至少部分重合，这样在AOI检测绑定结构的绑定效果的过程中，减少了减薄区域的保护膜对光线的吸收，提高了进入感光元件中的光线量，从而提高了感光元件获取的图像清晰度，满足了AOI检测的成像要求，满足了对绑定结构的绑定效果的精确检测要求。
本说明书中各实施例中记载的特征可以相互替换或者组合，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (17)
1.一种显示装置，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底包括台阶区；
位于所述台阶区一侧的绑定结构；
位于所述台阶区背离所述绑定结构一侧的保护膜，所述保护膜包括减薄区域，所述减薄区域在所述衬底上的正投影与所述绑定结构在所述衬底上的正投影至少部分重合。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述减薄区域包括镂空区域，所述镂空区域贯穿所述保护膜。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述衬底还包括凹槽；所述凹槽位于所述衬底背离所述绑定结构一侧；
所述绑定结构在所述衬底上的正投影以及所述镂空区域在所述衬底上的正投影与所述凹槽至少部分重合。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述衬底包括：
依次层叠设置的第一柔性膜、缓冲层和第二柔性膜；所述缓冲层包括无机膜层；
所述第二柔性膜靠近所述绑定结构设置；
所述凹槽贯穿所述第一柔性膜或深入部分所述第一柔性膜。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述镂空区域在所述衬底上的正投影覆盖所述凹槽。
6.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述凹槽深入部分所述第一柔性膜，且所述第一柔性膜包括朝向所述保护膜一侧的第二弧面，所述第二弧面凸向所述缓冲层。
7.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述第一柔性膜和第二柔性膜均为聚酰亚胺膜层。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括：
位于所述减薄区域中的透镜结构，所述透镜结构包括平凹透镜；
所述平凹透镜包括凸向所述衬底的第一弧面。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述绑定结构包括第一绑定结构和第二绑定结构；
所述第一绑定结构包括位于所述衬底上的第一导电膜；
所述第二绑定结构包括位于所述衬底台阶区背离所述绑定结构一侧表面的第二导电膜，所述第一导电膜和第二导电膜均包括导电粒子，且所述第一导电膜和所述第二导电膜同层设置；
所述台阶区还包括互联走线；
所述第一绑定结构和所述第二绑定结构通过所述第一导电膜的导电粒子、第二导电膜的导电粒子和所述互联走线电连接。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述第一绑定结构还包括位于所述第一导电膜背离所述衬底一侧的芯片；
所述第二绑定结构还包括：位于所述第二导电膜背离所述衬底一侧的柔性电路板。
11.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述减薄区域的数量为两个，所述芯片绑定结构在所述衬底上的正投影与一个所述减薄区域在所述衬底上的正投影至少部分重合，所述柔性电路板绑定结构在所述衬底上的正投影与另一个所述减薄区域在所述衬底上的正投影至少部分重合。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括：功能电路；
所述绑定结构包括：位于所述衬底上依次层叠设置的至少一个第一导电衬垫、多个导电粒子和至少一个第二导电衬垫；
所述台阶区还包括互联走线，所述互联走线与所述第一导电衬垫电连接，所述第一导电衬垫通过所述导电粒子与所述第二导电衬垫电连接；
所述第二导电衬垫与所述功能电路电连接。
13.一种显示装置的制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底包括台阶区；
在所述台阶区的一侧形成绑定结构；
在所述台阶区背离所述绑定结构一侧形成保护膜；
对所述保护膜进行处理，以在所述保护膜中形成减薄区域，所述减薄区域在所述衬底上的正投影与所述绑定结构在所述衬底上的正投影至少部分重合。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述减薄区域包括镂空区域，所述镂空区域贯穿所述保护膜。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述对所述保护膜进行处理包括：
利用二氧化碳激光对所述保护膜进行激光切割处理，以在所述保护膜中形成镂空区域。
16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述对所述保护膜进行处理之后还包括：
利用紫外激光对所述衬底进行激光切割处理，以形成位于所述衬底背离所述绑定结构一侧的凹槽；
所述绑定结构在所述衬底上的正投影以及所述镂空区域在所述衬底上的正投影与所述凹槽至少部分重合。
17.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1-12任一项所述的显示装置。
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