CN112054706A - 半导体功率模块及其电流检测方法、制造方法与汽车 - Google Patents

半导体功率模块及其电流检测方法、制造方法与汽车 Download PDF

Info

Publication number
CN112054706A
CN112054706A CN202010718682.5A CN202010718682A CN112054706A CN 112054706 A CN112054706 A CN 112054706A CN 202010718682 A CN202010718682 A CN 202010718682A CN 112054706 A CN112054706 A CN 112054706A
Authority
CN
China
Prior art keywords
current
detection
detection point
semiconductor chip
power module
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010718682.5A
Other languages
English (en)
Inventor
许延坤
赵阳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Huawei Digital Power Technologies Co Ltd
Original Assignee
Huawei Technologies Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Huawei Technologies Co Ltd filed Critical Huawei Technologies Co Ltd
Priority to CN202010718682.5A priority Critical patent/CN112054706A/zh
Publication of CN112054706A publication Critical patent/CN112054706A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
    • H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
    • H02M7/48—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M7/53—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M7/537—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters
    • H02M7/5387—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters in a bridge configuration
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
    • G01R19/0092—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof measuring current only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/071—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next and on each other, i.e. mixed assemblies
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/08—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
    • H02M1/088—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters for the simultaneous control of series or parallel connected semiconductor devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)

Abstract

本申请一实施例提供一种结构简单、检测效率与准确度较高的对针对输入或输出电流进行检测的半导体功率模块。半导体功率模块包括半导体芯片、基板和功率端子，半导体芯片电连接于基板上的敷铜层，并通过敷铜层电连接于功率端子，在半导体芯片与功率端子之间由敷铜层形成的电流通路上设置第一检测点与第二检测点，第一检测点与第二检测点间隔预设距离，第一检测点与第二检测点用于检测通过电流通路在半导体芯片与功率端子之间流通的第一电流。本申请一实施例还提供半导体功率模块的电流检测方法、半导体功率模块的制造方法以及包括前述半导体功率模块的汽车。

Description

半导体功率模块及其电流检测方法、制造方法与汽车
技术领域
本申请涉及电压转换驱动领域，尤其涉及一种半导体功率模块、半导体功率模块电流检测方法、制造方法与汽车。
背景技术
大功率的电力电子设备内动力驱动部分，通常采用电压变化驱动电路通过功率模块进行直流-交流以及交流-直流的转换，来针对动力模组进行驱动，例如采用逆变器将直流电源转换为交流电源来驱动电机旋转，以使得电子设备执行相应的动作。
电力电子设备中内部或者负载上发生故障，例如短路故障时，会导致流过功率模块内的半导体芯片上的电流短时间内急剧增大，由于半导体芯片导通时具有内阻，流过电流时其会产生功率损耗并发热，电流越大损耗越大，半导体芯片发热越严重；短路大电流发生时半导体芯片上的热效应会短时间内急剧积累，当超过半导体芯片的热耐受极限时，半导体芯片就会烧毁，发生不可逆转的损伤而永久损坏，导致电力电子设备失效。
基于此，需要针对功率模块的过流或短路进行保护，即是当电力电子设备处于工作状态时，功率模块运行过程中需要对其电流进行检测，以方便在过流发生时及时作出处理，以便于在损害发生前安全关断模块，防止对功率模块造成永久损伤以及其他损害。
目前，通常采用针对功率模块输入或者输出电流的检测为在半导体芯片内部设置电流检测元件，显然，当电流检测元件的设置势必导致半导体芯片体积增大，且当电流检测元件容易受到半导体芯片内部温度的影响，导致半导体芯片输入或者输出电流的检测效率与准确度较低。
发明内容
为解决前述技术问题，本申请实施例提供一种结构简单、检测效率与准确度较高的针对自身输入、输出电流进行检测的半导体功率模块、针对半导体功率模块输入、输出电流进行检测的方法，以及包括前述半导体功率模块的汽车。
第一方面，本申请一种实现方式中提供一种半导体功率模块，所述半导体功率模块包括半导体芯片、基板和功率端子。所述半导体芯片电连接于所述基板上的敷铜层，并通过所述敷铜层电连接于所述功率端子。在所述半导体芯片与所述功率端子之间由敷铜层形成的电流通路上设置第一检测点与第二检测点，所述第一检测点与所述第二检测点间隔预设距离，所述第一检测点与所述第二检测点用于检测通过所述电流通路在所述半导体芯片与所述功率端子之间流通的第一电流。
本实施例中，通过在半导体芯片之外的在敷铜层中形成的电流通路上间隔预设距离设置第一检测点与第二检测点，来检测半导体芯片输入或者输出的电流，即利用敷铜层本身的寄生电阻来检测半导体芯片输入或者输出的电流。无需在基板上或者半导体芯片内部设置专门的检测元器件，有效降低了电流检测复杂度，同时有效提高了检测效率。
本实施例中，所述敷铜层包括元件设置区与电流传输区，所述电流传输区包括至少一个所述功率端子以及至少一条导电走线，所述半导体芯片设置于元件设置区，所述半导体芯片通过所述导电走线连接于所述功率端子，所述导电走线用于传输所述半导体芯片输入或者输出的电流。所述第一检测点与所述第二检测点间隔预设距离设置于在所述导电走线上间隔预设距离。
本实施例中，所述导电走线在所述第一检测点与所述第二检测点之间具有预设阻值的寄生电阻。其中，所述寄生电阻使得所述第一检测点与所述第二检测点之间产生第一电压降，依据电流、电阻以及电压的关系，由于寄生电阻的阻值为预先标定，即寄生电阻的阻值为预先已知的，因此，可通过检测半导体芯片输入或者输出的第一电流准确、快速地确定所述第一电压降。
本实施例中所述半导体功率模块包括由多个所述半导体芯片构成的逆变转换开关电路，所述逆变转换开关电路连接于直流输入端与交流输出端之间，用于将所述直流输入端提供的直流电源转换为交流电源并自所述交流输出端输出。通过测定半导体芯片中输入或者输出的电流，即可控制逆变转换开关电路安全的将直流电源转换为交流电源并提供至负载。
本实施例中所述第一检测点上设置有第一柱状检测端，所述第二检测点上设置有第二柱状检测端，所述第一柱状检测端、所述第二柱状检测端与所述敷铜层一体成型。第一柱状检测端与第二柱状检测端的材料可以选择铜，并且两个柱状检测端与敷铜层一体成型，便于大批量生产，并且可以较精确的保证两个检测点之间的距离，提高了电流检测的准确性。
第二方面，本申请一种实现方式中提供一种半导体功率模块电流检测方法，包括：检测所述第一检测点与所述第二检测点之间的第一电压降；以及依据所述第一电压降确定所述第一电流。当半导体功率模块工作且半导体芯片流过电流时，依据电流、电阻以及电压之间的关系，通过检测半导体芯片输入或者输出的第一电流即可准确、快速的确定所述第一电压降。
所述依据所述第一电压降确定所述第一电流包括：根据第一寄生电阻值和所述第一电压降确定所述第一电流，所述第一寄生电阻值为所述导电走线在所述第一检测点与所述第二检测点之间，且预先标定的与当前温度相对应的所述第一检测点与所述第二检测点之间的寄生电阻值。依据半导体功率模块所处环境的温度确定第一检测点与第二检测点之间寄生电阻所具有的第一寄生电阻值，即可准确快速地获知半导体芯片输入后者输出的电流。
当所述第一电流超过第一阈值时，控制所述半导体芯片停止工作。通过将第一电流与对应当前温度的参考电流可确定第一电流是否超过第一阈值，若第一电流超过第一阈值，表征半导体芯片有被损坏的风险，控制半导体芯片停止工作，以有效避免半导体芯片被损坏，也可以保证半导体芯片以及的半导体功率模块的安全性。
第三方面，本申请一种实现方式中提供一种半导体功率模块电流检测方法，所述方法包括：在所述基板表面设置所述敷铜层，所述敷铜层包括元件设置区与电流传输区，所述电流传输区包括功率端子以及导电走线；在所述元件设置区上设置所述半导体芯片，所述导电走线连接所述功率端子和所述半导体芯片；以及在所述导电走线上间隔预设距离设置第一检测点与第二检测点。在半导体芯片之外的敷铜层中形成的电流通路上间隔预设距离的设置第一检测点与第二检测点，无需在基板上或者半导体芯片内部设置专门的检测元器件，即可实现流经所述半导体芯片的电流的检测，有效降低了电流检测电路制作的复杂度。
进一步地，通过一体成型的方式在所述第一检测点上设置第一柱状检测端，以及在所述第二检测点上设置第二柱状检测端，其中，第一柱状检测端、第二柱状检测端与敷铜层一体成型后显露于基板的表面，以便于通过第一柱状检测端与第二柱状检测端直接检测出半导体芯片输入或者输出的第一电流。
第四方面，本申请一种实现方式中提供一种包括前述半导体功率模块的汽车，所述汽车包括前述半导体功率模块，使得汽车在运行过程中的安全性较高。
附图说明
图1为本申请第一实施例提供的半导体功率模块的电路结构示意图；
图2为本申请第二实施例提供的半导体功率模块的电路结构示意图；
图3为如图1所示半导体功率模块中多个开关元件的布局结构示意图；
图4为如图3所示半导体功率模块沿着II-II线的剖面结构示意图；
图5为本申请第三实施例提供的使用半导体功率模块进行电流检测的方法流程图；
图6为本申请第四实施例提供的半导体功率模块的电路结构示意图；
图7为如图6所示半导体功率模块中多个半导体芯片的布局结构示意图；
图8为如图7所示半导体功率模块沿着IV-IV线的剖面结构示意图；
图9为本申请第五实施例提供的半导体功率模块制造方法的流程图。
具体实施方式
下面以具体的实施例对本申请进行说明。
请参阅图1，图1为本申请第一实施例中半导体功率模块的电路结构示意图。
半导体功率模块1包括逆变器电路10、负载100以及直流电源200，其中，逆变器电路10电性连接于直流电源200与负载100，用于将接收到的直流电源转换为三相交流电源，并且将转换获得的三相交流电源提供至负载100，以驱动负载100工作。
本实施例中，半导体功率模块1应用于汽车中驱动电机的电压转换驱动电路中，即负载100可以为电机，所述电机可以为应用于汽车中的动能电机。
直流电源200包括两个输出端：第一输出端201与第二输出端202，第一输出端201与第二输出端202为直流输出端，二者相互配合输出直流电源。本实施例中，第一输出端201作为正极输出端，第二输出端202作为负极输出端。
逆变器电路10包括第一直流输入I1、第二直流输入端I2以及三相交流输出端O。
其中，三相交流输出端O包括第一相输出端O1、第二相输出端O2以及第三相输出端O3，第一相输出端O1、第二相输出端O2以及第三相输出端O3可以分别输出三相电源中的U相、V相、W相三相交流电源。
第一直流输入I1、第二直流输入端I2分别对应连接于第一输出端201与第二输出端202，以用于接收直流电源。三相交流输出端O连接于负载100，用于输出三相交流电源至负载100。
本实施例中，逆变器电路10包括由多个开关元件构成的逆变转换开关电路SW与驱动电路104，逆变转换开关电路SW连接第一直流输入I1、第二直流输入端I2构成的直流输入端(未标示)、三相交流输出端O以及驱动电路104。逆变转换开关电路SW在驱动电路104输出的控制信号控制下，将第一直流输入I1、第二直流输入端I2输入的直流电源转换为交流电源，并且通过三相交流输出端O输出至负载100。
具体地，该多个开关元件具体为开关元件10a、开关元件10b、开关元件10c、开关元件10d、开关元件10e、开关元件10f。开关元件10a、10b、10c分别是前级的U相交流电源、V相交流电源、W相交流电源的元件，开关元件10d、10e、10f分别是后级的U相交流电源、V相交流电源、W相交流电源的元件。
具体地说，开关元件10a与开关元件10d构成第一转换桥臂101，串联于第一输出端201与第二输出端202之间，开关元件10a与开关元件10d配合以输出其中一相交流电源，例如配合输出U相交流电源。
开关元件10b与开关元件10e构成第二转换桥臂102，串联于第一输出端201与第二输出端202之间，开关元件10b与开关元件10e配合以输出其中一相交流电源，例如配合输出V相交流电源。
开关元件10c与开关元件10f构成第三转换桥臂103，串联于第一输出端201与第二输出端202之间，开关元件10a与开关元件10d配合以输出其中一相交流电源，例如配合输出W相交流电源。
开关元件10a、开关元件10b、开关元件10c、开关元件10d、开关元件10e、开关元件10f构成三相逆变通路，由此，逆变器电路10能够准确将直流电源转换为三相交流电源。
更为具体地，开关元件10a、开关元件10b、开关元件10c、开关元件10d、开关元件10e、开关元件10f均为绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)。在本申请其他实施例中，开关元件10a、开关元件10b、开关元件10c、开关元件10d、开关元件10e、开关元件10f还可以为碳化硅材料的金属-氧化物半导体场效应晶体管(SiCMetal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET，SiC MOSFET)。可变更地，开关元件10a、开关元件10b、开关元件10c、开关元件10d、开关元件10e、开关元件10f也可以为依据实际需求采用其他类型晶体管，并不以前述举例的晶体管类型为限。
本实施例中，当开关元件10a、开关元件10b、开关元件10c、开关元件10d、开关元件10e、开关元件10f均为IGBT时，开关元件10a、开关元件10b、开关元件10c、开关元件10d、开关元件10e、开关元件10f的栅极(Gate)G均接收控制信号，开关元件10a、开关元件10b、开关元件10c的集电极(Collector)C连接于第一输出端201，开关元件10a、开关元件10b、开关元件10c的发射极(Emitter)E分别连接于开关元件10d、开关元件10e、开关元件10f的集电极C，开关元件10d、开关元件10e、开关元件10f的发射极E均连接于第二输出端202。
其中，开关元件10a的发射极E与开关元件10d的集电极C之间的节点作为U相交流电源中的第一相输出端O1，或者说，开关元件10a的发射极E与开关元件10d的集电极C连接于第一相输出端O1。
开关元件10b的发射极E与开关元件10e的集电极C之间的节点作为V相交流电源中的第二相输出端O2，或者说，开关元件10b的发射极E与开关元件10e的集电极C连接于第二相输出端O2。
开关元件10c的发射极E与开关元件10f的漏极D之间的节点作为W相交流电源中的第三相输出端O3，或者说，开关元件10c的发射极E与开关元件10f的集电极C连接于第三相输出端O3。
请参阅图2，其为本申请第二实施例中半导体功率模块的电路结构示意图。如图2所示，逆变转换开关电路SW与图1所示的逆变转换开关电路SW电路结构与工作原理相同，区别仅在于开关元件的类型不同。
具体地，开关元件10a、开关元件10b、开关元件10c、开关元件10d、开关元件10e、开关元件10f均为MOSFET。其中，开关元件10a、开关元件10b、开关元件10c、开关元件10d、开关元件10e、开关元件10f的栅极(Gate)G均接收控制信号，开关元件10a、开关元件10b、开关元件10c的漏极(Drain)D连接于第一输出端201，开关元件10a、开关元件10b、开关元件10c的源极(Source)S分别连接于开关元件10d、开关元件10e、开关元件10f的漏极D，开关元件10d、开关元件10e、开关元件10f的源极S均连接于第二输出端202。
其中，开关元件10a的源极S与开关元件10d的漏极D之间的节点作为U相交流电源中的第一相输出端O1，或者说，开关元件10a的源极S与开关元件10d的漏极D连接于第一相输出端O1。
开关元件10b的源极S与开关元件10e的漏极D之间的节点作为V相交流电源中的第二相输出端O2，或者说，开关元件10b的源极S与开关元件10e的漏极D连接于第二相输出端O2。
开关元件10c的源极S与开关元件10f的漏极D之间的节点作为W相交流电源中的第三相输出端O3，或者说，开关元件10c的源极S与开关元件10f的漏极D连接于第三相输出端O3。
如图1-图2所示，驱动电路104连接于逆变转换开关电路SW中的开关元件10a、开关元件10b、开关元件10c、开关元件10d、开关元件10e、开关元件10f的栅极G。驱动电路104用于对应输出控制信号，该控制信号用于控制该多个开关元件按照预设的时序导通或者截止，从而使得第一转换桥臂101、第二转换桥臂102以及第三转换桥臂103对应将直流电源转换为频率与幅度相同、相位相差120°的三相交流电源，并且自三相交流输出端O中的第一相输出端O1、第二相输出端O2以及第三相输出端O3将该三相交流电源输出至负载100，即是实现将直流电源转换为交流电源输出。
前述实施例中，开关元件10a、开关元件10b、开关元件10c、开关元件10d、开关元件10e、开关元件10f中，其栅极G均作为控制端，集电极C或者漏极D作为电流输入端，发射极E或者源极S作为电流输出端。
开关元件10a、开关元件10b、开关元件10c、开关元件10d、开关元件10e、开关元件10f的栅极G接收到驱动电路104输出的控制信号后，前述开关元件处于导通状态或者截止状态。当开关元件处于导通状态时，作为电流输入端发射极E或者源极S与作为电流输出端的发射极E或者源极S电性导通，使得电流自电流输入端传输至电流输出端；当开关元件处于截止状态时，作为电流输入端发射极E或者源极S与作为电流输出端的发射极E或者源极S电性断开，电流输入端与电流输出端无电流通过。
本实施例中，控制信号可以为高电平控制开关元件处于导通状态，低电平控制开关元件处于截止状态，或者，控制信号可以为高电平控制开关元件处于截止状态，低电平控制开关元件处于导通状态。
举例而言，开关元件10a、开关元件10b、开关元件10c、开关元件10d、开关元件10e、开关元件10f为N型的IGBT或者MOSFET，控制信号则为高电平控制开关元件处于导通状态，低电平控制开关元件处于截止状态。开关元件10a、开关元件10b、开关元件10c、开关元件10d、开关元件10e、开关元件10f为P型的IGBT或者MOSFET，控制信号则为高电平控制开关元件处于截止状态，低电平控制开关元件处于导通状态。
本实施例中，图1与图2所示的开关元件10a、开关元件10b、开关元件10c、开关元件10d、开关元件10e、开关元件10f和驱动电路104分别独立封装制作的一个半导体芯片DIE。
以U相交流电源为例，具体说明逆变器电路10将直流电源转换为三相交流电源的工作过程为：
在U相交流电源对应的第一转换桥臂101中开关元件10a导通，V相交流电源和W相交流电源对应的第二转换桥臂102、第三转换桥臂103中的开关元件10b、10c截止。第二转换桥臂102中的开关元件10e与第三转换桥臂103中的开关元件10f导通，U相交流电源对应的第一转换桥臂101中的开关元件10d截止的状态下，如图1的虚线所示，电流从第一转换桥臂101开关元件10a、第一相输出端O1传输到负载100，进而经由负载100、第二相输出端O2和开关元件10e、第三相输出端O3和开关元件10f传输至第二输出端202。
同理，逆变器电路10自第二转换桥臂102、第三转换桥臂103输出对应输出V相交流电源与W相交流电源的过程与输出前述U相交流电源的过程与原理相同，本实施例不再赘述。
半导体功率模块1还包括用于检测流过开关元件的电流(主电路电流)的两个间隔预设距离的检测点，为便于说明，该两个检测点定义为第一检测点111与第二检测点112。其中，第一检测点111与第二检测点112可以设置于每个开关元件电流输入的位置，也可以设置于每个开关元件电流输出的位置。通过第一检测点111与第二检测点112之间导电走线本身的寄生电阻与开关元件输入/输出的电流产生的电压，来识别开关元件输入/输出的电流。
具体地，本实施例中，对于开关元件10a而言，第一检测点111与第二检测点112设置于发射极E与第一相输出端O1之间。同理，对于开关元件10b而言，第一检测点111与第二检测点112设置于发射极E与第二相输出端O2之间，对于开关元件10c而言，第一检测点111与第二检测点112设置于发射极E与第三相输出端O3之间。
对于开关元件10d、开关元件10e与开关元件10f而言，第一检测点111与第二检测点112设置于发射极E与第二直流输入端I2之间，对于开关元件10c而言，第一检测点111与第二检测点112设置于发射极E与第二直流输入端I2之间。
需要说明的是，第一检测点111与第二检测点112连接于检测电路(图未示)，检测电路通过检测第一检测点111与第二检测点112之间寄生电阻产生的电压来准确识别开关元件输入/输出的电流。
具体地，请参阅图3，其为如图1所示半导体功率模块1中多个开关元件的布局结构示意图。本实施例中，以开关元件10a作为为例具体说明检测点的设置位置与连接方式。
开关元件10a以半导体芯片DIE的形式进行封装，其中，开关元件10a可以为设置于一个晶圆上的半导体开关，也可以为设置一个晶圆上的多个相互并联的半导体开关元件。
其中，开关元件10a的集电极C通过基板11的表面设置的导电走线连接于第一输出端201，开关元件10a的发射极E通过基板11的表面设置的导电走线连接于第一相输出端O1，开关元件10a的栅极G通过走线连接于驱动电路104，以接收控制信号。
本实施例中，第一输出端201与第二输出端202以及三相交流输出端O中第一相输出端O1、第二相输出端O2以及第三相输出端O3，均设置于半导体功率模块1的边缘区域，作为设置于开关元件10a、开关元件10b、开关元件10c、开关元件10d、开关元件10e以及开关元件10f之外，并且用于输入或者输出电流的功率端子。
本实施例中，流过开关元件10a的电流，自集电极C输入然后自发射极E输出，也即是直流电源200提供的直流电源自第一输出端201传输至开关元件10a的集电极C输入，然后自开关元件10a的发射极E输出至负载100。当将第一检测点111与第二检测点112设置于发射极E与第一相输出端O1之间的走线时，即可准确测试开关元件10a输入或者输出的电流。本实施例中，对应每一个开关元件，基板11均设置有两个检测输出导电端，用于输出检测到的流过每个开关元件的电流。
其中，对应开关元件10a，基板11中的第一检测点111与第二检测点112直接连接至检测电路，对于开关元件10b、开关元件10c、开关元件10d、开关元件10e以及开关元件10f设置的第一检测点111与第二检测点112，也直接连接于检测电路，检测电路即可准确地获得每个开关元件输入或者输出的电流。
集电极C通过导电的第四走线L4连接于第一输出端201，发射极E通过第五走线L5连接于第一相输出端O1，第一检测点111与第二检测点112则间隔预设距离H设置于第五走线L5上。
本实施例中，第一检测输出导电端T1通过导电的第一检测线Lt1连接至第一检测点111；第二检测输出导电端T2通过导电的第二检测线Lt2连接至第二检测点112。其中，第一检测线Lt1与第二检测线Lt2中的阻抗较小，因此，第一检测输出导电端T1的电压与第一检测点111的电压相同，第二检测输出导电端T2的电压与第二检测点112的电压相同。
本实施例中，请一并参阅图3与图4，图4为如图3所示半导体芯片DIE沿着II-II线的剖面结构示意图。具体地，如图3与图4所示，第一检测点111与第二检测点112设置于第五走线L5上间隔预设距离H的位置处，其中，由于第五走线L5为导电走线，本身具有一定寄生电阻，对于间隔预设距离的两个检测点之间则具有预先标定的第一寄生电阻值R。第一寄生电阻值R能够在两个检测点之间产生第一电压降，第一电流I1为第一电压降与所述第一寄生电阻值R的比值。
具体地，当半导体芯片DIE自第五走线L5输出第一电流I1时，第一检测点111与第二检测点112之间的第五走线L5则能够分取相应的第一电压降，即获得检测电压V，其中，检测电压V＝I1*R，由于第一寄生电阻值RR为预先通过检测手段标定的电阻值，由此，通过分析检测电压V，即可获知半导体芯片DIE流过的电流It。本实施例中，半导体芯片DIE通过第五走线L5或者第四走线L4传输的第一电流I1为半导体芯片DIE流过的电流It。
进一步，请参阅图4，其为如图3所示半导体功率模块2沿着II-II线的剖面结构示意图。如图3所示，半导体芯片DIE、连接层13、敷铜层12以及基板11依次层叠设置，基板111包括相对的第一表面11a与第二表面11b。敷铜层12设置于基板111的第一表面11a。
基板11表面的敷铜层12包括元件设置区12a与电流传输区12b，其中，半导体芯片DIE设置于元件设置区12a，并且依次通过该区域内的敷铜层12、电流传输区12b与多个导电端电性连接，使得半导体芯片DIE通过敷铜层12、导电端与直流电源200以及负载100传输电流。
具体地，在电流传输区12b，敷铜层12被图案化蚀刻，从而形成如图2所示的第四走线L4～第五走线L5。
第四走线L4～第五走线L5通过连接层13，将半导体芯片DIE分别与第一输出端201以及第一相输出端O1。
本实施例中，敷铜层12以及基板11可以为覆铜陶瓷基板(DBC(Direct BondingCopper)。第四走线L4～第五走线L5为针对敷铜层12通过蚀刻试剂利用图案化的光罩进行蚀刻形成。连接层13为焊接层，用于将半导体芯片DIE固定连接于基板11的敷铜层12上，同时，还使得半导体芯片DIE中的发射极E、集电极C、栅极G分别与基板11的多个导电端分别对应电性连接。其中，本实施例所述的电性连接为通过导电线路连接且能够实现电流与电压的传输。本实施例中，连接层13的材料可以为焊锡，在本申请其他实施例中，连接层13也可以采用其他具有固定以及导电特性的材料。
本实施例中，第一检测点111上设置有第一柱状检测端111a，第二检测点112上设置有第二柱状检测端112a。第一柱状检测端111a与第二柱状检测端112a中的敷铜层12一体成型，并且显露于基板11的表面，以便于通过第一柱状检测端111a与第二柱状检测端112a直接检测出半导体芯片DIE输入或者输出的第一电流I1。
其中，第一检测输出导电端T1通过第一检测线Lt1连接于第一柱状检测端111a，第二检测输出导电端T2通过第二检测线Lt2连接于第二柱状检测端112a。第一检测线Lt1与第二检测线Lt2中的阻抗较小，因此，第一检测输出导电端T1的电压与第一柱状检测端111a的电压相同，第二检测输出导电端T2的电压与第二柱状检测端112a的电压相同。
其中，第一检测线Lt1与第二检测线Lt2可以与第四走线L4与第五走线L5采用相同的制程设置于敷铜层12，第一检测线Lt1与第二检测线Lt2也可以在基板的敷铜层12之外单独设置，即第一检测线Lt1与第二检测线Lt2并不与第四走线L4与第五走线L5同步设置于敷铜层12内，而是在敷铜层12之外另外设置的导电走线来连接于两个柱状检测端与检测输出导电端之间。
本实施例中，由于第一柱状检测端111a与第二柱状检测端112a中的敷铜层12一体成型，其中，第一柱状检测端111a与第二柱状检测端112a的材料为铜材料。第一柱状检测端111a与第一检测点111的电压相同，第二柱状检测端112a上的电压与第二检测点112的电压相同，防止检测端与导电走线存在其他电阻，保证电流检测的准确性。另外，两个柱状检测端与敷铜层12一体成型，能够有效保证大批量生产时精确控制两个检测点的位置和二者之间的距离，即是保证用于与第一电流I1配合产生第一电压降的通流路径的长度一致。
现结合图1、图4以及图5，具体说明针对半导功率模块1中逆变器电路10中流过每个开关元件的电流It的检测方法的步骤进行具体说明，其中，图5为本申请第三实施例提供的使用半导体功率模块进行电流检测的方法流程图，其中，半导体功率模块可以为图1或者图2所示的半导体功率模块1。本实施例中，以针对图1所示半导体功率模块1中作为开关元件10a的半导体芯片DIE中流过的第一电流I1进行电流检测为例，说明半导体功率模块电流检测方法。
以逆变器电路10将直流电源转换为U相交流电源、开关元件10a为例具体进行说明。
如图4与图5所示，步骤S101，检测第一检测点111与第二检测点112之间的第一电压降。
即通过检测电路连接设置于第五走线L5上第一柱状检测端111a与第二柱状检测端112a，获取第一柱状检测端111a与第二柱状检测端112a之间的电压差，从而获得第一检测点111与第二检测点112之间的第一电压降。
具体地，直流电源200提供的电流It经第一输出端201、第一转换桥臂101开关元件10a、第五走线L5上的第一检测点111与第二检测点112、第一相输出端O1传输至负载100，进而从负载100、第二相输出端O2传输至第一转换桥臂101的开关元件10e，以及从负载100、第三相输出端O3流到第三转换桥臂103的开关元件10f。
第一检测点111与第二检测点112之间的第五走线L5的寄生电阻(第一寄生电阻值R)则能够分取相应的检测电压V，由此对应第一检测点111与第二检测点112的第一柱状检测端111a与第二柱状检测端112a的电压差即可确定第一检测点111与第二检测点112之间的第一电压降。
如图4与图5所示，步骤S102，依据第一电压降确定所述第一电流。
根据第一寄生电阻值R和第一电压降来确定第一电流I1，其中，第一寄生电阻值R为预先标定的与当前温度相对应的第一检测点与所述第二检测点之间的寄生电阻所具有的电阻值。
其中，可以通过预先在不同温度下检测标定出第一检测点111与第二检测点112之间第一寄生电阻值R。举例而言，在-20℃时，检测标定出第一检测点111与第二检测点112之间第一寄生电阻值R1；在0℃时，检测标定出第一检测点111与第二检测点112之间第一寄生电阻值R2；在10℃时，检测标定出第一检测点111与第二检测点112之间第一寄生电阻值R3；在30℃时，检测标定出第一检测点111与第二检测点112之间第一寄生电阻值R4；在60℃时，检测标定出第一检测点111与第二检测点112之间第一寄生电阻值R5等。
具体地，依据电流、电阻以及电压三者的关系，对应第一电压降的检测电压V＝I1*R，那么第一电流I1则为I1＝V/R。其中，第一寄生电阻值R为预先检测标定的已知的电阻值，依据半导体功率模块1所处环境的温度确定第一检测点111与第二检测点112之间的第一寄生电阻值R，即可获知半导体芯片DIE输入后者输出的电流It。
检测电路通过将第一电流I1与对应当前温度的参考电流可确定第一电流I1是否超过第一阈值Ith，若第一电流I1超过第一阈值，表征半导体芯片DIE有被损坏的风险，可输出相应的检测信号至驱动电路104，使得驱动电路104控制半导体芯片DIE停止工作，以有效避免半导体芯片DIE被损坏，保证半导体芯片DIE以及的半导体功率模块1的安全性。
可见，本实施例中，通过在第五走线L5上间隔预设距离设置第一检测点111与第二检测点112来检测电流It，即利用第五走线L5上本身的寄生电阻即可准确检测到半导体芯片DIE的电流It，完全无需在基板11或者半导体芯片DIE内部设置任何检测线路或者检测元器件，例如完全不需要设置分流电阻、检测开关、检测走线等元器件来辅助进行电流检测，有效降低了电流检测复杂度。
并且半导体芯片DIE所在环境的温度一定时，电流It与检测电压呈线性关系，由此电流It的检测精度较高。
同理，逆变器电路10自第二转换桥臂102、第三转换桥臂103输出对应输出V相交流电源与W相交流电源的过程中，电流It的检测过程相同，本实施例不再赘述。
请参阅图6-图7，图6为本申请第四实施例提供的半导体功率模块2的电路结构示意图，图7为如图6所示半导体功率模块中多个半导体芯片的布局结构示意图。
本实施例中，图6-图7所示半导体芯片DIE的电路结构与图1、图3所示的半导体功率模块的结构以及工作原理相同，区别仅记载于第一检测点211与第二检测点212设置于第四走线L4上。
请参阅图8，其为如图7所示半导体功率模块沿着IV-IV的剖面结构示意图。
如图8所示，半导体芯片DIE、敷铜层12以及基板11依次层叠设置，第一检测点211与第二检测点212设置于第四走线L4上间隔预设距离H的位置处。
结合图5与图6-图8，针对半导体功率模块2中逆变器电路10中流过开关元件10a的电流It的检测方法的步骤进行具体说明。
以逆变器电路10将直流电源转换为U相交流电源以及开关元件10a为例进行说明。
如图5与图6-图8所示，步骤S201，检测第一检测点211与第二检测点212之间的第一电压降。
即通过检测电路连接设置于第四走线L4上第一柱状检测端211a与第二柱状检测端212a，通过第一检测输出导电端T1与第二检测输出导电端T2获取第一柱状检测端211a与第二柱状检测端212a之间的电压差，从而获得第一检测点211与第二检测点212之间的第一电压降。
第一检测输出导电端T1与第二检测输出导电端T2之间的电压，例如可以通过连接电压表或者具有阈值电压的控制开关进行检测。
如图5与图6-图8所示，步骤S202，依据第一电压降确定所述第一电流。
具体地，如图5与图6-图8所示，直流电源200提供的第一电流I1经第一输出端201、第四走线L4上的第一检测点211与第二检测点212、第一转换桥臂101开关元件10a、第一相输出端O1流到负载100，再从负载100、第二相输出端O2传输到第一转换桥臂101的开关元件10e，以及从负载100、第三相输出端O3流到第三转换桥臂103的开关元件10f。
通过检测对应第一检测点211、所述第二检测点212的第一柱状检测端211a与第二柱状检测端212a之间的第一电压降，并通过第一电压降即可确定半导体芯片DIE输入或者输出(流过)的第一电流I1，也即通过第一电压降可准确检测流过所述第一检测点211与所述第二检测点212的半导体芯片DIE输入或者输出的电流It。
进一步，当检测获得的第一电流超过第一阈值时，控制半导体芯片DIE停止工作。
具体地，检测电路通过将第一电流I1与对应当前温度的参考电流可确定第一电流I1是否超过第一阈值Ith，若第一电流I1超过第一阈值，表征半导体芯片DIE有被损坏的风险，可输出相应的检测信号至驱动电路104，使得驱动电路104控制半导体芯片DIE停止工作，以有效避免半导体芯片DIE被损坏，保证半导体芯片DIE以及的半导体功率模块1的安全性。同理，逆变器电路10自第二转换桥臂102、第三转换桥臂103输出对应输出V相交流电源与W相交流电源的过程中，电流It的检测过程与步骤相同，本实施例不再赘述。
可以理解，开关元件10b～开关元件10c中第一检测点211与第二检测点212设置方式、其检测过程、步骤与设置于开关元件10a输入输出电流的检测过程、步骤相同，在此不再赘述。
请参阅图9，其为本申请第五实施例提供的半导体功率模块制造方法流程图，其中，所述半导体功率模块可以为如图1-图4或者图6-图7中所示半导体功率模块的制造方法流程图，本实施例中，以如图1-图4所示半导体功率模块1为例说明其制造方法。
如图4与图9所示，步骤S201，在基板11表面设置敷铜层12，敷铜层12包括元件设置区12a与电流传输区12b，其中，电流传输区12b设置有功率端子以及导电走线L4-L5。
其中，功率端子包括第一输出端201与第二输出端202以及三相交流输出端O中第一相输出端O1、第二相输出端O2以及第三相输出端O3。
敷铜层12可以为通过涂布或者印刷的方式将铜材料设置于基板11的表面。
在元件设置区12a与电流传输区12b的铜材料上执行图案化的蚀刻，形成对应半导体芯片DIE的栅极G、源极S与漏极D的多条导电走线，或者形成对应半导体芯片DIE的栅极G、发射极E与集电极C的多条导电走线。
其中，在电流传输区12b的铜材料上执行图案化的蚀刻形成如图3与图4所示的第四走线L4～第五走线L5。
步骤S203，在元件设置区12a上设置半导体芯片DIE，并且通过导电走线中第四走线L4或者第五走线L5连接半导体芯片DIE和对应的功率端子。
对应元件设置区12a设置连接层13，其中，连接层13覆盖于对应半导体芯片DIE的栅极G、源极S与漏极D的多条导电走线上，或者连接层13形成在对应半导体芯片DIE的栅极G、发射极E与集电极C的多条导电走线上。本实施例中，连接层13的材料为导电的焊接材料，例如焊锡等。
步骤S205，在导电走线上间隔预设距离设置第一检测点111与第二检测点112。
具体地，在电流传输区12b中连接于半导体芯片DIE的导线走线中的第四走线L4或者第五走线L5上，间隔预设距离H的两个位置确定为第一检测点111与第二检测点112。本实施例中，预设距离H的长度与半导体功率模组1的电流检测精度以及安全性级别有关。其中，预设距离H越长，第一检测点111与第二检测点112之间的第一寄生电阻值R越大，检测精度越佳，那么据此针对各个开关元件检测与控制的准确性更佳，对应的半导体功率模组1的安全性越高。
通过一体成型的方式在第一检测点111上设置第一柱状检测端111a，以及在第二检测点112上设置第二柱状检测端112a。本实施例中，第一柱状检测端111a与第二柱状检测端112a与敷铜层12一体成型后，显露于基板11的表面，以便于通过第一柱状检测端111a与第二柱状检测端112a直接检测出半导体芯片DIE输入或者输出的第一电流I1。
本实施例中，步骤203与步骤205的顺序并不分先后，即步骤203中半导体芯片DIE连接于敷铜层12与第一检测点111与第二检测点112在敷铜层12的设置并不分先后。
同理，作为半导体芯片DIE的开关元件10b～开关元件10c中第一检测点111与第二检测点112制作过程与方式、检测过程、步骤与设置于开关元件10a中的两个检测点的方式相同，同时与设置于开关元件10a中的两个检测点针对输入或者输出电流的检测过程、步骤相同，在此不再赘述。
以上所述是本申请的优选实施例，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本申请的保护范围。

Claims (11)

1.一种半导体功率模块，其特征在于，所述半导体功率模块包括半导体芯片、基板和功率端子，所述半导体芯片电连接于所述基板上的敷铜层，并通过所述敷铜层电连接于所述功率端子，在所述半导体芯片与所述功率端子之间由敷铜层形成的电流通路上设置第一检测点与第二检测点，所述第一检测点与所述第二检测点间隔预设距离，所述第一检测点与所述第二检测点用于检测通过所述电流通路在所述半导体芯片与所述功率端子之间流通的第一电流。
2.根据权利要求1所述的半导体功率模块，其特征在于，
所述敷铜层包括元件设置区与电流传输区，所述电流传输区包括至少一个所述功率端子以及至少一条导电走线，所述半导体芯片设置于元件设置区，所述半导体芯片通过所述导电走线连接于所述功率端子，所述导电走线用于传输所述半导体芯片输入或者输出的电流；
所述第一检测点与所述第二检测点在所述导电走线上间隔预设距离。
3.根据权利要求2所述的半导体功率模块，其特征在于，
所述导电走线在所述第一检测点与所述第二检测点之间具有预设阻值的寄生电阻。
4.根据权利要求3所述的半导体功率模块，其特征在于，所述半导体功率模块包括由所述半导体芯片构成的逆变转换开关电路，所述逆变转换开关电路连接于直流输入端与交流输出端之间，用于将所述直流输入端提供的直流电转换为交流电并自所述交流输出端输出。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的半导体功率模块，其特征在于，
所述第一检测点上设置有第一柱状检测端，所述第二检测点上设置有第二柱状检测端，所述第一柱状检测端、所述第二柱状检测端与所述敷铜层一体成型。
6.一种使用如权利要求1-5任意一项所述的半导体功率模块的电流检测方法，其特征在于，所述方法包括：
检测所述第一检测点与所述第二检测点之间的第一电压降；
依据所述第一电压降确定所述第一电流。
7.根据权利要求6所述的电流检测方法，其特征在于，所述依据所述第一电压降确定所述第一电流包括：
根据第一寄生电阻值和所述第一电压降确定所述第一电流，所述第一寄生电阻值为所述导电走线在所述第一检测点与所述第二检测点之间，且预先标定的与当前温度相对应的寄生电阻值。
8.根据权利要求6所述的电流检测方法，其特征在于，当所述第一电流超过第一阈值时，控制所述半导体芯片停止工作。
9.一种如权利要求1-5任一项所述的半导体功率模块的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
在所述基板表面设置所述敷铜层，所述敷铜层包括元件设置区与电流传输区，所述电流传输区包括功率端子以及导电走线；
在所述元件设置区上设置所述半导体芯片，所述导电走线连接所述功率端子和所述半导体芯片；
在所述导电走线上间隔预设距离设置第一检测点与第二检测点。
10.根据权利要求9所述的半导体功率模块的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：
通过一体成型的方式在所述第一检测点上设置第一柱状检测端，以及在所述第二检测点上设置第二柱状检测端。
11.一种汽车，其特征在于，所述汽车包括如权利要求1-5任意一项所述的半导体功率模块。
CN202010718682.5A 2020-07-23 2020-07-23 半导体功率模块及其电流检测方法、制造方法与汽车 Pending CN112054706A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010718682.5A CN112054706A (zh) 2020-07-23 2020-07-23 半导体功率模块及其电流检测方法、制造方法与汽车

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010718682.5A CN112054706A (zh) 2020-07-23 2020-07-23 半导体功率模块及其电流检测方法、制造方法与汽车

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112054706A true CN112054706A (zh) 2020-12-08

Family

ID=73602758

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010718682.5A Pending CN112054706A (zh) 2020-07-23 2020-07-23 半导体功率模块及其电流检测方法、制造方法与汽车

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112054706A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113746056A (zh) * 2021-07-29 2021-12-03 广东美的白色家电技术创新中心有限公司 一种智能功率模块及电子设备

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2016918A1 (en) * 1989-05-16 1990-11-16 Shogo Mori Transistor provided with a current detecting function
CN1577785A (zh) * 2003-07-11 2005-02-09 三菱电机株式会社 半导体功率模块和该模块的主电路电流测量***
CN104133098A (zh) * 2013-05-03 2014-11-05 英飞凌科技股份有限公司 电子电路的布线结构中电流测量的集成
CN105723619A (zh) * 2013-11-20 2016-06-29 罗姆股份有限公司 开关器件及电子电路
CN109406859A (zh) * 2018-11-30 2019-03-01 苏州汇川技术有限公司 电流检测板及驱动控制器

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2016918A1 (en) * 1989-05-16 1990-11-16 Shogo Mori Transistor provided with a current detecting function
CN1577785A (zh) * 2003-07-11 2005-02-09 三菱电机株式会社 半导体功率模块和该模块的主电路电流测量***
CN104133098A (zh) * 2013-05-03 2014-11-05 英飞凌科技股份有限公司 电子电路的布线结构中电流测量的集成
CN105723619A (zh) * 2013-11-20 2016-06-29 罗姆股份有限公司 开关器件及电子电路
CN109406859A (zh) * 2018-11-30 2019-03-01 苏州汇川技术有限公司 电流检测板及驱动控制器

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113746056A (zh) * 2021-07-29 2021-12-03 广东美的白色家电技术创新中心有限公司 一种智能功率模块及电子设备

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Choi et al. Power cycling test methods for reliability assessment of power device modules in respect to temperature stress
KR100371116B1 (ko) 파워 반도체 모듈
JP4830993B2 (ja) 半導体装置の劣化検出方法
US6529062B2 (en) Power module
JP2004117111A (ja) 半導体装置
CN102576041A (zh) 半导体装置
WO2017168951A1 (ja) 過熱保護制御装置
JP2021515518A (ja) 電子電源スイッチ駆動モジュール
CN106487264B (zh) 驱动功率半导体器件的半导体集成电路器件及电子器件
CN106953503A (zh) 半导体集成电路器件和电子器件
JP5359604B2 (ja) 電力変換回路の制御装置
US11101204B2 (en) Semiconductor module
JP2020124030A (ja) パワー半導体モジュールおよびそれを用いた電力変換装置
CN112054706A (zh) 半导体功率模块及其电流检测方法、制造方法与汽车
US11923785B2 (en) Power module for the operation of an electric vehicle drive with improved temperature determination of the power semiconductor
JP6261476B2 (ja) 電力変換装置および電力変換装置の出力電圧検出方法
JP2015033149A (ja) 半導体素子の駆動装置及びそれを用いた電力変換装置
US11728748B2 (en) Power module for operating an electric vehicle drive with improved temperature determination of the power semiconductors
CN103080756A (zh) 功率转换装置
EP4187585A2 (en) Power module with integrated gate driver and functional components within a single power module housing
US20210050293A1 (en) Electronic module
CN111562479B (zh) 一种功率半导体器件的高低温动态特性远程测试***
CN115377077A (zh) 功率模块、电源***、车辆及光伏***
JP2002171768A (ja) 電力変換装置
Jeong et al. Effective resistor selection method for over current protection when using sense IGBT solution

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20211110

Address after: 518043 No. 01, 39th floor, building a, antuoshan headquarters building, No. 33, antuoshan Sixth Road, Xiang'an community, Xiangmihu street, Futian District, Shenzhen, Guangdong Province

Applicant after: Huawei Digital Energy Technology Co.,Ltd.

Address before: 518129 Huawei headquarters office building, Bantian, Longgang District, Shenzhen, Guangdong

Applicant before: HUAWEI TECHNOLOGIES Co.,Ltd.

RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20201208