CN112051494A - 绝缘栅双极型晶体管的栅极检测电路 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及电子电路技术领域，提供一种绝缘栅双极型晶体管的栅极检测电路。脉冲整形电路用于在输入信号为高电平时，输出高电平的第一方波信号和低电平的第二方波信号；在输入信号为低电平时，输出低电平的第一方波信号和高电平的第二方波信号；比较电路用于在第一方波信号为高电平时，将第一预设电压与绝缘栅双极型晶体管的栅极的电压比较，在第一预设电压大于栅极的电压时，输出低电平；在第二方波信号为高电平时，将第二预设电压与绝缘栅双极型晶体管的栅极的电压比较，在第二预设电压小于栅极的电压时，输出低电平；故障输出电路用于在比较电路输出低电平时，输出栅极故障信号。本发明可以检测绝缘栅双极型晶体管的栅极故障。

Description

绝缘栅双极型晶体管的栅极检测电路
技术领域
本发明涉及电子电路技术领域，特别涉及一种绝缘栅双极型晶体管的栅极检测电路。
背景技术
绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)，是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。IGBT用于的驱动单元具有多个IGBT，当其中一个栅极击穿后，可能导致其他IGBT也被损坏。但是目前无检测IGBT栅极故障的技术。
发明内容
有鉴于此，本发明旨在提出一种绝缘栅双极型晶体管的栅极检测电路，以检测绝缘栅双极型晶体管的栅极故障。
为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：
一种绝缘栅双极型晶体管的栅极检测电路，所述电路包括：脉冲整形电路、比较电路以及故障输出电路，其中，所述脉冲整形电路用于将信号输入设备的输入信号整形，且在所述输入信号为高电平时，输出高电平的第一方波信号和低电平的第二方波信号；在所述输入信号为低电平时，输出低电平的第一方波信号和高电平的第二方波信号；所述比较电路用于：在所述第一方波信号为高电平时，将第一预设电压与所述绝缘栅双极型晶体管的栅极的电压比较，并在所述第一预设电压大于所述绝缘栅双极型晶体管的栅极的电压时，输出低电平；在所述第二方波信号为高电平时，将第二预设电压与所述绝缘栅双极型晶体管的栅极的电压比较，并在所述第二预设电压小于所述绝缘栅双极型晶体管的栅极的电压时，输出低电平；所述故障输出电路用于在所述比较电路输出低电平时，输出栅极故障信号。
进一步的，所述比较电路包括：第一三极管、第二三极管、第一比较器和第二比较器，其中，所述第一三级管用于在所述第一方波信号为高电平时导通；所述第二三极管用于在所述第二方波信号为高电平时导通；所述第一比较器与所述第一三极管连接，用于在所述第一三极管导通时，将所述第一预设电压与所述绝缘栅双极型晶体管的栅极的电压比较；所述第二比较器与所述第二三极管连接，用于在所述第二三极管导通时，将所述第二预设电压与所述绝缘栅双极型晶体管的栅极的电压比较。
进一步的，该电路还包括：光耦隔离电路，连接在所述信号输入设备和所述脉冲整形电路之间，用于对所述输入信号进行光电隔离。
进一步的，该电路还包括：脉冲放大电路，连接在所述脉冲整形电路和所述绝缘栅双极型晶体管之间，用于将所述第一方波信号放大以驱动所述绝缘栅双极型晶体管。
进一步的，该电路还包括：分压电路，与所述比较电路连接，用于将电源的电压转化为所述第一预设电压和所述第二预设电压。
进一步的，该电路还包括：检测电源电路，该检测电源电路包括：二极管，负极连接所述绝缘栅双极型晶体管的栅极，正极连接所述比较电路；第一电阻，一端连接所述二极管正极，另一端连接电源的正电源输出端。
进一步的，所述电源输出+15V的正电源和-5V的负电源。
进一步的，所述第一预设电压为7.5V，所述第二预设电压为-2.5V。
进一步的，所述比较电路还用于：在所述第一方波信号为高电平的情况下，在所述第一预设电压小于所述绝缘栅双极型晶体管的栅极的电压时，输出高电平；在所述第二方波信号为高电平的情况下，在所述第二预设电压大于所述绝缘栅双极型晶体管的栅极的电压时，输出高电平。
进一步的，所述故障输出电路还用于在所述比较电路输出高电平时，不输出故障信号。
相对于现有技术，本发明所述的绝缘栅双极型晶体管的栅极检测电路具有以下优势：
采用脉冲整形电路、比较电路以及故障输出电路，通过脉冲整形电路用于输出高/低电平的第一方波信号和高/低电平的第二方波信号，并采用比较电路使第一预设电压与绝缘栅双极型晶体管的栅极的电压比较或使第二预设电压与绝缘栅双极型晶体管的栅极的电压比较，在第一预设电压大于绝缘栅双极型晶体管的栅极的电压时，或在第二预设电压小于绝缘栅双极型晶体管的栅极的电压时，输出低电平，最后通过故障输出电路在比较电路输出低电平时，输出栅极故障信号，可以检测绝缘栅双极型晶体管的栅极故障。
本发明的其它特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
构成本发明的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施方式及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。
在附图中：
图1是本发明一实施例提供的绝缘栅双极型晶体管的栅极检测电路的结构框图；
图2是本发明另一实施例提供的绝缘栅双极型晶体管的栅极检测电路的结构框图；
图3是本发明一实施例提供的绝缘栅双极型晶体管的栅极检测电路的示意图；
图4是本发明一实施例提供的电源的示意图；
图5是本发明一实施例提供的分压电路的示意图。
附图标记说明：
1 脉冲整形电路 2 比较电路
3 故障输出电路 4 光耦隔离电路
5 脉冲放大电路 6 分压电路
7 检测电源电路
具体实施方式
需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施方式及实施方式中的特征可以相互组合。
下面将参考附图并结合实施方式来详细说明本发明。
图1是本发明一实施例提供的绝缘栅双极型晶体管的栅极检测电路的结构框图。如图1所示，所述电路包括：
脉冲整形电路1、比较电路2以及故障输出电路3，其中，
所述脉冲整形电路1用于将信号输入设备的输入信号整形，且在所述输入信号为高电平时，输出高电平的第一方波信号和低电平的第二方波信号；在所述输入信号为低电平时，输出低电平的第一方波信号和高电平的第二方波信号；
具体地，信号输入设备例如电动汽车的电机驱动控制器，输入信号例如是驱动板的脉冲宽度调制(Pulse Width Modulation，PWM)信号，但不限于此。脉冲整形电路1可以将输入信号整形为方波，并根据输入信号的电平状态的不同，输出不同电平状态的但互补的第一方波信号和第二方波信号，第一方波信号和第二方波信号的电平状态可以影响比较电路2采用何种预设电压进行比较。
所述比较电路2用于在所述第一方波信号为高电平时，将第一预设电压与所述绝缘栅双极型晶体管的栅极的电压比较，并在所述第一预设电压大于所述绝缘栅双极型晶体管的栅极的电压时，输出低电平；在所述第二方波信号为高电平时，将第二预设电压与所述绝缘栅双极型晶体管的栅极的电压比较，并在所述第二预设电压小于所述绝缘栅双极型晶体管的栅极的电压时，输出低电平；
具体地，比较电路2可以使用两种预设电压与绝缘栅双极型晶体管的栅极的电压比较，原因在于随信号输入设备的输入信号的电平状态不同，正常的绝缘栅双极型晶体管也会有导通和截止两种状态，于是栅极的电压也会不同。例如，假设在具有15V的外电源的作用下，当输入信号为高电平时，绝缘栅双极型晶体管的栅极的电压可以为15V，而当输入信号为低电平时，绝缘栅双极型晶体管的栅极的电压可以为-5V。另外，在绝缘栅双极型晶体管的栅极故障时，绝缘栅双极型晶体管的栅极的电压为0。对此，可以设定第一预设电压为7.5V，第二预设电压为-2.5V，以有效判断绝缘栅双极型晶体管会有导通和截止两种状态下的栅极故障。可以理解的是，以上数据仅为示例(下文相同)，本发明对此不作限定，例如第一预设电压为也可以选大于0小于15V的电压，第二预设电压也可以选大于-5V小于-2.5V的电压。
所述故障输出电路3用于在所述比较电路2输出低电平时，输出栅极故障信号。
具体地，本发明实施例的栅极故障例如为栅极击穿。故障输出电路3在比较电路2输出低电平时，将栅极故障信号输出给信号输入设备。
图2是本发明另一实施例提供的绝缘栅双极型晶体管的栅极检测电路的结构框图。如图2所示，该电路还包括：
光耦隔离电路4，连接在所述信号输入设备和所述脉冲整形电路1之间，用于对所述输入信号进行光电隔离。
脉冲放大电路5，连接在所述脉冲整形电路1和所述绝缘栅双极型晶体管之间，用于将所述第一方波信号放大以驱动所述绝缘栅双极型晶体管。
分压电路6，与所述比较电路2连接，用于将电源的电压转化为所述第一预设电压和所述第二预设电压。
检测电源电路7，与比较电路2以及绝缘栅双极型晶体管的栅极连接，用于提供给比较电路2和绝缘栅双极型晶体管的栅极一个外电源。
上述各部分的更具体功能将在下文通过详细的电路部件详述。
图3是本发明一实施例提供的绝缘栅双极型晶体管的栅极检测电路的示意图。如图3所示，
S+和S-是驱动板的PWM的输入信号。
U1为光耦隔离电路4的隔离光耦，起信号隔离作用，并且可以连接电源，例如+15V的正电源和-5V的负电源，电阻R1为隔离光耦U1的输入侧的限流电阻。
U2为脉冲整形电路1的脉冲整形器，将隔离光耦U1输出信号整形为方波，输出互补的两路信号PH和PL。
U3为脉冲放大电路5的推挽驱动器，可以将PH信号放大，用于驱动绝缘栅双极型晶体管导通。
电阻Rg为绝缘栅双极型晶体管的栅极电阻，图中G连接绝缘栅双极型晶体管的栅极G，VE连接绝缘栅双极型晶体管的发射极E，电阻Rge为并联在绝缘栅双极型晶体管G、E两端之间的防开路电阻。
二极管D1和电阻R3构成检测电源电路7，二极管D1负极连接绝缘栅双极型晶体管的栅极，正极连接比较电路2，电阻R3一端连接所述二极管D1正极，另一端连接电源的正电源输出端，正电源例如+15V。
第一三极管Q1、第二三极管Q2、第一比较器U6和第二比较器U7组成比较电路2。其中，第一三级管Q1用于在第一方波信号PH为高电平时导通；第二三极管Q2用于在第二方波信号PL为高电平时导通；第一比较器U6与第一三极管Q1连接，用于在第一三极管Q1导通时，将第一预设电压(例如7.5V)与绝缘栅双极型晶体管的栅极的电压比较，在第一预设电压大于绝缘栅双极型晶体管的栅极的电压时输出低电平，在第一预设电压小于绝缘栅双极型晶体管的栅极的电压时输出高电平；第二比较器U7与第二三极管Q2连接，用于在第二三极管Q2导通时，将第二预设电压(例如-2.5V)与绝缘栅双极型晶体管的栅极的电压比较，在第二预设电压小于绝缘栅双极型晶体管的栅极的电压时输出低电平，在第二预设电压大于绝缘栅双极型晶体管的栅极的电压时输出高电平。
U5为故障输出电路3的普通光耦，可以连接正电源+15V，电阻R2为光耦U5的限流电阻，在比较电路2输出低电平时，输出栅极故障信号GZ+和GZ-。
图4是本发明一实施例提供的电源的示意图。如图4所示，U4是电源，电源可以输出+15V的正电源和-5V的负电源。电容C1-C3是电源的滤波电容，VE端连接绝缘栅双极型晶体管的发射极E。
图5是本发明一实施例提供的分压电路的示意图。如图5所示，分压电路6接收电源输出的+15V的正电源和-5V的负电源，并通过R4-R7分压，可以输出+7.5V和-2.5V的第一预设电压和第二预设电压给比较电路2。同样的，VE端连接绝缘栅双极型晶体管的发射极E。
以下详细说明本发明的绝缘栅双极型晶体管的栅极检测电路的工作过程：
当PWM输入信号为高电平时，隔离光耦U1导通，第一方波信号PH为1(高电平)，第二方波信号PL为0(低电平)，绝缘栅双极型晶体管的栅极正常时候电压为15V，第一三极管Q1导通，第二三极管Q2截止，第一比较器U6的5脚为15V，第一预设电压7.5V小于15V，第一比较器U6的1脚输出为高电平，第二比较器U7的1脚输出被屏蔽，光耦U5截止，无故障信号输出；此时如果绝缘栅双极型晶体管的栅极击穿，则绝缘栅双极型晶体管的栅极电压降低为VE(0V)，则第一比较器U6的5脚为0V，小于第一预设电压7.5V，第一比较器U6的1脚输出为低电平，光耦U5导通，输出故障信号。
当PWM输入信号为低电平时，隔离光耦U1截止，第一方波信号PH为0(低电平)，第二方波信号PL为1(高电平)，绝缘栅双极型晶体管的栅极正常时候电压为-5V，第一三极管Q1截止，第二三极管Q2导通，第二比较器U7的4脚为-5V，小于第二预设电压-2.5V，第二比较器U7的1脚输出为高电平，第一比较器U6的1脚输出被屏蔽，光耦U5截止，无故障信号输出；此时如果绝缘栅双极型晶体管的栅极击穿，则绝缘栅双极型晶体管的栅极电压升高为VE(0V)，则第二比较器U7的4脚为0V，大于第二预设电压-2.5V，第二比较器U7的1脚输出为低电平，光耦U5导通，输出故障信号。
本发明的绝缘栅双极型晶体管的栅极故障检测电路可以在绝缘栅双极型晶体管的栅极被击穿后，无论绝缘栅双极型晶体管导通还是截止，都可以实时检测出栅极故障，以便及时采取停机等措施，避免了其他绝缘栅双极型晶体管损坏。
以上所述仅为本发明的较佳实施方式而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种绝缘栅双极型晶体管的栅极检测电路，其特征在于，所述电路包括：
脉冲整形电路、比较电路以及故障输出电路，其中，
所述脉冲整形电路用于将信号输入设备的输入信号整形，且
在所述输入信号为高电平时，输出高电平的第一方波信号和低电平的第二方波信号；
在所述输入信号为低电平时，输出低电平的第一方波信号和高电平的第二方波信号；
所述比较电路用于：
在所述第一方波信号为高电平时，将第一预设电压与所述绝缘栅双极型晶体管的栅极的电压比较，并在所述第一预设电压大于所述绝缘栅双极型晶体管的栅极的电压时，输出低电平；
在所述第二方波信号为高电平时，将第二预设电压与所述绝缘栅双极型晶体管的栅极的电压比较，并在所述第二预设电压小于所述绝缘栅双极型晶体管的栅极的电压时，输出低电平；
所述故障输出电路用于在所述比较电路输出低电平时，输出栅极故障信号。
2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管的栅极检测电路，其特征在于，所述比较电路包括：
第一三极管、第二三极管、第一比较器和第二比较器，其中，
所述第一三级管用于在所述第一方波信号为高电平时导通；
所述第二三极管用于在所述第二方波信号为高电平时导通；
所述第一比较器与所述第一三极管连接，用于在所述第一三极管导通时，将所述第一预设电压与所述绝缘栅双极型晶体管的栅极的电压比较；
所述第二比较器与所述第二三极管连接，用于在所述第二三极管导通时，将所述第二预设电压与所述绝缘栅双极型晶体管的栅极的电压比较。
3.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管的栅极检测电路，其特征在于，该电路还包括：
光耦隔离电路，连接在所述信号输入设备和所述脉冲整形电路之间，用于对所述输入信号进行光电隔离。
4.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管的栅极检测电路，其特征在于，该电路还包括：
脉冲放大电路，连接在所述脉冲整形电路和所述绝缘栅双极型晶体管之间，用于将所述第一方波信号放大以驱动所述绝缘栅双极型晶体管。
5.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管的栅极检测电路，其特征在于，该电路还包括：
分压电路，与所述比较电路连接，用于将电源的电压转化为所述第一预设电压和所述第二预设电压。
6.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管的栅极检测电路，其特征在于，该电路还包括：
检测电源电路，该检测电源电路包括：
二极管，负极连接所述绝缘栅双极型晶体管的栅极，正极连接所述比较电路；
第一电阻，一端连接所述二极管正极，另一端连接电源的正电源输出端。
7.根据权利要求5或6所述的绝缘栅双极型晶体管的栅极检测电路，其特征在于，所述电源输出+15V的正电源和-5V的负电源。
8.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管的栅极检测电路，其特征在于，所述第一预设电压为7.5V，所述第二预设电压为-2.5V。
9.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管的栅极检测电路，其特征在于，所述比较电路还用于：
在所述第一方波信号为高电平的情况下，在所述第一预设电压小于所述绝缘栅双极型晶体管的栅极的电压时，输出高电平；
在所述第二方波信号为高电平的情况下，在所述第二预设电压大于所述绝缘栅双极型晶体管的栅极的电压时，输出高电平。
10.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管的栅极检测电路，其特征在于，所述故障输出电路还用于在所述比较电路输出高电平时，不输出故障信号。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115032518A (zh) * 2022-08-11 2022-09-09 佛山市联动科技股份有限公司 一种动态阈值电压测试装置及方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113447790B (zh) * 2021-07-13 2022-10-25 西安交通大学 一种非接触型igbt状态监测的装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002095240A (ja) * 2000-09-18 2002-03-29 Toshiba Corp 絶縁ゲート型半導体素子のゲート駆動回路およびそれを用いた電力変換装置
CN102324918A (zh) * 2011-06-09 2012-01-18 深圳市英威腾电气股份有限公司 一种绝缘栅双极型晶体管驱动电路
CN103427809A (zh) * 2012-05-21 2013-12-04 永济新时速电机电器有限责任公司 绝缘栅双极型晶体管的保护电路
CN104237761A (zh) * 2013-06-13 2014-12-24 通用电气公司 绝缘栅双极型晶体管的失效模式检测及保护的***和方法
CN109375087A (zh) * 2018-10-11 2019-02-22 连云港杰瑞电子有限公司 一种具有高速检测igbt短路故障的保护电路与方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4500838A (en) * 1983-01-24 1985-02-19 General Electric Company Current sensor
US6809515B1 (en) * 1998-07-31 2004-10-26 Spinix Corporation Passive solid-state magnetic field sensors and applications therefor
JP5315155B2 (ja) * 2009-07-23 2013-10-16 日立オートモティブシステムズ株式会社 半導体素子制御装置、車載用電機システム
CN102510276B (zh) 2011-11-01 2013-09-25 华南理工大学 具备非神经超前机制的大功率模块高频驱动器
CN103199832B (zh) 2012-01-06 2015-11-25 中国北车股份有限公司 Igbt驱动保护电路及***
CN204013200U (zh) 2014-09-03 2014-12-10 湘潭电机股份有限公司 一种适用于三电平变流器用igbt驱动电路
CN204119014U (zh) * 2014-11-03 2015-01-21 哈尔滨同为电气股份有限公司 一种用于三电平的igbt驱动和保护电路
CN104935315B (zh) * 2015-07-15 2019-02-19 北京京东方能源科技有限公司 Igbt驱动电路
JP6748935B2 (ja) 2015-09-04 2020-09-02 富士電機株式会社 電流センス付き半導体スイッチの保護回路
US10254327B2 (en) 2016-02-29 2019-04-09 Infineon Technologies Ag Method and device for short circuit detection in power semiconductor switches
US10840430B2 (en) * 2016-06-30 2020-11-17 Intel Corporation Piezoelectric package-integrated sensing devices
CN106099864B (zh) * 2016-07-19 2018-04-24 东南大学 一种igbt功率开关器件的短路保护方法及其电路
JP6300964B1 (ja) 2017-01-13 2018-03-28 三菱電機株式会社 電力変換装置
JP6355775B2 (ja) 2017-02-10 2018-07-11 ルネサスエレクトロニクス株式会社 ゲートドライバ、及びスイッチング方法
CN107807319B (zh) 2017-09-22 2020-03-10 全球能源互联网研究院有限公司 一种绝缘栅双极型晶体管igbt测试电路及方法
RU186888U1 (ru) 2018-07-30 2019-02-07 Общество с ограниченной ответственностью "Газпром трансгаз Ухта" Стенд для испытаний igbt транзисторов и драйверов их затворов
CN109061431B (zh) 2018-08-22 2020-11-13 徐州中矿大传动与自动化有限公司 一种基于栅极电荷的SiC MOSFET栅极故障诊断***及诊断方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002095240A (ja) * 2000-09-18 2002-03-29 Toshiba Corp 絶縁ゲート型半導体素子のゲート駆動回路およびそれを用いた電力変換装置
CN102324918A (zh) * 2011-06-09 2012-01-18 深圳市英威腾电气股份有限公司 一种绝缘栅双极型晶体管驱动电路
CN103427809A (zh) * 2012-05-21 2013-12-04 永济新时速电机电器有限责任公司 绝缘栅双极型晶体管的保护电路
CN104237761A (zh) * 2013-06-13 2014-12-24 通用电气公司 绝缘栅双极型晶体管的失效模式检测及保护的***和方法
CN109375087A (zh) * 2018-10-11 2019-02-22 连云港杰瑞电子有限公司 一种具有高速检测igbt短路故障的保护电路与方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115032518A (zh) * 2022-08-11 2022-09-09 佛山市联动科技股份有限公司 一种动态阈值电压测试装置及方法
CN115032518B (zh) * 2022-08-11 2022-11-15 佛山市联动科技股份有限公司 一种动态阈值电压测试装置及方法

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