CN112017952A - 基板处理方法以及基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供基板处理方法以及基板处理装置。基板处理方法包括：药液处理工序，保持覆盖基板的图案形成面的药液的液膜，并使用药液来处理图案形成面；中间处理工序，使用中间处理液来处理图案形成面；填充剂喷出工序，朝向图案形成面喷出填充剂；填充剂扩大工序，使填充剂朝向基板的外周扩展；固化膜形成工序，在图案形成面形成填充剂的固化膜；下位置配置工序，将遮断部件配置在下位置并维持在下位置；以及遮断部件上升工序，朝向位于比下位置更靠上方的上位置开始遮断部件的上升。药液处理工序包括从中央喷嘴朝向图案形成面喷出药液的工序。填充剂扩大工序包括在遮断部件位于上位置的状态下开始图案形成面上的填充剂的扩大的工序。

Description

基板处理方法以及基板处理装置
本申请主张基于2019年5月31日提出的日本国专利申请2019－103277号的优先权，这些申请的全部内容在此通过引用而录入。
技术领域
本发明涉及基板处理方法以及基板处理装置。成为处理对象的基板例如包括半导体晶圆、液晶显示装置用基板、有机EL(Electroluminescence)显示装置等FPD(Flat PanelDisplay)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳电池用基板等。
背景技术
在美国专利申请公开第2018/085780号中记载了如下干燥方法：用填充剂(聚合物)的固化膜覆盖液处理后的基板的图案形成面，并使用灰化装置等来除去(升华等)填充剂的固化膜，由此使图案形成面干燥。具体而言，在使用处理液(药液、冲洗液)处理基板的图案形成面之后，向图案形成面供给液体的填充剂，并用填充剂的液膜覆盖图案形成面。由此，在形成于图案形成面上的多个图案之间填充填充剂。
并且，通过利用基板的加热等来使填充剂的液膜固化，从而形成覆盖图案形成面的填充剂的固化膜(涂敷膜)。然后，通过使用灰化装置等来除去填充剂的固化膜，从基板的图案形成面除去填充剂。由于能够以在形成于图案形成面的图案间不出现液体的界面的方式使图案形成面干燥，因此可抑制图案倒塌。
发明内容
伴随图案形成面的氧化，有时形成于图案形成面的图案脆弱化。其结果，也有发生图案倒塌的担忧。因此，需要抑制或者防止图案形成面的氧化。
在美国专利申请公开第2018/085780号的方法中，由填充剂的固化膜覆盖于图案形成面之后，固化膜能够防止该图案形成面的氧化，但在填充剂的固化膜形成于图案形成面之前，气氛中的氧浓度会变高。即，在固化膜形成前，有无法抑制或者防止图案形成面的氧化的担忧。
另外，为了形成良好的固化膜，希望向基板的图案形成面顺畅地供给填充剂。
根据以上所述，要求在固化膜形成之前抑制或者防止图案形成面的氧化，而且向基板的图案形成面顺畅地供给填充剂。
因此，本发明的目的在于提供一种基板处理方法以及基板处理装置，其能够在固化膜形成之前抑制或者防止图案形成面的氧化，而且能够向图案形成面顺畅地供给填充剂。
本发明提供一种基板处理方法，其包括以下工序：基板保持工序，在使形成有图案的图案形成面朝向上方的状态下，将基板保持于基板保持单元；药液处理工序，在上述图案形成面上保持覆盖上述图案形成面的药液的液膜，使用上述药液的液膜所含的药液来处理上述图案形成面；中间处理工序，在上述药液处理工序之后，在上述图案形成面上保持覆盖上述图案形成面的中间处理液的液膜，并使用上述中间处理液的液膜所含的中间处理液来处理上述图案形成面；填充剂喷出工序，在上述中间处理工序之后，朝向上述图案形成面喷出作为用于填充上述图案间的液体的填充剂；填充剂扩大工序，通过使上述基板绕铅垂的旋转轴线旋转，使供给至上述图案形成面的填充剂朝向上述基板的外周扩展；固化膜形成工序，通过使供给至上述图案形成面的填充剂固化，从而在上述图案形成面形成填充剂的固化膜；下位置配置工序，在开始上述药液处理工序之前，将遮断部件配置在将上述图案形成面的上方的空间与该空间的外侧的空间的气氛遮断的下位置，然后，将上述遮断部件维持在上述下位置，上述遮断部件具备圆板部和从上述圆板部的外周部向下方延伸的圆筒部，该圆板部具有相对于上述基板从上方对置的基板对置面；以及遮断部件上升工序，在开始上述填充剂扩大工序之前，在由上述基板保持单元保持的基板的上述图案形成面被上述中间处理液的液膜覆盖的状态下，朝向位于比上述下位置更靠上方的上位置，开始上述遮断部件的上升，上述药液处理工序包括以下工序：从具有与上述图案形成面的中央部对置的中央部喷出口且与上述圆板部结合的中央喷嘴朝向上述图案形成面喷出药液，上述填充剂扩大工序包括以下工序：在上述遮断部件位于上述上位置的状态下，开始上述图案形成面上的填充剂的扩大。
根据该方法，由于在遮断部件设有圆筒部，因此在遮断部件位于下位置的状态下，能够实质上遮断图案形成面的上方的空间(以下称为“内部空间”)的气氛与内部空间的外侧的空间的气氛。该情况下，能够将位于基板与下位置的遮断部件之间保持为氧浓度低的状态。
并且，一边使遮断部件位于下位置，一边进行使用了药液的药液处理。通过在使内部空间的氧浓度充分下降之后，开始使用了药液的药液处理，从而能够在氧浓度低的气氛下对图案形成面实施使用了药液的药液处理。由此，能够抑制或者防止药液处理中的图案形成面的氧化。
另外，通过朝向图案形成面喷出填充剂，向图案形成面供给填充剂，并在图案形成面形成填充剂的液膜。然后，通过填充剂的液膜固化，来形成填充剂的固化膜。
假如，若在遮断部件位于下位置的状态下开始图案形成面上的填充剂的扩大，则存在受到基板的旋转产生的离心力而从基板的周缘部飞散的填充剂碰触(碰撞)遮断部件的圆筒部而向图案形成面再供给的担忧。若向图案形成面再供给填充剂，则有使存在于图案形成面上的填充剂产生紊乱的担忧。该情况下，有使固化膜除去后的基板产生不良状况的担忧。
针对于此，在该实施方式中，在遮断部件位于上位置的状态下，开始图案形成面上的填充剂的扩大。由于遮断部件位于上位置，因此能够抑制或者防止从基板的周缘部飞散的填充剂碰触遮断部件的圆筒部而向图案形成面再供给。因此，能够抑制或者防止使存在于图案形成面上的填充剂产生紊乱。由此，能够抑制使固化膜除去后的基板产生不良状况。
另外，在该方法中，在图案形成面由中间处理液的液膜覆盖的状态下开始遮断部件的上升。即，一边由中间处理液的液膜保护图案形成面一边解除内部空间的遮断状态。遮断状态的解除后，图案形成面由液膜保护。因此，能够可靠地抑制或者防止伴随解除内部空间的遮断状态的图案形成面的氧化。
根据以上所述，能够在固化膜形成之前抑制或者防止图案形成面的氧化，而且能够向图案形成面顺畅地供给填充剂。
在本发明的一个实施方式中，在上述遮断部件位于上述上位置的状态下，上述圆筒部的下端位于比包围上述基板保持单元的处理杯的上端更靠上方。
根据该方法，在遮断部件位于上位置的状态下，圆筒部的下端位于比处理杯的上端更靠上方。
通常，处理杯的上端的高度位置是能够由处理杯捕获从基板飞散的液体的位置。因此，如果是在遮断部件位于上位置的状态下，圆筒部的下端位于比处理杯的上端更靠上方的结构，就能够更加有效地抑制从基板的周缘部排出的处理液碰触圆筒部而向图案形成面再供给。
在本发明的一个实施方式中，上述遮断部件上升工序包括以下工序：在开始上述填充剂喷出工序之前，在由上述基板保持单元保持的基板的上述图案形成面由上述中间处理液的液膜覆盖的状态下，朝向上述上位置开始上述遮断部件的上升。并且，上述填充剂喷出工序包括以下工序：在上述遮断部件位于上述上位置的状态下，开始向上述图案形成面喷出填充剂。
根据该方法，由于遮断部件位于上位置，因此能够更加有效地抑制供给至图案形成面的填充剂碰触遮断部件的圆筒部。由此，能够更加有效地抑制使存在于图案形成面上的填充剂产生紊乱。
在本发明的一个实施方式中，上述填充剂喷出工序包括以下工序：不是从上述中央喷嘴喷出填充剂，而是从填充剂喷嘴朝向上述图案形成面喷出填充剂，该填充剂喷嘴是与上述中央喷嘴独立设置并能够沿上述图案形成面移动的填充剂喷嘴，收纳在上述基板与位于上述上位置的上述遮断部件之间。
根据该方法，在填充剂喷出工序中，填充剂喷嘴配置在基板与位于上位置的遮断部件之间。并且，不是从中央喷嘴而是从填充剂喷嘴朝向图案形成面喷出填充剂。此时，填充剂喷嘴的喷出口与图案形成面之间的铅垂方向的距离比药液处理工序中的中央喷嘴的中央部喷出口与图案形成面之间的铅垂方向的距离短。
随着喷出口与图案形成面之间的铅垂方向的距离变长，从喷出口喷出的填充剂至到达图案形成面的时间变长。因此，若喷出口与图案形成面之间的铅垂方向的距离较长，则喷出的填充剂的液流容易受到干扰的影响。因此，在填充剂喷出工序中，假如若从位于上位置的遮断部件的中央部喷出口朝向图案形成面喷出填充剂，则难以使填充剂以所期望的着落流量着落于图案形成面的所期望的着落位置。该情况下，有无法向图案形成面良好地供给(涂敷)填充剂的担忧。
针对于此，在本方法中，与图案形成面之间的铅垂方向的距离较近，从填充剂喷嘴的喷出口朝向图案形成面喷出填充剂。因此，能够使填充剂以所期望的着落流量着落于图案形成面的所期望的着落位置。由此，能够向图案形成面良好地供给(涂敷)填充剂。所以，能够在图案形成面上形成良好的固化膜。
该情况下，优选上述填充剂喷出工序中的上述填充剂喷嘴的喷出口与上述图案形成面之间的铅垂方向的距离，和上述遮断部件位于上述下位置的状态的上述中央部喷出口与上述图案形成面之间的铅垂方向的距离相同、或者比该距离短。
根据该方法，填充剂喷出工序中的填充剂喷嘴的喷出口的高度位置与遮断部件位于下位置的状态的中央部喷出口的高度位置相同、或者比该高度位置低。
通常，遮断部件位于下位置的状态的中央部喷出口位于从该中央部喷出口喷出的液体不会受到干扰的影响、能够使液体良好地着落于图案形成面的所期望的着落位置的高度位置。因此，在填充剂喷出工序中，通过将填充剂喷嘴的喷出口配置在与遮断部件位于下位置时的中央部喷出口的高度位置相同的位置、或者比该位置更靠下方的位置，从而能够有效地抑制从填充剂喷嘴的喷出口喷出的填充剂受到干扰的影响。
在本发明的一个实施方式中，上述药液处理工序包括向上述图案形成面供给药液的药液供给工序。另外，上述中间处理工序包括向上述图案形成面供给中间处理液的中间处理液供给工序。并且，上述填充剂喷出工序中的来自上述填充剂喷嘴的填充剂的喷出流量比上述药液供给工序中的向上述图案形成面供给的药液的供给流量少，且比上述中间处理液供给工序中的向上述图案形成面供给的中间处理液的供给流量少。
根据该方法，填充剂喷出工序中的来自填充剂喷嘴的填充剂的喷出流量少。因此，假如若不是从填充剂喷嘴而是从中央部喷出口喷出填充剂，则有供给至图案形成面的填充剂不是连续流而是呈断续状、或者填充剂着落于从所期望的着落位置偏移的位置的担忧。
针对于此，在该方法中，由于填充剂喷嘴的喷出口与图案形成面之间的铅垂方向的距离短，因此即使在来自填充剂喷嘴的填充剂的喷出流量较少的情况下，也能够将供给至图案形成面的填充剂维持为连续流，而且能够使填充剂精度良好地着落于图案形成面的所期望的着落位置。由此，能够向图案形成面更加良好地供给填充剂。
在本发明的一个实施方式中，上述填充剂扩大工序包括以比上述药液处理工序时以及上述中间处理工序时更快的速度使上述基板旋转的高速旋转工序。
根据该方法，有因基板的高速旋转而在基板与遮断部件之间产生较强的气流的担忧。由于填充剂喷嘴的喷出口与图案形成面之间的铅垂方向的距离短，因此即使在内部空间产生较强的气流的情况下，也能够最小限度地抑制相对于从填充剂喷嘴喷出的填充剂的气流的影响。因此，能够使填充剂精度良好地着落于图案形成面的所期望的着落位置。由此，能够向图案形成面更加良好地供给填充剂。
在本发明的一个实施方式中，上述基板处理方法在上述填充剂扩大工序之后，还包括使向上述图案形成面的整个区域扩展的填充剂下沉的填充剂下沉工序。
根据该方法，能够在图案形成面的整个区域使填充剂填充在图案间。
在本发明的一个实施方式中，上述中间处理工序包括溶剂处理工序，在该溶剂处理工序中，在上述图案形成面上保持覆盖上述图案形成面的溶剂的液膜，并使用上述溶剂的液膜所含的溶剂来处理上述图案形成面。
根据填充剂的种类，有时在药液处理工序之后在与供给至图案形成面的冲洗液之间没有可溶性(混溶性)。该情况下，作为中间处理工序，通过将覆盖图案形成面的冲洗液等的液膜置换成在与填充剂之间具有可溶性(混溶性)那样的溶剂，从而能够顺畅地执行填充剂喷出工序以后的工序。
并且，在本方法中，在图案形成面由溶剂的液膜覆盖的状态下，解除内部空间的遮断状态。由于一边由溶剂的液膜保护图案形成面一边解除内部空间的遮断状态，因此能够可靠地抑制或者防止图案形成面的氧化，并且能够向图案形成面喷出填充剂。
在本发明的一个实施方式中，上述溶剂处理工序包括以下工序：从上述中央喷嘴以及/或者与上述中央喷嘴独立设置并能够沿上述图案形成面移动的溶剂喷嘴的至少一方，朝向上述图案形成面喷出溶剂。
根据该方法，从中央喷嘴以及填充剂喷嘴的至少一方朝向图案形成面喷出溶剂。由此，能够良好地供给覆盖图案形成面的溶剂的液膜。
在本发明的一个实施方式中，上述溶剂处理工序包括中央喷出工序，在该中央喷出工序中，从上述中央喷嘴朝向上述图案形成面喷出溶剂。并且，上述基板处理方法在上述中央喷出工序的中途，还包括中间位置配置工序，该中间位置配置工序中，将上述遮断部件从上述下位置配置于中间位置，该中间位置设于上述下位置与上述上位置之间，且上述圆筒部的下端位于与包围上述基板保持单元的周围的处理杯的上端相同的高度。
根据该方法，通过在遮断部件位于下位置的状态下供给中间处理液，从而有时在圆筒部附着有中间处理液。通过使位于中间位置的遮断部件以高速旋转，从而能够从圆筒部除去附着于圆筒部的中间处理液而使圆筒部干燥。
另外，处理杯的上端设置为与位于中间位置的遮断部件的圆筒部的下端相同的高度。因此，能够由处理杯良好地捕获通过遮断部件的旋转而从圆筒部甩掉的中间处理液。
在本发明的一个实施方式中，上述基板处理方法在上述药液处理工序开始前，还包括惰性气体供给工序，在该惰性气体供给工序中，从在上述遮断部件的上述基板对置面开口的惰性气体喷出口朝向下方喷出惰性气体。
根据该方法，惰性气体从在遮断部件的基板对置面开口的惰性气体喷出口向下方喷出。从惰性气体喷出口喷出的惰性气体在基板的图案形成面与遮断部件的基板对置面之间的内部空间扩展。由此，内部空间被惰性气体充满，从而能够进一步降低内部空间的气氛中的氧浓度。并且，在氧浓度充分下降后的内部空间，通过对图案形成面实施药液处理，从而在固化膜形成前，能够更加有效地抑制或者防止固化膜形成前的图案形成面的氧化。
在本发明的一个实施方式中，在上述药液处理工序中，上述药液的液膜所含的药液是溶解氧量降低的(溶解氧浓度低的)药液。
根据该方法，能够使用溶解氧量降低的药液来处理图案形成面。由此，能够抑制或者防止图案形成面因存在于药液的氧而氧化。由此，能够更加有效地抑制或者防止固化膜形成前的图案形成面的氧化。
在本发明的一个实施方式中，在上述药液处理工序中，上述药液的液膜所含的药液包含氢氟酸。
若图案形成面被氧化，则在图案形成面形成氧化膜。若在药液处理工序中使用的药液包含氢氟酸，则在药液处理工序中从图案形成面除去氧化膜。其结果，在药液处理工序中，有图案形成面缩小的担忧。
然而，在该方法中，一边使具有圆筒部的遮断部件位于下位置一边进行使用了药液的药液处理。通过在使内部空间的氧浓度充分下降之后，开始使用了药液的药液处理，从而能够在氧浓度低的气氛下，对图案形成面实施使用了药液的药液处理。由此，能够抑制或者防止药液处理中的图案形成面的氧化。
在本发明的一个实施方式中，上述基板处理方法还包括固化膜形成工序，该固化膜形成工序中，通过加热上述基板来使形成于上述图案形成面上的上述填充剂的液膜所含的填充剂固化，从而在上述图案形成面形成上述填充剂的固化膜。
根据该方法，通过对保持于基板保持单元的基板进行加热，从而填充剂的液膜所含的填充剂固化。由此，在图案形成面形成填充剂的固化膜。即，一边将基板保持于通用的基板保持单元一边进行填充剂的液膜的形成和填充剂的液膜的固化。因此，不需要在多个腔室间搬运基板，从而能够实现处理的吞吐量的提高。
在本发明的一个实施方式中，上述基板处理方法还包括填充剂除去工序，该填充剂除去工序中，通过加热上述基板来使形成于上述图案形成面的上述填充剂的固化膜所含的填充剂升华，从而从上述图案形成面除去填充剂。
根据该方法，通过对保持于基板保持单元的基板进行加热，从而填充剂的固化膜所含的液膜所含的填充剂升华。由此，从图案形成面除去填充剂。即，一边将基板保持于通用的基板保持单元一边进行填充剂的液膜的形成和填充剂的固化膜的升华。因此，能够利用一个装置来进行向图案形成面的填充剂的液膜的形成、填充剂的液膜的固化、以及从图案形成面除去填充剂。由此，能够进一步实现处理的吞吐量的提高。
另外，本发明提供一种基板处理装置，包括：基板保持单元，其在使形成有图案的图案形成面朝向上方的状态下，水平地保持基板；基板旋转单元，其构成为使由上述基板保持单元保持的基板绕铅垂的旋转轴线旋转；药液供给单元，其构成为向由上述基板保持单元保持的基板的图案形成面供给药液；中间处理液供给单元，其构成为向由上述基板保持单元保持的基板的图案形成面供给中间处理液；填充剂喷嘴，其构成为朝向由上述基板保持单元保持的基板的图案形成面喷出作为用于填充在上述图案间的液体的填充剂；填充剂供给单元，其构成为向上述填充剂喷嘴供给填充剂；填充剂固化单元，其用于使供给至由上述基板保持单元保持的基板的图案形成面的填充剂固化；遮断部件，其具有圆板部和从上述圆板部的外周部向下方延伸的圆筒部，该圆板部具有相对于由上述基板保持单元保持的基板从上方对置的基板对置面；遮断部件升降单元，其使上述遮断部件在下位置与上位置之间升降，该下位置是将上述图案形成面的上方的空间从该空间的外侧的空间的气氛遮断的位置，该上位置是位于比上述下位置更靠上方的位置；中央喷嘴，其具有与上述图案形成面的中央部对置的中央部喷出口，且与上述圆板部结合，从上述药液供给单元供给药液；以及控制器，其控制上述药液供给单元、上述中间处理液供给单元、上述填充剂供给单元以及上述遮断部件升降单元。上述控制器被编程为执行以下工序：药液处理工序，通过上述药液供给单元朝向保持于上述基板保持单元的基板的图案形成面从上述中央部喷出口喷出药液，来形成覆盖上述图案形成面的药液的液膜，通过将该药液的液膜保持于上述图案形成面，从而使用上述药液的液膜所含的药液来处理上述图案形成面；中间处理工序，在上述药液处理工序之后，在上述图案形成面上保持由上述中间处理液供给单元形成的、覆盖上述图案形成面的中间处理液的液膜，使用上述中间处理液的液膜所含的中间处理液来处理上述图案形成面；填充剂喷出工序，在上述中间处理工序之后，上述填充剂供给单元朝向上述图案形成面从上述填充剂喷嘴喷出填充剂；填充剂扩大工序，通过利用上述基板旋转单元使上述基板绕上述旋转轴线旋转，从而使供给至上述图案形成面的填充剂朝向上述基板的外周扩展；固化膜形成工序，通过利用上述填充剂固化单元使供给至上述图案形成面的填充剂固化，从而在上述图案形成面上形成填充剂的固化膜；下位置配置工序，在开始上述药液处理工序之前，利用上述遮断部件升降单元将上述遮断部件配置在上述下位置，然后，将上述遮断部件维持在上述下位置；以及遮断部件上升工序，在开始上述填充剂扩大工序之前，在上述图案形成面由上述中间处理液的液膜覆盖的状态下，从上述下位置朝向上述上位置开始上述遮断部件的上升。并且，上述填充剂扩大工序包括以下工序：在上述遮断部件位于上述上位置的状态下，开始上述图案形成面上的填充剂的扩大。
根据该结构，由于在遮断部件设有圆筒部，因此在遮断部件位于下位置的状态下，能够实质上遮断图案形成面的上方的空间(以下称为“内部空间”)的气氛与内部空间的外侧的空间的气氛。该情况下，能够将基板与位于下位置的遮断部件之间保持为氧浓度低的状态。
并且，一边使遮断部件位于下位置一边进行使用了药液的药液处理。通过在使内部空间的氧浓度充分下降之后开始使用了药液的药液处理，从而能够在氧浓度低的气氛下，对图案形成面实施使用了药液的药液处理。由此，能够抑制或者防止药液处理中的图案形成面的氧化。
另外，通过朝向图案形成面喷出填充剂，从而向图案形成面供给填充剂，并在图案形成面形成填充剂的液膜。然后，通过使填充剂的液膜固化，来形成填充剂的固化膜。
假如，若在遮断部件位于下位置的状态下开始图案形成面的填充剂的扩大，则有受到基板的旋转产生的离心力而从基板的周缘部飞散的填充剂碰触(碰撞)到遮断部件的圆筒部而向图案形成面再供给的担忧。若向图案形成面再供给填充剂，则有使存在于图案形成面上的填充剂产生紊乱的担忧。该情况下，有使固化膜除去后的基板产生不良状况的担忧。
针对于此，在该实施方式中，在遮断部件位于上位置的状态下开始图案形成面上的填充剂的扩大。在遮断部件位于上位置的状态下，圆筒部的下端位于比图案形成面更靠上方。因此，能够抑制或者防止从基板的周缘部飞散的填充剂碰触到遮断部件的圆筒部而向图案形成面再供给。因此，能够抑制或者防止使存在于图案形成面上的填充剂产生紊乱。由此，能够抑制使固化膜除去后的基板产生不良状况。
另外，在该结构中，在图案形成面由中间处理液的液膜覆盖的状态下开始遮断部件的上升。即，一边由中间处理液的液膜保护图案形成面一边解除内部空间的遮断状态。在遮断状态解除后，图案形成面也由液膜保护。因此，能够可靠地抑制或者防止伴随解除内部空间的遮断状态的图案形成面的氧化。
根据以上所述，能够在固化膜形成之前抑制或者防止图案形成面的氧化，而且能够向图案形成面顺畅地供给填充剂。
在本发明的一个实施方式中，上述药液供给单元包括溶解氧降低单元，该溶解氧降低单元构成为使药液中的溶解氧量降低。
根据该结构，能够使用溶解氧量降低的药液来处理的图案形成面。由此，能够抑制或者防止图案形成面因存在于药液的氧而氧化。由此，能够更加有效地抑制或者防止固化膜形成之前的图案形成面的氧化。
在本发明的一个实施方式中，还包括加热器，该加热器构成为，从与上述图案形成面相反的一侧对保持于上述基板保持单元的基板进行加热。
根据该结构，利用加热器对保持于基板保持单元的基板进行加热。由此，能够使填充剂的液膜所含的填充剂固化。其结果，能够在图案形成面形成填充剂的固化膜。该情况下，一边将基板保持于通用的基板保持单元一边进行填充剂的液膜的形成和填充剂的液膜的固化。因此，不需要在多个腔室间搬运基板，从而能够实现处理的吞吐量的提高。
在本发明的一个实施方式中，上述基板处理装置还包括包围部件，该包围部件包围上述基板保持单元的周围。并且，由位于下位置的遮断部件和包围部件划分出的内部空间相对于该内部空间的外侧的空间被密闭。
根据该结构，在遮断部件位于下位置的状态下，包围部件的内部空间从该内部空间的外侧的空间被密闭。该情况下，可抑制较多含氧的外侧的空间的气氛向包围部件的内部空间的进入。由此，能够容易将遮断部件与基板之间的空间保持为低氧气氛。所以，能够更加有效地抑制或者防止图案形成面的氧化。
通过以下参照附图叙述的实施方式的说明，本发明的上述或者其它目的、特征以及效果会变得清楚。
附图说明
图1是从上方观察本发明的第一实施方式的基板处理装置的示意图。
图2是用于说明上述基板处理装置所配备的液体处理单元的构成例的图解的图。
图3是上述液体处理单元所配备的遮断部件的仰视图。
图4是用于说明上述基板处理装置所配备的烘烤单元的构成例的图解的图。
图5是用于说明上述基板处理装置的主要部分的电结构的框图。
图6是放大表示上述基板处理装置进行的处理对象的基板的图案形成面的剖视图。
图7是用说明在上述液体处理单元中执行的基板处理例的内容的流程图。
图8A是用于说明上述基板处理例的图解的图。
图8B是用于说明与图8A接续的工序的图解的图。
图8C是用于说明与图8B接续的工序的图解的图。
图8D是用于说明与图8C接续的工序的图解的图。
图8E是用于说明与图8D接续的工序的图解的图。
图8F是用于说明与图8E接续的工序的图解的图。
图8G是用于说明与图8F接续的工序的图解的图。
图8H是用于说明与图8G接续的工序的图解的图。
图8I是用于说明与图8H接续的工序的图解的图。
图8J是用于说明与图8I接续的工序的图解的图。
图8K是用于说明与图8J接续的工序的图解的图。
图8L是用于说明与图8K接续的工序的图解的图。
图8M是用于说明与图8L接续的工序的图解的图。
图8N是用于说明与图8M接续的工序的图解的图。
图8O是用于说明与图8N接续的工序的图解的图。
图9是用于说明在上述烘烤单元中执行的基板处理例的内容的流程图。
图10是表示图2所示的药液供给部的具体的结构的图。
图11是用于说明第二实施方式的液体处理单元的构成例的图解的图。
图12是用于说明本发明的变形例的图。
具体实施方式
图1是从上方观察本发明的第一实施方式的基板处理装置1的示意图。
基板处理装置1是逐张处理半导体晶圆等圆板状的基板W的单张处理式装置。基板处理装置1包括：配置在洁净室内的装置主体2；与装置主体2结合的分度器单元3；处理液供给装置；以及控制基板处理装置1的控制器4。
分度器单元3包括：分别保持收纳基板W的多个基板收纳器C的多个装载端口LP；以及用于相对于各基板收纳器C搬运基板W的分度器机器人IR。
装置主体2包括：搬运室5；以及利用处理液、处理气体等处理流体来处理从多个装载端口LP搬运来的基板W的处理单元。多个处理单元6形成有分别配置在水平上分离的多个(例如四个)位置上的多个(例如四个)塔。各塔包括上下层叠的多个(例如三个)处理单元6。六个塔在搬运室5的两侧各配置有三个。
基板处理装置1除了作为搬运机器人的分度器机器人IR以外，还包括第一搬运机器人CR1和第二搬运机器人CR2。第一搬运机器人CR1以及第二搬运机器人CR2配置在搬运室5内。分度器机器人IR在装载端口LP与第一搬运机器人CR1之间搬运基板W。分度器机器人IR包括支撑基板W的机械手。第一搬运机器人CR1在分度器机器人IR与装载端口LP侧的两个塔所包含的处理单元6之间搬运基板W，并且在分度器机器人IR与第二搬运机器人CR2之间搬运基板W。第二搬运机器人CR2在第一搬运机器人CR1与装载端口LP侧的相反侧的四个塔所包含的处理单元6之间搬运基板W。第一搬运机器人CR1以及第二搬运机器人CR2包含支撑基板W的机械手。
多个处理单元6包括：向基板W的图案形成面(表面)Wa供给处理液来利用处理液处理基板W的液体处理单元6A；以及加热基板W来对基板W实施加热处理的烘烤单元(填充剂固化单元)6B。在图1的例子中，装载端口LP侧的两个塔所包含的处理单元6是液体处理单元6B。在图1的例子中，装载端口LP侧的相反侧的四个塔所包含的处理单元6是烘烤单元6A。
图2是用于说明液体处理单元6A的构成例的图解的图。图3是遮断部件9的仰视图。
处理单元6包括：箱形的腔室7；在腔室7内以水平的姿势保持一张基板W并使基板W绕通过基板W的中心的铅垂的旋转轴线A1旋转的旋转吸盘(基板保持单元)8；将保持于旋转吸盘8的基板W的上表面(图案形成面Wa(参照图6))的上方的空间从该空间的外侧的空间的气氛遮断的遮断部件9；在遮断部件9的内部上下插通并用于朝向保持于旋转吸盘8的基板W的上表面的中央部喷出处理液的中央喷嘴10；向中央喷嘴10供给作为药液的一例的氢氟酸的药液供给单元11；向中央喷嘴10供给冲洗液的冲洗液供给单元12；向中央喷嘴10供给作为中间处理液的溶剂的溶媒供给单元13；向中央喷嘴10供给惰性气体的惰性气体供给单元14；向保持于旋转吸盘8的基板W的图案形成面Wa的中央部供给作为中间处理液的一例的溶剂的溶剂供给单元(中间处理液供给单元)15；向保持于旋转吸盘8的基板W的图案形成面Wa的中央部供给液体的填充剂的填充剂供给单元16；以及包围旋转吸盘8的侧方的筒状的处理杯17。
腔室7包括：收纳旋转吸盘8、喷嘴的箱状的隔壁18；从隔壁18的上部向隔壁18内输送清洁空气(由过滤器过滤后的空气)的作为送风单元的FFU(风扇-过滤器-单元)19；以及从隔壁18的下部排出腔室7内的气体的排气管道20。FFU19配置在隔壁18的上方，并安装于隔壁18的顶板。FFU19从隔壁18的顶板向下向腔室7内输送清洁空气(即，包含氧的气氛)。排气管道20与处理杯17的底部连接，朝向设有基板处理装置1的工厂所设置的排气处理设备导出腔室7内的气体。因此，由FFU19以及排气管道20形成在腔室7内向下方流动的下降流(下降流)。基板W的处理以在腔室7内形成有下降流的状态进行。
如图2所示，在该实施方式中，旋转吸盘8是真空吸附式的吸盘。旋转吸盘8吸附支撑基板W的下表面的中央部。旋转吸盘8具备：沿铅垂的方向延伸的下旋转轴21；安装于该下旋转轴21的上端并以水平的姿势吸附保持基板W的下表面的旋转基座22；以及具有与下旋转轴21同轴地结合的旋转轴的旋转马达(基板旋转单元)23。旋转基座22包括具有比基板W的外径更小的外径的水平的圆形的上表面22a。在基板W的背面吸附保持于旋转基座22的状态下，基板W的外周部比旋转基座22的周端缘更向外侧伸出。通过驱动旋转马达23，基板W绕下旋转轴21的中心轴线旋转。
另外，作为旋转吸盘8，并不限于真空吸附式的吸盘，例如，也可以采用在水平方向上夹住基板W并水平保持基板W的夹持式的吸盘。
遮断部件9包括：遮断板26；以及能够与遮断板26一体旋转地设置的上旋转轴27。遮断板26是比基板W的直径大的圆板状。遮断板26包括：以水平的姿势保持的圆板部28；以及从圆板部28的外周部向下方延伸的圆筒部29。圆板部28与圆筒部29同轴。圆板部28配置在比圆筒部29的下端更靠上方。在圆板部28的中央部，形成有上下贯通遮断板26及上旋转轴27的圆筒状的贯通孔。贯通孔的内周壁由圆筒面划分。在贯通孔中，上下插通中央喷嘴10。
遮断板26包括向上凹陷的杯状的内表面。遮断板26的内表面包括：与基板W的上表面的上方对置的基板对置面26a；以及在遮断部件9处于下位置的状态下，与保持于旋转吸盘8上的基板W的外周端对置的内周面26b。圆板部28的下表面相当于基板对置面26a。基板对置面26a是与保持于旋转吸盘8上的基板W的上表面平行的平坦面。
圆筒部29的内周面相当于内周面26b。内周面26b包括从基板对置面26a向斜下方且向外方延伸的环状的内倾斜部。该内倾斜部具有相对于旋转轴线A1的倾斜角连续地变化的圆弧状的剖面。该内倾斜部的剖面向下敞开。内周面26b的内径随着接近内周面26b的下端而增加。内周面26b的下端具有比保持于旋转吸盘8上的基板W的外径更大的内径。
中央喷嘴10沿通过遮断板26以及基板W的中心的铅垂的轴线、即旋转轴线A1在上下方向上延伸。中央喷嘴10配置在旋转吸盘8的上方，并在遮断板26以及上旋转轴27的内部空间插通。中央喷嘴10与遮断板26以及上旋转轴27一起升降。
上旋转轴27能够相对旋转地支撑于在遮断板26的上方水平地延伸的支撑臂31。包括电动马达等的结构的遮断板旋转单元32与遮断板26以及上旋转轴27结合。遮断板旋转单元32使遮断板26以及上旋转轴27相对于支撑臂31绕旋转轴线A1旋转。
另外，包括电动马达、滚珠丝杠等的结构的遮断部件升降单元33与支撑臂31结合。遮断部件升降单元33使遮断部件9(遮断板26以及上旋转轴27)以及中央喷嘴10与支撑臂31一起沿铅垂方向升降。
遮断部件升降单元33使遮断板26在下位置(图2中以虚线示出的位置)与上位置(图2中以实线示出的位置)之间升降，该下位置是基板对置面26a接近保持于旋转吸盘8上的基板W的上表面、而且圆筒部29的下端的高度位于比基板W高度更靠下方的位置，该上位置是比下位置较大地向上方退避的位置。
在遮断部件9位于下位置的状态下，由基板对置面26a以及内周面26b和基板W的上表面(图案形成面Wa)划分出的内部空间SP(以下称为“内部空间SP”。参照图8C等)形成遮断空间。该遮断空间并非完全与其周围的空间隔离，而是在内部空间SP与内部空间SP的外侧的空间(腔室7的内侧、而且内部空间SP的外侧的外部空间)之间几乎没有流体的流通。即，在遮断部件9位于下位置的状态下，内部空间SP的气氛与内部空间SP的外侧的空间的气氛实质上被遮断。
在遮断部件9位于上位置的状态下，如图8I等所示，圆筒部29的下端位于比处于第一以及第二防护件对置状态的处理杯17的上端17a(即，处于上位置的第二防护件84的上端)更靠上方的位置。处理杯17的上端17a的高度位置设置在能够由处理杯17捕获从基板W飞散的液体的位置。
通过以使圆筒部29的下端处于比基板W的图案形成面Wa更靠上方的方式设置遮断部件9的上位置，从而在遮断部件9位于上位置的状态下，抑制或者防止从基板W的周缘部飞散的液体碰触(碰撞)到位于上位置的圆筒部29。而且，通过以使圆筒部29的下端处于比处理杯17的上端17a的靠上方的方式设置遮断部件9的上位置，从而在遮断部件9位于上位置的状态下，能够更加可靠地防止从基板W的周缘部飞散的液体碰触(碰撞)到位于上位置的圆筒部29。
中央喷嘴10包括：在贯通孔的内部上下延伸的圆柱状的外壳40；以及分别在外壳40的内部上下插通的第一喷嘴配管41、第二喷嘴配管46、第三喷嘴配管51以及第四喷嘴配管56。第一喷嘴配管41、第二喷嘴配管46、第三喷嘴配管51以及第四喷嘴配管56分别是内管。
如图3所示，第一喷嘴配管41的下端在外壳40的基板对置面40a开口，形成第一喷出口(中央部喷出口)41a。向第一喷嘴配管41供给来自药液供给单元11的药液。
如图2所示，药液供给单元11包括：与第一喷嘴配管41的上游端侧连接的药液配管42；夹装于药液配管42的中途部的药液阀43；以及调整药液配管42的开度的第一流量调整阀44。从药液供给部(溶解氧降低单元)150向药液配管42供给溶解氧量降低后的(溶解氧浓度低)药液。第一流量调整阀44也可以是包括在内部设有阀座的阀主体、开闭阀座的阀芯、以及使阀芯在打开位置与关闭位置之间移动的促动器的结构。其它流量调整阀也是同等的结构。
若打开药液阀43，则从第一喷出口41a朝向下方喷出液体的溶剂。若关闭药液阀43，则来自第一喷出口41a的药液的喷出停止。通过第一流量调整阀44来调整来自第一喷出口41a的药液的喷出流量。药液能够例示氢氟酸(稀氢氟酸)、缓冲氢氟酸(BufferedHF：氢氟酸与氟化铵的混合液)、FOM(氢氟酸臭氧)、FPM(氢氟酸过氧化氢水混合液)、SC1(氨、过氧化氢水混合液)、SC2(盐酸、过氧化氢水混合液)、SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxidemixture：硫酸过氧化氢水混合液)以及聚合物除去液等。包含氢氟酸的药液(氢氟酸、缓冲氢氟酸、FOM、FPM等)适合作为除去氧化膜(氧化硅膜)的蚀刻液。
就向药液配管42供给的氢氟酸而言，为了防止氢氟酸中的氧对图案形成面Wa的氧化，充分降低了溶解氧量。通过药液供给部150的脱气而溶解氧量降低后的药液供给至药液配管42。
如图3所示，第二喷嘴配管46的下端在外壳40的基板对置面40a开口，形成第二喷出口(中央部喷出口)46a。向第二喷嘴配管46供给来自冲洗液供给单元12的冲洗液。
如图2所示，冲洗液供给单元12包括：与第二喷嘴配管46的上游端侧连接的冲洗液配管47；夹装于冲洗液配管47的中途部的冲洗液阀48；以及调整冲洗液配管47的开度的第二流量调整阀49。若打开冲洗液阀48，则从第二喷出口46a朝向下方喷出冲洗液。若关闭冲洗液阀48，则来自第二喷出口46a的冲洗液的喷出停止。通过第二流量调整阀49来调整来自第二喷出口46a的冲洗液的喷出流量。
冲洗液是水。水例如是脱离子水(DIW)，但并不限于DIW，也可以是碳酸水、电解离子水、氢水、臭氧水、氨水以及稀释浓度(例如10ppm～100ppm左右)的盐酸水的任一种。
如图3所示，第三喷嘴配管51的下端在外壳40的基板对置面40a开口，形成第三喷出口(中央部喷出口)51a。向第三喷嘴配管51供给来自溶剂供给单元15的溶剂。
如图2所示，溶剂供给单元15包括：与第三喷嘴配管51的上游端侧连接的溶剂配管52；夹装于溶剂配管52的中途部的溶剂阀53；以及调整溶剂配管52的开度的第三流量调整阀54。若打开溶剂阀53，则从第三喷出口51a朝向下方喷出溶剂。若关闭溶剂阀53，则来自第三喷出口51a的溶剂的喷出停止。通过第三流量调整阀54来调整来自第三喷出口51a的溶剂的喷出流量。向溶剂配管52供给的溶剂相对于由填充剂供给单元16供给的填充剂具有可溶性(混溶性)。即，溶剂相对于填充剂具有可溶性(混溶性)。在向图案形成面Wa供给填充剂之前，溶剂用作向图案形成面Wa供给的中间处理液。
在后述的基板处理例中，在向图案形成面Wa供给冲洗液(水)后、且在向图案形成面Wa供给填充剂之前，向图案形成面Wa供给溶剂。因此，希望溶剂也相对于冲洗液也具有可溶性(混溶性)。
向溶剂配管52供给的溶剂的具体例是例如以IPA(isopropyl alcohol)为代表的有机溶剂。作为这样的有机溶剂，除了IPA以外，例如能够例示甲醇、乙醇、丙酮、EG(乙二醇)、HFE(氢氟醚)、正丁醇、叔丁醇、异丁醇以及2－丁醇。另外，作为有机溶剂，并非仅由单体成分的情况，也可以是与其它成分混合的液体。另外，也能够使用有机溶剂以外的溶剂。
如图3所示，第四喷嘴配管56的下端在外壳40的基板对置面40a开口，形成第四喷出口(惰性气体喷出口)56a。向第四喷嘴配管56供给来自惰性气体供给单元14的惰性气体。
如图2所示，惰性气体供给单元14包括：与第四喷嘴配管56的上游端侧连接的惰性气体配管57；夹装于惰性气体配管57的中途部的惰性气体阀58；以及调整惰性气体配管57的开度的第四流量调整阀59。若打开惰性气体阀58，则从第四喷出口56a朝向下方喷出(吹出)惰性气体。若关闭惰性气体阀58，则来自第四喷出口56a的惰性气体的喷出停止。通过第四流量调整阀59来调整来自第四喷出口56a的惰性气体的喷出流量。惰性气体例如包括氮气、氩气。
如图2所示，溶剂供给单元15包括：溶剂喷嘴61；在前端部安装有溶剂喷嘴61的喷嘴臂62；以及通过使喷嘴臂62移动来使溶剂喷嘴61移动的喷嘴移动单元63。喷嘴移动单元63通过使喷嘴臂62绕铅垂方向延伸的摇摆轴线水平移动，从而使溶剂喷嘴61水平移动。喷嘴移动单元63是包括马达等的结构。喷嘴移动单元63使溶剂喷嘴61在处理位置与退避位置之间水平移动，该处理位置是从溶剂喷嘴61喷出的溶剂着落于图案形成面Wa的位置，该退避位置俯视时设定于基板W外的位置。换言之，处理位置是向图案形成面Wa供给从溶剂喷嘴61喷出的溶剂的位置。
溶剂供给单元15包括：向溶剂喷嘴61引导溶剂的溶剂配管64；以及开闭溶剂配管64的溶剂阀65。若打开溶剂阀65，则来自溶剂供给源的溶剂从溶剂配管64供给至溶剂喷嘴61。由此，从溶剂喷嘴61喷出溶剂。向溶剂配管64供给的溶剂与向溶剂配管52供给的溶剂种类相同。
如图2所示，填充剂供给单元16包括：具有喷出口66a的填充剂喷嘴66；以喷出口66a朝向下方的状态在前端部安装有填充剂喷嘴66的喷嘴臂67；以及通过使喷嘴臂67移动来使填充剂喷嘴66移动的喷嘴移动单元68。喷嘴移动单元68通过使喷嘴臂67绕沿铅垂方向延伸的摇摆轴线水平移动，从而使填充剂喷嘴66水平移动。即，能够使填充剂喷嘴66沿保持于旋转吸盘8上的基板W的图案形成面Wa移动。喷嘴移动单元68是包括马达等的结构。喷嘴移动单元68使填充剂喷嘴66在处理位置(在后述的基板处理例中为中央部)与退避位置之间水平移动，该处理位置是从填充剂喷嘴66喷出的填充剂着落于图案形成面Wa的位置，该退避位置是俯视时设定于基板W外的位置。
填充剂供给单元16包括：向填充剂喷嘴66引导填充剂的填充剂配管(填充剂供给单元)69；以及开闭填充剂配管69的填充剂阀(填充剂供给单元)70。若打开填充剂阀70，则来自填充剂供给源的填充剂从填充剂配管69供给至填充剂喷嘴66。由此，从填充剂喷嘴66的喷出口66a朝向下方喷出填充剂。向填充剂配管69供给的填充剂例如含有丙烯树脂等聚合物。并且，向填充剂配管69供给的填充剂是使作为溶质的聚合物溶解于例如水、有机溶剂等溶媒而成的溶液。
如图2所示，处理杯17配置在比保持于旋转吸盘8上的基板W更靠外方(远离旋转轴线A1的方向)。
以下，主要对处理杯17的结构进行说明。除了图2以外，还适当地参照图8A对处理杯17进行说明。
处理杯17包括：圆筒部件80；在圆筒部件80的内侧包围旋转吸盘8的周围的多个杯(第一杯81、第二杯82)；承接飞散到基板W的周围的处理液(药液、冲洗液、溶剂、填充剂等)的多个防护件(第一防护件83、第二防护件84)；以及多个防护件(第一防护件83、第二防护件84)单独地升降的防护件升降单元85。处理杯17配置在比保持于旋转吸盘8上的基板W的外周更靠外侧(远离旋转轴线A1的方向)。
各杯(第一杯81、第二杯82)是圆筒状(圆环状)，并包围旋转吸盘8的周围。外侧的第二杯82配置在比内侧的第一杯81更靠外侧。各杯(第一杯81、第二杯82)形成向上敞开的环状的槽。
在第一杯81的槽连接有排液配管86。导入到第一杯81的槽的处理液(药液或者冲洗液)通过排液配管86输送至机外的排液处理设备，在该排液处理设备进行排液处理。
在第二杯82的槽连接有配管87。在配管87连接有回收溶剂的溶剂回收配管88、用于排出溶剂的溶剂排液配管89、以及用于排出填充剂的填充剂排液配管90。在溶剂回收配管88夹装有开闭溶剂回收配管88的溶剂回收阀91。在溶剂排液配管89夹装有开闭溶剂排液配管89的溶剂排液阀92。在填充剂排液配管90夹装有开闭填充剂排液配管90的填充剂排液阀93。通过在关闭溶剂排液阀92以及填充剂排液阀93的状态下打开溶剂回收阀91，从而流动于配管87中的液体被引导至溶剂回收配管88。通过在关闭溶剂回收阀91以及填充剂排液阀93的状态下打开溶剂排液阀92，从而流动于配管87中的液体被引导至溶剂排液配管89。通过在关闭溶剂回收阀91以及溶剂排液阀92的状态下打开填充剂排液阀93，从而流动于配管87中的液体被引导至填充剂排液配管90。
内侧的第一防护件83包围旋转吸盘8的周围，具有相对于旋转吸盘8的基板W的旋转轴线A1大致旋转对称的形状。第一防护件83包括：包围旋转吸盘8的周围的圆筒状的下端部94；从下端部94的上端向外方(远离基板W的旋转轴线A1的方向)延伸的筒状部95；从筒状部95的上表面外周部向铅垂上方延伸的圆筒状的中段部96；以及从中段部96的上端朝向内方(接近基板W的旋转轴线A1的方向)向斜上方延伸的圆环状的倾斜部97。下端部94位于第一杯81的槽上，在第一防护件83与第一杯81最接近的状态下，收纳在第一杯81的槽的内部。第一防护件83的内周端83a(倾斜部97的前端)在俯视时构成为直径比保持于旋转吸盘8上的基板W的直径更大的圆形。另外，如图2等所示，倾斜部97的剖面形状为直线状。
外侧的第二防护件84在第一防护件83的外侧包围旋转吸盘8的周围，具有相对于旋转吸盘8的基板W的旋转轴线A1大致旋转对称的形状。第二防护件84具有：与第一防护件83同轴的圆筒部98；以及从圆筒部98的上端向中心侧(接近基板W的旋转轴线A1的方向)斜上方延伸的倾斜部99。第二防护件84的内周端84a(倾斜部99的前端)在俯视时构成为直径比保持于旋转吸盘8上的基板W的直径更大的圆形。倾斜部99的剖面形状为直线状。
圆筒部98位于第二杯82的槽上。另外，倾斜部99设为与第一防护件83的倾斜部97在上方重叠。在第一防护件83与第二防护件84最接近的状态下，在倾斜部99与倾斜部97之间保留有微小的间隙。
在各倾斜部97、99的前端(各防护件(第一防护件83、第二防护件84))的内周端，形成有朝向下方折弯的折回部97a、99a。
通过防护件升降单元85的驱动，各防护件(第一防护件83、第二防护件84)在上位置与下位置之间升降。
在第一防护件83位于上位置时，倾斜部97的前端位于比基板W的上表面更靠上方。在第一防护件83位于下位置时，倾斜部97的前端位于比基板W的上表面更靠下方。在第二防护件84位于上位置时，倾斜部99的前端位于比基板W的上表面更靠上方。在第二防护件84位于下位置时，倾斜部99的前端位于比基板W的上表面更靠下方。
向基板W的处理液(药液、冲洗液、溶剂、填充剂等)的供给、基板W的干燥是在任意的防护件(第一防护件83、第二防护件84)与基板W的侧方对置的状态进行的。
为了实现第一防护件83与基板W的侧方对置的状态，将两个防护件(第一防护件83、第二防护件84)全部配置在上位置。在第一防护件对置状态下，从处于旋转状态的基板W的周缘部排出的处理液全部由第一防护件83承接。
另外，为了实现第二防护件84与基板W的侧方对置的状态(以下有时称为“第二防护件对置状态”)，将第一防护件83配置在下位置，并将第二防护件84配置在上位置。在第二防护件对置状态下，从处于旋转状态的基板W的周缘部排出的处理液全部由第二防护件84承接。
图4是用于说明基板处理装置1所配备的烘烤单元6B的构成例的图解的图。
烘烤单元6B包括腔室111和热板112。热板112具有上表面112a。热板112从下方接触支撑基板W的下表面，而且通过上表面112a从下方加热基板W。在热板112内置有内置加热器113。内置加热器113是产生焦耳热的加热器，例如是通过通电而发热的电热丝。热板112的上表面112a的温度在面内均匀。基板W的下表面通过来自热板112的辐射热被均匀地加热。通过由热板112加热基板W，从而使供给至图案形成面Wa的填充剂固化，能够形成填充剂的固化膜SF(固化膜形成工序)。
烘烤单元6B还包括用于使基板W升降的升降单元114。升降单元114还包括：使基板W相对于热板112升降的多根(例如三根)升降销115；支撑多根升降销115的通用的支撑部件116；以及与升降销115结合的升降销升降单元117。升降销升降单元117由气缸等构成。
图5是用于说明基板处理装置1的主要部分的电结构的框图。
控制器4例如使用微型计算机构成。控制器4具有CPU等运算单元、固定存储设备、硬盘驱动器等存储单元、以及输入输出单元。在存储单元存储有运算单元执行的程序。
另外，在控制器4连接有旋转马达23、喷嘴移动单元63、68、遮断部件升降单元33、遮断板旋转单元32以及防护件升降单元85等，作为控制对象。控制器4根据预先确定的程序，控制旋转马达23、喷嘴移动单元63、68、遮断部件升降单元33、遮断板旋转单元32以及防护件升降单元85等的动作。
另外，控制器4根据预先确定的程序，开闭药液阀43、冲洗液阀48、溶剂阀53、惰性气体阀58、溶剂阀65、填充剂阀70、溶剂回收阀91、溶剂排液阀92、填充剂排液阀93等。
另外，控制器4根据预先确定的程序，调整第一流量调整阀44、第二流量调整阀49、第三流量调整阀54、第四流量调整阀59等的开度。
以下，对处理在图案形成面Wa形成有图案的基板W的情况进行说明。
图6是放大表示基板处理装置1进行的处理对象的基板W的图案形成面Wa的剖视图。处理对象的基板W例如是硅晶圆，在其图案形成面Wa形成有图案100。图案100例如是细微图案。如图6所示，图案100也可以是以行列状配置具有凸形状(柱状)的构造体101的图案。该情况下，构造体101的线宽W1例如设为10nm～45nm左右，图案100的间隙W2例如设为10nm～数μm左右。图案100的膜厚T例如为1μm左右。另外，图案100例如长宽比(膜厚T相对于线宽W1的比)例如也可以为5～500左右(典型地为5～50左右)。
另外，图案100也可以是由细微的沟槽形成的线状的图案反复排列而成的图案。另外，图案100也可以通过在薄膜上设置多个细微孔(空隙(void)或者孔隙(pore))而形成。
图案100例如包含绝缘膜。另外，图案100也可以包含导体膜。更具体而言，图案100由层叠多个膜而成的层叠膜形成，并且也可以包含绝缘膜和导体膜。图案100也可以是由单层膜构成的图案。绝缘膜也可以是氧化硅膜(SiO2膜)、硅氮化膜(SiN膜)。另外，导体膜也可以是导入用于低阻化的杂质的非晶硅膜，也可以是金属膜(例如金属配线膜)。
另外，图案100也可以是亲水性膜。作为亲水性膜，能够例示TEOS膜(氧化硅膜的一种)。
图7是用于说明在液体处理单元6A执行的基板处理例的内容的流程图。图8A～8O是说明上述基板处理例的示意性的图。
参照图1～图7，对上述基板处理例进行说明。适当地参照图8A～8O。
首先，向腔室7的内部搬入未处理的基板W(例如直径300mm的圆形基板)(图7的步骤S1)。未处理的基板W经由分度器机器人IR以及第一搬运机器人CR1而从基板收纳器C交接到第二搬运机器人CR2。并且，通过第二搬运机器人CR2向腔室7内搬入基板W，基板W以其图案形成面Wa朝向上方的状态交接到旋转吸盘8。然后，通过吸附支撑基板W的下表面(与图案形成面相反侧的背面)中央部，从而如图8A，由旋转吸盘8保持基板W(基板保持工序)。
基板W向腔室7的搬入是在防护件(第一防护件83以及第二防护件84)配置在下位置的状态、溶剂喷嘴61以及填充剂喷嘴66退避到退避位置的状态、而且遮断部件9退避到上位置的状态下进行的。
第二搬运机器人CR2退避到液体处理单元6A外之后，控制器4控制遮断部件升降单元33，使遮断部件9下降，如图8B所示，配置在下位置。由此，基板对置面26a与基板W的上表面之间的内部空间SP成为遮断空间(图7的步骤S2：遮断部件降下、下位置配置工序)。
另外，控制器4通过控制防护件升降单元85使第一防护件83以及第二防护件84上升至上位置，从而使第一防护件83与基板W的侧方对置。由此，实现第一防护件对置状态。
接着，控制器4控制旋转马达23使旋转基座22的旋转速度上升至预定的液体处理速度(在10～1200rpm的范围内，例如1000rpm)，并维持在液体处理速度(图7的步骤S3：基板W旋转开始)。伴随旋转基座22的旋转，基板W绕旋转轴线A1旋转。
另外，控制器4控制遮断板旋转单元32，使遮断板26绕旋转轴线A1旋转。遮断板26也可以与基板W同步旋转。同步旋转是指以相同的旋转速度向相同的旋转方向旋转。
另外，控制器4打开惰性气体阀58。由此，如图8B所示，从中央喷嘴10(第四喷嘴配管56)的第四喷出口56a朝向下方(即朝向图案形成面Wa的中央部)喷出惰性气体(惰性气体供给工序)。此时的惰性气体的喷出流量例如为20～100(升/分)，优选为55(升/分)。由于向内部空间SP供给这样的大流量的惰性气体，因此内部空间SP内的气氛成为低氧浓度状态。从第四喷出口56a喷出的惰性气体在图案形成面Wa与遮断部件9的基板对置面26a之间的内部空间SP沿图案形成面Wa扩展。由此，内部空间SP被惰性气体充满，从而实现内部空间SP的气氛中的氧浓度的降低。
若经过内部空间SP足以置换成惰性气体的时间，而且基板W的旋转达到液体处理速度，则如图8C所示，控制器4开始执行使用作为药液的一例的氢氟酸来处理图案形成面Wa的药液处理工序(图7的步骤S4)。
在该药液处理工序(图7的步骤S4)中，控制器4打开药液阀43。由此，朝向旋转状态的基板W的图案形成面Wa的中央部从中央喷嘴10(第一喷嘴配管41)的第一喷出口41a朝向图案形成面Wa的中央部喷出氢氟酸(药液供给工序)。此时的氢氟酸的喷出流量例如为2(升/分)。作为向图案形成面Wa供给的氢氟酸，使用溶解氧量充分降低的氢氟酸。由此，在药液处理工序(图7的S4)中，能够抑制或者防止图案形成面Wa因氢氟酸的溶解氧而氧化。
供给至图案形成面Wa的氢氟酸受到基板W的旋转产生的离心力而向基板W的周缘部移动。由此，在图案形成面Wa形成覆盖图案形成面Wa的整个区域的氢氟酸的液膜LF1。图案形成面Wa由氢氟酸覆盖。通过氢氟酸的液膜LF1所含的氢氟酸与图案形成面Wa接触，从而使用氢氟酸对图案形成面Wa进行处理。具体而言，形成于图案形成面Wa的自然氧化膜(氧化硅膜)由氢氟酸除去。
移动到基板W的周缘部的氢氟酸从基板W的周缘部朝向基板W的侧方飞散。从基板W的周缘部排出的氢氟酸由遮断部件9的内周面26b承接后，从遮断板26的圆筒部29的下端部朝向侧方飞散。从圆筒部29飞散的氢氟酸被第一防护件83的内壁承接，沿第一防护件83的内壁流下，并经由第一杯81以及排液配管86输送到机外的排液处理设备。
在药液处理工序(图7的步骤S4)中，连续地进行惰性气体的供给。另外，在内部空间SP的外侧的空间，存在含有氧的气氛。然而，由于遮断部件9配置在下位置，在内部空间SP与内部空间SP的外侧的空间之间几乎没有流体的流通。即，在遮断部件9位于下位置的状态下，内部空间SP的气氛与外侧的空间的气氛(含有氧)实质上被遮断。
由此，能够抑制或者防止外侧的空间的气氛(含有氧的气氛)向内部空间SP的进入，所以，在药液处理工序(图7的步骤S4)中，能够将内部空间SP内的气氛保持为低氧浓度。
若从氢氟酸的喷出开始经由预先确定的期间，则控制器4关闭药液阀43，停止来自中央喷嘴10(第一喷嘴配管41)的氢氟酸的喷出。由此，药液处理工序(图7的步骤S4)结束。
接着，如图8D所示，控制器4执行用于将基板W上的氢氟酸置换成冲洗液并从基板W上排除氢氟酸的冲洗工序(图7的步骤S5。)。具体而言，控制器4一边将基板W以及遮断板26的旋转维持为液体处理速度，一边打开冲洗液阀48。由此，朝向旋转状态的基板W的图案形成面Wa的中央部从中央喷嘴10(第二喷嘴配管46)的第二喷出口46a喷出冲洗液。供给至基板W的上表面中央部的冲洗液受到基板W的旋转产生的离心力而向基板W的周缘部移动。由此，在图案形成面Wa形成覆盖图案形成面Wa的整个区域的冲洗液的液膜LF2。图案形成面Wa由冲洗液覆盖，从而附着在图案形成面Wa的氢氟酸被冲洗液冲洗掉。
移动到基板W的周缘部的冲洗液从基板W的周缘部朝向基板W的侧方飞散。从基板W的周缘部排出的冲洗液由遮断部件9的内周面26b承接后，从遮断板26的圆筒部29的下端部朝向侧方飞散。从圆筒部29飞散的冲洗液被第一防护件83的内壁承接，沿第一防护件83的内壁流下，并经由第一杯81以及排液配管86输送到机外的排液处理设备。
若从冲洗液的供给开始经过预先确定的期间，则在图案形成面Wa的整个区域被冲洗液覆盖的状态下，控制器4一边继续进行冲洗液的喷出，一边控制旋转马达23以及遮断板旋转单元32，使基板W以及遮断板26的旋转速度从液体处理速度阶段性地减速至浸液速度(零或者40rpm以下的低旋转速度。在该基板处理例中，例如为10rpm)。然后，将基板W的旋转速度维持为该浸液速度(浸液冲洗工序(图7的步骤S6))。由此，如图8E所示，在图案形成面Wa上覆盖其整个区域的冲洗液的液膜LF2以浸液状支撑。在该状态下，作用于冲洗液的液膜LF2的离心力比作用于冲洗液与基板W的上表面之间的表面张力小、或者上述的离心力与上述的表面张力几乎对等。通过基板W的减速，作用于基板W上的冲洗液的离心力减弱，从基板W上排出的冲洗液的量减少。由此，保持在图案形成面Wa上的冲洗液的液膜LF2的厚度变大。
若从将基板W的旋转速度减速到浸液速度起经过预先确定的期间，则控制器4一边将基板W的旋转维持为浸液速度一边关闭冲洗液阀48。由此，如图8F所示，来自中央喷嘴10(第二喷嘴配管46)的冲洗液的喷出停止。由此，保持在图案形成面Wa上的冲洗液的液膜LF2整体地偏靠中央部，能够使冲洗液的液膜LF2的膜厚充分厚(液体积存工序(图7的步骤S7))。由此，能够可靠地抑制或者防止图案形成面Wa的氧化。由于在低氧气氛下进行，因此能够更加可靠地抑制或者防止图案形成面Wa的氧化。
若从冲洗液的喷出停止起经过预先确定的期间，则接下来如图8G所示，控制器4开始执行置换工序(图7的步骤S8。溶剂处理工序、中间处理工序)。置换工序(图7的步骤S8)是将基板W上的冲洗液置换成相对于填充剂的可溶性(混溶性)高的溶剂(在该例中为IPA)的工序。有时根据填充剂的种类而在与冲洗液之间没有可溶性(混溶性)。通过将覆盖图案形成面Wa的冲洗液的液膜LF2置换成在与填充剂之间具有可溶性(混溶性)那样的溶剂，从而能够顺畅地执行填充剂涂敷工序(图7的步骤S9)以后的工序。
具体而言，控制器4控制防护件升降单元85，使处于第一防护件对置状态的处理杯17的第一防护件83下降至下位置，从而使第二防护件84与基板W的侧方对置。由此，实现第二防护件对置状态。即，在遮断部件9位于下位置、而且实现了第二防护件对置状态的状态下，执行置换工序(图7的S8)。
具体而言，控制器4一边将基板W的旋转速度维持为浸液速度，一边打开溶剂阀53。由此，朝向旋转状态的基板W的图案形成面Wa的中央部从中央喷嘴10(第三喷嘴配管51)的第三喷出口51a喷出作为溶剂的一例的IPA(中间处理液供给工序)。此时，来自第三喷出口51a的IPA的喷出流量例如设定为300(毫升/分)。由此，冲洗液的液膜LF2所含的冲洗液依次置换成IPA。由此，在图案形成面Wa，覆盖基板W的上表面整个区域的IPA的液膜(中间处理液的液膜)LF3保持为浸液状。由于将膜厚充分厚的冲洗液的液膜LF2的冲洗液置换成IPA并形成IPA的液膜LF3，因此IPA的液膜LF3的膜厚也充分厚。由此，能够可靠地抑制或者防止图案形成面Wa的氧化。由于在低氧气氛下进行，因此能够更加可靠地抑制或者防止图案形成面Wa的氧化。
从基板W的周缘部排出冲洗液以及IPA。从基板W的周缘部排出的冲洗液以及IPA被第二防护件84的内壁承接，沿第二防护件84的内壁流下，被第二杯82承接。在置换工序(图7的步骤S8)中，在关闭了溶剂回收阀91以及填充剂排液阀93的状态下，打开溶剂排液阀92。由此，被第二杯82承接的冲洗液以及IPA经由配管87被引导至溶剂排液配管89。排出由第二杯82承接的液体的理由并不是该液体仅为IPA，而是大量包含冲洗液。
若从IPA的喷出开始经过预先确定的期间(足以将液膜完全置换成IPA的期间)，则如图8H所示，控制器4控制遮断部件升降单元33，使遮断部件9朝向设定于比下位置靠上方而且比上位置靠下方的中间位置上升，并保持在该中间位置(中间位置配置工序)。中间位置是遮断部件9的圆筒部29的下端成为与位于上位置的第二防护件84的上端相同高度位置那样的、遮断部件9的高度位置。另外，控制器4关闭溶剂排液阀92，而且打开溶剂回收阀91。由此，配管87的流通目的地切换为溶剂回收配管88。另外，控制器4控制遮断板旋转单元32，使位于中间位置的遮断部件9(遮断板26)加速至预定的高速(例如500rpm)。
在遮断部件9位于下位置的状态下执行的置换工序(图7的步骤S8)中，有时在圆筒部29附着有IPA。通过一边使遮断部件9位于中间位置一边使遮断板26高速旋转，能够甩掉附着于圆筒部29的IPA。
另外，处理杯17的上端17a(即，位于上位置的第二防护件84的上端)设置为与位于中间位置的遮断部件9(遮断板26)的圆筒部29的下端相同的高度。因此，能够由处理杯17良好地捕获通过遮断部件9的旋转而从圆筒部29甩掉的IPA。
从基板W的周缘部排出IPA。从基板W的周缘部排出的IPA被第二防护件84的内壁承接，沿第二防护件84的内壁流下，并经由第二杯82以及配管87被引导至溶剂回收配管88。
若从遮断部件9的上升起经过预先确定的期间，则如图8I所示，控制器4控制遮断部件升降单元33，使遮断部件9从中间位置朝向上位置上升(遮断部件上升工序)。遮断部件9上升到上位置之后，保持在上位置。另外，控制器4关闭溶剂阀53以及惰性气体阀58。由此，来自中央喷嘴10的IPA以及惰性气体的喷出停止。另外，控制器4控制遮断板旋转单元32，使遮断板26的旋转停止。另外，控制器4关闭溶剂回收阀91，而且打开填充剂排液阀93。由此，配管87的流通目的地切换为填充剂排液配管90。
通过遮断部件9从中间位置上升，从而解除内部空间SP的遮断状态。遮断部件9的上升(遮断状态的解除)是在图案形成面Wa由IPA的液膜LF3覆盖的状态下进行的。即，一边由IPA的液膜LF3保护图案形成面Wa一边解除内部空间SP的遮断状态。由此，可靠地抑制或者防止这以后的图案形成面Wa的氧化。
另外，如图8I所示，控制器4控制喷嘴移动单元63，使溶剂喷嘴61进入到位于上位置的遮断部件9的基板对置面26a与图案形成面Wa之间，将溶剂喷嘴61配置在与图案形成面Wa的中央部对置的位置。在溶剂喷嘴61配置在与图案形成面Wa的中央部对置的位置之后，控制器4打开溶剂阀65。由此，如图8I所示，从溶剂喷嘴61喷出溶剂。
在遮断部件9的上升后，向图案形成面Wa供给来自溶剂喷嘴61的溶剂，来代替来自中央喷嘴10的溶剂。其结果，在图案形成面Wa上良好地保持IPA的液膜LF3。即，图案形成面Wa继续由IPA覆盖。因此，遮断部件9上升后也不会产生IPA向图案形成面Wa上的断流。
从基板W的周缘部排出IPA。从基板W的周缘部排出的IPA被第二防护件84的内壁承接，沿第二防护件84的内壁流下，并经由第二杯82以及配管87被引导至溶剂回收配管88。
若从来自溶剂喷嘴61的溶剂的喷出开始经过预先确定的期间，则控制器4关闭溶剂阀65。由此，置换工序(图7的步骤S8)结束。控制器4控制喷嘴移动单元63，使溶剂喷嘴61返回退避位置。
接着，控制器4执行在图案形成面Wa涂敷填充剂的填充剂涂敷工序(图7的步骤S9)。填充剂涂敷工序(图7的步骤S9)包括填充剂喷出工序和填充剂扩大工序。
具体而言，在置换工序(图7的步骤S8)结束后，控制器4立即控制喷嘴移动单元68，如图8J所示，使填充剂喷嘴66进入到位于上位置的遮断部件9的基板对置面26a与图案形成面Wa之间，将填充剂喷嘴66配置在与图案形成面Wa的中央部对置的位置。另外，控制器4控制旋转马达23，使基板W以能够在基板W的中央部形成填充剂芯的填充剂芯速度(50～200rpm。例如100rpm)旋转，并维持为该填充剂芯速度。在此，填充剂芯是指，供给至基板W的图案形成面Wa的填充剂在基板W的中央部(特别是旋转中心附近)形成的、比基板W的直径小的圆形的液体积存部。在填充剂喷嘴66配置在与图案形成面Wa的中央部对置的位置之后，控制器4打开填充剂阀70，如图8J所示，从填充剂喷嘴66的喷出口66a朝向图案形成面Wa的中央部喷出液体的填充剂(聚合物)(填充剂喷出工序)。
填充剂所含的聚合物价格高昂。另外，供给至图案形成面Wa的填充剂中未用于图案100的构造体101间的填充的填充剂被排出(废弃)。由此，供给至图案形成面Wa的填充剂优选尽可能为少量。在该基板处理例中，来自填充剂喷嘴66的填充剂(聚合物)的喷出流量例如为0.8毫升/秒，因此非常少。即，填充剂喷出工序中的来自填充剂喷嘴66的填充剂的喷出流量比药液处理工序(图7的步骤S4)中的氢氟酸向图案形成面Wa的供给流量、冲洗液处理工序(图7的步骤S5)中的冲洗液向图案形成面Wa的供给流量、以及置换工序(图7的步骤S8)中的IPA向图案形成面Wa的供给流量少。另外，喷出流量的累计即合计供给量例如也是0.8～5.0毫升，因此为少量。从填充剂喷嘴66喷出的填充剂滞留在膜厚充分厚的IPA的液膜LF3的上表面的旋转中心附近。
在填充剂喷出工序结束后，控制器4立即控制旋转马达23，将基板W的旋转加速至高速度(在1500～3000rpm的范围内，例如2500rpm)，并维持为该高速度(高速旋转工序)。该高速度是步骤S4～步骤S8中的比基板W的旋转速度高的旋转速度。通过基板W的高速度的旋转，至此滞留在IPA的液膜LF3的上表面的旋转中心附近的填充剂受到基板W的旋转产生的离心力，向图案形成面Wa的整个区域扩展(填充剂扩大工序)。其结果，如图8K所示，在图案形成面Wa，在IPA的液膜LF3的上表面层叠有填充剂的液膜LF4。也可以与填充剂喷出工序并行地进行基板W的高速度的旋转。
IPA以及填充剂(主要是IPA)从基板W的周缘部朝向侧方飞散。从基板W的周缘部飞散的IPA以及填充剂被第二防护件84的内壁承接，沿第二防护件84的内壁流下，并经由第二杯82以及配管87被引导至填充剂排液配管90。
若从基板W的加速开始经过预先确定的期间(例如2～3秒间)，则填充剂扩大工序结束，由此，填充剂涂敷工序(图7的步骤S9)结束。
填充剂涂敷工序(图7的步骤S9)结束后，控制器4立即控制旋转马达23，如图8L所示，将基板W的旋转控制在第一旋离速度(在500～2000rpm的范围内，例如2000rpm)，并维持为该第一旋离速度(图7的步骤S10；第一旋离工序)。
在第一旋离工序(图7的步骤S10)中，通过使基板W以第一旋离速度旋转，从而从图案形成面Wa甩掉并除去多余的填充剂。由此，填充剂的液膜LF4的厚度调整成所望厚度。
IPA以及填充剂从基板W的周缘部朝向侧方飞散。从基板W的周缘部飞散的IPA以及填充剂被第二防护件84的内壁承接，沿第二防护件84的内壁流下，并经由第二杯82以及配管87被引导至填充剂排液配管90。
若从第一旋离工序(图7的步骤S10)开始经过预先确定的期间，则第一旋离工序(图7的步骤S10)结束。
接着，执行用于使向图案形成面Wa的整个区域扩展的填充剂下沉的填充剂下沉工序(图7的步骤S11)。具体而言，控制器4控制旋转马达23，使基板W的旋转速度下降到低速度(100rpm以下。例如10rpm)，并维持为该低速度。由此，基板W以低速度旋转。通过基板W的旋转速度较大地下降，从而作用于基板W的离心力下降。并且，根据填充剂与IPA的比重差，存在于IPA的液膜LF3的上表面的填充剂下沉。由此，填充剂的液膜LF4下沉，如图8M所示，形成于图案形成面Wa上的图案100被填充剂的液膜LF4覆盖。并且，在图案100中彼此相邻的构造体101之间的凹部填充有填充剂。
若从基板W减速开始经过预先确定的期间(在图案100中，足以在彼此相邻的构造体101之间填充填充剂的期间)，则填充剂下沉工序(图7的S11)结束。接着，执行用于调整填充剂的液膜LF4的厚度的第二旋离工序(图7的步骤S12)。
具体而言，在第二旋离工序(图7的步骤S12)中，控制器4控制旋转马达23，将基板W的旋转加速至第二旋离速度(在500～2500rpm的范围内，例如1500rpm)，并维持在该第二旋离速度。使基板W高速旋转。由此，甩掉存在于图案形成面Wa上的IPA以及多余的填充剂。其结果，如图8N所示，利用具有与图案100(构造体101)的膜厚T相同程度的厚度的填充剂的液膜LF5，填充在图案100中彼此相邻的构造体101之间的凹部。在第二旋离工序(图7的步骤S12)中，通过从图案形成面Wa除去液体(IPA以及多余的填充剂)，从而使图案形成面Wa干燥。
从基板W的周缘部飞散的IPA以及填充剂被第二防护件84的内壁承接，沿第二防护件84的内壁流下，并经由第二杯82以及配管87被引导至填充剂排液配管90。
若从基板W加速开始经过预先确定的期间，则通过控制器4控制旋转马达23，从而使旋转吸盘8进行的基板W的旋转停止(图7的步骤S13)。另外，控制器4控制防护件升降单元85，使第二防护件84下降到下位置。
然后，从液体处理单元6A的腔室7内搬出基板W(图7的步骤S14)。具体而言，控制器4使第二搬运机器人CR2的机械手进入到腔室7的内部。并且，控制器4解除旋转吸盘8进行的基板W的吸附，使旋转吸盘8上的基板W保持于第二搬运机器人CR2的机械手。然后，控制器4使第二搬运机器人CR2的机械手从腔室7内退避。由此，液处理后的基板W从液体处理单元6A的腔室7搬出。图8O表示基板W搬出后的腔室7的状态。
接下来，对从液体处理单元6A排出的基板W在烘烤单元6B实施基板加热处理。
图9是用于说明在烘烤单元6B中执行的基板处理例的内容的流程图。
以下，参照图1、图4以及图9对烘烤单元6B进行的针对基板W的处理(加热处理)进行说明。在执行烘烤单元6B的加热处理时，向腔室111的内部搬入由液体处理单元2A进行了液体处理后的基板W(图9的步骤S21)。在向烘烤单元6B内搬入基板W之前，控制器4使闸门移动至打开位置。由此，搬出入口敞开。另外，在向烘烤单元6B内搬入基板W之前，控制器4控制升降销升降单元117，使升降销115配置在其前端向热板112的上方突出的位置。
具体而言，控制器4使保持基板W的第一搬运机器人CR1的机械手进入到腔室111的内部。由此，基板W以其图案形成面Wa朝向上方的状态被交接到升降单元114。搬入到腔室111内的基板W由机械手载置于升降销115上。然后，控制器4控制升降销升降单元117，使升降销115朝向下位置下降。通过该升降销115的下降，升降销115上的基板W被移载到热板112上。并且，通过基板W的下表面与热板112的上表面112a之间所产生的摩擦力，基板W被保持于热板112。
基板W载置到升降销115上之后，控制器4使机械手从腔室111内退避。机械手从腔室111内退避之后，控制器4使闸门移动到关闭位置，由此，搬出入口被闸门密闭，腔室111内成为密闭空间。
腔室111内被密闭之后，控制器4控制内置加热器113，对基板W从下表面侧开始加热，对基板W以预先确定的加热温度进行加热。由此，填充剂的液膜LF5(参照图8N)固化，形成填充剂的固化膜SF(参照图4)。
若从基板W的加热开始经过预先确定的加热期间，则控制器4控制升降销升降单元117，使升降销115上升至基板W相对于热板112远离的上位置。通过升降销115的上升，至此支撑于热板112上的基板W支撑于升降销115。然后，控制器4将闸门配置在打开位置，由此搬出入口敞开。在该状态下，由升降销115支撑的基板W由第一搬运机器人CR1从腔室111搬出(图9的步骤S23)。
第一搬运机器人CR1将从烘烤单元6B搬出的基板W交接到分度器机器人IR。分度器机器人IR将收取到的基板W收纳于装载端口LP的基板收纳器C。
加热处理后的基板W被搬运至基板处理装置1的外部的灰化装置(填充剂除去装置)，在该灰化装置中，例如通过干蚀刻等从图案形成面Wa除去填充剂。作为填充剂的除去方法，除此以外，还能够例示出例如日本特开2013－258272号公报那样的填充剂的升华、日本特开2011－124313号公报那样的等离子体处理等的填充剂的除去。
根据以上所述，根据该实施方式，由于在遮断部件9设有圆筒部29，因此在遮断部件9位于下位置的状态下，能够实质上遮断内部空间SP的气氛与内部空间SP的外侧的空间的气氛。该情况下，能够将形成于基板W与位于下位置的遮断部件9之间的内部空间SP保持为氧浓度低的状态。
并且，一边使遮断部件9位于下位置一边进行使用了氢氟酸的药液处理。通过在使内部空间SP的氧浓度充分地下降之后，开始使用了氢氟酸的药液处理，从而能够在氧浓度低的气氛下对图案形成面Wa实施使用了氢氟酸的药液处理。由此，能够抑制或者防止药液处理工序(图7的步骤S4)中的图案形成面Wa的氧化。
另外，一边使遮断部件9位于下位置一边进行冲洗工序(图7的步骤S5)、浸液冲洗工序(图7的步骤S6)以及液体积存工序(图7的步骤S7)。并且，一边使遮断部件9位于下位置一边进行置换工序(图7的步骤S8)。由此，在冲洗工序(图7的步骤S5)至置换工序(图7的步骤S8)的各工序中，能够抑制或者防止图案形成面Wa的氧化。
另外，在遮断部件9位于上位置的状态下朝向图案形成面Wa喷出填充剂。由此，向图案形成面Wa供给填充剂，在图案形成面Wa形成有填充剂的液膜LF4、LF5。然后，通过填充剂的液膜LF5固化，来形成填充剂的固化膜SF。
在从位于下位置的遮断部件9的中央部喷出口(形成于中央喷嘴10的下端的喷出口)朝向图案形成面Wa喷出填充剂的情况下，有受到基板W的旋转产生的离心力而从基板W的周缘部飞散的填充剂碰触(碰撞)到遮断部件9的圆筒部29而向图案形成面Wa再供给的担忧。若向图案形成面再供给填充剂，则使存在于图案形成面Wa上的填充剂产生紊乱，有无法良好地(例如以均匀的厚度)形成填充剂的液膜LF4、LF5的担忧。该情况下，有在固化膜除去后的基板W上产生缺陷的担忧。
针对于此，在该实施方式中，在遮断部件9位于上位置的状态下开始图案形成面Wa上的填充剂的扩大。在遮断部件9位于上位置的状态下，圆筒部29的下端位于比图案形成面Wa更靠上方。因此，能够抑制或者防止从基板W的周缘部飞散的填充剂碰触到遮断部件9的圆筒部29而向图案形成面再供给。因此，能够抑制或者防止使存在于图案形成面Wa上的填充剂产生紊乱。由此，能够良好地(例如以均匀的厚度)形成填充剂的液膜LF4、LF5，从而能够抑制在固化膜除去后的基板上产生缺陷。
另外，在该实施方式中，在图案形成面Wa由IPA的液膜LF3覆盖的状态系开始遮断部件9的上升。即，一边由IPA的液膜LF3保护图案形成面Wa一边解除内部空间SP的遮断状态。在遮断状态解除后，图案形成面Wa也由液膜(IPA的液膜LF3、填充剂的液膜LF4、LF5)保护。因此，伴随内部空间SP的遮断状态的解除，能够可靠地抑制或者防止图案形成面Wa的氧化。即，能够良好地抑制或者防止从置换工序(图7的步骤S8)向填充剂涂敷工序的移行过程中的图案形成面Wa的氧化。
另外，在填充剂涂敷工序(图7的步骤S9)中，填充剂喷嘴66配置在基板W与位于上位置的遮断部件9之间。并且，不是从中央喷嘴10的中央部喷出口而是从填充剂喷嘴66的喷出口66a朝向图案形成面Wa喷出填充剂。此时，填充剂喷嘴66的喷出口66a与图案形成面Wa之间的铅垂方向的距离比药液处理工序(图7的步骤S4)中的中央喷嘴10的中央部喷出口与图案形成面Wa之间的铅垂方向的距离短。
随着喷出口与图案形成面Wa之间的铅垂方向的距离变长，从喷出口喷出的填充剂至到达图案形成面Wa的时间变长。因此，若喷出口与图案形成面Wa之间的铅垂方向的距离较长，则喷出的填充剂的液流容易受到干扰的影响。因此，在填充剂涂敷工序(图7的步骤S9)中，假如若从位于上位置的遮断部件9的中央部喷出口朝向图案形成面Wa喷出填充剂，则难以使填充剂以所期望的着落流量着落于图案形成面Wa的所期望的着落位置。该情况下，有无法向图案形成面Wa良好地供给(涂敷)填充剂的担忧。
此外，在该基板处理例中，填充剂涂敷工序(图7的步骤S8)中的来自填充剂喷嘴66的填充剂的喷出流量较少。因此，假如若不是从填充剂喷嘴66的喷出口66a而是从遮断部件9的中央部喷出口喷出填充剂，则有从遮断部件9的中央部喷出口喷出的填充剂较强地受到干扰的影响的情况。该情况下，有供给至图案形成面Wa的填充剂不是连续流而是呈断续状、或者填充剂着落于从所期望的着落位置偏移的位置的担忧。此外，在该基板处理例中，为了扩展供给至图案形成面Wa的填充剂，使基板W以高速度旋转(填充剂扩大工序)。通过该基板W的高速旋转，有在基板W与遮断部件9之间产生较强的气流的担忧，或者该气流作为干扰而影响填充剂的担忧。
针对于此，在该实施方式中，由于与图案形成面Wa之间的铅垂方向的距离较近，因此能够将气流等对填充剂的干扰的影响抑制为最小限度，并且能够使从填充剂喷嘴66的喷出口66a喷出的填充剂的喷出形态稳定。由此，能够向图案形成面Wa良好地供给(涂敷)填充剂。所以，能够在图案形成面Wa形成良好的固化膜SF。
图10是表示药液供给部150的具体的结构的图。药液供给部150包括药液箱151、药液导出配管152、药液供给配管153、以及惰性气体溶解单元154。
药液箱151积存氢氟酸等的药液(氢氟酸)。药液导出配管152是与药液配管42(参照图2)的上游端连接的配管，将积存在药液箱151的药液引导至药液配管42。药液供给配管153向药液箱151供给新液的药液(以及/或者回收的药液)。惰性气体溶解单元154向药液箱151内的药液供给惰性气体，来使惰性气体溶解于氢氟酸。惰性气体溶解单元154是溶解氧量降低单元的一例。
在药液导出配管152夹装有用于向药液配管42送出药液箱151内的药液的送液泵157、和除去流通于药液导出配管152的药液中的异物的过滤器158。
惰性气体溶解单元154具备供给来自惰性气体供给源的惰性气体的惰性气体配管155。惰性气体配管155包括起泡配管156，该起泡配管156通过从配置在药液中的多个喷出口喷出惰性气体来在药液中产生气泡。
将溶解于药液中的氧的量称为溶解氧量。将药液中的氧的浓度称为溶解氧浓度。若溶解氧量降低，则溶解氧浓度也降低。通过使惰性气体溶解于氢氟酸，能够使溶解氧从药液箱151内的药液脱气，从而能够将药液箱151内的药液维持为溶解氧量降低的状态。由此，能够使从药液供给部150经由药液配管42供给至中央喷嘴10的药液成为溶解氧量降低的药液。所以，能够向图案形成面Wa供给溶解氧量降低的药液(氢氟酸)、
根据以上所述，能够在固化膜SF形成之前抑制或者防止图案形成面Wa的氧化，而且能够向图案形成面Wa顺畅地供给填充剂。
图11是用于说明第二实施方式的液体处理单元206B的构成例的图解的图。在第二实施方式中，对于与上述第一实施方式通用的部分，分别标注与图1～图10的情况相同的参照符号并省略说明。
第二实施方式的基板处理装置201与基板处理装置1不同的主要方面有以下方面：在液体处理单元206B的腔室7的内部设置热板(固化膜形成单元)251；以及通过该热板251对基板W的加热来使填充剂的液膜LF5固化，从而形成填充剂的固化膜SF。以下进行具体说明。
作为基板保持单元，采用在水平方向上夹住基板W并水平地保持基板W的夹持式的旋转吸盘205。具体而言，旋转吸盘205包括：旋转马达206；以该旋转马达206的驱动轴一体化的旋转轴207；以及大致水平地安装于旋转轴207的上端的圆板状的旋转基座208。
旋转基座208包括具有比基板W的外径大的外径的水平的圆形的上表面208a。在上表面208a，在其周缘部配置有多个(三个以上。例如六个)夹持部件209。多个夹持部件209在上表面208a的周缘部空出适当的间隔地例如等间隔配置在与基板W的外周形状对应的圆周上。
热板251对置配置在基板W的背面(与图案形成面Wa相反侧的面)Wb的下方。在热板251内置有内置加热器252。内置加热器252是产生焦耳热的加热器，例如是通过通电而发热的电热丝。热板251配置在旋转基座208的上方，而且配置在保持于夹持部件209的基板W的下方。热板251具有与基板W的背面Wb的整个区域对置的水平的上表面251a。即使旋转吸盘205旋转，热板251也不旋转。热板251的温度由控制器4变更。热板251的上表面251a的温度在面内均匀。
控制器4使热板251的上表面251a的温度上升，从而利用来自热板251的辐射热来均匀地加热图案形成面Wa的整个区域。
用于使热板251以保持水平姿势的状态升降的热板升降单元253与热板251结合。热板升降单元253例如由滚珠丝杠、马达构成。通过热板251的升降，来变更上表面251a与基板W的下表面的间隔。另外，热板升降单元253能够在各高度位置保持热板251。
利用热板251对在图案形成面Wa形成有填充剂的液膜LF5(参照图8N)的基板W实施加热处理。
具体而言，控制器4控制热板升降单元253，将利用内置加热器252的发热已处于高温状态的热板251配置在上位置(图11中以实线示出的位置)。在热板251配置在上位置的状态下，来自热板251的辐射热到达基板W，对基板W以预先确定加热温度进行加热。由此，填充剂的液膜LF5固化，并使供给至形成有填充剂的固化膜SF的图案形成面Wa的填充剂固化，从而能够形成填充剂的固化膜SF(固化膜形成工序)。
若从基板W的加热开始经过预先确定的加热期间，则控制器4使热板251从上位置下降至下位置(图11中以双点划线示出的位置)。在热板251配置于下位置的状态下，来自热板251的辐射热几乎不到达基板W，基板W不会被热板251加热。
根据第二实施方式，除了上述的第一实施方式以外，还起到以下的作用效果。
即，由于在通用的腔室7进行填充剂的液膜LF5在图案形成面Wa的形成、和填充剂的液膜LF5的固化，因此不需要在多个腔室间搬运基板W。因此，能够缩短对一张基板W的处理时间，其结果，能够实现处理的吞吐量的提高。
另外，在填充剂的液膜LF5形成后的图案形成面Wa，填充剂的固化并未结束。因此，在多个腔室间搬运基板W时，不能完全排除从图案形成面Wa滴落液体的填充剂可能性。该情况下，有因填充剂而汚染搬运室5的担忧。在该实施方式中，由于不需要在多个腔室间搬运基板W，因此没有这样的搬运室5的汚染的悬念。
并且，在填充剂(所含的聚合物)具有能够通过加热来升华的性质的情况下，也可以通过利用热板251对基板W的加热来使形成于图案形成面Wa的填充剂的固化膜SF所含的填充剂升华，从而将其从图案形成面Wa除去。
该情况下，利用热板251对在图案形成面Wa形成有填充剂的固化膜SF的基板W实施加热处理。
具体而言，控制器4控制内置加热器252，使热板251的上表面的温度比填充剂的液膜LF5加热时的温度高。并且，通过使热板251位于上位置(图11中以实线示出的位置)，从而对基板W赋予比填充剂的液膜LF5加热时更高的热量。由此，填充剂的固化膜SF所含的填充剂升华，从图案形成面Wa除去填充剂(填充剂除去工序)。由于能够以在形成于图案形成面Wa的图案100的构造体101之间不出现液体的界面的方式从图案形成面Wa除去填充剂，因此可抑制图案100的倒塌。
该情况下，不仅填充剂的液膜LF5的固化、而且填充剂从图案形成面Wa的除去也在腔室7进行，因此能够进一步缩短对一张基板W的处理时间。由此，能够进一步实现处理的吞吐量的提高。
另外，也可以通过使热板251比上位置(图11中以实线示出的位置)更接近基板W的背面，来实现向基板W赋予比填充剂的液膜LF5加热时更高的热量。
以上，对本发明的两个方式进行了说明，但本发明还能够以其它方式来实施。
在第二实施方式中，作为对图案形成面Wa进行加热的加热单元的另一形态，也可以在遮断部件9的内部内置能够发出焦耳热的内置加热器。由此，能够从上方加热图案形成面Wa。
在第一以及第二实施方式中，例如如图12所示，也可以在遮断部件9位于下位置的状态下，由遮断部件9和处理杯17(包围部件)从内部空间SP1的外侧的空间密闭处理杯17的内部空间SP1。
具体而言，在遮断部件9位于下位置的状态下，遮断部件9的圆筒部29与设于第二防护件84的内周端的支承部301抵接。通过使圆筒部29与支承部301贴紧，来从外侧的空间密闭处理杯17的内部空间SP1。
若处理杯17的内部空间SP1被密闭并相对于外侧的空间遮断内部空间SP，则可抑制含有氧的气氛向处理杯17的内部空间SP1的进入。由此，能够容易地将遮断部件9与基板W之间的内部空间SP保持为低氧气氛。所以，能够更加有效地抑制或者防止图案形成面Wa的氧化。
另外，在第一以及第二实施方式中，列举了在填充剂喷出工序开始之前，使遮断部件9朝向上位置上升的形态，但只要在填充剂扩大工序(参照图8K)开始前，遮断部件9的上升也可以在填充剂喷出工序(参照图8J)开始以后。该情况下，在填充剂喷出工序中，从遮断部件9的中央部喷出口(形成于中央喷嘴10的下端的喷出口)喷出填充剂。
另外，在上述的实施方式中，在置换工序(图7的步骤S8)中，向图案形成面Wa供给从中央喷嘴10喷出的IPA，接着，从向图案形成面Wa供给从溶剂喷嘴61喷出的IPA。然而，在从溶剂喷嘴61喷出IPA之后，也可以继续从中央喷嘴10喷出IPA。
另外，也可以向图案形成面Wa供给仅从中央喷嘴10以及溶剂喷嘴61的一方喷嘴喷出的IPA。
另外，根据填充剂的种类，有时填充剂与冲洗液具有可溶性(混溶性)。该情况下，能够省略置换工序(图7的步骤S8)。该情况下，冲洗液作为中间处理液发挥功能，冲洗工序(图7的步骤S5)作为中间处理工序发挥功能。
另外，作为药液处理，也能够使用多个药液依次处理图案形成面Wa。例如，也可以在使用氢氟酸(氢氟酸含有液)处理了图案形成面Wa之后，跳过冲洗工序(图7的步骤S5)，使用SC1处理图案形成面Wa。
另外，在各实施方式的基板处理例中，也可以在第二旋离工序(图7的步骤S12)之后，执行边缘冲洗工序。在该边缘冲洗工序中，一边使基板W旋转，一边向基板W的下表面的外周部供给来自与基板W的下表面(与图案形成面Wa相反侧的面)的外周部对置的清洗液喷嘴的清洗液(IPA等的溶剂)，从基板W的下表面的外周部除去填充剂。
另外，在上述的各实施方式的基板处理例中，也可以与遮断部件9的上位置不同地，将遮断部件的退避位置例如设置于上位置的上方，在非处理时，遮断部件9配置于退避位置。
另外，在各实施方式中，遮断部件9的内周面26b作为具有圆弧状的剖面进行了说明，但遮断部件9的内周面26b也可以具有屈曲状(例如屈曲成直角)的剖面。
另外，在各实施方式中，作为遮断部件9，列举由支撑臂31支撑的支撑型的遮断部件9进行了说明，但也能够采用支撑于旋转吸盘的旋转基座并伴随旋转吸盘8的旋转而旋转的从动型的遮断部件。
另外，在上述的各实施方式中，对通过使遮断部件9升降来相对地变更遮断部件9与旋转吸盘8的上下位置的结构进行了说明，但也可以是通过使遮断部件9以及旋转吸盘8这双方、以及旋转吸盘8升降，来相对地变更遮断部件9与旋转吸盘8的上下位置的结构。
另外，列举处理杯17为两级杯的情况进行了说明，但处理杯17既可以是单杯、也可以是三级杯、也可以是四级以上的多级杯。
另外，在上述的实施方式中，对基板处理装置是处理由半导体晶圆构成的基板W的装置的情况进行了说明，但基板处理装置也可以是处理液晶显示装置用基板、有机EL(electro luminescence)显示装置等的FPD(Flat Panel Display)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳电池用基板等基板的装置。
虽然对本发明的实施方式进行了详细说明，但这些只不过是为了清楚本发明的技术内容而使用的具体例，本发明不应被这些具体例限定地解释，本发明的范围仅由权利要求书的范围限定。

Claims (20)

1.一种基板处理方法，其特征在于，包括以下工序：
基板保持工序，在使形成有图案的图案形成面朝向上方的状态下，将基板保持于基板保持单元；
药液处理工序，在上述图案形成面上保持覆盖上述图案形成面的药液的液膜，使用上述药液的液膜所含的药液来处理上述图案形成面；
中间处理工序，在上述药液处理工序之后，在上述图案形成面上保持覆盖上述图案形成面的中间处理液的液膜，并使用上述中间处理液的液膜所含的中间处理液来处理上述图案形成面；
填充剂喷出工序，在上述中间处理工序之后，朝向上述图案形成面喷出作为用于填充上述图案间的液体的填充剂；
填充剂扩大工序，通过使上述基板绕铅垂的旋转轴线进行旋转，使供给至上述图案形成面的填充剂朝向上述基板的外周扩展；
固化膜形成工序，通过使供给至上述图案形成面的填充剂固化，从而在上述图案形成面形成填充剂的固化膜；
下位置配置工序，在开始上述药液处理工序之前，将遮断部件配置在将上述图案形成面的上方的空间与该空间的外侧的空间的气氛遮断的下位置，然后，将上述遮断部件维持在上述下位置，上述遮断部件具备圆板部和从上述圆板部的外周部向下方延伸的圆筒部，该圆板部具有相对于上述基板从上方对置的基板对置面；以及
遮断部件上升工序，在开始上述填充剂扩大工序之前，在由上述基板保持单元保持的基板的上述图案形成面被上述中间处理液的液膜覆盖的状态下，朝向位于比上述下位置更靠上方的上位置，开始上述遮断部件的上升，
上述药液处理工序包括以下工序：从具有与上述图案形成面的中央部对置的中央部喷出口且与上述圆板部结合的中央喷嘴朝向上述图案形成面喷出药液，
上述填充剂扩大工序包括以下工序：在上述遮断部件位于上述上位置的状态下，开始上述图案形成面上的填充剂的扩大。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
在上述遮断部件位于上述上位置的状态下，上述圆筒部的下端位于比包围上述基板保持单元的处理杯的上端更靠上方。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，
上述遮断部件上升工序包括以下工序：在开始上述填充剂喷出工序之前，在由上述基板保持单元保持的基板的上述图案形成面被上述中间处理液的液膜覆盖的状态下，朝向上述上位置开始上述遮断部件的上升，
上述填充剂喷出工序包括以下工序：在上述遮断部件配置于上述上位置的状态下，开始向上述图案形成面喷出填充剂。
4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于，
上述填充剂喷出工序包括以下工序：不是从上述中央喷嘴喷出填充剂，而是从填充剂喷嘴朝向上述图案形成面喷出填充剂，该填充剂喷嘴与上述中央喷嘴独立设置且能够沿上述图案形成面移动，并且收纳在上述基板与位于上述上位置的上述遮断部件之间。
5.根据权利要求4所述的基板处理方法，其特征在于，
上述填充剂喷出工序中的上述填充剂喷嘴的喷出口与上述图案形成面之间的铅垂方向的距离，和上述遮断部件位于上述下位置的状态的上述中央部喷出口与上述图案形成面之间的铅垂方向的距离相同或者比该距离短。
6.根据权利要求4所述的基板处理方法，其特征在于，
上述药液处理工序包括向上述图案形成面供给药液的药液供给工序，
上述中间处理工序包括向上述图案形成面供给中间处理液的中间处理液供给工序，
上述填充剂喷出工序中来自上述填充剂喷嘴的填充剂的喷出流量比上述药液供给工序中向上述图案形成面供给的药液的供给流量少，并且比上述中间处理液供给工序中向上述图案形成面供给的中间处理液的供给流量少。
7.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，
上述填充剂扩大工序包括以比上述药液处理工序时以及上述中间处理工序时更快的速度使上述基板旋转的高速旋转工序。
8.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，
还包括在上述填充剂扩大工序之后使向上述图案形成面的整个区域扩展的填充剂下沉的填充剂下沉工序。
9.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，
上述中间处理工序包括以下溶剂处理工序：在上述图案形成面上保持覆盖上述图案形成面的溶剂的液膜，并使用上述溶剂的液膜所含的溶剂来处理上述图案形成面。
10.根据权利要求9所述的基板处理方法，其特征在于，
上述溶剂处理工序包括以下工序：从上述中央喷嘴以及与上述中央喷嘴独立设置的且能够沿上述图案形成面移动的溶剂喷嘴的至少一方，朝向上述图案形成面喷出溶剂。
11.根据权利要求9所述的基板处理方法，其特征在于，
上述溶剂处理工序包括中央喷出工序，在该中央喷出工序中，从上述中央喷嘴朝向上述图案形成面喷出溶剂，
还包括以下中间位置配置工序：在上述中央喷出工序的中途，将上述遮断部件从上述下位置配置于中间位置，该中间位置设于上述下位置与上述上位置之间，且上述圆筒部的下端位于与包围上述基板保持单元的处理杯的上端相同的高度。
12.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，
还包括以下惰性气体供给工序：在上述药液处理工序开始前，从在上述遮断部件的上述基板对置面开口的惰性气体喷出口朝向下方喷出惰性气体。
13.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，
在上述药液处理工序中，上述药液的液膜所含的药液是降低了溶解氧量的药液。
14.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，
在上述药液处理工序中，上述药液的液膜所含的药液包含氢氟酸。
15.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，
还包括以下固化膜形成工序：通过加热上述基板来使形成于上述图案形成面上的上述填充剂的液膜所含的填充剂固化，从而在上述图案形成面形成上述填充剂的固化膜。
16.根据权利要求15所述的基板处理方法，其特征在于，
还包括以下填充剂除去工序：通过加热上述基板来使形成于上述图案形成面的上述填充剂的固化膜所含的填充剂升华，从而从上述图案形成面除去填充剂。
17.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
基板保持单元，其以使形成有图案的图案形成面朝向上方的状态水平保持基板；
基板旋转单元，其构成为使由上述基板保持单元保持的基板绕铅垂的旋转轴线进行旋转；
药液供给单元，其构成为向由上述基板保持单元保持的基板的图案形成面供给药液；
中间处理液供给单元，其构成为向由上述基板保持单元保持的基板的图案形成面供给中间处理液；
填充剂喷嘴，其构成为朝向由上述基板保持单元保持的基板的图案形成面喷出作为用于填充在上述图案间的液体的填充剂；
填充剂供给单元，其构成为向上述填充剂喷嘴供给填充剂；
填充剂固化单元，其用于使供给至由上述基板保持单元保持的基板的图案形成面的填充剂固化；
遮断部件，其具有圆板部和从上述圆板部的外周部向下方延伸的圆筒部，该圆板部具有相对于由上述基板保持单元保持的基板从上方对置的基板对置面；
遮断部件升降单元，其使上述遮断部件在下位置与上位置之间升降，该下位置是将由上述基板保持单元保持的基板的图案形成面的上方的空间从该空间的外侧的空间的气氛遮断的位置，该上位置是位于比上述下位置更靠上方的位置；
中央喷嘴，其具有与由上述基板保持单元保持的基板的图案形成面的中央部对置的中央部喷出口，且与上述圆板部结合，从上述药液供给单元供给药液；以及
控制器，其控制上述药液供给单元、上述中间处理液供给单元、上述填充剂供给单元以及上述遮断部件升降单元，
上述控制器被编程为执行以下工序：
药液处理工序，通过上述药液供给单元朝向保持于上述基板保持单元的基板的图案形成面从上述中央部喷出口喷出药液，形成覆盖上述图案形成面的药液的液膜，通过将该药液的液膜保持于上述图案形成面，从而使用上述药液的液膜所含的药液来处理上述图案形成面；
中间处理工序，在上述药液处理工序之后，在上述图案形成面上保持由上述中间处理液供给单元形成的覆盖上述图案形成面的中间处理液的液膜，使用上述中间处理液的液膜所含的中间处理液来处理上述图案形成面；
填充剂喷出工序，在上述中间处理工序之后，上述填充剂供给单元朝向上述图案形成面从上述填充剂喷嘴喷出填充剂；
填充剂扩大工序，通过利用上述基板旋转单元使上述基板绕上述旋转轴线旋转，从而使供给至上述图案形成面的填充剂朝向上述基板的外周扩展；
固化膜形成工序，通过利用上述填充剂固化单元使供给至上述图案形成面的填充剂固化，从而在上述图案形成面上形成填充剂的固化膜；
下位置配置工序，在开始上述药液处理工序之前，利用上述遮断部件升降单元将上述遮断部件配置在上述下位置，然后，将上述遮断部件维持在上述下位置；以及
遮断部件上升工序，在开始上述填充剂扩大工序之前，在上述图案形成面由上述中间处理液的液膜覆盖的状态下，从上述下位置朝向上述上位置开始上述遮断部件的上升，
上述填充剂扩大工序包括以下工序：在上述遮断部件位于上述上位置的状态下，开始上述图案形成面上的填充剂的扩大。
18.根据权利要求17所述的基板处理装置，其特征在于，包括：
上述药液供给单元包括溶解氧降低单元，该溶解氧降低单元构成为使药液中的溶解氧量降低。
19.根据权利要求17或18所述的基板处理装置，其特征在于，
还包括加热器，该加热器构成为，从与上述图案形成面相反的一侧对保持于上述基板保持单元的基板进行加热。
20.根据权利要求17或18所述的基板处理装置，其特征在于，
还包括包围部件，该包围部件包围上述基板保持单元，
由位于上述下位置的上述遮断部件和上述包围部件划分出的内部空间相对于该内部空间的外侧的空间被密闭。
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