CN112017534A - 可挠性显示装置与其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种可挠性显示装置与其制造方法，可挠性显示装置包括一第一基板，一第二基板，一液晶层，一第一绝缘层以及多个第一间隔件。液晶层设置于第一基板与第二基板之间。第一绝缘层设置于第一基板与液晶层间，第一绝缘层具有多个第一开口。第一间隔件设置于第一基板与第二基板之间，且各第一间隔件的一部分设置于第一开口中。

Description

可挠性显示装置与其制造方法
技术领域
本发明涉及一种可挠性显示装置，且特别涉及一种具有间隔件的可挠性显示装置与其制造方法。
背景技术
近来，可挠性显示装置的需求已愈来愈多。可挠性显示装置可包括一上基板(例如是彩色滤光基板)及一下基板(例如是薄膜晶体管阵列基板)。当弯折可挠性显示装置时，上基板与下基板可能会产生错位，导致显示装置会产生混色的现象。请参照图1，其为一种现有技术的可挠性显示装置800弯折时的局部剖视图。可挠性显示装置800包括薄膜晶体管阵列基板810、彩色滤光基板820以及液晶层830，薄膜晶体管阵列基板810包括第一基板811、第一绝缘层812以及电极814，电极814可为像素电极；彩色滤光基板820包括第二基板821、第二绝缘层822、遮蔽层824、彩色滤光层826以及间隔件828。如图1所示，当可挠性显示装置800弯折时，薄膜晶体管阵列基板810与彩色滤光基板820会彼此往不同方向相对移动，因此彩色滤光基板820的间隔件828会在薄膜晶体管阵列基板810的表面滑动，导致单个子像素的电极814的区域会对应到两种不同颜色的彩色滤光层826。举例来说，图1中的单个子像素的电极814的区域同时对应两个彩色滤光层826，导致单个子像素会同时显示两种不同颜色(例如单个子像素的一部分与另一部分分别穿透蓝光BL与红光RL、红光RL与绿光GL、或是绿光GL与蓝光BL)。为了克服此混色的问题，现有技术采用加宽黑色矩阵的方式来改善，然而此方式却会影响开口率，并导致穿透率下降。或者，现有技术亦采用阵列上彩色滤光片(color filter on array,COA)或阵列上黑色矩阵(black matrix on array,BOA)的方式来改善色偏的问题，然而此类方式会导致制作成本过高。因此，目前仍亟需研究一种可克服上述问题的可挠性显示装置。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可挠性显示装置与其制造方法。由于本发明的可挠性显示装置的第一绝缘层具有第一开口，并使得形成于第一基板上的间隔件的一部分设置于第一开口中，在弯折可挠性显示装置时，第一开口可限制间隔件的移动，并可限制第一基板与第二基板之间的移动，故可避免第一基板与第二基板之间偏移过多所产生的混色的问题。
根据本发明的一方面，提出一种可挠性显示装置。可挠性显示装置包括一第一基板，一第二基板，一液晶层，一第一绝缘层以及多个第一间隔件。液晶层设置于第一基板与第二基板之间。第一绝缘层设置于第一基板与液晶层间，第一绝缘层具有多个第一开口。第一间隔件设置于第一基板与第二基板之间，且各第一间隔件的一部分设置于对应的第一开口中。
根据本发明的一方面，提出一种可挠性显示装置的制造方法。可挠性显示装置的制造方法包括形成薄膜晶体管阵列基板，形成彩色滤光基板以及组立薄膜晶体管阵列基板与彩色滤光基板。形成薄膜晶体管阵列基板的步骤包括形成多个薄膜晶体管于第一基板上以及形成第一绝缘层于多个薄膜晶体管上，第一绝缘层具有多个第一开口。形成彩色滤光基板的步骤包括形成遮蔽层与多个彩色滤光层于第二基板上以及形成多个第一间隔件于第二基板上。多个第一间隔件位于第一基板与第二基板之间，且在组立完成后各第一间隔件的一部分设置于对应的第一开口中。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1绘示习知的可挠性显示装置的局部剖视图；
图2绘示依照本发明一实施例的可挠性显示装置弯折时的局部剖视图；
图3绘示依照本发明另一实施例的可挠性显示装置的局部剖视图；
图4绘示依照本发明又一实施例的可挠性显示装置弯折时的局部剖视图；
图5绘示依照本发明又一实施例的可挠性显示装置弯折时的局部剖视图；
图6A～6H绘示依照本发明一实施例的可挠性显示装置的制造流程的示意图；
图7A～7E绘示依照本发明一实施例的可挠性显示装置的制造流程的示意图；
图8A、图8B分别绘示依照本发明又一实施例的可挠性显示装置未弯折时与弯折后的侧视图；
图9A～图9C绘示可挠性显示装置未弯折时的局部剖视图；
图10A～图10C绘示可挠性显示装置往内侧弯折后的局部剖视图；
图11与图12分别绘示可挠性显示装置的薄膜晶体管阵列基板与彩色滤光基板的局部俯视图；
图13绘示将薄膜晶体管阵列基板与彩色滤光基板组立为可挠性显示装置后的局部俯视图；
图14绘示可挠性显示装置向内侧弯折时的局部俯视图；
图15绘示对可挠性显示装置进行再进一步弯折时的局部俯视图；
图16绘示依照本发明又一实施例的可挠性显示装置弯折后的侧视图；
图17A～图17C绘示可挠性显示装置未弯折时的局部剖视图；
图18A～图18C绘示可挠性显示装置弯折后的局部剖视图；
图19绘示依照本发明又一实施例的可挠性显示装置弯折后的侧视图；
图20绘示依照本发明又一实施例的可挠性显示装置未弯折时的局部剖视图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述：
图2绘示依照本发明一实施例的可挠性显示装置100弯折时的局部剖视图，例如是绘示X轴与Z轴所构成的平面。
请参照图2，可挠性显示装置100包括薄膜晶体管阵列基板110、彩色滤光基板120以及液晶层130，薄膜晶体管阵列基板110包括第一基板111、第一绝缘层112以及电极114；彩色滤光基板120包括第二基板121、第二绝缘层122、遮蔽层124、彩色滤光层126以及间隔件128。第一基板111与第二基板121为可挠性基板，且其材料可包括玻璃、金属或塑胶例如聚亚酰胺(polyimide，PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(Polyethylene Terephthalate，PET)、聚碳酸酯(Polycarbonate，PC)或聚对荼二甲酸乙二酯(Polyethylene Naphthalate，PEN)，但第一基板111与第二基板121的材料不以此为限。液晶层130设置于薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120之间。可挠性显示装置100可为垂直配向型(VA)显示装置、扭曲向列型(TN)显示装置或水平电场型(例如平面切换型(IPS)或边缘场切换型(FFS))显示装置，但不以此为限。第一绝缘层112设置于第一基板111与液晶层130之间，且第一绝缘层112具有多个第一开口116。在一实施例中，第一绝缘层112可为有机感光材料，可作为平坦层，厚度T可介于1微米至5微米，以达成较佳的平坦效果，且较佳为2微米至3微米，但不以此为限。在第一绝缘层112为感光材料的实施例中，可通过微影工艺形成第一开口116，相较于非感光材料的绝缘层需通过微影工艺与蚀刻工艺形成开口，本发明可简化于第一绝缘层112形成第一开口116的工艺。遮蔽层124设置于第二基板121与液晶层130之间，遮蔽层124可与第一开口116互相对应，其中在第一基板111的一表面111a的一法线方向Fn上，第一开口116是至少部分重迭于遮蔽层124。遮蔽层124可为黑色矩阵(Black Matrix)层，但不以此为限。彩色滤光层126设置于第二基板121与液晶层130之间。在本实施例中，彩色滤光层126可包括红色滤光层R、绿色滤光层G及蓝色滤光层B。在其他实施例中，彩色滤光层126还可包括其他色滤光层，例如是黄色滤光层或白色滤光层。然本发明并不以此为限。第二绝缘层122可设置于第二基板121与液晶层130之间且覆盖遮蔽层124与彩色滤光层126。第二绝缘层122可作为平坦层。间隔件128设置于第一基板111与第二基板121之间，且间隔件128的一部分设置于第一开口116中。间隔件128在第二基板121的垂直投影位于遮蔽层124在第二基板121的垂直投影中，使得遮蔽层124可覆盖间隔件128，亦即间隔件128的宽度W1可小于遮蔽层124的宽度W2。在本实施例中，彩色滤光基板120的间隔件128在薄膜晶体管阵列基板110以及彩色滤光基板120合板时***至薄膜晶体管阵列基板110的第一绝缘层112的第一开口116中。第一绝缘层112所形成的第一开口116可提供间隔件128一限位空间，使得可挠性显示装置100在弯折的过程中，间隔件128可减缓薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120之间错位的情形，以避免混色。在可挠性显示装置100尚未弯折时，间隔件128的侧壁128s与第一开口116的侧壁116s之间可具有间隔，但不以此为限。换言之，间隔件128的侧壁128s与第一开口116的侧壁116s之间可未直接接触，彼此间具有间隙以提供一缓冲空间，避免弯折过程中间隔件128与第一绝缘层112直接碰撞挤压所造成的磨损，但不以此为限。在其他实施例中，间隔件128的侧壁128s可接触第一开口116的侧壁116s。电极114的至少一部分可设置于第一绝缘层112上。电极114可为像素电极或共通电极，且其包括透明导电材料，例如是铟锡氧化物ITO、IZO、ITZO，但并非限定，只要具有透明与导电性质的材料皆可适用。
由于本发明的可挠性显示装置100的第一绝缘层112具有第一开口116，并且间隔件128的一部分设置于第一开口116中，故能在弯折可挠性显示装置100时，避免薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120之间偏移过多，如此一来即可改善由于薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120错位过多使得单个子像素显示两种颜色所导致的混色的问题。并且，因为本发明的第一绝缘层112是做为平坦层，因此其厚度可较薄膜晶体管阵列基板110的其他各个膜层(例如导体层与绝缘层)的厚度大，因此藉由于第一绝缘层中形成第一开口116，且间隔件128的一部分设置于第一开口116中，可让间隔件128在可挠性显示装置100弯折时更稳固地位于第一开口116中，以避免在弯折可挠性显示装置100时间隔件128于薄膜晶体管阵列基板110的表面滑动而导致薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120错位过多，因此可避免混色。
图3绘示依照本发明另一实施例的可挠性显示装置200弯折时的局部剖视图，例如是绘示X轴与Z轴所构成的平面。图3的可挠性显示装置200类似于图2的可挠性显示装置100，其不同之处在于第二绝缘层222还包括第二开口226，间隔件228的一部分设置于第一开口116中，另一部分设置于第二开口226中，其他相同或类似的部分将不再重复描述。
请参照图3，第一绝缘层112具有多个第一开口116，第二绝缘层222具有多个第二开口226，第一开口116对应于第二开口226，间隔件228的一部分设置于第一开口116中，另一部分设置于第二开口226中。第二绝缘层222可为感光材料或非感光材料，且较佳为感光材料，但不以此为限。在第二绝缘层222为感光材料的实施例中，可通过微影工艺形成第二开口226，以简化于第二绝缘层222形成第二开口226的工艺。相较于图2的可挠性显示装置100而言，由于图3的可挠性显示装置200的间隔件228同时设置于第一开口116与第二开口226中，因此能够更加增强间隔件228对于薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板220的固定效果，可更为有效地避免薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板220之间因为弯折而彼此偏移，改善混色的问题。
图4绘示依照本发明又一实施例的可挠性显示装置300弯折时的局部剖视图，例如是绘示X轴与Z轴所构成的平面。图3的可挠性显示装置300类似于图1的可挠性显示装置100，其不同之处在于间隔件与第一绝缘层的开口的形状，其他相同或类似的部分将不再重复描述。
请参照图4，第一绝缘层312具有多个第一开口316，第一开口316的侧壁316s具有一第一阶梯形状，间隔件328的侧壁328s具有一第二阶梯形状，第一阶梯形状互补于第二阶梯形状。换言之，侧壁316s与侧壁328s之间可形成类似卡榫的结构，当弯折可挠性显示装置300时，可通过第一开口316的侧壁316s的第一阶梯形状与间隔件328的侧壁328s的第二阶梯形状彼此卡合，避免薄膜晶体管阵列基板310与彩色滤光基板320之间的错位。相较于图2的可挠性显示装置100而言，由于图4的可挠性显示装置300的间隔件328与第一绝缘层312皆具有阶梯形状，能够更加增强间隔件328对于薄膜晶体管阵列基板310与彩色滤光基板320的固定效果，可更为有效地避免薄膜晶体阵列基板310与第二基板320之间因为弯折而彼此偏移，改善混色的问题。
图5绘示依照本发明又一实施例的可挠性显示装置400弯折时的局部剖视图，例如是绘示X轴与Z轴所构成的平面。图5的可挠性显示装置400类似于图4的可挠性显示装置300，其不同之处在于第二绝缘层还具有第二开口，且间隔件的一部分设置于第一开口中，另一部分设置于第二开口中，其他相同或类似的部分将不再重复描述。
请参照图5，第一绝缘层312具有多个第一开口316，且第二绝缘层422具有多个第二开口426，第一开口316对应于第二开口426，间隔件428的一部分设置于第一开口316中，另一部分设置于第二开口426中。并且，第一开口316的侧壁316s具有一第一阶梯形状，间隔件428的侧壁428s具有一第二阶梯形状，第一阶梯形状互补于该第二阶梯形状。换言之，侧壁316s与侧壁428s之间可形成类似卡榫的结构，当弯折可挠性显示装置400时，可通过第一开口316的侧壁316s的第一阶梯形状与间隔件428的侧壁428s的第二阶梯形状彼此卡合，避免薄膜晶体管阵列基板310与彩色滤光基板420之间的错位。相较于图4的可挠性显示装置300而言，由于图5的可挠性显示装置400的第二绝缘层422还具有第二开口426，使得间隔件428可设置于第一开口316及第二开口426中，能够更加增强间隔件428对于薄膜晶体管阵列基板310与彩色滤光基板420的固定效果，可更为有效地避免薄膜晶体管阵列基板310与彩色滤光基板420之间因为弯折而彼此偏移，改善混色的问题。
此外，在一些实施例中，间隔件的表面可具有黏着特性，以更加增强间隔件与薄膜晶体管阵列基板间的固定效果，避免因为薄膜晶体管阵列基板与彩色滤光基板之间的偏移造成的混色的问题。举例来说，间隔件的材料可为感光型黏着材料，例如丙烯酸(Acrylic)黏着材料，但不以此为限。在间隔件的材料为感光型黏着材料的实施例中，形成间隔件的方法可包括在第二基板上形成感光型黏着材料层；对感光型黏着材料层进行曝光工艺，例如照射UV光，但不以此为限；进行显影工艺以移除部分感光型黏着材料层，例如移除感光型黏着材料层中未被UV光照射部分，进而形成间隔件，但不以此为限。因间隔件具有黏着性，因此在将彩色滤光基板与薄膜晶体管阵列基板合板后，间隔件可固定于薄膜晶体管阵列基板上，或是较不易于薄膜晶体管阵列基板上移动，因此可避免或降低薄膜晶体管阵列基板与彩色滤光基板之间的偏移，以避免混色。此外，在一些实施例中，在将彩色滤光基板与薄膜晶体管阵列基板合板后，可进行热处理工艺以对间隔件热固化，例如热处理工艺包括具有摄氏100度至150度间的温度的步骤，但不以此为限，以进一步增强薄膜晶体管阵列基板与彩色滤光基板的固定效果。此外，在一些实施例中，具有黏着特性的间隔件可应用于图2～图5的实施例中，但不以此为限。
图6A～图6H绘示依照本发明一实施例的可挠性显示装置100的制造流程的示意图。
请参照图6A～图6H，(A)区域与(B)区域分别为薄膜晶体管基板110的像素区域的剖视图以及第一绝缘层112的第一开口区域的剖视图。如图6A所示，于第一基板111上形成第一金属层M1，第一金属层M1包括扫描线SL与薄膜晶体管的闸极GE。如图6B所示，于第一金属层M1上形成闸极绝缘层GI、通道层CL与导体层OL。如图6C所示，形成第二金属层M2以及图案化导体层OL以形成欧姆接触层OL_1、OL_2。第二金属层M2包括汲极DE、源极SE与数据线(图未示)，欧姆接触层OL_1、OL_2分别位于源极SE与通道层CL间以及位于汲极DE与通道层CL间。如图6D所示，形成第一绝缘层112，第一绝缘层112在(A)区域中对应汲极DE处与(B)区域中对应扫描线SL处分别具有开口115、116，其中开口116亦称为第一开口。如图6E所示，形成共通电极CE，共通电极CE未覆盖第一绝缘层112的开口115、116，且共通电极CE具有开口117，其对应第一绝缘层112的开口115。如图6F所示，形成保护层Pass，保护层Pass具有开口118、119，分别对应第一绝缘层112的开口115、116。如图6G所示，形成像素电极PE，像素电极PE延伸进入保护层Pass的开口118以及第一绝缘层112的开口115中，使得像素电极PE与薄膜晶体管的汲极DE电连接，且像素电极PE未覆盖保护层Pass的开口119。如图6H所示，将彩色滤光基板120与薄膜晶体管阵列基板110合板，使得间隔件128***第一绝缘层112的开口116。
值得注意的是，本实施例的间隔件128是位于扫描线SL上方，但不以此为限。在其他实施例中，间隔件128可位于数据线上方，或是位于扫描线SL、闸极绝缘层GI与数据线上方(也就是位于扫描线SL与数据线交错处的位置)。此外，本实施例是以可挠性显示装置100为共通电极位于像素电极下方的边缘场切换型(FFS)显示装置例示，但不以此为限。在其他实施例中，可挠性显示装置100可为像素电极位于共通电极下方的边缘场切换型显示装置、垂直配向型(VA)显示装置、扭曲向列型(TN)显示装置或平面切换型(IPS)显示装置，但不以此为限。
接下来将说明图4中第一绝缘层312的第一开口316与间隔件328分别具有彼此互补的阶梯形状的可挠性显示装置300的制造方法。图7A～图7E绘示依照本发明一实施例的可挠性显示装置300的制造流程的示意图。
请参照图7A，提供一第一基板111以及形成于第一基板111上的第一绝缘材料层3120。值得说明的是，图7A省略绘示设置于第一基板111与第一绝缘材料层3120间的元件(例如薄膜晶体管)。第一绝缘材料层3120的材料为感光材料，因此可藉由一光罩140对第一绝缘材料层3120进行曝光工艺后，再进行显影工艺将第一绝缘材料层3120的一部分移除以图案化第一绝缘材料层3120。光罩140可为半透(halftone)型光罩，详细而言，光罩140包括一可透光区141及一不透光区142，可透光区141可允许曝光机台的照射光L完全或部分穿透，不透光142区则可完全阻挡照射光L的穿透。可透光区141包括第一区141a、第二区141b及第三区141c，第二区141b位于第一区141a与第三区141c之间。第一区141a的穿透率例如是A％，第二区141b的穿透率例如是B％，第三区141c的穿透率例如是C％，其中A大于B，且B大于C。
请参照图7B，在进行曝光工艺之后，接下来进行显影工艺。在本实施例中，第一绝缘材料层3120经由曝光机台的照射光L照射的区域之后可溶解于显影剂，以移除上述区域的绝缘材料，因此第一绝缘材料层3120中对应于光罩140的可透光区141的部分即形成具有阶梯状的第一开口316，亦即图案化第一绝缘材料层3120以形成第一绝缘层312。此后，在第一绝缘层312上形成其他元件(例如电极114)以制作完成薄膜晶体管阵列基板110(图7B未示)。
请参照图7C，提供一第二基板121，遮蔽层124、彩色滤光层126、第二绝缘层122以及间隔件材料层3280形成于第二基板121上。藉由一光罩240对间隔件材料层3280进行曝光工艺后，再进行显影工艺将间隔件材料层3280的一部分移除以图案化间隔件材料层3280。光罩240可为半透型光罩，详细而言，光罩240包括一可透光区241及一不透光区242，可透光区241可允许曝光机台的照射光L完全或部分穿透，不透光区242则可完全阻挡照射光L的穿透。可透光区241包括第一区241a、第二区241b及第三区241c，第二区241b位于第一区241a与第三区241c之间。第一区241a的穿透率例如是D％，第二区241b的穿透率例如是E％，第三区241c的穿透率例如是F％，其中D大于E，且E大于F。
请参照图7D，在进行曝光工艺之后，接下来进行显影工艺。在本实施例中，间隔件材料层3280的材料感光后的特性与第一绝缘材料层312感光后的特性相反，也就是间隔件材料层3280经由曝光机台的照射光L照射的区域之后不溶解于显影剂，因此间隔件材料层3280未经照射光L照射的其余区域可于显影工艺中移除，因此间隔件材料层3280中对应于光罩240的可透光区241的部分即形成具有阶梯状的间隔件328，亦即图案化间隔件材料层3280以形成间隔件328。
请参照图7E，组立薄膜晶体管阵列基板110以及彩色滤光基板120，使间隔件328的一部分设置于第一绝缘层312的第一开口316中，以形成如图3所示的可挠性显示装置300。
图8A、图8B分别绘示依照本发明又一实施例的可挠性显示装置500未弯折时与弯折后的侧视图。
请参照图8A、图8B，可挠性显示装置500是用于内弯型的可挠性显示装置，可挠性显示装置500的结构可相同或类似于上述的可挠性显示装置100～400或可为其他实施例的可挠性显示装置。以下说明是以可挠性显示装置500的结构类似于可挠性显示装置100为例示，但不以此为限。可挠性显示装置500的液晶层(未绘示)的对应于薄膜晶体管阵列基板110的一侧称为内侧132，液晶层(未绘示)的对应于彩色滤光基板120的一侧称为外侧134。可挠性显示装置500包括第一部分500a、第二部分500b及第三部分500c，第二部分500b位于第一部分500a与第三部分5000c之间。如图8B所示，当可挠性显示装置500向内侧132弯折时，第一部分500a的薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120往不同方向相对移动，如同箭头S1与S2所示，也就是薄膜晶体管阵列基板110相对于彩色滤光基板120是往朝向第二部分500b的方向(箭头S1的方向)移动，彩色滤光基板120相对于薄膜晶体管阵列基板110是往远离第二部分500b的方向(箭头S2的方向)移动，且彼此相对移动造成薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120间具有偏移量；第三部分500c的薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120往不同方向相对移动，如同箭头S3与S4所示，也就是薄膜晶体管阵列基板110相对于彩色滤光基板120是往朝向第二部分500b的方向(箭头S3的方向)移动，彩色滤光基板120相对于薄膜晶体管阵列基板110是往远离第二部分500b的方向(箭头S4的方向)移动，且彼此相对移动造成薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120间具有偏移量；第二部分500b的薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120则彼此不相对移动，也就是薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120间不具有偏移量，或是往不同方向相对少许移动造成薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120间具有偏移量，且第二部分500b的薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120间的偏移量小于第一部分500a与第三部分500c的薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120间的偏移量。以下说明是以第二部分500b的薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120彼此不相对移动例示，第二部分500b的薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120具有偏移量的实施例可类推，于此不再赘述。随着可挠性显示装置500往内侧132逐渐弯折，上述偏移量逐渐变大，因此为了改善在可挠性显示装置500朝向内侧132弯折之后，第一部分500a及第三部分500c的薄膜晶体管阵列基板110及彩色滤光基板120产生相对偏移而造成的混色问题，可挠性显示装置500的第一部分500a、第二部分500b及第三部分500c之间隔件528在对应的第一绝缘层112的第一开口116中的设置位置可有所不同，如图9A～图9C所示。
图9A～图9C绘示可挠性显示装置500未弯折时的局部剖视图，图10A～图10C绘示可挠性显示装置500往内侧弯折后的局部剖视图。图9A～图9C分别绘示可挠性显示装置500未弯折时第一部分500a、第二部分500b以及第三部分500c之间隔件528的设置方式，图10A～图10C分别绘示可挠性显示装置500弯折后第一部分500a、第二部分500b与第三部分500c之间隔件528的位置。如图9A～图9C所示，位于第一基板111与液晶层130之间的第一绝缘层112可具有多个第一开口，例如分别位于第一部分500a、第二部分500b以及第三部分500c的第一开口1161、1162、1163。因为薄膜晶体管阵列基板110包括第一开口1161、1162、1163，且彩色滤光基板120包括间隔件528，因此当薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120往不同方向相对移动时，间隔件528亦与薄膜晶体管阵列基板110的第一开口1161、1162、1163往不同方向相对移动。
请参照图9A，第一部分500a的第一开口1161包括第一侧壁1161a及第二侧壁1161b，第二侧壁1161b相对于第一侧壁1161a。在X方向上，第一部分500a的间隔件528与第一侧壁1161a及第二侧壁1161b之间分别具有一第一距离D1及一第二距离D2，第一距离D1不同于第二距离D2，但不以此为限。举例来说，在本实施例中的第一距离D1大于第二距离D2，但不以此为限。在可挠性显示装置500弯折时，薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120彼此相对往不同方向移动，因此薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120间的偏移量需小于或等于一特定值，以避免混色。上述特定值亦可称为薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120间的最大容许偏移量，且最大容许偏移量的计算方式详见后述图11～图15的说明。在本实施例中，在可挠性显示装置500未弯折时，第一距离D1小于或等于薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120间的最大容许偏移量，如此一来，即可避免当可挠性显示装置500弯折时，薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120间的偏移量大于最大容许偏移量而造成混色。
请参照图10A，在弯折可挠性显示装置500后，第一部分500a的间隔件528与第一侧壁1161a及第二侧壁1161b之间的距离分别小于第一距离D1及大于第二距离D2，且分别为(D1-SH1)与(D2+SH1)，其中SH1为第一部分500a的薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120间的偏移量(亦可称为第一偏移量)。也就是说，当可挠性显示装置500向内侧132逐渐弯折时，随着第一部分500a的间隔件528相对于薄膜晶体管阵列基板110朝向远离第二部分500b的方向移动，间隔件528与第一侧壁1161a之间的距离会渐渐减少，间隔件528与第二侧壁1161b之间的距离会渐渐增加。
请参照图9B，第二部分500b的第一开口1162包括第三侧壁1162a及第四侧壁1162b，第四侧壁1162b相对于第三侧壁1162a。第二部分500b的间隔件528与第三侧壁1162a及第四侧壁1162b之间分别具有第三距离D3及第四距离D4。在本实施例中，第三距离D3相同于第四距离D4，然本发明不以此为限，第三距离D3亦可不同于第四距离D4。请参照图10B，在弯折可挠性显示装置500后，第二部分500b的薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120彼此不相对移动，也就是薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120间不具有偏移量，因此第二部分500b的间隔件528与第三侧壁1162a及第四侧壁1162b之间的距离分别维持为第三距离D3及第四距离D4，但不以此为限。在弯折可挠性显示装置500后第二部分500b的薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120分别往不同方向相对少许移动且彼此间具有偏移量的实施例中，第二部分500b的间隔件528与第三侧壁1162a及第四侧壁1161b之间的距离在弯折可挠性显示装置500后可分别小于第三距离D3及大于第四距离D4，或是大于第三距离D3及小于第四距离D4。
请参照图9C，第三部分500c的第一开口1163包括第五侧壁1163a及第六侧壁1163b，第六侧壁1163b相对于第五侧壁1163a。在X方向上，第三部分500c的间隔件528与第五侧壁1163a及第六侧壁1163b之间分别具有一第五距离D5及一第六距离D6，第五距离D5不同于第六距离D6。举例来说，在本实施例中的第六距离D6大于第五距离D5，但不以此为限。在本实施例中，在可挠性显示装置500未弯折时，第六距离D6小于或等于薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120间的最大容许偏移量，如此一来，即可避免当可挠性显示装置500弯折时，薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120间的偏移量大于最大容许偏移量而造成混色。
请参照图10C，在弯折可挠性显示装置500之后，第三部分500c的间隔件528与第五侧壁1163a及第六侧壁1163b之间的距离分别大于第五距离D5及小于第六距离D6，且分别为(D5+SH2)与(D6-SH2)，其中SH2为第三部分500c的薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120间的偏移量(亦可称为第二偏移量)。也就是说，当可挠性显示装置500向内侧132逐渐弯折时，随着第三部分500c的间隔件528相对于薄膜晶体管阵列基板110朝向远离于第二部分500b的方向移动，间隔件528与第五侧壁1163a之间的距离会渐渐增加，间隔件528与第六侧壁1163b之间的距离会渐渐减少。
图11与图12分别绘示可挠性显示装置500的薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120的局部俯视图，且图13绘示将薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120组立为可挠性显示装置500后，且可挠性显示装置500未弯折时的局部俯视图。
请同时参照图11与图12，图11中的(a)、(b)、(c)区域分别绘示位于可挠性显示装置500的第一部分500a、第二部分500b、第三部分500c中的薄膜晶体管阵列基板110的局部示意图，图12中的(a)、(b)、(c)区域分别绘示位于可挠性显示装置500的第一部分500a、第二部分500b、第三部分500c中的彩色滤光基板120的局部示意图。薄膜晶体管阵列基板110包括于第一基板111、数据线DL、扫描线SL与第一开口1161、1162、1163，扫描线SL与数据线DL设置于第一基板111上，且分别沿着X方向与Y方向延伸，多条数据线DL与多条扫描线SL彼此交错以定义多个子像素的区域ASPx。彩色滤光基板120包括遮蔽层124、彩色滤光层126与间隔件528。值得说明的是，为了使图式简洁，图12与下述图式(例如图13～图15)中未绘示各彩色滤光层126的边缘。举例来说，各彩色滤光层126的边缘在俯视方向上是位于遮蔽层124的垂直投影中，但不以此为限。请参照图13，图13中的(a)、(b)、(C)区域分别绘示可挠性显示装置500的第一部分500a、第二部分500b与第三部分500c的局部示意图，第一部分500a、第二部分500b与第三部分500c的间隔件528分别设置于第一开口1161、1162、1163中。在可挠性显示装置500未弯折时，扫描线SL与数据线DL完全被遮蔽层124覆盖。遮蔽层124包含多个扫描线遮蔽区块124a与多个数据线遮蔽区块124b，扫描线遮蔽区块124a与数据线遮蔽区块124b分别沿着不同方向(例如分别沿着X方向与Y方向)延伸且分别覆盖对应的扫描线SL与数据线DL。扫描线遮蔽区块124a与数据线遮蔽区块124b分别具有宽度WA与WB，且扫描线SL与数据线DL分别具有宽度WSL与WDL。在本实施中，扫描线遮蔽区块124a的宽度WA大于扫描线SL的宽度WSL，数据线遮蔽区块124b的宽度WB大于数据线DL的宽度WDL，在俯视方向上扫描线SL完全被对应的扫描线遮蔽区块124a覆盖，且扫描线遮蔽区块124a的垂直投影的侧边至扫描线SL的垂直投影的侧边的距离GS1～GS6为(WA-WSL)/2，其亦可称为扫描线遮蔽区块124a与扫描线SL的公差(tolerance)；在俯视方向上数据线DL完全被对应的数据线遮蔽区块124b覆盖，且数据线遮蔽区块124b的垂直投影的侧边至数据线DL的垂直投影的侧边的距离GD1～GD6为(WB-WDL)/2，其亦可称为数据线遮蔽区块124b与数据线DL的公差(tolerance)。
图14绘示可挠性显示装置500向内侧132弯折时的局部俯视图。
请参照图14，图14中的(a)、(b)、(c)区域分别绘示可挠性显示装置500的第一部分500a、第二部分500b以及第三部分500c的局部示意图。在向内侧132弯折可挠性显示装置500之后，第一部分500a的间隔件528可在第一开口1161中对应移动，朝向远离于第二部分500b的方向(例如是朝左侧)偏移，遮蔽层124(包括数据线遮蔽区块124b)亦朝向远离于第二部分500b的方向(例如是朝左侧)偏移。在图14的实施例中，因为薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120间的偏移量SH1小于数据线遮蔽区块124b与数据线DL的公差(WB-WDL)/2以及数据线DL的宽度WDL的总和(其总和为(WB-WDL)/2+WDL＝(WB+WDL)/2)，因此在俯视方向上数据线DL的一部分被对应的数据线遮蔽区块124b覆盖。第二部分500a的间隔件528维持在第一开口1162中的中心位置，第三部分500c的间隔件528可在第一开口1163中对应移动，朝向远离于第二部分500b的方向(例如是朝右侧)偏移，遮蔽层124(包括数据线遮蔽区块124b)亦朝向远离于第二部分500b的方向(例如是朝右侧)偏移。在图14的实施例中，因为薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120间的偏移量SH2小于数据线遮蔽区块124b与数据线DL的公差(WB-WDL)/2以及数据线DL的宽度WDL的总和(WB+WDL)/2，因此在俯视方向上数据线DL的一部分被对应的数据线遮蔽区块124b覆盖。
图15绘示对可挠性显示装置500进行再进一步弯折时的局部俯视图。
请同时参照图15，图15中的(a)、(b)、(c)区域分别绘示可挠性显示装置500的第一部分500a、第二部分500b与第三部分500c的局部示意图。在向内侧132再进一步弯折可挠性显示装置500之后，第一部分500a的间隔件528可在第一开口1161中进一步移动，朝向远离于第二部分500b的方向(例如是朝左侧)偏移，遮蔽层124(包括数据线遮蔽区块124b)亦朝向远离于第二部分500b的方向(例如是朝左侧)偏移。在图15的实施例中，第一部分500a与第三部分500c的薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120间的偏移量等于数据线遮蔽区块124b与数据线DL的公差(WB-WDL)/2以及数据线DL的宽度WDL的总和(WB+WDL)/2，因此数据线DL未被对应的数据线遮蔽区块124b覆盖，第一部分500a的数据线遮蔽区块124b的垂直投影的右侧边与数据线DL的垂直投影的左侧边切齐，且第三部分500c的数据线遮蔽区块124b的垂直投影的左侧边与数据线DL的垂直投影的右侧边切齐。由图15可得知，当第一部分500a与第三部分500c的薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120间的偏移量大于数据线遮蔽区块124b与数据线DL的公差(WB-WDL)/2以及数据线DL的宽度WDL的总和(WB+WDL)/2时，则薄膜晶体管阵列基板110的单个子像素的区域ASPx会对应到彩色滤光基板120的两个不同颜色的彩色滤光层124而造成混色，因此薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120之间的偏移量需小于或等于(WB+WDL)/2，以避免混色，也就是薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120间的最大容许偏移量为(WB+WDL)/2。如上所述，可将图9A与图13中的间隔件528与第一开口1161间的第一距离D1以及图9C与图13中的间隔件528与第一开口1163间的第六距离D6设定为小于或等于最大容许偏移量(WB+WDL)/2，以避免混色。
值得说明的是，在图11～图15的实施例中是以数据线遮蔽区块124b的宽度WB大于数据线DL的宽度WDL为例示，但不以此为限。在其他实施例中，数据线遮蔽区块124b的宽度WB可相同于数据线DL的宽度WDL，也就是数据线遮蔽区块124b与数据线DL的公差(其等于(WB-WDL)/2)为0，则薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120间的最大容许偏移量的推导方式与前述推导过程类似，并且最大容许偏移量依然为(WB+WDL)/2。此外，因为WB相同于WDL，因此薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120间的最大容许偏移量等于数据线遮蔽区块124b的宽度WB，且第一距离D1与第六距离D6可限定为小于或等于数据线遮蔽区块124b的宽度WB，以避免混色。
此外，在图11～图15的实施例中，扫描线SL与数据线DL分别沿着X方向与Y方向延伸，且沿着X方向延伸的子像素行(sub-pixel row)中任两相邻的子像素分别显示不同颜色，但不以此为限。在其它实施例中，数据线DL与扫描线SL可分别沿着X方向与Y方向延伸，且沿着X方向延伸的子像素行中任两相邻的子像素可分别显示不同颜色，换言之，也就是将图11～图15中的SL、WSL、124a、WA的标示位置与DL、WDL、124b、WB的标示位置彼此交换，则薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120间的最大容许偏移量的推导方式与前述推导过程类似，并且最大容许偏移量为(WA+WSL)/2。值得说明的是，在接下来的图16～图20的实施例中是以扫描线SL与数据线DL分别沿着X方向与Y方向延伸，且薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120间的最大容许偏移量为(WB+WDL)/2为例示，但不以此为限。在图16～图20中的数据线DL与扫描线SL是分别沿着X方向与Y方向延伸的实施例中，则可以薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120间的最大容许偏移量为(WA+WSL)/2来说明图16～图20的实施例。
图16绘示依照本发明又一实施例的可挠性显示装置600弯折后的侧视图，可挠性显示装置600类似于可挠性显示装置500，因此可挠性显示装置600未弯折时的图式可参照图8A，而其不同之处在于可挠性显示装置600是用于外弯型的可挠性显示装置。可挠性显示装置600的结构可相同或类似于上述的可挠性显示装置100～400的结构或为其他实施例的可挠性显示装置。
请参照图16，可挠性显示装置600包括第一部分600a、第二部分600b及第三部分600c，且第二部分600b位于第一部分600a与第三部分600c之间。如图16所示，当可挠性显示装置600是向外侧134弯折时，第一部分600a的薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120往不同方向相对移动，如同箭头S11与S12所示，也就是薄膜晶体管阵列基板110相对于彩色滤光基板120是往远离第二部分600b的方向(箭头S11的方向)移动，彩色滤光基板120相对于薄膜晶体管阵列基板110是往朝向第二部分600b的方向(箭头S12的方向)移动，且彼此相对移动造成薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120间具有偏移量；第三部分600c的薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120往不同方向相对移动，如同箭头S13与S14所示，也就是薄膜晶体管阵列基板110相对于彩色滤光基板120是往远离第二部分600b的方向(箭头S13的方向)移动，彩色滤光基板120相对于薄膜晶体管阵列基板110是往朝向远离第二部分600b的方向(箭头S14的方向)移动，且彼此相对移动造成薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120间具有偏移量；第二部分600b的薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120则彼此不相对移动，也就是薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120间不具有偏移量，或是往不同方向相对少许移动彼此相对移动造成薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120间具有偏移量，且上述偏移量小于第一部分600a与第三部分600c的薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120间的偏移量。为了改善在可挠性显示装置600的薄膜晶体管朝向外侧134弯折之后，第一部分600a及第三部分600c的薄膜晶体管阵列基板110及彩色滤光基板120产生相对偏移而造成的混色问题，可挠性显示装置600的第一部分600a、第二部分600b及第三部分600c之间隔件628在第一绝缘层112中的第一开口1161、1162、1163中的设置位置可有所不同，如图17A～图17C所示。
图17A～图17C绘示可挠性显示装置600未弯折时的局部剖视图，图18A～图18C绘示可挠性显示装置600弯折后的局部剖视图。图17A～图17C分别绘示可挠性显示装置600未弯折时第一部分600a、第二部分600b以及第三部分600c之间隔件628的设置方式，图18A～图18C分别为可挠性显示装置600弯折后的第一部分600a、第二部分600b与第三部分600c之间隔件628的位置。如图17A～图17C所示，位于第一基板111与液晶层130之间的第一绝缘层112可具有多个第一开口1161、1162、1163。当薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120相对移动时，间隔件628亦与薄膜晶体管阵列基板110的第一开口1161、1162、1163相对移动。
请参照图17A，第一部分600a的第一开口1161包括第一侧壁1161a及第二侧壁1161b，第二侧壁1161b相对于第一侧壁1161a。在X方向上，第一部分600a的间隔件628与第一侧壁1161a及第二侧壁1161b之间分别具有第一距离D11及第二距离D12，第一距离D11不同于第二距离D12，但不以此为限。在本实施例中，在弯折可挠性显示装置600之前，第二距离D12小于或等于第一部分600a的薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120间的最大容许偏移量(WB+WDL)/2，如此一来，即可避免当可挠性显示装置600弯折时，薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120间的偏移量大于最大容许偏移量(WB+WDL)/2而造成混色。
请参照图18A，在弯折可挠性显示装置600之后，第一部分600a的间隔件628与第一侧壁1161a及第二侧壁1161b之间的距离分别大于第一距离D11及小于第二距离D12，且分别为(D11+SH3)与(D12-SH3)，其中SH3为第一部分600a的薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120间的偏移量(亦可称为第三偏移量)。也就是说，当可挠性显示装置600向外侧134逐渐弯折时，随着第一部分600a的间隔件628相对于薄膜晶体管阵列朝向第二部分600b移动，间隔件628与第一侧壁1161a之间的距离会渐渐增加，间隔件628与第二侧壁1161b之间的距离会渐渐减少。
请参照图17B，第二部分600b的第一开口1162包括第三侧壁1162a及第四侧壁1162b，第四侧壁1162b相对于第三侧壁1162a。第二部分600b的每个间隔件628与第三侧壁1162a及第四侧壁1162b之间分别具有第三距离D13及第四距离D14。在本实施例中，第三距离D13相同于第四距离D14，然本发明不以此为限，第三距离D13亦可不同于第四距离D14。请参照图18B，在弯折可挠性显示装置600后，第二部分600b的薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120彼此不相对移动，也就是薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120间不具有偏移量，因此第二部分600b的间隔件628与第三侧壁1162a及第四侧壁1162b之间的距离分别维持为第三距离D13及一第四距离D14，但不以此为限。在弯折可挠性显示装置600后，第二部分600b的薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120分别往不同方向相对少许移动且彼此间具有偏移量的实施例中，第二部分600b的间隔件628与第三侧壁1162a及第四侧壁1161b之间的距离在弯折可挠性显示装置600后可分别分别小于第三距离D13及大于第四距离D14，或是大于第三距离D13及小于第四距离D14。
请参照图17C，第三部分600c的第一开口1163包括第五侧壁1163a及第六侧壁1163b，第六侧壁1163b相对于第五侧壁1163a。在X方向上，第三部分600c的间隔件628与第五侧壁1163a及第六侧壁1163b之间分别具有第五距离D15及第六距离D16，第五距离D15不同于第六距离D16。举例来说，在本实施例中的第六距离D16小于第五距离D15，但不以此为限。在本实施例中，在可挠性显示装置600未弯折时，第五距离D15小于或等于第三部分600c的薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120间的最大容许偏移量(WB+WDL)/2，如此一来，即可避免当可挠性显示装置600弯折时，薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120间的偏移量大于最大容许偏移量(WB+WDL)/2而造成混色。
请参照图18C，在弯折可挠性显示装置600之后，第三边缘部分600c的间隔件628与第五侧壁1163a及第六侧壁1163b之间的距离分别小于第五距离D15及大于第六距离D16，且分别为(D15-SH4)与(D16+SH4)，其中SH4为第三部分600c的薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120间的偏移量(亦可称为第四偏移量)。也就是说，当可挠性显示装置600向外侧134逐渐弯折时，随着第三部分600c的间隔件628相对于薄膜晶体管基板110朝向第二部分600b的方向移动，间隔件628与第五侧壁1163a之间的距离会渐渐减少，间隔件628与第六侧壁1163b之间的距离会渐渐增加。
图19绘示依照本发明又一实施例的可挠性显示装置700弯折后的侧视图。可挠性显示装置700未弯折时的图式可参照图8A。可挠性显示装置700为可随意弯折的显示装置，且可挠性显示装置700的结构可相同或类似于上述的可挠性显示装置100～400或为其他实施例的可挠性显示装置。换言之，也就是本实施例的可挠性显示装置700不限定为内弯或外弯型态的可挠性显示装置。请参照图19，可挠性显示装置700的至少一部分皆可内弯或外弯。
图20绘示可挠性显示装置700未弯折时的局部剖视图。图20绘示当可挠性显示装置700尚未弯折时的间隔件728的设置方式。位于第一基板111与液晶层130之间的第一绝缘层112可具有多个第一开口1160。当薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120相对移动时，间隔件728亦与薄膜晶体管阵列基板110的第一开口1160相对移动。
请参照图20，第一开口1160包括第一侧壁1160a及第二侧壁1160b，第二侧壁1160b相对于第一侧壁1160a。在X方向上，间隔件728与第一侧壁1160a及第二侧壁1160b之间分别具有一第一距离D21及一第二距离D22，且第一距离D21及第二距离D22皆小于或等于薄膜晶体管阵列基板110与彩色滤光基板120间的最大容许偏移量(WB+WDL)/2，故可改善可挠性显示装置700在弯折时过度偏移而产生的混色的问题。值得说明的是，在本发明上述多个实施例中的间隔件128、228、328、428、528、628、728亦可称为第一间隔件。在一些实施例中，可挠性显示装置的间隔件可仅包括第一间隔件。在另一些实施例中，可挠性显示装置的间隔件可包含第一间隔件与第二间隔件，其中第二间隔件不同于第一间隔件。举例来说，第一间隔件的顶端可接触薄膜晶体管阵列基板，以固定薄膜晶体管阵列基板与彩色滤光基板间的液晶间隙(cell gap)，而第二间隔件的顶端至薄膜晶体管阵列基板间可具有大于0的距离，以在使用者按压可挠性显示装置时具有弹性，但不以此为限。
由于本发明的可挠性显示装置的第一绝缘层具有第一开口，并使得形成于第一基板上的间隔件的一部分设置于第一开口中，在弯折可挠性显示装置时，第一开口可限制间隔件的移动，并可限制薄膜晶体管阵列基板与彩色滤光基板之间的相对移动范围，故可避免薄膜晶体管阵列基板与彩色滤光基板之间偏移过多所导致的混色的问题。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种可挠性显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：
第一基板与第二基板；
液晶层，设置于所述第一基板与所述第二基板之间；
第一绝缘层，设置于所述第一基板与所述液晶层间，所述第一绝缘层具有多个第一开口；以及
多个第一间隔件，设置于所述第一基板与所述第二基板之间，且各所述第一间隔件的一部分设置于对应的所述第一开口中。
2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一绝缘层为感光材料。
3.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，更包括第二绝缘层，所述第二绝缘层设置于所述第二基板与所述液晶层间，所述第二绝缘层具有多个第二开口，且各所述第一间隔件的另一部分设置于对应的所述第二开口中。
4.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一开口的侧壁具有第一阶梯形状，所述第一间隔件的侧壁具有第二阶梯形状，所述第一阶梯形状互补于所述第二阶梯形状。
5.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，更包括多个薄膜晶体管、保护层、共通电极与多个像素电极，所述多个薄膜晶体管设置于所述第一基板与所述第一绝缘层间，所述保护层设置于所述第一绝缘层与所述液晶层间，所述共通电极设置于所述第一绝缘层与所述保护层间，所述多个像素电极设置于所述保护层与所述液晶层间，且各所述像素电极电连接对应的所述薄膜晶体管。
6.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一间隔件与对应的所述第一开口的侧壁具有第一距离，所述显示装置更包括：遮蔽层与多条数据线，所述遮蔽层设置于所述第二基板与所述液晶层间，且所述多条数据线设置于所述第一基板与所述液晶层间，其中所述遮蔽层包括多个数据线遮蔽区块，各所述数据线遮蔽区块覆盖对应的所述数据线，所述数据线遮蔽区块具有宽度WB，所述数据线具有宽度WDL，且所述第一距离小于或等于(WB+WDL)/2。
7.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一间隔件与对应的所述第一开口的侧壁具有第一距离，所述显示装置更包括：遮蔽层与多条扫描线，所述遮蔽层设置于所述第二基板与所述液晶层间，且所述多条扫描线设置于所述第一基板与所述液晶层间，其中所述遮蔽层包括多个扫描线遮蔽区块，各所述扫描线遮蔽区块覆盖对应的所述扫描线，所述扫描线遮蔽区块具有宽度WA，所述扫描线具有宽度WSL，且所述第一距离小于或等于(WA+WSL)/2。
8.一种可挠性显示装置的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
形成薄膜晶体管阵列基板，其包括下列步骤：
形成多个薄膜晶体管于第一基板上；及
形成第一绝缘层于所述多个薄膜晶体管上，其中所述第一绝缘层具有多个第一开口；
形成彩色滤光基板，其包括下列步骤：
形成遮蔽层与多个彩色滤光层于第二基板上；及
形成多个第一间隔件于所述第二基板上；以及
组立所述薄膜晶体管阵列基板与所述彩色滤光基板，其中所述多个第一间隔件位于所述第一基板与所述第二基板之间，且在组立完成后各所述第一间隔件的一部分设置于对应的所述第一开口中。
9.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述第一绝缘层的材料为感光材料，且形成所述第一绝缘层的步骤包括形成第一绝缘材料层于所述第一基板上，以及对所述第一绝缘材料层进行微影工艺以形成所述多个第一开口。
10.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述第一开口的侧壁具有第一阶梯形状，所述第一间隔件的侧壁具有第二阶梯形状，所述第一阶梯形状互补于所述第二阶梯形状。
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