CN112002741B - 显示面板及其制作方法 - Google Patents

显示面板及其制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112002741B
CN112002741B CN202010801636.1A CN202010801636A CN112002741B CN 112002741 B CN112002741 B CN 112002741B CN 202010801636 A CN202010801636 A CN 202010801636A CN 112002741 B CN112002741 B CN 112002741B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
quantum dot
emitting device
light
color conversion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010801636.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112002741A (zh
Inventor
王敏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN202010801636.1A priority Critical patent/CN112002741B/zh
Publication of CN112002741A publication Critical patent/CN112002741A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112002741B publication Critical patent/CN112002741B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明公开了一种显示面板及其制作方法，显示面板的制作方法包括以下步骤：步骤A：形成支撑组件，所述支撑组件包括第一非晶硅层；步骤B：在所述支撑组件上形成发光器件，所述发光器件包括蓝色发光层和阴极层；步骤C：将带有色彩转换层的模版转印至所述阴极层，所述色彩转换层包括绿色量子点膜图案和红色量子点膜图案；步骤D：在所述色彩转换层上形成无机保护层；步骤E：在所述无机保护层上设置第一阻隔复合膜层；步骤F：利用激光照射所述第一非晶硅层，使得所述第一非晶硅层与所述发光器件的第一表面分离；步骤G：将第二阻隔复合膜层的第一表面和所述发光器件的第一表面贴合，以形成显示面板。

Description

显示面板及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制作方法。
背景技术
量子点(Quantum Dot，QD)是一种无机纳米级半导体材料，通过对其施加一定的光压和电场发出特定频率的光。而发出的光的频率会随着量子点的尺寸或种类的改变而变化，因而通过精准控制量子点的尺寸或种类就可以发出纯度高的RGB三原色，从而显著提高色域。因此，量子点被广泛应用于显示技术领域。OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)拥有自发光、超轻薄、响应速度快、宽视角等特性。蓝光OLED器件是理想的量子点激发光源。因此量子点与蓝光OLED的结合(QD-OLED)制作的显示面板将同时拥有量子点与OLED的优点，从而提升产品性能。
QD-OLED显示面板具有轻薄、可弯折、低功耗等优点，在智能家电、可穿戴设备等方面具有广泛的应用前景。然而量子点和OLED的有机发光层对水氧十分敏感，影响其发光性能，因此封装结构和材料至关重要。目前，QD-OLED显示面板的制作方法主要是将红色和绿色量子点膜制作在封装盖板一侧，然后通过阵列基板和封装盖板对组的方式来形成QD-OLED显示面板，这种方式要求对组时有非常高的对位精度，并且，QD-OLED显示面板主要是应用框胶和填充胶对其进行封装，但是，填充胶中的气体会对显示面板中的量子点膜层造成损害，从而造成显示面板出现显示异常的问题。
故，有必要提出一种新的技术方案，以解决上述技术问题。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板及其制作方法，用于改善由于显示面板中的量子点膜层受到水氧的侵蚀而造成的显示异常的问题。
本发明实施例提供一种显示面板的制作方法，包括以下步骤：
步骤A：形成支撑组件，所述支撑组件包括第一非晶硅层；
步骤B：在所述支撑组件上形成发光器件，所述发光器件包括蓝色发光层和阴极层；
步骤C：将带有色彩转换层的模版转印至所述阴极层，所述色彩转换层包括绿色量子点膜图案和红色量子点膜图案；
步骤D：在所述色彩转换层上形成无机保护层；
步骤E：在所述无机保护层上设置第一阻隔复合膜层；
步骤F：利用激光照射所述第一非晶硅层，使得所述第一非晶硅层与所述发光器件的第一表面分离；
步骤G：将第二阻隔复合膜层的第一表面和所述发光器件的第一表面贴合，以形成显示面板。
在本发明提供的显示面板的制作方法中，所述第一阻隔复合膜层至少包括层叠设置的第一粘着层、第一水氧阻隔层和第一支撑膜层；以及
所述第二阻隔复合膜层至少包括层叠设置的第二粘着层、第二水氧阻隔层和第二支撑膜层。
在本发明提供的显示面板的制作方法中，所述步骤E包括：
利用滚轮或真空压合的方式将所述第一阻隔复合膜层贴合设置在所述无机保护层上，其中，所述第一粘着层贴合所述无机保护层。
在本发明提供的显示面板的制作方法中，所述步骤G包括：
利用滚轮或真空压合的方式将所述第二阻隔复合膜层贴合设置在所述发光器件的第一表面，其中，所述第二粘着层贴合所述发光器件的第一表面。
在本发明提供的显示面板的制作方法中，所述发光器件还包括薄膜晶体管阵列基板和发光功能层，所述步骤B包括：
步骤b11：形成薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板包括多个阵列排布的薄膜晶体管；
步骤b12：在所述薄膜晶体管阵列基板上形成发光功能层，所述发光功能层包括像素定义层、阳极层、所述蓝色发光层和所述阴极层。
在本发明提供的显示面板的制作方法中，所述发光器件还包括基板层，所述步骤b11之前，还包括：
形成基板层，所述基板层包括第一柔性衬底层、第一无机层、第二非晶硅层、第二柔性衬底层、第三柔性衬底层及第二无机层。
本发明还提供一种显示面板，包括：
发光器件，所述发光器件包括薄膜晶体管阵列基板和发光功能层；
色彩转换层，所述色彩转换层通过转印技术将带有所述色彩转换层的模版转印至所述阴极层上形成的，所述色彩转换层包括绿色量子点膜图案和红色量子点膜图案
无机保护层，所述无机保护层覆盖所述色彩转换层及阴极层；
第一阻隔复合膜层，所述第一阻隔复合膜层贴合设置在所述无机材料层上；
第二阻隔复合膜层，所述第二阻隔复合膜层贴合设置在所述发光器件远离所述色彩转换层的一面。
在本发明提供的显示面板中，所述第一阻隔复合膜层通过滚轮或真空压合的方式贴合设置在所述无机材料层上；以及
所述第二阻隔复合膜层通过滚轮或真空压合的方式贴合设置在所述发光器件远离所述色彩转换层的一面。
在本发明提供的显示面板中，所述第一阻隔复合膜层至少包括层叠设置的第一粘着层、第一水氧阻隔层和第一支撑膜层；以及
所述第二阻隔复合膜层至少包括层叠设置的第二粘着层、第二水氧阻隔层和第二支撑膜层。
在本发明提供的显示面板中，所述发光器件还包括基板层，所述基板层包括依次层叠设置的第一柔性衬底层、第一无机层、第二非晶硅层、第二柔性衬底层、第三柔性衬底层、第二无机层。
本发明实施例提供一种显示面板及其制作方法，在本发明实施例提供的显示面板的制作方法中，通过转印技术将量子点膜图案转移至阴极层上，形成色彩转换层。并利用第一阻隔复合膜层和第二阻隔复合膜层对色彩转换层进行保护。改善了由于显示面板中的色彩转换层受到水氧的侵蚀而造成的显示异常的问题。
为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
附图说明
图1为本发明实施例提供的显示面板的结构示意图；
图2和图3为本发明实施例提供的显示面板的制作方法的步骤流程图；
图4至图9为本发明实施例提供的显示面板的制作方法的示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，请参照附图中的图式，其中相同的组件符号代表相同的组件，以下的说明是基于所示的本发明具体实施例，其不应被视为限制本发明未在此详述的其他具体实施例。本说明书所使用的词语“实施例”意指实例、示例或例证。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
请参考图2，本发明实施例提供一种显示面板的制作方法，包括以下步骤：
步骤S1：形成支撑组件，所述支撑组件包括第一非晶硅层；
步骤S2：在所述支撑组件上形成发光器件，所述发光器件包括蓝色发光层和阴极层；
步骤S3：将带有量子点膜图案的模版转印至所述阴极层，以形成色彩转换层，所述色彩转换层在阴极层上间隔排列，所述量子点膜图案包括绿色量子点膜图案和红色量子点膜图案；
步骤S4：在所述色彩转换层上形成无机保护层；
步骤S5：在所述无机保护层上设置第一阻隔复合膜层；
步骤S6：利用激光照射所述第一非晶硅层，使得所述第一非晶硅层与所述发光器件的第一表面分离；
步骤S7：将第二阻隔复合膜层的第一表面和所述发光器件的第一表面贴合，以形成显示面板。
具体的，请参考图4，在步骤S1中，应用化学气相沉积技术在玻璃基板101上沉积形成缓冲层102和第一非晶硅层103，以形成支撑组件10。其中，缓冲层102包括但不限于含硅的氮化物或氧化物，例如，缓冲层为SiNx或SiOx。
请参考图5，发光器件包括基板层200，在形成支撑组件10后，还包括形成基板层200。基板层200包括第一柔性衬底层201、第一无机层202、第二非晶硅层203、第二柔性衬底层204、第三柔性衬底层205及第二无机层206。具体的，在第一非晶硅层103上涂布高分子柔性材料并固化，以形成第一柔性衬底层201。随后，在第一柔性衬底层201上沉积形成第一无机层202，第一无机层202的材料包括但不限于含硅的氮化物或氧化物，例如，第一无机层202为SiNx或SiOx等。第一无机层202用于阻挡从第一柔性衬底层201渗入的外界的水氧。接下来，在第一无机层202上依次沉积形成第二非晶硅层203、第二柔性衬底层204、第三柔性衬底层205及第二无机层206。其中，在第一无机层202上形成第二非晶硅层203，可以提高第二柔性衬底层204的附着力。另外，本发明实施例中的第二柔性衬底层204和第三柔性衬底层205分两次成膜，主要是为了减小基板层200的应力。第二无机层206用于防止第三柔性衬底层205中的气体以及外界渗入的水蒸气破坏发光器件。第二无机层206的材料包括但不限于为含硅的氮化物或氧化物或氮氧化硅，例如，第二无机层206为SiNx或SiOx或SiOxNy等中的一种或几种。需要说明的是，本发明实施例中形成第一柔性衬底层201、第二柔性衬底层204和第三柔性衬底层205的材料可以相同也可以不同。形成第一柔性衬底层201、第二柔性衬底层204和第三柔性衬底层205的材料为高分子柔性材料，例如，第一柔性衬底层201、第二柔性衬底层204和第三柔性衬底层205的材料为PI(聚酰亚胺)、PET(聚二甲酸乙二醇酯)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇脂)、PC(聚碳酸酯)、PES(聚醚砜)、PAR(含有聚芳酯的芳族氟甲苯)或PCO(多环烯烃)等。
请结合图3和图6，在步骤S2中，发光器件还包括薄膜晶体管阵列基板310和发光功能层320。步骤S2包括：
步骤S21：形成薄膜晶体管阵列基板310，所述薄膜晶体管阵列基板310包括多个阵列排布的薄膜晶体管。
其中，薄膜晶体管包括有源层311，源漏金属层313及栅极312，薄膜晶体管阵列基板310还包括栅极绝缘层(图中未示出)、钝化层(图中未示出)和平坦化层314等。薄膜晶体管阵列基板310的制作方法为本领域的常规技术手段，在此不再赘述。
步骤S22：在所述薄膜晶体管阵列基板310上形成发光功能层，所述发光功能层包括像素定义层322、阳极层321、所述蓝色发光层323和所述阴极层324。
具体的，首先，在平坦化层314上形成阳极层321和像素定义层322，像素定义层322包括多个开口，蓝色发光层323限定于像素定义层322的开口内。然后，在蓝色发光层323上形成阴极层324。其中，阴极层324的材料为氧化铟锡、银、镁或铝中的一种或其任意组合。
接下来，请参考图7，在步骤S3中，通过转印技术将带有色彩转换层40的模版转印至阴极层324上，其中，色彩转换层40包括绿色量子点膜图案G和红色量子点膜图案R，并且，红色量子点膜图案R和绿色量子点膜图案G在阴极层324上间隔排列，且红色量子点膜图案R和绿色量子点膜图案G分别与蓝色发光层323一一对应。红色量子点膜图案R为发红光的量子点材料，绿色量子点膜图案G为发绿光的量子点材料。发红光的量子点材料和发绿光的量子的材料可以通过调节量子点的尺寸或种类制得。如图8所示，图8为图7的局部放大图。在一像素区域中，包括蓝色子像素区域E1、红色子像素区域E2和绿色子像素区域E3。蓝色子像素区域E1包括阳极层321、蓝色发光层323和阴极层324。红色子像素区域E2包括阳极层321、蓝色发光层323、阴极层324和红色量子点膜图案R。绿色子像素区域E3包括阳极层321、蓝色发光层323、阴极层324和绿色量子点膜图案G。其中，在红色子像素区域E2中，蓝色发光层发出的光可以激发红色电子点膜图案R发出红色的光，在绿色子像素区域E3中，蓝色发光层发出的光可以激发绿色电子点膜图案G发出绿色的光，以此形成纯度高的RGB三原色。
应用转印技术制作色彩装换层40的步骤为：首先，将发绿光和红光的量子点材料制作于具有凹槽的母版中，形成红色量子点膜图案和绿色量子点膜图案。再将红色量子点膜图案和绿色量子点膜图案转移至模版上，本发明实施例中的模版包括滚轮。最后，将带有红色量子点膜图案和绿色量子点膜图案的模版转印至阴极层上，以此形成色彩装换层40。
请继续参考图7，在步骤S4中，在色彩转换层40上形成无机保护层50，用于防止色彩转换层40受到水氧的损害。无机保护层50的材料包括但不限于含硅的氧化物、含硅的氮化物、含硅的氮氧化物或者金属氧化物等。例如，无机保护层50的材料为SiOx、SiNx、SiOxNy、ZnO或Al2O3。
接下来，在步骤S5中，在无机保护层50上形成第一阻隔复合膜层60。其中，第一阻隔复合膜层60至少包括层叠设置的第一粘着层601、第一水氧阻隔层602和第一支撑膜层603。具体的，步骤S5包括，利用滚轮或真空压合的方式将第一阻隔复合膜层60贴合设置在无机保护层50上，其中，第一粘着层601贴合无机保护层50。其中，第一水氧阻隔层602的材料包括但不限于含硅的氧化物、含硅的氮化物、含硅的氮氧化物。例如，第一水氧阻隔层602的材料为SiOx、SiNx或SiOxNy。第一支撑膜层603的材料为具有透明度高的高分子聚合物。本发明实施例中的第一阻隔复合膜层60具有优异的水氧阻隔性能、高的透明度以及耐弯折的特性。
请参考图9，在步骤S6中，利用激光照射第一非晶硅层103，在激光的照射下，第一非晶硅层103产生大量氢气，使得支撑组件10与发光器件分离。
最后，在步骤S7中，请参考图1，将第二阻隔复合膜层70的第一表面与发光器件远离色彩转换层40的一面贴合。第二阻隔复合膜层70的第一表面为设置有第二粘着层701的一面。其中，第二阻隔复合膜层70至少包括层叠设置的第二粘着层701、第二水氧阻隔层702和第二支撑膜层703。具体的，步骤S7包括利用滚轮或真空压合的方式将第二阻隔复合膜层70贴合设置在发光器件的第一表面，其中，第二粘着层701贴合发光器件的第一表面。需要说明的是，本发明实施例中发光器件的第一表面为发光器件远离色彩转换层40的一面。第二水氧阻隔层702的材料为含硅的氧化物、含硅的氮化物、含硅的氮氧化物，例如，第二水氧阻隔层702的材料包括但不限于SiOx、SiNx或SiOxNy。第二支撑膜层703的材料为具有透明度高的高分子聚合物。本发明实施例中的第二阻隔复合膜层70具有优异的水氧阻隔性能、高的透明度以及耐弯折的特性，第二阻隔复合膜层70用于保护发光器件远离色彩转换层40的一面不受外界水氧的损坏。
本发明实施例还提供一种显示面板，显示面板包括：
发光器件，发光器件包括薄膜晶体管阵列基板310和发光功能层；
其中，薄膜晶体管包括有源层311，源漏金属层313及栅极312，薄膜晶体管阵列基板310还包括栅极绝缘层(图中未示出)、钝化层(图中未示出)和平坦化层314等。
发光功能层包括像素定义层322、阳极层321、所述蓝色发光层323和所述阴极层324。
发光器件还包括基板层200，基板层200包括第一柔性衬底层201、第一无机层202、第二非晶硅层203、第二柔性衬底层204、第三柔性衬底层205及第二无机层206。
色彩转换层40，色彩转化层40通过转印技术将带有所述色彩转换层40的模版转印至所述阴极层324上形成的，所述色彩转换层40包括绿色量子点膜图案G和红色量子点膜图案R。
并且，红色量子点膜图案R和绿色量子点膜图案G在阴极层324上间隔排列，且红色量子点膜图案R和绿色量子点膜图案G分别与蓝色发光层323一一对应。红色量子点膜图案R为发红光的量子点材料，绿色量子点膜图案G为发绿光的量子点材料。发红光的量子点材料和发绿光的量子的材料可以通过调节量子点的尺寸或种类制得。
无机保护层50，所述无机保护层50覆盖所述色彩转换层40及阴极层324；
其中，无机保护层50的材料包括但不限于含硅的氧化物、含硅的氮化物、含硅的氮氧化物或者金属氧化物等。例如，无机保护层50的材料为SiOx、SiNx、SiOxNy、ZnO或Al2O3。
第一阻隔复合膜层60，所述第一阻隔复合膜层60贴合设置在所述无机材料层50上；
其中，所述第一阻隔复合膜层60至少包括层叠设置的第一粘着层601、第一水氧阻隔层602和第一支撑膜层603。所述第一阻隔复合膜层60通过滚轮或真空压合的方式贴合设置在所述无机材料层50上。第一水氧阻隔层602的材料包括但不限于含硅的氧化物、含硅的氮化物、含硅的氮氧化物。例如，第一水氧阻隔层602的材料为SiOx、SiNx或SiOxNy。第一支撑膜层603的材料为具有透明度高的高分子聚合物。本发明实施例中的第一阻隔复合膜层60具有优异的水氧阻隔性能、高的透明度以及耐弯折的特性。
第二阻隔复合膜层70，所述第二阻隔复合膜层70贴合设置在所述发光器件远离所述色彩转换层40的一面；
其中，所述第二阻隔复合膜层70至少包括层叠设置的第二粘着层701、第二水氧阻隔层702和第二支撑膜层703。所述第二阻隔复合膜层70通过滚轮或真空压合的方式贴合设置在所述发光器件远离所述色彩转换层40的一面。第二水氧阻隔层702的材料包括但不限于含硅的氧化物、含硅的氮化物、含硅的氮氧化物，例如，第二水氧阻隔层702的材料为SiOx、SiNx或SiOxNy。第二支撑膜层703的材料为具有透明度高的高分子聚合物。本发明实施例中的第二阻隔复合膜层70具有优异的水氧阻隔性能、高的透明度以及耐弯折的特性，第二阻隔复合膜层70用于保护发光器件远离色彩转换层40的一面不受外界水氧的损坏。
本发明实施例提供一种显示面板及其制作方法，在本发明实施例提供的显示面板的制作方法中，通过转印技术将量子点膜图案转移至阴极层上，形成色彩转换层。并利用第一阻隔复合膜层和第二阻隔复合膜层对色彩转换层进行保护。改善了由于显示面板中的色彩转换层受到水氧的侵蚀而造成的显示异常的问题。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (8)

1.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤A：形成支撑组件，所述支撑组件包括第一非晶硅层；
步骤B：在所述支撑组件上形成发光器件，所述发光器件包括蓝色发光层和阴极层；其中
形成所述发光器件的步骤包括：
在所述支撑组件上形成基板层，所述基板层包括依次层叠设置的第一柔性衬底层、第一无机层、第二非晶硅层、第二柔性衬底层、第三柔性衬底层和第二无机层；
步骤C：将带有色彩转换层的模版转印至所述阴极层，所述色彩转换层包括绿色量子点膜图案和红色量子点膜图案，所述红色量子点膜图案和所述绿色量子点膜图案在所述阴极层上间隔排列，且所述红色量子点膜图案和所述绿色量子点膜图案分别与所述蓝色发光层一一对应；
步骤D：在所述色彩转换层上形成无机保护层；
步骤E：在所述无机保护层上设置第一阻隔复合膜层；
步骤F：利用激光照射所述第一非晶硅层，使得所述第一非晶硅层与所述发光器件的第一表面分离；
步骤G：将第二阻隔复合膜层的第一表面和所述发光器件的第一表面贴合，以形成显示面板。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述第一阻隔复合膜层至少包括层叠设置的第一粘着层、第一水氧阻隔层和第一支撑膜层；以及
所述第二阻隔复合膜层至少包括层叠设置的第二粘着层、第二水氧阻隔层和第二支撑膜层。
3.根据权利要求2所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述步骤E包括：
利用滚轮或真空压合的方式将所述第一阻隔复合膜层贴合设置在所述无机保护层上，其中，所述第一粘着层贴合所述无机保护层。
4.根据权利要求3所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述步骤G包括：
利用滚轮或真空压合的方式将所述第二阻隔复合膜层贴合设置在所述发光器件的第一表面，其中，所述第二粘着层贴合所述发光器件的第一表面。
5.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述发光器件还包括薄膜晶体管阵列基板和发光功能层，所述步骤B包括：
步骤b11：形成薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板包括多个阵列排布的薄膜晶体管；
步骤b12：在所述薄膜晶体管阵列基板上形成发光功能层，所述发光功能层包括像素定义层、阳极层、所述蓝色发光层和所述阴极层。
6.一种显示面板，其特征在于，包括：
发光器件，所述发光器件包括基板层、薄膜晶体管阵列基板、蓝色发光层和阴极层，所述基板层包括依次层叠设置的第一柔性衬底层、第一无机层、第二非晶硅层、第二柔性衬底层、第三柔性衬底层、第二无机层；
色彩转换层，所述色彩转换层通过转印技术将带有所述色彩转换层的模版转印至所述阴极层上形成的，所述色彩转换层包括绿色量子点膜图案和红色量子点膜图案，所述红色量子点膜图案和所述绿色量子点膜图案在所述阴极层上间隔排列，且所述红色量子点膜图案和所述绿色量子点膜图案分别与所述蓝色发光层一一对应；
无机保护层，所述无机保护层覆盖所述色彩转换层及所述阴极层；
第一阻隔复合膜层，所述第一阻隔复合膜层贴合设置在所述无机保护层上；
第二阻隔复合膜层，所述第二阻隔复合膜层贴合设置在所述发光器件远离所述色彩转换层的一面。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第一阻隔复合膜层通过滚轮或真空压合的方式贴合设置在所述无机保护层上；以及
所述第二阻隔复合膜层通过滚轮或真空压合的方式贴合设置在所述发光器件远离所述色彩转换层的一面。
8.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第一阻隔复合膜层至少包括层叠设置的第一粘着层、第一水氧阻隔层和第一支撑膜层；以及
所述第二阻隔复合膜层至少包括层叠设置的第二粘着层、第二水氧阻隔层和第二支撑膜层。
CN202010801636.1A 2020-08-11 2020-08-11 显示面板及其制作方法 Active CN112002741B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010801636.1A CN112002741B (zh) 2020-08-11 2020-08-11 显示面板及其制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010801636.1A CN112002741B (zh) 2020-08-11 2020-08-11 显示面板及其制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112002741A CN112002741A (zh) 2020-11-27
CN112002741B true CN112002741B (zh) 2022-12-06

Family

ID=73463766

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010801636.1A Active CN112002741B (zh) 2020-08-11 2020-08-11 显示面板及其制作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112002741B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112531131A (zh) * 2020-12-03 2021-03-19 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光显示面板及其制造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104576684A (zh) * 2013-10-29 2015-04-29 乐金显示有限公司 有机发光显示器及其制造方法
CN105810102A (zh) * 2015-01-21 2016-07-27 三星显示有限公司 柔性显示装置的制造方法
WO2018160018A2 (ko) * 2017-02-28 2018-09-07 한국생산기술연구원 양자점 하이브리드 유기 발광 디스플레이 소자 및 그 제조 방법
CN109087999A (zh) * 2018-08-22 2018-12-25 京东方科技集团股份有限公司 柔性基底及其制备方法、柔性有机发光二极管显示基板
CN109768068A (zh) * 2019-01-15 2019-05-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 顶发射白光有机发光二极管(woled)及其制作方法、显示装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102180037B1 (ko) * 2013-11-06 2020-11-18 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치 및 그 제조 방법
CN104299973B (zh) * 2014-09-25 2018-04-06 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置
CN105161513B (zh) * 2015-08-03 2017-03-08 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示装置及其制造方法、彩膜基板及其制造方法
CN106784209A (zh) * 2016-11-21 2017-05-31 武汉华星光电技术有限公司 一种全彩qled显示器件及其制作方法
KR101945499B1 (ko) * 2017-02-28 2019-02-11 한국생산기술연구원 양자점 디스플레이 장치 및 그 제조 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104576684A (zh) * 2013-10-29 2015-04-29 乐金显示有限公司 有机发光显示器及其制造方法
CN105810102A (zh) * 2015-01-21 2016-07-27 三星显示有限公司 柔性显示装置的制造方法
WO2018160018A2 (ko) * 2017-02-28 2018-09-07 한국생산기술연구원 양자점 하이브리드 유기 발광 디스플레이 소자 및 그 제조 방법
CN109087999A (zh) * 2018-08-22 2018-12-25 京东方科技集团股份有限公司 柔性基底及其制备方法、柔性有机发光二极管显示基板
CN109768068A (zh) * 2019-01-15 2019-05-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 顶发射白光有机发光二极管(woled)及其制作方法、显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN112002741A (zh) 2020-11-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10249844B2 (en) Light-emitting display panel
US9941484B2 (en) Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
US9548343B2 (en) Flexible display
KR102253531B1 (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
CN105609530B (zh) 有机发光二极管显示器及其制造方法和电子装置
US9054059B2 (en) Flexible organic electroluminescent device
US7538488B2 (en) Flat panel display
WO2022042059A1 (zh) Oled显示面板及其制备方法、显示装置
CN107958924B (zh) 具有柔性基板的有机发光显示装置
KR102082407B1 (ko) 플렉서블 기판, 플렉서블 표시 장치, 및 플렉서블 표시 장치의 제조 방법
CN109309101B (zh) 显示面板及显示装置
US9893133B2 (en) Organic light emitting diode display including penetrated portion
US9082726B2 (en) Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing thereof
EP2144292A2 (en) Organic light emitting diode display apparatus and method of manufacturing the same
KR20140031004A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102048941B1 (ko) 가요성 기판 및 그 제조 방법, 유기 발광 표시 장치
KR20160093749A (ko) 표시 기판, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치
US20140097418A1 (en) Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same
KR20100009057A (ko) 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
CN109273509B (zh) 柔性显示装置
CN112002741B (zh) 显示面板及其制作方法
WO2020172962A1 (zh) 一种显示面板及其制作方法、显示装置
US9343701B2 (en) Organic light emitting display device and method for manufacturing the same
CN109326738B (zh) 显示面板、显示装置及显示面板的制造方法
WO2020232927A1 (zh) 一种oled显示面板及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant