CN111988936A - 一种电子模块抗高过载加固结构及方法 - Google Patents

一种电子模块抗高过载加固结构及方法 Download PDF

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杨翠侠
孙帮东
陈剑钧
孙凯
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Abstract

本发明公开了一种电子模块抗高过载加固结构及方法，包括灌封加固在电路板及其上的核心电子部件、导线外部的环氧树脂或发泡胶；灌封加固的核心电子部件设置在金属外壳内部，通过导线与金属外壳上的金属引出端焊接；灌封加固后的核心电子部件与金属外壳之间的空间中由硅胶灌封。本发明将核心电子部件使用高强度的环氧树脂或者发泡胶进行灌封加固，有利于整个电子模块核心部件的抗高过载性能；使用金属外壳和金属盖板对整个产品进行了抗过载冲击加固；利用硅胶对大过载时灌封加固后的核心电子部件进行减震缓冲，进一步降低了外力对灌封加固后的核心电子部件的冲击力。

Description

一种电子模块抗高过载加固结构及方法
技术领域
本发明涉及一种电子模块抗高过载加固结构及方法。
背景技术
现有电子模块产品抗高过载性能较差，易受外力的冲击力影响，导致其中的电子元器件和线路板等可靠性差。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提供一种电子模块抗高过载加固结构及方法，提高了电子模块核心部件的抗高过载性能，降低了外力对核心电子部件的冲击力。
为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案如下：
一种电子模块抗高过载加固结构，其特征是，包括灌封加固在电路板及其上的核心电子部件、导线外部的环氧树脂或发泡胶；灌封加固的核心电子部件设置在金属外壳内部，通过导线与金属外壳上的金属引出端焊接；灌封加固后的核心电子部件与金属外壳之间的空间中由硅胶灌封。
进一步地，所述硅胶的硬度在10～50之间。
进一步地，金属外壳的敞口由金属盖板盖合。
进一步地，所述金属引出端烧结在金属外壳上。
一种电子模块抗高过载加固方法，将电路板及其上的核心电子部件、导线使用环氧树脂或发泡胶进行灌封加固，将加固后的核心电子部件通过导线焊接到金属外壳上的金属引出端，在金属外壳与环氧树脂或发泡胶之间的空间中再灌封硅胶。
进一步地，所述硅胶的硬度在10～50之间。
进一步地，金属外壳的敞口由金属盖板盖合。
进一步地，所述金属引出端烧结在金属外壳上。
本发明所达到的有益效果：
1、将核心电子部件使用高强度的环氧树脂或者发泡胶进行灌封加固，有利于整个电子模块核心部件的抗高过载性能。
2、使用金属外壳和金属盖板对整个产品进行了抗过载冲击加固。
3、利用硬度在10～50之间的硅胶，在大过载时对灌封加固后的核心电子部件进行减震缓冲，降低外力对灌封加固后的核心电子部件的冲击力。
附图说明
图1是本实施例中的电子模块抗高过载加固结构。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。
如图1所示，电子模块抗高过载加固结构包括电路板及其上的核心电子部件、软导线外部的硬度较大的环氧树脂或发泡胶4。核心电子部件3通过软导线6焊接到烧结有金属引出端7的金属外壳2上。
软导线6在环氧树脂或发泡胶4灌封加固前，提前与核心电子部件3连接好，在 环氧树脂或发泡胶4灌封加固后，再将灌封加固后的核心电子部件3置于金属外壳2内部，将软导线6与金属外壳2上的金属引出端7在金属外壳2内部进行焊接。灌封加固后的核心电子部件3与金属外壳2之间的空间中由硬度在10～50之间的硅胶5灌封。金属外壳2的敞口由金属盖板1盖合。
本实施例中的方法，使用加固和缓冲的方式对电子模块产品进行抗高过载加固，将内部核心电子部件3使用硬度较大的环氧树脂或发泡胶4进行灌封加固，然后将加固后的核心电子部件3通过焊接出来的软导线6焊接到烧结有金属引出端7的金属外壳2上，然后在金属外壳2与和环氧树脂或发泡胶4之间的空间中再灌封硬度在10～50之间的硅胶5，最后将金属外壳2的敞口使用金属盖板1盖上。
该发明具有如下优点：
1、将核心电子部件使用高强度的环氧树脂或者发泡胶进行灌封加固，有利于整个电子模块核心部件的抗高过载性能。
2、使用金属外壳和金属盖板对整个产品进行了抗过载冲击加固。
3、利用硬度在10～50之间的硅胶，在大过载时对灌封加固后的核心电子部件进行减震缓冲，降低外力对灌封加固后的核心电子部件的冲击力。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，这些改进和变形也应视为本发明的保护范围。

Claims (8)

1.一种电子模块抗高过载加固结构，其特征是，包括灌封加固在电路板及其上的核心电子部件、导线外部的环氧树脂或发泡胶；灌封加固的核心电子部件设置在金属外壳内部，通过导线与金属外壳上的金属引出端焊接；灌封加固后的核心电子部件与金属外壳之间的空间中由硅胶灌封。
2.根据权利要求1所述的电子模块抗高过载加固结构，其特征是，所述硅胶的硬度在10～50之间。
3.根据权利要求1所述的电子模块抗高过载加固结构，其特征是，金属外壳的敞口由金属盖板盖合。
4.根据权利要求1所述的电子模块抗高过载加固结构，其特征是，所述金属引出端烧结在金属外壳上。
5.一种电子模块抗高过载加固方法，其特征是，将电路板及其上的核心电子部件、导线使用环氧树脂或发泡胶进行灌封加固，将加固后的核心电子部件通过导线焊接到金属外壳上的金属引出端，在金属外壳与环氧树脂或发泡胶之间的空间中再灌封硅胶。
6.根据权利要求5所述的一种电子模块抗高过载加固方法，其特征是，所述硅胶的硬度在10～50之间。
7.根据权利要求5所述的一种电子模块抗高过载加固方法，其特征是，金属外壳的敞口由金属盖板盖合。
8.根据权利要求5所述的一种电子模块抗高过载加固方法，其特征是，所述金属引出端烧结在金属外壳上。
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