CN111983860B - 显示面板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本申请提供了显示面板和显示装置，显示面板由下至上依次包括衬底、辅助层和线路层；线路层包括异层设置或者厚度不同的第一待连接线和第二待连接线，第一待连接线包括第一子待连接线和第二子待连接线，第二待连接线包括第三子待连接线和第四子待连接线；辅助层包括第一连接线和第二连接线，第一连接线的两端分别与第一子待连接线、第二子待连接线电性连接，第一连接线用于被激光作用以断开第一待连接线，第二连接线的两端分别与第三子待连接线、第四子待连接线电性连接，第二连接线用于被激光作用以断开第二待连接线；该方案可以采用同一能量的激光切割所有的短路的金属线，以提高像素修复的成功率。

Description

显示面板和显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及显示器件的制造，具体涉及显示面板和显示装置。
背景技术
高解析度面板作为面板领域未来的发展主流，其具有较高的像素集成度与较紧密的金属布线，因此高解析度面板的像素修复的成功率尤为重要。
现有的高解析度面板中，由于金属线更靠近衬底的一侧，像素修复时一般从衬底侧对短路的金属线进行激光切割。但是，与像素电性连接的多条金属线的厚度以及多条金属线所处的膜层均不相同，造成与像素电性连接的多条金属线被切割所需的激光的能量不同，需要不断的调整激光的能量，激光能量过小会无法切断短路的金属线，激光能量过大会对其他器件造成损伤，以上均会造成像素修复的成功率较低。
因此，有必要提供可以提高像素修复的成功率的显示面板和显示装置。
发明内容
本申请的目的在于提供显示面板和显示装置，将位于不同层或者厚度不同的两待连接线对应的连接线均设于辅助层，且辅助层相比较待连接线更靠近激光的光源，采用同一能量的激光即可切断两待连接线，解决了现有的从衬底侧对短路的金属线进行激光切割，针对位于不同层或者厚度不同的短路的金属线需要不断的调整激光的能量，最终造成的像素修复的成功率较低的问题。
本申请实施例提供显示面板，所述显示面板包括：
衬底；
线路层，所述线路层设于所述衬底上，所述线路层包括：
第一待连接线，所述第一待连接线包括第一子待连接线和第二子待连接线；
第二待连接线，所述第二待连接线和所述第一待连接线异层设置，和/或所述第二待连接线的厚度和所述第一待连接线的厚度不同，所述第二待连接线包括第三子待连接线和第四子待连接线；
辅助层，所述辅助层设于所述线路层靠近所述衬底的一侧，所述辅助层包括：
第一连接线，所述第一连接线的一端与所述第一子待连接线电性连接，所述第一连接线的另一端与所述第二子待连接线电性连接，所述第一连接线用于被激光作用以断开所述第一待连接线；
第二连接线，所述第二连接线的一端与所述第三子待连接线电性连接，所述第二连接线的另一端与所述第四子待连接线电性连接，所述第二连接线用于被激光作用以断开所述第二待连接线。
在一实施例中，所述显示面板还包括：
绝缘层，所述绝缘层设于所述辅助层靠近所述线路层的一侧，所述绝缘层用于使所述辅助层和所述线路层相互绝缘。
在一实施例中，所述绝缘层包括：
第一通孔和第二通孔，所述第一通孔与所述第一子待连接线相对设置，所述第二通孔与所述第二子待连接线相对设置；
所述显示面板还包括：
第一连接部和第二连接部，所述第一连接部设于所述第一通孔中，所述第二连接部设于所述第二通孔中，所述第一连接部用于将所述第一子待连接线与所述第一连接线的一端电性连接，所述第二连接部用于将所述第二子待连接线与所述第一连接线的另一端电性连接，使得所述第一子待连接线与所述第二子待连接线电性连接。
在一实施例中，所述线路层包括：
像素电极；
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管与所述像素电极电性连接，所述第一子待连接线与所述薄膜晶体管电性连接，所述第一子待连接线用于向所述薄膜晶体管传递电信号，以控制所述像素电极的发光情况。
在一实施例中，所述辅助层还包括：
遮光部，所述遮光部与所述薄膜晶体管相对设置，所述遮光部用于阻挡光线照射至所述薄膜晶体管。
在一实施例中，所述遮光部的组成材料、所述第一连接线的组成材料和所述第二连接线的组成材料均包括金属。
在一实施例中，所述遮光部、所述第一连接线和所述第二连接线同层设置。
在一实施例中，所述线路层还包括：
信号线，所述信号线与所述第二子待连接线电性连接，所述信号线依次通过所述第二子待连接线、所述第一连接线和所述第一子待连接线向所述薄膜晶体管传递电信号，以控制所述像素电极的发光情况。
在一实施例中，所述显示面板为液晶显示面板，或者所述显示面板为有机电致发光显示面板。
本申请实施例提供显示装置，所述显示装置包括如上文任一所述的显示面板。
本申请提供了显示面板和显示装置，所述显示面板包括由下至上依次包括衬底、辅助层和线路层，线路层包括厚度不同或者位于不同层第一待连接线和第二待连接线，第一待连接线包括第一子待连接线和第二子待连接线，第二待连接线包括第三子待连接线和第四子待连接线，通过在辅助层上设置用于电性连接第一子待连接线和第二子待连接线的第一连接线，以及用于电性连接第三子待连接线和第四子待连接线的第二连接线，这样采用同一能量的激光即可切断第一待连接线和第二待连接线，无需再调整激光的能量切割第一待连接线和第二待连接线，降低了激光能量过小无法切断短路的金属线的风险，以及降低了激光能量过大对其他器件造成损伤的风险，最终提高了像素修复的成功率。
附图说明
下面通过附图来对本申请进行进一步说明。需要说明的是，下面描述中的附图仅仅是用于解释说明本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种显示面板的截面示意图。
图2为本申请实施例提供的另一种显示面板的截面示意图。
图3为本申请实施例提供的一种显示面板中的线路层的俯视示意图。
图4为本申请实施例提供的再一种显示面板的截面示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”“靠近”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，例如，“上”只是表面在物体上方，具体指代正上方、斜上方、上表面都可以，只要居于物体水平之上即可；“靠近”是指代图中物体两侧中，与另一物体距离更近的一侧。以上方位或位置关系仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
另外，还需要说明的是，附图提供的仅仅是和本申请关系比较密切的结构，省略了一些与申请关系不大的细节，目的在于简化附图，使申请点一目了然，而不是表明实际中装置就是和附图一模一样，不作为实际中装置的限制。
在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本发明的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
本申请提供显示面板，所述显示面板包括但不限于以下实施例。
在一实施例中，如图1所示，所述显示面板00包括：衬底100；线路层200，所述线路层200设于所述衬底100上，所述线路层200包括第一待连接线201和第二待连接线202，所述第二待连接线202和所述第一待连接线201异层设置，和/或所述第二待连接线202的厚度和所述第一待连接线201的厚度不同，此处以所述第二待连接线202和所述第一待连接线201异层设置为例进行说明，所述第一待连接线201包括第一子待连接线203和第二子待连接线204，所述第二待连接线202包括第三子待连接线205和第四子待连接线206；辅助层300，所述辅助层300设于所述线路层200靠近所述衬底100的一侧，所述辅助层300包括第一连接线301和第二连接线302，所述第一连接线301的一端与所述第一子待连接线203电性连接，所述第一连接线301的另一端与所述第二子待连接线204电性连接，所述第一连接线301用于被激光作用以断开所述第一待连接线201，所述第二连接线302的一端与所述第三子待连接线205电性连接，所述第二连接线302的另一端与所述第四子待连接线206电性连接，所述第二连接线302用于被激光作用以断开所述第二待连接线202。
其中，如图1所示，所述线路层200可以包括第一线路层207和第二线路层208，所述第一线路层207可以设于所述辅助层300上方，所述第二线路层208可以设于所述第一线路层207上。具体的，所述第一子待连接线203和所述第二子待连接线204可以设于所述第一线路层207中，所述第三子待连接线205和所述第四子待连接线206可以设于所述第二线路层208中，即此处以所述第二待连接线202设于所述第一待连接线201上，至于所述第二待连接线202和所述第一待连接线201的厚度不做限制。
需要注意的是，由于所述第一子待连接线203和所述第二子待连接线204设于所述辅助层300上方，可以将所述第一子待连接线203设于靠近所述第一连接线301左侧的上方，将所述第二子待连接线204设于靠近所述第一连接线301右侧的上方。进一步的，所述第一子待连接线203可以与所述第一连接线301左侧接触设置，以及所述第二子待连接线204可以与所述第一连接线301右侧接触设置，从而所述第一连接线301将所述第一子待连接线203和所述第二子待连接线204电性连接。
需要注意的是，由于所述第二待连接线202和所述辅助层300之间具有所述第一线路层207，可以在所述第一线路层207中设置两个连接部209，所述两个连接部209贯穿所述第一线路层207，所述两个连接部209中其中一个连接部209和所述第三子待连接线205相对设置，并且电性连接所述第三子待连接线205和所述第二连接线302，所述两个连接部209中另一个连接部209和所述第四子待连接线206相对设置，并且电性连接所述第四子待连接线206和所述第二连接线302，从而所述第二连接线302将所述第三子待连接线205和所述第四子待连接线206电性连接。
可以理解的，虽然所述第一子待连接线203和所述第二子待连接线204所处的所述第一线路层207、与所述第三子待连接线205和所述第四子待连接线206所处的第二线路层208异层设置，但是由于所述第一子待连接线203和所述第二子待连接线204通过所述第一连接线301电性连接，所述第三子待连接线205和所述第四子待连接线206通过所述第二连接线302电性连接，即可以通过切割均位于所述辅助层300的所述第一连接线301和所述第二连接线302，以断开所述第一待连接线201和所述第二待连接线202。进一步的，由于所述第一连接线301和所述第二连接线302同层制备，所述第一连接线301的组成材料和所述第二连接线302的组成材料可以相同。具体的，当所述第一待连接线201和其他线路发生短路、以及所述第二待连接线202和其他线路发生短路时，可以采用相同能量的激光作用于均位于同一层的所述第一连接线301和所述第二连接线302，以切割所述第一连接线301和所述第二连接线302，而不需要再调整激光的能量作用于位于不同层的所述第一连接线301和所述第二连接线302并进行切割，提高了切割的效率和成功率。
在一实施例中，如图2所示，所述显示面板00还包括：绝缘层400，所述绝缘层400设于所述辅助层300靠近所述线路层200的一侧，所述绝缘层400用于使所述辅助层300和所述线路层200相互绝缘。
可以理解的，由于所述辅助层300和所述线路层200中均包括用于传递电信号的线路，例如所述第一连接线301、所述所述第二连接线302、所述第一待连接线201和所述第二待连接线202以及其他线路，且不同的线路可能用于传递不同的电信号，所述绝缘层400可以避免所述辅助层300中的线路传递的电信号和所述线路层200的线路传递的电信号之间的干扰，提高所述显示面板00***号传递的可靠性。
进一步的，此处以所述第一子待连接线203和所述第二子待连接线204通过所述第一连接线301电性连接为例进行说明，所述绝缘层400包括第一通孔401和第二通孔402，所述第一通孔401与所述第一子待连接线203相对设置，所述第二通孔402与所述第二子待连接线204相对设置；所述显示面板00还包括第一连接部403和第二连接部404，所述第一连接部403设于所述第一通孔401中，所述第二连接部404设于所述第二通孔402中，所述第一连接部403用于将所述第一子待连接线203与所述第一连接线301的一端电性连接，所述第二连接部404用于将所述第二子待连接线204与所述第一连接线301的另一端电性连接，使得所述第一子待连接线203与所述第二子待连接线204电性连接。
具体的，所述第一连接部403和所述第二连接部404的设置方式可以参考上文中所述两个连接部209的设置方式。同理，所述绝缘层400还包括第三通孔405和第四通孔406，所述第三通孔405可以和所述两个连接部209中的其中一个连接部209相对设置，所述第四通孔406可以和所述两个连接部209中的另一个连接部209相对设置；对应的，所述显示面板00还包括第三连接部407和第四连接部408，所述第三连接部407设于所述第三通孔405中，所述第四连接部408设于所述第四通孔406中，所述第三连接部407与对应的连接部209电性连接，所述第四连接部408也与对应的连接部209电性连接。具体的，所述第三连接部407和所述第四连接部408的设置方式可以参考上文中所述第一连接部403和所述第二连接部404的设置方式，只要保证所述第二连接线302可以电性连接所述第三子待连接线205和所述第四子待连接线206即可。
可以理解的，所述两个连接部209、所述第一连接部403、所述第二连接部404、所述第三连接部407和所述第四连接部408的组成材料均为导电材料，进一步的，所述导电材料可以包括金属。
在一实施例中，如图3所示，此处以所述第一待连接线201为例进行说明，所述线路层200包括像素电极2010；薄膜晶体管2011，所述薄膜晶体管2011与所述像素电极2010电性连接，所述第一子待连接线203与所述薄膜晶体管2011电性连接，所述第一子待连接线203用于向所述薄膜晶体管2011传递电信号，以控制所述像素电极2010的发光情况。可以理解的，所述第一子待连接线203可以和所述薄膜晶体管2011的部分结构同层设置，甚至可以一体成型，便于电性连接。
进一步的，所述线路层200还包括：信号线，所述信号线与所述第二子待连接线204电性连接，所述信号线依次通过所述第二子待连接线204、所述第一连接线301和所述第一子待连接线203向所述薄膜晶体管2011传递电信号，以控制所述像素电极2010的发光情况。可以理解的，所述第二子待连接线204可以和所述信号线同层设置，甚至可以一体成型，便于电性连接。
具体的，如图3所示，所述线路层200可以包括交叉设置的栅极线2012和数据线2013，此处以所述栅极线2012横向设置、所述数据线2013纵向设置为例进行说明，所述薄膜晶体管2011和所述像素电极2010设于对应的栅极线2012和对应的数据线2013限定的区域中，且所述薄膜晶体管2011分别电性连接对应的栅极线2012和对应的数据线2013。
其中，所述信号线可以为所述栅极线2012、所述数据线2013或者其他线路，此处以所述信号线为所述数据线2013为例进行说明。所述第一子待连接线203与所述薄膜晶体管2011电性连接，所述第二子待连接线204与所述数据线2013电性连接，所述第一连接线301的右端与所述第一子待连接线203电性连接，所述第一连接线301的左端与所述第二子待连接线204电性连接，使得所述数据线2013与所述薄膜晶体管2011电性连接，以向所述像素电极2010传输数据信号，以控制所述像素电极2010的发光颜色与亮度。
在此基础上，所述第三子待连接线205与所述薄膜晶体管2011电性连接，所述第四子待连接线206与所述栅极线2012电性连接，所述第二连接线302的下端与所述第三子待连接线205电性连接，所述第二连接线302的上端与所述第四子待连接线206电性连接，使得所述栅极线2012与所述薄膜晶体管2011电性连接，以向所述像素电极2010传输栅极信号，以控制所述像素电极2010的亮与灭。
在其他实施例中，所述线路层200还可以包括电压线，所述电压线可以与所述薄膜晶体管2011以及所述像素电极2010电性连接，所述电压线用于向所述像素电极2010提供工作电压。可以理解的，所述第一待连接线201或者所述第二待连接线202可以电性连接所述电压线与所述薄膜晶体管2011，或者可以电性连接所述电压线与所述像素电极2010，具体的，可以参考上文所述栅极线2012和所述数据线2013的相关描述。
在其他实施例中，所述第一待连接线201或者所述第二待连接线202也可以包含于所述栅极线2012、所述数据线2013、所述电压线或者其他线路中，这样，当包含所述第一待连接线201或者所述第二待连接线202的所述栅极线2012、所述数据线2013、所述电压线或者其他线路和另一线路之间短路时，可以将激光作用于均位于所述辅助层300中的所述第一连接线301和所述第二连接线302，以断开所述栅极线2012、所述数据线2013、所述电压线或者其他线路，而不必根据所述栅极线2012、所述数据线2013、所述电压线或者其他线路所处的膜层位置调整激光能量进行切割，提高了激光切割的效率和成功率。
可以理解的，当所述栅极线2012、所述数据线2013、所述电压线或者其他线路和另一线路之间短路时，为了避免所述像素电极2010发光异常甚至损坏，可以使激光作用于所述第一连接线301和/或所述第二连接线302，以切割所述栅极线2012、所述数据线2013、所述电压线或者其他线路，将所述像素电极2010隔离出来，以便于后期修复所述像素电极2010，即本方案也间接地提高了所述像素电极2010修复的成功率。
在一实施例中，如图4所示，所述辅助层300还包括遮光部303，所述遮光部303与所述薄膜晶体管2011相对设置，所述遮光部303用于阻挡光线照射至所述薄膜晶体管2011。可以理解的，由于所述薄膜晶体管2011包括有源层，且所述有源层的性能受光照影响较大，所述遮光部303可以稳定所述有源层的性能，提高所述薄膜晶体管2011工作的稳定性。
在一实施例中，所述遮光部303的组成材料、所述第一连接线301的组成材料和所述第二连接线302的组成材料均包括金属。可以理解的，金属材料的反射率较高、且导电线良好，即金属材料可以同时具有遮光作用以及导电作用。
进一步的，可以将所述遮光部303、所述第一连接线301和所述第二连接线302同层设置。这样，所述辅助层300可以同时具有遮光层的作用以及连接线路的作用，不需要额外设置膜层以设置所述第一连接线301和所述第二连接线302，有利于显示面板00的轻薄化。进一步的，当所述遮光部303的组成材料、所述第一连接线301的组成材料和所述第二连接线302的组成材料相同时，所述遮光部303的、所述第一连接线301的和所述第二连接线302可以同时制备，提高了所述显示面板00的制备效率。
在一实施例中，所述显示面板00为液晶显示面板，或者所述显示面板00为有机电致发光显示面板。可以理解的，如图3-4所示，液晶显示面板或者有机电致发光显示面板，均依靠所述薄膜晶体管2011进行驱动进而进行像素显示，并且液晶显示面板或者有机电致发光显示面板均包括设置在所述薄膜晶体管2011下方用于遮挡薄膜晶体管2011的有源层的遮光部303，本发明意在于将和像素电极2010电性连接的线路部分转移至靠近衬底100一侧的辅助层300，且遮光部303也设于所述辅助层300，在实现显示面板00的轻薄化的同时，也可以提高激光切割和像素电极2010电性连接的线路的成功率，以提高像素修复的成功率。
本申请还提供显示装置，所述显示装置包括如上文任一所述显示面板00。
本申请提供了显示面板和显示装置，所述显示面板包括由下至上依次包括衬底、辅助层和线路层，线路层包括厚度不同或者位于不同层第一待连接线和第二待连接线，第一待连接线包括第一子待连接线和第二子待连接线，第二待连接线包括第三子待连接线和第四子待连接线，通过在辅助层上设置用于电性连接第一子待连接线和第二子待连接线的第一连接线，以及用于电性连接第三子待连接线和第四子待连接线的第二连接线，这样采用同一能量的激光即可切断第一待连接线和第二待连接线，无需再调整激光的能量切割第一待连接线和第二待连接线，降低了激光能量过小无法切断短路的金属线的风险，以及降低了激光能量过大对其他器件造成损伤的风险，最终提高了像素修复的成功率。
以上对本申请实施例所提供的显示面板和显示装置的结构进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：
衬底；
线路层，所述线路层设于所述衬底上，所述线路层包括：
第一待连接线，所述第一待连接线包括分离设置的第一子待连接线和第二子待连接线；
第二待连接线，所述第二待连接线和所述第一待连接线异层设置，和/或所述第二待连接线的厚度和所述第一待连接线的厚度不同，所述第二待连接线包括分离设置的第三子待连接线和第四子待连接线；
辅助层，所述辅助层设于所述线路层靠近所述衬底的一侧，所述辅助层包括：
第一连接线，所述第一连接线的一端与所述第一子待连接线电性连接，所述第一连接线的另一端与所述第二子待连接线电性连接，所述第一连接线用于被激光作用以断开所述第一待连接线，所述第一子待连接线和所述第二子待连接线通过所述第一连接线电性连接；
第二连接线，所述第二连接线的一端与所述第三子待连接线电性连接，所述第二连接线的另一端与所述第四子待连接线电性连接，所述第二连接线用于被激光作用以断开所述第二待连接线，所述第三子待连接线和所述第四子待连接线通过所述第二连接线电性连接；
其中，所述第一连接线和所述第二连接线均能够被相同能量的激光切断。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：
绝缘层，所述绝缘层设于所述辅助层靠近所述线路层的一侧，所述绝缘层用于使所述辅助层和所述线路层相互绝缘。
3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述绝缘层包括：
第一通孔和第二通孔，所述第一通孔与所述第一子待连接线相对设置，所述第二通孔与所述第二子待连接线相对设置；
所述显示面板还包括：
第一连接部和第二连接部，所述第一连接部设于所述第一通孔中，所述第二连接部设于所述第二通孔中，所述第一连接部用于将所述第一子待连接线与所述第一连接线的一端电性连接，所述第二连接部用于将所述第二子待连接线与所述第一连接线的另一端电性连接，使得所述第一子待连接线与所述第二子待连接线电性连接。
4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述线路层包括：
像素电极；
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管与所述像素电极电性连接，所述第一子待连接线与所述薄膜晶体管电性连接，所述第一子待连接线用于向所述薄膜晶体管传递电信号，以控制所述像素电极的发光情况。
5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述辅助层还包括：
遮光部，所述遮光部与所述薄膜晶体管相对设置，所述遮光部用于阻挡光线照射至所述薄膜晶体管。
6.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述遮光部的组成材料、所述第一连接线的组成材料和所述第二连接线的组成材料均包括金属。
7.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述遮光部、所述第一连接线和所述第二连接线同层设置。
8.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述线路层还包括：
信号线，所述信号线与所述第二子待连接线电性连接，所述信号线依次通过所述第二子待连接线、所述第一连接线和所述第一子待连接线向所述薄膜晶体管传递电信号，以控制所述像素电极。
9.如权利要求1至8任一所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板为液晶显示面板，或者所述显示面板为有机电致发光显示面板。
10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1至9任一所述的显示面板。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002303881A (ja) * 2001-04-04 2002-10-18 Toshiba Corp 電極基板、表示パネル及びそのリペア方法
JP2002372723A (ja) * 2001-06-15 2002-12-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置
TW543145B (en) * 2001-10-11 2003-07-21 Samsung Electronics Co Ltd A thin film transistor array panel and a method of the same
JP2004054069A (ja) * 2002-07-23 2004-02-19 Advanced Display Inc 表示装置及び表示装置の断線修復方法
US8023054B2 (en) * 2005-12-30 2011-09-20 Lg Display Co., Ltd. Flat panel display and fabricating method thereof
KR100839031B1 (ko) * 2006-11-01 2008-06-17 참앤씨(주) 평판 디스플레이 패널의 리페어 방법
JP2008185680A (ja) * 2007-01-29 2008-08-14 Omron Corp 回路パターンの修復方法、修復装置およびそれらに用いる修復用ヘッド
CN100466268C (zh) * 2007-04-29 2009-03-04 友达光电股份有限公司 像素阵列基板
CN102495502B (zh) * 2011-11-18 2014-05-14 昆山龙腾光电有限公司 液晶显示装置及其像素修补方法
CN109212791A (zh) * 2017-07-07 2019-01-15 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示面板亮点不良的修复方法
JP2019090913A (ja) * 2017-11-14 2019-06-13 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN110098237B (zh) * 2019-05-14 2020-12-08 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及制作方法

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