CN111969121A - 发光显示装置 - Google Patents

Abstract

公开了一种发光显示装置。根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置包括：基板；绝缘层，其在基板上并且包括基部和突出部，突出部具有在基部的一部分处的不平坦部；第一电极，其被配置成覆盖基部的上部和突出部的侧部和上部并且沿着绝缘层的不平坦部的形状设置；覆盖绝缘层的一部分和第一电极的一部分的堤层；以及在第一电极和堤层上的发射层和在发射层上的第二电极。

Description

发光显示装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年5月20日提交的韩国专利申请第10-2019-0059005号和于2019年11月19日提交的韩国专利申请第10-2019-0148365号的权益和优先权，这两个申请的全部内容通过引用在此并入本申请中。

技术领域

本公开内容涉及一种发光显示装置，并且更具体地，涉及一种具有提高的光提取效率的发光显示装置。

背景技术

随着我们的社会向信息化社会发展，用于可视地表达电信息信号的显示装置的领域得到迅速发展。因此，相应地开发了在薄、轻和低功耗方面具有优异性能的各种显示装置。

在各种显示装置中，与液晶显示装置不同，发光显示装置是自发光显示装置并且不需要单独的光源。因此，发光显示装置可以被制造成又轻又薄。此外，由于用低电压驱动发光显示装置，因此发光显示装置在功耗方面是有利的。此外，发光显示装置具有优异的颜色表达能力、高响应速度、宽视角和高对比度(CR)。因此，期望将发光显示装置应用于各种领域。

发明内容

从发光显示装置的发射层发射的光穿过发光显示装置的各种部件并从发光显示装置出来。然而，从发射层发射的一些光不能被提取到发光显示装置的外部，而是可以被捕获在发光显示装置中。因此，发光显示装置的光提取效率成为问题。

例如，存在以下限制：由于全反射损失、波导损失和表面等离子体激元损失，从发射层发射的一些光可以被限制在发光显示装置中。在此，全反射损失是指由于在从发射层发射的光中通过基板与空气之间的界面处的全反射而限制在发光显示装置中的光而导致的光提取效率的劣化。波导损失是指由于通过在发光显示装置中的部件的界面处的全反射而限制在发光显示装置中的光而导致的光提取效率的劣化。表面等离子体激元损失是指当光在光入射和传播时使金属表面的自由电子振动并因此由于在金属表面上的光吸收而可能不会被反射或透射时发生的光提取效率的劣化。

为了解决与发光显示装置相关联的这些和其他限制和缺点，本公开内容的发明人发明了一种具有新的且改进的结构以减少全反射损失和波导损失并增强光提取效率的发光显示装置。例如，本公开内容的本发明人形成了绝缘层，该绝缘层包括具有平坦的上表面的基部和从基部的上表面突出的突出部。然后，本公开内容的发明人将具有反射层的阳极放置在基部和突出部的侧面上。因此，形成在突出部的侧面上的阳极的反射层用作侧镜。此外，由于全反射而限制在发光显示装置中的一些光在朝向发光显示装置的正面的方向上被提取。因此，提高了发光显示装置的光提取效率。

另一方面，本公开内容的本发明人已经认识到以下限制：即使当使用上述发光显示装置中的一些发光显示装置时，光仍然可能以波导损失的形式损失。

例如，从发射层发射的一些光可以被全反射并且被限制在由堤层与有机封装层之间的发射层、阴极和无机封装层形成的区域中。堤层的材料具有约1.6的折射率，并且发射层的有机材料具有从约1.8至约1.9的折射率。第一封装层的无机材料具有约1.8的折射率，并且有机封装层的有机材料具有从约1.5至约1.6的折射率。此外，阴极的金属材料具有约0.13的折射率。然而，在顶部发射型的发光显示装置中，阴极被形成为具有非常小的厚度并且因此基本上是几乎透明的。因此，阴极的折射率可能不会很大地影响全反射。这样，可以忽略阴极，并且发射层具有与无机封装层类似的折射率。因此，全反射可能在发射层与堤层之间的界面以及无机封装层与异物覆盖层之间的界面处发生。

此外，通过在发射层与堤层之间的界面以及无机封装层与异物覆盖层之间的界面处的全反射限制的一些光可以从堤层变得平坦的区域发射到外部。所发射的光可以在发光显示装置与空气之间的界面处再次被全反射到发光显示装置中并且被捕获在发光显示装置中。

因此，本公开内容的本发明人发明了一种具有新结构的改进的发光显示装置，其能够增强关于以全反射损失和波导损失的形式损失的光的光提取效率。

因此，本公开内容的本发明人发明了一种具有新结构的改进的发光显示装置，其能够增强关于以波导损失的形式损失的光的光提取效率。

本公开内容的一方面提供了一种能够通过使用具有弯曲形状的阳极来增强光提取效率的发光显示装置。

本公开内容的另一方面提供了一种能够通过形成无机材料的堤层来提高阴极和发光元件的可靠性的发光显示装置。

本公开内容的另一方面提供了一种即使使用具有侧镜形状的阳极也能够使以波导损失的形式损失的光最小化的发光显示装置。

本公开内容的另一方面提供了一种能够增强光提取效率和正面效率并因此改善功耗的发光显示装置。

另外的特征和方面将在下面的描述中阐述，并且部分将从描述中变得明显，或者可以通过实践本文中提供的发明构思来了解。本发明构思的其他特征和方面可以通过在书面描述中特别指出的结构或从书面描述中能够得到的结构和其权利要求书以及附图来实现和获得。

根据本公开内容的一方面，一种发光显示装置包括：基板；以及绝缘层，该绝缘层在基板上并且包括基部和突出部，该突出部在基部的一部分处具有不平坦部。发光显示装置还包括第一电极，该第一电极被配置成覆盖基部的上部和突出部的侧部和上部并且沿着绝缘层的不平坦部的形状设置。发光显示装置包括被配置成覆盖绝缘层的一部分和第一电极的一部分的堤层。发光显示装置还包括在第一电极和堤层上的发射层以及在发射层上的第二电极。

根据本公开内容的另一方面，一种发光显示装置包括：基板；以及在基板上并且包括基部和突出部的外涂层。发光显示装置还包括在外涂层上并且包括第一电极、发射层和第二电极的发光元件。发光显示装置包括在第一电极与发射层之间并且被配置成限定发射区域的堤层和在发光元件上的封装部件。发光显示装置还包括光提取图案，光提取图案在外涂层的突出部的表面上并且被配置成改变从发射层发射的光的行进方向并提高光提取效率和正面效率。

根据本公开内容的另一方面，一种发光显示装置包括：基板；以及绝缘层，该绝缘层在基板上并且包括基部和在基部的一部分中的突出部。突出部的上表面包括第一区域和在第一区域之间的第二区域。发光显示装置还包括在第一区域和第二区域中的第一电极。发光显示装置堤层，堤层在第一区域和第二区域中的除了第一电极与发射层之间的界面之外的部分中。发光显示装置包括在第一电极和堤层上的发射层以及在发射层上的第二电极。

根据本公开内容的另一方面，一种发光显示装置包括：基板；以及外涂层，该外涂层在基板上并且包括基部和突出部。突出部在基部的一部分处包括不平坦部。发光显示装置还包括第一电极，第一电极包括在外涂层上的反射层和在反射层上的透明导电层。发光显示装置包括堤层，堤层被配置成覆盖外涂层的一部分和第一电极的一部分。发光显示装置包括在第一电极和堤层上的发射层以及在发射层上的第二电极。第一电极的反射层与第二电极之间的距离被配置成调节以对从发射层发射的光实现相长干涉。

在检查以下附图和详细描述时，其他***、方法、特征和优点对于本领域技术人员将是或将变得明显。旨在将所有这样的附加***、方法、特征和优点包括在本说明书内，在本公开内容的范围内并且由所附权利要求书保护。本节中没有内容应被视为对这些权利要求的限制。下面结合本公开内容的实施方式讨论其他方面和优点。应理解，本公开内容的前面的一般描述和以下的详细描述两者都是示例并且是说明性的，并且旨在提供对所要求保护的本公开内容的进一步说明。

根据本公开内容的实施方式，可以通过使用具有侧镜形状的阳极来增强发光显示装置的光提取效率。

根据本公开内容的实施方式，可以减少从发射层发射的光中以波导损失的形式损失的光并因此增大光提取效率。

根据本公开内容的实施方式，可以通过形成无机材料的堤层来提高发光显示装置的光提取效率并且增强其可靠性。

根据本公开内容的实施方式，可以增强光提取效率和正面效率并因此实现具有改善的功耗的发光显示装置。

根据本公开内容的实施方式，可以通过形成有机材料的堤层并分离第一电极和堤层来增大发光显示装置的光提取效率。

应理解，前面的一般描述和下面的详细描述两者都是示例性和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的发明构思的进一步说明。

附图说明

附图可以被包括以提供对本公开内容的进一步理解并且被并入本说明书中并构成本说明书的一部分，附图示出了本公开内容的实施方式，并且与说明书一起用于解释本公开内容的各种原理。

图1示出了根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置的平面视图。

图2是图1中示出的发光显示装置沿线II-II'截取的截面视图。

图3是根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置的截面视图。

图4是根据本公开内容的又一示例性实施方式的发光显示装置的截面视图。

图5A和图5B分别示出了根据比较例和本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置的光提取效率的模拟的示例。

图6A和图6B分别示出了根据比较例和本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置的光提取效率的模拟的示例。

图7A至图7D分别示出了基于根据本公开内容的示例性实施方式和本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置中的突出部的侧部的角度和堤层的侧部的角度的光提取效率的示例。

图8A和图8B分别示出了根据比较例和本公开内容的又一示例性实施方式的发光显示装置的光提取效率的模拟的示例。

图9是根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置的截面视图。

图10A和图10B分别示出了根据比较例和本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置的光提取效率的模拟的示例。

具体实施方式

通过参考以下详细描述的示例性实施方式以及附图，本公开内容的优点和特征以及实现优点和特征的方法将变得清楚。然而，本公开内容不限于本文中公开的示例性实施方式，而是将以各种形式实现。示例性实施方式仅通过示例的方式提供，使得本领域技术人员可以完全理解本公开内容的公开内容和本公开内容的范围。因此，本公开内容将仅由所附权利要求的范围来限定。

在附图中示出的用于描述本公开内容的示例性实施方式的形状、尺寸、比率、角度、数量等仅是示例，并且本公开内容不限于此。在整个说明书中，相似的附图标记通常表示相似的元件。此外，在本公开内容的以下描述中，可以省略对已知相关技术的详细说明，以避免不必要地使本公开内容的主题模糊。本文中使用的诸如“包含”、“具有”和“包括”的术语通常旨在允许添加其他部件，除非术语与术语“仅”一起使用。对单数的任何引用可以包括复数，除非另外明确说明。

即使没有明确说明，部件也被解释为包括普通的误差范围。

当使用诸如“在…上”、“在…上方”、“在…下方”和“相邻”的术语描述两个部分之间的位置关系时，一个或更多个部分可以定位在两个部分之间，除非术语与术语“紧接地”或“直接地”一起使用。

尽管术语“第一”、“第二”等用于描述各种部件，但是这些部件不受这些术语限制并且这些术语不一定限定与这些部件相关联的任何顺序。这些术语仅用于将一个部件与其他部件区分开。因此，在本公开内容的技术概念中，下面要提到的第一部件可以是第二部件。

在整个说明书中，相似的附图标记通常表示相似的元件。

为了便于描述，示出了图中示出的每个部件的尺寸和厚度，并且本公开内容不限于所示的部件的尺寸和厚度。

本公开内容的各个实施方式的特征可以部分或全部彼此粘附或彼此组合，并且可以以技术上各种方式互锁和操作，并且实施方式可以彼此独立或彼此相关联地执行。

在下文中，将参照附图详细描述本公开内容的示例性实施方式。

图1是根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置的平面视图。图2是图1中示出的发光显示装置沿线II-II'截取的截面视图。根据本公开内容的所有实施方式的发光显示装置的所有部件在操作上被耦接和配置。

参照图1和图2，发光显示装置100可以包括基板110、薄膜晶体管120、发光元件150和封装部件170。发光显示装置100被实现为顶部发射型发光显示装置，但是其他类型是本公开内容的一部分。

参照图1和图2，基板110用于支承和保护发光显示装置100的各种部件。基板110可以由玻璃或具有柔性的塑料材料形成。如果基板110由塑料材料形成，则其可以由例如聚酰亚胺(PI)形成，但不限于此。

基板110包括有源区域或显示区域A/A和非有源区域或非显示区域N/A。

显示区域A/A是发光显示装置100的显示图像的区域。在显示区域A/A中，可以设置显示元件和用于驱动显示元件的各种驱动元件。例如，显示元件可以被配置为包括第一电极151、发射层152和第二电极153的发光元件150。此外，用于驱动显示元件的各种驱动元件诸如薄膜晶体管120、电容器、线等可以设置在有源区域A/A中。

显示区域A/A可以包括多个子像素SP。子像素SP是用于配置屏幕的最小单元。多个子像素SP中的每个可以包括发光元件150和驱动电路。此外，多个子像素SP可以发射具有不同波长的光。例如，多个子像素SP可以包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，但不限于此。多个子像素SP还可以包括白色子像素。

子像素SP的驱动电路被配置成控制发光元件150的驱动。例如，驱动电路可以包括薄膜晶体管120和电容器，但不限于此。

非显示区域N/A是不显示图像的区域。在非显示区域N/A中，可以设置用于驱动设置在显示区域A/A中的多个子像素SP的各种部件。例如，可以在非显示区域N/A中设置被配置成提供用于驱动多个子像素SP的信号的驱动IC、柔性膜等。

非显示区域N/A可以是如图1中示出的围绕显示区域A/A的区域，但不限于此。例如，非显示区域N/A可以是从有源区域A/A延伸的区域。

参照图2，在基板110上设置缓冲层111。缓冲层111可以用于增强基板110与形成在缓冲层111上的层之间的粘附性并且阻挡从基板110排出的碱元素。缓冲层111可以由硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的单层或硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的多层形成，但不限于此。缓冲层111不是必需的部件，并且可以根据基板110的种类和材料以及薄膜晶体管120的结构和类型而省略。

参照图2，薄膜晶体管120设置在基板110上。薄膜晶体管120可以用作发光显示装置100的驱动元件。薄膜晶体管120包括栅电极121、有源层122、源电极123和漏电极124。根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置100中的薄膜晶体管120具有底栅结构，但不限于此。在底栅结构中，有源层122设置在栅电极121上并且源电极123和漏电极124设置在有源层122上。

参照图2，薄膜晶体管120的栅电极121设置在基板110上。栅电极121可以由诸如钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)的各种金属材料中的任一种或它们的两种或更多种的合金或它们的多层形成。然而，栅电极121的材料不限于此。

在栅电极121上设置栅极绝缘层112。栅极绝缘层112被配置成使栅电极121和有源层122电绝缘，并且可以由绝缘材料形成。例如，栅极绝缘层112可以由诸如硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的无机材料的单层或硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的多层形成。然而，栅极绝缘层112的材料不限于此。

有源层122设置在栅极绝缘层112上。有源层122被设置成与栅电极121交叠。例如，有源层可以由氧化物半导体形成或者可以由非晶硅(a-Si)、多晶硅(poly-Si)或有机半导体形成。

可以在有源层122上设置蚀刻阻止层113。当通过蚀刻和图案化形成源电极123和漏电极124时，蚀刻阻止层113可以用于抑制由等离子体引起的对有源层122的表面的损坏。蚀刻阻止层113的一部分可以与源电极123交叠，并且蚀刻阻止层113的其他部分可以与漏电极124交叠。否则，可以省略蚀刻阻止层113。

源电极123和漏电极124设置在有源层122和蚀刻阻止层113上。源电极123和漏电极124在同一层上彼此间隔开。源电极123和漏电极124可以电连接至有源层122以与有源层122接触。源电极123和漏电极124可以由诸如钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)的各种金属材料中的任一种或它们中的两种或更多种的合金或它们的多层形成。然而，源电极123和漏电极124的材料不限于此。

在薄膜晶体管120上设置外涂层130。外涂层130保护薄膜晶体管120并且减小设置在基板110上的各层之间的台阶差。外涂层130可以由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺基树脂、聚酰亚胺基树脂、不饱和聚酯基树脂、聚亚苯基树脂、聚苯硫醚基树脂、苯并环丁烯和光致抗蚀剂之一形成。然而，外涂层130的材料不限于此。

外涂层130包括基部131和突出部132。基部131和突出部132可以形成为一体，如图2中所示。例如，基部131和突出部132可以由相同的材料通过诸如掩模工艺的相同工艺同时形成，但不限于此。

基部131设置在薄膜晶体管120上。基部131的上表面包括与基板110平行的表面。因此，基部131可以保护薄膜晶体管120并且使设置在基板110上的各层之间的台阶平滑。

突出部132设置在基部131上。突出部132与基部131形成为一体，并且具有从基部131突出的形状。因此，突出部132的上表面可以小于下表面，但不限于此。

突出部132具有上表面和侧表面。突出部132的上表面是突出部132的最上表面，并且可以与基部131或基板110基本上平行。突出部132的侧表面可以是连接突出部132的上表面和基部131的表面。突出部132的侧表面可以具有从突出部132的上表面朝向基部131倾斜的倾斜形状。

图2示出了外涂层130的示例，外涂层130包括具有平坦上表面的基部131和从基部131突出的突出部132。然而，只要外涂层130具有由基部131和突出部132形成的结构，外涂层130的详细部件不限于基部131和突出部132并且可以以各种方式限定。

突出部132包括不平坦部132a。不平坦部132a可以设置在突出部132的上表面的一部分上。不平坦部132a可以提高从发射层152发射的光的光提取效率和正面效率，因此也可以被称为光提取图案。参照图2，不平坦部132a被形成为凹槽，因此可以具有椭圆形的截面，但不限于此。例如，不平坦部132a的截面可以具有例如三角形形状、圆形形状和梯形形状的各种凹入或凸出形状之一。

当从平面表面观看时，不平坦部132a可以以多个点或线的形式设置。例如，不平坦部132a可以具有在平面表面处围绕第一区域A1的线形状，或者可以具有在平面表面处被设置成围绕第一区域A1的多个点。图2示出了一个不平坦部132a设置在第一区域A1的左侧，以及两个不平坦部132a设置在第一区域A1的右侧。然而，不平坦部132a的线和点的数量不限于此并且可以基于设计而变化。

不平坦部132a可以设置在距突出部132的连接至侧表面的上表面的端部2μm至3μm的距离处。因此，不平坦部132a可以容易地改变被引导至侧镜结构的外部的光的行进方向。此外，从突出部132的上表面到不平坦部132a的最深点的深度可以是1.5μm至2μm，但不限于此。不平坦部132a可以容易地改变入射到不平坦部132a中的光的行进方向。

参照图2，发光元件150设置在外涂层130上。发光元件150包括设置在外涂层130上的第一电极151、设置在第一电极151上的发射层152和设置在发射层152上的第二电极153。

第一电极151设置在外涂层130上并且可以覆盖基部131和突出部132的侧部和上部。例如，第一电极151设置在基部131的上表面的未设置突出部132的部分区域以及突出部132的侧表面和上表面上。此外，第一电极151沿着基部131和突出部132的形状设置。

第一电极151包括电连接至薄膜晶体管120的反射层151a和设置在反射层151a上的透明导电层151b。

第一电极151的反射层151a设置在外涂层130上。根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置100是顶部发射型发光显示装置。因此，反射层151a用于向上反射从发光元件150发射的光。从发光元件150的发射层152产生的光不仅向上发射而且侧向发射。侧向发射的光可以行进到发光显示装置100中并且可以通过全反射而被捕获在发光显示装置100中。此外，侧向发射的光可以行进到发光显示装置100中并且变得消失。因此，反射层151a可以设置在发射层152下方并且覆盖突出部132的侧部，以将行进到发射层152的侧部的光的行进方向改为朝向正面。

反射层151a可以由金属材料形成。例如，反射层151a可以由诸如铝(Al)、银(Ag)、铜(Cu)和镁银合金(Mg：Ag)的金属材料形成，但不限于此。反射层151a可以通过外涂层130中的接触孔电连接至漏电极124，但不限于此。反射层151a可以通过外涂层130中的接触孔电连接至源电极123。

反射层151a可以沿着突出部132的不平坦部132a的形状设置，并且可以在突出部132的上表面上具有弯曲的上表面。因此，反射层151a可以在外涂层130的基部131的上表面上具有平坦或平滑的上表面以及在突出部132的上表面上具有弯曲的上表面。此外，反射层151a可以在突出部132的侧表面上具有倾斜的上表面。

透明导电层151b设置在反射层151a上。透明导电层151b设置在反射层151a上并且通过反射层151a与漏电极124电连接。透明导电层151b可以由具有高功函数的导电材料形成以向发射层152提供空穴。例如，透明导电层151b可以由铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锡锌氧化物(ITZO)、锌氧化物(ZnO)和锡氧化物(TO)基透明导电氧化物形成。然而，透明导电层151b的材料不限于此。

透明导电层151b可以沿着突出部132的不平坦部132a的形状设置并且可以在突出部132的上表面上具有弯曲的上表面。因此，透明导电层151b可以在外涂层130的基部131的上表面上具有平坦的上表面以及在突出部132的上表面上具有弯曲的上表面。此外，透明导电层151b可以在突出部132的侧表面上具有倾斜的上表面。例如，透明导电层151b可以沿着反射层151a的形状形成。

参照图2，在第一电极151和外涂层130上设置堤层140。堤层140覆盖发光元件150中的第一电极151的一部分并且可以包括作为发射区域的第一区域A1和作为非发射区域的第二区域A2。例如，第二区域A2中的堤层140可以设置在第一电极151与发射层152之间以阻挡光从第二区域A2的产生。由于堤层140未设置在第一区域A1中，因此发射层152可以恰好设置在第一电极151上并且光可以从发射层152产生。

堤层140可以由有机材料形成。例如，堤层140可以由聚酰亚胺、丙烯酸基树脂或苯并环丁烯基树脂形成，但不限于此。如果堤层140由有机材料形成，则堤层140可以具有约1.6的折射率。

由于堤层140由有机材料形成，因此堤层140可以被设置成填充或覆盖第一电极151的弯曲的上表面。因此，突出部132上的堤层140可以使突出部132的上部平滑或平面化并且可以比突出部132的上表面平坦。

发射层152设置在第一电极151上。例如，发射层152在作为发射区域的第一区域A1中设置在第一电极151上并且在作为非发射区域的第二区域A2中设置在堤层140上。

发射层152被配置成发射特定颜色的光并且可以包括红色发射层、绿色发射层、蓝色发射层和白色发射层中的至少一个。此外，发射层152可以包括诸如空穴传输层、空穴注入层、空穴阻挡层、电子注入层、电子阻挡层和电子传输层的各种层。发射层152的折射率可以根据形成发射层152的有机材料的种类而变化。可以用作发射层152的有机材料可以具有平均从约1.8至约1.9的折射率。发射层152可以是由有机材料形成的有机发射层，但不限于此。例如，发射层152可以是量子点发射层或微型LED。

由于发射层152设置在第一电极151和第二区域A2处的堤层140上，因此发射层152也可以沿着堤层140的上表面的形状设置。因此，发射层152可以在突出部132和基部131的上表面上具有平坦或平滑的上表面以及在突出部132的侧表面上具有倾斜的上表面。

第二电极153设置在发射层152上。第二电极153向发射层152提供电子。第二电极153可以由铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锡锌氧化物(ITZO)、锌氧化物(ZnO)和锡氧化物(TO)基透明导电氧化物或镱(Yb)合金形成。如果第二电极153由诸如铟锡氧化物(ITO)的透明导电氧化物形成，则第二电极153可以具有从约1.8至约1.9的折射率。此外，第二电极153可以由诸如银(Ag)、铜(Cu)和镁银合金(Mg：Ag)的金属材料或非常薄的金属材料形成，但不限于此。如果第二电极153由金属材料形成，则其可以具有非常低的折射率。例如，如果将银(Ag)用作第二电极153，则第二电极153可以具有约0.13的折射率。由于发光显示装置100是顶部发射型发光显示装置，因此第二电极153具有非常小的厚度。因此，第二电极153的折射率可以不影响光的行进。

由于在第二区域A2中第二电极153设置在发射层152上，因此第二电极153也可以沿着堤层140的上表面的形状设置。因此，第二电极153可以在突出部132和基部131的上表面上具有平坦或平滑的上表面以及在突出部132的侧表面上具有倾斜的上表面。

参照图2，在发光元件150上设置封装部件170。封装部件170可以被设置成覆盖第二电极153。封装部件170可以保护发射层152免受从发光显示装置100的外部渗透的湿气或氧气的影响。

封装部件170包括第一封装层171、第二封装层172和第三封装层173。

第一封装层171可以设置在第二电极153上并且可以抑制湿气或氧气的渗透。第一封装层171可以由诸如硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiNxOy)或铝氧化物(AlyOz)的无机材料形成，但不限于此。第一封装层171可以由具有比第二封装层172高的折射率的材料形成。例如，如果第一封装层171由硅氮化物(SiNx)或硅氮氧化物(SiNxOy)形成，则第一封装层171可以具有约1.8的折射率。

第二封装层172可以设置在第一封装层171上以使第一封装层171的表面平滑或平面化。此外，第二封装层172可以覆盖在制造过程期间可能产生的异物或颗粒。第二封装层172可以由诸如碳氧化硅(SiOxCz)、丙烯酸基树脂或环氧基树脂的有机材料形成，但不限于此。第二封装层172可以由具有比第一封装层171低的折射率的材料形成。例如，当第二封装层172由丙烯酸基树脂形成时，第二封装层172可以具有从约1.5至约1.6的折射率。

第三封装层173可以设置在第二封装层172上并且可以像第一封装层171一样抑制湿气或氧气的渗透。第三封装层173可以由诸如硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiNxOy)、硅氧化物(SiOx)或铝氧化物(AlyOz)的无机材料形成，但不限于此。第三封装层173可以由与第一封装层171相同的材料或不同的材料形成。

由于根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置100是顶部发射型发光显示装置，因此其可以被制造成实现微腔。例如，在根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置100中，第一电极151的反射层151a与第二电极153之间的距离被设置成对从发射层152发射的光实现相长干涉。因此，可以增强光效率。

在相关技术的发光显示装置中，从发射层发射的一些光在发光显示装置中被限制和损失，这导致光效率降低。例如，由于全反射损失或波导损失，从发射层发射的一些光不能被提取到发光显示装置的外部。因此，发光显示装置的光提取效率降低。例如，相关技术的发光显示装置使用形成在具有平坦上表面的外涂层上的第一电极。因此，由于全反射损失或波导损失，在从发射层发射的光中以小输出角度输出的光可能被捕获在发光显示装置中。

然而，根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置100使用具有突出部132的外涂层130，因此可以增强发光元件150的光提取效率。例如，在根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置100中，外涂层130包括基部131和从基部131突出的突出部132。此外，发光元件150中的第一电极151的反射层151a被设置成覆盖基部131和突出部132的至少侧表面。因此，从发光显示装置100的发射层152发射的光中以小输出角度输出的光可以通过设置在突出部132的侧部上的第一电极151的反射层151a在朝向正面的方向上被提取。例如，如果第一电极被设置在平坦的外涂层上，则在朝向侧表面的方向上行进的光，例如以小输出角度输出的光可能不会向朝向正面的方向行进。此外，由于全反射损失或波导损失，光可能不会被提取到发光显示装置的外部。

然而，在根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置100中，从发射层152以小输出角度输出的光可以被设置在突出部132的侧部上的第一电极151的反射层151a反射。然后，可以在朝向正面的方向上提取光。因此，在根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置100中，设置在外涂层130的侧部上的第一电极151的反射层151a用作侧镜。因此，第一电极151的反射层151a可以在朝向正面的方向上提取可能在发光显示装置100中损失的光。因此，可以增大光提取效率并且可以改善功耗。

此外，在根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置100中，不平坦部132a设置在外涂层130的突出部132的上表面上。因此，不平坦部132a可以调整通过全反射限制或捕获在堤层140与第二封装层172之间的光的行进方向。因此，不平坦部132a可以增大发光显示装置100的光提取效率。例如，从发射层152发射的一些光可以被具有侧镜结构的第一电极151反射并被提取到发光显示装置100的外部。然而，从发射层152发射的光中的其余光可以在发光显示装置100中，例如在堤层140与第二封装层172之间或者在发光显示装置100与空气之间的界面处被全反射并被限制。因此，发光显示装置100中的全反射光中的一些光可以在行进方向上改变。因此，可以通过第一电极151的弯曲的反射层151a将光提取到发光显示装置100的外部。例如，堤层140的材料具有约1.6的折射率，并且发射层152的有机材料具有从约1.8至约1.9的折射率。此外，例如，第一封装层171的无机材料具有约1.8的折射率，并且第二封装层172的有机材料具有从约1.5至约1.6的折射率。因此，由于第一封装层171与第二封装层172之间的折射率上的差异，从发射层152输出的第一光L1在第一封装层171与第二封装层172之间的界面处以及在发射层152与堤层140之间的界面处被全反射。因此，全反射的第一光L1可以在第一电极151的反射层151a的弯曲表面的内侧被反射一次或更多次，然后在朝向正面的方向上被提取。因此，在根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置100中，第一电极151的反射层151a沿着突出部132的不平坦部132a设置。此外，第一电极151的反射层151a改变可以被限制或捕获在堤层140与第二封装层172之间的光的行进方向。因此，可以增大发光显示装置100的光提取效率和正面效率。正面效率是关于在朝向正面的方向上提取的光的提取效率。

图3是根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置的截面图，其中以针对图2截取的截面图类似的方式截取该截面图。除了堤层340、发射层352、第二电极353、第一封装层371和第二封装层372之外，图3中所示的发光显示装置300与图1和图2中所示的发光显示装置100基本上相同。因此，将省略或简化其冗余描述。

参照图3，堤层340可以由无机材料形成。例如，堤层340可以由非晶硅、硅氧化物、硅氮化物或硅氮氧化物形成，但是不限于此。如果堤层340由无机材料形成，则堤层340可以具有约1.8的折射率。

堤层340被设置在第二区域A2中的第一电极151上。堤层340可以由无机材料形成，并且沿着第二区域A2中的第一电极151的形状设置。因此，堤层340可以由无机材料形成，并且可以在突出部132的上表面上具有弯曲的上表面，并且在突出部132的侧表面上具有倾斜的上表面。例如，堤层340可以形成为对应于第一电极151的形状。堤层340可以具有200nm的厚度，但是不限于此。

发光元件350的发射层352被设置在堤层340上。例如，发射层352可以被设置在第一区域A1中的基部131的上表面以及第二区域A2中的突出部132的上表面和侧表面上。因此，发射层352可以在基部131的上表面上具有平坦的上表面，在突出部132的上表面上具有弯曲的上表面并且在突出部132的侧表面上具有倾斜的上表面。因此，发射层352可以形成为对应于堤层340的形状。

发光元件350的第二电极353被设置在发射层352上。例如，第二电极353可以被设置在第一区域A1中的基部131的上表面以及第二区域A2中的突出部132的上表面和侧表面上。因此，第二电极353可以在基部131的上表面上具有平坦的上表面，在突出部132的上表面上具有弯曲的上表面并且在突出部132的侧表面上具有倾斜的上表面。因此，第二电极353可以形成为对应于发射层352的形状。

封装部件370的第一封装层371被设置在第二电极353上。例如，第一封装层371可以被设置在第一区域A1中的基部131的上表面以及第二区域A2中的突出部132的上表面和侧表面上。因此，第一封装层371可以在基部131的上表面处具有平坦的或平滑的上表面，在突出部132的上表面处具有弯曲的上表面并且在突出部132的侧表面处具有倾斜的上表面。因此，第一封装层371可以形成为对应于第二电极353的形状。

第二封装层372被设置在第一封装层371上。第二封装层372可以被设置在第一封装层371上，以使第一封装层371的表面平滑。第二封装层372可以被设置在第二区域A2中，以填充或覆盖第一封装层371的弯曲表面。

在根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置300中，不平部132a被设置在外涂层130的突出部132的上表面上。因此，不平部132a可以增加发光显示装置300的光提取效率。例如，从发射层352发射的光中的一些光可以被具有侧镜结构的第一电极151反射，并被提取至发光显示装置300的外部。然而，从发射层352发射的光中的其余光可以被全反射并被限制或捕获在发光显示装置300中，例如在第二封装层372与第一电极151之间或在发光显示装置300与空气之间的界面处。因此，发光显示装置300中的全反射光中的一些光可以在行进方向上发生改变，使得光可以通过第一电极151的不平坦反射层151a被提取至发光显示装置300的外部。例如，堤层340的材料具有约1.8的折射率，并且发射层352的有机材料具有从约1.8至约1.9的折射率。此外，例如，第一封装层371的无机材料具有约1.8的折射率，并且第二封装层372的有机材料具有从约1.5至约1.6的折射率。因此，在折射率上彼此类似的堤层340、发射层352和第一封装层371用作单个层。因此，从发射层352输出的光在第一封装层371与第二封装层372之间的界面处被全反射。全反射的光可以在第一电极151的反射层151a的不平坦表面的内侧处被反射，并且然后在朝向正面的方向上被提取。因此，在根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置300中，第一电极151的反射层151a沿着突出部132的不平坦部132a设置。此外，第一电极151的反射层151a改变可以被限制或捕获在第二封装层372与第一电极151之间的光的行进方向。因此，可以增加发光显示装置300的光提取效率和在朝向发光显示装置300的正面的方向上提取的光的提取效率。

此外，在根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置300中，堤层340由无机材料形成。因此，可以使通过全反射被限制或捕获在发光显示装置300中的光最小化。因此，可以增加发光显示装置300的光提取效率。例如，如果堤层340由折射率为约1.8的无机材料形成，则堤层340具有与发射层352和第一封装层371的折射率类似的折射率。因此，从发射层352发射的光中的被限制或捕获在堤层340与发射层352和第一封装层371之间的光的量减少。因此，堤层340由无机材料形成，并且因此使要被限制或捕获在发光显示装置300中的光的量最小化。因此，可以增加发光显示装置300的光提取效率。

此外，在根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置300中，堤层340由无机材料形成。因此，可以增加到达具有侧镜结构的第一电极151的光的量。因此，可以增加发光显示装置300的光提取效率。例如，如果堤层340由折射率为约1.8的无机材料形成，则从发射层352发射的光由堤层340以大角度折射。因此，堤层340可以增加朝向具有侧镜结构的第一电极151行进的光的量。此外，由第一电极151反射的光可以在朝向发光显示装置300的正面的方向上被提取。因此，堤层340由无机材料形成，并且因此增加了要被具有侧镜结构的第一电极151反射的光的量。因此，可以增加发光显示装置300的光提取效率。

此外，在根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置300中，堤层340由无机材料形成。因此，可以改善发光元件350的可靠性。例如，如果堤层340由无机材料形成，则堤层340可以被设置成在突出部132的侧部上具有平缓的坡度(slope)。因此，设置在堤层340上的第二电极353也可以被设置成具有平缓的坡度。因此，堤层340由无机材料形成，并且因此抑制了由堤层340的陡峭的坡度导致的第二电极353的短路。因此，可以改善发光元件350和发光显示装置300的可靠性。

图4是根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置400的截面图，其中以针对图2截取的截面图类似的方式截取该截面图。除了外涂层430、堤层440、发光元件450和封装部件470之外，图4中所示的发光显示装置400与图1和图2中所示的发光显示装置100基本上相同。因此，将省略或简化其冗余描述。

参照图4，外涂层430的突出部432包括不平坦部432a。不平坦部432a可以被设置在突出部432的侧部和上表面上。

包括不平坦部432a的外涂层430可以通过涂覆工艺形成，并且可以通过例如旋涂形成。例如，可以通过旋涂来形成外涂层430，并且可以在外涂层430的突出部432上形成第一电极451，并且然后对第一电极451施加热量。然后，可以通过由突出部432与第一电极451的材料之间的热膨胀系数的差异引起的收缩和/或膨胀在突出部432上形成不平坦部432a。然而，不平坦部432a的制造工艺不限于此。可以通过灰化工艺或等离子工艺来形成不平坦部432a。

参照图4，不平坦部432a可以具有褶皱形状。例如，不平坦部432a可以具有不规则的褶皱形状。如上所述，通过由热膨胀系数的差异引起的收缩和/或膨胀来确定不平坦部432a的形状。因此，不平坦部432a可以具有不规则的褶皱形状，但是不限于此。不平坦部432a可以具有规则的褶皱形状。

可以基于第一电极451的厚度来不同地调整不平坦部432a的间距和深度。术语“间距”是指不平坦部432a的峰之间的距离，并且术语“深度”是指不平坦部432a的最高点与最低点之间的距离。例如，如果具有大厚度的第一电极451被设置在突出部432上，则不平坦部432a的间距和深度可以增加。例如，如果具有小厚度的第一电极451被设置在突出部432上，则不平坦部432a的间距和深度可以减小。

此外，可以在外涂层430的制造过程期间基于旋涂的旋转速度(rpm)来调整不平坦部432a的间距和深度。例如，如果旋涂的旋转速度增加，则外涂层430的厚度减小，并且不平坦部432a的深度和间距减小。另一方面，如果在外涂层430的制造过程期间旋涂的旋转速度降低，则外涂层430的厚度增加，并且不平坦部432a的深度和间距增加。

参照图4，第一电极451被设置在外涂层430上。例如，第一电极451可以包括反射层451a和设置在反射层451a上的透明导电层451b。此外，反射层451a和透明导电层451b可以沿突出部432的上表面和侧部以及基部131的上表面设置在外涂层430上。例如，第一电极451可以沿不平坦部432a的形状设置在突出部432的侧部和上表面上。因此，第一电极451可以在基部131的上表面处具有平坦的上表面，并且在突出部432的上表面和侧部上具有不平坦的上表面。

堤层440可以由无机材料形成。例如，堤层440可以由非晶硅、硅氧化物、硅氮化物或硅氮氧化物形成，但是不限于此。

堤层440被设置在第二区域A2的第一电极451上。堤层440可以由无机材料形成并且沿第二区域A2中的第一电极451的形状设置。因此，堤层440可以由无机材料形成，并且可以在突出部432的上表面和侧部上具有不平坦的上表面。例如，堤层440可以形成为对应于第一电极451的形状。堤层440可以形成为具有200nm的厚度，但是不限于此。

发射层452被设置在堤层440上。发射层452可以被设置在基部131的上表面以及突出部432的上表面和侧部上。例如，发射层452可以在突出部432的上表面和侧部上具有不平坦的上表面。因此，发射层452可以在基部131的上表面上具有平坦的上表面，并且在突出部432的上表面和侧部上具有不平坦的上表面。

第二电极453被设置在发射层452上。第二电极453可以沿基部131的上表面以及突出部432的上表面和侧部设置。例如，第二电极453可以在突出部432的上表面和侧部上具有不平坦的上表面。因此，第二电极453可以在基部131的上表面上具有平坦的上表面，并且在突出部432的上表面和侧部上具有不平坦的上表面。

第一封装层471被设置在第二电极453上。第一封装层471可以沿基部131的上表面以及突出部432的上表面和侧部设置。例如，第一封装层471可以在突出部432的上表面和侧部上具有不平坦的上表面。因此，第一封装层471可以在基部131的上表面上具有平坦的上表面，并且在突出部432的上表面和侧部上具有不平坦的上表面。

第二封装层472被设置在第一封装层471上。第二封装层472可以被设置在第一封装层471上，以使第一封装层471的表面平滑。第二封装层472可以被设置在第二区域A2中，以填充或覆盖第一封装层471的不平坦表面。

在根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置400中，具有褶皱形状的不平坦部432a被设置在突出部432的侧部和上表面上。因此，不平坦部432a散射从发射层452发射的光。因此，可以增加发光显示装置400的光提取效率。例如，从发射层452发射的光中的一些光可以被具有侧镜结构的第一电极451反射，并被提取至发光显示装置400的外部。然而，从发射层452发射的光中的其余光可以被全反射并限制在发光显示装置400中，例如在第二封装之间层472与第一电极451之间或在发光显示装置400与空气之间的界面处。因此，全反射光中的一些光可以在设置在具有褶皱形状的突出部432的不平坦部432a上的反射层451a的表面、透明导电层451b的表面和堤层440的表面处散射。因此，可以改变光的行进方向。例如，从发射层452输出的第二光L2可以在堤层440的表面处散射，并且第三光L3可以在反射层451a的表面处散射。例如，第一电极451沿突出部432的不平坦部432a的褶皱形状设置。因此，反射层451a、透明导电层451b和堤层440也沿褶皱形状设置。发光显示装置400中的全反射光中的一些光可以包括第二光L2和第三光L3，并且可以被反射层451a、透明导电层451b和堤层440散射。因此，可以改变光的行进方向，使得光可以被提取至发光显示装置400的外部。因此，第一电极451沿突出部432的不平坦部432a的褶皱形状设置，并且因此散射被限制或捕获在发光显示装置400中的光。因此，可以增加发光显示装置400的光提取效率。

图5A和图5B示出了根据比较例和本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置的光提取效率的模拟的示例。图5A示出了使用射线光学模拟程序的根据一个比较例的发光显示装置的光提取效率的模拟。图5B示出了使用射线光学模拟程序的根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置的光提取效率的模拟。在模拟中，堤层40和140的折射率被设定成1.6，并且发射层52和152、第二电极53和153以及第一封装层71和171分别被设定为单个区域S。此外，区域S的折射率被设定成1.8，并且第二封装层72和172的折射率被设定成1.5。此外，假设在图5A和图5B中的第二封装层72和172上方分别存在空气。此外，空气的折射率被设定成1。在这里，堤层40和140的厚度被设定成1μm以假设堤层40和140由有机材料形成，并且堤层40和140分别被假设为具有平坦的上表面。如图5A和图5B中所示的模拟是关于在突出部132的侧部和上部上发生的光提取。因此，省略了向中央区域发射的光的说明。

参照图5A，在根据比较例的发光显示装置10中，在外涂层30的突出部上未形成不平坦部。因此，第一电极51、堤层40和区域S在突出部上具有平坦的上表面。因此，大量的光仍然被限制或捕获在区域S中。此外，在突出部的坡度改变的侧部附近的在行进方向上改变的一些光可以被发射至外部，但是以大角度被发射。因此，由于这些光具有大的入射角，因此其可能不被发射至第二封装层72的外部，并且大多数光在第二封装层72与空气之间的界面处通过全反射被限制或捕获。

参照图5B，在根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置100中，第一电极151沿设置在突出部132的上表面上的不平坦部132a的形状设置。因此，可以改变被限制或捕获在发光显示装置100中的光的行进方向。因此，可以增加发光显示装置100的光提取效率和正面效率。例如，从发射层152发射的光中的一些光可以被具有不平坦形状的第一电极151反射一次或更多次并且在行进方向上改变，以朝向发光显示装置100的正面行进。因此，在根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置100中，第一电极151沿突出部132的不平坦部132a的形状设置。因此，可以将可以被限制或捕获在发光显示装置100中的光的行进方向改变为发光显示装置100的正面方向。可以将在行进方向上已经改变的光提取至发光显示装置100的外部。因此，可以增加发光显示装置100的光提取效率和正面效率。

参考表1，将图5A中所示的根据比较例的发光显示装置10的光提取效率与图5B中所示的根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置100的光提取效率进行比较。可以看出，与根据比较例的发光显示装置10相比，根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置100的提取至外部的光的量增加了13.3％。

[表1]

	发光显示装置10	发光显示装置100
			光的量	30	34
增长率	-	13.3％

图6A和图6B分别示出了根据比较例和本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置的光提取效率的模拟的示例。图6A示出了使用射线光学模拟程序的根据一个比较例的发光显示装置的光提取效率的模拟。图6B示出了使用射线光学模拟程序的根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置的光提取效率的模拟。为了进行模拟，堤层40'和340的折射率被设定成1.8，并且发射层52和352、第二电极53和353以及第一封装层71和371分别被设定为单个区域S。此外，区域S的折射率被设定成1.9，并且第二封装层72和372的折射率被设定成1.5。此外，假设在图6A和图6B中的第二封装层72和372上方分别存在空气。此外，空气的折射率被设定成1。在这里，堤层40'和340的厚度被设定成0.2μm，以假设堤层40'和340由无机材料形成。此外，图6A中所示的堤层40'被假设为具有平坦的上表面，并且图6B中所示的堤层340被假设为具有不平坦的上表面。如图6A和图6B中所示的模拟是关于在突出部132的侧部和上部上发生的光提取。因此，省略了向中央区域发射的光的说明。

参照图6A，在根据比较例的发光显示装置10'中，在外涂层30的突出部上未形成不平坦部。因此，第一电极51、堤层40'和区域S在突出部上具有平坦的上表面。因此，大量的光仍然被限制或捕获在区域S中。此外，在突出部的坡度改变的侧部附近的在行进方向上改变的一些光可以被发射至外部，但是以大角度被发射。因此，由于这些光具有大的入射角，因此其不能被发射至第二封装层72的外部，并且大多数光在第二封装层72与空气之间的界面处通过全反射被限制或捕获。

参照图6B，在根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置300中，第一电极351沿设置在突出部132的上表面上的不平坦部132a的形状设置。因此，可以改变被限制或捕获在发光显示装置300中的光的行进方向。因此，可以增加发光显示装置300的光提取效率和正面效率。例如，从发射层152发射的光中的一些光可以被具有不平坦形状的第一电极351反射一次或更多次并且在行进方向上改变，以朝向发光显示装置300的正面行进。因此，在根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置300中，第一电极351沿突出部132的不平坦部132a的形状设置。因此，可以将可以被限制或捕获在发光显示装置300中的光的行进方向改变为朝向正面的方向。可以将在行进方向上已经改变的光提取至发光显示装置300的外部。因此，可以增加发光显示装置300的光提取效率和正面效率。

参考表2，将图6A中所示的根据比较例的发光显示装置10'的光提取效率与图6B中所示的根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置300的光提取效率进行比较。可以看出，与根据比较例的发光显示装置10'相比，根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置300的提取至外部的光的量增加了30％。

[表2]

	发光显示装置10'	发光显示装置300
			光的量	20	26
增长率	-	30％

图7A至图7D示出了基于根据本公开内容的示例性实施方式和本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置中的突出部的侧部的角度和堤层的侧部的角度的光提取效率的示例。图7A示出了基于根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置中的突出部的角度和堤层的角度的光提取效率，在该发光显示装置中水平地对准发射层内的发光偶极子。图7B示出了基于根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置中的突出部的角度和堤层的角度的光提取效率，在该发光显示装置中水平地对准发射层内的发光偶极子。图7C示出了基于根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置中的突出部的角度和堤层的角度的光提取效率，在该发光显示装置中竖直地对准发射层内的发光偶极子。图7D示出了基于根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置中的突出部的角度和堤层的角度的光提取效率，在该发光显示装置中竖直地对准发射层内的发光偶极子。在图7A至图7D中所示的发光显示装置100和300中，突出部132的材料被设定成聚氯化铝(PAC)。此外，在图7A和图7C中示出的根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置100中，堤层140被设定成作为有机材料的聚酰亚胺(PI)。在图7B和图7D中示出的根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置300中，堤层340被设定成作为无机材料的硅氮化物(SiNx)。在图7A至图7D中，X轴表示堤层140或340的侧部的角度，并且Y轴表示突出部132的侧部的角度。在图7A至图7D中，点的密度表示光提取效率。例如，光提取效率被示出为相对于稀疏区域中的为1的光提取效率的倍数。例如，在图7A至图7D中，点越密集，光提取效率越高。在图7A和图7C中的突出部132的侧部具有从约40°至约70°的角度并且堤层140的侧部具有从约20°至约30°的角度的区段以及图7D中的突出部132的侧部具有从约60°至约70°的角度并且堤层340的侧部具有从约60°至约70°的角度的区段中，由于由突出部132的侧部的角度以及堤层140和340的侧部的角度反转的结构，可能无法测量光提取效率。

参照图7A，在根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置100中，随着堤层140的侧部的角度和突出部132的侧部的角度逐渐增加，光提取效率逐渐增加。例如，在堤层140的侧部具有从约45°至约55°的角度并且突出部132的侧部具有从约55°至约70°的角度的区段中，光提取效率可以是最高的。然而，与堤层140的侧部具有从约45°至约55°的角度的区段相比，随着堤层140的侧部的角度进一步从约55°增加至约70°，光提取效率降低。

参照图7B，尽管以任何角度形成堤层340的侧部和突出部132的侧部，但是根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置300整体上都示出了光提取效率。特别地，在堤层340的侧部具有从约20°至约25°的角度并且突出部132的侧部具有从约50°至约60°的角度的区段，以及堤层340的侧部具有从约60°至约70°的角度并且突出部132的侧部具有从约50°至约55°的角度的区段中，光提取效率可以是最高的。

参照图7C，随着堤层140的侧部的角度和突出部132的侧部的角度逐渐增加，光提取效率逐渐增加。例如，在堤层140的侧部具有从约50°至约55°的角度并且突出部132的侧部具有从约48°至约68°的角度的区段中，光提取效率可以是最高的。然而，与堤层140的侧部具有从约45°至约55°的角度的区段相比，随着堤层140的侧部的角度进一步从约55°增加至约70°，光提取效率降低。

参照图7D，尽管以任何角度形成堤层340的侧部和突出部132的侧部，但是根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置300整体上都示出了光提取效率。特别地，在堤层340的侧部具有从约48°至约60°的角度并且突出部132的侧部具有从约48°至约53°的角度的区段中，光提取效率可以是最高的。

图8A和图8B示出了根据比较例和本公开内容的又一示例性实施方式的发光显示装置的光提取效率的模拟的示例。图8A示出了使用射线光学模拟程序的根据一个比较例的发光显示装置的光提取效率的模拟。图8B示出了使用射线光学模拟程序的根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置的光提取效率的模拟。为了进行模拟，堤层40'和440的折射率被设定成1.8，并且发射层52和452、第二电极53和453以及第一封装层71和471被设定为单个区域S。此外，区域S的折射率被设定成1.8，并且第二封装层72和472的折射率被设定成1.5。此外，假设在图8A和图8B中的第二封装层72和472上方分别存在空气。此外，空气的折射率被设定成1。在这里，堤层40'和440的厚度被设定成0.2μm，以假设堤层40'和440由无机材料形成。此外，图8A中所示的堤层40'被假设为具有平坦的上表面，并且图8B中所示的堤层440被假设为具有不平坦的表面和不平坦的侧部。如图8A和图8B中所示的模拟是关于在突出部432的侧部和上部上发生的光提取。因此，省略了向中央区域发射的光的说明。

参照图8A，在根据比较例的发光显示装置10'中，在外涂层30的突出部上未形成不平坦部。因此，第一电极51、堤层40'和区域S在突出部上具有平坦的上表面。因此，大量的光仍然被限制或捕获在区域S中。此外，在突出部的坡度改变的侧部附近的在行进方向上改变的一些光可以被发射至外部，但是以大角度被发射。因此，由于这些光具有大的入射角，因此其可能不被发射至第二封装层72的外部，并且大多数光在第二封装层72与空气之间的界面处通过全反射被限制或捕获。

参照图8B，在根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置400中，第一电极451和堤层440沿设置在突出部432的上表面上的不平坦部432a的形状设置。因此，可以改变被限制或捕获在发光显示装置400中的光的行进方向。因此，可以增加发光显示装置400的光提取效率和正面效率。例如，从发射层452发射的光中的一些光可以被具有不平坦形状的第一电极451和堤层440散射并且在行进方向上改变，以朝向发光显示装置400的正面行进。因此，在根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置400中，第一电极451和堤层44沿着突出部432的不平坦部432a的形状设置。因此，可以将可以被限制在发光显示装置400中的光的行进方向改变为朝向正面的方向。可以将在行进方向上已经改变的光提取至发光显示装置400的外部。因此，可以增加发光显示装置400的光提取效率和正面效率。

参考表3，将图8A中所示的根据比较例的发光显示装置10'的光提取效率与图8B中所示的根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置400的光提取效率进行比较。可以看出，与根据比较例的发光显示装置10'相比，根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置400的提取至外部的光的量增加了54％。

[表3]

	发光显示装置10'	发光显示装置400
			光的量	13	20
增长率	-	54％

图9是根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置500的截面图，其中以针对图2截取的截面图类似的方式截取该截面图。除了第一电极551、堤层540和发光元件550之外，图9中所示的发光显示装置500与图1和图2中所示的发光显示装置100基本上相同。因此，将省略或简化其冗余描述。

如果堤层540由有机材料形成，则由于堤层540与发射层552之间的折射率的差异，光被限制或捕获在发光显示装置500中，例如在发射层552中。因此，光不能在朝向发光显示装置500的正面的方向上输出。例如，堤层540的材料具有约1.6的折射率，并且发射层552的有机材料具有从约1.8至约1.9的折射率。由于发射层552与堤层540之间的折射率的差异，来自发射层552的光可能不会被提取至发光显示装置500的正面并且可能会损失至发光显示装置500的侧表面或侧部。被发射至侧表面或侧部的光朝向发光显示装置500的内部行进，并且可以通过全反射被限制或捕获在发光显示装置500中。除此以外，光可能会行进至发光显示装置500中并消失。

因此，在根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置500中，第一电极551被设置在外涂层130上并且可以被划分为至少两个区域。该至少两个区域被设置在外涂层130的突出部132上，并且可以包括第一区域G和第二区域R。第一区域G可以指来自发射层552的光被外涂层130的突出部132的倾斜表面限制或捕获并且可能不会在朝向发光显示装置500的正面的方向上输出的区域。因此，第一电极551的部分区域可以被设置在短路(short)或浮置状态以引导来自发射层552的光。例如，第一电极551可以在第一区域G中处于浮置状态。第一电极551的部分区域可以是第一区域G并且可以是光引导区域。第一区域G可以引导来自发射层552的光以朝向发光显示装置500的正面输出。例如，除了第一区域G之外的第一电极551可以被设置在第二区域R中。因此，来自发射层552的光不被外涂层130的突出部132限制或捕获，并且可以被引导至设置在除了第一区域G之外的区域中的第一电极551的界面。例如，第一电极551可以将从发射层552发射的光引导至第一区域G，并且被引导至第一区域G的光可以被提取至第一电极551与发射层552之间的界面。

在作为非发射区域的第二区域A2中，堤层540可以被设置在第一电极551上。例如，堤层540可以被划分为至少两个区域，使得来自发射层552的光可以通过第一区域G被引导至第一电极551的界面。例如，如果堤层540不被划分为至少两个区域，则被引导至第一电极551的光可能不会被提取至正面并且可以被限制或捕获在发光显示装置500中。该至少两个区域可以在形成第一电极551的区域中被划分。例如，堤层540可以被划分为至少两个区域，使得来自发射层552的光可以被引导至第一电极551的界面并且朝向发光显示装置500的正面输出。例如，该至少两个区域可以在第一电极551与发射层552之间分开，使得可以在存在第一电极551的区域中形成第一电极551与发射层552之间的界面。例如，堤层540可以被设置在第二区域R上。堤层540可以被设置在除了第一电极551与发射层552之间的界面之外的第二区域R中。例如，堤层540可以被划分为两个堤层，使得第二区域R可以在第一电极551与发射层552之间的界面处断开。第二区域R可以是来自发射层552的光被反射并朝向发光显示装置500的正面输出的反射区域。例如，第二区域R可以是第一电极551与发射层552之间的反射界面。此外，除了在第一电极551与发射层552之间的反射界面上以外，形成被设置在第一电极551上的堤层540。因此，从发光元件550引导的光可以被引导至第一电极551。因此，沿发射层552引导的光可以被引导至第一电极551与发射层552之间的反射界面。因此，可以增加要被提取至发光显示装置500的正面的光的量。也就是说，设置堤层540，使得第一电极551与发射层552之间的界面可以断开或浮置。因此，要从发射层552损失至侧表面的光可以被引导至第一电极551的界面。因此，可以将光从该界面提取至发光显示装置500的正面。例如，堤层540可以被浮置，使得第一电极551和发射层552可以在第二区域R的一部分中彼此接触。因此，可以通过被划分的堤层540使发射层552与第一电极551直接接触。此外，可以将要损失至发光显示装置500的侧表面的光提取至正面。因此，可以增强光提取效率。

第一电极551可以包括反射层551a和设置在反射层551a上的透明导电层551b。第一电极551的反射层551a可以被设置在外涂层130上。根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置500是顶部发射型发光显示装置。因此，反射层551a可以向上反射从发光元件550发射的光。

发射层552可以被设置在第一电极551和堤层540上。发射层552可以沿堤层540的上表面设置。例如，发射层552可以被设置在第二区域R中的包括第一电极551与发射层552之间的界面的部分上。因此，发射层552可以与第一电极551的上表面直接接触。因此，来自发光元件550的光可以被引导至第一电极551的界面并且可以将要损失至侧表面的光提取至发光显示装置500的正面。因此，可以增加光提取效率。

第二电极553可以被设置在发射层552上。第二电极553可以沿发射层552的上表面设置。封装部件170可以被设置在发光元件550上。封装部件170可以被设置成覆盖第二电极553。第一封装层171可以被设置在第二电极553上。第二封装层172可以被设置在第一封装层171上。第二封装层172可以被设置在第一封装层171上，以使第一封装层171的表面平滑。第三封装层173可以被设置在第二封装层172上。

在根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置500中，第一电极551被划分，并且堤层540在第一电极551与发射层552之间的界面处被划分。因此，可以增加发光显示装置500的光提取效率。例如，从发射层552发射的光中的一些光可以被具有侧镜结构的第一电极551反射并被提取至发光显示装置500的外部。然而，从发射层552发射的光中的其余光可以被限制或捕获在发光显示装置500中。将由划分的第一电极551引导的光引导至第一电极551与发射层552之间的界面的堤层540可以改变光的行进方向。例如，可以在行进方向上改变从发射层552输出的光。因此，光可以被引导至第一电极551的表面并且被提取至发光显示装置500的外部。因此，被限制或捕获在发光显示装置500中的光可以被划分的第一电极551和划分的堤层540散射。因此，可以增加发光显示装置500的光提取效率。

图10A和图10B示出了根据比较例和本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置的光提取效率的模拟的示例。图10A示出了使用射线光学模拟程序的根据一个比较例的发光显示装置的光提取效率的模拟。图10B示出了使用射线光学模拟程序的根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置的光提取效率的模拟。为了进行模拟，堤层40”和540的折射率被设定成1.6，并且发射层52和552、第二电极53和553以及第一封装层71和171分别被设定为单个区域S。此外，区域S的折射率被设定成1.8，并且第二封装层72和172的折射率被设定成1.5。此外，假设第二封装层172是平坦的。然而，第二封装层172可以沿发射层552、第二电极553和第一封装层171的形状形成，如图9中所示。即使在这种情况下，也可以实现与图10B中所示相同或相似的效果。此外，假设在图10A和图10B中的第二封装层72和172上方存在空气。此外，空气的折射率被设定成1。在这里，堤层40”和540的厚度被设定成1μm，以假设堤层40”和540由有机材料形成，并且堤层40”和540被假设为具有平坦的上表面。

参照图10A，在根据比较例的发光显示装置20'中，第一电极51'和堤层40”未被划分。因此，区域S中的光可能不会从第一电极51'的界面提取至发光显示装置20'的外部。因此，大量的光仍被限制或捕获在区域S中。此外，在外涂层30的突出部的坡度改变的侧部附近的在行进方向上改变的一些光被第一电极51'反射并被发射至侧表面。例如，第四光L4在外涂层30的突出部的侧部附近被反射至第一电极51'，并被发射至侧表面。例如，区域S中的光可能不会被发射至封装层72的外部，并且大多数光在第二封装层72与空气之间的界面处通过全反射被限制或捕获。因此，被发射至侧表面的光可能不会被发射至发光显示装置20'的正面，并且因此，被提取至正面的光的量(由“a”示出)减少。

参照图10B，在根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置500中，第一电极551和堤层540被划分。因此，可以改变被限制在发光显示装置500中的光的行进方向。因此，可以增加发光显示装置500的光提取效率和正面效率。例如，从发射层552发射的光被引导至划分的第一电极551，并且被引导至第一电极551的光通过堤层540被提取至第一电极551与发射层552之间的界面。因此，可以将光的行进方向改变为朝向发光显示装置500的正面的方向。例如，第五光L5被引导至划分的第一电极551，并且被引导至第一电极551的光通过划分的堤层540从第一电极551与发射层552之间的界面朝向发光显示装置500的正面被提取。因此，被提取至正面的光的量(由“A”示出)增加。因此，在根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置500中，第一电极551和堤层540被划分。因此，可以将要被限制在区域S中的光，例如可能被限制或捕获在发光显示装置500中的光的行进方向改变为朝向正面的方向。可以将在行进方向上已经改变的光提取至发光显示装置500的外部。因此，可以增加发光显示装置500的光提取效率和正面效率。

参考表4，将图10A中所示的根据比较例的发光显示装置20'的光提取效率与图10B中所示的根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置500的光提取效率进行比较。可以看出，与根据比较例的发光显示装置20'相比，根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置500的提取至外部的光的量增加了约12.1％。

[表4]

	发光显示装置20'	发光显示装置500
			光的量	33	37
增长率	-	12.1％

以下将描述根据本公开内容的一个或更多个实施方式的发光显示装置。

根据本公开内容的实施方式，一种发光显示装置包括：基板；绝缘层，其在基板上并且包括基部和突出部，突出部具有在基部的一部分中的不平坦部；第一电极，其被配置成覆盖基部的上部以及突出部的侧部和上部，并且沿绝缘层的不平坦部的形状设置；堤层，其被配置成覆盖绝缘层的一部分和第一电极的一部分；发射层，其在第一电极和堤层上；以及第二电极，其在发射层上。

根据本公开内容的一些实施方式，绝缘层的不平坦部可以被设置在突出部的上表面上，堤层可以包括有机材料，并且堤层的上表面可以比突出部的上表面平坦。

根据本公开内容的一些实施方式，绝缘层的不平坦部可以具有凹半圆形形状、三角形形状、椭圆形形状和梯形形状中的至少一种。

根据本公开内容的一些实施方式，绝缘层的不平坦部可以具有约1.5μm至约2μm的范围的深度。

根据本公开内容的一些实施方式，绝缘层的不平坦部可以被设置在突出部的上表面上，堤层可以包括无机材料，并且堤层可以沿第一电极的形状设置。

根据本公开内容的一些实施方式，绝缘层的不平坦部可以具有凹半圆形形状、三角形形状、椭圆形形状和梯形形状中的至少一种。

根据本公开内容的一些实施方式，绝缘层的不平坦部可以具有约1.5μm至约2μm的范围的深度。

根据本公开内容的一些实施方式，绝缘层的不平坦部可以被设置在突出部的侧部和上表面上，堤层可以由无机材料制成，并且堤层可以沿不平坦部的形状设置。

根据本公开内容的一些实施方式，绝缘层的不平坦部可以具有褶皱形状。

根据本公开内容的一些实施方式，发光显示装置还可以包含：第一封装层，其沿第二电极的形状在第二电极上；以及第二封装层，其在第一封装层上，第二封装层的折射率可以低于第一封装层的折射率。

根据本公开内容的一些实施方式，堤层的折射率可以等于或低于发射层的折射率。

根据本公开内容的一些实施方式，第一电极可以包括反射层和在反射层上的透明导电层。

根据本公开内容的另一实施方式，一种发光显示装置包括：基板；外涂层，其在基板上并且包括基部和突出部；发光元件，其在外涂层上并且包括第一电极、发射层和第二电极；堤层，其在第一电极与发射层之间并且被配置成限定发射区域；封装部件，其在发光元件上；以及光提取图案，其在外涂层的突出部的表面上，并且被配置成改变从发射层发射的光的行进方向并提高光提取效率和正面效率。

根据本公开内容的一些实施方式，光提取图案可以包括在外涂层的突出部的上表面上的凹入的线图案或点图案。

根据本公开内容的一些实施方式，光提取图案可以被设置成围绕发射区域。

根据本公开内容的一些实施方式，光提取图案可以被设置成在外涂层的突出部的侧表面和上表面上具有褶皱结构。

根据本公开内容的一些实施方式，光提取图案的褶皱结构可以具有不规则的褶皱形状。

根据本公开内容的一些实施方式，封装部件可以包括第一封装层、有机封装层和第二封装层，第一封装层可以沿第二电极的形状设置在第二电极上，有机封装层可以在第一封装层上，有机封装层的折射率可以低于第一封装层的折射率，并且堤层的折射率可以等于或低于发射层的折射率。

根据本公开内容的另一实施方式，一种发光显示装置包括：基板；绝缘层，其在基板上并且包括基部和在基部的一部分中的突出部，并且突出部的上表面包括第一区域和在第一区域之间的第二区域；第一电极，第一电极在第一区域和第二区域中；堤层，堤层在第一区域和第二区域中的除了第一电极与发射层之间的界面之外的部分中，发射层在第一电极和堤层上；以及在发射层上的第二电极。

根据本公开内容的一些实施方式，第一电极可以以浮置状态设置在第一区域中。

根据本公开内容的一些实施方式，堤层可以被浮置，使得第一电极和发射层在第二区域中的界面处彼此接触。

根据本公开内容的一些实施方式，第一电极可以被配置成将从发射层发射的光引导至第一区域，并且被引导至第一区域的光可以被提取至第一电极与发射层之间的界面。

根据本公开内容的一些实施方式，堤层可以包括有机材料。

根据本公开内容的另一方面，一种发光显示装置包括外涂层，该外涂层在基板上并且包括基部和突出部。突出部包括在基部的一部分处的不平坦部。发光显示装置还包括第一电极，第一电极包括在外涂层上的反射层和在反射层上的透明导电层。发光显示装置包括堤层，堤层被配置成覆盖外涂层的一部分和第一电极的一部分。发光显示装置包括在第一电极和堤层上的发射层以及在发射层上的第二电极。第一电极的反射层与第二电极之间的距离被配置成调节以对从发射层发射的光实现相长干涉。

根据本公开内容的一些实施方式，绝缘层的不平坦部可以被设置在突出部的上表面上。

根据本公开内容的一些实施方式，绝缘层的不平坦部可以具有凹半圆形形状、三角形形状、椭圆形形状和梯形形状中的至少一种。

根据本公开内容的一些实施方式，绝缘层的不平坦部可以具有约1.5μm至约2μm的范围的深度。

对于本领域技术人员而言将明显的是，在不脱离本公开内容的技术思想或范围的情况下，可以在本公开内容中进行各种修改和变化。因此，本公开内容的实施方式旨在覆盖本公开内容的修改和变化，只要其落在所附权利要求及其等同物的范围内。

发明构思

本发明提供了以下发明构思：

1.一种发光显示装置，包括：

基板；

绝缘层，所述绝缘层在所述基板上并且包括基部和突出部，所述突出部具有在所述基部的一部分处的不平坦部；

第一电极，所述第一电极被配置成覆盖所述基部的上部和所述突出部的侧部和上部，并且沿着所述绝缘层的所述不平坦部的形状设置；

堤层，所述堤层被配置成覆盖所述绝缘层的一部分和所述第一电极的一部分；

在所述第一电极和所述堤层上的发射层；以及

在所述发射层上的第二电极。

2.根据发明构思1所述的发光显示装置，其中：

所述绝缘层的所述不平坦部设置在所述突出部的上表面上；

所述堤层包括有机材料；以及

所述堤层的上表面比所述突出部的上表面平坦。

3.根据发明构思2所述的发光显示装置，其中，所述绝缘层的所述不平坦部具有凹半圆形形状、三角形形状、椭圆形形状和梯形形状中的至少一种。

4.根据发明构思2所述的发光显示装置，其中，所述绝缘层的所述不平坦部具有1.5μm至2μm的范围的深度。

5.根据发明构思1所述的发光显示装置，其中：

所述绝缘层的所述不平坦部设置在所述突出部的上表面上；

所述堤层包括无机材料；以及

所述堤层沿着所述第一电极的形状设置。

6.根据发明构思5所述的发光显示装置，其中，所述绝缘层的所述不平坦部具有凹半圆形形状、三角形形状、椭圆形形状和梯形形状中的至少一种。

7.根据发明构思5所述的发光显示装置，其中，所述绝缘层的所述不平坦部具有1.5μm至2μm的范围的深度。

8.根据发明构思1所述的发光显示装置，其中：

所述绝缘层的所述不平坦部设置在所述突出部的侧部和上表面上；

所述堤层包括无机材料；以及

所述堤层沿着所述不平坦部的形状设置。

9.根据发明构思8所述的发光显示装置，其中，所述绝缘层的所述不平坦部具有褶皱形状。

10.根据发明构思1所述的发光显示装置，还包括：

沿着所述第二电极的形状在所述第二电极上的第一封装层；以及

在所述第一封装层上的第二封装层，

其中，所述第二封装层的折射率低于所述第一封装层的折射率。

11.根据发明构思10所述的发光显示装置，其中，所述堤层的折射率等于或低于所述发射层的折射率。

12.根据发明构思1所述的发光显示装置，其中，所述第一电极包括反射层和在所述反射层上的透明导电层。

13.一种发光显示装置，包括：

基板；

外涂层，所述外涂层在所述基板上并且包括基部和突出部；

发光元件，所述发光元件在所述外涂层上并且包括第一电极、发射层和第二电极；

堤层，所述堤层在所述第一电极与所述发射层之间并且被配置成限定发射区域；

在所述发光元件上的封装部件；以及

光提取图案，所述光提取图案在所述外涂层的突出部的表面上，并且被配置成改变从所述发射层发射的光的行进方向并提高光提取效率和正面效率。

14.根据发明构思13所述的发光显示装置，其中，所述光提取图案包括在所述外涂层的突出部的上表面上的凹入的线图案或点图案。

15.根据发明构思14所述的发光显示装置，其中，所述光提取图案被设置成围绕所述发射区域。

16.根据发明构思13所述的发光显示装置，其中，所述光提取图案被设置成在所述外涂层的突出部的侧表面和上表面上具有褶皱结构。

17.根据发明构思16所述的发光显示装置，其中，所述光提取图案的褶皱结构具有不规则的褶皱形状。

18.根据发明构思13所述的发光显示装置，其中：

所述封装部件包括第一封装层、有机封装层和第二封装层；

所述第一封装层沿着所述第二电极的形状在所述第二电极上；

所述有机封装层在所述第一封装层上；

所述有机封装层的折射率低于所述第一封装层的折射率；以及

所述堤层的折射率等于或低于所述发射层的折射率。

19.一种发光显示装置，包括：

基板；

绝缘层，所述绝缘层在所述基板上并且包括基部和在所述基部的一部分中的突出部，其中，所述突出部的上表面包括第一区域和在所述第一区域之间的第二区域；

第一电极，所述第一电极在所述第一区域和所述第二区域中；

堤层，所述堤层在所述第一区域和所述第二区域中的除了所述第一电极与发射层之间的界面之外的部分中，所述发射层在所述第一电极和所述堤层上；以及

在所述发射层上的第二电极。

20.根据发明构思19所述的发光显示装置，其中，所述第一电极以浮置状态设置在所述第一区域中。

21.根据发明构思19所述的发光显示装置，其中，所述堤层被浮置，使得所述第一电极和所述发射层在所述第二区域中的所述界面处彼此接触。

22.根据发明构思19所述的发光显示装置，其中，所述第一电极被配置成将从所述发射层发射的光引导至所述第一区域，并且被引导到所述第一区域的光被提取到所述第一电极与所述发射层之间的界面。

23.根据发明构思19所述的发光显示装置，其中，所述堤层包括有机材料。

24.一种发光显示装置，包括：

基板；

外涂层，所述外涂层在所述基板上并且包括基部和突出部，所述突出部具有在所述基部的一部分处的不平坦部；

第一电极，所述第一电极包括在所述外涂层上的反射层和在所述反射层上的透明导电层；

堤层，所述堤层被配置成覆盖所述外涂层的一部分和所述第一电极的一部分；

发射层，所述发射层在所述第一电极和所述堤层上；以及

第二电极，所述第二电极在所述发射层上，

其中，所述第一电极的反射层与所述第二电极之间的距离被配置成调节以对从所述发射层发射的光实现相长干涉。

25.根据发明构思24所述的发光显示装置，其中，所述外涂层的所述不平坦部设置在所述突出部的上表面上。

26.根据发明构思25所述的发光显示装置，其中，所述外涂层的所述不平坦部具有凹半圆形形状、三角形形状、椭圆形形状和梯形形状中的至少一种。

27.根据发明构思25所述的发光显示装置，其中，所述外涂层的所述不平坦部具有1.5μm至2μm的范围的深度。

Claims (10)

1.一种发光显示装置，包括：

基板；

绝缘层，所述绝缘层在所述基板上并且包括基部和突出部，所述突出部具有在所述基部的一部分处的不平坦部；

第一电极，所述第一电极被配置成覆盖所述基部的上部和所述突出部的侧部和上部，并且沿着所述绝缘层的所述不平坦部的形状设置；

堤层，所述堤层被配置成覆盖所述绝缘层的一部分和所述第一电极的一部分；

在所述第一电极和所述堤层上的发射层；以及

在所述发射层上的第二电极。

2.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中：

所述绝缘层的所述不平坦部设置在所述突出部的上表面上；

所述堤层包括有机材料；以及

所述堤层的上表面比所述突出部的上表面平坦。

3.根据权利要求2所述的发光显示装置，其中，所述绝缘层的所述不平坦部具有凹半圆形形状、三角形形状、椭圆形形状和梯形形状中的至少一种。

4.根据权利要求2所述的发光显示装置，其中，所述绝缘层的所述不平坦部具有1.5μm至2μm的范围的深度。

5.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中：

所述绝缘层的所述不平坦部设置在所述突出部的上表面上；

所述堤层包括无机材料；以及

所述堤层沿着所述第一电极的形状设置。

6.根据权利要求5所述的发光显示装置，其中，所述绝缘层的所述不平坦部具有凹半圆形形状、三角形形状、椭圆形形状和梯形形状中的至少一种。

7.根据权利要求5所述的发光显示装置，其中，所述绝缘层的所述不平坦部具有1.5μm至2μm的范围的深度。

8.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中：

所述绝缘层的所述不平坦部设置在所述突出部的侧部和上表面上；

所述堤层包括无机材料；以及

所述堤层沿着所述不平坦部的形状设置。

9.根据权利要求8所述的发光显示装置，其中，所述绝缘层的所述不平坦部具有褶皱形状。

10.根据权利要求1所述的发光显示装置，还包括：

沿着所述第二电极的形状在所述第二电极上的第一封装层；以及

在所述第一封装层上的第二封装层，

其中，所述第二封装层的折射率低于所述第一封装层的折射率。

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