CN112349751B - 发光显示设备 - Google Patents

发光显示设备 Download PDF

Info

Publication number
CN112349751B
CN112349751B CN202010587757.0A CN202010587757A CN112349751B CN 112349751 B CN112349751 B CN 112349751B CN 202010587757 A CN202010587757 A CN 202010587757A CN 112349751 B CN112349751 B CN 112349751B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
light emitting
inorganic insulating
insulating layer
display device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010587757.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112349751A (zh
Inventor
沈东敏
崔惠景
韩炅勋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Priority to CN202410340153.4A priority Critical patent/CN118119218A/zh
Priority to CN202410340303.1A priority patent/CN118119219A/zh
Publication of CN112349751A publication Critical patent/CN112349751A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112349751B publication Critical patent/CN112349751B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0446—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a grid-like structure of electrodes in at least two directions, e.g. using row and column electrodes
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0416—Control or interface arrangements specially adapted for digitisers
    • G06F3/04164—Connections between sensors and controllers, e.g. routing lines between electrodes and connection pads
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/2003—Display of colours
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04112—Electrode mesh in capacitive digitiser: electrode for touch sensing is formed of a mesh of very fine, normally metallic, interconnected lines that are almost invisible to see. This provides a quite large but transparent electrode surface, without need for ITO or similar transparent conductive material
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H10K2102/3026—Top emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

一种发光显示设备，包括：基板，其包括多个子像素；外涂层，其在基板上并具有基础部分和突出部分；第一电极，其被设置成在多个子像素处覆盖基础部分和突出部分的侧部分；堤层，其覆盖外涂层和第一电极的一部分；发光层和第二电极，其两者在多个子像素处的第一电极和堤层上；以及截止层，其在第二电极上以与堤层交叠。

Description

发光显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求2019年8月6日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2019-0095725号的优先权权益，该申请的全部内容通过引用在此明确地并入本申请中。
技术领域
本公开涉及发光显示设备，更具体地，涉及能够提高光提取效率并同时通过抑制或防止色坐标的变化来改进色域的发光显示设备。
背景技术
最近，随着我们的社会朝向面向信息的社会发展，用于可视地表达电信息信号的显示设备的领域已经迅速发展。正在相应地开发在薄度、亮度和低功耗方面具有优异性能的各种显示设备。
在各种显示设备中，发光显示设备是自发光显示设备，自发光显示设备不需要单独光源，这不同于液晶显示设备。因此，发光显示设备可以被制造得轻且薄。此外，发光显示设备由于低电压驱动而在功耗方面具有优势，并且在颜色实现、响应速度、视角和对比度(CR)方面是优异的。因此，预期发光显示设备被用于各种领域。
发明内容
从发光显示设备的发光层发射的光可以通过发光显示设备的各种部件输出到发光显示设备的外部。然而，在从发光层发射的光中，存在被捕获在发光显示设备内部而没有从发光显示设备出来的光，由此发光显示设备的光提取效率是有问题的。
例如，存在下述问题：由于全反射损耗、波导损耗和表面等离子体损耗，从发光层发射的光中的一些光被捕获在发光显示设备中。此处，全反射损耗指的是由于从发光层发射的光中的下述光而导致的光提取效率的降低：该光由于在基板与空气之间的界面处的全反射而被捕获在发光显示设备中。波导损耗指的是由于在发光显示设备中的部件的界面处的全反射而导致的光提取效率的降低。表面等离子体损耗指的是下述情况：由于光在光入射和传播期间被吸收到金属表面上的现象而导致光使金属表面的自由电子振动，由此阻止了光的反射或透射，从而导致光提取效率的降低。
为了解决与发光显示设备相关联的上述和其他限制，本公开的发明人已经发明了如下发光显示设备：该发光显示设备具有新的结构，以通过减少全反射损耗和波导损耗来提高发光显示设备的光提取效率。例如，本公开的发明人将外涂层形成为具有平坦上表面的基础部分和从基础部分突出的突出部分，并且在基础部分上以及突出部分的侧部分上设置具有反射层的阳极。因此，在突出部分的侧部分处形成的阳极的反射层可以作为侧镜，并且通过全反射被捕获在发光显示设备中的光中的一些光被提取到发光显示设备的正面方向，由此提高了发光显示设备的光提取效率。
另一方面，本公开的发明人已经认识到，从具有上述结构的发光显示设备另外提取的光可能导致色坐标的变化，这可能是一个问题。
例如，当反射电极设置在发光显示设备的突出部分的侧部分上时，在非发光区域中从发光显示设备向上提取光，从而允许提高光提取效率。然而，通过从反射电极反射而从发光显示设备向上提取的光呈现光致发光(PL)谱。因此，在长波长区域中另外提取的光可以比在短波长区域中更多。因此，发射短波长区域的光的子像素例如蓝色子像素可具有下述问题：可能出现色坐标变化。
因此，本公开的发明人已经发明了改进的发光显示设备，该发光显示设备具有新的结构，能够防止色坐标的变化或使色坐标的变化最小化，同时提高光提取效率。
本公开的一个方面是提供一种发光显示设备，该发光显示设备能够使当使用具有侧镜形状的阳极时可能出现的长波长区域中的光最小化。
本公开的另一方面是减少提取的光的色坐标的变化。
另外的特征和方面将在下面的描述中阐述，并且部分将从描述中变得明显或者可以通过实践本文提供的发明构思来了解。发明构思的其他特征和方面可以通过在书面描述中特别指出的或由此衍生的结构、其权利要求以及附图来实现和获得。
根据本公开的实施例，发光显示设备可以包括：基板，其包括多个子像素；外涂层，其在基板上并具有基础部分和突出部分；第一电极，其被设置成在多个子像素处覆盖基础部分和突出部分的侧部分；堤层，其覆盖外涂层和第一电极的一部分；发光层和第二电极，其两者在多个子像素处的第一电极和堤层上；以及截止层，其在第二电极上以与堤层交叠。
根据本公开的另一实施例，发光显示设备可以包括：基板，其包括具有发光区域和非发光区域的子像素；外涂层，其具有从非发光区域突出的突出部分；发光元件，其包括与突出部分接触的第一电极、在第一电极上的发光层和在发光层上的第二电极；堤层，其覆盖突出部分和第一电极的一部分；以及在发光元件上的非发光区域处的色坐标变化防止层，用于使从发光层发射的光中的、从与突出部分接触的第一电极反射和提取的光所导致的色坐标变化最小化。
通过研究以下附图和详细描述，对于本领域技术人员来说，其他装置、***、方法、特征和优点将是或将变得明显。意旨所有这样的另外的***、方法、特征和优点都包含在本说明书中，都在本公开的范围内，并且被所附权利要求保护。本部分中的任何内容都不应视为对这些权利要求的限制。下面结合本公开的实施例讨论进一步的方面和优点。应当理解，本公开的前述一般描述和以下详细描述都是示例和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的公开内容的进一步解释。
根据本公开的示例性实施例，可以通过使用具有侧镜形状的阳极来提高发光显示设备的光提取效率。
根据本公开的示例性实施例，可以通过抑制或防止由于有助于提高光效率的另外提取的光而导致的色坐标的变化来改进色域。
应该理解的是，前面的一般描述和下面的详细描述都是示例性和解释性的，并且旨在提供对所要求保护的发明构思的进一步解释。
附图说明
可以包括附图以提供对本公开的进一步理解，这些附图被并入且构成本说明书的一部分，其示出了本公开的实施例，并且与说明书一起用于解释本公开的各种原理。
图1是根据本公开的第一示例性实施例的发光显示设备的平面图。
图2是图1的区域“A”的放大平面图。
图3A是沿着图2的线IIIa-IIIa’截取的发光显示设备的截面图。
图3B是沿着图2的线IIIb-IIIb’截取的发光显示设备的截面图。
图4是根据本公开的第二示例性实施例的发光显示设备的截面图。
图5是根据本公开的第三示例性实施例的发光显示设备的平面图。
图6是沿着图5的线VI-VI’截取的发光显示设备的截面图。
图7示出了根据比较示例和本公开的示例性实施例的光发射谱模拟结果。
图8A和图8B是用于比较示例和本公开的示例性实施例的CIE坐标系。
图9示出了取决于根据本公开的第二或第三示例性实施例的发光显示设备的截止层的厚度的透射率的模拟结果。
具体实施方式
通过参照下面详细描述的示例性实施例和附图，本公开的优点和特征以及实现优点和特征的方法将变得清楚。然而，本公开不限于本文公开的示例性实施例，而是将以各种形式实现。示例性实施例仅以示例的方式提供，使得本领域技术人员可以充分理解本公开的公开内容和本公开的范围。因此，本公开将仅由所附权利要求的范围来限定。
在附图中示出的用于描述本公开的示例性实施例的形状、尺寸、比率、角度、数目等仅是示例，并且本公开不限于此。在整个说明书中，相似的附图标记通常表示相似的元件。此外，在本公开的以下描述中，可以省略已知相关技术的详细解释，以避免不必要地模糊本公开的主题。本文使用的诸如“包括”、“具有”和“由……组成”的术语通常旨在允许添加其他部件，除非这些术语与术语“仅”一起使用。除非另有明确说明，否则对单数的任何引用可以包括复数。
即使没有明确说明，部件也被解释成包括普通误差范围。
当使用诸如“上”、“上方”、“下方”和“靠近”的术语描述两个部件之间的位置关系时，除非这些术语与术语“紧接地”或“直接地”一起使用，否则一个或更多个部件可以位于两个部件之间。
当一个元件或层被设置在另一个元件或层“上”时，另一层(或多个层)或另一元件(或多个元件)可以直接地***在另一个元件上或***在它们之间。
尽管术语“第一”、“第二”等被用于描述各种部件，但是这些部件不受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个部件和其他部件，并且可以不限定任何顺序。因此，下面将要提到的第一部件可以是本公开的技术概念中的第二部件。
在整个说明书中，相似的附图标记通常表示相似的元件。
为了便于描述，示出了附图中示出的每个部件的尺寸和厚度，并且本公开不限于示出的部件的尺寸和厚度。
本公开的各种实施例的特征可以被部分地或全部地彼此粘合或结合，并且可以以各种技术方式互锁和操作，并且实施例可以被彼此独立地执行或彼此关联地执行。
在下文中，将参照附图详细描述本公开的示例性实施例。
图1是根据本公开的第一示例性实施例的发光显示设备的平面图。图2是图1的区域“A”的放大的平面图。图3A是沿着图2的线IIIa-IIIa’截取的发光显示设备的截面图。图3B是沿着图2的线IIIb-IIIb’截取的发光显示设备的截面图。在图2中，为了便于描述，仅示出了多个子像素SPX和截止层180。此外，图3A是第一子像素SPX1和第二子像素SPX2的截面图，并且图3B是第三子像素SPX3的截面图。根据本公开的所有实施例的发光显示设备的所有部件被可操作地耦接和配置。
参照图1至图3B，发光显示设备100可以包括基板110、薄膜晶体管120、发光元件130、外涂层140、堤层114、发光元件、封装部和截止层180。发光显示设备100可以实现为顶部发光型发光显示设备。
基板110包括显示区域A/A和非显示区域N/A。
显示区域A/A是在发光显示设备100中显示图像的区域。在显示区域A/A中，可以设置显示元件以及被配置成驱动显示元件的各种驱动元件。例如，显示元件可以由包括第一电极131、发光层和第二电极的发光元件构成。此外，被配置成驱动显示元件的各种驱动元件例如薄膜晶体管、电容器或布线可以设置在显示区域A/A处。
显示区域A/A可以包括多个子像素SPX。子像素SPX是用于构成屏幕的最小单元，并且多个子像素SPX中的每一个可以包括发光元件130和驱动电路。多个子像素SPX中的每一个可以发射不同波长的光。例如，多个子像素SPX可以包括作为红色子像素的第一子像素SPX1、作为绿色子像素的第二子像素SPX2以及作为蓝色子像素的第三子像素SPX3。然而，实施例不限于此。例如，多个子像素SPX还可以包括白色子像素。
子像素SPX的驱动电路是用于控制发光元件130的驱动的电路。例如，驱动电路可以被配置成包括薄膜晶体管和电容器，但是实施例不限于此。
非显示区域N/A是如下区域：在该区域中不显示图像，并且可以设置被配置成驱动设置在显示区域A/A中的多个子像素SPX的各种部件。例如，提供用于驱动多个子像素SPX的信号的驱动器IC、柔性膜等可以设置在非显示区域N/A处。
非显示区域N/A可以是如图1所示的包围显示区域A/A的区域，但是实施例不限于此。例如，非显示区域N/A可以是从显示区域A/A延伸的区域。
参照图3A和图3B，基板110可以支承和保护发光显示设备100的各种部件。基板110可以由玻璃或具有柔性的塑料材料形成。例如，当基板110由塑料材料形成时，基板110可以由聚酰亚胺(PI)形成。然而，本公开的实施例不限于此。
缓冲层111设置在基板110上。缓冲层111可以提高形成在缓冲层111上的层与基板110之间的粘附性，并且可以阻止碱成分等流出基板110。缓冲层111可以由硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的单个层形成，或者由硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的多个层形成，但是实施例不限于此。可以基于基板110的类型和材料以及薄膜晶体管120的结构和类型而省略缓冲层111。
薄膜晶体管120设置在基板110上。薄膜晶体管120可以是发光显示设备100的驱动元件。薄膜晶体管120包括栅电极121、有源层122、源电极123和漏电极124。在根据本公开的第一示例性实施例的发光显示设备100中，薄膜晶体管120具有如下结构：有源层122设置在栅电极121上，并且源电极123和漏电极124设置在有源层122上。因此，薄膜晶体管120具有底部栅极结构，在该结构中栅电极121设置在最下部，但是实施例不限于此。
薄膜晶体管120的栅电极121设置在基板110上。栅电极121可以是各种金属材料中的任何一种，例如为钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任何一种或者其中两种或更多种的合金，或者是它们的多个层；但是实施例不限于此。
栅极绝缘层112设置在栅电极121上。栅极绝缘层112是用于使栅电极121和有源层122彼此电绝缘的层，并且可以由绝缘材料形成。例如，栅极绝缘层112可以由作为无机材料的硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的单个层形成，或者由硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的多个层形成，但是实施例不限于此。
有源层122设置在栅极绝缘层112上。有源层122被设置成与栅电极121交叠。例如，有源层可以由氧化物半导体形成，或者由非晶硅(a-Si)、多晶硅(poly-Si)、有机半导体等形成。
蚀刻阻止件117设置在有源层122上。当通过蚀刻方法来图案化源电极123和漏电极124时，蚀刻阻止件117防止由于等离子体而对有源层122的表面造成的损坏。蚀刻阻止件117的一部分可以与源电极123交叠，并且蚀刻阻止件117的另一部分可以与漏电极124交叠。然而，蚀刻阻止件117可以被省略。
源电极123和漏电极124设置在有源层122和蚀刻阻止件117上。源电极123和漏电极124设置在相同的层上，并且彼此间隔开。源电极123和漏电极124可以电连接至有源层122以与有源层122接触。源电极123和漏电极124可以由各种金属材料中的任何一种形成，例如由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任何一种或其中两种或更多种的合金形成，或者由它们的多个层形成；但是实施例不限于此。
外涂层140设置在薄膜晶体管120上。外涂层140可以保护薄膜晶体管120并使设置在基板110上的层的台阶平滑。外涂层140可以由丙烯酸基树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺基树脂、聚酰亚胺基树脂、不饱和聚酯基树脂、聚苯基树脂、聚苯硫醚基树脂、苯并环丁烯和光致抗蚀剂中的一种形成，但是实施例不限于此。
外涂层140包括基础部分141和突出部分142。基础部分141和突出部分142可以如图3A和图3B所示被一体地形成。例如，基础部分141和突出部分142可以由相同的材料形成，并且通过相同处理例如掩模处理同时形成，但是实施例不限于此。
基础部分141设置在薄膜晶体管120上。基础部分141的上表面具有与基板110平行的表面。因此，基础部分141可以使可能由设置在其下方的部件所导致的台阶差平坦化。
突出部分142设置在基础部分141上。突出部分142与基础部分141被一体地形成，并且该突出部分形成为从基础部分141突出。因此，突出部分142的上表面可以小于其下表面。然而，实施例不限于此。
突出部分142包括上表面和侧部分。突出部分142的上表面可以是突出部分142的最上面处的表面，并且可以是与基础部分141或基板110基本平行的表面。突出部分142的侧部分可以是连接突出部分142的上表面与基础部分141的表面。
图3A和图3B示出了外涂层140包括具有平坦上表面的基础部分141以及从基础部分141突出的突出部分142。然而，只要外涂层140具有体现基础部分和突出部分的形状，外涂层140的详细配置就不限于基础部分141和突出部分142，并且可以被不同地实现。
发光元件130设置在外涂层140上。发光元件130包括第一电极131、发光层132和第二电极133。
第一电极131设置在外涂层140上，以覆盖基础部分141和突出部分142的侧部分。例如，第一电极131设置在基础部分141的上表面的一些部分——在这些部分上没有设置突出部分142——上，设置在突出部分142的侧表面上，以及设置在突出部分142的上表面的一部分上。并且，第一电极131沿着基础部分141和突出部分142的形状设置。然而，实施例不限于此，并且第一电极131可以仅设置在基础部分141的上表面和突出部分142的侧表面上。
第一电极131包括电连接至薄膜晶体管120的反射层131A、以及反射层131A上的透明导电层131B。
第一电极131的反射层131A设置在外涂层140上。因为根据本公开的第一示例性实施例的发光显示设备100是顶部发光型发光显示设备，所以反射层131A可以将从发光元件130发射的光向上反射。从发光元件130的发光层132生成的光不仅可能向上发射，还可能横向发射。横向发射的光可能被引导至发光显示设备100的内部，可能通过全反射被捕获在发光显示设备100的内部，并且可能在发光显示设备100的向内方向上行进和熄灭。因此，反射层131A设置在发光层132的下方并且设置为覆盖突出部分142的侧部分，由此，朝向发光层132的侧部分行进的光的行进方向可以改变为正面方向。
反射层131A可以由金属材料形成，并且例如可以由诸如铝(Al)、银(Ag)、铜(Cu)或镁-银合金(Mg:Ag)的金属材料形成，但是实施例不限于此。反射层131A可以通过形成在外涂层140中的接触孔电连接至漏电极124。并且，实施例不限于此，并且反射层131A可以通过形成在外涂层140中的接触孔电连接至源电极123。
透明导电层131B设置在反射层131A上。透明导电层131B设置在反射层131A上并通过反射层131A电连接至漏电极124。透明导电层131B可以由导电材料形成，该导电材料具有高功函数以向发光层132提供空穴。例如，透明导电层131B可以由诸如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锡锌氧化物(ITZO)、锌氧化物(ZnO)和锡氧化物(TO)的透明导电氧化物形成，但是实施例不限于此。
堤层114设置在第一电极131和外涂层140上。堤层114可以覆盖多个子像素SPX中的发光元件130的第一电极131的一部分，并且限定发光区域EA和非发光区域NEA。例如，在非发光区域NEA中，堤层114可以设置在第一电极131上，以阻挡非发光区域NEA中的光的生成。因为堤层114没有设置在发光区域EA中，所以发光层132可以直接位于第一电极131上，由此可以从发光层132生成光。
堤层114可以由有机材料或无机材料形成。例如，堤层114可以由诸如聚酰亚胺、丙烯酸或苯并环丁烯基树脂的有机材料形成，或者可以由诸如硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的无机材料形成，但是实施例不限于此。
发光层132被设置成与多个子像素SPX处的第一电极131接触。例如，发光层132可以设置在第一电极131上的发光区域EA处。例如，发光层132可以被设置成被堤层114包围。
发光层132是用于发射特定颜色的光的层，并且具有针对每个子像素SPX分开的结构。例如，设置在作为红色子像素的第一子像素SPX1中的发光层132是红色发光层，设置在作为绿色子像素的第二子像素SPX2中的发光层132是绿色发光层，并且设置在作为蓝色子像素的第三子像素SPX3中的发光层132是蓝色发光层。设置在第一子像素SPX1中的发光层132、设置在第二子像素SPX2中的发光层132和设置在第三子像素SPX3中的发光层132可以被单独设置。可以通过针对每个子像素SPX打开的掩模(例如精细金属掩模(FMM))而将每个发光层132图案沉积在每个发光区域EA中。发光层132还可以包括各种层，例如空穴传输层、空穴注入层、空穴阻挡层、电子注入层、电子阻挡层、电子传输层等。此外，发光层132可以是由有机材料形成的有机发光层，但是实施例不限于此。例如，发光层132可以由量子点发光层或微型LED形成。
第二电极133设置在子像素SPX中的发光层132和堤层114上。例如，第二电极133被设置成接触发光区域EA中的发光层132，并且可以沿着发光层132的形状设置。此外，第二电极133可以被设置成接触非发光区域NEA中的堤层114，并且可以沿着堤层114的形状设置。
第二电极133向发光层132提供电子。第二电极133可以由诸如银(Ag)、铜(Cu)和镁-银合金(Mg:Ag)的金属材料形成，但是实施例不限于此。当第二电极133由金属材料形成时，第二电极133具有非常低的折射率。例如，当银(Ag)被用作第二电极133时，第二电极133的折射率可以是约0.13。
因为根据本公开的第一示例性实施例的发光显示设备100是顶部发光型发光显示设备，所以该发光显示设备可以制造成使得实现微腔。例如，在根据本公开的第一示例性实施例的发光显示设备100中，可以通过调节反射层131A与第二电极133之间的距离来实现从发光层132发射的光的相长干涉，从而提高光效率。因此，在根据本公开的第一示例性实施例的发光显示设备100中，可以通过不同地配置每个子像素SPX的发光层132的厚度值来实现微腔。
参照图3A和图3B，封装部150设置在第二电极133上。封装部150设置在外涂层140和发光元件130上。封装部150可以阻挡氧气和水分从发光显示设备100的外部渗透到其内部。例如，当发光显示设备100暴露于水分或氧气时，可能出现发光区域减小的像素收缩现象，或者可能导致在发光区域中出现黑点的问题。因此，封装部150可以阻挡氧气和水分以保护发光显示设备100。
封装部150包括第一封装层151、第二封装层152和第三封装层153。
第一封装层151设置在第二电极133上，以抑制或防止水分或氧气的渗透。第一封装层151可以由诸如硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiNxOy)、铝氧化物(AlyOz)等的无机材料形成，但是实施例不限于此。第一封装层151可以由具有比第二封装层152的折射率大的折射率的材料形成。例如，当第一封装层151由硅氮化物(SiNx)或硅氮氧化物(SiNxOy)形成时，第一封装层151的折射率可以是约1.8。
第二封装层152设置在第一封装层151上，以使第一封装层151的表面平坦化。此外，第二封装层152可以覆盖在制造过程中可能出现的异物或颗粒。第二封装层152可以由有机材料例如硅碳氧化物(SiOxCz)、丙烯酸或环氧基树脂等形成，但是实施例不限于此。第二封装层152可以由具有比第一封装层151的折射率小的折射率的材料形成。例如，当第二封装层152是丙烯酸基树脂时，第二封装层152的折射率可以是约1.5至约1.6。
第三封装层153设置在第二封装层152上，并且与第一封装层151地，第三封装层153可以抑制水分或氧气的渗透。第三封装层153可以由诸如硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiNxOy)、硅氧化物(SiOx)、铝氧化物(AlyOz)等的无机材料形成，但是实施例不限于此。第三封装层153可以由与第一封装层151相同的材料或者与第一封装层151不同的材料形成。
在相关技术的发光显示设备中，从发光层发射的光中的在发光显示设备内部被捕获和损耗的光已经成为降低光效率的因素。例如，在从发光层发射的光中，出现由于全反射损耗或光学波导损耗而无法被提取到发光显示设备的外部的光，使得发光显示设备的光提取效率降低。例如，在相关技术的发光显示设备中，由于使用了形成在具有平坦上表面的外涂层上的第一电极，因此从发光层发射的光中以低发射角发射的光可能被捕获在发光显示设备中。
因此，根据本公开的第一示例性实施例的发光显示设备100可以通过具有突出部分142的外涂层140来提高发光元件130的光提取效率。例如，在根据本公开的第一示例性实施例的发光显示设备100中，外涂层140被配置成包括基础部分141和从基础部分141突出的突出部分142，并且发光元件130的第一电极131的反射层131A被设置成覆盖基础部分141以及覆盖突出部分142的至少侧表面。因此，从发光显示设备100的发光层132发射的光中以低发射角发射的第二光L2可以通过设置在突出部分142的侧部分上的反射层131A而在正面方向上被提取。例如，当第一电极如在相关技术的发光显示设备中那样被设置在具有平坦形状的外涂层上时，横向导向的光(例如以低发射角发射的光)没有在正面方向上行进，并且可能由于全反射损耗或光学波导损耗而没有被提取到发光显示设备的外部。然而，在根据本公开的第一示例性实施例的发光显示设备100中，与从发光层132在正向方向上发射的第一光L1一起，从发光层132以低发射角发射的第二光L2从设置在突出部分142的侧部分上的反射层131A反射并且可以在正面方向上被提取。因此，在根据本公开的第一示例性实施例的发光显示设备100中，设置在外涂层140的侧部分上的反射层131A用作侧镜，使得要在发光显示设备100内损耗的光可以在正面方向上被提取，从而提高光提取效率并且改进功耗。
从发光层132在正面方向上发射的第一光L1在具有电致发光(EL)谱并实现微腔的情况下被发射。另一方面，从发光层132以低发射角发射并从设置在突出部分142的侧部分上的反射层131A反射然后在正面方向上提取的第二光L2可以具有PL特性。由于通过第二光L2另外提取的光，导致从发光显示设备100向外发射的光在长波长区域中可比在短波长区域中具有更高的增加率。
在这种情况下，在作为红色子像素的第一子像素SPX1中，由于从红色子像素发射的红色光具有长波长，所以从第一子像素SPX1提取第一光L1和第二光L2可以由此进一步增强色域或颜色再现率。
此外，在作为绿色子像素的第二子像素SPX2中，由于第二光L2导致在长波长区域中提取的光的高增加率，可能导致色坐标的变化。然而，通常，由于用作发射绿光的发光层的材料的效率优于发射其他颜色光的发光层的材料的效率，所以可以将整个波长区域中的强度降低，以消除长波长区域中的光的增加量，从而防止色坐标的变化。
接下来，在作为蓝色子像素的第三子像素SPX3中，由于第二光L2导致在长波长区域中提取的光的增加率高，所以可能出现色坐标变化。此外，通常，用作发射蓝光的发光层的材料的效率比发射其他颜色光的发光层的材料的效率低很多。因此，在第三子像素SPX3中，在以与第二子像素SPX2相同的方式降低整个波长区域中的强度以消除长波长区域中光的增加量的情况下，通过实现微腔而提高的光效率再次降低，并且可能出现色坐标异常。
因此，在根据本公开的第一示例性实施例的发光显示设备100中，截止层180设置在多个子像素中作为蓝色子像素的第三子像素SPX3中的封装部150上，从而使可能由第二光L2导致在第三子像素SPX3中发生的色坐标变化最小化。
参照图3B，截止层180设置在封装部150上。截止层180被配置成透射蓝光并截止具有比蓝光波长更长的波长的光，从而用作抑制或防止色坐标变化的层。例如，截止层180可以是蓝色滤色器，该蓝色滤色器仅使蓝光通过，但是实施例不限于此。例如，截止层180可以是设置在封装部150的上表面上的蓝色滤色器。此外，截止层180可以设置在非发光区域NEA处。在图2和图3B中，截止层180被示为设置在非发光区域NEA的一部分处，但是实施例不限于此。截止层180可以设置在整个非发光区域NEA处。
在根据本公开的第一示例性实施例的发光显示设备100中，利用设置在非发光区域NEA处的截止层180，可以抑制通过非发光区域NEA发射的第二光L2所导致的色坐标变化，同时保持由发光区域EA中的微腔实现的高的光效率。如果截止层180设置在发光区域EA处，则通过发光区域EA发射的第一光L1的效率可能会因截止层180降低。例如，当截止层180是蓝色滤色器时，该蓝色滤色器可以在蓝光的主波长范围内例如在440nm至480nm的波长范围内具有小于约80％的透射率。因此，当截止层180设置在发光区域EA处时，第一光L1的基本发射效率降低，这可能在光效率方面成问题。因此，在根据本公开的第一示例性实施例的发光显示设备100中，截止层180设置在非发光区域NEA处，使得可以保持从发光区域EA发射的第一光L1的高的光效率。此外，从发光层132以低发射角发射并从设置在突出部分142的侧部分上的反射层131A反射然后通过非发光区域NEA在正面方向上提取的第二光L2通过截止层180，由此可以抑制或防止色坐标变化，并且可以改进色域或颜色再现率。截止层180可以是色坐标变化抑制或防止层或者是波长抑制或防止层，但是实施例不限于这些术语。
图4是根据本公开的第二示例性实施例的发光显示设备的截面图。图4的发光显示设备400在截止层480方面与图1至图3B的发光显示设备100不同，但是图4的发光显示设备400的其他配置基本上与图1至图3B的发光显示设备100的配置相同。因此，多余的描述将被省略或简短进行。
参照图4，截止层480设置在非发光区域NEA处。截止层480被配置成透射蓝光，并且可以是下述层：其截止具有比蓝光波长更长的波长的光，以抑制或防止色坐标变化。截止层480可以是色坐标变化抑制或防止层或者是波长抑制或防止层，但是实施例不限于这些术语。在图4中，截止层480被示为设置在非发光区域NEA的一部分处，但是实施例不限于此。截止层480可以设置在整个非发光区域NEA处。
截止层480包括第三封装层153、第一无机绝缘层481和第二无机绝缘层482。第三封装层153可以是下部无机绝缘层，并且第二无机绝缘层482可以是上部无机绝缘层。第一无机绝缘层481可以是中间无机绝缘层。第三封装层153可以是封装部150的最上面的无机绝缘层。换言之，可以利用封装部150的第三封装层153(例如，利用第三封装层153与堤层114交叠的部分)、以及另外形成在第三封装层153上的第一无机绝缘层481和第二无机绝缘层482来形成截止层480。
第一无机绝缘层481设置在封装部150上。第一无机绝缘层481设置在封装部150的第三封装层153上，以与第三封装层153接触。如图4所示，第一无机绝缘层481可以设置在非发光区域NEA的一部分处，但是实施例不限于此。第一无机绝缘层481可以设置在整个非发光区域NEA处。此外，第一无机绝缘层481可以设置成与堤层114的一部分交叠。第一无机绝缘层481可以由无机绝缘材料形成。第一无机绝缘层481可以由诸如硅氧化物(SiOx)的无机绝缘材料形成，但不限于此。第一无机绝缘层481可以由具有比第三封装层153的折射率低的折射率的材料形成。例如，当硅氧化物(SiOx)被用作第一无机绝缘层481时，第一无机绝缘层481的折射率可以是约1.4至约1.5。然而，本公开的实施例不限于此，并且只要第一无机绝缘层481的折射率小于第三封装层153的折射率，用于配置第一无机绝缘层481的材料就不必限于无机材料。
第二无机绝缘层482设置在第一无机绝缘层481上。第二无机绝缘层482被设置成具有与第一无机绝缘层481相同的尺寸，并且可以被设置在非发光区域NEA的一部分处。然而，本公开的实施例不限于此，并且第二无机绝缘层482可以设置在整个非发光区域NEA处。第二无机绝缘层482可以由具有与第三封装层153相同的折射率的材料形成。例如，第二无机绝缘层482可以由诸如硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)等的无机材料形成。当硅氮化物(SiNx)被设置为第三封装层153时，第二无机绝缘层482可以也由硅氮化物(SiNx)形成并且具有约1.8的折射率。然而，只要第二无机绝缘层482具有与第三封装层153相同的折射率，用于配置第二无机绝缘层482的材料就不必限于无机材料。
在根据本公开的第二示例性实施例的发光显示设备400中，利用设置在非发光区域NEA处的截止层480，可以抑制通过非发光区域NEA发射的光所导致的色坐标变化，同时保持由发光区域EA中的微腔实现的高的光效率。如果截止层480设置在发光区域EA处，则通过发光区域EA发射的光的效率可能会因截止层480降低。因此，在根据本公开的第二示例性实施例的发光显示设备400中，截止层480设置在非发光区域NEA处，使得可以保持从发光区域EA发射的光的高的光效率。此外，从发光层132以低发射角发射并从设置在突出部分142的侧部分上的反射层131A反射然后通过非发光区域NEA在正面方向上提取的光通过截止层180，并且因此，可以抑制或防止色坐标变化，并且可以改进色域或颜色再现率。
截止层480形成了下述界面：在该界面处，由于具有不同折射率的层的堆叠结构而出现了折射率的差异，并且截止层480可以通过由于上述界面处的反射而引起的相长干涉和相消干涉来调节具有特定波长的光的透射率。在这种情况下，当配置截止层480的第三封装层153、第一无机绝缘层481和第二无机绝缘层482的厚度较薄时，相长干涉和相消干涉针对每个波长而不同地出现，从而导致特定的波长区域中的透射率降低的光子带隙。因此，在根据本公开的第二示例性实施例的发光显示设备400中，通过调节第三封装层153与第二无机绝缘层482之间的第一无机绝缘层481的厚度，可以调节由于第三封装层153与第一无机绝缘层481之间的界面处以及第一无机绝缘层481与第二无机绝缘层482之间的界面处的反射而出现相长干涉和相消干涉的波长区域，并且例如，可以降低不同于蓝光波长的波长的光的透射率。将参照图9详细描述第三封装层153、第一无机绝缘层481和第二无机绝缘层482的厚度。
在图4中，封装部150的第三封装层153被描述为用作截止层480，但是实施例不限于此。截止层480可以与封装部150分开形成。例如，截止层480可以形成为具有如下结构：具有高折射率的无机绝缘层、具有低折射率的无机绝缘层和具有高折射率的无机绝缘层被堆叠在封装部150上。
图5是根据本公开的第三示例性实施例的发光显示设备的平面图。图6是沿着图5的线VI-VI’截取的发光显示设备的截面图。在图5和图6的发光显示设备500中，另外地设置了触摸部560，并且截止层580不同于图2和图3A和图3B的发光显示设备100的截止层，但是其他配置与图2和图3A和图3B的发光显示设备100的配置基本相同。因此，多余的描述将被省略或简短进行。在图5中，为了便于描述，仅示出了多个子像素SPX、触摸线564和第二无机绝缘层562。
参照图5和图6，触摸部560设置在封装部150上。触摸部560设置在包括发光元件130的显示区域A/A处，以感测触摸输入。触摸部560可以检测使用用户的手指或触摸笔的外部触摸的信息。触摸部560包括第一无机绝缘层561、第二无机绝缘层562、触摸线564和触摸电极565。
第一无机绝缘层561设置在封装部150上。第一无机绝缘层561设置在封装部150的第三封装层153上，以与第三封装层153接触。第一无机绝缘层561可以由无机材料形成。例如，第一无机绝缘层561可以由诸如硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)等的无机材料形成。例如，硅氮化物(SiNx)被用作第一无机绝缘层561，第一无机绝缘层561的折射率可以是约1.8。触摸线564设置在第一无机绝缘层561上。触摸线564设置在第一无机绝缘层561上的非发光区域NEA处。触摸线564可以在行方向上或列方向上设置。触摸线564提供用于驱动触摸部560的触摸驱动信号。此外，触摸线564可以将由触摸部560感测到的触摸信息传送至驱动器IC。
第二无机绝缘层562设置在触摸线564和第一无机绝缘层561上。第二无机绝缘层562可以设置在第一无机绝缘层561和触摸线564上，以使第一无机绝缘层561和触摸线564的上表面平坦化。第二无机绝缘层562可以防止被设置成与其相邻的触摸线564的短路。第二无机绝缘层562可以由与第一无机绝缘层561相同的材料形成。例如，第二无机绝缘层562可以由诸如硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)等的无机材料形成。例如，当硅氮化物(SiNx)被用作第二无机绝缘层562时，第二无机绝缘层562的折射率可以是约1.8。然而，只要第二无机绝缘层562具有与第一无机绝缘层561相同的折射率，用于配置第二无机绝缘层562的材料就不限于此。
触摸电极565设置在触摸线564和第二无机绝缘层562上。触摸电极565可以在行方向上和列方向上设置。例如，设置在行方向或列方向中的任何一个方向上的触摸电极565可以设置在触摸线564上。设置在行方向或列方向中的另一个方向上的触摸电极565可以设置在第二无机绝缘层562上。在列方向上设置的触摸电极565和在行方向上设置的触摸电极565可以通过桥电极彼此连接，并且具有网状结构。在图6中，触摸电极565被示为设置在发光区域EA中，但是触摸电极565可以不设置在发光区域EA中，并且实施例不限于此。
参照图6，截止层580设置在封装部150上。截止层580被配置成透射蓝光并截止具有比蓝光波长更长的波长的光，从而用作抑制色坐标变化的层。截止层580可以是色坐标变化抑制或防止层或者是波长抑制或防止层，但是实施例不限于这些术语。截止层580包括第三无机绝缘层583、以及作为触摸部560的部件的一部分的第一无机绝缘层561和第二无机绝缘层562。第一无机绝缘层561可以是下部无机绝缘层，并且第二无机绝缘层562可以是上部无机绝缘层。第三无机绝缘层583可以是中间无机绝缘层。第一无机绝缘层561可以是设置在封装部150的第三封装层153上的无机绝缘层。换言之，截止层580可以是利用触摸部560的第一无机绝缘层561和第二无机绝缘层562的与堤层114交叠的部分、以及另外形成在第一无机绝缘层561和第二无机绝缘层562之间并与堤层114交叠的第三无机绝缘层583形成的。
第一无机绝缘层561设置在封装部150的上表面上。第三无机绝缘层583设置在第一无机绝缘层561与第二无机绝缘层562之间。如图6所示，第三无机绝缘层583设置在非发光区域NEA处。此外，第三无机绝缘层583可以被设置成与堤层114的一部分交叠，并且可以被设置在触摸电极565与触摸线564之间。然而，本公开的实施例不限于此，并且第三无机绝缘层583可以被设置成延伸至触摸线564的下部分。
第三无机绝缘层583可以由具有比第一无机绝缘层561和第二无机绝缘层562的折射率更低的折射率的材料形成。例如，第三无机绝缘层583可以由诸如硅氧化物(SiOx)的无机绝缘材料形成，但不限于此。当第三无机绝缘层583由硅氧化物(SiOx)形成时，第三无机绝缘层583的折射率可以是约1.4至约1.5。然而，只要第三无机绝缘层583的折射率小于第一无机绝缘层561和第二无机绝缘层562的折射率，用于配置第三无机绝缘层583的材料就不必限于无机材料。
在根据本公开的第三示例性实施例的发光显示设备500中，利用处于非发光区域NEA的截止层580，可以抑制通过非发光区域NEA发射的光所导致的色坐标变化，同时保持由发光区域EA中的微腔实现的高的光效率。如果截止层580设置在发光区域EA处，则通过发光区域EA发射的光的效率可能会因截止层580降低。因此，在根据本公开的第三示例性实施例的发光显示设备500中，截止层580设置在非发光区域NEA处，使得可以保持从发光区域EA发射的光的高的光效率。此外，从发光层132以低发射角发射并从设置在突出部分142的侧部分上的反射层131A反射然后通过非发光区域NEA在正面方向上提取的光通过截止层580，使得可以抑制或防止色坐标变化，并且可以改进色域或颜色再现率。在这种情况下，截止层580形成了下述界面：在该界面处，由于具有不同折射率的层的堆叠结构而出现了折射率的差异，并且截止层580可以通过由于上述界面处的反射而引起的相长干涉和相消干涉来调节具有特定波长的光的透射率。因此，在根据本公开的第三示例性实施例的发光显示设备500中，通过调节第一无机绝缘层561与第二无机绝缘层562之间的第三无机绝缘层583的厚度，可以调节由于第一无机绝缘层561与第三无机绝缘层583之间的界面处以及第二无机绝缘层562与第三无机绝缘层583之间的界面处的反射而出现相长干涉和相消干涉的波长区域，并且例如，可以降低不同于蓝光波长的波长的光的透射率。
此外，在根据本公开的第三示例性实施例的发光显示设备500中，触摸部560和截止层580可以被一体地实现。例如，第一无机绝缘层561和第二无机绝缘层562可以作为触摸部560的部件，并且也可以作为截止层580的部件。因此，在根据本公开的第三示例性实施例的发光显示设备500中，可以使为另外形成截止层580所需的处理最小化或者减少该处理，并且也可以使制造时间和成本最小化或者减少制造时间和成本。
图7示出了根据本公开的比较示例和示例性实施例的光发射谱模拟结果。图7示出了根据比较示例1、比较示例2和本公开的示例性实施例1至6的蓝色子像素在各个波长处的亮度谱模拟结果。首先，比较示例1是具有一般结构的相关技术的发光显示设备，侧反射镜结构没用应用到该一般结构。比较示例2是如下发光显示设备：在比较示例1的结构中应用了侧反射镜结构，并且去除了根据本公开的第一示例性实施例的发光显示设备100的截止层180。示例性实施例1是根据本公开的第一示例性实施例的发光显示设备100。示例性实施例2是根据本公开的第二示例性实施例的发光显示设备400，在该发光显示设备400中，第三封装层153的厚度是200nm，第一无机绝缘层481的厚度是60nm，并且第二无机绝缘层482的厚度是200nm。示例性实施例3是根据本公开的第二示例性实施例的发光显示设备400，在该发光显示设备400中，第三封装层153的厚度是200nm，第一无机绝缘层481的厚度是80nm，并且第二无机绝缘层482的厚度是200nm。示例性实施例4是根据本公开的第二示例性实施例的发光显示设备400，在该发光显示设备400中，第三封装层153的厚度是200nm，第一无机绝缘层481的厚度是100nm，并且第二无机绝缘层482的厚度是200nm。示例性实施例5是根据本公开的第二示例性实施例的发光显示设备400，在该发光显示设备400中，第三封装层153的厚度是200nm，第一无机绝缘层481的厚度是120nm，并且第二无机绝缘层482的厚度是200nm。示例性实施例6是根据本公开的第二示例性实施例的发光显示设备400，在该发光显示设备400中，第三封装层153的厚度是200nm，第一无机绝缘层481的厚度是140nm，并且第二无机绝缘层482的厚度是200nm。当第一无机绝缘层481的厚度小于60nm时，光子带隙移动到极短波长，并且因此，蓝色效率本身可能显著降低，这是一个问题。当第一无机绝缘层481的厚度大于140nm时，光子带隙移动到极长波长，因此尽管蓝色效率没有降低，但是蓝色坐标可能过度扭曲。在本公开中，第一无机绝缘层481的厚度是60nm至140nm。此外，在图7中，模拟被应用于根据本公开的第二示例性实施例的发光显示设备400。然而，由于根据本公开的第三示例性实施例的发光显示设备500也通过与发光显示设备400的原理相同的原理驱动，所以图7的模拟结果也可以应用于发光显示设备500。图7中的亮度值是通过将比较示例1的峰值设定成1而获得的实验的结果。
参照图7，由于在比较示例2中添加了侧镜结构，因此可以确认，与比较示例1相比，在比较示例2中，中心波长处的峰值增加。然而，由于被侧镜结构反射的光具有PL分量，因此可以确认在具有比中心波长更长的波长的区域中，例如在具有约500nm的波长的区域中，亮度值增加。因此，在比较示例2中，正面亮度增加，但是可能导致蓝色子像素的色坐标的变化，这是有问题的。
同时，参照图7，由于侧镜结构被应用于本公开的所有示例性实施例1至6，因此可以确认，与比较示例1相比，中心波长处的峰值增加。此外，在本公开的所有示例性实施例1至6中，由于使用了截止层180和480，因此可以确认，在具有比中心波长更长的波长的区域中，例如在具有约500nm的波长的区域中，亮度值并未增加并且基本上与比较示例1的亮度值相同。因此，在本公开的示例性实施例1至6中，可以确认色坐标变化被最小化，同时提高了光提取效率。参照图8A和图8B提供了色坐标变化的更详细描述。
图8A和图8B是针对比较示例和本公开的示例性实施例的CIE坐标系。图8A和图8B中示出的比较示例1、比较示例2和本公开的示例性实施例1至6与图7中描述的比较示例1、比较示例2和本公开的示例性实施例1至6相同，并且图8A和图8B示出了这些比较示例和示例性实施例发射的光的蓝色坐标。比较示例3表示普通PL光的蓝色坐标。由于图8A是示出整个色坐标区域的曲线图，因此难以准确地对比较示例1至3与本公开的示例性实施例1至6进行比较。图8B是用于蓝色坐标的更清晰的比较的放大图。
在以下的表1中示出了比较示例1至3和本公开的示例性实施例1至6发射的光的蓝色坐标。
表1
CIEx CIEy
比较示例1 0.122 0.058
比较示例2 0.122 0.067
比较示例3 0.125 0.098
示例性实施例1 0.122 0.056
示例性实施例2 0.122 0.056
示例性实施例3 0.122 0.056
示例性实施例4 0.122 0.056
示例性实施例5 0.122 0.057
示例性实施例6 0.122 0.057
首先，参照表1，对比较示例1和比较示例3进行比较，具有PL特性的比较示例3与具有一般EL谱的比较示例1在CIEy坐标方面有显著不同。另外，对比较示例1和比较示例2进行比较，比较示例1和比较示例2在CIEy坐标上具有很大的差异，不同之处在于另外提取的光具有PL特性。因此，在比较示例2中，可以确认存在出现色坐标变化的问题。
然而，尽管侧镜结构被应用于本公开的所有示例性实施例1至6，但是由于截止层180和480被应用于本公开的所有示例性实施例1至6，所以在具有比中心波长更长的波长的区域中，例如在具有约500nm的波长的区域中，亮度的增加被最小化。因此，参照表1，本公开的示例性实施例1至6发射的光的蓝色坐标与比较示例1发射的光的蓝色坐标基本相同。因此，在本公开的示例性实施例1至6中，可以确认色坐标变化被最小化，同时提高了光提取效率。
图9示出了根据本公开的示例性实施例的取决于发光显示设备的截止层的厚度的透射率的模拟结果。图9所示的本公开的示例性实施例2至6与图7中描述的示例性实施例2至6相同。图9示出了针对本公开的示例性实施例2至6在各个波长处测量透射率的结果。在图9中，模拟被应用于根据本公开的第二示例性实施例的发光显示设备400。然而，由于根据本公开的第三示例性实施例的发光显示设备500也由与发光显示设备400的原理相同的原理驱动，所以图9的模拟结果也可以适当地应用于发光显示设备500。
如上所述，可以确认，在本公开的示例性实施例2至6中的所有示例性实施例中，色坐标变化被最小化，同时提高了光提取效率。然而，在550nm波长处的透射率的增加可能对蓝色坐标的CIEy色坐标的变化具有最大的影响。因此，在本公开的示例性实施例2至6中，在具有约500nm的波长的区域中表现出最低透射率的示例性实施例3和4对于色坐标变化可能是最有利的。因此，在根据本公开的第二示例性实施例的发光显示设备400中，第一无机绝缘层481的厚度可以是约80nm至100nm。
下面将描述根据本公开的一个或更多个实施例的发光显示设备。
根据本公开的实施例的发光显示设备包括：基板，其包括多个子像素；外涂层，其在基板上并具有基础部分和突出部分；第一电极，其被设置成在多个子像素处覆盖基础部分以及突出部分的侧部分；堤层，其覆盖外涂层和第一电极的一部分；发光层和第二电极，其两者在多个子像素处的第一电极和堤层上；以及截止层，其在第二电极上以与堤层交叠。
根据本公开的一些实施例，多个子像素可以包括：设置有堤层的非发光区域；以及被非发光区域包围的发光区域，其中，截止层可以设置在非发光区域处。
根据本公开的一些实施例，多个子像素可以包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，其中，截止层可以设置在蓝色子像素处。
根据本公开的一些实施例，截止层可以被配置成透射蓝光。
根据本公开的一些实施例，发光显示设备还可以包括在第二电极上的封装部，其中，截止层可以是封装部的上表面上的蓝色滤色器。
根据本公开的一些实施例，发光显示设备还可以包括在第二电极上并由无机材料形成的第一封装层、以及在第一封装层上并由有机材料形成的第二封装层。截止层可以包括：在第二封装层上并由无机材料形成的第三封装层的与堤层交叠的部分；在第三封装层上并与堤层交叠的第一无机绝缘层；以及在第一无机绝缘层上的第二无机绝缘层。第一封装层、第二封装层和第三封装层可以构成第二电极上的封装部。
根据本公开的一些实施例，第三封装层和第二无机绝缘层可以由相同的材料形成，并且第一无机绝缘层可以由具有比第三封装层和第二无机绝缘层的折射率更低的折射率的材料形成。
根据本公开的一些实施例，发光显示设备还可以包括第二电极上的封装部以及封装部上的触摸部，其中，触摸部可以包括封装部上的第一无机绝缘层、第一无机绝缘层上的第二无机绝缘层、以及第一无机绝缘层或第二无机绝缘层上的触摸线和触摸电极，其中，截止层可以是由第一无机绝缘层和第二无机绝缘层的与堤层交叠的部分、以及在第一无机绝缘层与第二无机绝缘层之间并与堤层交叠的第三无机绝缘层形成的。
根据本公开的一些实施例，第一无机绝缘层和第二无机绝缘层可以由硅氮化物(SiNx)或硅氮氧化物(SiNxOy)形成，并且第三无机绝缘层可以由硅氧化物(SiOX)形成。
根据本公开的一些实施例，发光层可以被单独设置在多个子像素中的每一个中，并且发光层的厚度可以被配置成在多个子像素中的每一个中实现微腔。
根据本公开的一些实施例，第一电极可以包括覆盖突出部分的侧部分的反射层。
此外，根据本公开的实施例，提供了下述配置：
(1)一种发光显示设备，包括：
基板，其包括多个子像素；
外涂层，其在所述基板上并具有基础部分和突出部分；
第一电极，其被设置成在所述多个子像素处覆盖所述基础部分、以及所述突出部分的侧部分；
堤层，其覆盖所述外涂层和所述第一电极的一部分；
发光层和第二电极，所述发光层和所述第二电极在所述多个子像素处的所述第一电极和所述堤层上；以及
截止层，其在所述第二电极上以与所述堤层交叠。
(2)根据上述(1)所述的发光显示设备，其中，所述多个子像素包括设置有所述堤层的非发光区域以及被所述非发光区域包围的发光区域，并且
其中，所述截止层设置在所述非发光区域处。
(3)根据上述(1)所述的发光显示设备，其中，所述多个子像素包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，并且
其中，所述截止层设置在所述蓝色子像素处。
(4)根据上述(3)所述的发光显示设备，其中，所述截止层被配置成透射蓝光。
(5)根据上述(1)所述的发光显示设备，还包括：
在所述第二电极上的封装部，
其中，所述截止层包括所述封装部的上表面上的蓝色滤色器。
(6)根据上述(1)所述的发光显示设备，还包括：
在所述第二电极上并由无机材料形成的第一封装层，以及
在所述第一封装层上并由有机材料形成的第二封装层，
其中，所述截止层包括：在所述第二封装层上并由无机材料形成的第三封装层的与所述堤层交叠的部分；在所述第三封装层上并与所述堤层交叠的第一无机绝缘层；以及在所述第一无机绝缘层上的第二无机绝缘层，
其中，所述第一封装层、所述第二封装层和所述第三封装层构成所述第二电极上的封装部。
(7)根据上述(6)所述的发光显示设备，其中，所述第三封装层和所述第二无机绝缘层由相同的材料形成，并且
所述第一无机绝缘层由具有比所述第三封装层或所述第二无机绝缘层的折射率更低的折射率的材料形成。
(8)根据上述(1)所述的发光显示设备，还包括：
封装部，其在所述第二电极上；以及
触摸部，其在所述封装部上，
其中，所述触摸部包括：
第一无机绝缘层，其在所述封装部上；
第二无机绝缘层，其在所述第一无机绝缘层上；以及
触摸线和触摸电极，所述触摸线和所述触摸电极在所述第一无机绝缘层或所述第二无机绝缘层上，并且
其中，所述截止层是利用所述第一无机绝缘层和所述第二无机绝缘层的与所述堤层交叠的部分以及在所述第一无机绝缘层与所述第二无机绝缘层之间并与所述堤层交叠的第三无机绝缘层形成的。
(9)根据上述(8)所述的发光显示设备，其中，所述第一无机绝缘层和所述第二无机绝缘层由硅氮化物(SiNx)或硅氮氧化物(SiNxOy)形成，并且
所述第三无机绝缘层由硅氧化物(SiOx)形成。
(10)根据上述(1)所述的发光显示设备，其中，所述发光层被单独设置在所述多个子像素中的每一个中，并且
所述发光层的厚度被配置成在所述多个子像素中的每一个中实现微腔。
(11)根据上述(1)所述的发光显示设备，其中，所述第一电极包括覆盖所述突出部分的侧部分的反射层。
(12)一种发光显示设备，包括：
基板，其包括具有发光区域和非发光区域的子像素；
外涂层，其具有从所述非发光区域突出的突出部分；
发光元件，其包括与所述突出部分接触的第一电极、在所述第一电极上的发光层、以及在所述发光层上的第二电极；
堤层，其覆盖所述突出部分和所述第一电极的一部分；以及
在所述发光元件上的所述非发光区域处的色坐标变化防止层，用于使从所述发光层发射的光中的、从与所述突出部分接触的所述第一电极反射和提取的光所导致的色坐标变化最小化。
(13)根据上述(12)所述的发光显示设备，其中，所述色坐标变化防止层被设置成与所述堤层交叠。
(14)根据上述(12)所述的发光显示设备，其中，所述子像素是蓝色子像素。
(15)根据上述(12)所述的发光显示设备，还包括：
在所述发光元件与所述色坐标变化防止层之间的封装部，
其中，所述色坐标变化防止层包括所述封装部的上表面上的蓝色滤色器。
(16)根据上述(12)所述的发光显示设备，其中，所述色坐标变化防止层包括三个无机绝缘层，并且
其中，在所述三个无机绝缘层中，第一无机绝缘层和第二无机绝缘层由相同的材料形成，并且在所述第一无机绝缘层和所述第二无机绝缘层之间的第三无机绝缘层由具有比所述第一无机绝缘层或所述第二无机绝缘层的折射率更低的折射率的材料形成。
(17)根据上述(16)所述的发光显示设备，还包括：
在所述发光元件上的封装部，
其中，所述第一无机绝缘层是所述封装部的最上面的无机绝缘层。
(18)根据上述(16)所述的发光显示设备，还包括：
在所述发光元件上的封装部，
其中，所述第一无机绝缘层设置在所述封装部的上表面上。
(19)根据上述(16)所述的发光显示设备，还包括：
封装部，其在所述发光元件上；以及
触摸部，其在所述封装部上，
其中，所述色坐标变化防止层与所述触摸部被一体地设置。
根据本公开的实施例的发光显示设备包括：基板，其包括具有发光区域和非发光区域的子像素；外涂层，其具有从非发光区域突出的突出部分；发光元件，其包括与突出部分接触的第一电极、在第一电极上的发光层、以及在发光层上的第二电极；堤层，其覆盖突出部分和第一电极的一部分；以及发光元件上的非发光区域处的色坐标变化防止层，用于使从发光层发射的光中的、从与突出部分接触的第一电极反射和提取的光所导致的色坐标变化最小化。
根据本公开的一些实施例，色坐标变化防止层可以被设置成与堤层交叠。
根据本公开的一些实施例，子像素可以是蓝色子像素。
根据本公开的一些实施例，发光显示设备还可以包括在发光元件与色坐标变化防止层之间的封装部，其中，色坐标变化防止层可以是在封装部的上表面上的蓝色滤色器。
根据本公开的一些实施例，色坐标变化防止层可以包括三个无机绝缘层，其中，在三个无机绝缘层中，第一无机绝缘层和第二无机绝缘层可以由相同的材料形成，并且第一无机绝缘层和第二无机绝缘层之间的第三无机绝缘层可以由具有比第一无机绝缘层和第二无机绝缘层的折射率更低的折射率的材料形成。
根据本公开的一些实施例，发光显示设备还可以包括发光元件上的封装部，其中，第一无机绝缘层可以是封装部的最上面的无机绝缘层。
根据本公开的一些实施例，发光显示设备还可以包括发光元件上的封装部，其中，第一无机绝缘层可以设置在封装部的上表面上。
根据本公开的一些实施例，发光显示设备还可以包括发光元件上的封装部和封装部上的触摸部，其中，色坐标变化防止层可以与触摸部一体地设置。
对于本领域技术人员来说将很明显的是，在不偏离本公开的技术构思或范围的情况下，可以对本公开进行各种修改和变化。因此，可以意旨本公开的实施例涵盖这些修改和变化，只要这些修改和变化落入所附权利要求及其等同物的范围内。

Claims (17)

1.一种发光显示设备，包括：
基板，其包括多个子像素；
外涂层，其在所述基板上并具有基础部分和突出部分；
第一电极，其被设置成在所述多个子像素处覆盖所述基础部分、以及所述突出部分的侧部分；
堤层，其覆盖所述外涂层和所述第一电极的一部分；
发光层和第二电极，所述发光层和所述第二电极在所述多个子像素处的所述第一电极和所述堤层上；以及
截止层，其仅在所述多个子像素中的蓝色子像素的非发光区域处设置在所述第二电极上以与所述堤层交叠，并且被配置成透射蓝光。
2.根据权利要求1所述的发光显示设备，其中，所述多个子像素各自包括设置有所述堤层的所述非发光区域以及被所述非发光区域包围的发光区域。
3.根据权利要求1所述的发光显示设备，其中，所述多个子像素包括红色子像素、绿色子像素和所述蓝色子像素。
4.根据权利要求1所述的发光显示设备，还包括：
在所述第二电极上的封装部，
其中，所述截止层包括所述封装部的上表面上的蓝色滤色器。
5.根据权利要求1所述的发光显示设备，还包括：
在所述第二电极上并由无机材料形成的第一封装层，以及
在所述第一封装层上并由有机材料形成的第二封装层，
其中，所述截止层包括：在所述第二封装层上并由无机材料形成的第三封装层的与所述堤层交叠的部分；在所述第三封装层上并与所述堤层交叠的第一无机绝缘层；以及在所述第一无机绝缘层上的第二无机绝缘层，
其中，所述第一封装层、所述第二封装层和所述第三封装层构成所述第二电极上的封装部。
6.根据权利要求5所述的发光显示设备，其中，所述第三封装层和所述第二无机绝缘层由相同的材料形成，并且
所述第一无机绝缘层由具有比所述第三封装层或所述第二无机绝缘层的折射率更低的折射率的材料形成。
7.根据权利要求1所述的发光显示设备，还包括：
封装部，其在所述第二电极上；以及
触摸部，其在所述封装部上，
其中，所述触摸部包括：
第一无机绝缘层，其在所述封装部上；
第二无机绝缘层，其在所述第一无机绝缘层上；以及
触摸线和触摸电极，所述触摸线和所述触摸电极在所述第一无机绝缘层或所述第二无机绝缘层上，并且
其中，所述截止层是利用所述第一无机绝缘层和所述第二无机绝缘层的与所述堤层交叠的部分以及在所述第一无机绝缘层与所述第二无机绝缘层之间并与所述堤层交叠的第三无机绝缘层形成的。
8.根据权利要求7所述的发光显示设备，其中，所述第一无机绝缘层和所述第二无机绝缘层由硅氮化物(SiNx)或硅氮氧化物(SiNxOy)形成，并且
所述第三无机绝缘层由硅氧化物(SiOx)形成。
9.根据权利要求1所述的发光显示设备，其中，所述发光层被单独设置在所述多个子像素中的每一个中，并且
所述发光层的厚度被配置成在所述多个子像素中的每一个中实现微腔。
10.根据权利要求1所述的发光显示设备，其中，所述第一电极包括覆盖所述突出部分的侧部分的反射层。
11.一种发光显示设备，包括：
基板，其包括各自具有发光区域和非发光区域的多个子像素；
外涂层，其具有从所述非发光区域突出的突出部分；
发光元件，其包括与所述突出部分接触的第一电极、在所述第一电极上的发光层、以及在所述发光层上的第二电极；
堤层，其覆盖所述突出部分和所述第一电极的一部分；以及
色坐标变化防止层，其仅设置在与所述多个子像素中的蓝色子像素对应的所述发光元件上的所述非发光区域处，用于使从所述发光层发射的光中的、从与所述突出部分接触的所述第一电极反射和提取的光所导致的色坐标变化最小化。
12.根据权利要求11所述的发光显示设备，其中，所述色坐标变化防止层被设置成与所述堤层交叠。
13.根据权利要求11所述的发光显示设备，还包括：
在所述发光元件与所述色坐标变化防止层之间的封装部，
其中，所述色坐标变化防止层包括所述封装部的上表面上的蓝色滤色器。
14.根据权利要求11所述的发光显示设备，其中，所述色坐标变化防止层包括三个无机绝缘层，并且
其中，在所述三个无机绝缘层中，第一无机绝缘层和第二无机绝缘层由相同的材料形成，并且在所述第一无机绝缘层和所述第二无机绝缘层之间的第三无机绝缘层由具有比所述第一无机绝缘层或所述第二无机绝缘层的折射率更低的折射率的材料形成。
15.根据权利要求14所述的发光显示设备，还包括：
在所述发光元件上的封装部，
其中，所述第一无机绝缘层是所述封装部的最上面的无机绝缘层。
16.根据权利要求14所述的发光显示设备，还包括：
在所述发光元件上的封装部，
其中，所述第一无机绝缘层设置在所述封装部的上表面上。
17.根据权利要求14所述的发光显示设备，还包括：
封装部，其在所述发光元件上；以及
触摸部，其在所述封装部上，
其中，所述色坐标变化防止层与所述触摸部被一体地设置。
CN202010587757.0A 2019-08-06 2020-06-24 发光显示设备 Active CN112349751B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202410340153.4A CN118119218A (zh) 2019-08-06 2020-06-24 发光显示设备
CN202410340303.1A CN118119219A (zh) 2019-08-06 2020-06-24 发光显示设备

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190095725A KR20210017056A (ko) 2019-08-06 2019-08-06 발광 표시 장치
KR10-2019-0095725 2019-08-06

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202410340153.4A Division CN118119218A (zh) 2019-08-06 2020-06-24 发光显示设备
CN202410340303.1A Division CN118119219A (zh) 2019-08-06 2020-06-24 发光显示设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112349751A CN112349751A (zh) 2021-02-09
CN112349751B true CN112349751B (zh) 2024-04-16

Family

ID=74357493

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202410340303.1A Pending CN118119219A (zh) 2019-08-06 2020-06-24 发光显示设备
CN202410340153.4A Pending CN118119218A (zh) 2019-08-06 2020-06-24 发光显示设备
CN202010587757.0A Active CN112349751B (zh) 2019-08-06 2020-06-24 发光显示设备

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202410340303.1A Pending CN118119219A (zh) 2019-08-06 2020-06-24 发光显示设备
CN202410340153.4A Pending CN118119218A (zh) 2019-08-06 2020-06-24 发光显示设备

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11877490B2 (zh)
KR (1) KR20210017056A (zh)
CN (3) CN118119219A (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111399701B (zh) * 2020-05-09 2024-04-02 上海天马微电子有限公司 触控模组、触控显示面板和触控显示装置
KR20220030361A (ko) * 2020-08-28 2022-03-11 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 이의 제조 방법
WO2024103410A1 (zh) * 2022-11-18 2024-05-23 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和显示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100029885A (ko) * 2008-09-09 2010-03-18 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN103681752A (zh) * 2012-09-11 2014-03-26 三星显示有限公司 有机发光显示装置
CN103985733A (zh) * 2013-02-12 2014-08-13 株式会社半导体能源研究所 发光装置
KR20170031613A (ko) * 2015-09-10 2017-03-21 삼성디스플레이 주식회사 색변환 패널 및 이를 포함하는 표시 장치

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101900954B1 (ko) 2012-01-19 2018-09-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조방법
KR20150102179A (ko) 2014-02-27 2015-09-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20170014755A (ko) * 2015-07-31 2017-02-08 삼성전자주식회사 디스플레이 패널 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR102441748B1 (ko) * 2017-04-03 2022-09-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US10678091B2 (en) * 2017-10-25 2020-06-09 Samsung Display Co., Ltd. Color conversion element and display device including the same
KR102485831B1 (ko) * 2017-11-10 2023-01-09 삼성디스플레이 주식회사 함질소 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR102418609B1 (ko) * 2017-11-16 2022-07-08 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR102523976B1 (ko) * 2017-11-21 2023-04-20 삼성전자주식회사 디스플레이 장치
CN108091677A (zh) * 2017-12-14 2018-05-29 合肥鑫晟光电科技有限公司 阵列基板、显示装置以及阵列基板的制造方法
KR102513910B1 (ko) * 2017-12-18 2023-03-23 엘지디스플레이 주식회사 전계발광 표시장치
CN110299383B (zh) * 2018-03-21 2024-01-19 三星显示有限公司 显示设备
CN109599420B (zh) * 2018-10-23 2021-02-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法
CN113284911B (zh) * 2019-04-30 2024-05-07 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100029885A (ko) * 2008-09-09 2010-03-18 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN103681752A (zh) * 2012-09-11 2014-03-26 三星显示有限公司 有机发光显示装置
CN103985733A (zh) * 2013-02-12 2014-08-13 株式会社半导体能源研究所 发光装置
KR20170031613A (ko) * 2015-09-10 2017-03-21 삼성디스플레이 주식회사 색변환 패널 및 이를 포함하는 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
CN118119219A (zh) 2024-05-31
US11877490B2 (en) 2024-01-16
CN112349751A (zh) 2021-02-09
CN118119218A (zh) 2024-05-31
KR20210017056A (ko) 2021-02-17
US20210043690A1 (en) 2021-02-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11031450B2 (en) Light emitting display apparatus for improving light extraction efficiency
CN112349751B (zh) 发光显示设备
KR102572407B1 (ko) 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치
KR20160130071A (ko) 유기 발광 표시 장치
US11165001B2 (en) Light emitting display apparatus
KR102645419B1 (ko) 발광 표시 장치
CN111987123B (zh) 发光显示设备
US11552270B2 (en) Light emitting display apparatus having improved light extraction and color gamut
KR20210010053A (ko) 발광 표시 장치
KR101957145B1 (ko) 유기발광소자표시장치 및 그 제조방법
CN110010642B (zh) 包括触摸传感器的有机发光显示装置
CN116096163A (zh) 显示装置
TWI811838B (zh) 發光顯示裝置
CN111969121B (zh) 发光显示装置
US20230120937A1 (en) Display device
KR20230099140A (ko) 표시 장치
KR20210012415A (ko) 발광 표시 장치
KR20200127762A (ko) 발광 표시 장치
KR20210130608A (ko) 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN116367603A (zh) 显示装置
CN117939946A (zh) 发光显示装置
KR20210026452A (ko) 발광 표시 장치
KR20200078091A (ko) 플렉서블 전계 발광 표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant