CN111965761B - 基于铌酸锂薄膜材料的光栅耦合器及其制造方法 - Google Patents
基于铌酸锂薄膜材料的光栅耦合器及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111965761B CN111965761B CN202010831570.0A CN202010831570A CN111965761B CN 111965761 B CN111965761 B CN 111965761B CN 202010831570 A CN202010831570 A CN 202010831570A CN 111965761 B CN111965761 B CN 111965761B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- lithium niobate
- grating
- layer
- coupling
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 79
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 57
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 48
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 48
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 48
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 28
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 23
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 35
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 20
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 16
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- -1 argon ions Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 claims description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract 1
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 2
- PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N (1s,3r,4e,6e,8e,10e,12e,14e,16e,18s,19r,20r,21s,25r,27r,30r,31r,33s,35r,37s,38r)-3-[(2r,3s,4s,5s,6r)-4-amino-3,5-dihydroxy-6-methyloxan-2-yl]oxy-19,25,27,30,31,33,35,37-octahydroxy-18,20,21-trimethyl-23-oxo-22,39-dioxabicyclo[33.3.1]nonatriaconta-4,6,8,10 Chemical compound C1C=C2C[C@@H](OS(O)(=O)=O)CC[C@]2(C)[C@@H]2[C@@H]1[C@@H]1CC[C@H]([C@H](C)CCCC(C)C)[C@@]1(C)CC2.O[C@H]1[C@@H](N)[C@H](O)[C@@H](C)O[C@H]1O[C@H]1/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/[C@H](C)[C@@H](O)[C@@H](C)[C@H](C)OC(=O)C[C@H](O)C[C@H](O)CC[C@@H](O)[C@H](O)C[C@H](O)C[C@](O)(C[C@H](O)[C@H]2C(O)=O)O[C@H]2C1 PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N 0.000 description 1
- QXHRQZNDMYRDPA-UHFFFAOYSA-N 3,4-dimethylpentan-2-one Chemical compound CC(C)C(C)C(C)=O QXHRQZNDMYRDPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/26—Optical coupling means
- G02B6/28—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals
- G02B6/293—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals with wavelength selective means
- G02B6/29304—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals with wavelength selective means operating by diffraction, e.g. grating
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/26—Optical coupling means
- G02B6/34—Optical coupling means utilising prism or grating
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B2006/12133—Functions
- G02B2006/12147—Coupler
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
一种基于铌酸锂薄膜材料的光栅耦合器及其制造方法，该光栅耦合器包括：基于铌酸锂薄膜材料的光栅耦合器，包括：绝缘体上铌酸锂光子芯片以及设置于其上方的光纤，该绝缘体上铌酸锂光子芯片由上而下依次包括：汇聚型光栅耦合机构、二氧化硅埋层和硅衬底。本装置耦合效率较高且具有较大的工作波长带宽，便于大规模集成和用于对铌酸锂光子集成芯片上的器件进行性能测试。
Description
技术领域
本发明涉及的是一种无源光子器件领域的技术，具体是一种基于铌酸锂薄膜材料、用于光纤直接与芯片进行垂直耦合的光栅耦合器及其制造方法。
背景技术
现有的光栅耦合器主要是基于硅基材料的，硅基光电子学已经发展很长时间，技术较为成熟，但受限于硅的材料特性，硅基光电子学存在一定的局限性，而铌酸锂与硅相比拥有许多材料方面的优势，例如高电光系数、高非线性系数、宽透明波长范围等。
为了对于铌酸锂基光子集成芯片片上器件进行测试，一个关键步骤是光信号的输入与输出。现有的光栅耦合器的特点和缺陷在于：制作工艺复杂，且多数是基于硅基材料，很少有基于X方向切割的铌酸锂材料的光栅耦合器。并且没有对光栅耦合器的刻蚀深度、氧化硅包层厚度等器件参数进行全面的优化，导致光栅耦合器的耦合效率较低。
发明内容
本发明针对现有技术缺少对于TE偏振模式的传输光的基于铌酸锂的光栅耦合器，提出一种基于铌酸锂薄膜材料的光栅耦合器及其制造方法，耦合效率较高且具有较大的工作波长带宽，便于大规模集成和用于对铌酸锂光子集成芯片上的器件进行性能测试。
本发明是通过以下技术方案实现的：
本发明涉及一种基于铌酸锂薄膜材料的光栅耦合器，包括：基于铌酸锂薄膜材料的光栅耦合器，包括：绝缘体上铌酸锂光子芯片以及设置于其上方的光纤，该绝缘体上铌酸锂光子芯片由上而下依次包括：汇聚型光栅耦合机构、二氧化硅埋层和硅衬底。
所述的汇聚型光栅耦合机构，包括：铌酸锂光波导、锥形耦合区域、铌酸锂耦合光栅以及在铌酸锂耦合光栅和铌酸锂光波导上用于提高耦合效率的二氧化硅覆层。
所述的光纤具体放置于二氧化硅埋层的上方2.554μm处且光纤与水平方向的夹角为8°，传输的光为TE偏振。
所述的铌酸锂耦合光栅的周期为1.00μm，占空比为0.60。
本发明涉及上述基于铌酸锂薄膜材料的光栅耦合器的制备方法，包括以下步骤：
步骤1)在硅衬底上依次制作二氧化硅埋层和顶部铌酸锂层，形成绝缘体上铌酸锂光子芯片；
所述的顶部铌酸锂层的厚度为600nm，二氧化硅埋层的厚度为4.7μm，硅衬底的厚度为500μm。
步骤2)利用等离子体增强气相沉积法沉积得到用于保护铌酸锂图案的二氧化硅掩膜层；
步骤3)依次涂设导电胶和光刻胶并通过电子束光刻制备出波导和耦合光栅的图案形状；
步骤4)通过反应离子刻蚀以及采用氩离子刻蚀铌酸锂，之后清除光刻胶，形成带有二氧化硅覆层的铌酸锂波导层和耦合光栅层。
所述的铌酸锂光波导的刻蚀深度为495.34nm，耦合光栅的刻蚀深度为495.34nm。
技术效果
本发明整体解决了现有技术无法在铌酸锂基的光子集成芯片上实现高效率的光信号的输入与输出。
与现有技术相比，本发明可以在保持较高耦合效率以及较大工作波长带宽的基础上，实现铌酸锂光波导与顶部入射的光纤之间光信号的耦合，可以降低对铌酸锂光子芯片端面的加工精度要求，同时由于光栅耦合是光纤从顶部入射，这样的耦合结构设计降低了在测试过程时的对光纤的对准要求。本发明能够实现亚微米量级的铌酸锂光子芯片片上TE模式光栅耦合器且具有较高的加工精度和可控性，制备出的光栅耦合器侧壁光滑度高、光学传输损耗低且对于TE模式偏振光的耦合效率较高。
附图说明
图1为本发明绝缘体上铌酸锂光子芯片示意图；
图2为实施例制备流程示意图；
图3为汇聚型光栅耦合机构示意图；
图中：硅衬底1、二氧化硅埋层2、顶部铌酸锂层3、二氧化硅掩模层4、光刻胶5、导电胶6、光纤7、铌酸锂光波导8、锥形耦合区域9、铌酸锂耦合光栅10。
具体实施方式
如图1所示，为本实施例涉及一种基于铌酸锂薄膜材料的光栅耦合器，包括：绝缘体上铌酸锂光子芯片以及设置于其上方的光纤7，该绝缘体上铌酸锂光子芯片由上而下依次包括：汇聚型光栅耦合机构、二氧化硅埋层2和硅衬底1，其中：硅衬底1的厚度为500μm，二氧化硅埋层2的厚度为4.7μm。
如图1和图3所示，所述的汇聚型光栅耦合机构，包括：铌酸锂光波导8、锥形耦合区域9、铌酸锂耦合光栅10以及在铌酸锂耦合光栅10和铌酸锂光波导8上用于提高耦合效率的二氧化硅覆层4。
所述的二氧化硅覆层4能够进一步提高以8°倾斜角放置的光纤7与铌酸锂光波导8的光耦合。
如图2所示，所述的铌酸锂光波导8和铌酸锂耦合光栅10的刻蚀深度均为495.34nm。
如图3所示，所述的铌酸锂耦合光栅10的宽度AB为9.90μm，用于连接耦合光栅和波导的锥形耦合区域9(即ABCD)的半径为22μm，锥形耦合区域9的宽度从光栅区域宽度AB的9.90μm线性变化至波导宽度CD的0.8μm，以将铌酸锂耦合光栅10的光耦合进铌酸锂光波导8。
所述的铌酸锂耦合光栅10由亚微米周期性结构组成，周期数为20，周期为1.00μm，占空比为0.60。
本实施例涉及上述铌酸锂光栅耦合器的制作方法，具体步骤如下：
步骤1：在硅衬底(图3中未示出)上依次制作二氧化硅埋层2和顶部铌酸锂层3，形成绝缘体上铌酸锂光子芯片。在铌酸锂薄膜表面用等离子体增强化学沉积法沉积约0.91μm厚的二氧化硅掩膜层4。
步骤2：电子束光刻：将400nm厚的光刻胶5旋转涂在用于增加刻蚀深度的二氧化硅掩膜层上，再在光刻胶5上进一步涂设用于传导电子束电子的导电胶6。在正常的曝光结束后，导电胶会溶于水中。随后用甲基异丁基(甲)酮显影75秒，用异丙醇定影60秒。
步骤3：反应离子刻蚀二氧化硅膜层4：用反应离子刻蚀机刻蚀二氧化硅掩模层，直到暴露在光刻胶下的二氧化硅掩膜被完全去除。
步骤4：Ar+刻蚀铌酸锂层3：用氩离子反应刻蚀铌酸锂层，控制刻蚀时间即可得到所设计的刻蚀深度，进而制备出光栅层与波导层。
步骤5：清洗残留层：使用有机去胶液去除残余的光刻胶，之后对芯片进行清洁。
在具体实验过程中，等离子体增强化学沉积法沉积的二氧化硅掩膜层的厚度为0.91μm，采用导电胶SX AR-PC 5000/90.2，高分辨率率电子束正胶AR-P 6200和氩离子反应刻蚀铌酸锂(刻蚀参数为氩气80sccm，六氟化硫气体8sccm，离子功率为600W，刻蚀时间为5分钟，刻蚀温度为10℃)。
经过具体实际实验，在室温环境下，用激光器通入1550nm波长的光信号，光栅耦合器的耦合效率为40％左右，通过经过进一步的优化参数与制造工艺，耦合效率可以达到60％以上。
与现有技术相比，本装置能够在铌酸锂光子集成芯片上实现较高的耦合效率，且制造工艺较为简洁。
上述具体实施可由本领域技术人员在不背离本发明原理和宗旨的前提下以不同的方式对其进行局部调整，本发明的保护范围以权利要求书为准且不由上述具体实施所限，在其范围内的各个实现方案均受本发明之约束。
Claims (6)
1.一种基于铌酸锂薄膜材料的光栅耦合器，其特征在于，包括：基于铌酸锂薄膜材料的光栅耦合器，包括：绝缘体上铌酸锂光子芯片以及设置于其上方的光纤，该绝缘体上铌酸锂光子芯片由上而下依次包括：汇聚型光栅耦合机构、二氧化硅埋层和硅衬底，所述的汇聚型光栅耦合机构，包括：铌酸锂光波导、锥形耦合区域、铌酸锂耦合光栅以及在铌酸锂耦合光栅和铌酸锂光波导上用于提高耦合效率的二氧化硅覆层。
2.根据权利要求1所述的基于铌酸锂薄膜材料的光栅耦合器，其特征是，所述的光纤具体放置于二氧化硅埋层的上方2.554μm处且光纤与水平方向的夹角为8°，传输的光为TE偏振。
3.根据权利要求2所述的基于铌酸锂薄膜材料的光栅耦合器，其特征是，所述的铌酸锂耦合光栅的周期为1.00μm，占空比为0.60。
4.一种制备上述任一权利要求所述基于铌酸锂薄膜材料的光栅耦合器的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1)在硅衬底上依次制作二氧化硅埋层和顶部铌酸锂层，形成绝缘体上铌酸锂光子芯片；
步骤2)利用等离子体增强气相沉积法沉积得到用于保护铌酸锂图案的二氧化硅掩膜层；
步骤3)依次涂设导电胶和光刻胶并通过电子束光刻制备出波导和耦合光栅的图案形状；
步骤4)通过反应离子刻蚀以及采用氩离子刻蚀铌酸锂，之后清除光刻胶，形成带有二氧化硅覆层的铌酸锂波导层和耦合光栅层。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征是，所述的顶部铌酸锂层的厚度为600nm，二氧化硅埋层的厚度为4.7μm，硅衬底的厚度为500μm。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征是，所述的铌酸锂光波导的刻蚀深度为495.34nm，耦合光栅的刻蚀深度为495.34nm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010831570.0A CN111965761B (zh) | 2020-08-18 | 2020-08-18 | 基于铌酸锂薄膜材料的光栅耦合器及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010831570.0A CN111965761B (zh) | 2020-08-18 | 2020-08-18 | 基于铌酸锂薄膜材料的光栅耦合器及其制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111965761A CN111965761A (zh) | 2020-11-20 |
| CN111965761B true CN111965761B (zh) | 2022-08-19 |
Family
ID=73388479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010831570.0A Active CN111965761B (zh) | 2020-08-18 | 2020-08-18 | 基于铌酸锂薄膜材料的光栅耦合器及其制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111965761B (zh) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020185954A1 (en) * | 2019-03-12 | 2020-09-17 | Magic Leap, Inc. | Waveguides with high index materials and methods of fabrication thereof |
| CN112526484B (zh) * | 2020-12-09 | 2024-04-30 | 联合微电子中心有限责任公司 | 硅光芯片及其形成方法、激光雷达*** |
| US11378743B1 (en) * | 2021-01-12 | 2022-07-05 | Globalfoundries U.S. Inc. | Optical components in the back-end-of-line stack of a photonics chip using plural cores vertically stacked |
| CN113534342B (zh) * | 2021-06-22 | 2024-03-15 | 北京工业大学 | 一种基于铌酸锂薄膜波导的高耦合效率分段均匀光栅耦合器 |
| CN113933941B (zh) * | 2021-10-25 | 2022-11-25 | 上海交通大学 | 一种基于二元闪耀亚波长光栅的、垂直耦合的光栅耦合器及制备方法 |
| CN114371531A (zh) * | 2022-01-30 | 2022-04-19 | 上海图灵智算量子科技有限公司 | 光学单元、器件、芯片及其制造方法 |
| CN114859440A (zh) * | 2022-04-02 | 2022-08-05 | 上海图灵智算量子科技有限公司 | 光传输单元以及包含其的波导及芯片 |
| CN116007605B (zh) * | 2023-03-30 | 2023-06-02 | 中国船舶集团有限公司第七〇七研究所 | 一种干涉式集成光学陀螺及其光纤耦合方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106154426A (zh) * | 2016-06-30 | 2016-11-23 | 派尼尔科技（天津）有限公司 | 一种用于铌酸锂薄膜波导的耦合方式及其实现方法 |
| CN109358394A (zh) * | 2018-10-23 | 2019-02-19 | 中山大学 | 一种基于中等折射率波导材料的高效率光栅耦合器及其制备方法 |
| CN111129920A (zh) * | 2019-12-30 | 2020-05-08 | 上海交通大学 | 基于掺铒铌酸锂薄膜的分布布拉格反射激光器的制备方法 |
| CN111505767A (zh) * | 2020-04-28 | 2020-08-07 | 上海交通大学 | 基于氧化硅掩膜的铌酸锂光子芯片制备方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7542639B2 (en) * | 2004-03-30 | 2009-06-02 | Ondax, Inc | Holographic pump coupler and laser grating reflector |
| KR20140063841A (ko) * | 2011-10-21 | 2014-05-27 | 휴렛-팩커드 디벨롭먼트 컴퍼니, 엘.피. | 깊은 홈을 갖는 불균일 격자를 구비한 격자 커플러 |
-
2020
- 2020-08-18 CN CN202010831570.0A patent/CN111965761B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106154426A (zh) * | 2016-06-30 | 2016-11-23 | 派尼尔科技（天津）有限公司 | 一种用于铌酸锂薄膜波导的耦合方式及其实现方法 |
| CN109358394A (zh) * | 2018-10-23 | 2019-02-19 | 中山大学 | 一种基于中等折射率波导材料的高效率光栅耦合器及其制备方法 |
| CN111129920A (zh) * | 2019-12-30 | 2020-05-08 | 上海交通大学 | 基于掺铒铌酸锂薄膜的分布布拉格反射激光器的制备方法 |
| CN111505767A (zh) * | 2020-04-28 | 2020-08-07 | 上海交通大学 | 基于氧化硅掩膜的铌酸锂光子芯片制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111965761A (zh) | 2020-11-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN111965761B (zh) | 基于铌酸锂薄膜材料的光栅耦合器及其制造方法 | |
| CN111505767B (zh) | 基于氧化硅掩膜的铌酸锂光子芯片制备方法 | |
| CN109358394A (zh) | 一种基于中等折射率波导材料的高效率光栅耦合器及其制备方法 | |
| CN110989076B (zh) | 一种薄膜铌酸锂单偏振波导及其制备方法 | |
| CN111665592B (zh) | 一种lnoi悬空模斑转换器及其工艺实现方法 | |
| CN110632702A (zh) | 一种lnoi基光波导反向楔形模斑耦合器及制备方法 | |
| CN104950478A (zh) | 一种基于有机聚合物材料的有源复合光波导及其制备方法 | |
| CN109324372B (zh) | 一种硅光波导端面耦合器 | |
| CN111129920B (zh) | 基于掺铒铌酸锂薄膜的分布布拉格反射激光器的制备方法 | |
| CN113933941B (zh) | 一种基于二元闪耀亚波长光栅的、垂直耦合的光栅耦合器及制备方法 | |
| CN106444095B (zh) | 一种具有损耗补偿功能的有机聚合物电光调制器及其制备方法 | |
| CN113933931A (zh) | 一种基于二氧化钒纳米线的环形腔光调制器 | |
| Wang et al. | A cost-effective edge coupler with high polarization selectivity for thin film lithium niobate modulators | |
| CN114578487A (zh) | 集成有底部反射层的、垂直耦合的二元闪耀亚波长光栅耦合器及制备方法 | |
| CN110727052A (zh) | 一种低损耗红外高非线性光波导制备方法 | |
| CN1746707A (zh) | 离子交换玻璃光波导器件的制作方法 | |
| CN111965756A (zh) | 一种基于硫化物-硅基光栅耦合器及其制备方法 | |
| CN106842422A (zh) | 一种三维垂直耦合光模式转换‑隔离复合器件 | |
| CN114355507B (zh) | 基于倒脊型二氧化硅/聚合物混合波导的微环谐振器及其制备方法 | |
| CN115774300A (zh) | 异质集成硅基薄膜铌酸锂调制器及其制造方法 | |
| CN112612078B (zh) | 一种基于goi或soi上的高效耦合波导及其制备方法 | |
| CN114815053A (zh) | 一种soi基锥形结构的边缘耦合器及其制备方法 | |
| CN112415790A (zh) | 一种全光纤电光器件及其构建方法 | |
| CN115980917A (zh) | 一种微米级铌酸锂脊型波导及制备方法 | |
| CN118244419B (zh) | 一种基于沉积硅的垂直耦合波导及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20221103 Address after: 201100 Room 110 and 111, Building 3, No. 600, Jianchuan Road, Minhang District, Shanghai Patentee after: Shanghai Jiaotong University Intellectual Property Management Co.,Ltd. Address before: 200240 No. 800, Dongchuan Road, Shanghai, Minhang District Patentee before: SHANGHAI JIAO TONG University |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20231106 Address after: 201210 3rd floor, building 1, No.400, Fangchun Road, China (Shanghai) pilot Free Trade Zone, Pudong New Area, Shanghai Patentee after: Shanghai Turing intelligent computing Quantum Technology Co.,Ltd. Address before: 201100 Room 110 and 111, Building 3, No. 600, Jianchuan Road, Minhang District, Shanghai Patentee before: Shanghai Jiaotong University Intellectual Property Management Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right |