CN111954925A - 电子装置的制造方法 - Google Patents

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CN111954925A
CN111954925A CN201980023429.3A CN201980023429A CN111954925A CN 111954925 A CN111954925 A CN 111954925A CN 201980023429 A CN201980023429 A CN 201980023429A CN 111954925 A CN111954925 A CN 111954925A
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CN
China
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adhesive
adhesive resin
mass
resin layer
adhesive film
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Pending
Application number
CN201980023429.3A
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English (en)
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五十岚康二
木下仁
栗原宏嘉
三浦彻
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Mitsui Chemicals Tohcello Inc
Original Assignee
Mitsui Chemicals Tohcello Inc
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Publication date
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Abstract

本发明的电子装置的制造方法至少具备下述工序:工序(1),准备结构体(100),所述结构体(100)具备粘着性膜(50)、电子部件(70)以及支撑基板(80),所述粘着性膜(50)具备:基材层(10),设置于基材层(10)的第1面(10A)侧且用于临时固定电子部件(70)的粘着性树脂层(A),以及设置于基材层(10)的第2面(10B)侧且粘着力因外部刺激而降低的粘着性树脂层(B),所述电子部件(70)粘贴于粘着性膜(50)的粘着性树脂层(A),所述支撑基板(80)粘贴于粘着性膜(50)的粘着性树脂层(B);工序(2),选自使粘着性膜(50)中的水分量降低的工序(2‑1)和使结构体(100)中的水分量降低的工序(2‑2)中的至少一种,以及工序(3),通过密封材(60)将电子部件(70)进行密封。

Description

电子装置的制造方法
技术领域
本发明涉及电子装置的制造方法。
背景技术
作为能够谋求电子装置(例如,半导体装置)的小型化、轻量化的技术,在开发扇出型WLP(晶片级封装)。
在作为扇出型WLP的制作方法之一的eWLB(嵌入式晶片级球栅阵列封装(EmbeddedWafer Level Ball Grid Array))中,采取了以下方法:将半导体芯片等多个电子部件以分隔开的状态临时固定在粘贴于支撑基板的粘着性膜上,通过密封材将多个电子部件一并密封。这里,对于粘着性膜,在密封工序等中需要使其粘附于电子部件和支撑基板,密封后需要将其与支撑基板一起从被密封的电子部件除去。
作为这样的扇出型WLP的制造方法的相关技术,可举出例如,专利文献1(日本特开2011-134811号)所记载的技术。
专利文献1中记载了一种半导体装置制造用耐热性粘着片,其特征在于,是在将无基板半导体芯片进行树脂密封时进行贴附来使用的半导体装置制造用耐热性粘着片,上述耐热性粘着片具有基材层和粘着剂层,该粘着剂层是贴合后的对于SUS304的粘着力为0.5N/20mm以上,因直至树脂密封工序结束时刻为止所受到的刺激而进行固化,对于封装的剥离力成为2.0N/20mm以下的层。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2011-134811号公报
发明内容
发明所要解决的课题
根据本发明人等的研究,明确了在粘着性膜上配置电子部件,通过密封材将电子部件密封时,有时电子部件的位置会错位(以下,也称为电子部件的位置错位。)。
本发明是鉴于上述情况而提出的,其提供能够抑制密封工序中的电子部件的位置错位的电子装置的制造方法。
用于解决课题的方法
本发明人等为了实现上述课题而反复深入研究。其结果发现:通过进行使粘着性膜中的水分量降低的工序或使包含粘着性膜的结构体中的水分量降低的工序,能够抑制密封工序中的电子部件的位置错位,由此完成了本发明。
根据本发明,提供以下所示的电子装置的制造方法。
[1]
一种电子装置的制造方法,其至少具备下述工序:
工序(1),准备结构体,所述结构体具备粘着性膜、电子部件和支撑基板,
所述粘着性膜具备:基材层,设置于上述基材层的第1面侧且用于临时固定电子部件的粘着性树脂层(A),以及设置于上述基材层的第2面侧且粘着力因外部刺激而降低的粘着性树脂层(B),
所述电子部件粘贴于上述粘着性膜的上述粘着性树脂层(A),
所述支撑基板粘贴于上述粘着性膜的上述粘着性树脂层(B);
工序(2),选自使上述粘着性膜中的水分量降低的工序(2-1)和使上述结构体中的水分量降低的工序(2-2)中的至少一种;以及
工序(3),通过密封材将上述电子部件密封。
[2]
根据上述[1]所述的电子装置的制造方法,
上述工序(2)包括使上述粘着性膜中的水分量降低的工序(2-1),
上述工序(2-1)在上述工序(1)之前进行。
[3]
根据上述[2]所述的电子装置的制造方法,
在上述工序(2-1)中,通过对上述粘着性膜进行加热和/或对上述粘着性膜进行减压,从而使上述粘着性膜中的水分量降低。
[4]
根据上述[1]所述的电子装置的制造方法,
上述工序(2)包括使上述结构体中的水分量降低的工序(2-2),
上述工序(2-2)在上述工序(1)与上述工序(3)之间进行。
[5]
根据上述[4]所述的电子装置的制造方法,
在上述工序(2-2)中,通过对上述结构体进行加热和/或对上述结构体进行减压,从而使上述结构体中的水分量降低。
[6]
根据上述[4]或[5]所述的电子装置的制造方法,
上述工序(2)在即将进行上述工序(3)之前进行。
[7]
根据上述[1]~[6]中任一项所述的电子装置的制造方法,
在上述工序(3)之后,进一步具备工序(4):通过给予外部刺激,使上述粘着性树脂层(B)的粘着力降低,从上述结构体剥离上述支撑基板。
[8]
根据上述[7]所述的电子装置的制造方法,
在上述工序(4)之后,进一步具备工序(5):从上述电子部件剥离上述粘着性膜。
[9]
根据上述[1]~[8]中任一项所述的电子装置的制造方法,
上述工序(2)与上述工序(3)的间隔为12小时以内。
[10]
根据上述[1]~[9]中任一项所述的电子装置的制造方法,
上述密封材为环氧树脂系密封材。
[11]
根据上述[1]~[10]中任一项所述的电子装置的制造方法,
上述粘着性树脂层(A)包含(甲基)丙烯酸系粘着性树脂。
发明的效果
根据本发明,能够提供能抑制密封工序中的电子部件的位置错位的电子装置的制造方法。
附图说明
上述目的以及其他目的、特征和优点通过以下所述的优选实施方式以及其附带的以下附图而进一步变得明确。
图1为示意性示出本发明涉及的实施方式的粘着性膜的结构的一例的截面图。
图2为示意性示出本发明涉及的实施方式的电子装置的制造方法的一例的截面图。
图3为示意性示出本发明涉及的实施方式的电子装置的制造方法的一例的截面图。
图4为示意性示出本发明涉及的实施方式的电子装置的制造方法的一例的截面图。
具体实施方式
以下,对于本发明的实施方式,使用附图进行说明。另外,在全部附图中,同样的构成要素附上共同的符号,适当省略说明。此外,图为概略图,与实际的尺寸比率并不一致。此外,数值范围的“A~B”只要没有特别规定,就表示A以上B以下。此外,在本实施方式中,所谓“(甲基)丙烯酸”,是指丙烯酸、甲基丙烯酸或者丙烯酸和甲基丙烯酸这两者。
1.电子装置的制造方法
首先,对于本实施方式涉及的电子装置的制造方法进行说明。图1为示意性示出本发明涉及的实施方式的粘着性膜50的结构的一例的截面图。
图2~4为示意性示出本发明涉及的实施方式的电子装置的制造方法的一例的截面图。
本实施方式涉及的电子装置的制造方法至少具备以下3个工序。
(1)准备结构体100的工序,所述结构体100具备粘着性膜50、电子部件70以及支撑基板80,所述粘着性膜50具备:基材层10,设置于基材层10的第1面10A侧且用于临时固定电子部件70的粘着性树脂层(A),以及设置于基材层10的第2面10B侧且粘着力因外部刺激而降低的粘着性树脂层(B),所述电子部件70粘贴于粘着性膜50的粘着性树脂层(A),所述支撑基板80粘贴于粘着性膜50的粘着性树脂层(B),
(2)选自使粘着性膜50中的水分量降低的工序(2-1)和使结构体100中的水分量降低的工序(2-2)中的至少一种的工序,
(3)通过密封材60将电子部件70密封的工序。
如上述那样,根据本发明人等的研究,明确了在粘着性膜上配置电子部件,通过密封材将电子部件密封时,有时电子部件的位置会错位(以下,也称为电子部件的位置错位。)。
本发明人等为了实现上述课题而反复深入研究。其结果认识到,在将电子部件密封的工序中,由于来源于粘着性膜所包含的水分的释气,特别是来源于粘贴于支撑基板侧的粘着性树脂层所包含的水分的释气,会发生电子部件的位置错位。
本发明人等基于上述认识,进一步反复研究。其结果首次发现:通过进行选自使粘着性膜50中的水分量降低的工序(2-1)和使结构体100中的水分量降低的工序(2-2)中的至少一种的工序(2),能够抑制密封工序中的电子部件的位置错位。
即,根据本实施方式涉及的电子装置的制造方法,通过进行选自使粘着性膜50中的水分量降低的工序(2-1)和使结构体100中的水分量降低的工序(2-2)中的至少一种的工序(2),从而在将电子部件密封的工序中,能够抑制来源于粘着性膜所包含的水分的释气,特别是来源于粘贴于支撑基板侧的粘着性树脂层所包含的水分的释气的发生,其结果是能够抑制密封工序中的电子部件的位置错位。
如上述那样,根据本实施方式涉及的电子装置的制造方法,能够抑制密封工序中的电子部件的位置错位。
以下,对于本实施方式涉及的电子装置的制造方法的各工序进行说明。
(工序(1))
在工序(1)中,准备结构体100,所述结构体100具备:粘着性膜50,粘贴于粘着性膜50的粘着性树脂层(A)的电子部件70,以及粘贴于粘着性膜50的粘着性树脂层(B)的支撑基板80。
这样的结构体100例如,能够利用以下步骤来制作。
首先,在支撑基板80上,以使粘着性树脂层(B)成为支撑基板80侧的方式贴附粘着性膜50。粘着性树脂层(B)上也可以粘贴有保护膜,剥离该保护膜,能够将粘着性树脂层(B)的露出面贴附于支撑基板80表面。
作为支撑基板80,能够使用例如,石英基板、玻璃基板、SUS基板等。
接着,通过在贴附于支撑基板80上的粘着性膜50的粘着性树脂层(A)上配置电子部件70,从而能够获得结构体100。
作为电子部件70,可举出例如,IC、LSI、分立器件(discrete)、发光二极管、受光元件等半导体芯片、半导体面板、半导体封装等。
(工序(2))
工序(2)包括选自使粘着性膜50中的水分量降低的工序(2-1)和使结构体100中的水分量降低的工序(2-2)中的至少一种工序。
工序(2-1)如图2所示那样,优选在工序(1)之前进行。即,优选在制作结构体100之前的阶段,使粘着性膜50中的水分量降低。通过这样操作,能够使处于切出成适当尺寸之前的阶段的、例如处于卷状态的粘着性膜50中的水分量降低,能够更有效率地降低结构体100中的水分量。
在工序(2-1)中,例如,通过对粘着性膜50进行加热和/或对粘着性膜50进行减压,从而能够使粘着性膜50中的水分量降低。
另一方面,工序(2-2)如图3所示那样,优选在工序(1)与工序(3)之间进行,更优选在即将进行工序(3)之前进行。通过在即将进行工序(3)之前进行工序(2-2),从而能够更进一步抑制密封工序中的电子部件的位置错位。
在工序(2-2)中,例如,通过对结构体100进行加热和/或对结构体100进行减压,从而能够使结构体100中的水分量降低。
在本实施方式涉及的电子装置的制造方法中,工序(2)与工序(3)的间隔优选为12小时以内,更优选为6小时以内,进一步优选为3小时以内,特别优选为1小时以内。通过这样操作,能够抑制在工序(2)与工序(3)之间,大气中的水分吸附于粘着性膜50、结构体100。由此,在将电子部件密封的工序中,能够更进一步抑制来源于粘着性膜50、结构体100所包含的水分的释气的发生,其结果是能够更进一步抑制密封工序中的电子部件的位置错位。
在工序(2)中,作为加热粘着性膜50或结构体100时的温度,只要是能够降低粘着性膜50或结构体100所包含的水分量,且不发生粘着性膜50或结构体100的劣化的温度,就没有特别限定,例如,优选为80℃以上180℃以下的范围内,更优选为100℃以上150℃以下的范围内。
关于加热粘着性膜50或结构体100的时间,只要是能够降低粘着性膜50或结构体100中的水分量,且不发生粘着性膜50或结构体100的劣化的加热时间,就没有特别限定,例如,为1分钟以上120分钟以下的范围内,优选为5分钟以上60分钟以下。
加热粘着性膜50或结构体100的方法没有特别限定,例如,能够使用烘箱、干燥器、加热辊、干燥炉等一般公知的加热处理方法。
在对粘着性膜50或结构体100进行减压的情况下,减压时的压力例如为100Pa以上10000Pa以下。
对粘着性膜50或结构体100进行减压的方法没有特别限定,例如,能够使用真空干燥机等一般公知的减压方法。
水分量如上述那样能够通过对粘着性膜50或结构体100进行加热或减压来调整,在超过125℃的温度进行加热时,为了防止电子部件70与粘着性膜50的剥离,优选使减压时的压力为500Pa以上。
粘着性膜50或结构体100中的水分量是否降低了,例如,能够利用热重量分析等公知的方法来判断。
(工序(3))
接着,通过密封材60将电子部件70密封。
通过密封材60来覆盖电子部件70,在例如150℃以下的温度使密封材60固化,将电子部件70密封。
此外,作为密封材60的形态,没有特别限定,例如为颗粒状、片状或液状。
作为密封材60,没有特别限定,能够使用例如,使用了环氧树脂的环氧树脂系密封材。
特别是,从密封材60对粘着性膜50的亲和性能变得更良好,能进一步均等地密封电子部件70的方面来看,优选为液状的环氧树脂系密封材。
作为这样的环氧树脂系密封材,能够使用例如,Nagase chemtex公司制的T693/R4000系列、T693/R1000系列、T693/R5000系列等。
作为密封方法,可举出例如,传递成型、注射成型、压缩成型、浇铸成型等。用密封材60将电子部件70密封后,通过在例如150℃以下的温度进行加热而使密封材60固化,可获得密封有电子部件70的结构体100。
(工序(4))
在本实施方式涉及的电子装置的制造方法中,如图4所示那样,可以在工序(3)之后,进一步具备:通过给予外部刺激,使粘着性树脂层(B)的粘着力降低,从结构体100剥离支撑基板80的工序(4)。
关于支撑基板80,例如,通过将电子部件70密封之后,加热至超过150℃的温度,使粘着性树脂层(B)的粘接力降低,从而能够从粘着性膜50容易地除去。
(工序(5))
在本实施方式涉及的电子装置的制造方法中,如图4所示那样,可以在工序(4)之后,进一步具备:从电子部件70剥离粘着性膜50,获得电子装置200的工序(5)。
作为从电子部件70剥离粘着性膜50的方法,可举出例如,机械地剥离的方法、使粘着性膜50表面的粘着力降低之后进行剥离的方法等。
(工序(6))
在本实施方式涉及的电子装置的制造方法中,如图4所示那样,可以进一步具备:在所得的电子装置200的露出面,形成配线层310和凸块320,获得电子装置300的工序(6)。
配线层310具备:形成于最外面的作为外部连接端子的衬垫(未图示)以及将露出的电子部件70与该衬垫进行电连接的配线(未图示)。配线层310能够通过以往公知的方法来形成,可以为多层结构。
而且,能够在配线层310的衬垫上形成凸块320,获得电子装置300。作为凸块320,可举出焊料凸块、金凸块等。焊料凸块例如能够通过在作为配线层310的外部连接端子的衬垫上配置焊球,进行加热而使焊料熔融(回流)来形成。金凸块能够通过球焊法、镀覆法、Au球转印法等方法来形成。
(工序(7))
在本实施方式涉及的电子装置的制造方法中,如图4所示那样,可以进一步具备:将电子装置300切割,获得多个电子装置400的工序(7)。
电子装置300的切割能够利用公知的方法来进行。
2.粘着性膜
以下,对于本实施方式涉及的粘着性膜50进行说明。
图1为示意性示出本发明涉及的实施方式的粘着性膜50的结构的一例的截面图。
如图1所示那样,本实施方式涉及的粘着性膜50具备:基材层10,设置于基材层10的第1面10A侧的粘着性树脂层(A),以及设置于基材层10的第2面10B侧且粘着力因外部刺激而降低的粘着性树脂层(B)。
关于本实施方式涉及的粘着性膜50整体的厚度,从机械特性与操作性的平衡的观点考虑,优选为10μm以上1000μm以下,更优选为20μm以上500μm以下。
接下来,对于构成本实施方式涉及的粘着性膜50的各层进行说明。
<基材层>
基材层10是出于使粘着性膜50的操作性、机械特性、耐热性等特性变得更良好的目的而设置的层。
基材层10没有特别限定,例如,可举出树脂膜。
作为构成上述树脂膜的树脂,能够使用公知的热塑性树脂。可举出例如,选自聚乙烯、聚丙烯、聚(4-甲基-1-戊烯)、聚(1-丁烯)等聚烯烃;聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯;尼龙-6、尼龙-66、聚己二酰间苯二甲胺等聚酰胺;聚丙烯酸酯;聚甲基丙烯酸酯;聚氯乙烯;聚偏二氯乙烯;聚酰亚胺;聚醚酰亚胺;乙烯-乙酸乙烯酯共聚物;聚丙烯腈;聚碳酸酯;聚苯乙烯;离子交联聚合物;聚砜;聚醚砜;聚苯醚等中的一种或两种以上。
这些之中,从透明性、机械强度、价格等的平衡优异的观点考虑,优选为选自聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰胺、聚酰亚胺中的一种或两种以上,更优选为选自聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯中的至少一种。
基材层10可以为单层,也可以为两种以上的层。
此外,作为为了形成基材层10而使用的树脂膜的形态,可以为拉伸膜,也可以为单轴方向或双轴方向拉伸的膜,从提高基材层10的机械强度的观点考虑,优选为单轴方向或双轴方向拉伸的膜。
关于基材层10的厚度,从获得良好的膜特性的观点考虑,优选为1μm以上500μm以下,更优选为5μm以上300μm以下,进一步优选为10μm以上250μm以下。
为了改良与其他层的粘接性,基材层10可以进行表面处理。具体而言,可以进行电晕处理、等离子体处理、底涂(undercoat)处理、下涂(primer coat)处理等。
<粘着性树脂层(A)>
粘着性树脂层(A)是设置于基材层10的一面侧的层,例如,是在电子装置的制造工序中通过密封材将电子部件密封时,与电子部件的表面接触而用于临时固定电子部件的层。
粘着性树脂层(A)包含粘着性树脂(A1)。
作为粘着性树脂(A1),可举出例如,(甲基)丙烯酸系粘着性树脂(a)、有机硅系粘着性树脂、氨基甲酸酯系粘着性树脂、烯烃系粘着性树脂、苯乙烯系粘着性树脂等。
这些之中,从使粘着力的调整变得容易的观点等考虑,优选为(甲基)丙烯酸系粘着性树脂(a)。
作为粘着性树脂层(A),也能够使用通过放射线使粘着力降低的放射线交联型粘着性树脂层。放射线交联型粘着性树脂层由于通过放射线的照射而交联,粘着力显著地减少,因此变得容易从电子部件剥离粘着性膜50。作为放射线,可举出紫外线、电子射线、红外线等。
作为放射线交联型粘着性树脂层,优选为紫外线交联型粘着性树脂层。
作为粘着性树脂层(A)所使用的(甲基)丙烯酸系粘着性树脂(a),可举出例如,包含(甲基)丙烯酸烷基酯单体单元(a1)和具有能与交联剂发生反应的官能团的单体单元(a2)的共聚物。
在本实施方式中,所谓(甲基)丙烯酸烷基酯,是指丙烯酸烷基酯、甲基丙烯酸烷基酯或它们的混合物。
关于本实施方式涉及的(甲基)丙烯酸系粘着性树脂(a),例如,能够通过将包含(甲基)丙烯酸烷基酯单体(a1)和具有能与交联剂发生反应的官能团的单体(a2)的单体混合物共聚来获得。
作为形成(甲基)丙烯酸烷基酯单体单元(a1)的单体(a1),可举出具有碳原子数1~12左右的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯。优选为具有碳原子数1~8的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯。具体而言,可举出丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸丁酯、丙烯酸-2-乙基己酯、甲基丙烯酸-2-乙基己酯等。它们可以单独使用,也可以使用2种以上。
在本实施方式涉及的(甲基)丙烯酸系粘着性树脂(a)中,在将(甲基)丙烯酸系粘着性树脂(a)中的全部单体单元的合计设为100质量%时,(甲基)丙烯酸烷基酯单体单元(a1)的含量优选为10质量%以上98.9质量%以下,更优选为50质量%以上97质量%以下,进一步优选为85质量%以上95质量%以下。
作为形成具有能与交联剂发生反应的官能团的单体(a2)的单体(a2),可举出丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、中康酸、柠康酸、富马酸、马来酸、衣康酸单烷基酯、中康酸单烷基酯、柠康酸单烷基酯、富马酸单烷基酯、马来酸单烷基酯、丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、丙烯酸-2-羟基乙酯、甲基丙烯酸-2-羟基乙酯、丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺、丙烯酸叔丁基氨基乙酯、甲基丙烯酸叔丁基氨基乙酯等。优选为丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸-2-羟基乙酯、甲基丙烯酸-2-羟基乙酯、丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺等。它们可以单独使用,也可以使用2种以上。
在本实施方式涉及的(甲基)丙烯酸系粘着性树脂(a)中,在将(甲基)丙烯酸系粘着性树脂(a)中的全部单体单元的合计设为100质量%时,单体单元(a2)的含量优选为1质量%以上40质量%以下,更优选为1质量%以上20质量%以下,进一步优选为1质量%以上10质量%以下。
在本实施方式涉及的(甲基)丙烯酸系粘着性树脂(a)中,除了单体单元(a1)、单体单元(a2)以外,可以进一步包含2官能性单体单元(a3)、具有作为表面活性剂的性质的特定的共聚单体(以下,称为聚合性表面活性剂)单元。
聚合性表面活性剂具有与单体(a1)、单体(a2)和单体(a3)共聚的性质,并且在进行乳液聚合的情况下,具有作为乳化剂的作用。
作为形成2官能性单体单元(a3)的单体(a3),可举出甲基丙烯酸烯丙酯、丙烯酸烯丙酯、二乙烯基苯、甲基丙烯酸乙烯酯、丙烯酸乙烯酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、四甘醇二(甲基)丙烯酸酯、例如两末端为二丙烯酸酯或二甲基丙烯酸酯且主链的结构为丙二醇型(例如,日本油脂(株)制,商品名;PDP-200、日本油脂(株)制PDP-400、日本油脂(株)制ADP-200、日本油脂(株)制ADP-400)、1,4-丁二醇型(例如,日本油脂(株)制,商品名;ADT-250、日本油脂(株)制ADT-850)和它们的混合型(例如,日本油脂(株)制,商品名:ADET-1800、日本油脂(株)制ADPT-4000)的单体等。
在本实施方式涉及的(甲基)丙烯酸系粘着性树脂(a)中,在将(甲基)丙烯酸系粘着性树脂(a)中的全部单体单元的合计设为100质量%时,单体单元(a3)的含量优选为0.1质量%以上30质量%以下,更优选为0.1质量%以上15质量%以下,进一步优选为0.1质量%以上20质量%以下,特别优选为0.1质量%以上5质量%以下。
作为聚合性表面活性剂的例子,可举出例如,在聚氧乙烯壬基苯基醚的苯环中导入有聚合性的1-丙烯基的物质(第一工业制药(株)制;商品名:Aqualon RN-10、AqualonRN-20、Aqualon RN-30、Aqualon RN-50等)、在聚氧乙烯壬基苯基醚的硫酸酯的铵盐的苯环中导入有聚合性的1-丙烯基的物质(第一工业制药(株)制;商品名:Aqualon HS-10、Aqualon HS-20、Aqualon HS-1025等)、以及分子内具有聚合性双键的磺基琥珀酸二酯系(花王(株)制;商品名:Latemul S-120A、Latemul S-180A等)等。
在本实施方式涉及的(甲基)丙烯酸系粘着性树脂(a)中,在将(甲基)丙烯酸系粘着性树脂(a)中的全部单体单元的合计设为100质量%时,聚合性表面活性剂的含量优选为0.1质量%以上30质量%以下,更优选为0.1质量%以上15质量%以下,进一步优选为0.1质量%以上20质量%以下,特别优选为0.1质量%以上5质量%以下。
本实施方式涉及的(甲基)丙烯酸系粘着性树脂(a)可以进一步根据需要,进一步含有由乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯等具有聚合性双键的单体形成的单体单元。
作为本实施方式涉及的(甲基)丙烯酸系粘着性树脂(a)的聚合反应机理,可举出自由基聚合、阴离子聚合、阳离子聚合等。如果考虑(甲基)丙烯酸系粘着性树脂(a)的制造成本、单体的官能团的影响和离子对于电子部件表面的影响等,则优选通过自由基聚合进行聚合。
作为通过自由基聚合反应进行聚合时的自由基聚合引发剂,可举出过氧化苯甲酰、二叔丁基过氧化物、二枯基过氧化物、3,3,5-三甲基己酰过氧化物、二-2-乙基己基过氧化二碳酸酯、过氧化甲基乙基酮、叔丁基过氧化邻苯二甲酸酯、叔丁基过氧化苯甲酸酯、二叔丁基过氧化乙酸酯、叔丁基过氧化异丁酸酯、叔丁基过氧化-2-己酸酯、叔丁基过氧化-2-乙基己酸酯、叔丁基过氧化-3,5,5-三甲基己酸酯、过氧化乙酰、过氧化异丁酰、过氧化辛酰、叔丁基过氧化物、二叔戊基过氧化物等有机过氧化物;过硫酸铵、过硫酸钾、过硫酸钠等无机过氧化物;2,2’-偶氮二异丁腈、2,2’-偶氮二-2-甲基丁腈、4,4’-偶氮二-4-氰基戊酸等偶氮化合物。
在通过乳液聚合法进行聚合的情况下,在这些自由基聚合引发剂中,优选为水溶性的过硫酸铵、过硫酸钾、过硫酸钠等无机过氧化物、同为水溶性的4,4’-偶氮二-4-氰基戊酸等分子内具有羧基的偶氮化合物。如果考虑离子对于电子部件表面的影响,则进一步优选为过硫酸铵、4,4’-偶氮二-4-氰基戊酸等分子内具有羧基的偶氮化合物,特别优选为4,4’-偶氮二-4-氰基戊酸等分子内具有羧基的偶氮化合物。
本实施方式涉及的粘着性树脂层(A)中,除了粘着性树脂(A1)以外,优选进一步包含1分子中具有2个以上交联性官能团的交联剂(A2)。
使1分子中具有2个以上交联性官能团的交联剂(A2)与粘着性树脂(A1)所具有的官能团反应,用于调整粘着力和凝聚力。
作为这样的交联剂(A2),可举出山梨糖醇聚缩水甘油基醚、聚甘油聚缩水甘油基醚、季戊四醇聚缩水甘油基醚、二甘油聚缩水甘油基醚、甘油聚缩水甘油基醚、新戊二醇二缩水甘油基醚、间苯二酚二缩水甘油基醚等环氧系化合物;四亚甲基二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、三羟甲基丙烷的甲苯二异氰酸酯3加成物、多异氰酸酯、二苯基甲烷二异氰酸酯、甲苯二异氰酸酯等异氰酸酯系化合物;三羟甲基丙烷-三-β-吖丙啶基丙酸酯、四羟甲基甲烷-三-β-吖丙啶基丙酸酯、N,N’-二苯基甲烷-4,4’-双(1-氮丙啶甲酰胺)、N,N’-六亚甲基-1,6-双(1-氮丙啶甲酰胺)、N,N’-甲苯-2,4-双(1-氮丙啶甲酰胺)、三羟甲基丙烷-三-β-(2-甲基氮丙啶)丙酸酯等氮丙啶系化合物;N,N,N’,N’-四缩水甘油基-间-苯二甲胺、1,3-双(N,N’-二缩水甘油基氨基甲基)环己烷等4官能性环氧系化合物;六甲氧基羟甲基三聚氰胺等三聚氰胺系化合物等。它们可以单独使用,也可以并用2种以上。
这些之中,优选包含选自环氧系化合物、异氰酸酯系化合物和氮丙啶系化合物中的一种或两种以上。
交联剂(A2)的含量通常优选为交联剂(A2)中的官能团数不多于粘着性树脂(A1)中的官能团数左右的范围。然而,在交联反应中新产生官能团的情况下、交联反应慢的情况下等,可以根据需要过量地含有。
关于粘着性树脂层(A)中的交联剂(A2)的含量,从提高粘着性树脂层(A)的耐热性与密合力的平衡的观点考虑,相对于粘着性树脂(A1)100质量份,优选为0.1质量份以上15质量份以下。
在将粘着性树脂层(A)的整体设为100质量%时,粘着性树脂层(A)中的粘着性树脂(A1)和交联剂(A2)的含量的合计优选为50质量%以上100质量%以下,更优选为70质量%以上100质量%以下,进一步优选为90质量%以上100质量%以下,特别优选为95质量%以上100质量%以下。由此,能够更进一步抑制从电子部件剥离粘着性膜时的电子部件侧的残胶。
粘着性树脂层(A)的厚度没有特别限制,例如,优选为1μm以上100μm以下,更优选为3μm以上50μm以下。
粘着性树脂层(A)例如,能够通过在基材层10上涂布粘着剂来形成。粘着剂可以溶解于溶剂作为涂布液来涂布,也可以作为水系乳液来涂布,也可以直接涂布液状的粘着剂。
其中,优选为水系乳液涂布液。作为水系乳液涂布液,可举出例如,使(甲基)丙烯酸系粘着性树脂(a)、有机硅系粘着性树脂、氨基甲酸酯系粘着性树脂、烯烃系粘着性树脂、苯乙烯系粘着性树脂等分散于水的涂布液。
也可以使用溶解于有机溶剂的粘着剂涂布液。有机溶剂没有特别限定,只要根据溶解性、干燥时间,从公知之中适当选择即可。作为有机溶剂,可以例示乙酸乙酯、乙酸甲酯等酯系;丙酮、MEK等酮系;苯、甲苯、乙苯等芳香族系;庚烷、己烷、环己烷等直链或环状脂肪族系;异丙醇、丁醇等醇系。作为有机溶剂,优选为乙酸乙酯、甲苯。这些溶剂可以单独使用1种,也可以将2种以上混合使用。
作为涂布粘着剂涂布液的方法,能够采用以往公知的涂布方法,例如,辊式涂布机法、逆转辊式涂布机法、凹版辊法、棒涂法、缺角轮涂布机法、模涂法等。涂布后的粘着剂的干燥条件没有特别限制,一般而言,优选在80~200℃的温度范围内,干燥10秒~10分钟。进一步优选在80~170℃,干燥15秒~5分钟。为了充分地促进交联剂与粘着剂的交联反应,可以在粘着剂涂布液的干燥结束之后,在40~80℃加热5~300小时左右。
此外,基材层10与粘着性树脂层(A)可以通过共挤出成型来形成,也可以将膜状的基材层10与膜状的粘着性树脂层(A)进行层压(层叠)来形成。
<粘着性树脂层(B)>
本实施方式涉及的粘着性膜50在基材层10的与第1面10A相反侧的第2面10B侧,具备粘着力因外部刺激而降低的粘着性树脂层(B)。
由此,通过给予外部刺激,能够从支撑基板80将粘着性膜50容易地剥离。
这里,作为粘着力因外部刺激而降低的粘着性树脂层(B),可举出例如,通过加热而粘着力降低的加热剥离型的粘着性树脂层、通过放射线而粘着力降低的放射线剥离型的粘着性树脂层等。这些之中,优选为通过加热而粘着力降低的加热剥离型的粘着性树脂层。
作为加热剥离型的粘着性树脂层,可举出例如,由包含气体产生成分的加热膨胀型粘着剂、包含能够膨胀而降低粘着力的热膨胀性微球的加热膨胀型粘着剂、粘接剂成分因热发生交联反应而降低粘接力的加热膨胀型粘着剂等构成的粘着性树脂层。
在本实施方式中,粘着性树脂层(B)所使用的加热膨胀型粘着剂为例如通过在超过150℃的温度进行加热,从而粘接力降低或丧失的粘着剂。例如,能够选择在150℃以下不剥离,在超过150℃的温度发生剥离的材料,优选具有在电子装置的制造工序中粘着性膜50不从支撑基板80剥离的程度的粘接力。
这里,关于通过在超过150℃的温度加热而粘接力降低或丧失,例如,能够如下评价:将粘着性树脂层(B)侧粘贴于不锈钢板,在140℃进行1小时的加热处理,接着在超过150℃的温度加热2分钟,通过此后测定的从不锈钢板的剥离强度来进行评价。关于在超过150℃的温度加热时的具体加热温度,设定为比产生气体的温度、热膨胀性微球发生热膨胀的温度高的温度,根据产生的气体、热膨胀性微球的种类来适当设定。在本实施方式中,所谓粘接力丧失,是指例如,在23℃,拉伸速度300mm/分钟的条件下测定得到的180°剥离强度小于0.5N/25mm的情况。
作为加热膨胀型粘着剂所使用的气体产生成分,能够使用例如,偶氮化合物、叠氮化合物、梅尔德拉姆酸衍生物等。此外,也能够使用碳酸铵、碳酸氢铵、碳酸氢钠、亚硝酸铵、氢氧化硼钠、各种叠氮类等无机系发泡剂、水;三氯单氟甲烷、二氯单氟甲烷等氯氟烷烃系化合物;偶氮二异丁腈、偶氮二甲酰胺、偶氮二甲酸钡等偶氮系化合物;对甲苯磺酰肼、二苯基砜-3,3’-二磺酰肼、4,4’-氧基双(苯磺酰肼)、烯丙基双(磺酰肼)等肼系化合物;对甲苯基磺酰氨基脲、4,4’-氧基双(苯磺酰氨基脲)等氨基脲系化合物;5-吗啉基-1,2,3,4-噻***等***系化合物;N,N’-二亚硝基五亚甲基四胺、N,N’-二甲基-N,N’-二亚硝基对苯二甲酰胺等N-亚硝基系化合物等有机系发泡剂等。气体产生成分可以添加至粘着性树脂(B1),也可以与粘着性树脂(B1)直接结合。
作为加热膨胀型粘着剂所使用的热膨胀性微球,能够使用例如,被微胶囊化的发泡剂。作为这样的热膨胀性微球,可举出例如,使异丁烷、丙烷、戊烷等通过加热而容易气化并膨胀的物质内包于具有弹性的壳内的微球等。作为构成上述壳的材料,可举出例如,偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯醇缩丁醛、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯腈、聚偏二氯乙烯、聚砜等。热膨胀性微球例如,能够通过凝聚(coacervation)法、界面聚合法等进行制造。
热膨胀性微球能够添加至粘着性树脂。
选自气体产生成分和热膨胀性微球中的至少一种的含量能够根据加热剥离型的粘着性树脂层(B)的膨胀倍率、粘接力的降低性等进行适当设定,没有特别限定,例如,相对于加热剥离型的粘着性树脂层(B)中的粘着性树脂(B1)100质量份,例如为1质量份以上150质量份以下,优选为10质量份以上130质量份以下,进一步优选为12质量份以上100质量份以下。
优选设计为使产生气体的温度、热膨胀性微球热发生膨胀的温度成为超过150℃的温度。
作为构成加热膨胀型粘着剂的粘着性树脂(B1),可举出例如,(甲基)丙烯酸系树脂(b)、氨基甲酸酯系树脂、有机硅系树脂、聚烯烃系树脂、聚酯系树脂、聚酰胺系树脂、氟系树脂、苯乙烯-二烯嵌段共聚物系树脂等。这些之中,优选为(甲基)丙烯酸系树脂(b)。
作为粘着性树脂层(B)所使用的(甲基)丙烯酸系粘着性树脂(b),可举出例如,包含(甲基)丙烯酸烷基酯单体单元(b1)和具有能与交联剂发生反应的官能团的单体单元(b2)的共聚物。
在本实施方式中,所谓(甲基)丙烯酸烷基酯,是指丙烯酸烷基酯、甲基丙烯酸烷基酯或它们的混合物。
本实施方式涉及的(甲基)丙烯酸系粘着性树脂(b)例如,能够通过将包含(甲基)丙烯酸烷基酯单体(b1)和具有能与交联剂发生反应的官能团的单体(b2)的单体混合物共聚来获得。
作为形成(甲基)丙烯酸烷基酯单体单元(b1)的单体(b1),可举出具有碳原子数1~12左右的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯。优选为具有碳原子数1~8的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯。具体而言,可举出丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸丁酯、丙烯酸-2-乙基己酯、甲基丙烯酸-2-乙基己酯等。它们可以单独使用,也可以使用2种以上。
在本实施方式涉及的(甲基)丙烯酸系粘着性树脂(b)中,在将(甲基)丙烯酸系粘着性树脂(b)中的全部单体单元的合计设为100质量%时,(甲基)丙烯酸烷基酯单体单元(b1)的含量优选为10质量%以上98.9质量%以下,更优选为50质量%以上97质量%以下,进一步优选为85质量%以上95质量%以下。
作为形成具有能与交联剂发生反应的官能团的单体(b2)的单体(b2),可举出丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、中康酸、柠康酸、富马酸、马来酸、衣康酸单烷基酯、中康酸单烷基酯、柠康酸单烷基酯、富马酸单烷基酯、马来酸单烷基酯、丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、丙烯酸-2-羟基乙酯、甲基丙烯酸-2-羟基乙酯、丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺、丙烯酸叔丁基氨基乙酯、甲基丙烯酸叔丁基氨基乙酯等。优选为丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸-2-羟基乙酯、甲基丙烯酸-2-羟基乙酯、丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺等。它们可以单独使用,也可以使用2种以上。
在本实施方式涉及的(甲基)丙烯酸系粘着性树脂(b)中,在将(甲基)丙烯酸系粘着性树脂(b)中的全部单体单元的合计设为100质量%时,单体单元(b2)的含量优选为1质量%以上40质量%以下,更优选为1质量%以上20质量%以下,进一步优选为1质量%以上10质量%以下。
本实施方式涉及的(甲基)丙烯酸系粘着性树脂(b)中,除了单体单元(b1)、单体单元(b2)以外,还可以进一步包含2官能性单体单元(b3)、具有作为表面活性剂的性质的特定的共聚单体(以下,称为聚合性表面活性剂)单元。
聚合性表面活性剂具有与单体(b1)、单体(b2)和单体(b3)共聚的性质,并且在进行乳液聚合的情况下,具有作为乳化剂的作用。
作为形成2官能性单体单元(b3)的单体(b3),可举出甲基丙烯酸烯丙酯、丙烯酸烯丙酯、二乙烯基苯、甲基丙烯酸乙烯酯、丙烯酸乙烯酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、四甘醇二(甲基)丙烯酸酯、例如两末端为二丙烯酸酯或二甲基丙烯酸酯且主链的结构为丙二醇型(例如,日本油脂(株)制,商品名;PDP-200、日本油脂(株)制PDP-400、日本油脂(株)制ADP-200、日本油脂(株)制ADP-400)、1,4-丁二醇型(例如,日本油脂(株)制,商品名;ADT-250、日本油脂(株)制ADT-850)和它们的混合型(例如,日本油脂(株)制,商品名:ADET-1800、日本油脂(株)制ADPT-4000)的单体等。
在本实施方式涉及的(甲基)丙烯酸系粘着性树脂(b)中,在将(甲基)丙烯酸系粘着性树脂(b)中的全部单体单元的合计设为100质量%时,单体单元(b3)的含量优选为0.1质量%以上30质量%以下,更优选为0.1质量%以上15质量%以下,进一步优选为0.1质量%以上20质量%以下,特别优选为0.1质量%以上5质量%以下。
作为聚合性表面活性剂的例子,可举出例如,在聚氧乙烯壬基苯基醚的苯环中导入有聚合性的1-丙烯基的物质(第一工业制药(株)制;商品名:Aqualon RN-10、AqualonRN-20、Aqualon RN-30、Aqualon RN-50等)、在聚氧乙烯壬基苯基醚的硫酸酯的铵盐的苯环中导入有聚合性的1-丙烯基的物质(第一工业制药(株)制;商品名:Aqualon HS-10、Aqualon HS-20、Aqualon HS-1025等)、以及分子内具有聚合性双键的磺基琥珀酸二酯系(花王(株)制;商品名:Latemul S-120A、Latemul S-180A等)等。
在本实施方式涉及的(甲基)丙烯酸系粘着性树脂(b)中,在将(甲基)丙烯酸系粘着性树脂(b)中的全部单体单元的合计设为100质量%时,聚合性表面活性剂的含量优选为0.1质量%以上30质量%以下,更优选为0.1质量%以上15质量%以下,进一步优选为0.1质量%以上20质量%以下,特别优选为0.1质量%以上5质量%以下。
本实施方式涉及的(甲基)丙烯酸系粘着性树脂(b)可以进一步根据需要,进一步含有由乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯等具有聚合性双键的单体形成的单体单元。
作为本实施方式涉及的(甲基)丙烯酸系粘着性树脂(b)的聚合反应机理,可举出自由基聚合、阴离子聚合、阳离子聚合等。如果考虑(甲基)丙烯酸系粘着性树脂(b)的制造成本、单体的官能团的影响和离子对于电子部件表面的影响等,则优选通过自由基聚合进行聚合。
作为通过自由基聚合反应进行聚合时的自由基聚合引发剂,可举出过氧化苯甲酰、二叔丁基过氧化物、二枯基过氧化物、3,3,5-三甲基己酰过氧化物、二-2-乙基己基过氧化二碳酸酯、过氧化甲基乙基酮、叔丁基过氧化邻苯二甲酸酯、叔丁基过氧化苯甲酸酯、二叔丁基过氧化乙酸酯、叔丁基过氧化异丁酸酯、叔丁基过氧化-2-己酸酯、叔丁基过氧化-2-乙基己酸酯、叔丁基过氧化-3,5,5-三甲基己酸酯、过氧化乙酰、过氧化异丁酰、过氧化辛酰、叔丁基过氧化物、二叔戊基过氧化物等有机过氧化物;过硫酸铵、过硫酸钾、过硫酸钠等无机过氧化物;2,2’-偶氮二异丁腈、2,2’-偶氮二-2-甲基丁腈、4,4’-偶氮二-4-氰基戊酸等偶氮化合物。
在通过乳液聚合法进行聚合的情况下,在这些自由基聚合引发剂中,优选为水溶性的过硫酸铵、过硫酸钾、过硫酸钠等无机过氧化物,同样为水溶性的4,4’-偶氮二-4-氰基戊酸等分子内具有羧基的偶氮化合物。如果考虑离子对于电子部件表面的影响,则进一步优选为过硫酸铵、4,4’-偶氮二-4-氰基戊酸等分子内具有羧基的偶氮化合物,特别优选为4,4’-偶氮二-4-氰基戊酸等分子内具有羧基的偶氮化合物。
本实施方式涉及的粘着性树脂层(B)中,从更进一步抑制密封工序中的电子部件的位置错位的观点考虑,除了粘着性树脂(B1)以外,优选进一步包含1分子中具有2个以上交联性官能团的交联剂(B2)。
使1分子中具有2个以上交联性官能团的交联剂(B2)与粘着性树脂(B1)所具有的官能团进行反应,用于调整粘着力和凝聚力。
作为这样的交联剂(B2),可举出山梨糖醇聚缩水甘油基醚、聚甘油聚缩水甘油基醚、季戊四醇聚缩水甘油基醚、二甘油聚缩水甘油基醚、甘油聚缩水甘油基醚、新戊二醇二缩水甘油基醚、间苯二酚二缩水甘油基醚等环氧系化合物;四亚甲基二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、三羟甲基丙烷的甲苯二异氰酸酯3加成物、多异氰酸酯、二苯基甲烷二异氰酸酯、甲苯二异氰酸酯等异氰酸酯系化合物;三羟甲基丙烷-三-β-吖丙啶基丙酸酯、四羟甲基甲烷-三-β-吖丙啶基丙酸酯、N,N’-二苯基甲烷-4,4’-双(1-氮丙啶甲酰胺)、N,N’-六亚甲基-1,6-双(1-氮丙啶甲酰胺)、N,N’-甲苯-2,4-双(1-氮丙啶甲酰胺)、三羟甲基丙烷-三-β-(2-甲基氮丙啶)丙酸酯等氮丙啶系化合物;N,N,N’,N’-四缩水甘油基-间-苯二甲胺、1,3-双(N,N’-二缩水甘油基氨基甲基)环己烷等4官能性环氧系化合物;六甲氧基羟甲基三聚氰胺等三聚氰胺系化合物等。它们可以单独使用,也可以并用2种以上。
这些之中,优选包含选自环氧系化合物、异氰酸酯系化合物和氮丙啶系化合物中的一种或两种以上。
交联剂(B2)的含量通常优选为交联剂(B2)中的官能团数不多于粘着性树脂(B1)中的官能团数左右的范围。然而,在交联反应中新产生官能团的情况下、交联反应慢的情况下等,可以根据需要过量地含有。
关于粘着性树脂层(B)中的交联剂(B2)的含量,从更进一步抑制密封工序中的电子部件的位置错位的观点考虑,相对于粘着性树脂(B1)100质量份,优选为0.1质量份以上10质量份以下,更优选为0.5质量份以上5质量份以下。
在将粘着性树脂层(B)的整体设为100质量%时,粘着性树脂层(B)中的粘着性树脂(B1)和交联剂(B2)的含量的合计优选为50质量%以上100质量%以下,更优选为70质量%以上100质量%以下,进一步优选为90质量%以上100质量%以下,特别优选为95质量%以上100质量%以下。由此,能够更进一步抑制密封工序中的电子部件的位置错位。
在将粘着性树脂层(B)的整体设为100质量%时,粘着性树脂层(B)中的粘着性树脂(B1)、交联剂(B2)以及选自气体产生成分和热膨胀性微球中的至少一种的含量的合计优选为50质量%以上100质量%以下,更优选为70质量%以上100质量%以下,进一步优选为90质量%以上100质量%以下,特别优选为95质量%以上100质量%以下。
此外,在本实施方式涉及的粘着性膜50中,从通过给予外部刺激以使粘着性树脂层(B)的粘着力降低,从粘着性树脂层(B)剥离支撑基板时,将电子部件稳定地保持于粘着性树脂层(A)上的观点考虑,在将粘着性树脂层(A)的整体设为100质量%时,粘着性树脂层(A)中的选自气体产生成分和热膨胀性微球中的至少一种的含量优选为0.1质量%以下,更优选为0.05质量%以下,进一步优选为0.01质量%以下,特别优选在粘着性树脂层(A)中不含选自气体产生成分和热膨胀性微球中的至少一种。
本实施方式涉及的粘着性树脂层(B)中,从提高对于支撑基板的密合性的观点考虑,除了粘着性树脂(B1)以外,优选包含增粘树脂。粘着性树脂层(B)中含有增粘树脂,由此在常温附近与支撑基板的密合性的调整变得容易,因此优选。作为增粘树脂,优选其软化点为100℃以上的增粘树脂。作为增粘树脂的具体例,可举出进行了酯化等处理的松香系衍生物等松香系树脂;α-蒎烯系、β-蒎烯系、二戊烯系、萜酚系等萜系树脂;橡胶系、木材系、妥尔油系等天然系松香;对于这些天然系松香进行了氢化、歧化、聚合、马来酸(Maleic)化;石油树脂;香豆酮-茚树脂等。
其中,更优选软化点在100~160℃的范围内的增粘树脂,特别优选为120~150℃的范围的增粘树脂。如果使用软化点在上述范围内的增粘树脂,则不仅对于支撑基板的污染、残胶少,而且能够进一步提高与操作环境下的支撑基板的密合性。进一步,如果使用聚合松香酯系的增粘树脂作为增粘树脂,则不仅对于支撑基板的污染、残胶少,而且与80~130℃的环境下的支撑基板的粘着性提高,并且热膨胀性微球的膨胀后,能够更容易地从支撑基板剥离。
关于增粘树脂的配合比例,只要以能够将粘着性树脂层(B)的弹性模量调整为所期望的预定的数值范围内的方式进行适当选择即可,没有特别限制。然而,从粘着性树脂层(B)的弹性模量和初始剥离力方面考虑,优选相对于粘着性树脂(B1)100质量份为1~100质量份。如果增粘树脂的配合比例相对于粘着性树脂(B1)100质量份为上述下限值以上,则存在与操作时的支撑基板的密合性变得良好的倾向。另一方面,如果为上述上限值以下,则存在与常温下的支撑基板的粘贴性变得良好的倾向。从与支撑基板的密合性和常温下的粘贴性方面考虑,进一步优选使增粘树脂的配合比例相对于粘着性树脂(B1)100质量份为2~50质量份。此外,增粘树脂的酸值优选为30以下。如果增粘树脂的酸值为上述上限值以下,则存在剥离时支撑基板难以发生残胶的倾向。
粘着性树脂层(B)的厚度没有特别限制,例如,优选为5μm以上300μm以下,更优选为20μm以上150μm以下。
粘着性树脂层(B)例如,能够通过在基材层10上涂布粘着剂涂布液的方法、将形成于隔板上的粘着性树脂层(B)转贴至基材10上的方法等来形成。
作为涂布粘着剂涂布液的方法,能够采用以往公知的涂布方法,例如,辊式涂布机法、逆转辊式涂布机法、凹版辊法、棒涂法、缺角轮涂布机法、模涂法等。涂布后的粘着剂的干燥条件没有特别限制,一般而言,优选在80~200℃的温度范围内,干燥10秒~10分钟。进一步优选在80~170℃,干燥15秒~5分钟。为了充分地促进交联剂与粘着剂的交联反应,可以在粘着剂涂布液的干燥结束之后,在40~80℃加热5~300小时左右。
此外,基材层10与粘着性树脂层(B)可以通过共挤出成型来形成,也可以将膜状的基材层10与膜状的粘着性树脂层(B)进行层压(层叠)来形成。
<其他层>
本实施方式涉及的粘着性膜50中,在不损害本实施方式的效果的范围内,可以在基材层10与粘着性树脂层(A)之间或基材层10与粘着性树脂层(B)之间,进一步设置例如凹凸吸收层、冲击吸收层、易粘接层等。
关于凹凸吸收层,优选通过利用ASTM D-2240的D型肖氏硬度计得到的肖氏D型硬度为例如50以下,优选为40以下的天然橡胶、合成橡胶,或具有橡胶弹性的合成树脂来形成。凹凸吸收层的厚度例如为500μm以下,优选为5~300μm,更优选为10~150μm。
作为合成橡胶或合成树脂,可举出例如腈系、二烯系、丙烯酸系等的合成橡胶、聚烯烃系、聚酯系等的热塑性弹性体、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚氨酯、聚丁二烯、软质聚氯乙烯等具有橡胶弹性的合成树脂。另外,即使是如聚氯乙烯那样本质上是硬质系聚合物,通过与增塑剂、柔软剂等配合剂组合而赋予了橡胶弹性的物质也能够在本实施方式中使用。此外上述粘着性树脂层(A)、粘着性树脂层(B)所例示的粘着性树脂等也能够优选用于凹凸吸收层的形成。
以上,对于本发明的实施方式进行了描述,但是它们是本发明的例示,也能够采用上述以外的各种构成。
另外,本发明并不限定于上述实施方式,能够实现本发明的目的的范围内的变形、改良等也包含在本发明中。
实施例
以下,通过实施例来具体地说明本发明,但本发明并不限定于此。
粘着性膜的制作所使用的材料的详细情况如下所述。
<粘着性树脂溶液SA1>
在进行了去离子的纯水中,分别投入作为聚合引发剂的4,4’-偶氮二-4-氰基戊酸(大塚化学(株)制,商品名:ACVA)0.5质量份,作为单体(a1)的丙烯酸正丁酯74.3质量份以及甲基丙烯酸甲酯13.7质量份,作为单体(a2)的甲基丙烯酸-2-羟基乙酯9质量份,作为聚合性表面活性剂的在聚氧乙烯壬基苯基醚的硫酸酯的铵盐的苯环中导入有聚合性的1-丙烯基的物质(第一工业制药(株)制;商品名:Aqualon HS-1025)3质量份,在搅拌下,在70~72℃,实施8小时乳液聚合,获得了丙烯酸系树脂乳液。将其用氨水进行中和(pH=7.0),获得了固体成分浓度42.5%的粘着性树脂溶液SA1。
<粘着性树脂溶液SA2>
在进行了去离子的纯水中,分别投入作为聚合引发剂的过硫酸铵0.5质量份,作为单体(a1)的丙烯酸-2-乙基己酯63质量份,丙烯酸正丁酯21质量份以及甲基丙烯酸甲酯9质量份,作为单体(a2)的甲基丙烯酸-2-羟基乙酯3质量份,作为单体(a3)的聚丁二醇二丙烯酸酯(日本油脂(株)制,商品名;ADT-250)1质量份,作为聚合性表面活性剂的在聚氧乙烯壬基苯基醚的硫酸酯的铵盐的苯环中导入有聚合性的1-丙烯基的物质(第一工业制药(株)制;商品名:Aqualon HS-1025)2质量份,在搅拌下,在70~72℃,实施8小时乳液聚合,获得了丙烯酸系树脂乳液。将其用氨水进行中和(pH=7.0),获得了固体成分浓度56.5%的粘着性树脂溶液SA2。
<粘着剂涂布液A1>
将57.4质量份的粘着性树脂溶液SA1,42.6质量份的粘着性树脂溶液SA2,0.4质量份的二甲基乙醇胺,3.4质量份的作为交联剂的环氧系化合物(Nagase chemtex公司制,Ex-1610)分别混合,获得了粘着剂涂布液A1。
<粘着性树脂溶液SB1>
在包含乙酸乙酯和甲苯的混合溶剂中,分别投入作为聚合引发剂的叔丁基过氧化-2-乙基己酸酯(日本油脂公司制,商品名:Perbutyl O(注册商标))0.536质量份,作为单体(b1)的丙烯酸2-乙基己酯34.9重量份、丙烯酸正丁酯41质量份以及丙烯酸乙酯14.7质量份,作为单体(b2)的甲基丙烯酸-2-羟基乙酯9.4质量份,在搅拌下,在83~87℃,实施11小时溶液聚合,获得了固体成分浓度45质量%的丙烯酸系树脂溶液。将其设为粘着性树脂溶液SB1。
<粘着剂涂布液B1>
将100质量份的粘着性树脂溶液SB1,异氰酸酯系交联剂(三井化学(株)制,商品名:OlesterP49-75S)0.9质量份(相对于粘着性树脂100质量份为2质量份)分别混合,利用乙酸乙酯将固体成分浓度调整为40%,获得了粘着剂涂布液B1。
<粘着剂涂布液B2>
将100质量份的粘着性树脂溶液SB1,聚合松香酯系增粘剂(荒川化学工业(株)制,商品名:Pencel D-125)2.25重量份(相对于粘着性树脂100质量份为5质量份),异氰酸酯系交联剂(三井化学(株)制,商品名:OlesterP49-75S)1.2质量份(相对于粘着性树脂100质量份为2质量份),热膨胀性微球(积水化学工业(株)制,商品名:Advancell EM-503)6.75质量份(相对于粘着性树脂100质量份为15质量份)分别混合,利用乙酸乙酯将固体成分浓度调整为30%,调制出粘着剂涂布液B2。
[实施例1]
在作为基材层的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜(厚度38μm)上,涂布粘着剂涂布液A1之后,使其干燥,形成厚度10μm的粘着性树脂层(A)。接着,在PET膜的与粘着性树脂层(A)相反侧的表面涂布粘着剂涂布液B1,使其干燥,形成厚度20μm的凹凸吸收层,在其上涂布粘着剂涂布液B2之后,使其干燥,形成厚度为30μm的加热剥离型的粘着性树脂层(B),获得了粘着性膜。
将获得的粘着性膜的粘着性树脂层(B)侧粘接于320mm见方的SUS基板上,作为电子部件,将5mm见方的半导体芯片以成为2mm间隔的格子状的方式载置于粘着性膜的粘着性树脂层(A)上并使其密合,接着,在130℃热处理30分钟,从而使粘着性树脂层(A)和粘着性树脂层(B)的粘着力稳定化,获得了结构体。
获得结构体之后2天后,将所得的结构体在100℃加热处理20分钟,使结构体中的水分量降低了。
对结构体进行加热处理之后10分钟后,使用压缩成型机,用颗粒状的环氧树脂系密封材(住友Bakelite公司制,制品名:G730),通过在135℃压缩成型,将粘着性树脂层(A)上的多个半导体芯片密封。
接着,通过目视,观察半导体芯片的位置错位。结果没有观察到半导体芯片的位置错位。
[比较例1]
没有进行将结构体在100℃加热处理20分钟,使结构体中的水分量降低的工序,除此以外,与实施例1同样地操作,观察了半导体芯片的位置错位。
其结果是观察到了半导体芯片跳起的地方。即,在比较例1中,观察到了半导体芯片的位置错位。
本申请主张以2018年3月30日申请的日本申请特愿2018-066900号作为基础的优先权,将其公开的全部内容并入本申请中。

Claims (11)

1.一种电子装置的制造方法,其至少具备下述工序:
工序(1),准备结构体,所述结构体具备粘着性膜、电子部件和支撑基板,
所述粘着性膜具备:基材层,设置于所述基材层的第1面侧且用于临时固定电子部件的粘着性树脂层A,以及设置于所述基材层的第2面侧且粘着力因外部刺激而降低的粘着性树脂层B,
所述电子部件粘贴于所述粘着性膜的所述粘着性树脂层A,
所述支撑基板粘贴于所述粘着性膜的所述粘着性树脂层B;
工序(2),选自使所述粘着性膜中的水分量降低的工序(2-1)和使所述结构体中的水分量降低的工序(2-2)中的至少一种;以及
工序(3),通过密封材将所述电子部件密封。
2.根据权利要求1所述的电子装置的制造方法,
所述工序(2)包括使所述粘着性膜中的水分量降低的工序(2-1),
所述工序(2-1)在所述工序(1)之前进行。
3.根据权利要求2所述的电子装置的制造方法,
在所述工序(2-1)中,通过对所述粘着性膜进行加热和/或对所述粘着性膜进行减压,从而使所述粘着性膜中的水分量降低。
4.根据权利要求1所述的电子装置的制造方法,
所述工序(2)包括使所述结构体中的水分量降低的工序(2-2),
所述工序(2-2)在所述工序(1)与所述工序(3)之间进行。
5.根据权利要求4所述的电子装置的制造方法,
在所述工序(2-2)中,通过对所述结构体进行加热和/或对所述结构体进行减压,从而使所述结构体中的水分量降低。
6.根据权利要求4或5所述的电子装置的制造方法,
所述工序(2)在即将进行所述工序(3)之前进行。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的电子装置的制造方法,
在所述工序(3)之后,进一步具备工序(4):通过给予外部刺激,使所述粘着性树脂层B的粘着力降低,从所述结构体剥离所述支撑基板。
8.根据权利要求7所述的电子装置的制造方法,
在所述工序(4)之后,进一步具备工序(5):从所述电子部件剥离所述粘着性膜。
9.根据权利要求1~8中任一项所述的电子装置的制造方法,
所述工序(2)与所述工序(3)的间隔为12小时以内。
10.根据权利要求1~9中任一项所述的电子装置的制造方法,
所述密封材为环氧树脂系密封材。
11.根据权利要求1~10中任一项所述的电子装置的制造方法,
所述粘着性树脂层A包含(甲基)丙烯酸系粘着性树脂。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113727844A (zh) * 2019-04-26 2021-11-30 三井化学东赛璐株式会社 粘着性膜和电子装置的制造方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220074849A (ko) * 2019-10-31 2022-06-03 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 가고정용 수지 조성물, 기판 반송용 서포트 테이프 및 전자 기기 장치의 제조 방법
TWI718827B (zh) * 2019-12-25 2021-02-11 達邁科技股份有限公司 用於led晶圓級封裝之複合膜
WO2021157441A1 (ja) * 2020-02-04 2021-08-12 三井化学東セロ株式会社 電子装置の製造方法
JP7334336B2 (ja) * 2020-03-30 2023-08-28 三井化学東セロ株式会社 電子装置の製造方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1738040A (zh) * 2002-10-04 2006-02-22 夏普株式会社 芯片在薄膜上的半导体器件
CN101186792A (zh) * 2006-11-24 2008-05-28 日东电工株式会社 半导体装置制造用耐热性胶粘带
CN102051146A (zh) * 2009-10-27 2011-05-11 琳得科株式会社 水分散型丙烯酸系粘着剂组合物和粘着片及其制备方法
CN102134453A (zh) * 2009-12-22 2011-07-27 日东电工株式会社 无基板半导体封装制造用耐热性粘合片
CN103098257A (zh) * 2010-09-08 2013-05-08 凸版印刷株式会社 锂离子电池外包装材料
CN103165474A (zh) * 2011-12-16 2013-06-19 日东电工株式会社 半导体装置的制造方法
CN106471034A (zh) * 2014-06-30 2017-03-01 Dic株式会社 环氧树脂、固化性树脂组合物、固化物、半导体密封材料、半导体装置、预浸料、电路基板
TW201800527A (zh) * 2016-03-29 2018-01-01 三井化學東賽璐股份有限公司 半導體裝置製造用黏著性膜及半導體裝置的製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5598310A (en) * 1979-01-20 1980-07-26 Ricoh Elemex Corp Water service meter
JP2007027623A (ja) * 2005-07-21 2007-02-01 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 基板吸着水分の除去方法
CN103650123A (zh) 2011-07-15 2014-03-19 日东电工株式会社 电子元件的制造方法和要用于所述制造方法的压敏粘合片
EP2639277A1 (en) * 2012-03-13 2013-09-18 Nitto Denko Corporation Heat-resistant pressure-sensitive adhesive tape for production of semiconductor device and method for producing semiconductor device using the tape
PT3040390T (pt) * 2013-08-29 2019-09-05 Mitsui Chemicals Tohcello Inc Película adesiva e método para a fabricação de dispositivo semicondutor
KR101930197B1 (ko) * 2015-09-01 2018-12-17 린텍 가부시키가이샤 점착 시트
WO2017038922A1 (ja) * 2015-09-01 2017-03-09 リンテック株式会社 粘着シート
JP2017092335A (ja) * 2015-11-13 2017-05-25 日東電工株式会社 半導体パッケージの製造方法
JP2018066900A (ja) 2016-10-20 2018-04-26 キヤノン株式会社 画像加熱装置
CN110337711B (zh) 2017-02-28 2022-11-04 琳得科株式会社 粘合片

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1738040A (zh) * 2002-10-04 2006-02-22 夏普株式会社 芯片在薄膜上的半导体器件
CN101186792A (zh) * 2006-11-24 2008-05-28 日东电工株式会社 半导体装置制造用耐热性胶粘带
CN102051146A (zh) * 2009-10-27 2011-05-11 琳得科株式会社 水分散型丙烯酸系粘着剂组合物和粘着片及其制备方法
CN102134453A (zh) * 2009-12-22 2011-07-27 日东电工株式会社 无基板半导体封装制造用耐热性粘合片
CN103098257A (zh) * 2010-09-08 2013-05-08 凸版印刷株式会社 锂离子电池外包装材料
CN103165474A (zh) * 2011-12-16 2013-06-19 日东电工株式会社 半导体装置的制造方法
CN106471034A (zh) * 2014-06-30 2017-03-01 Dic株式会社 环氧树脂、固化性树脂组合物、固化物、半导体密封材料、半导体装置、预浸料、电路基板
TW201800527A (zh) * 2016-03-29 2018-01-01 三井化學東賽璐股份有限公司 半導體裝置製造用黏著性膜及半導體裝置的製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113727844A (zh) * 2019-04-26 2021-11-30 三井化学东赛璐株式会社 粘着性膜和电子装置的制造方法

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