CN111947792B - 一种基于二硒化钯/超薄硅/二硒化钯肖特基结的颜色探测***及其制备方法 - Google Patents
一种基于二硒化钯/超薄硅/二硒化钯肖特基结的颜色探测***及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111947792B CN111947792B CN202010867080.6A CN202010867080A CN111947792B CN 111947792 B CN111947792 B CN 111947792B CN 202010867080 A CN202010867080 A CN 202010867080A CN 111947792 B CN111947792 B CN 111947792B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- color detection
- silicon wafer
- ultrathin silicon
- glass substrate
- palladium diselenide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 92
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 90
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 56
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 56
- XIMIGUBYDJDCKI-UHFFFAOYSA-N diselenium Chemical compound [Se]=[Se] XIMIGUBYDJDCKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 45
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 45
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 54
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 33
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 9
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 27
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 238000011160 research Methods 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 238000013473 artificial intelligence Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 230000004297 night vision Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J9/00—Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/108—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the Schottky type
- H01L31/1085—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the Schottky type the devices being of the Metal-Semiconductor-Metal [MSM] Schottky barrier type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Spectrometry And Color Measurement (AREA)
Abstract
本发明公开了一种基于二硒化钯/超薄硅/二硒化钯肖特基结的颜色探测***及其制备方法，是在玻璃衬底的上、下表面对称设置有由两二硒化钯薄膜与n‑型超薄硅片构成金属半导体金属肖特基结的一对颜色探测单元。本发明的颜色探测***可探测的波长范围包括460‑810nm，跨越了整个可见光区域又涉及一部分近红外波段，且该***具有准确性和重复性高的优点。
Description
技术领域
本发明属于光电探测技术领域，具体涉及一种颜色探测***及其制备方法。
背景技术
光电探测器是通过光电效应将光信号转换为电信号的光电子器件，其本质是由于光辐射的作用导致了吸光材料导电率的变化。它广泛应用于射线测量和探测、工业自动化控制、导弹制导、夜视技术等民用或军用领域。根据探测器的应用范围，目前光电探测器可以分为紫外光电探测器(波长10-400nm)、可见光电探测器(400-780nm)和红外光电探测器(780nm-20μm)等类型。
颜色探测器属于光电探测器的一种，其不仅可以实现光信号的探测，还能实现波长的有效识别。低成本高性能颜色探测器在人工智能辅助驾驶、图像传感、光通信、火灾检测、生物医学成像、环境监测、空间探测与安全检测等诸多科学研究与工业技术领域有重要的应用价值，因而得到了人们广泛的关注。
目前，在应用广泛的可见光-近红外光波段(波长<1100nm)，基于晶体硅的光电探测器占据主要的市场份额。硅作为一种重要的半导体材料，一直推动着半导体工业的进步。但是，由于硅的厚度过大，不适合与各种形状和大小的基础设施集成，给光电探测器的发展带来了很大的不便。基于对轻量级和灵活性的更高要求，超薄硅片慢慢进入研究中。此外对于扩散长度较短的少数载流子来说，使用较薄的硅衬底有助于减少电子-空穴复合，也是其的一种优势。目前普遍研究的是由单个超薄硅片组成的光电探测器，研究角度过于局限、研究范围过于狭窄，制约了硅基光电探测器的进一步发展和广泛应用。另一方面，单一的光电探测器只能实现光信号的探测，无法实现对光波长的识别，严重阻碍了其在科学研究、工业生产和人民生活中的广泛应用。
发明内容
为了避免上述现有技术所存在的不足之处，本发明提供了一种基于二硒化钯/超薄硅/二硒化钯肖特基结的颜色探测***，该***可以有效识别被探测光的波长。
本发明为实现目的，采用如下技术方案：
一种基于二硒化钯/超薄硅/二硒化钯肖特基结的颜色探测***，其特点在于：包括玻璃衬底，在所述玻璃衬底的上、下表面对称设置有两颜色探测单元；
所述颜色探测单元包括固定在玻璃衬底表面的n-型超薄硅片，在所述n-型超薄硅片上铺设有一对二硒化钯薄膜；两二硒化钯薄膜的一侧分别超出所述n-型超薄硅片的区域、位于玻璃衬底上，且在其超出区域设有二硒化钯接触电极；在所述颜色探测单元中，由两二硒化钯薄膜与n-型超薄硅片构成金属半导体金属肖特基结；
当光从上颜色探测单元(位于玻璃衬底上表面的颜色探测单元)的上方，向下逐层照射所述颜色探测***时，上颜色探测单元与下颜色探测单元的电流比，随被探测光波长的增大而减小，从而可根据电流比识别被探测光的波长。
进一步地，所述玻璃衬底的厚度为0.8-1mm。
进一步地，所述n-型超薄硅片采用厚度为15-25μm、电阻率为1-7Ω·cm的n-型轻掺杂硅片。
进一步地，所述二硒化钯薄膜的厚度为15nm-40nm。
进一步地，所述二硒化钯接触电极为导电银浆电极。
本发明所述颜色探测***的制备方法，包括如下步骤：
步骤1、将n-型超薄硅片放在质量浓度为5％-10％的氢氟酸溶液或BOE刻蚀液中刻蚀5-10分钟，去除表面的自然氧化层，取出后进行清洗并干燥；
步骤2、将经步骤1处理后的n-型超薄硅片固定到清洗干净的玻璃衬底的上表面；
步骤3、将一对二硒化钯薄膜铺设到n-型超薄硅片上；两二硒化钯薄膜的一侧分别超出所述n-型超薄硅片的区域、位于玻璃衬底上；
步骤4、在两二硒化钯薄膜超出n-型超薄硅片的区域上分别滴银浆电极，即在玻璃衬底的上表面形成颜色探测单元；
步骤5、按照步骤1～4相同的方法，在玻璃衬底的下表面形成相同的颜色探测单元，两颜色探测单元相对于玻璃衬底完全对称，即获得颜色探测***。
与已有技术相比，本发明的有益效果体现在：
1、本发明设计了一种基于二硒化钯/超薄硅/二硒化钯肖特基结的颜色探测***，该***是由对称设置在玻璃衬底两面的两个二硒化钯/超薄硅/二硒化钯肖特基结颜色探测单元组合而成，***可探测的波长范围包括460-810nm，跨越了整个可见光区域又涉及一部分近红外波段，且该***具有准确性和重复性高的优点。
2、本发明的颜色探测***制备工艺简单、成本低廉。
附图说明
图1为本发明基于PdSe2/超薄硅/PdSe2肖特基结的颜色探测***的结构示意图。
图2为本发明实施例1所得颜色探测***在波长为400～1300nm、强度为100μW/cm2的光照下，在温度300K、0V偏压的检测条件下，上颜色探测单元(图中Ip1)和下颜色探测单元(图中Ip2)的光电流-波长特性曲线(图2(a))、光电流比(Ip1/Ip2)-波长曲线(图2(b))；
图3为本发明实施例1所得颜色探测***在波长为400～1300nm、强度为100μW/cm2的光照下，在0V偏压、不同的检测温度(280K、300K、320K)下，上颜色探测单元和下颜色探测单元的光电流比(lg(Ip1/Ip2))-波长曲线对比图；
图4为本发明实施例1所得颜色探测***分别在480、520、560、600、660、700、740nm波长及其上下5nm波长的光照下(强度为100μW/cm2)，在温度300K、0V偏压的检测条件下，上颜色探测单元和下颜色探测单元的光电流比(Ip1/Ip2)-波长曲线对比图；
图中标号：1为玻璃衬底；2为n-型超薄硅片；3为二硒化钯薄膜；4为二硒化钯接触电极。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合实施例对本发明的具体实施方式做详细的说明。以下内容仅仅是对本发明的构思所作的举例和说明，所属本技术领域的技术人员对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，只要不偏离发明的构思或者超越本权利要求书所定义的范围，均应属于本发明的保护范围。
实施例1
如图1所示，本实施例基于二硒化钯/超薄硅/二硒化钯肖特基结的颜色探测***，包括玻璃衬底1，在玻璃衬底1的上、下表面对称设置有两颜色探测单元；
颜色探测单元包括固定在玻璃衬底表面的n-型超薄硅片2，在n-型超薄硅片2上铺设有一对二硒化钯薄膜3；两二硒化钯薄膜3的一侧分别超出n-型超薄硅片2的区域、位于玻璃衬底1上，且在其超出区域设有二硒化钯接触电极4；在颜色探测单元中，由两二硒化钯薄膜与n-型超薄硅片构成金属半导体金属肖特基结。
具体的，本实施例中：玻璃衬底1的厚度为1mm；n-型超薄硅片2采用厚度为20μm、电阻率为5Ω·cm的n-型轻掺杂硅片；二硒化钯薄膜3的厚度为20nm；二硒化钯接触电极4为导电银浆电极。
本实施例颜色探测***的制备方法，包括如下步骤：
步骤1、将n-型超薄硅片放在质量浓度为5％的氢氟酸溶液中刻蚀5分钟，去除n-型超薄硅片表面的自然氧化层，取出后依次用丙酮、酒精、去离子水各超声清洗15分钟，并用氮气吹干。
步骤2、将经步骤1处理后的n-型超薄硅片固定到清洗干净的玻璃衬底的上表面。
步骤3、将一对PdSe2薄膜铺设到n-型超薄硅片上；两PdSe2薄膜的一侧分别超出n-型超薄硅片的区域、位于玻璃衬底上。
步骤4、在两PdSe2薄膜超出n-型超薄硅片的区域上分别滴银浆电极，即在玻璃衬底的上表面形成颜色探测单元。
步骤5、按照步骤1～4相同的方法，在玻璃衬底的下表面形成相同的颜色探测单元，两颜色探测单元相对于玻璃衬底完全对称，即获得颜色探测***。
图2为本实施例所得颜色探测***在波长为400～1300nm、强度为100μW/cm2的光照下，在温度300K、0V偏压的检测条件下，上颜色探测单元(图中Ip1)和下颜色探测单元(图中Ip2)的光电流-波长特性曲线(图2(a))、光电流比(Ip1/Ip2)-波长曲线(图2(b))。从图中可以看出，当光从上颜色探测单元的上方，向下逐层照射颜色探测***时，上颜色探测单元的光电流在460nm-500nm左右达到峰值，透过的光照射在下颜色探测单元，下颜色探测单元在波长800nm-1000nm左右开始有响应。但在460nm-810nm范围，上颜色探测单元与下颜色探测单元的电流比，随被探测光波长的增大而单调减小，从而可根据电流比识别被探测光的波长。通过调控n-型超薄硅片与二硒化钯薄膜的厚度还可实现探测光波长范围的调控。
图3为本实施例所得颜色探测***在波长为400～1300nm、强度为100μW/cm2的光照下，在0V偏压、不同的检测温度(280K、300K、320K)下，上颜色探测单元和下颜色探测单元的光电流比(lg(Ip1/Ip2))-波长曲线对比图。可以看出该探测***在低温下探测范围有所扩宽，这是由于低温下硅中的热激发很低。但是在不同温度下，该***都能在波长为460nm-810nm的波段实现准确探测。
如图4所示，为探测本实施例颜色探测对波长探测的准确性，按照图2相同的检测条件，再次检测颜色探测***在波长480、520、560、600、660、700、740nm处的光电流比(记为(Ip1/Ip2)1)，并与图2所对应的数据((Ip1/Ip2)0)进行比较，计算相对误差：[(Ip1/Ip2)1-(Ip1/Ip2)0]/(Ip1/Ip2)0。结果表明480、520、560、600、660、700、740nm波长处的相对误差分别为2.9％、0.15％、-13.2％、-0.23％、4.44％、10.96％、-6.10％。可以看出，本实施例的颜色探测***在460-810nm的范围内具有非常高的精度和重复性。
此外，如图4所示，通过对480、520、560、600、660、700、740nm上、下5nm波长处进行相同的检测，可知在波长差值5nm时，本实施例的***仍能准确的探测。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种基于二硒化钯/超薄硅/二硒化钯肖特基结的颜色探测***，其特征在于：包括玻璃衬底(1)，在所述玻璃衬底(1)的上、下表面对称设置有两颜色探测单元；
所述颜色探测单元包括固定在玻璃衬底表面的厚度为15-25μm的n-型超薄硅片(2)，在所述n-型超薄硅片(2)上铺设有一对二硒化钯薄膜(3)；两二硒化钯薄膜(3)的一侧分别超出所述n-型超薄硅片(2)的区域、位于玻璃衬底(1)上，且在其超出区域设有二硒化钯接触电极(4)；在所述颜色探测单元中，由两二硒化钯薄膜与n-型超薄硅片构成金属半导体金属肖特基结；
当光从上颜色探测单元的上方，向下逐层照射所述颜色探测***时，上颜色探测单元与下颜色探测单元的电流比，随被探测光波长的增大而减小，从而可根据电流比识别被探测光的波长。
2.根据权利要求1所述的颜色探测***，其特征在于：所述玻璃衬底(1)的厚度为0.8-1mm。
3.根据权利要求1所述的颜色探测***，其特征在于：所述n-型超薄硅片(2)采用电阻率为1-7Ω·cm的n-型轻掺杂硅片。
4.根据权利要求1所述的颜色探测***，其特征在于：所述二硒化钯薄膜(3)的厚度为15nm-40nm。
5.根据权利要求1所述的颜色探测***，其特征在于：所述二硒化钯接触电极(4)为导电银浆电极。
6.一种权利要求1～5中任意一项所述颜色探测***的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、将n-型超薄硅片放在质量浓度为5％-10％的氢氟酸溶液或BOE刻蚀液中刻蚀5-10分钟，去除表面的自然氧化层，取出后进行清洗并干燥；
步骤2、将经步骤1处理后的n-型超薄硅片固定到清洗干净的玻璃衬底的上表面；
步骤3、将一对二硒化钯薄膜铺设到n-型超薄硅片上；两二硒化钯薄膜的一侧分别超出所述n-型超薄硅片的区域、位于玻璃衬底上；
步骤4、在两二硒化钯薄膜超出n-型超薄硅片的区域上分别滴银浆电极，即在玻璃衬底的上表面形成颜色探测单元；
步骤5、按照步骤1～4相同的方法，在玻璃衬底的下表面形成相同的颜色探测单元，两颜色探测单元相对于玻璃衬底完全对称，即获得颜色探测***。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010867080.6A CN111947792B (zh) | 2020-08-26 | 2020-08-26 | 一种基于二硒化钯/超薄硅/二硒化钯肖特基结的颜色探测***及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010867080.6A CN111947792B (zh) | 2020-08-26 | 2020-08-26 | 一种基于二硒化钯/超薄硅/二硒化钯肖特基结的颜色探测***及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111947792A CN111947792A (zh) | 2020-11-17 |
| CN111947792B true CN111947792B (zh) | 2022-10-11 |
Family
ID=73366429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010867080.6A Active CN111947792B (zh) | 2020-08-26 | 2020-08-26 | 一种基于二硒化钯/超薄硅/二硒化钯肖特基结的颜色探测***及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111947792B (zh) |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0722644A (ja) * | 1993-06-22 | 1995-01-24 | Natl Space Dev Agency Japan<Nasda> | 半導体装置の製造方法、及びショットキ接合型半導体光検出装置 |
| US5449923A (en) * | 1992-03-31 | 1995-09-12 | Industrial Technology Research Institute | Amorphous silicon color detector |
| US5512763A (en) * | 1993-10-28 | 1996-04-30 | Hitachi, Ltd. | Metal-semiconductor-metal photodetector |
| CN102163639A (zh) * | 2011-03-23 | 2011-08-24 | 吉林大学 | TiO2-ZrO2复合氧化物薄膜紫外光探测器及其制备方法 |
| CN102782880A (zh) * | 2010-03-10 | 2012-11-14 | 光导束有限责任公司 | 具有改进响应度的基于硅的肖特基势垒探测器 |
| CN107221575A (zh) * | 2017-07-12 | 2017-09-29 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 基于二维材料垂直肖特基结近红外探测器及制备方法 |
| GB201911691D0 (en) * | 2019-08-15 | 2019-10-02 | Univ Nat Taiwan | Photodetector |
| CN111341875A (zh) * | 2020-03-11 | 2020-06-26 | 电子科技大学 | 一种石墨烯/二硒化钯/硅异质结自驱动光电探测器 |
-
2020
- 2020-08-26 CN CN202010867080.6A patent/CN111947792B/zh active Active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5449923A (en) * | 1992-03-31 | 1995-09-12 | Industrial Technology Research Institute | Amorphous silicon color detector |
| JPH0722644A (ja) * | 1993-06-22 | 1995-01-24 | Natl Space Dev Agency Japan<Nasda> | 半導体装置の製造方法、及びショットキ接合型半導体光検出装置 |
| US5512763A (en) * | 1993-10-28 | 1996-04-30 | Hitachi, Ltd. | Metal-semiconductor-metal photodetector |
| CN102782880A (zh) * | 2010-03-10 | 2012-11-14 | 光导束有限责任公司 | 具有改进响应度的基于硅的肖特基势垒探测器 |
| CN102163639A (zh) * | 2011-03-23 | 2011-08-24 | 吉林大学 | TiO2-ZrO2复合氧化物薄膜紫外光探测器及其制备方法 |
| CN107221575A (zh) * | 2017-07-12 | 2017-09-29 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 基于二维材料垂直肖特基结近红外探测器及制备方法 |
| GB201911691D0 (en) * | 2019-08-15 | 2019-10-02 | Univ Nat Taiwan | Photodetector |
| CN111341875A (zh) * | 2020-03-11 | 2020-06-26 | 电子科技大学 | 一种石墨烯/二硒化钯/硅异质结自驱动光电探测器 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Multilayered PdSe2/Perovskite Schottky Junction for Fast, Self-Powered, Polarization-Sensitive, Broadband Photodetectors, and Image Sensor Application;Long-Hui Zeng et al.;《Advanced science》;20191231;第1页-第9页 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111947792A (zh) | 2020-11-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9337220B2 (en) | Solar blind ultra violet (UV) detector and fabrication methods of the same | |
| CN110047957B (zh) | 一种中红外光探测器及其制备方法 | |
| US8835905B2 (en) | Solar blind ultra violet (UV) detector and fabrication methods of the same | |
| KR101430650B1 (ko) | 광검출 소자 | |
| CN102856423A (zh) | 一种以二氧化钛纳米管阵列为基体的紫外光探测器及其制备方法 | |
| CN110459548B (zh) | 一种基于范德瓦尔斯异质结的光电探测器及其制备方法 | |
| RU56069U1 (ru) | Кремниевый pin-фотодиод большой площади | |
| CN111952403B (zh) | 一种基于二硒化铂/n-型超薄硅肖特基结的颜色探测器及其制备方法 | |
| Xu et al. | An ultra-flexible silicon substrate with light-trapping structures: The application for visible-NIR photodetectors | |
| CN105185845A (zh) | 一种在P层和N层引入微结构硅的Si-PIN光电探测器及其制备方法 | |
| CN111947792B (zh) | 一种基于二硒化钯/超薄硅/二硒化钯肖特基结的颜色探测***及其制备方法 | |
| CN111063751B (zh) | 一种超薄无机窄带异质结光电探测器及其制备方法 | |
| KR20160144654A (ko) | 나노선 기반 자외선 센서 및 이의 제조방법 | |
| CN111952402B (zh) | 一种基于石墨烯/超薄硅/石墨烯异质结的颜色探测器及其制备方法 | |
| CN111952401B (zh) | 一种基于范德瓦尔斯异质结的颜色探测器及其制备方法 | |
| Khosropour et al. | Microcrystalline silicon photodiode for large area NIR light detection applications | |
| CN114300555A (zh) | 一种基于TaIrTe4/Si异质结的光电探测器及其制备方法 | |
| KR101942094B1 (ko) | 산소 리치 바나듐산화물 전자파 센서 및 그 시스템 | |
| CN105870243B (zh) | 一种红外光敏二极管及其制备方法 | |
| JP2017198579A (ja) | 光検出装置およびライダー装置 | |
| Xu | Fabrication and characterization of photodiodes for silicon nanowire applications and backside illumination | |
| CN114582993B (zh) | 光电传感器及其制备方法、图像传感器中的应用 | |
| Jiang et al. | A novel photodiode array structure with double-layer SiO2 isolation | |
| CN113437106A (zh) | 一种基于二硒化钯/薄锗肖特基结的颜色探测***及其制备方法 | |
| US20240088320A1 (en) | Bio-sensing device with optoelectronic device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |