CN111916475A - 显示装置 - Google Patents

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CN111916475A CN202010333023.XA CN202010333023A CN111916475A CN 111916475 A CN111916475 A CN 111916475A CN 202010333023 A CN202010333023 A CN 202010333023A CN 111916475 A CN111916475 A CN 111916475A
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玄采翰
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Abstract

本公开涉及一种显示装置，所述显示装置包括：多个节点电极；导电层，位于所述多个节点电极上方，并且包括在第一方向上延伸的第一延伸部和在与所述第一方向相交的第二方向上延伸的第二延伸部；多个像素电极，位于所述导电层上方；以及绝缘层，覆盖所述多个像素电极中的每个像素电极的边缘，其中，在所述绝缘层中限定有分别与所述多个像素电极中的每个像素电极的一部分对应的多个开口，所述多个开口中的每个开口的中心与介于所述第一延伸部和所述第二延伸部之间的交点中的一个交点重叠，并且所述导电层与所述多个节点电极重叠。

Description

显示装置
技术领域
示例性实施例涉及显示装置。
背景技术
随着用于在视觉上表达各种电信号信息的显示领域的迅速发展，已经出现了具有诸如纤薄、轻质和低功耗的优异特性的各种显示装置。
发明内容
在高分辨率的显示装置的情况下，由于显示元件、用于驱动显示元件的多个晶体管和电容器以及用于将信号传输给显示元件的导线彼此重叠，因此可能会出现各种问题。
示例性实施例包括有机发光显示装置，所述有机发光显示装置能够使不对称色移现象最小化且在使像素之间的特性差异最小化的同时确保优异的可视性。
显示装置的示例性实施例包括：多个节点电极；导电层，位于所述多个节点电极上方，并且包括在第一方向上延伸的第一延伸部和在与所述第一方向相交的第二方向上延伸的第二延伸部；多个像素电极，位于所述导电层上方；以及绝缘层，覆盖所述多个像素电极中的每个像素电极的边缘，其中，在所述绝缘层中限定有分别与所述多个像素电极中的每个像素电极的一部分对应的多个开口，所述多个开口中的每个开口的中心与介于所述第一延伸部和所述第二延伸部之间的交点中的一个交点重叠，并且所述导电层与所述多个节点电极重叠。
在示例性实施例中，所述第一延伸部可以包括第一子导线以及与所述第一子导线交替地布置的第二子导线，并且所述第二延伸部可以包括第三子导线以及与所述第三子导线交替地布置的第四子导线。
在示例性实施例中，第三子导线可以与所述多个节点电极重叠。
在示例性实施例中，所述第三子导线的宽度可以大于所述第四子导线的宽度。
在示例性实施例中，所述多个像素电极可以包括发射第一颜色的第一像素的第一像素电极、发射第二颜色的第二像素的第二像素电极和发射第三颜色的第三像素的第三像素电极，其中，所述第一像素电极和所述第三像素电极在所述第一方向和所述第二方向上交替地布置，并且所述第二像素电极可以在所述第一方向和所述第二方向上重复地布置，并且在对角线方向上与所述第一像素电极和所述第三像素电极分开。
在示例性实施例中，所述第一像素电极和所述第三像素电极可以分别与位于所述第一子导线与所述第三子导线之间的交点的相对侧处的所述节点电极重叠。
在示例性实施例中，所述绝缘层的所述多个开口可以包括与所述第一像素电极的一部分对应的第一开口、与所述第二像素电极的一部分对应的第二开口以及与所述第三像素电极的一部分对应的第三开口。
在示例性实施例中，所述第一开口的中心和所述第三开口的中心中的每个中心可以与介于所述第一子导线和所述第三子导线之间的第一交点中的一个第一交点重叠，并且所述第二开口的中心可以与介于所述第二子导线和所述第四子导线之间的第二交点中的一个第二交点重叠。
在示例性实施例中，所述显示装置还可以包括：多条导线，所述多条导线在与所述多个节点电极相同的层中在所述第一方向上延伸，并且电连接至所述导电层。
在示例性实施例中，所述多个节点电极可以在所述第二方向上介于所述多条导线之间。
在示例性实施例中，所述多条导线可以将电源电压传输至像素。
显示装置的示例性实施例包括：多个节点电极；导电层，位于所述多个节点电极上方，并且包括在第一方向上延伸的第一延伸部和在与所述第一方向相交的第二方向上延伸的第二延伸部；多个像素电极，位于所述导电层上方；以及绝缘层，覆盖所述多个像素电极中的每个像素电极的边缘，其中，在所述绝缘层中限定有分别与所述多个像素电极中的每个像素电极的一部分对应的多个开口，所述多个开口中的每个第一开口的中心与介于所述第一延伸部和所述第二延伸部之间的交点中的一个交点重叠，所述多个开口中的每个第二开口的中心不与所述交点重叠，并且所述导电层与所述多个节点电极重叠。
在示例性实施例中，所述第二延伸部可以与所述多个节点电极重叠。
在示例性实施例中，所述第一延伸部可以包括第一子导线以及与所述第一子导线交替地布置的第二子导线。
在示例性实施例中，所述多个像素电极可以包括发射第一颜色的第一像素的第一像素电极、发射第二颜色的第二像素的第二像素电极和发射第三颜色的第三像素的第三像素电极，其中，所述第一像素电极和所述第三像素电极在所述第一方向和所述第二方向上交替地布置，并且所述第二像素电极在所述第一方向和所述第二方向上重复地布置，并且在对角线方向上与所述第一像素电极和所述第三像素电极分开。
在示例性实施例中，所述第一像素电极和所述第三像素电极可以分别与位于所述第一子导线与所述第二延伸部之间的交点的相对侧处的节点电极重叠。
在示例性实施例中，所述第一开口可以包括与所述第一像素电极的一部分对应的开口和与所述第三像素电极的一部分对应的开口。
在示例性实施例中，所述第二开口可以包括与所述第二像素电极的一部分对应的开口。
在示例性实施例中，所述第一开口中的每个第一开口的中心可以与介于所述第一子导线和所述第二延伸部之间的交点中的一个交点重叠。
在示例性实施例中，所述显示装置还可以包括：多条导线，所述多条导线在与所述多个节点电极相同的层中在所述第一方向上延伸，并且电连接至所述导电层。
在示例性实施例中，所述多个节点电极可以在所述第二方向上介于所述多条导线之间。
附图说明
通过结合附图对示例性实施例的以下描述，这些和/或其他示例性实施例将变得明显且更易于理解，在附图中：
图1是显示装置的示例性实施例的平面图；
图2A和图2C是显示装置的像素PX的示例性实施例的等效电路图，并且图2B和图2D分别示出图2A和图2C的像素PX的部分的另一示例性实施例；
图3是有机发光显示装置的多个像素的发光区的示例性实施例的平面图；
图4是示出像素的发光区和导电层之间关系的示例性实施例的平面图，并且图5是图4中的部分A的放大图；
图6是示出像素的发光区和导电层之间的关系的另一示例性实施例的平面图；
图7是图6的部分A'的放大图，图8是沿着图7的线I-I'截取的剖视图，并且图9是沿着图7的线II-II'和线III-III'截取的剖视图；
图10是示出像素的发光区和导电层之间的关系的另一示例性实施例的平面图；
图11是构成像素的元件的位置的示例性实施例的平面图；并且
图12至图17是图11的元件的平面图。
具体实施方式
现在，将详细参考实施例，在附图中示出了实施例的示例，其中同样的附图标记始终指代同样的元件。在这点上，示例性实施例可以具有不同的形式，并且不应当被解释为限于本文中阐述的说明书。因此，下面仅通过参照附图描述了示例性实施例，以说明本说明书的示例性实施例。如本文中使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任意组合和所有组合。当诸如“至少一个(种)”的表述位于一列元件之前时，修饰整列元件，而不修饰该列的个别元件。
在下文中，将参照附图详细描述本公开的实施例。相同的附图标记用于指示相同的元件，且将省略其详细描述。
将理解的是，尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种组件，但是这些组件不应受这些术语的限制。
除非以单数形式使用的表述在上下文中具有明确不同的含义，否则以单数形式使用的表述涵盖复数的表述。
还将理解的是，本文中使用的术语“包括”和/或“包含”表明存在所陈述的特征或组件，但不排除存在或添加一个或多个其他特征或组件。
将理解的是，当层、区域或组件被称为“设置在”另一层、区域或组件“上”时，该层、区域或组件可以直接或间接地设置在另一层、区域或组件上。即，例如，可以存在中间层、区域或组件。
为了便于说明，可能夸大了附图中的组件的尺寸。换言之，由于为了便于说明，任意示出了附图中的组件的尺寸和厚度，因此下面的实施例不限于此。
当可以不同地实施示例性实施例时，可以与描述的顺序不同地执行特定工艺顺序。在示例性实施例中，例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行，或者以与描述的顺序相反的顺序来执行。
将理解的是，当层、区域或组件连接至另一部分时，该层、区域或组件可以直接连接至该部分，或者可以存在中间层、区域或组件。在示例性实施例中，例如，当层、区域或组件电连接至另一部分时，该层、区域或组件可以直接电连接至该部分，或者可以通过另一层、区域或组件间接连接至该部分。
在以下实施例中，术语“导线在第一方向或第二方向上的延伸”不仅表示在第一方向或第二方向上的线性延伸，还表示在第一方向或第二方向上的之字形延伸或弯曲延伸。
在以下实施例中，术语“在平面图中”表示从上方观察对象，并且术语“在剖视图中”表示从侧面观察对象的垂直截面。在以下实施例中，“重叠”包括“平面”重叠和“横截面”重叠。
图1是显示装置10的示例性实施例的平面图。
参照图1，示例性实施例中的显示装置10包括其中实现图像的显示区DA以及作为围绕显示区DA的非显示区的***区PA。
多个像素PX和能够将电信号施加至多个像素PX的导线可以设置在显示区DA中。像素PX可以在第一方向和与第一方向相交的第二方向上以预定的图案布置。
多个像素PX中的每一个可以包括显示元件和用于驱动显示元件的像素电路。在示例性实施例中，显示元件可以是有机发光器件，并且像素电路可以包括例如多个晶体管和电容器等。
***区PA是不提供图像的区域，并且可以包括提供待施加至显示区DA的像素PX的电信号的扫描驱动器和数据驱动器以及提供诸如驱动电压和公共电压的电力的电源线。此外，***区PA可以具有端子部分，印刷电路板(“PCB”)等可以连接至所述端子部分。
虽然未示出，但是显示装置10可以被弯曲，并且可以在***区PA的一部分中包括弯曲区域。
显示装置10可以是诸如有机发光显示器、无机发光(“EL”)显示器或量子点发光显示器的显示装置。在下文中，将有机发光显示器作为示例来描述。在示例性实施例中，显示装置10可以由诸如移动电话、膝上型计算机和智能手表的各种电子装置来实现。
图2A和图2C是可以被包括在显示装置10中的一个像素PX的示例性实施例的等效电路图。图2B和图2D分别示出了图2A和图2C中的像素PX的部分的另一示例性实施例。
参照图2A，像素PX包括显示元件以及从多条导线接收信号并驱动显示元件的像素电路PC。在下文中，将包括作为显示元件的有机发光器件OLED的像素PX作为示例来描述。
图2A示出了为每个像素PX提供信号线121、122、124和171、第一初始化电压线141和电源电压线172。然而，本公开不限于此。在另一示例性实施例中，可以由相邻的像素共用信号线121、122、124和171、第一初始化电压线141和电源电压线172中的至少一个。
信号线包括用于传输第一扫描信号GW的第一扫描线121、用于传输第二扫描信号GI的第二扫描线122、用于传输发射控制信号EM的发射控制线124以及与第一扫描线121相交并传输数据信号DATA的数据线171。第一初始化电压线141可以传输用于使第一晶体管T1初始化的初始化电压Vint，并且电源电压线172可以将第一电源电压ELVDD传输至第一晶体管T1。
像素PX的像素电路PC可以包括多个晶体管T1至T7和电容器Cst。根据晶体管的类型(p-型或n-型)和/或操作条件，图2A和图2C的第一电极E11至E71和第二电极E12至E72可以是源电极(源极区)或漏电极(漏极区)。
第一晶体管T1包括栅电极G1、经由第五晶体管T5连接至电源电压线172的第一电极E11以及经由第六晶体管T6电连接至有机发光器件OLED的像素电极的第二电极E12。第一晶体管T1的栅电极G1经由节点N连接至电容器Cst的第一电极Cst1、第三晶体管T3的第二电极E32和第四晶体管T4的第二电极E42。第一晶体管T1用作驱动晶体管，并根据第二晶体管T2的开关操作接收数据信号DATA，以向有机发光器件OLED供应电流。
第二晶体管T2包括连接至第一扫描线121的栅电极G2、连接至数据线171的第一电极E21和连接至第一晶体管T1的第一电极E11的第二电极E22。第二晶体管T2响应于通过第一扫描线121接收的第一扫描信号GW而导通，并且执行开关操作以将传输至数据线171的数据信号DATA传输至第一晶体管T1的第一电极E11。
第三晶体管T3包括连接至第一扫描线121的栅电极G3、连接至第一晶体管T1的第二电极E12的第一电极E31以及连接至电容器Cst的第一电极Cst1、第四晶体管T4的第二电极E42和第一晶体管T1的栅电极G1的第二电极E32。第一电极E31经由第六晶体管T6连接至有机发光器件OLED的像素电极。第三晶体管T3响应于通过第一扫描线121接收的第一扫描信号GW而导通，以便以二极管方式连接第一晶体管T1。
第四晶体管T4包括连接至第二扫描线122的栅电极G4、连接至第一初始化电压线141的第一电极E41以及连接至电容器Cst的第一电极Cst1、第三晶体管T3的第二电极E32和第一晶体管T1的栅电极G1的第二电极E42。第四晶体管T4响应于通过第二扫描线122接收的第二扫描信号GI而导通，以将初始化电压Vint传输至第一晶体管T1的栅电极G1，从而使第一晶体管T1的栅极电压初始化。
第五晶体管T5包括连接至发射控制线124的栅电极G5、连接至电源电压线172的第一电极E51以及连接至第一晶体管T1的第一电极E11和第二晶体管T2的第二电极E22的第二电极E52。
第六晶体管T6包括连接至发射控制线124的栅电极G6、连接至第一晶体管T1的第二电极E12和第三晶体管T3的第一电极E31的第一电极E61以及连接至有机发光器件OLED的像素电极的第二电极E62。
第五晶体管T5和第六晶体管T6响应于通过发射控制线124接收的发射控制信号EM而同时导通，使得电流流向有机发光器件OLED。
第七晶体管T7包括连接至第二扫描线122的栅电极G7、连接至第六晶体管T6的第二电极E62和有机发光器件OLED的像素电极的第一电极E71以及连接至第一初始化电压线141的第二电极E72。第七晶体管T7响应于通过第二扫描线122接收的第二扫描信号GI而导通，以将初始化电压Vint传输至有机发光器件OLED的像素电极，从而使像素电极初始化。在另一示例性实施例中，可以省略第七晶体管T7。
电容器Cst可以包括连接至第一晶体管T1的栅电极G1的第一电极Cst1和连接至电源电压线172的第二电极Cst2。电容器Cst的第一电极Cst1还连接至第三晶体管T3的第二电极E32和第四晶体管T4的第二电极E42。
有机发光器件OLED可以包括像素电极、对向电极以及像素电极和对向电极之间的发光层。对向电极可以接收第二电源电压ELVSS。有机发光器件OLED接收来自第一晶体管T1的驱动电流Ioled，并且发光以显示图像。
在图2A中，第三晶体管T3和第四晶体管T4中的每一个具有一个栅电极。在另一示例性实施例中，参照图2B，第三晶体管T3可以包括双栅电极，并且两个晶体管可以被串联连接。同样地，第四晶体管T4可以包括双栅电极，并且两个晶体管可以被串联连接。
尽管在图2A中第四晶体管T4和第七晶体管T7连接至第二扫描线122，但是本公开不限于此。在另一示例性实施例中，第四晶体管T4可以连接至第二扫描线122，并且第七晶体管T7可以连接至单独的导线以便根据传输至所述导线的信号来驱动。
如图2C中所示，信号线还可以包括用于传输第三扫描信号GB的第三扫描线123。初始化电压线可以包括用于传输第一初始化电压Vint1的第一初始化电压线141和用于传输第二初始化电压Vint2的第二初始化电压线142。
第四晶体管T4包括连接至第二扫描线122的栅电极G4、连接至第一初始化电压线141的第一电极E41以及连接至电容器Cst的第一电极Cst1、第三晶体管T3的第二电极E32和第一晶体管T1的栅电极G1的第二电极E42。第四晶体管T4响应于通过第二扫描线122接收的第二扫描信号GI而导通，以将第一初始化电压Vint1传输至第一晶体管T1的栅电极G1，从而使第一晶体管T1的栅电极G1初始化。
第七晶体管T7包括连接至第三扫描线123的栅电极G7、连接至第六晶体管T6的第二电极E62和有机发光器件OLED的像素电极的第一电极E71以及连接至第二初始化电压线142的第二电极E72。第七晶体管T7响应于通过第三扫描线123接收的第三扫描信号GB而导通，以使有机发光器件OLED的像素电极初始化。在示例性实施例中，第三扫描线123可以是下一行的第二扫描线122，并且第三扫描信号GB可以是下一行的第二扫描信号GI。在另一示例性实施例中，可以省略第七晶体管T7。
在图2C中，第三晶体管T3和第四晶体管T4中的每一个具有一个栅电极。在另一示例性实施例中，参照图2D，第三晶体管T3可以包括双栅电极，并且两个晶体管可以被串联连接。同样地，第四晶体管T4可以包括双栅电极，并且两个晶体管可以被串联连接。
图3是有机发光显示装置的多个像素的发光区的示例性实施例的平面图。
布置在显示区DA中的多个像素可以包括第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3。第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3可以根据预定的图案在第一方向和第二方向上重复地布置。第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的每一个可以包括像素电路(参照图2A和图2C中的PC)以及电连接至像素电路的有机发光器件OLED。每个像素的有机发光器件OLED可以位于像素电路的上层上。有机发光器件OLED可以直接位于像素电路的顶部以与像素电路重叠，或者可以与像素电路偏移以与设置在相邻的行或列中的另一像素的像素电路部分地重叠。
图3示出了第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的每一个的发光区。发光区是其中设置有有机发光器件OLED的发光层的区域。发光区可以由像素限定层的开口来限定。稍后，将在下面对此进行描述。
第一像素PX1可以包括第一发光区EA1，第二像素PX2可以包括第二发光区EA2，并且第三像素PX3可以包括第三发光区EA3。
在奇数列中，第一像素PX1的第一发光区EA1和第三像素PX3的第三发光区EA3可以在第一方向上交替地布置。在偶数列中，第二像素PX2的第二发光区EA2可以在第一方向上重复地布置。在示例性实施例中，例如，在第一列1M中，第一像素PX1的第一发光区EA1和第三像素PX3的第三发光区EA3可以在第一方向上交替地布置。第二像素PX2的第二发光区EA2可以在与第一列1M相邻的第二列2M中在第一方向上重复地布置。在与第二列2M相邻的第三列3M中，与第一列1M相反，第三像素PX3的第三发光区EA3和第一像素PX1的第一发光区EA1可以在第一方向上交替地布置。
第一像素PX1的第一发光区EA1和第三像素PX3的第三发光区EA3在行1N、2N、……等中的每一行的第一子行1SN中在第二方向上布置，并且第二像素PX2的第二发光区EA2可以在第二子行2SN中在第二方向上重复地布置。即，在行1N、2N、……等中的每一行中，第一像素PX1的第一发光区EA1、第二像素PX2的第二发光区EA2、第三像素PX3的第三发光区EA3和第二像素PX2的第二发光区EA2可以以之字的方式交替地布置。
第一像素PX1的第一发光区EA1、第二像素PX2的第二发光区EA2和第三像素PX3的第三发光区EA3具有不同的面积。在示例性实施例中，第三像素PX3的第三发光区EA3可以大于第一像素PX1的第一发光区EA1。此外，第三像素PX3的第三发光区EA3可以大于第二像素PX2的第二发光区EA2。第一像素PX1的第一发光区EA1可以大于第二像素PX2的第二发光区EA2。在另一示例性实施例中，第三像素PX3的第三发光区EA3可以具有与第一像素PX1的第一发光区EA1相同的面积。然而，本公开不限于此。在示例性实施例中，例如，第一像素PX1的第一发光区EA1可以大于第二像素PX2的第二发光区EA2和第三像素PX3的第三发光区EA3，并且各种示例性实施例是可能的。
在示例性实施例中，第一发光区EA1、第二发光区EA2和第三发光区EA3可以具有诸如四边形、八边形等多边形形状、圆形形状和椭圆形形状等，其中，多边形可以包括其中顶点(vertex)被倒圆的形状。
在示例性实施例中，第一像素PX1可以是发射红光的红色像素R，第二像素PX2可以是发射绿光的绿色像素G，并且第三像素PX3可以是发射蓝光的蓝色像素B。在另一示例性实施例中，第一像素PX1可以是红色像素R，第二像素PX2可以是蓝色像素B，并且第三像素PX3可以是绿色像素G。
在本公开的示例性实施例中，像素布置可以是发光区的布置。本公开的像素布置不限于此。在示例性实施例中，本公开可以应用于具有例如条纹布置、马赛克布置和三角形(delta)布置的像素阵列。此外，本公开还可以应用于还包括发射白光的白色像素的像素阵列结构。
图4是示出像素的发光区和导电层之间的关系的示例性实施例的平面图。图5是图4中部分A的放大图。
参照图4和图5，显示区DA可以包括连接至多个像素PX(参照图1至图2A)的第二导线PL2。显示区DA还可以包括电连接至第二导线PL2的第一导线PL1。
第一导线PL1中的每一个在第一方向上延伸，并且可以连接至布置在同一列中的多个像素。在示例性实施例中，例如，沿着第一列1M延伸的第一导线PL1可以连接至交替地布置的第一像素PX1(参照图3)和第三像素PX3(参照图3)。沿着第二列2M延伸的第一导线PL1可以连接至第二像素PX2(参照图3)。第一导线PL1可以布置为在平面图中与像素的发光区重叠。第一导线PL1可以是对其施加恒定电压的导线。在示例性实施例中，例如，第一导线PL1可以是用于将第一电源电压ELVDD(参照图2A和图2C)传输至多个像素的电源电压线172。第一导线PL1可以在第二方向上以规则的间隔分开。
第二导线PL2可以是设置在与第一导线PL1不同的层上的导电层。第二导线PL2可以设置在第一导线PL1的上层上。第二导线PL2可以包括多个第一延伸部L1和多个第二延伸部L2。多个第一延伸部L1和多个第二延伸部L2可以是一体的。
多个第一延伸部L1在第一方向上延伸，并且可以连接至布置在同一列中的多个像素。第一延伸部L1可以包括第一子导线SPL1以及与第一子导线SPL1交替地布置的第二子导线SPL2。第一子导线SPL1沿着奇数列1M、3M、……等延伸，并且可以连接至第一像素PX1和第三像素PX3。第二子导线SPL2沿着偶数列2M、4M、……等延伸，并且可以连接至第二像素PX2。第一子导线SPL1可以具有第一宽度W1，并且第二子导线SPL2可以具有第二宽度W2。第一宽度W1和第二宽度W2可以相同。
第二延伸部L2在第二方向上延伸，并且可以分别连接至布置在同一行中的多个像素。第二延伸部L2中的每一个可以包括第三子导线SPL3以及与第三子导线SPL3交替地布置的第四子导线SPL4。第三子导线SPL3沿着第一子行1SN延伸，并且可以连接至第一像素PX1和第三像素PX3。第四子导线SPL4沿着第二子行2SN延伸，并且可以连接至第二像素PX2。第三子导线SPL3可以具有第三宽度W3，并且第四子导线SPL4可以具有第四宽度W4。第三宽度W3可以大于第四宽度W4。
第二导线PL2可以具有网格结构，其中，网格孔MSH通过使第一延伸部L1和第二延伸部L2相交来限定。第一延伸部L1与第二延伸部L2可以相交以形成交点C。交点C可以包括第一交点C1和第二交点C2。第一交点C1可以通过使第一子导线SPL1与第三子导线SPL3相交来提供。第二交点C2可以通过使第二子导线SPL2与第四子导线SPL4相交来提供。在示例性实施例中，例如，沿着第一列1M延伸的第一子导线SPL1可以与沿着第二方向延伸的第三子导线SPL3相交，以形成第一交点C1。此外，沿着第二列2M延伸的第二子导线SPL2可以与沿着第二方向延伸的第四子导线SPL4相交，以形成第二交点C2。
第二导线PL2可以通过多个第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2与第一导线PL1接触。在示例性实施例中，例如，第一子导线SPL1可以通过第一接触孔CNT1与第一导线PL1接触，并且第二子导线SPL2可以通过第二接触孔CNT2与第一导线PL1接触。当第二导线PL2接触第一导线PL1时，第二导线PL2可以提供与第一导线PL1相同的电压。在示例性实施例中，例如，第一导线PL1和第二导线PL2可以是用于传输第一电源电压ELVDD的导线。由于第二导线PL2提供在网格结构中，因此第一电源电压ELVDD可以均匀地提供在整个显示区DA(参照图1)中。
第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2布置为与第一导线PL1重叠，并且可以沿着第一导线PL1在第一方向上布置。第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2可以布置为不与在第一方向上布置的像素的发光区重叠。在示例性实施例中，例如，沿着第一列1M布置的第一接触孔CNT1可以布置在第一像素PX1的第一发光区EA1和第三像素PX3的第三发光区EA3周围。沿着第二列2M布置的第二接触孔CNT2可以布置在第二像素PX2的第二发光区EA2周围。在示例性实施例中，第一接触孔CNT1可以布置在其中第一子导线SPL1和第四子导线SPL4相交的交点处，或者布置在其中第一子导线SPL1和第四子导线SPL4相交的交点周围。第二接触孔CNT2可以布置在其中第二子导线SPL2和第三子导线SPL3相交的交点处，或者布置在其中第二子导线SPL2和第三子导线SPL3相交的交点周围。
可以采用根据所描述的示例性实施例的第二导线PL2、第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2的布置，以使得根据侧视角的不对称色移最小化。即，通过将第一延伸部L1和第二延伸部L2的交点C设计为在发光区EA中彼此重叠以提高多个像素的发光区EA的对称性。此外，通过将发光区EA、第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2设计为彼此不重叠，可以使第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2对像素的影响最小化。
第一像素PX1的第一像素电极151R、第二像素PX2的第二像素电极151G和第三像素PX3的第三像素电极151B可以布置在第二导线PL2上。第一像素PX1的第一像素电极151R和第三像素PX3的第三像素电极151B可以分别在第一方向和第二方向上交替地布置。第一像素PX1的第一像素电极151R和第三像素PX3的第三像素电极151B可以在奇数列中在第一方向上交替地布置，并且可以在行1N、2N、……等中的每一行的第一子行1SN中在第二方向上交替地布置。第二像素PX2的第二像素电极151G可以与第一像素电极151R和第三像素电极151B在对角线上间隔开，并且可以在第一方向和第二方向上重复地布置。第二像素PX2的第二像素电极151G可以在第一方向上在偶数列中重复地布置，并且可以在行1N、2N、……等的每一行中的第二子行2SN中在第二方向上重复地布置。
第一像素PX1的第一发光区EA1、第二像素PX2的第二发光区EA2和第三像素PX3的第三发光区EA3中的每个发光区可以是与第一像素电极151R、第二像素电极151G和第三像素电极151B中的每个像素电极的一部分相对应的区域。第一发光区EA1、第二发光区EA2和第三发光区EA3可以由像素限定层中提供的第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3限定。
第一开口OP1和第三开口OP3可以相对于第二导线PL2的第一交点C1垂直地且水平地对称。第二开口OP2可以相对于第二导线PL2的第二交点C2垂直地且水平地对称。
穿过第一开口OP1的中心Ct1、第二开口OP2的中心Ct2和第三开口OP3的中心Ct3中的每一个的假想直线可以平分第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3中的每一个的平面面积。即，穿过第一发光区EA1的中心Ct1、第二发光区EA2的中心Ct2和第三发光区EA3的中心Ct3中的每一个的假想直线可以平分第一发光区EA1、第二发光区EA2和第三发光区EA3中的每一个的平面面积。在示例性实施例中，例如，在第一方向上穿过第一像素PX1的第一发光区EA1的中心Ct1的第一直线ST11或者在第二方向上穿过第一像素PX1的第一发光区EA1的中心Ct1的第二直线ST21可以平分第一像素PX1的第一发光区EA1的平面面积。因此，由第一直线ST11平分的第一像素PX1的第一发光区EA1的平面右侧面积和平面左侧面积可以相同。此外，由第二直线ST21平分的第一像素PX1的第一发光区EA1的平面上侧面积和平面下侧面积可以相同。作为另一示例，在第一方向上穿过第二像素PX2的第二发光区EA2的中心Ct2的第一直线ST12或者在第二方向上穿过第二像素PX2的第二发光区EA2的中心Ct2的第二直线ST22可以平分第二像素PX2的第二发光区EA2的平面面积。因此，由第一直线ST12平分的第二像素PX2的第二发光区EA2的平面右侧面积和平面左侧面积可以相同。此外，由第二直线ST22平分的第二像素PX2的第二发光区EA2的平面上侧面积和平面下侧面积可以相同。作为另一示例，在第一方向上穿过第三像素PX3的第三发光区EA3的中心Ct3的第一直线ST13或者在第二方向上穿过第三像素PX3的第三发光区EA3的中心Ct3的第二直线ST23可以平分第三像素PX3的第三发光区EA3的平面面积。因此，由第一直线ST13平分的第三像素PX3的第三发光区EA3的平面右侧面积和平面左侧面积可以相同。此外，由第二直线ST23平分的第三像素PX3的第三发光区EA3的平面上侧面积和平面下侧面积可以相同。
第一像素PX1的第一发光区EA1和/或第三像素PX3的第三发光区EA3可以分别与第一交点C1中的任何一个重叠。第二像素PX2的第二发光区EA2可以与第二交点C2中的任何一个重叠。即，多个像素的发光区可以分别与交点之一重叠。
多个像素中的每个像素的发光区的中心Ct可以与第二导线PL2的交点C中的任何一个重叠。在示例性实施例中，例如，第一像素PX1的第一发光区EA1的中心Ct1和第三像素PX3的第三发光区EA3的中心Ct3可以分别与第一交点C1中的任何一个重叠。第二像素PX2的第二发光区EA2的中心Ct2可以与第二交点C2中的任何一个重叠。多个像素的发光区EA1、EA2和EA3的中心Ct可以与第一导线PL1重叠。
图6是示出像素的发光区和导电层之间的关系的另一示例性实施例的平面图。图7是图6中的部分A'的放大图。图8是沿着图7的线I-I'截取的剖视图，并且图9是沿着图7的线II-II'和线III-III'截取的剖视图。在图6和图7中，与图4中的附图标记相同的附图标记指示相同的元件，并且将省略重复描述。
参照图6和图7，显示区DA还可以包括与第一导线PL1位于同一层中的与第一导线PL1间隔开的节点电极NE。节点电极NE可以是用于连接像素电路PC(参照图2A和图2C)的晶体管的桥电极。节点电极NE对应于图2A和图2C中所示的节点N，并且可以传输信号。在示例性实施例中，例如，节点电极NE可以是连接第一晶体管T1的栅电极G1、第三晶体管T3的第二电极E32和第四晶体管T4的第二电极E42的桥电极。
节点电极NE可以沿着第一子行1SN为每个像素布置。节点电极NE可以在第一方向上基本上平行于第一导线PL1延伸，并且可以具有第一长度L。节点电极NE可以通过两端处的第三接触孔CNT3电连接至少两个晶体管。
第二导线PL2的第三子导线SPL3可以与节点电极NE重叠。第三子导线SPL3可以具有第三宽度W3，该第三宽度W3覆盖位于节点电极NE的两端处的第三接触孔CNT3之间的至少第二长度L'。即，第三子导线SPL3的第三宽度W3可以等于或大于节点电极NE的第二长度L'。在图7中，第三子导线SPL3的第三宽度W3基本上等于节点电极NE的第一长度L。在另一示例性实施例中，第三子导线SPL3的第三宽度W3覆盖节点电极NE的全部第一长度L，并且可以等于或大于第一长度L。
第一像素PX1的第一发光区EA1可以对应于第一像素电极151R被像素限定层的第一开口OP1暴露的区域。第二像素PX2的第二发光区EA2可以对应于第二像素电极151G被像素限定层的第二开口OP2暴露的区域。第三像素PX3的第三发光区EA3可以对应于第三像素电极151B被像素限定层的第三开口OP3暴露的区域。
第一像素PX1的第一像素电极151R可以与第二导线PL2的第一交点C1中的任何一个重叠。第二像素PX2的第二像素电极151G可以与第二导线PL2的第二交点C2中的任何一个重叠。第三像素PX3的第三像素电极151B可以与第二导线PL2的第一交点C1中的任何一个重叠。即，多个像素的像素电极可以分别与交点中的任何一个重叠。
像素限定层的多个开口中的每个开口的中心Ct可以是多个像素中的每个像素的发光区的中心Ct。多个开口的中心Ct可以与第二导线PL2的交点C中的任何一个重叠。第一开口OP1的中心Ct1和第三开口OP3的中心Ct3中的每一个可以与第一交点C1中的任何一个重叠。第二开口OP2的中心Ct2可以与第二交点C2中的任何一个重叠。多个开口中的每个开口的中心Ct可以与第一导线PL1重叠。
第一像素PX1的第一像素电极151R和第三像素PX3的第三像素电极151B可以与至少一个节点电极NE至少部分地重叠。第一像素PX1的第一像素电极151R和第三像素PX3的第三像素电极151B可以与布置在第一交点C1的左侧和右侧的每个节点电极NE至少部分地重叠。在示例性实施例中，例如，第一像素PX1的第一像素电极151R可以与位于第一交点C1的右侧的第一像素PX1的节点电极NE以及与第一交点C1的左侧相邻的列的第二像素PX2的节点电极NE部分地重叠。第三像素PX3的第三像素电极151B可以与位于第一交点C1的右侧的第三像素PX3的节点电极NE以及与第一交点C1的左侧相邻的列的第二像素PX2的节点电极NE部分地重叠。第三子导线SPL3可以设置在第一像素电极151R和节点电极NE之间以及第三像素电极151B和节点电极NE之间的层中。
由于第二像素PX2的节点电极NE与第一像素PX1的第一像素电极151R或者与第二像素PX2相邻的第三像素PX3的第三像素电极151B部分地重叠，因此在第二像素PX2的节点电极NE和相邻像素的像素电极之间会产生串扰。在示例性实施例中，通过在第二像素PX2的节点电极NE与相邻像素的像素电极之间设置第三子导线SPL3作为屏蔽构件，可以使第二像素PX2的节点电极NE与从相邻像素的像素电路PC偏移的相邻像素的像素电极之间的串扰现象最小化。
将参照图8和图9描述根据所示示例性实施例的显示装置的堆叠结构以及节点电极NE、第一导线PL1和第二导线PL2的位置关系。
基底100可以包括诸如玻璃材料、金属材料或塑料材料等的各种材料。在示例性实施例中，可以是柔性基底的基底100可以包括聚合物树脂，诸如聚醚砜(“PES”)、聚丙烯酸酯(“PA”)、聚醚酰亚胺(“PEI”)、聚萘二甲酸乙二醇酯(“PEN”)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(“PET”)、聚苯硫醚(“PPS”)、多芳基化合物(“PAR”)、聚酰亚胺(“PI”)、聚碳酸酯(“PC”)或醋酸丙酸纤维素(“CAP”)。基底100可以具有多层结构，所述多层结构包括包含上述聚合物树脂的层和无机层(未示出)。
缓冲层110可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料或有机-无机复合材料，并且可以具有包括无机材料和/或有机材料的单层结构或多层结构。阻挡层(未示出)还可以介于基底100和缓冲层110之间以阻挡外部材料的渗透。在另一示例性实施例中，可以省略缓冲层110。
每个像素的像素电路和电连接至像素电路的有机发光器件OLED可以布置在基底100上。像素电路可以包括第一薄膜晶体管(“TFT”)DT、第二TFT ST和电容器Cst。第一TFTDT可以是驱动晶体管，并且第二TFT ST可以是开关晶体管。
有机发光器件OLED电连接至像素电路的事实可以是像素电极151R、151G和151B电连接至第一TFT DT或第二TFT ST。第一TFT DT可以是图2A和图2C的第一晶体管T1，并且第二TFT ST可以是第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7之一。
第一TFT DT可以包括半导体层ACT1和栅电极GE1。第二TFT ST可以包括半导体层ACT2和栅电极GE2。半导体层ACT1和ACT2可以包括非晶硅、多晶硅或有机半导体材料。在另一示例性实施例中，例如，半导体层ACT1和ACT2可以包括铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)中的至少一种的氧化物。半导体层ACT1和ACT2可以包括源极区、漏极区以及源极区和漏极区之间的沟道区。在示例性实施例中，第一TFT DT和第二TFT ST的源极区和漏极区可以分别是源电极和漏电极。在另一示例性实施例中，第一TFT DT和第二TFT ST还可以包括分别接触源极区和漏极区的源电极和漏电极。
在示例性实施例中，例如，栅电极GE1和GE2可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种，并且可以是单层或多层。
第一绝缘层111可以介于半导体层ACT1和ACT2与栅电极GE1和GE2之间。第一绝缘层111可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO2)。第一绝缘层111可以是包括上述无机绝缘材料的单层或多层。
第二绝缘层112可以位于栅电极GE1和GE2上方，并且覆盖栅电极GE1和GE2。在示例性实施例中，第二绝缘层112可以包括无机绝缘材料，诸如SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO2。第二绝缘层112可以是包括上述无机绝缘材料的单层或多层。
电容器Cst包括彼此重叠的下部电极CE1和上部电极CE2，第二绝缘层112介于下部电极CE1和上部电极CE2之间。电容器Cst可以与第一TFT DT重叠。图8示出了第一TFT DT的栅电极GE1是电容器Cst的下部电极CE1。在另一示例性实施例中，电容器Cst可以不与第一TFT DT重叠。在示例性实施例中，例如，电容器Cst的上部电极CE2可以包括Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和/或Cu，并且可以是上述材料的单层或多层。电容器Cst可以覆盖有第三绝缘层113。
在示例性实施例中，例如，第三绝缘层113可以包括SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO2。第三绝缘层113可以是包括上述无机绝缘材料的单层或多层。
第一导线PL1和节点电极NE可以位于第三绝缘层113上。在示例性实施例中，第一导线PL1可以包括诸如Mo、Al、Cu和Ti的导电材料，并且可以是包括上述材料的单层或多层。在示例性实施例中，例如，第一导线PL1可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。节点电极NE可以设置在与第一导线PL1相同的层中，并且可以包括与第一导线PL1的材料相同的材料。节点电极NE可以包括包含Mo、Al、Cu或Ti等的导电材料，并且可以是包括上述材料的单层或多层。可以为每个像素布置第一导线PL1和节点电极NE。图8示出了其中节点电极NE连接第一TFTDT的栅电极GE1和第二TFT ST的半导体层ACT2的示例。
尽管未示出，但是源电极和漏电极还可以位于与第一导线PL1相同的层中，即，位于第三绝缘层113上。此外，数据线还可以位于与第一导线PL1相同的层中，即，位于第三绝缘层113上。数据线可以在平行于第一导线PL1的第一方向上延伸。可以为每个像素设置数据线。
包括第一TFT DT和第二TFT ST以及电容器Cst的像素电路可以覆盖有第四绝缘层114和第五绝缘层115。第四绝缘层114可以位于第三绝缘层113上，以覆盖第一导线PL1和节点电极NE。第二导线PL2可以位于第四绝缘层114上。第四绝缘层114可以具有平坦的顶表面，使得其上的第二导线PL2可以被平坦地提供。第五绝缘层115可以位于第四绝缘层114上以覆盖第二导线PL2。
第四绝缘层114和第五绝缘层115可以是作为平坦化绝缘层的有机绝缘层。第四绝缘层114和第五绝缘层115可以是构成包括有机材料或无机材料的膜的单层或多层。在示例性实施例中，第四绝缘层114和第五绝缘层115可以包括通用聚合物，诸如苯并环丁烯(“BCB”)、聚酰亚胺(“PI”)、六甲基二硅醚(“HMDSO”)、聚甲基丙烯酸甲酯(“PMMA”)和聚苯乙烯(“PS”)、包括酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺聚合物、芳基醚聚合物、酰胺聚合物、基于氟的聚合物、基于对二甲苯的聚合物、乙烯醇聚合物或它们的混合物。在另一示例性实施例中，第四绝缘层114和第五绝缘层115可以包括无机绝缘材料，诸如SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO2。
在示例性实施例中，例如，第二导线PL2可以包括Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和/或Cu，并且可以是上述材料的单层或多层。第二导线PL2的第一子导线SPL1和第二子导线SPL2可以与第一导线PL1重叠。
第二导线PL2可以通过穿过第四绝缘层114的第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2与第一导线PL1接触。第二导线PL2的第一子导线SPL1可以通过穿过第四绝缘层114的第一接触孔CNT1与第一导线PL1接触。第二导线PL2的第二子导线SPL2可以通过穿过第四绝缘层114的第二接触孔CNT2与第一导线PL1接触。
第一接触孔CNT1可以在第一像素PX1的第一像素电极151R与第三像素PX3的第三像素电极151B之间沿着第一方向被布置。第二接触孔CNT2可以在第二像素PX2的第二像素电极151G之间沿着第一方向布置。在每一行中，第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2可以在第二方向上以之字的方式交替地布置。
有机发光器件OLED可以位于第五绝缘层115上。有机发光器件OLED可以包括像素电极151、中间层152R、152G和152B以及对向电极153。
第一像素电极151R、第二像素电极151G和第三像素电极151B位于第五绝缘层115上。在示例性实施例中，第一像素电极151R、第二像素电极151G和第三像素电极151B可以包括导电氧化物，诸如氧化铟锡(“ITO”)、氧化铟锌(“IZO”)、氧化锌(“ZnO”)、氧化铟(“In2O3”)、氧化铟镓(“IGO”)或氧化铝锌(“AZO”)。在另一示例性实施例中，例如，第一像素电极151R、第二像素电极151G和第三像素电极151B可以包括反射层，所述反射层包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的组合。在另一示例性实施例中，第一像素电极151R、第二像素电极151G和第三像素电极151B还可以包括位于反射膜上方/下方的包含ITO、IZO、ZnO或In2O3的膜。在一些示例性实施例中，例如，可以以堆叠有ITO/Ag/ITO的结构提供第一像素电极151R、第二像素电极151G和第三像素电极151B。
第六绝缘层116可以位于第五绝缘层115上。第六绝缘层116可以覆盖第一像素电极151R的边缘、第二像素电极151G的边缘和第三像素电极151B的边缘。第六绝缘层116可以是像素限定层，所述像素限定层通过限定与第一像素电极151R、第二像素电极151G和第三像素电极151B中的每个像素电极的一部分对应的第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3来限定第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3的发光区。第六绝缘层116可以通过增加第一像素电极151R的边缘、第二像素电极151G的边缘和第三像素电极151B的边缘与对向电极153之间的距离来防止在第一像素电极151R的边缘、第二像素电极151G的边缘和第三像素电极151B的边缘处产生电弧。在示例性实施例中，第六绝缘层116可以包括有机绝缘材料，诸如PI、聚酰胺、丙烯酸树脂、BCB、HMDSO和酚醛树脂。
第一像素电极151R、第二像素电极151G和第三像素电极151B中的每一个可以与第一导线PL1和第二导线PL2至少部分地重叠。第一像素PX1的第一像素电极151R和第三像素PX3的第三像素电极151B可以与节点电极NE至少部分地重叠。作为第一像素PX1的发光区的第六绝缘层116的第一开口OP1或者作为第三像素PX3的发光区的第六绝缘层116的第三开口OP3可以与至少一个节点电极NE至少部分地重叠。第六绝缘层116的第一开口OP1或第三开口OP3可以与两个节点电极NE至少部分地重叠。第二开口OP2不与节点电极NE重叠。
第二导线PL2设置在第二像素PX2的节点电极NE与第一像素电极151R之间以及第二像素PX2的节点电极NE与第三像素电极151B之间。因此，即使当第二像素PX2的节点电极NE与像素电极或相邻像素的发光区重叠时，也可以使对第二像素PX2的亮度的影响最小化。
包括发光层的中间层152R、152G和152B位于由第六绝缘层116的第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3暴露的第一像素电极151R、第二像素电极151G和第三像素电极151B上。
中间层152R、152G和152B包括发光层。发光层可以包括发射预定颜色的光的聚合物或低分子有机材料。在示例性实施例中，中间层152R、152G和152B可以包括在发光层的下方的第一功能层和/或在发光层上方的第二功能层。第一功能层和/或第二功能层可以包括位于多个第一像素电极151R、第二像素电极151G和第三像素电极151B上方的一体层，并且可以包括与多个第一像素电极151R、第二像素电极151G和第三像素电极151B中的每一个对应的图案化层。
第一功能层可以是单层或多层。在示例性实施例中，当第一功能层包括聚合物材料时，例如，第一功能层可以是具有单层结构的空穴传输层(“HTL”)，并且可以包括聚-(3,4-乙烯二氧噻吩)(“PEDOT”)或聚苯胺(“PANI”)。当第一功能层包括低分子材料时，第一功能层可以包括空穴注入层(“HIL”)和HTL。
第二功能层是可选的。在示例性实施例中，当第一功能层和发光层包括聚合物材料时，例如，优选地形成第二功能层以改善有机发光器件的特性。第二功能层可以是单层或多层。第二功能层可以包括电子传输层(“ETL”)和/或电子注入层(“EIL”)。
对向电极153面对第一像素电极151R、第二像素电极151G和第三像素电极151B，中间层152R、152G和152B介于对向电极153与第一像素电极151R、第二像素电极151G和第三像素电极151B之间。对向电极153可以包括具有低功函数的导电材料。在示例性实施例中，例如，对向电极153可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的合金的(半)透明电极。在可替代的示例性实施例中，对向电极153还可以包括位于包含上述材料的(半)透明层上的诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。
对向电极153可以与显示区DA中的多个有机发光器件OLED一体化，以面对多个第一像素电极151R、第二像素电极151G和第三像素电极151B。
虽然未示出，但是覆盖层可以设置在对向电极153上，以在保护对向电极153的同时提高光提取效率。覆盖层可以包括LiF。在可替代的示例性实施例中，覆盖层可以包括诸如氮化硅的无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。在一些示例性实施例中，可以省略覆盖层。
此外，密封构件还可以设置在对向电极153上，以保护多个有机发光器件OLED免受外部材料的影响。密封构件可以设置有薄膜封装层，所述薄膜封装层包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在示例性实施例中，无机封装层可以包括一种或多种无机绝缘材料，诸如氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅。有机封装层可以包括基于聚合物的材料。基于聚合物的材料的示例可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。薄膜封装层可以具有其中堆叠有第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层的结构。在可替代的示例性实施例中，可以使用通过密封剂或玻璃料接合到基底100的密封基底作为密封构件。
在密封构件上，还可以布置组件，所述组件诸如用于感测触摸输入的输入感测构件、包括偏振器和延迟器或滤色器和黑矩阵的防反射构件以及透明窗口。
图10是示出像素的发光区和导电层之间的关系的另一示例性实施例的平面图。在图10中，与图4和图6中的附图标记相同的附图标记指示相同的元件，并且将省略重复描述。
参照图10，第二导线PL2'可以包括在第一方向上延伸的第一延伸部L1和在第二方向上延伸的第二延伸部L2'。第一延伸部L1可以包括第一子导线SPL1以及与第一子导线SPL1交替布置的第二子导线SPL2。
第二延伸部L2'沿着第一子行1SN延伸，并且可以连接至第一像素PX1和第三像素PX3。第一像素PX1的第一发光区EA1和第三像素PX3的第三发光区EA3可以设置在第二延伸部L2'与第一子导线SPL1之间的交点上。像素限定层的第一开口OP1和第三开口OP3的中心中的每个中心可以与第二延伸部L2'和第一子导线SPL1之间的交点中的一个交点重叠。即，像素限定层的第一开口OP1和第三开口OP3可以设置在第二延伸部L2'与第一子导线SPL1之间的交点处。第二延伸部L2'不穿过第二像素PX2的第二发光区EA2，因此，与图6中所示的示例性实施例不同，可以不提供第二延伸部L2'和第二子导线SPL2相交所在的第二交点C2。因此，在第一像素PX1的第一发光区EA1和第三像素PX3的第三发光区EA3的下方在第一方向和第二方向上提供第二导线PL2'。然而，第二导线PL2'可以仅在第一方向上设置在第二像素PX2的第二发光区EA2的下方。
图10的示例性实施例可以减小第二导线PL2'和下层的其他导线的重叠面积，从而减小第二导线PL2'和下层导线之间的短路的可能性。在示例性实施例中，例如，可以减小第二导线PL2'和数据线的重叠面积，从而减小第二导线PL2'和数据线之间的短路的可能性，并减小数据线上的负载。
图11是构成像素的元件的位置的示例性实施例的平面图。图12至图17是图11的元件的平面图。
图11可以与图2C中所示的像素的平面图对应。在图11至图17中，本文中将不给出与参照图8和图9描述的层相同的构造的详细描述。图2C中所示的第一晶体管T1至第七晶体管T7可以实现为TFT。
半导体层可以位于基底100的缓冲层110上。半导体层可以具有各种形状中的弯曲形状，并且第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3可以包括相同形状的半导体层。在下文中，当第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3的各个层具有相同的形状时，不对它们单独地描述。
如图12中所示，半导体层可以包括第一晶体管T1的沟道区131a、第二晶体管T2的沟道区131b、第三晶体管T3的沟道区131c1和131c2、第四晶体管T4的沟道区131d1和131d2、第五晶体管T5的沟道区131e、第六晶体管T6的沟道区131f和第七晶体管T7的沟道区131g。即，将理解的是，第一晶体管T1至第七晶体管T7的每个沟道区是半导体层的一部分。第一晶体管T1的沟道区131a具有曲线，使得施加到栅电极的栅极电压的驱动范围可以被加宽。在示例性实施例中，例如，第一晶体管T1的沟道区131a的形状可以是
Figure BDA0002465652380000241
“S”、“M”和“W”等。第七晶体管T7的沟道区131g可以是在下一行中延伸的半导体层的一部分。
第一晶体管T1至第七晶体管T7的半导体层中的每个半导体层可以包括沟道区以及位于沟道区的两侧的源极区和漏极区。如图12中所示，半导体层可以包括第一晶体管T1的源极区176a和漏极区177a、第二晶体管T2的源极区176b和漏极区177b、第三晶体管T3的源极区176c和漏极区177c、第四晶体管T4的源极区176d和漏极区177d、第五晶体管T5的源极区176e和漏极区177e、第六晶体管T6的源极区176f和漏极区177f以及第七晶体管T7的源极区176g和漏极区177g。在某些情况下，源极区或漏极区可以是晶体管的源电极或漏电极。即，例如，第一晶体管T1的源电极和漏电极可以分别对应于图12中所示的半导体层中的沟道区131a附近的掺杂有杂质的源极区176a和漏极区177a。第一绝缘层111可以位于半导体层上。
如图13中所示，第一晶体管T1的栅电极125a、第二晶体管T2的栅电极125b、第三晶体管T3的栅电极125c(包括栅电极125c1和125c2)、第四晶体管T4的栅电极125d(包括栅电极125d1和125d2)、第五晶体管T5的栅电极125e、第六晶体管T6的栅电极125f和晶体管T7的栅电极125g可以位于第一绝缘层111上方。此外，在第一绝缘层111上，第一扫描线121、第二扫描线122、第三扫描线123和发射控制线124可以在第二方向上延伸，第一扫描线121、第二扫描线122、第三扫描线123和发射控制线124具有与第一晶体管T1至第七晶体管T7的栅电极的材料相同的材料，并且位于与第一晶体管T1至第七晶体管T7的栅电极相同的层中。第三扫描线123可以是下一行的第二扫描线122。
第二晶体管T2的栅电极125b和第三晶体管T3的栅电极125c(包括栅电极125c1和125c2)可以是第一扫描线121的与半导体层相交的部分或者从第一扫描线121突出的部分。第四晶体管T4的栅电极125d(包括栅电极125d1和125d2)可以是第二扫描线122的与半导体层相交的部分或者从第二扫描线122突出的部分。第五晶体管T5的栅电极125e和第六晶体管T6的栅电极125f可以是发射控制线124的与半导体层相交的部分或者从发射控制线124突出的部分。第七晶体管T7的栅电极125g可以是第三扫描线123的与下一行中的半导体层相交的部分或者从第三扫描线123突出的部分。第一晶体管T1的栅电极125a可以是岛型。第一晶体管T1的栅电极125a可以是作为电容器Cst的第一电极的下部电极CE1(参照图8)。第二绝缘层112可以位于第一晶体管T1至第七晶体管T7的栅电极上方。
如图14中所示，作为电容器Cst的第二电极的上部电极CE2可以位于第二绝缘层112(参照图8)上方。开口27可以被限定在电容器Cst的上部电极CE2中。节点电极NE可以通过开口27电连接至电容器Cst的下部电极CE1和第三晶体管T3的漏极区177c。第一像素PX1的电容器Cst的上部电极CE2、第二像素PX2的电容器Cst的上部电极CE2和第三像素PX3的电容器Cst的上部电极CE2可以彼此连接。
在第二绝缘层112上，第一初始化电压线141和第二初始化电压线142可以位于与电容器Cst的上部电极CE2相同的层中。第一初始化电压线141和第二初始化电压线142可以在第二方向上延伸，并且在第一方向上彼此间隔开。屏蔽构件150还可以位于第二绝缘层112上方。屏蔽构件150可以与第三晶体管T3的漏极区177c的一部分和第四晶体管T4的漏极区177d的一部分重叠。
第三绝缘层113可以位于电容器Cst的上部电极CE2上方。
如图15中所示，数据线171和电源电压线172可以位于第三绝缘层113上方。数据线171可以通过限定在第一绝缘层111、第二绝缘层112和第三绝缘层113中的接触孔164连接至第二晶体管T2的源极区176b。电源电压线172可以通过限定在第三绝缘层113中的接触孔168连接至电容器Cst的上部电极CE2，通过限定在第一绝缘层111、第二绝缘层112和第三绝缘层113中的接触孔169连接至屏蔽构件150，并且通过限定在第一绝缘层111、第二绝缘层112和第三绝缘层113中的接触孔165连接至下部半导体层。电源电压线172可以是第一导线PL1。即，在第一方向上延伸的第一导线PL1连接至在第二方向上延伸的电容器Cst的上部电极CE2，使得第一导线PL1可以具有网格结构。
在第三绝缘层113上还可以布置有各种导电层。在示例性实施例中，例如，节点电极NE和连接构件173、174和175可以设置在第三绝缘层113上。节点电极NE的一端通过限定在第一绝缘层111、第二绝缘层112和第三绝缘层113中的接触孔CNT31连接至第三晶体管T3的漏极区177c和第四晶体管T4的漏极区177d，并且节点电极NE的另一端通过限定在第二绝缘层112和第三绝缘层113中的接触孔CNT32连接至第一晶体管T1的栅电极125a。节点电极NE的另一端通过限定在电容器Cst的上部电极CE2中的开口27连接至第一晶体管T1的栅电极125a(或电容器Cst的下部电极CE1)。连接构件173的一端可以通过限定在第三绝缘层113中的接触孔161连接至第一初始化电压线141，并且连接构件173的另一端可以通过限定在第一绝缘层111、第二绝缘层112和第三绝缘层113中的接触孔162连接至第四晶体管T4的源极区176d。连接构件174的一端通过限定在第三绝缘层113中的接触孔166连接至第二初始化电压线142，并且连接构件174的另一端通过限定在第一绝缘层111、第二绝缘层112和第三绝缘层113中的接触孔167连接至第七晶体管T7的漏极区177g。连接构件175可以通过限定在第一绝缘层111、第二绝缘层112和第三绝缘层113中的接触孔163连接至第六晶体管T6的漏极区177f。连接构件175可以电连接至像素电极151。
第四绝缘层114可以位于数据线171和电源电压线172上方。如图8中所示，第二导线PL2可以位于第四绝缘层114上方。第二导线PL2可以包括在第一方向上的第一延伸部L1和在第二方向上的第二延伸部L2。第一延伸部L1可以包括第一子导线SPL1和第二子导线SPL2。第二延伸部L2可以包括第三子导线SPL3和第四子导线SPL4。第三子导线SPL3和第四子导线SPL4可以与第一扫描线121、第二扫描线122、第三扫描线123和发射控制线124中的至少一个部分地重叠。
连接电极CM还可以位于第四绝缘层114上方。连接电极CM可以是用于将有机发光器件OLED与晶体管连接的电极。连接电极CM可以是用于将第一像素电极151R、第二像素电极151G和第三像素电极151B中的每一个与晶体管的源电极或漏电极连接的电极。连接电极CM可以通过穿过第四绝缘层114的第四接触孔CNT4连接至连接构件175而连接至第六晶体管T6的漏极区177f。
连接电极CM可以包括与第二导线PL2相同的材料，并且可以设置在与第二导线PL2相同的层中。在示例性实施例中，例如，连接电极CM可以包括Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和/或Cu，并且可以是上述材料的单层或多层。连接电极CM可以在平面图中与像素限定层的第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3部分地重叠，即，与第一发光区EA1、第二发光区EA2和第三发光区EA3部分地重叠。
第五绝缘层115可以位于第二导线PL2上方。有机发光器件OLED可以位于第五绝缘层115上方。如图8和图9中所示，有机发光器件OLED可以包括像素电极151R、151G和151B、对向电极153以及介于像素电极151与对向电极153之间的中间层152R、152G和152B。
图17是示出第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3的像素电极151R、151G和151B、第一导线PL1和第二导线PL2之间关系的视图。
第一导线PL1可以是电源电压线172。节点电极NE可以位于与第一导线PL1相同的层中。节点电极NE可以在第一导线PL1之间被彼此间隔开。
第二导线PL2可以与第一导线PL1重叠。第二导线PL2可以通过第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2电连接至第一导线PL1。第二导线PL2可以与节点电极NE至少部分地重叠。第二导线PL2可以位于节点电极NE与第一像素电极151R之间或者节点电极NE与第三像素电极151B之间的层上。
第一像素PX1的第一像素电极151R可以与第一像素PX1的节点电极NE以及与第一像素PX1的左侧相邻的列的第二像素PX2的节点电极NE部分地重叠(未示出)。第三像素PX3的第三像素电极151B可以与第三像素PX3的节点电极NE以及与第三像素PX3的左侧相邻的列的第二像素PX2的节点电极NE部分地重叠。
第六绝缘层116的第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3可以分别与第二导线PL2的交点中的一个交点重叠。在另一示例性实施例中，如图10中所示，第一开口OP1和第三开口OP3中的每一个可以与第二导线PL2的交点中的一个交点重叠，并且第二开口OP2可以不与第二导线PL2的交点重叠。此处，第二开口OP2可以仅与第二导线PL2的第二子导线SPL2重叠。
根据本公开的各种示例性实施例，在保持像素之间的一致性特性的同时，使有机发光显示装置的不对称色移现象最小化，从而确保右侧WAD和左侧WAD的一致性。然而，本公开的范围不限于该效果。
应当理解的是，本文中描述的实施例应当被认为仅是描述性的，而非出于限制的目的。通常，在每个示例性实施例中的特征的描述应当被认为可用于其他示例性实施例中的其他类似特征。虽然已经参照附图描述了示例性实施例，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离由本公开所限定的精神和范围的情况下，在其中可以在形式和细节上进行各种改变。

Claims (20)

1.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：
多个节点电极；
导电层，位于所述多个节点电极上方，并且包括在第一方向上延伸的第一延伸部和在与所述第一方向相交的第二方向上延伸的第二延伸部；
多个像素电极，位于所述导电层上方；以及
绝缘层，覆盖所述多个像素电极中的每个像素电极的边缘，
其中，在所述绝缘层中限定有分别与所述多个像素电极中的每个像素电极的一部分对应的多个开口，
所述多个开口中的每个开口的中心与介于所述第一延伸部和所述第二延伸部之间的交点中的一个交点重叠，并且
所述导电层与所述多个节点电极重叠。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一延伸部包括第一子导线以及与所述第一子导线交替地布置的第二子导线，并且
所述第二延伸部包括第三子导线以及与所述第三子导线交替地布置的第四子导线。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述第三子导线与所述多个节点电极重叠。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述第三子导线的宽度大于所述第四子导线的宽度。
5.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述多个像素电极包括发射第一颜色的第一像素的第一像素电极、发射第二颜色的第二像素的第二像素电极和发射第三颜色的第三像素的第三像素电极，
其中，所述第一像素电极和所述第三像素电极在所述第一方向和所述第二方向上交替地布置，并且
所述第二像素电极在所述第一方向和所述第二方向上重复地布置，并且在对角线方向上与所述第一像素电极和所述第三像素电极分开。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，
所述第一像素电极和所述第三像素电极分别与位于所述第一子导线与所述第三子导线之间的交点的相对侧处的所述节点电极重叠。
7.根据权利要求5所述的显示装置，其中，
所述绝缘层的所述多个开口包括与所述第一像素电极的一部分对应的第一开口、与所述第二像素电极的一部分对应的第二开口以及与所述第三像素电极的一部分对应的第三开口。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，
所述第一开口的中心和所述第三开口的中心中的每个中心与介于所述第一子导线和所述第三子导线之间的第一交点中的一个第一交点重叠，并且
所述第二开口的中心与介于所述第二子导线和所述第四子导线之间的第二交点中的一个第二交点重叠。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
多条导线，所述多条导线在与所述多个节点电极相同的层中在所述第一方向上延伸，并且电连接至所述导电层。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，
所述多个节点电极在所述第二方向上介于所述多条导线之间。
11.根据权利要求9所述的显示装置，其中，
所述多条导线将电源电压传输至像素。
12.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：
多个节点电极；
导电层，位于所述多个节点电极上方，并且包括在第一方向上延伸的第一延伸部和在与所述第一方向相交的第二方向上延伸的第二延伸部；
多个像素电极，位于所述导电层上方；以及
绝缘层，覆盖所述多个像素电极中的每个像素电极的边缘，
其中，在所述绝缘层中限定有分别与所述多个像素电极中的每个像素电极的一部分对应的多个开口，
所述多个开口中的每个第一开口的中心与介于所述第一延伸部和所述第二延伸部之间的交点中的一个交点重叠，所述多个开口中的每个第二开口的中心不与所述交点重叠，并且
所述导电层与所述多个节点电极重叠。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，
所述第二延伸部与所述多个节点电极重叠。
14.根据权利要求12所述的显示装置，其中，
所述第一延伸部包括第一子导线以及与所述第一子导线交替地布置的第二子导线。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，
所述多个像素电极包括发射第一颜色的第一像素的第一像素电极、发射第二颜色的第二像素的第二像素电极和发射第三颜色的第三像素的第三像素电极，
其中，所述第一像素电极和所述第三像素电极在所述第一方向和所述第二方向上交替地布置，并且
所述第二像素电极在所述第一方向和所述第二方向上重复地布置，并且在对角线方向上与所述第一像素电极和所述第三像素电极分开。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，
所述第一像素电极和所述第三像素电极分别与位于所述第一子导线与所述第二延伸部之间的交点的相对侧处的节点电极重叠。
17.根据权利要求15所述的显示装置，其中，
所述第一开口包括与所述第一像素电极的一部分对应的开口和与所述第三像素电极的一部分对应的开口，并且
所述第二开口包括与所述第二像素电极的一部分对应的开口。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其中，
所述第一开口中的每个第一开口的中心与介于所述第一子导线和所述第二延伸部之间的交点中的一个交点重叠。
19.根据权利要求12所述的显示装置，其中，
所述显示装置还包括：多条导线，所述多条导线在与所述多个节点电极相同的层中在所述第一方向上延伸，并且电连接至所述导电层。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，
所述多个节点电极在所述第二方向上介于所述多条导线之间。
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