CN111902518A - 红色荧光体及发光装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种红色荧光体，其由通式：MSiAlN3(其中，M为选自Mg、Ca、Sr、Ba中的至少1种以上的元素)表示，M的一部分被Eu置换，且以与CaAlSiN3晶相相同的晶体结构作为主晶，所述红色荧光体的体积密度为0.70g/cm3以上且2.30g/cm3以下。另外，提供一种发光元件，其具有前述红色荧光体和能激发前述红色荧光体的半导体发光元件。

Description

红色荧光体及发光装置
技术领域
本发明涉及LED(发光二极管，Light Emitting Diode)或LD(激光二极管，LaserDiode)用的红色荧光体、及使用该红色荧光体的发光装置。
背景技术
白色LED是通过半导体发光元件与荧光体的组合而发出伪白光的器件，作为其代表性的例子，已知有蓝色LED与YAG黄色荧光体的组合。然而，该方式的白色LED虽然按照其色度坐标值落入白色区域，但由于红色发光成分不足，因此存在照明用途中演色性低、液晶背光这种图像显示装置中色彩再现性差的问题。因此，为了弥补不足的红色发光成分，提出了与YAG荧光体一起并用发出红色光的氮化物或氮氧化物荧光体(专利文献1)。
作为发出红色光的氮化物荧光体，以具有与CaAlSiN3(一般也记为CASN)相同的晶体结构的无机化合物作为主晶、并用例如Eu2+等光学活性的元素对其进行活化的荧光体是已知的。专利文献2中记载了用Eu2+对CASN的主晶进行活化而制成的荧光体(即Eu活化的CASN荧光体)以高亮度发光。由于CASN荧光体的发光色即使在红色区域也包括大量更长波长侧的光谱成分，因此能够实现高且具有深度的演色性，但另一方面，由于发光率(luminosity factor)低的光谱成分也增多，因此作为白色LED用，寻求更进一步的亮度提高。
进而专利文献2中记载了，可得到用Eu2+对如下也记为(Sr，Ca)AlSiN3的主晶(通常也记载为SCASN)进行活化而成的荧光体(即Eu活化的SCASN荧光体)，所述主晶是将前述CaAlSiN3的Ca的一部分进而用Sr置换而成的。
另外，公开了：通过将SCASN荧光体的晶格控制为特定的范围，能够使发光光谱窄，得到高亮度的红色荧光体(专利文献3)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2004-071726号公报
专利文献2：国际公开第2005/052087号
专利文献3：国际公开第2015/002139号
发明内容
发明要解决的问题
对于液晶显示器的背光、照明等的发光装置，常要求发光特性的改善，因此需要各构件的特性提高，对LED中使用的荧光体也要求发光特性的改善。另外，除了发光特性其本身改善以外，也要求例如改善生产精度以减小白色LED的发光特性的每个个别制品的偏差，改善LED制品的成品率。
用于解决问题的方案
本发明的目的在于，提供一种红色荧光体(本说明书中之后也记为“本红色荧光体”)，其能够更稳定地制作例如作为白色LED的发光元件，特别是能够抑制色度相关的LED制品间的偏差(本说明书中也简称为“色度偏差”)，所述红色荧光体以CASN荧光体、SCASN荧光体为代表，由通式：MSiAlN3(其中，M为选自Mg、Ca、Sr、Ba中的至少1种以上的元素)表示，M的一部分被Eu置换，且以与CaAlSiN3晶相相同的晶体结构作为主晶。本发明人等为了解决上述问题进行了深入研究，结果发现，若将本红色荧光体的体积密度控制在特定的范围，则能够稳定地制作色度偏差进一步得以抑制的发光元件、例如白色LED。
即本发明的实施方式中可以提供以下的方案。
(1)一种红色荧光体，其由通式：MSiAlN3(其中，M为选自Mg、Ca、Sr、Ba中的至少1种以上的元素)表示，M的一部分被Eu置换，且以与CaAlSiN3晶相相同的晶体结构作为主晶，所述红色荧光体的体积密度为0.70g/cm3以上且2.30g/cm3以下。
(2)根据前述(1)所述的红色荧光体，其休止角为60°以下。
(3)根据前述(1)或(2)所述的红色荧光体，其中，M为Ca，体积密度为0.70g/cm3以上且1.80g/cm3以下。
(4)根据前述(1)或(2)所述的红色荧光体，其中，M为Ca及Sr，体积密度为1.20g/cm3以上且2.30g/cm3以下。
(5)根据前述(1)～(4)中任一项所述的红色荧光体，其休止角为20°以上。
(6)根据前述(1)～(5)中任一项所述的红色荧光体，其休止角为45°以下。
(7)一种发光元件，其具有：前述(1)～(6)中任一项所述的红色荧光体、和能激发前述红色荧光体的半导体发光元件。
(8)一种发光装置，其具有前述(7)所述的发光元件。
发明的效果
对于通过本发明的实施方式能够提供的具有特定范围的体积密度的本红色荧光体，可以与能激发荧光体的半导体发光元件组合而构成发光元件，可以提供抑制例如白色LED的色度所代表的发光特性偏差、发光特性更稳定的发光元件。进而本发明的实施方式可以提供一种发光装置，其具有：该发光元件、和用于收纳发光元件的器具。作为这样的发光装置，例如可举出照明装置、背光装置、图像显示装置及信号装置。
具体实施方式
以下，对用于实施本发明的方式详细地进行说明。本说明书中的数值范围只要没有特别说明，则包含其上限值及下限值。
本发明的荧光体由通式：MSiAlN3(其中，M为选自Mg、Ca、Sr、Ba中的至少1种以上的元素)表示，M优选包含Ca、Sr。M优选为单独的Ca，或以Sr与Ca的摩尔数比成为Sr/(Ca+Sr)＝0.35以上且0.95以下的方式将Sr、Ca作为M分配。另外，Sr与Ca的摩尔数比更优选为Sr/(Ca+Sr)＝0.40以上且0.90以下。
本红色荧光体的主晶相与CaAlSiN3晶相具有相同的结构。对于荧光体的主晶相是否为与CaAlSiN3晶体相同的结构，可以通过粉末X射线衍射来确认。晶体结构与CaAlSiN3不同的情况下，发光色不为红色、或荧光强度大幅降低，因此不优选。晶相优选前述晶体的单相，但只要对荧光体特性没有大的影响，也可以包含异相。
CaAlSiN3晶体、或(Sr，Ca)AlSiN3晶体的骨架结构通过(Si，Al)-N4正四面体进行结合而构成，Ca原子、Sr原子位于其间隙。Ca2+、Sr2+的一部分被作为发光中心而起作用的Eu2+置换，由此成为红色荧光体。
作为本发明的荧光体的活化元素的Eu含有率若太少，则有对发光的贡献变小的倾向，若太多，则有引起Eu2+间的能量传递所导致的荧光体的浓度猝灭的倾向，因此优选为0.01at％以上且1.0at％以下，特别优选为0.03at％以上且0.5at％以下。
需要说明的是，本红色荧光体中包含微量的氧(O)作为不可避免的成分。而且，M元素的占有率、Si/Al比、N/O等以维持晶体结构并且保持整体电中性的方式来调整。
本红色荧光体优选体积密度为0.70g/cm3以上且2.30g/cm3以下。若体积密度不足0.70g/cm3、或大于2.30g/cm3，则使用该荧光体而制成的LED的色度偏差变大。
通常粉体的体积密度可以通过下述方法来求出：测定放入于量筒的已知重量的粉体试样的体积的方法(方法1)、测定通过体积计放入于容器内的已知体积的粉体试样的质量的方法(方法2)、或使用专用的测定用容器进行测定的方法(方法3)。这些之中，理想的是使用方法1及方法3。以下对方法3详细地进行说明。首先，准备足以测定的量的试样。将辅助圆筒安装于干燥的一定容量的圆筒形的测定用容器，放入所需量的试样。以50～60次/分钟对带辅助圆筒的测定用容器进行多次振实。卸下辅助圆筒，从容器的上面刮掉过剩的粉体，测定重量。减去预先测定的空的圆筒形容器的质量，由此测定粉体的质量。算出每单位体积的试样的重量，由此求出体积密度。对于该体积密度而言，优选反复进行测定，更优选进行多次测定并以这些测定值的平均值的形式求出。
粉体的体积密度通常可以通过粉体的粒径、粒度分布、表面状态来控制。
对于本红色荧光体，通过激光衍射散射法测定的质量中值粒径(D50)优选为30μm以下。若质量中值粒径超过30μm，则体积密度不会落入特定的范围，使用该荧光体而制成的LED的色度偏差变大。另外，若质量中值粒径比5μm小，则荧光体的发光特性降低，因此不优选。需要说明的是，质量中值粒径为如下值：由依据JIS R1622：1995及R1629：1997通过激光衍射散射法测定的累积分布曲线得到体积中值粒径，由该体积中值粒径进行换算而算出的值。
对于本红色荧光体，进而跨度值(span value)优选为1.6以下、进一步优选为0.1以上且1.5以下。需要说明的是，跨度值是指，通过(D90-D10)/D50算出的值，此处D10及D90为：由与上述质量中值粒径同样地测定的质量基准的累积分布曲线得到的10％直径及90％直径。跨度值为表示粒度分布的分布幅度、即本红色荧光体的颗粒的大小的偏差的指标。若跨度值小，则体积密度容易落入特定的范围，能够减小使用荧光体而制成的LED的色度偏差。
需要说明的是，粉体的表面状态可根据制造时的后处理方法而变化。作为本红色荧光体的后处理方法，可举出例如清洗、荧光体颗粒的表面覆盖，从提高生产率和体积密度的观点出发，优选进行清洗。作为清洗方法，没有特别限制，优选用酸性、碱性、极性的水溶液进行清洗，可以用1种清洗水溶液进行清洗，也可以用2种以上的清洗水溶液进行多次清洗。
另外，本红色荧光体由通式：MSiAlN3(其中，M为选自Mg、Ca、Sr、Ba中的至少1种以上的元素)表示。作为M，可举出Mg、Ca、Sr、Ba等，因此M在荧光体组成中所占的质量比例多，本红色荧光体的优选的体积密度的范围根据M的种类而发生变化。例如M为单独的Ca的情况下，体积密度优选为0.70g/cm3以上且1.80g/cm3以下，M为Ca及Sr的情况下，体积密度优选为1.20g/cm3以上且2.30g/cm3以下。
本红色荧光体的休止角优选为60°以下、更优选为45°以下。另外，本红色荧光体的休止角优选为20°以上。休止角表示荧光体的流动性，因此为表示荧光体在LED中使用时的分散的程度的指标。休止角为20°以上且60°以下时，能够减小制作的LED的色度偏差。
休止角的测定方法有下述方法：测定将试样放入容器并使其自然落下而堆积在水平面时粉末形成的角度的方法(注入法)；使试样从容器底部的小孔自然落下，测定残留于容器内的粉末形成的角度的方法(排出法)；在容器内放入粉末，使容器倾斜而测定粉末所形成的角度的方法(倾斜法)。这些之中，理想的是使用注入法。以下对注入法详细地进行说明。使试样从一定高度的漏斗中向水平的基板上落下，根据生成的圆锥状堆积物的直径及高度，算出底角，将该底角作为休止角。对于该休止角而言，优选反复进行测定，更优选进行多次测定并以这些测定值的平均值的形式求出。
(红色荧光体的制造方法)
本红色荧光体的制造方法没有特别限制。此处，例示出将可构成前述通式所示的组合物的原料混合粉末在氮气气氛中于规定的温度范围内进行焙烧的方法。
该制造方法中，作为原料，适合使用构成元素的氮化物、即氮化钙、氮化锶、氮化硅、氮化铝、氮化铕，也可以使用氧化物。例如，对于从作为发光中心而发挥作用的方面来看，作为添加量非常少的铕源，可以使用容易获得的氧化铕。
混合上述原料的方法没有特别限定，将与空气中的水分及氧剧烈地反应的氮化钙、氮化锶、氮化铕在用非活性气氛进行了置换的手套箱内进行处理是适当的。
焙烧容器优选由在高温的氮气气氛下稳定、不易与原料混合粉末及其反应产物反应的材质构成，可举出氮化硼制、高熔点金属容器、碳制等。
从手套箱中将填充有原料混合粉末的焙烧容器取出，迅速放置于焙烧炉中，在氮气气氛中、于1600℃以上且2000℃以下进行焙烧。焙烧温度若太低，则未反应残存量变多，若太高，则与CaAlSiN3晶相相同的晶体结构的主晶会分解，因此不优选。
对于焙烧时间，选择在不产生下述不良情况的时间范围：未反应物大量存在、颗粒生长不足、或生产率降低，优选为2小时以上且24小时以下。
焙烧气氛的压力根据焙烧温度来选择。本发明的本红色荧光体能够在直到约1800℃为止的温度下、在大气压下稳定地存在，但在其以上的温度下，为了抑制荧光体的分解，必需形成加压气氛。气氛压力越高，荧光体的分解温度变得越高，但若考虑工业生产性，则优选设为低于1MPa。
焙烧物的状态根据原料配方、焙烧条件而成为各式各样的粉体状、块状、烧结体。作为荧光体使用的情况下，组合破碎、粉碎和/或分级操作而将焙烧物制成规定尺寸的粉末。
在本红色荧光体的制造方法方面，优选在粉碎工序后设置清洗工序。如前述所记载那样，清洗工序中使用的水溶液优选为酸性、碱性、极性的水溶液。清洗工序为，使粉碎工序后的荧光体分散于上述记载的水溶液，进行几分钟～几小时搅拌的工序。通过清洗工序能够将源自焙烧容器的杂质元素、焙烧工序中产生的异相、原料中包含的杂质元素、通过粉碎工序混入的杂质元素溶解去除，通过对荧光体的表面进行清洗，能够提高得到的荧光体粉末的体积密度。
在本红色荧光体的制造时，出于进一步去除杂质的目的，可以进而进行酸处理工序，出于提高结晶性的目的，可以进而进行退火处理工序。
本红色荧光体可以与能激发荧光体的半导体发光元件组合而构成发光元件，进而也可以得到具有前述发光元件的发光装置。通过由半导体发光元件对本红色荧光体照射特特别是含有350nm以上且500nm以下的波长的紫外光、可见光，能够得到发出红色光的发光元件。另外，通过将紫外LED或蓝色LED等半导体发光元件与本红色荧光体组合，进而根据需要与其他发出绿～黄色光的荧光体、和/或蓝色荧光体组合，容易得到发出白色光的发光元件。
实施例
参照表1对本发明的实施例详细地进行说明。表1示出实施例及比较例的荧光体的D10、D50、D90、跨度值、体积密度、及休止角。
[表1]
Figure BDA0002700829660000081
<实施例1>
作为实施例1的荧光体的原料，以成为Ca：Eu：Al：Si＝0.994：0.006：1.00：1.00的比率使用α型氮化硅粉末(Si3N4、宇部兴产株式会社制SN-E10级)、氮化钙粉末(Ca3N2、Materion公司制)、氮化铝粉末(AlN、Tokuyama Corporation制E级)、氧化铕(Eu2O3、信越化学工业株式会社制RU级)。
首先，将原料中Si3N4、AlN、Eu2O3用V型混合机进行10分钟干式混合。为了使混合后的原料的大小一致，将混合后的原料用网孔250μm的尼龙制筛进行分级，制成原料混合物。
将通过了筛子的原料混合物移动至能够保持为水分1质量ppm以下、氧1质量ppm以下的氮气气氛的手套箱中，在其中将Ca3N2配混至原料混合物，进行干式混合。为了使经干式混合的原料的大小一致，再次用网孔250μm的尼龙制筛进行分级。将分级后的原料250g填充至带盖的圆筒型氮化硼制容器(电化株式会社制N-1级)。
将填充有原料的容器从手套箱中取出，迅速放置于碳加热器的电炉中，对炉内进行充分真空排气至0.1Pa以下。在真空排气的状态下开始加热，于650℃导入氮气，将炉内气氛压力设为0.1MPa。导入气体后也保持原样地升温至1850℃，于1850℃进行8小时的焙烧。
冷却后，从炉中回收的试样为红色的块状物，进行乳钵破碎，最终全部通过网孔150μm的筛。
对得到的荧光体样品，使用X射线衍射装置(Rigaku Corporation制UltimaIV)，进行使用了CuKα射线的粉末X射线衍射。对于得到的X射线衍射图案，观察到与CaAlSiN3晶体相同的衍射图案。
将通过了筛子的物体在盐酸中浸渍1小时，进行清洗。清洗后，进行过滤将荧光体和处理液分离。荧光体在100℃～120℃的干燥机中进行12小时干燥，干燥后以网孔150μm的筛进行分级，成为仅通过筛者。
<质量中值粒径及跨度值的测定方法>
对于质量中值粒径及跨度值，使用粒度分布测定装置(MicrotracBEL Corp.制Microtrac MT3000II)，依据JIS R1622：及R1629，根据通过激光衍射散射法测定的体积平均径，算出D10、D50(质量中值粒径)、D90，另外，求出跨度值((D90-D10)/D50)。
<体积密度的测定方法>
体积密度通过以下的方法来测定。测定用容器使用定容容器(25cc)的圆筒型容器，利用秤称量其质量。将辅助圆筒安装于测定用容器，放入试样至满出来为止，以50～60次/分钟的速度对带辅助圆筒的测定用容器进行50次振实，卸下辅助圆筒。使用刮平板将从测定用容器的上端面***的试样刮平。此时，刮平板以不压缩粉末的方式使其从刮平方向向后倾斜而使用。用秤称量连同测定用容器一起的质量，减去测定用容器的质量而计算试样的质量。进行3次该测定。算出将各测定中计算的试样的质量除以测定用容器的容积而得的值的平均值作为体积密度。
<休止角的测定方法>
休止角通过以下的方法来测定。使试样20g从喷嘴内径10mm的市售的玻璃制漏斗的上缘2～4cm的高度、以每分钟20～60g的速度介由该漏斗而落下到基板上，根据生成的圆锥状的堆积物的直径及高度，算出底角。进行3次该测定，将底角的平均值作为休止角。
<实施例2>
变更粉碎、分级条件以使成为表1所示的D10、D50(质量中值粒径)、D90，除此以外通过与实施例1同样的条件制作实施例2的荧光体粉末。将实施例2中得到的荧光体的特性与实施例1的结果一起示于表1。
<实施例3>
变更粉碎、分级条件以使成为表1所示的D10、D50(质量中值粒径)、D90，在酸清洗后加入基于乙醇水溶液的清洗，除此以外，通过与实施例1相同的条件制作实施例3的荧光体粉末。实施例3中得到的荧光体的特性也一起示于表1。
<实施例4>
作为实施例4的荧光体的原料，以成为Sr：Ca：Eu：Al：Si＝0.850：0.130：0.020：1.00：1.00的比率使用α型氮化硅粉末(Si3N4、宇部兴产株式会社制SN-E10级)、氮化锶(Sr2N、Materion公司制)、氮化钙粉末(Ca3N2、Materion社制)、氮化铝粉末(AlN、TokuyamaCorporation制E级)、氧化铕(Eu2O3、信越化学工业株式会社制RU级)。
接着将原料中Si3N4、AlN、Eu2O3用V型混合机进行10分钟干式混合。为了使混合后的原料的大小一致，用网孔250μm的尼龙制筛对混合后的原料进行分级，制成原料混合物。
将通过了筛子的原料混合物移动至能够保持为水分1质量ppm以下、氧1质量ppm以下的氮气气氛的手套箱中，在其中将Sr2N和Ca3N2配混至原料混合物中，进行干式混合。为了使经干式混合的原料的大小一致，再次用网孔250μm的尼龙制筛进行分级。将分级后的原料250g填充至带盖的圆筒型氮化硼制容器(电化株式会社制N-1级)。
将填充有原料的容器从手套箱中取出，迅速放置于碳加热器的电炉中，对炉内进行充分真空排气至0.1Pa以下。在真空排气的状态下开始加热，于650℃导入氮气，将炉内气氛压力设为0.9MPa。导入气体后也保持原样地升温至1950℃，于1950℃进行8小时的焙烧。
冷却后，从炉中回收的试样为红色的块状物，进行乳钵破碎，最终全部通过网孔150μm的筛。
对得到的荧光体样品，使用X射线衍射装置(Rigaku Corporation制UltimaIV)进行使用CuKα射线的粉末X射线衍射。对于得到的X射线衍射图案，观察到与(Sr，Ca)AlSiN3晶体相同的衍射图案。
将通过了筛子的物体在盐酸中浸渍1小时，进行清洗。清洗后，进行过滤将荧光体和处理液分离。荧光体在100℃～120℃的干燥机中进行12小时干燥，干燥后以网孔150μm的筛进行分级，成为仅通过筛者。
对得到的荧光体样品，测定与实施例1～3中得到的荧光体同样的粉体特性，将结果示于表1。
<实施例5>
变更粉碎、分级条件以使成为表1所示的D10、D50(质量中值粒径)、D90，除此以外，以与实施例4相同的条件制作实施例5的荧光体粉末。将实施例5中得到的荧光体的特性与实施例1～4的结果一起示于表1。
<比较例1>
酸清洗后，不实施基于乙醇水溶液的清洗，除此以外，以与实施例3相同的条件制作比较例1的荧光体粉末。将比较例1中得到的荧光体的特性与实施例1～5的结果一起示于表1。
<比较例2>
变更粉碎、分级条件以使成为表1所示的D10、D50(质量中值粒径)、D90，除此以外，以与实施例4相同的条件制作比较例2的荧光体粉末。将比较例2中得到的荧光体的特性与实施例1～5、比较例1的结果一起示于表1。
<LED的制作>
<实施例6>
使用上述实施例1中得到的红色荧光体，制作LED。即，对具有热固化性且常温下具有流动性的有机硅树脂(信越化学工业株式会社制、商品名：KER6150)添加荧光体颗粒10质量％，进行搅拌混合而制备浆料。接着，向安装有在波长450～460nm具有峰的蓝色LED芯片的顶视型封装体注入上述浆料6mg后，在150℃的温度下加热2小时而使浆料固化。这样操作，制作具有作为实施例1的红色荧光体颗粒、吸收波长420～480nm的范围的光、并且放出超过480nm且800nm以下的范围的光的LED。
<实施例7>
使用实施例2中得到的红色荧光体颗粒，除此以外，以与实施例6同样的条件制作LED。
<实施例8>
使用实施例3中得到的红色荧光体颗粒，除此以外，以与实施例6同样的条件制作LED。
<实施例9>
使用实施例4中得到的红色荧光体颗粒，除此以外，以与实施例6同样的条件制作LED。
<实施例10>
使用实施例5中得到的红色荧光体颗粒，除此以外，以与实施例6同样的条件制作LED。
<比较例3>
使用比较例1中得到的红色荧光体颗粒，除此以外，以与实施例6同样的条件制作LED。
<比较例4>
使用比较例2中得到的红色荧光体颗粒，除此以外，以与实施例6同样的条件制作LED。
<LED的发光特性评价>
对上述实施例6～10、比较例3～4中制作的各个LED，制作各50个的LED，使用LED测定装置(Instrument System公司制、商品名：CAS140B)测定色度评价。将其结果一起示于以下的表2。需要说明的是，对于色度评价，显示CIE色度座标之一、XYZ色度体系的x值与y值的各标准偏差σ。
[表2]
Figure BDA0002700829660000141
根据表2所示的实施例、比较例的结果，判断：通过将红色荧光体的体积密度控制为特定的范围，使用了该荧光体的LED的色度偏移变小。
产业上的可利用性
本发明的本红色荧光体被蓝色光激发而显示红色发光，可得到比以往的色度偏差小的LED。即本发明的本红色荧光体可以适合用作使用其的发光元件、例如将能激发发出蓝色光的半导体发光元件与荧光体组合而构成的白色LED用的荧光体之一，另外，前述发光元件可以适合用于照明器具、图像显示装置等的发光装置。

Claims (8)

1.一种红色荧光体，其由通式：MSiAlN3表示，M的一部分被Eu置换，且以与CaAlSiN3晶相相同的晶体结构作为主晶，MSiAlN3中，M为选自Mg、Ca、Sr、Ba中的至少1种以上的元素，所述红色荧光体的体积密度为0.70g/cm3以上且2.30g/cm3以下。
2.根据权利要求1所述的红色荧光体，其休止角为60°以下。
3.根据权利要求1或2所述的红色荧光体，其中，M为Ca，体积密度为0.70g/cm3以上且1.80g/cm3以下。
4.根据权利要求1或2所述的红色荧光体，其中，M为Ca及Sr，体积密度为1.20g/cm3以上且2.30g/cm3以下。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的红色荧光体，其休止角为20°以上。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的红色荧光体，其休止角为45°以下。
7.一种发光元件，其具有：权利要求1～6中任一项所述的红色荧光体、和能激发所述红色荧光体的半导体发光元件。
8.一种发光装置，其具有权利要求7所述的发光元件。
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