CN111900193A - 显示器件及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示器件及其制作方法，显示器件包括：发光背板、色彩转换层和彩膜层，色彩转换层设置在发光背板上，色彩转换层包括红光转换单元、绿光转换单元和开口单元，其中，红光转换单元和/或绿光转换单元包括钙钛矿发光材料和层叠设置在钙钛矿发光材料中的散射粒子，在从色彩转换层靠近发光背板的一面指向远离发光背板的一面的方向的垂直方向上，所述散射粒子的折射率逐渐增大；彩膜层设置在色彩转换层上，彩膜层包括间隔排列的红色色阻块、蓝色色阻块和绿色色阻块，其中，红色色阻块、绿色色阻块、蓝色色阻块分别与红光转换单元、绿光转换单元、开口单元对应设置。

Description

显示器件及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示器件及其制作方法。
背景技术
OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)显示器件，也称为有机电致发光显示器件，由于制备工艺简单、成本低、功耗低、发光亮度高、工作温度适应范围广、体积轻薄、响应速度快，而且易于实现彩色显示和大屏幕显示、易于实现和集成电路驱动器相匹配、易于实现柔性显示，因而具有广阔的应用前景。Pe-OLED(Perovskite OrganicLight Emitting Diode，钙钛矿有机发光二极管)是一种新型的自发光二极管，与OLED相比，Pe-OLED具有色纯度高、及材料成本低等优点。与QD-OLED(Quantum Dot Organic LightEmitting Diode)发光器件相比，钙钛矿发光材料的开发成本比量子点材料的开发成本低，且钙钛矿发光材料不需要复杂的合成和修饰过程。因此，Pe-OLED显示器件是一种具有巨大的应用前景的高端显示器件。
然而，以钙钛矿发光材料作为色彩转换层时存在光吸收和光提取率不佳等因素，导致色彩转换层的光转换效率偏低。较低的光转换效率直接影响显示器件的能量利用和亮度，不利于高性能显示器件的进一步发展。
故，有必要提出一种新的技术方案，以解决上述技术问题。
发明内容
本发明实施例提供一种显示器件及其制作方法，用于改善显示器件中色彩转换层的光转换效率偏低的问题。
本发明实施例提供一种显示器件，包括：
发光背板；
色彩转换层，所述色彩转换层设置在所述发光背板上，所述色彩转换层包括红光转换单元、绿光转换单元和开口单元，其中，所述红光转换单元和/或所述绿光转换单元包括钙钛矿发光材料和层叠设置在所述钙钛矿发光材料中的散射粒子，在从所述色彩转换层靠近所述发光背板的一面指向远离所述发光背板的一面的方向的垂直方向上，所述散射粒子的折射率逐渐增大；
彩膜层，所述彩膜层设置在所述色彩转换层上，所述彩膜层包括间隔排列的红色色阻块、蓝色色阻块和绿色色阻块，其中，所述红色色阻块、所述绿色色阻块、所述蓝色色阻块分别与所述红光转换单元、所述绿光转换单元、所述开口单元对应设置。
在本发明提供的显示器件中，所述散射粒子至少包括第一类散射粒子和第二类散射粒子，且所述第一类散射粒子的折射率小于所述第二类散射粒子的折射率，其中，所述第一类散射粒子设置于所述红光转换单元和/或所述绿光转换单元靠近所述发光背板的一面，所述第二类散射粒子设置于所述红光转换单元和/或所述绿光转换单元远离所述发光背板的一面。
在本发明提供的显示器件中，所述第一类散射粒子包括无机散射粒子和有机散射粒子，所述第二类散射粒子包括无机散射粒子和有机散射粒子。
在本发明提供的显示器件中，所述无机散射粒子包括二氧化钛、二氧化锆、二氧化钒、二氧化锡、三氧化二铝和钛酸钡中的至少一种，所述有机散射粒子包括有机硅橡胶、聚苯乙烯和聚碳酸酯中的至少一种。
在本发明提供的显示器件中，所述无机散射粒子的截面宽度和所述有机散射粒子的截面宽度介于10纳米至1200纳米之间，且所述无机散射粒子的截面宽度小于所述有机散射粒子的截面宽度。
在本发明提供的显示器件中，所述红光转换单元和所述绿光转换单元由所述钙钛矿发光材料与折射率不同的所述散射粒子分别混合后涂布形成。
在本发明提供的显示器件中，所述钙钛矿发光材料包括发射波长为红光的钙钛矿发光材料和发射波长为绿光的钙钛矿发光材料。
在本发明提供的显示器件中，所述钙钛矿发光材料包括无机钙钛矿发光材料和无机-有机杂化钙钛矿发光材料。
本发明还提供一种显示器件的制作方法，包括以下步骤：
步骤A：形成发光背板；
步骤B：在所述发光背板上形成色彩转换层，所述色彩转换层设置在所述发光背板上，所述色彩转换层包括红光转换单元、绿光转换单元和开口单元，其中，所述红光转换单元和/或所述绿光转换单元包括钙钛矿发光材料和层叠设置在所述钙钛矿发光材料中的散射粒子，在从所述色彩转换层靠近所述发光背板的一面指向远离所述发光背板的一面的方向的垂直方向上，所述散射粒子的折射率逐渐增大；
步骤C：在所述色彩转换层上形成彩膜层，所述彩膜层设置在所述色彩转换层上，所述彩膜层包括间隔排列的红色色阻块、蓝色色阻块和绿色色阻块，其中，所述红色色阻块、所述绿色色阻块、所述蓝色色阻块分别与所述红光转换单元、所述绿光转换单元、所述开口单元对应设置。
在本发明提供的显示器件的制作方法中，所述散射粒子至少包括第一类散射粒子和第二类散射粒子，且所述第一类散射粒子的折射率小于所述第二类散射粒子的折射率，所述步骤B包括：
将所述第一类散射粒子和第二类散射粒子分别与所述钙钛矿发光材料混合；
将包含所述第一类散射粒子和所述钙钛矿发光材料的第一混合物涂布至所述发光背板上；
将包含所述第二类散射粒子和所述钙钛矿发光材料的第二混合物涂布至所述第一混合物上，以形成所述红光转换单元和/或所述绿光转换单元。
在本发明实施例提供一种显示器件及其制作方法中，应用钙钛矿发光材料作为色彩转换层的材料，并在红光转换单元和/或绿光转换单元靠近发光背板的一面设置折射率低的散射粒子，使得红光转换单元和/或绿光转换单元靠近发光背板的一面汇聚加强发光背板发出的光线向前出射，第一类散射粒子提高了对钙钛矿发光材料的激发。在红光转换单元和/或绿光转换单元远离发光背板的一面设置折射率高的散射粒子，提高了红光转换单元和/或绿光转换单元远离发光背板的一面的出光效率，改善了显示器件中色彩转换层的光转换效率偏低的问题。
为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
附图说明
图1为本发明实施例提供的显示器件的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的显示器件的色彩转换层的示意图；
图3为本发明实施例提供的显示器件的色彩转换层的另一示意图；
图4为本发明实施例提供的显示器件的制作方法的步骤流程图；
图5为本发明实施例提供的显示器件的制作方法中步骤S2的步骤流程图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，请参照附图中的图式，其中相同的组件符号代表相同的组件，以下的说明是基于所示的本发明具体实施例，其不应被视为限制本发明未在此详述的其他具体实施例。本说明书所使用的词语“实施例”意指实例、示例或例证。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
请参考图1，本发明实施例提供一种显示器件，显示器件100包括发光背板10、色彩转换层20以及彩膜层30。
具体的，发光背板10包括薄膜晶体管阵列基板和发光功能层。其中，薄膜晶体管阵列基板包括多个阵列排布的薄膜晶体管，其中，薄膜晶体管包括有源层103、栅极105、源极106、漏极107。薄膜晶体管阵列基板还包括衬底101、缓冲层102、栅极绝缘层104、层间介质层108和平坦化层109。其中，衬底101包括玻璃衬底和柔性衬底中的一种。缓冲层102设置在衬底101上，缓冲层102的材质包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)和氮氧化硅(SiOxNy)中的至少一种。有源层103设置在缓冲层102上，有源层103包括低温多晶硅有源层和氧化物有源层，作为一种可选的实施方式，本发明实施例中的有源层103为氧化铟镓锌(IGZO)有源层。栅极绝缘层104设置在有源层103上，栅极105设置在栅极绝缘层104上，层间介质层108覆盖栅极绝缘层104和栅极105。源极106和漏极107通过过孔与有源层103电性连接。平坦化层109覆盖层间介质层108、源极106和漏极107。
发光功能层包括阳极层110、像素定义层111、发光层112和阴极层113。其中，阳极层110通过过孔与漏极107电性连接。像素定义层111设置在阳极层110上，像素定义层110包括开口，发光层112限定在像素定义层111的开口内。阴极层113设置在发光层上。需要说明的是，发光背板10包括但不限于发蓝光的发光背板。由于白光具有位于蓝光波段的波长，因此本发明实施例中的发光背板10还可以是发白光的发光背板。
请结合图1和图2，图2为图1中色彩转换层20的放大图。色彩转换层20设置在发光背板10上，色彩转换层20包括红光转换单元201、绿光转换单元202和开口单元203。红光转换单元201和/或绿光转换单元202包括钙钛矿发光材料2012和层叠设置在所述钙钛矿发光材料2012中的散射粒子，在从色彩转换层20靠近发光背板10的一面指向远离发光背板10的一面的方向的垂直方向上，散射粒子的折射率逐渐增大。在本发明实施例中，散射粒子至少包括第一类散射粒子2011a和第二类散射粒子2011b，且第一类散射粒子2011a的折射率小于第二类散射粒子2011b的折射率，其中，第一类散射粒子2011a设置于红光转换单元201和/或绿光转换单元202靠近发光背板10的一面，第二类散射粒子2011b设置于红光转换单元201和/或绿光转换单元202远离发光背板10的一面。进一步的，红光转换单元201和绿光转换单元202由钙钛矿发光材料2012与折射率不同的散射粒子分别混合后涂布形成。即，将混合后的包含第一类散射粒子2011a、包含第二类散射粒子2011b的钙钛矿发光材料2012的混合物依次涂布，在从色彩转换层20靠近发光背板10的一面指向远离发光背板10的一面的方向的垂直方向上，形成具有折射率渐变增大的散射粒子的红光转换单元201和/或绿光转换单元202。在本发明实施例中，第二类散射粒子2011b与第一类散射粒子2011a的至少一部分对应设置。或者，第二类散射粒子2011b与第一类散射粒子2011a相互错开设置。第二类散射粒子的折射率n2与第一类散射粒子的折射率n1的比值介于1至2之间。优选的，第二类散射粒子的折射率n2与第一类散射粒子的折射率n1的比值介于1至1.5之间。开口单元203用于透射发光背板10发出的光。
进一步的，第一类散射粒子2011a包括无机散射粒子和有机散射粒子，第二类散射粒子2011b包括无机散射粒子和有机散射粒子。其中，无机散射粒子包括二氧化钛(TiO2)、二氧化锆(ZrO2)、二氧化钒(VO2)、二氧化锡(SnO2)、三氧化二铝(Al2O3)和钛酸钡(BaTiO3)中的至少一种，有机散射粒子包括有机硅橡胶、聚苯乙烯(Polystyrene，PS)和聚碳酸酯(Polycarbonate，PC)中的至少一种。并且，无机散射粒子的截面宽度和有机散射粒子的截面宽度介于10纳米至1200纳米之间，且无机散射粒子的截面宽度小于有机散射粒子的截面宽度。例如，无机散射粒子的截面宽度为10纳米、20纳米、50纳米、80纳米、100纳米、200纳米、300纳米中的任意一者。有机散射粒子的截面宽度为10纳米、100纳米、200纳米、300纳米、400纳米、500纳米、600纳米、700纳米、800纳米、900纳米、1000纳米、1100纳米或1200纳米中的任意一者。
可选的，请结合图1和图3，本发明实施例中的散射粒子还包括第三类散射粒子2011c，第三类散射粒子2011c设置在红光转换单元201和/或绿光转换单元202远离发光背板10的一面，且，第三类散射粒子的折射率n3大于第二类散射粒子的折射率n2。第三类散射粒子的折射率n3与第二类散射粒子的折射率n2的比值介于1至2之间。优选的，第三类散射粒子2011c的折射率n3与第二类散射粒子2011b的折射率n2的比值介于1至1.5之间。请继续参考图3，在本发明实施例中，一红光转换单元201和绿光转换单元202包括钙钛矿发光材料2012和层叠设置在钙钛矿发光材料2012中的第一散射粒子2011a、第二散射粒子2011b和第三类散射粒子2011c。其中，第一散射粒子2011a为有机散射粒子，第二类散射粒子2011b为有机散射粒子/无机散射粒子，第三类散射粒子2011c为无机散射粒子。并且，第一散射粒子的2011a的截面宽度大于第二类散射粒子2011b的截面宽度，第二散射粒子的2011b的截面宽度大于第三类散射粒子2011c的截面宽度。本发明实施例中，第三类散射粒子2011c与第二类散射粒子2011b的至少一部分对应设置。或者，第三类散射粒子2011c与第二类散射粒子2011b相互错开设置。第三类散射粒子2011c包括二氧化钛、二氧化锆、二氧化钒、二氧化锡、三氧化二铝和钛酸钡中的至少一种。
进一步的，红光转换单元201和绿光转换单元202由钙钛矿发光材料与折射率不同的散射粒子分别混合后涂布形成。即，将混合后的包含第一类散射粒子2011a、包含第二类散射粒子2011b和包含第三类散射粒子2011c的钙钛矿发光材料的混合物依次涂布，在从色彩转换层20靠近发光背板10的一面指向远离发光背板10的一面的方向的垂直方向上，形成具有折射率渐变增大的散射粒子的红光转换单元201和/或绿光转换单元202。本发明实施例通过在红光转换单元201和/或绿光转换单元202靠近发光背板10的一面设置折射率低的第一类散射粒子2011a，使得红光转换单元201和/或绿光转换单元202靠近发光背板10的一面汇聚加强发光背板10发出的光线向前出射，第一类散射粒子2011a提高了对钙钛矿发光材料的激发。在红光转换单元201和/或绿光转换单元202远离发光背板10的一面设置折射率高的第二类散射粒子2011b和/或第三类散射粒子2011c，提高了红光转换单元201和/或绿光转换单元202远离发光背板10的一面的出光效率，最终提升显示器件100的性能。
需要说明的是，本发明实施例中还可以包括第四类散射粒子、第五类散射粒子及第N类散射粒子。即散射粒子层叠排布，且，在从色彩转换层20靠近发光背板10的一面指向远离发光背板10的一面的方向的垂直方向上，散射粒子的折射率逐渐增大。
本发明实施例中的钙钛矿发光材料包括发射波长为红光的钙钛矿发光材料和发射波长为绿光的钙钛矿发光材料。钙钛矿发光材料包括三维钙钛矿发光材料和钙钛矿量子点发光材料。进一步的，钙钛矿发光材料包括无机钙钛矿发光材料和有机-无机杂化钙钛矿发光材料。其中，无机钙钛矿发光材料包括CsPdI3等，有机-无机杂化钙钛矿发光材料包括具体通式为CsPbClyBrzI3-y-z的钙钛矿发光材料，其中0<y<1，1<z≤3-y，和/或具有通式为CsPbBrxI3-x的钙钛矿发光材料，其中2≤x≤3。
请参考图2或图3，色彩转换层20还包括设置在红光转换单元201、绿光转换单元202和开口单元203之间的第一黑矩阵204，第一黑矩阵204用于隔离相邻的转换单元，防止色彩转换层20出现混色，从而降低显示器件的显示纯度。
请继续参考图1，本发明实施例中的彩膜层30设置在色彩转换层20上，彩膜层30包括间隔排列的红色色阻块302、蓝色色阻块301和绿色色阻块303。其中，红色色阻块302、绿色色阻块303、蓝色色阻块301分别与红光转换单元201、绿光转换单元202、开口单元203对应设置。彩膜层30还包括设置于红色色阻块302、蓝色色阻块301和绿色色阻块303之间的第二黑矩阵304，第二黑矩阵304用于隔离相邻的色阻块，防止彩膜层出现混色，从而降低显示器件的显示纯度。一方面，由于从发光背板10发出的光在经过色彩转换层20后并不能完全转换为绿光或红光，因此，本发明实施例的彩膜层30可以过滤经由色彩转换层20的光，从而提高显示器件100的显示纯度。另一方面，彩膜层30可以减弱外界环境光对色彩转换层20的激发，提高显示器件100的对比度。
请结合图1和图4，本发明实施例还提供一种显示器件的制作方法，显示面板的制作方法包括以下步骤：
步骤S1：形成发光背板10；
请参考图1，发光背板10包括薄膜晶体管阵列基板和发光功能层。其中，薄膜晶体管阵列基板包括多个阵列排布的薄膜晶体管，其中，薄膜晶体管包括有源层103、栅极105、源极106、漏极107。薄膜晶体管阵列基板还包括衬底101、缓冲层102、栅极绝缘层104、层间介质层108和平坦化层109。其中，衬底101包括玻璃衬底和柔性衬底中的一种。缓冲层102设置在衬底101上，缓冲层102的材质包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)和氮氧化硅(SiOxNy)中的至少一种。有源层103设置在缓冲层102上，有源层103包括低温多晶硅有源层和氧化物有源层。栅极绝缘层104设置在有源层103上，栅极105设置在栅极绝缘层104上，层间介质层108覆盖栅极绝缘层104和栅极105。源极106和漏极107通过过孔与有源层103电性连接。平坦化层109覆盖层间介质层108、源极106和漏极107。
发光功能层包括阳极层110、像素定义层111、发光层112和阴极层113。其中，阳极层110通过过孔与漏极107电性连接。像素定义层111设置在阳极层110上，像素定义层110包括开口，发光层112限定在像素定义层111的开口内。阴极层113设置在发光层上。需要说明的是，发光背板10包括但不限于发蓝光的发光背板。由于白光具有位于蓝光波段的波长，因此本发明实施例中的发光背板10还可以是发白光的发光背板。
步骤S2：在所述发光背板10上形成所述色彩转换层20，所述色彩转换层20设置在所述发光背板10上，所述色彩转换层20包括红光转换单元201、绿光转换单元202和开口单元203，其中，所述红光转换单元201和/或所述绿光转换单元202包括钙钛矿发光材料和层叠设置在所述钙钛矿发光材料中的散射粒子，在从所述色彩转换层20靠近所述发光背板10的一面指向远离所述发光背板10的一面的方向的垂直方向上，所述散射粒子的折射率逐渐增大；
步骤S3：在所述色彩转换层20上形成彩膜层30，所述彩膜层30设置在所述色彩转换层20上，所述彩膜层30包括间隔排列的红色色阻块302、蓝色色阻块301和绿色色阻块303，其中，所述红色色阻块302、所述绿色色阻块303、所述蓝色色阻块301分别与所述红光转换单元201、所述绿光转换单元202、所述开口单元203对应设置。
请参考图2，在步骤S2中，散射粒子至少包括第一类散射粒子2011a和第二类散射粒子2011b，且第一类散射粒子20011a的折射率小于第二类散射粒子2011b的折射率。具体的，请参考图5，步骤S2包括：
步骤S21：将所述第一类散射粒子2011a和第二类散射粒子2011b分别与所述钙钛矿发光材料混合；
步骤S22：将包含所述第一类散射粒子2011a和所述钙钛矿发光材料的第一混合物涂布至所述发光背板10上；
步骤S23：将包含所述第二类散射粒子2011b和所述钙钛矿发光材料的第二混合物涂布至所述第一混合物上，以形成红光转换单元201和/或绿光转换单元202。
可选的，如图3所示，散射粒子还包括第三类散射粒子2011c，第三类散射粒子2011c设置在红光转换单元201和/或绿光转换单元202远离发光背板10的一面，且，第三类散射粒子的折射率大于第二类散射粒子的折射率。
在步骤S23之后，还包括：将包含所述第三类散射粒子和所述钙钛矿发光材料的第三混合物涂布至所述第二混合物上，以形成红光转换单元201和/或绿光转换单元202。
在本发明实施例提供一种显示器件及其制作方法中，应用钙钛矿发光材料作为色彩转换层的材料，并在红光转换单元和/或绿光转换单元靠近发光背板的一面设置折射率低的散射粒子，使得红光转换单元和/或绿光转换单元靠近发光背板的一面汇聚加强发光背板发出的光线向前出射，第一类散射粒子提高了对钙钛矿发光材料的激发。在红光转换单元和/或绿光转换单元远离发光背板的一面设置折射率高的散射粒子，提高了红光转换单元和/或绿光转换单元远离发光背板的一面的出光效率，改善了显示器件中色彩转换层的光转换效率偏低的问题。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种显示器件，其特征在于，包括：
发光背板；
色彩转换层，所述色彩转换层设置在所述发光背板上，所述色彩转换层包括红光转换单元、绿光转换单元和开口单元，其中，所述红光转换单元和/或所述绿光转换单元包括钙钛矿发光材料和层叠设置在所述钙钛矿发光材料中的散射粒子，在从所述色彩转换层靠近所述发光背板的一面指向远离所述发光背板的一面的方向的垂直方向上，所述散射粒子的折射率逐渐增大；
彩膜层，所述彩膜层设置在所述色彩转换层上，所述彩膜层包括间隔排列的红色色阻块、蓝色色阻块和绿色色阻块，其中，所述红色色阻块、所述绿色色阻块、所述蓝色色阻块分别与所述红光转换单元、所述绿光转换单元、所述开口单元对应设置。
2.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述散射粒子至少包括第一类散射粒子和第二类散射粒子，且所述第一类散射粒子的折射率小于所述第二类散射粒子的折射率，其中，所述第一类散射粒子设置于所述红光转换单元和/或所述绿光转换单元靠近所述发光背板的一面，所述第二类散射粒子设置于所述红光转换单元和/或所述绿光转换单元远离所述发光背板的一面。
3.根据权利要求2所述的显示器件，其特征在于，所述第一类散射粒子包括无机散射粒子和有机散射粒子，所述第二类散射粒子包括无机散射粒子和有机散射粒子。
4.根据权利要求3所述的显示器件，其特征在于，所述无机散射粒子包括二氧化钛、二氧化锆、二氧化钒、二氧化锡、三氧化二铝和钛酸钡中的至少一种，所述有机散射粒子包括有机硅橡胶、聚苯乙烯和聚碳酸酯中的至少一种。
5.根据权利要求3所述的显示器件，其特征在于，所述无机散射粒子的截面宽度和所述有机散射粒子的截面宽度介于10纳米至1200纳米之间，且所述无机散射粒子的截面宽度小于所述有机散射粒子的截面宽度。
6.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述红光转换单元和所述绿光转换单元由所述钙钛矿发光材料与折射率不同的所述散射粒子分别混合后涂布形成。
7.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述钙钛矿发光材料包括发射波长为红光的钙钛矿发光材料和发射波长为绿光的钙钛矿发光材料。
8.根据权利要求7所述的显示器件，其特征在于，所述钙钛矿发光材料包括无机钙钛矿发光材料和无机-有机杂化钙钛矿发光材料。
9.一种显示器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤A：形成发光背板；
步骤B：在所述发光背板上形成色彩转换层，所述色彩转换层设置在所述发光背板上，所述色彩转换层包括红光转换单元、绿光转换单元和开口单元，其中，所述红光转换单元和/或所述绿光转换单元包括钙钛矿发光材料和层叠设置在所述钙钛矿发光材料中的散射粒子，在从所述色彩转换层靠近所述发光背板的一面指向远离所述发光背板的一面的方向的垂直方向上，所述散射粒子的折射率逐渐增大；
步骤C：在所述色彩转换层上形成彩膜层，所述彩膜层设置在所述色彩转换层上，所述彩膜层包括间隔排列的红色色阻块、蓝色色阻块和绿色色阻块，其中，所述红色色阻块、所述绿色色阻块、所述蓝色色阻块分别与所述红光转换单元、所述绿光转换单元、所述开口单元对应设置。
10.根据权利要求9所述的显示器件的制作方法，其特征在于，所述散射粒子至少包括第一类散射粒子和第二类散射粒子，且所述第一类散射粒子的折射率小于所述第二类散射粒子的折射率，所述步骤B包括：
将所述第一类散射粒子和第二类散射粒子分别与所述钙钛矿发光材料混合；
将包含所述第一类散射粒子和所述钙钛矿发光材料的第一混合物涂布至所述发光背板上；
将包含所述第二类散射粒子和所述钙钛矿发光材料的第二混合物涂布至所述第一混合物上，以形成所述红光转换单元和/或所述绿光转换单元。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112436097A (zh) * 2020-11-19 2021-03-02 合肥维信诺科技有限公司 一种显示面板及其制备方法
CN112802948A (zh) * 2021-03-30 2021-05-14 北京芯海视界三维科技有限公司 显示器件及显示器件的制作方法
CN113193014A (zh) * 2021-04-16 2021-07-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN113871551A (zh) * 2021-09-26 2021-12-31 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及移动终端
CN114203790A (zh) * 2021-12-10 2022-03-18 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制造方法、显示终端

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111016478A (zh) * 2019-11-14 2020-04-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种钙钛矿色转换膜的制作方法
CN111403446A (zh) * 2020-03-24 2020-07-10 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7791271B2 (en) * 2006-02-24 2010-09-07 Global Oled Technology Llc Top-emitting OLED device with light-scattering layer and color-conversion
US9512976B2 (en) * 2012-04-13 2016-12-06 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device, display device and illumination device
KR102070410B1 (ko) 2013-06-04 2020-01-28 삼성전자주식회사 색 변화 저감용 광학 필름 및 이를 채용한 유기 발광 표시 장치
KR102296383B1 (ko) * 2015-05-18 2021-09-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP7014718B2 (ja) 2015-12-23 2022-02-01 アファンタマ アクチェンゲゼルシャフト ディスプレイデバイス
US10886437B2 (en) * 2016-11-03 2021-01-05 Lumileds Llc Devices and structures bonded by inorganic coating
JP6973500B2 (ja) * 2017-11-10 2021-12-01 Dic株式会社 インク組成物及びその製造方法、並びに光変換層及びカラーフィルタ
TWI642760B (zh) * 2018-01-04 2018-12-01 國立清華大學 鈣鈦礦量子點、其製備方法以及包含其之量子點膜
US20210261860A1 (en) * 2018-07-25 2021-08-26 Osram Oled Gmbh µLED Chip Architecture Based on Nanostructured Perovskite Converter Materials
CN110875360B (zh) * 2018-08-31 2022-08-30 成都辰显光电有限公司 显示面板
CN111240095A (zh) 2020-03-12 2020-06-05 Tcl华星光电技术有限公司 一种背光模组和显示面板
CN111505866B (zh) * 2020-04-21 2022-04-12 京东方科技集团股份有限公司 显示装置及其制作方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111016478A (zh) * 2019-11-14 2020-04-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种钙钛矿色转换膜的制作方法
CN111403446A (zh) * 2020-03-24 2020-07-10 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制造方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112436097A (zh) * 2020-11-19 2021-03-02 合肥维信诺科技有限公司 一种显示面板及其制备方法
CN112436097B (zh) * 2020-11-19 2023-03-24 合肥维信诺科技有限公司 一种显示面板及其制备方法
CN112802948A (zh) * 2021-03-30 2021-05-14 北京芯海视界三维科技有限公司 显示器件及显示器件的制作方法
CN113193014A (zh) * 2021-04-16 2021-07-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN113871551A (zh) * 2021-09-26 2021-12-31 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及移动终端
CN114203790A (zh) * 2021-12-10 2022-03-18 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制造方法、显示终端
CN114203790B (zh) * 2021-12-10 2024-02-20 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制造方法、显示终端

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