CN111883483B - 阵列基板的制备方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 85
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 35
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 65
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 65
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 14
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 9
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 273
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 abstract description 9
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000828 alnico Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N molybdenum tungsten Chemical compound [Mo].[W] MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/127—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
- H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Sustainable Development (AREA)
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Abstract
本发明揭示了一种阵列基板的制备方法，所述制备方法包括：S1、提供衬底基板；S2、在所述衬底基板一侧的表面上形成有源层；S3、在所述有源层远离所述衬底基板一侧的表面上形成功能膜层；S4、在上述步骤之后，通过蚀刻工艺在所述开孔区形成凹槽，所述凹槽自上而下贯穿所述功能膜层以及所述有源层，其中，所述凹槽位于所述开孔区内。本发明提供一种阵列基板的制备方法，通过在有源层远离衬底基板的一侧表面上先制备各功能层，再通过蚀刻工艺蚀刻各功能层和有源层形成凹槽，凹槽位于阵列基板的开孔区内，克服了现有的阵列基板制备时，先蚀刻有源层，再制备各功能层，造成开孔区两侧的有源层沟道特性异常的问题。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别关于一种阵列基板的制备方法。
背景技术
全面屏的设计已经成为移动终端（智能手机）市场的主流设计。目前，为了进一步提升手机正面的屏占比，实现“真全面屏”显示，屏下摄像技术受到广泛关注。
屏下摄像技术主要是通过蚀刻工艺在显示面板上对应摄像头的位置，蚀刻出容纳孔，再将摄像模组放置于容纳孔中。
现有的形成容纳孔的蚀刻工艺，在基板1一侧的表面上形成有源层2，有源层2对应于摄像头容纳孔的位置上预先形成凹槽3，其中，凹槽3可以是通过蚀刻工艺形成的。此时，有源层2在平行于显示面板的源极走线，英文，Source Line（或者，也称为数据走线，英文，Data Line）的延伸方向（S方向）上被打断，即，S方向上，凹槽3的两侧的有源层2具有不同的长度。
而，在后续形成其他金属层、电极层等功能膜层的过程中，有源层会受到静电荷等其他因素影响，由于S方向上，有源层的长度不同，导致不同长度的有源层沟道特性突变不同，造成显示异常的问题。
为了解决有源层在S方向被打断导致的特异性显示差异，需要提出一种新的阵列基板的制备方法。
发明内容
本发明的目的在于提供一种阵列基板及其制备方法，克服现有的阵列基板因S方向上开孔区的有源层被打断造成的有源层沟道特性异常的问题。
为实现上述发明目的之一，本发明一实施方式提供一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括显示区和开孔区，所述阵列基板的制备方法包括：
S1、提供衬底基板；
S2、在所述衬底基板一侧的表面上形成有源层；
S3、在所述有源层远离所述衬底基板一侧的表面上形成功能膜层；
S4、在上述步骤之后，通过蚀刻工艺在所述开孔区形成一个凹槽，所述凹槽自上而下贯穿所述功能膜层以及所述有源层，其中，所述凹槽位于所述开孔区内。
作为可选的技术方案，所述蚀刻工艺为干法蚀刻工艺。
作为可选的技术方案，S3中在所述有源层远离所述衬底基板一侧的表面上形成功能膜层包括：在所述有源层远离所述衬底基板一侧的表面上形成第一绝缘层，在所述第一绝缘层远离所述有源层一侧的表面上形成第一金属层；其中，所述第一金属层包括栅极结构图案。
作为可选的技术方案，S3中在所述有源层远离所述衬底基板一侧的表面上形成功能膜层还包括：在所述第一金属层远离所述第一绝缘层一侧的表面上形成第二绝缘层，在所述第二绝缘层远离所述第一金属层一侧的表面上形成第二金属层。
作为可选的技术方案，S3中在所述有源层远离所述衬底基板一侧的表面上形成功能膜层还包括：在所述第二金属层远离所述第二绝缘层一侧的表面上形成第三绝缘层，在所述第三绝缘层远离所述第三金属层一侧的表面上形成第三金属层；其中，所述第三金属层包通过贯穿所述第三绝缘层、所述第二绝缘层和所述第一绝缘层的通孔电性连接所述有源层。
作为可选的技术方案，所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层分别为无机层。
作为可选的技术方案，S3中在所述有源层远离所述衬底基板一侧的表面上形成功能膜层还包括：在所述第三金属层远离所述第三绝缘层一侧的表面上形成第一平坦化层，在所述第一平坦化层远离所述第三金属层一侧的表面上形成第四金属层；其中，所述第四金属层通过贯穿所述第一平坦化层的通孔与所述第三金属层电性连接。
作为可选的技术方案，S3中在所述有源层远离所述衬底基板一侧的表面上形成功能膜层还包括：在所述第四金属层远离所述第一平坦化层一侧的表面上形成第二平坦化层，在所述第二平坦化层远离所述第四金属层一侧的表面上形成像素定义层；其中，所述凹槽自上而下依次贯穿所述像素定义层、所述第二平坦化层、所述第一平坦化层、所述第三绝缘层、所述第二绝缘层、所述第一绝缘层以及所述有源层。
作为可选的技术方案，形成所述像素定义层之前还包括：在所述第二平坦化层远离所述第四金属层一侧的表面上上形成阳极层，所述阳极层通过贯穿所述第二平坦化层的通孔与所述第四金属层电性连接。
作为可选的技术方案，所述第三金属层或者所述第四金属层还包括源极走线，所述源极走线通过贯穿第三绝缘层的通孔电性连接所述第二金属层。
作为可选的技术方案，S2在所述衬底基板上形成有源层之前，还包括：形成缓冲层于所述衬底基板一侧的表面上；其中，所述缓冲层包括有机绝缘层和无机层，所述无机层设置于所述有机绝缘层和所述有源层之间，所述凹槽贯穿所述无机层，且贯穿部分所述有机绝缘层。
与现有技术相比， 本发明提供的阵列基板及其制备方法，至少具有如下优势：
1）有源层和功能膜层蚀刻在同一蚀刻步骤中进行，无需先单独蚀刻有源层，再制备并单独蚀刻功能膜层，简化了蚀刻步骤；
2）克服了现有技术中因预先蚀刻有源层对应开孔区的位置，导致有源层在平行于阵列基板的源极走线的延伸方向（S方向）上被打断，后续在断开的有源层上形成各功能膜层时，因为应力、电荷累积等因素造成S方向上断开的有源层的沟道特性（或者TFT特性）出现差异，进而带来S方向上开孔区显示异常的问题；
3）本发明的制备方法中，在完整的有源层上制备各功能膜层之后，有源层的沟道特性（或者TFT特性）已趋于稳定，此时，再依序蚀刻开孔区位置对应的各功能膜层和有源层，不会再改变有源层的沟道特性，因此，不会导致在S向上开孔区的显示异常。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中的阵列基板的开孔区的凹槽形成示意图。
图2是本发明一实施例中的阵列基板的制备方法的流程图。
图3是本发明一实施例中的阵列基板的显示区、开孔区及切割槽的示意图。
图4A至图4H是本发明一实施例阵列基板的各制造步骤的剖面示意图。
具体实施方式
为使对本发明的目的、构造、特征、及其功能有进一步的了解，兹配合实施例详细说明如下。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
如图2、图3以及图4A至图4H所示，本发明提供一种阵列基板100的制备方法，阵列基板100的制备方法包括：
S1、提供衬底基板110；
S2、在衬底基板110一侧的表面上形成有源层120；
S3、在有源层120远离衬底基板110一侧的表面上形成功能膜层；
S4、在上述步骤之后，通过蚀刻工艺在开孔区20形成一个凹槽22，凹槽22自上而下贯穿功能膜层以及有源层120，其中，凹槽22位于开孔区20内。
其中，上述功能膜层例如包括绝缘层、金属层、平坦化层、阳极层以及像素定义层构成的叠层结构。
本发明提供的阵列基板100的制备方法中，在有源层120上制备完成各个功能膜层之后，利用干法蚀刻工艺蚀刻阵列基板100的功能膜层和有源层120对应开孔区20的位置形成凹槽22，凹槽22自上而下贯穿功能膜层和有源层120。这种先在有源层120上制备各功能膜层，之后再蚀刻功能膜层和有源层120形成凹槽22的制备方法，至少具备如下优势：
1）有源层和功能膜层蚀刻在同一蚀刻步骤中进行，无需先单独蚀刻有源层，再制备并单独蚀刻功能膜层，简化了蚀刻步骤；
2）克服了现有技术中因预先蚀刻有源层对应开孔区的位置，导致有源层在平行于阵列基板的源极走线的延伸方向（S方向）上被打断，后续在断开的有源层上形成各功能膜层时，因为应力、电荷累积等因素造成S方向上断开的有源层的沟道特性（或者TFT特性）出现差异，进而带来S方向上开孔区显示异常的问题；
3）本发明的制备方法中，在完整的有源层上制备各功能膜层之后，有源层的沟道特性（或者TFT特性）已趋于稳定，此时，再依序蚀刻开孔区位置对应的各功能膜层和有源层，不会再改变有源层的沟道特性，因此，不会导致在S向上开孔区的显示异常。
本实施例中，阵列基板100包括显示区10和开孔区20，开孔区20包括凹槽22，凹槽22容纳摄像头或者其他屏下识别元件。其中，开孔区20的***形成有切割线槽21，通过蚀刻切割线槽21的区域，将开孔区20中的有源层120以及各功能膜层移除形成凹槽22。
本实施例中，开孔区20位于显示区10的角落处，但不以此为限。在本发明其他实施例中，开孔区的位置可依据实际需要设置于显示区的任意位置。
在一较佳的实施方式中，切割线槽21形成的图案的内部未设置无机层、金属走线等刚性膜层。换言之，金属走线可绕着切割线槽21的图案的外侧布置，切割线槽21的图案内部的无机膜层可预先通过蚀刻工艺移除。
在一较佳的实施方式中，衬底基板110例如是玻璃基板或者柔性基板。其中，若为柔性基板时，其可以为单层或者多层结构，例如可以为由自下而上的柔性基板、无机层和柔性基板的叠层结构构成。
在一较佳的实施方式中，形成有源层120于衬底基板110一侧的表面上，有源层120的材料通常可以为低温多晶硅，例如使用化学气象沉积的方式沉积一层多晶硅于衬底基板110上，再经过高温去氢与准分子激光照射转变为低温多晶硅，最后通过黄光刻蚀图案化工艺形成有源层120。
其中，有源层120还可包含通过掺杂方式所形成的源极掺杂区121与漏极掺杂区122，以及设置在源极掺杂区121与漏极掺杂区122之间的沟道区123。源极掺杂区121、漏极掺杂区122与沟道区123位于在显示区10中。
在一较佳的实施方式中，在衬底基板110上形成有源层120之前，还包括在衬底基板110一侧表面上先形成缓冲层，其中，缓冲层包括有机绝缘层240和无机层230，其中，无机层230设置于有源层120与有机绝缘层240之间，无机层230的材料通常可以为氧化硅、氮化硅或氮化硅与氧化硅的混合物，例如采用化学气相沉积的方式形成。
结合图2、图4A至图4H可知，在有源层120远离衬底基板110一侧的表面上形成功能膜层的步骤具体包括：
首先，在有源层120远离衬底基板110一侧的表面上形成第一绝缘层130，在第一绝缘层130远离有源层120一侧的表面上形成第一金属层140；第一绝缘层130的材料通常可以为氧化硅、氮化硅或氮化硅与氧化硅的混合物，采用化学气相沉积的方式形成；第一金属层140包括栅极结构图案层，栅极的材料通常可以为钼、铝、钼钨合金、铝镍合金、铬或铜等金属，首先通过物理气相沉积的方式沉积整面金属，再通过黄光刻蚀图案化工艺形成栅极结构图案。
其次，在第一金属层140远离第一绝缘层130一侧的表面上形成第二绝缘层150，在第二绝缘层150远离第一金属层140一侧的表面上形成第二金属层160；第二绝缘层150的材料通常可以为氧化硅、氮化硅或氮化硅与氧化硅的混合物，采用化学气相沉积的方式形成。
接着，在第二金属层160远离第二绝缘层150一侧的表面上形成第三绝缘层170，在第三绝缘层170远离第二金属层160一侧的表面上形成第三金属层180；第三绝缘层170的材料通常可以为氧化硅、氮化硅或氮化硅与氧化硅的混合物，采用化学气相沉积的方式形成；第三金属层180通过贯穿第三绝缘层170、第二绝缘层150和第一绝缘层130的通孔电性连接分别有源层120。
需要说明的是，当第一绝缘层130、第二绝缘层150和第三绝缘层170分别为氧化硅、氮化硅或氮化硅与氧化硅的混合物形成的无机层时，在形成第一平坦化层190之前，可先对第一绝缘层130、第二绝缘层150和第三绝缘层170对应开孔区20位置的膜层去除，避免后续沿着切割线槽21蚀刻功能膜层时，无机层中产生裂纹，且裂纹沿着切割线槽21向外扩散，造成显示区10的电性能异常。
然后，在第三金属层180远离第三绝缘层170一侧的表面上形成第一平坦化层190，第一平坦化层190的材料通常可以为聚酰亚胺，采用涂布固化的方式形成；以及，在第一平坦化层190远离第三金属层180一侧的表面上形成第四金属层200，第四金属层200通过贯穿第一平坦化层190中的通孔与第三金属层180电性连接。
本实施例中，第四金属层200为源极走线结构（Source Line），但不以为限。在本发明其他实施例中，第三金属层和第四金属层其中任一都可以包含源极走线。
在一较佳的实施方式中，在第四金属层200远离第一平坦化层190一侧的表面上形成第二平坦化层210，第二平坦化层210的材料通常可以为聚酰亚胺，采用涂布固化的方式形成；在第二平坦化层210远离第四金属层200一侧的表面上形成阳极层220，阳极层220通过贯穿第二平坦化层210的贯孔与第四金属层200电性连接。其中，阳极层220的材料通常可以为氧化铟锡、银、氧化铟锡的叠层结构，首先通过物理气相沉积的方式沉积整面膜层，再通过黄光刻蚀图案化工艺形成相应图案。
最后，在阳极层220远离第二平坦化层210一侧的表面上形成像素定义层250，像素定义层250的材料通常可以为聚酰亚胺，采用涂布固化的方式形成；在像素定义层250上进行光刻胶涂布，曝光及显影工艺，形成一层光阻层（未图示），光阻层暴露出切割线槽21内部的区域，通过干法蚀刻工艺形成凹槽22；其中，干法刻蚀所使用的工艺，包括四氟化碳与氧气的混合气体，去除切割线槽21内部的各功能膜层（自上而下包括像素定义层250、第二平坦化层210、第一平坦化层190、第三绝缘层170、第二绝缘层150、第一绝缘层130）和有源层120，直至衬底基板110表面显露或者衬底基板110上的缓冲层显露，剥离光阻层，即阵列基板100制备完成。
本实施例中，像素定义层250远离阳极层220一侧的表面上形成凸柱231，相邻凸柱231之间的容置部用以填充发光材料层。
本实施例中，衬底基板110上的缓冲层的无机层230对应开孔区20位置的膜层被去除，有机绝缘层240对应开孔区20位置的部分膜层被去除。
另外，本实施例中，去除切割线槽21内部功能膜层和有源层形成的凹槽22为圆形凹槽，以适应放置于此处的摄像头镜头的形状，但不以此为限。在本发明其他实施例中，去除切割线槽内部的功能膜层和有源层后形成的凹槽的形状可以是矩形、椭圆、正方形等其他任意形状。
综上，本发明提供一种阵列基板的制备方法，通过在有源层远离衬底基板的一侧表面上先制备各功能层，再通过蚀刻工艺蚀刻各功能层和有源层形成凹槽，凹槽位于阵列基板的开孔区内，克服了现有的阵列基板制备时，先蚀刻有源层，再制备各功能层，造成开孔区两侧的有源层沟道特性异常的问题。
应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施方式中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
上文所列出的一系列的详细说明仅仅是针对本发明的可行性实施方式的具体说明，它们并非用以限制本发明的保护范围，凡未脱离本发明技艺精神所作的等效实施方式或变更均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括显示区和开孔区，其特征在于，所述阵列基板的制备方法包括：
S1、提供衬底基板；
S2、在所述衬底基板一侧的表面上形成有源层；
S3、在所述有源层远离所述衬底基板一侧的表面上形成功能膜层；
S4、在上述步骤之后，通过蚀刻工艺在所述开孔区形成凹槽，所述凹槽自上而下贯穿所述功能膜层以及所述有源层，其中，所述凹槽位于所述开孔区内，所述开孔区位于所述阵列基板的源极走线的延伸方向上，所述凹槽容纳摄像头或者其他屏下识别元件；
所述S3中，在完整的所述有源层上制备形成所述功能膜层，所述有源层在平行于所述阵列基板的源极走线的延伸方向上不被打断，且所述有源层包括位于所述凹槽外部区域的部分和位于所述凹槽对应位置的部分。
2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述蚀刻工艺为干法蚀刻工艺。
3.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，S3中在所述有源层远离所述衬底基板一侧的表面上形成功能膜层包括：
在所述有源层远离所述衬底基板一侧的表面上形成第一绝缘层，在所述第一绝缘层远离所述有源层一侧的表面上形成第一金属层；
其中，所述第一金属层包括栅极结构图案。
4.根据权利要求3所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，S3中在所述有源层远离所述衬底基板一侧的表面上形成功能膜层还包括：
在所述第一金属层远离所述第一绝缘层一侧的表面上形成第二绝缘层，在所述第二绝缘层远离所述第一金属层一侧的表面上形成第二金属层。
5.根据权利要求4所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，S3中在所述有源层远离所述衬底基板一侧的表面上形成功能膜层还包括：
在所述第二金属层远离所述第二绝缘层一侧的表面上形成第三绝缘层，在所述第三绝缘层远离所述第二金属层一侧的表面上形成第三金属层；
其中，所述第三金属层通过贯穿所述第三绝缘层、所述第二绝缘层和所述第一绝缘层的通孔电性连接所述有源层。
6.根据权利要求5所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层分别为无机层。
7.根据权利要求5所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，S3中在所述有源层远离所述衬底基板一侧的表面上形成功能膜层还包括：
在所述第三金属层远离所述第三绝缘层一侧的表面上形成第一平坦化层，在所述第一平坦化层远离所述第三金属层一侧的表面上形成第四金属层；
其中，所述第四金属层通过贯穿所述第一平坦化层的通孔与所述第三金属层电性连接。
8.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，S3中在所述有源层远离所述衬底基板一侧的表面上形成功能膜层还包括：
在所述第四金属层远离所述第一平坦化层一侧的表面上形成第二平坦化层，在所述第二平坦化层远离所述第四金属层一侧的表面上形成像素定义层；
其中，所述凹槽自上而下依次贯穿所述像素定义层、所述第二平坦化层、所述第一平坦化层、所述第三绝缘层、所述第二绝缘层、所述第一绝缘层以及所述有源层。
9.根据权利要求8所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，形成所述像素定义层之前还包括：
在所述第二平坦化层上远离所述第四金属层一侧的表面上形成阳极层，所述阳极层通过贯穿所述第二平坦化层的通孔与所述第四金属层电性连接。
10.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，S2在所述衬底基板上形成有源层之前，还包括：
形成缓冲层于所述衬底基板一侧的表面上；
其中，所述缓冲层包括有机绝缘层和无机层，所述无机层设置于所述有机绝缘层和所述有源层之间，所述凹槽贯穿所述无机层，且贯穿部分所述有机绝缘层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202010867651.6A CN111883483B (zh) | 2020-08-26 | 2020-08-26 | 阵列基板的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202010867651.6A CN111883483B (zh) | 2020-08-26 | 2020-08-26 | 阵列基板的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111883483A CN111883483A (zh) | 2020-11-03 |
| CN111883483B true CN111883483B (zh) | 2024-05-14 |
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ID=73199348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010867651.6A Active CN111883483B (zh) | 2020-08-26 | 2020-08-26 | 阵列基板的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111883483B (zh) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106876327A (zh) * | 2017-02-17 | 2017-06-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 |
| KR20180047607A (ko) * | 2016-10-31 | 2018-05-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| CN109037146A (zh) * | 2018-07-26 | 2018-12-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板的制作方法、阵列基板以及显示装置 |
| CN109950426A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-06-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示基板的制备方法 |
| CN110534666A (zh) * | 2019-08-29 | 2019-12-03 | 合肥维信诺科技有限公司 | 柔性显示基板、柔性显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN110600511A (zh) * | 2019-08-26 | 2019-12-20 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光显示面板及其制备方法 |
| CN111261693A (zh) * | 2020-03-23 | 2020-06-09 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种可形变的显示面板及其制备方法、显示装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180076429A (ko) * | 2016-12-27 | 2018-07-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
| CN109599419B (zh) * | 2018-10-23 | 2020-12-25 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板及其制造方法 |
-
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Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180047607A (ko) * | 2016-10-31 | 2018-05-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| CN106876327A (zh) * | 2017-02-17 | 2017-06-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 |
| CN109037146A (zh) * | 2018-07-26 | 2018-12-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板的制作方法、阵列基板以及显示装置 |
| CN109950426A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-06-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示基板的制备方法 |
| CN110600511A (zh) * | 2019-08-26 | 2019-12-20 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光显示面板及其制备方法 |
| CN110534666A (zh) * | 2019-08-29 | 2019-12-03 | 合肥维信诺科技有限公司 | 柔性显示基板、柔性显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN111261693A (zh) * | 2020-03-23 | 2020-06-09 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种可形变的显示面板及其制备方法、显示装置 |
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| CN111883483A (zh) | 2020-11-03 |
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