CN111872835B - 一种铜表面疏水改性的一体化方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种铜表面疏水改性的一体化方法,其包括,将铜片进行清洗;放入低表面能溶液中浸泡,干燥;所述打磨,在旋转打磨装置旋转打磨即可使用的磨料包括金刚砂、石英砂、核桃壳中的一种或几种。本发明利用铜金属基体与磨料在旋转打磨装置中摩擦,在金属表面构筑微观结构,是铜金属表面疏水改性的基础。金属表面微观结构中引入了二氧化硅溶液及十二烷基三甲氧基硅烷溶液或硬脂酸乙醇溶液制得的二元复合型溶液,首次实现了一次性使用机械旋转方法在铜表面生成疏水膜。通过在模拟海水中进行电化学实验,结果显示该发明对纯铜金属具有很好的保护能力,最优的缓蚀率为99.8%,能够有效地保护了海水中的铜及其合金。
Description
技术领域
本发明属于铜表面疏水改性技术领域,具体涉及一种铜表面疏水改性的一体化方法。
背景技术
疏水表面因为独特的润湿性使其在金属防腐蚀领域具有突出的应用优势。降低基体表面能和调控表面微观结构是金属表面疏水改性最重要的两个方面。然而,现阶段人们往往选用含氟类的低表面能物质。众所周知,含氟类物质不仅价格昂贵,而且对生态环境有很大污染,不符合绿色化学理念;现阶段,金属基体表面微观结构构造方法多种多样,包括化学刻蚀法、激光构造法以及静电纺丝方法等,但是这些方法操作复杂,无法大规模应用于铜金属表面疏水改性。因此,开发操作简单的同时构造铜金属基体表面微观结构和低表面能处理的方法,是铜金属疏水表面改性领域的热点及难点。
申请号为CN201810024407.6的专利研究了一种以石英砂和PVC为原料制备耐磨疏水材料的方法。该方法首先制备疏水石英砂颗粒;然后在室温下,将PVC溶解于四氢呋喃中,得到混合溶液;随后将疏水石英砂颗粒超声分散于混合溶液中,水浴加热保温,得到悬浊液;再将悬浊液均匀涂覆于基底上,将涂覆有悬浊液的基底在室温条件下干燥后置于干燥箱中,在100℃~120℃条件下干燥1h~2h,最后对干燥后的基底表面进行摩擦,在基底上得到耐磨疏水材料。但此方法繁杂、在金属表面形成的疏水膜稳定性较差。申请号为CN201110441836.1的专利研究了一种表面粗化铜板的装置。该装置提供在铜板的两面形成微细瘤状突起来对铜板的两面进行粗化的方法。该方法利用电镀原理,在铜电镀液中对向设置同极性的电极,并在其间设置铜板。通过在电镀装置内进行一次循环以上阳极处理和阴极处理,由此形成所述微细瘤状突起。但此方法操作过程复杂,不利于大规模应用。申请号为CN201510836728.2的专利公开了一种铜基底疏水表面的制备方法。该铜基底疏水表面的制备方法包括:在铜基底表面构建微米级粗糙结构,得到第一表面;对第一表面进行羟基化处理,得到第二表面;将铜基底置于有机溶液中,使第二表面发生缩合反应,得到第三表面;去除第三表面残留的有机溶液,得到铜基底疏水表面。然而此方法制作步骤繁琐,不利于大规模推广,对金属基材也有一定的损坏,不利于金属表面性质的稳定。
金属基体表面疏水性取决于两个重要影响因素,一是基体表面能大小,另一个是基体表面微观结构。通过文献可知,在以往对铜表面进行疏水改性时,往往采用两步法,首先构建具有微观结构的表面,然后对微观结构的表面进行低表面能物质浸润。在进行表面微观结构构建时,人们多采用化学刻蚀、化学沉积以及层层组装等方法。而这些方法在实际操作中不仅花费时间长,而且成本较高,实验条件复杂。机械加工方法构造铜基表面微观结构具有绿色环保、操作简便等优点。然而利用磨料与金属基体之间产生的摩擦力不易定量控制,因此如何实现通过机械打磨方式构造铜基表面微观结构,并借以构筑疏水表面,是一个技术难题。
发明内容
本部分的目的在于概述本发明的实施例的一些方面以及简要介绍一些较佳实施例。在本部分以及本申请的说明书摘要和发明名称中可能会做些简化或省略以避免使本部分、说明书摘要和发明名称的目的模糊,而这种简化或省略不能用于限制本发明的范围。
鉴于上述的技术缺陷,提出了本发明。
因此,作为本发明其中一个方面,本发明克服现有技术中存在的不足,提供一种铜表面疏水改性的一体化方法。
为解决上述技术问题,本发明提供了如下技术方案:一种铜表面疏水改性的一体化方法,其包括,将铜片放入有低表面能溶液和磨料的旋转搅拌装置中同时进行打磨和浸润。
作为本发明所述的铜表面疏水改性的一体化方法的优选方案,其中:所述打磨,在旋转打磨装置旋转打磨即可,使用的磨料包括金刚砂、石英砂、核桃壳中的一种或几种。
作为本发明所述的铜表面疏水改性的一体化方法的优选方案,其中:所述磨料的粒径为20~50目,莫氏硬度为3.5级以上。
作为本发明所述的铜表面疏水改性的一体化方法的优选方案,其中:所述的铜片为纯铜;所述打磨,使用的磨料包括金刚砂、石英砂、核桃壳中的一种或几种。
作为本发明所述的铜表面疏水改性的一体化方法的优选方案,其中:所述打磨为旋转打磨,其打磨时间为1~3h,转速为300~800r/min;所述浸润时间为1~8h。
作为本发明所述的铜表面疏水改性的一体化方法的优选方案,其中:所述低表面能溶液包括硬脂酸、二氧化硅和十二烷基三甲氧基硅烷;其中所述二氧化硅和十二烷基三甲氧基硅烷的使用比例为0.05g~0.15g二氧化硅,配合10mL~30mL十二烷基三甲氧基硅烷;所述二氧化硅和硬脂酸的使用比例为0.05g~0.15g二氧化硅,配合10mL~30mL硬脂酸溶液。
作为本发明所述的铜表面疏水改性的一体化方法的优选方案,其中:所述浸润是按所述低表面能溶液体积与所述铜片面积之比为5~80mL/cm2进行。
作为本发明所述的铜表面疏水改性的一体化方法的优选方案,其中:所述打磨,在旋转打磨装置中进行,所述旋转打磨装置包括管体、传动轴和电动机,所述管体与所述传动轴连接,所述电机带动所述传动轴旋转。
作为本发明所述的铜表面疏水改性的一体化方法的优选方案,其中:所选用的电动机型号为15W 220V交流齿轮调速电机。
本发明的有益效果:
(1)传统的疏水涂层需要经过一系列化学刻蚀,不仅步骤繁琐,而且不符合绿色化学理念。本发明利用铜金属基体与磨料在旋转打磨装置中摩擦,在金属表面构筑微观结构,是铜金属表面疏水改性的基础。金属表面微观结构的构建过程中,同时引入了二氧化硅及十二烷基三甲氧基硅烷(DTMS)或二氧化硅及硬脂酸的二元复合溶液,首次实现了一次性使用机械旋转方法在铜表面生成疏水膜。相比于传统的在金属表面进行化学刻蚀、层层组装等手段制备铜基微观结构,然后再用低表面能处理的传统方法,本方法具有方便、高效等优点,且生成的表面膜具有很好的疏水性,是一种绿色环保的表面处理手段,对金属基体无任何负面影响,适应范围广,值得大力推广。
(2)本发明中制备出的疏水膜在模拟海水中具有很好的抗腐蚀性能。本发明利用旋转打磨手段提高了低表面能物质的利用率,避免了环境污染。通过在模拟海水中进行电化学实验,结果显示该发明对铜金属具有很好的保护能力,最优缓蚀率为99.8%,能够有效地保护了海水中的铜。
(3)本发明中疏水膜的制备过程简便。将预处理后的铜片放入离心管中,管内加入不同磨料(石英砂、金刚砂及核桃壳等),再加入复合低表面能物质,旋转打磨,浸润一段时间后即可。二氧化硅和十二烷基三甲氧基硅烷(DTMS)或二氧化硅和硬脂酸溶液的用量很少,可以反复使用,节约成本,经济效益高;旋转打磨装置的应用避免了低表面能物质配成水溶液使用,符合绿色环保的理念,并且增强了低表面能物质的利用率。
(4)本发明所述的铜表面疏水改性的旋转打磨制备方法,成功实现了利用机械装置制备疏水铜表面。将处理好的铜片放入含有不同磨料和复合处理液的离心管中,并以型号为15W 220V的交流电机,在500r/min(500转每分钟)的条件下对金属基底进行打磨2小时;然后静置浸润,即铜表面制得一层致密的疏水膜,该疏水膜不仅能够有效的抵御海水对铜金属的腐蚀,而且提高了基底表面疏水性能,接触角最高可达146°。
(5)本发明可以去除铜表面的氧化物和杂质,促进了二氧化硅分子和十二烷基三甲氧基硅烷(DTMS)分子或二氧化硅分子和硬脂酸溶液在铜表面的吸附,硅烷及硬脂酸溶液可对二氧化硅粉末进行改性,使其表面亲水性羟基基团减少,有利于铜基底表面能降低,使得疏水膜形成地更加致密,从而提高铜表面疏水能力。
(6)本发明的打磨时间需要合理的控制,如果打磨时间过短,铜表面疏水膜成膜不均匀,会导致疏水膜的保护能力不足;打磨时间过长,缓蚀剂分子的堆积会使膜层与铜基体间的结合力减弱,不利于点击疏水膜层的附着。因此,本发明优化了的打磨时间为1~3h,其中最优打磨时间为2h。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。其中:
图1为实施例1中旋转打磨实验装置示意图;
图2为裸铜电极和经过三种磨料打磨铜电极在3.5wt.%NaCl溶液中浸泡1h后的电化学阻抗谱测试和极化曲线(0.1g SiO2与10mL DTMS混合溶液修饰);
图3为裸铜电极和经过三种磨料打磨铜电极在3.5wt.%NaCl溶液中浸泡1h后的电化学阻抗谱测试和极化曲线(0.1g SiO2与10mL硬脂酸乙醇混合溶液)
图4为实施例3中裸铜电极和核桃壳磨料处理铜电极经0.10g二氧化硅(SiO2)、10mL十二烷基三甲氧基硅烷(DTMS)修饰后,在3.5wt.%NaCl溶液中浸泡1h后的电化学阻抗谱测试和极化曲线;
图5为实施例1中裸铜电极和金刚砂磨料处理铜电极经0.10g二氧化硅(SiO2)、10mL硬脂酸乙醇溶液修饰后,在3.5wt.%NaCl溶液中浸泡1h后的电化学阻抗谱测试和极化曲线;
图6为实施例1中裸铜电极和石英砂磨料处理铜电极经0.10g二氧化硅(SiO2)、10mL硬脂酸乙醇溶液修饰后,在3.5wt.%NaCl溶液中浸泡1h后的电化学阻抗谱测试和极化曲线;
图7为实施例1中裸铜电极和核桃壳磨料处理铜电极经0.10g二氧化硅(SiO2)、10mL硬脂酸乙醇溶液修饰后,在3.5wt.%NaCl溶液中浸泡1h后的电化学阻抗谱测试和极化曲线;
图8为裸铜电极和经过三种磨料处理铜电极经0.10g二氧化硅(SiO2)、10mL十二烷基三甲氧基硅烷(DTMS)修饰后,在3.5wt.%NaCl溶液中浸泡1h后的电化学阻抗谱测试和极化曲线;
图9为裸铜及不同磨料打磨修饰后的铜片放入0.10g二氧化硅(SiO2)、10mL十二烷基三甲氧基硅烷(DTMS)溶液中浸泡6h后的光学显微镜图;
图10为0.10g二氧化硅(SiO2)、10mL十二烷基三甲氧基硅烷(DTMS)修饰后铜表面疏水性变化图;
图11为裸铜电极和经过三种磨料处理铜电极经0.10g二氧化硅(SiO2)、10mL硬脂酸乙醇溶液修饰后,在3.5wt.%NaCl溶液中浸泡1h后的电化学阻抗谱测试和极化曲线图;
图12为裸铜及不同磨料打磨修饰后的铜片放入0.10g二氧化硅(SiO2)、10mL硬脂酸乙醇溶液中浸泡6h后的光学显微镜图;
图13为0.10g二氧化硅(SiO2)、10mL硬脂酸乙醇溶液修饰后铜表面疏水性变化图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合具体实施例对本发明的具体实施方式做详细的说明。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明,但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广,因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
其次,此处所称的“一个实施例”或“实施例”是指可包含于本发明至少一个实现方式中的特定特征、结构或特性。在本说明书中不同地方出现的“在一个实施例中”并非均指同一个实施例,也不是单独的或选择性的与其他实施例互相排斥的实施例。
本发明获得铜表面疏水改性及缓释性能的评价办法包括如下:利用电化学工作站(Solartron 1287/Solartron 1260)对在不同条件和浓度下组装的铜电极进行测试,用ZSim Demo软件对电化学阻抗谱进行拟合,对照着空白电极计算缓蚀率;拍摄了组装有疏水膜的铜片光学显微镜表面形貌图,与空白铜片的表面形貌比较,根据打磨前后表面形貌的直观变化来判断表面疏水膜的形成;使用接触角测量仪测量不同铜基体表面接触角。
本发明中电化学实验采用三电极体系,其中,铂电极作为辅助电极(CE),饱和甘汞电极(SCE,Cl-浓度为0.357g/mL)作为参比电极(RE),而工作电极(WE)则是在实验室制作的电极,选用1×1cm2的铜片,用锡焊将铜片与铜丝连接,表面用环氧树脂密封。在进行电化学实验前,裸铜(Bare copper)工作电极的处理方式与铜的预处理方式(步骤1和步骤2)相同。电化学测量采用激励信号幅值为5mV的正弦波,测试频率为10-2~105Hz;极化曲线的扫描速度选择0.167mV/s,扫描范围为±300mV(相对于开路电位)。
缓蚀率ηR计算公式如下:
其中,Rp,inh为组装有疏水膜的铜电极的极化电阻,Rp,0为在空白铜电极的极化电阻。
实施例1
一种铜表面疏水膜的二元低表面能物质,由0.10g二氧化硅(SiO2)、10mL十二烷基三甲氧基硅烷(DTMS)。
取相同规格裸铜片浸泡在0.10g二氧化硅和10mL的十二烷基三甲氧基硅烷(DTMS)混合溶液中作为对照组。
如图1所示,为组装实验装置示意图,所述的实验装置包括离心管1,所述的离心管1中盛有溶液2以及铜电极片3,使用旋转打磨装置对铜片进行打磨,每个离心管内装有一个铜片。
采用上述的旋转打磨实验装置,铜表面疏水改性方法为:
(1)将纯铜电极片分别用乙醇和去离子水冲洗铜基体表面2遍,使得铜片表面无残留杂质,烘干;
(2)将上述处理铜电极片放入含有金刚砂磨料的离心管中,在离心管中同时加入0.10g SiO2及10mL DTMS混合溶液,随后旋转打磨2h,转速为500r/min。低表面能溶液体积与铜金属面积之比为10mL/cm2。打磨完成后,静置浸润6h,取出铜片分别用去离子水冲洗2遍,放入干燥箱中真空烘干2h,温度为180℃,在铜表面组装出疏水膜。
将组装好的铜电极放入3.5wt.%NaCl溶液中进行1h的开路电位测试后,使电极的电位趋于稳定,然后进行交流阻抗测试和极化曲线测试,结果如图2和表1所示。在图2和表1中,Bare copper代表裸铜电极在0.1g SiO2与10mL DTMS混合溶液中浸润1h;JGS代表经过金刚砂磨料打磨,并在0.1g SiO2与10mL DTMS混合溶液中静置浸润6h的铜电极。
金刚砂磨料为特优级,细度为30目。离心管规格为50mL,交流电机型号为15W220V,二氧化硅溶液的质量为0.10g,十二烷基三甲氧基硅烷(DTMS)溶液体积为10mL。
由图2可以看出,裸铜的容抗弧最小,经金刚砂打磨后的铜电极容抗弧最大,说明缓蚀率最大,证明经过金刚砂打磨后的铜电极表面的疏水膜能够很好地保护铜电极在模拟海水(3.5%NaCl溶液)中抵抗腐蚀。这是由于金刚砂磨料与铜片进行摩擦,在铜片表面可形成微观结构,且同时经过二氧化硅和十二烷基三甲氧基硅烷浸泡后,铜片表面形成疏水膜。而这种疏水膜能够很好地抵御Cl-的侵蚀。相比于裸铜电极,组装有疏水膜的铜电极的腐蚀电流更低,证明了疏水膜的保护作用,其中经金刚砂打磨后的铜电极的腐蚀电流最低,这个结果与交流阻抗结果相吻合。
实施例2
一种铜表面疏水膜的二元低表面能物质,由0.10g二氧化硅(SiO2)、10mL十二烷基三甲氧基硅烷(DTMS)。
取相同规格裸铜片浸泡在0.10g二氧化硅和10mL的十二烷基三甲氧基硅烷(DTMS)混合溶液中作为对照组。
如图1所示,为组装实验装置示意图,所述的实验装置包括离心管1,所述的离心管1中盛有溶液2以及铜电极片3,使用旋转打磨装置对铜片进行打磨,每个离心管内装有一个铜片。
采用上述的旋转打磨实验装置,铜表面疏水改性方法为:
(1)将纯铜电极片分别用乙醇和去离子水冲洗铜基体表面2遍,使得铜片表面无残留杂质,烘干;
(2)将上述处理铜电极片放入含有石英砂磨料的离心管中,在离心管中同时加入0.10g SiO2及10mL DTMS混合溶液,随后旋转打磨2h,转速为500r/min。低表面能溶液体积与铜金属面积之比为10mL/cm2。打磨完成后,静置浸润6h,取出铜片分别用去离子水冲洗2遍,放入干燥箱中真空烘干2h,温度为180℃,在铜表面组装出疏水膜。
将组装好的铜电极放入3.5wt.%NaCl溶液中进行1h的开路电位测试后,使电极的电位趋于稳定,然后进行交流阻抗测试和极化曲线测试,结果如图3和表1所示。在图3和表1中,Bare copper代表裸铜电极在0.1g SiO2与10mL DTMS混合溶液中浸润6h;SYS代表经过金刚砂磨料打磨,并在0.1g SiO2与10mL DTMS混合溶液中静置浸润6h的铜电极。
石英砂磨料为特优级,细度为30目。离心管规格为50mL,交流电机型号为15W220V,二氧化硅溶液的质量为0.10g,十二烷基三甲氧基硅烷(DTMS)溶液体积为10mL。
由图3可以看出,裸铜的容抗弧最小,经石英砂打磨后的铜电极容抗弧最大,说明缓蚀率最大,证明经过石英砂打磨后的铜电极表面的疏水膜能够很好地保护铜电极在模拟海水(3.5%NaCl溶液)中抵抗腐蚀。这是由于石英砂磨料与铜片进行摩擦,在铜片表面可形成微观结构,且同时经过二氧化硅和十二烷基三甲氧基硅烷浸泡后,铜片表面形成疏水膜。而这种疏水膜能够很好地抵御Cl-的侵蚀。相比于裸铜电极,组装有疏水膜的铜电极的腐蚀电流更低,证明了疏水膜的保护作用。
实施例3
一种铜表面疏水膜的二元低表面能物质,由0.10g二氧化硅(SiO2)、10mL十二烷基三甲氧基硅烷(DTMS)。
取相同规格裸铜片浸泡在0.10g二氧化硅和10mL的十二烷基三甲氧基硅烷(DTMS)混合溶液中作为对照组。
如图1所示,为组装实验装置示意图,所述的实验装置包括离心管1,所述的离心管1中盛有溶液2以及铜电极片3,使用旋转打磨装置对铜片进行打磨,每个离心管内装有一个铜片。
采用上述的旋转打磨实验装置,铜表面疏水改性方法为:
(1)将纯铜电极片分别用乙醇和去离子水冲洗铜基体表面2遍,使得铜片表面无残留杂质,烘干;
(2)将上述处理铜电极片放入含有核桃壳磨料的离心管中,在离心管中同时加入0.10g SiO2及10mL DTMS混合溶液,随后旋转打磨2h,转速为500r/min。低表面能溶液体积与铜金属面积之比为10mL/cm2。打磨完成后,静置浸润6h,取出铜片分别用去离子水冲洗2遍,放入干燥箱中真空烘干2h,温度为180℃,在铜表面组装出疏水膜。
将组装好的铜电极放入3.5wt.%NaCl溶液中进行1h的开路电位测试后,使电极的电位趋于稳定,然后进行交流阻抗测试和极化曲线测试,结果如图4和表1所示。在图4和表1中,Bare copper代表裸铜电极在0.1g SiO2与10mL DTMS混合溶液中浸润6h;HTK代表经过金刚砂磨料打磨,并在0.1g SiO2与10mL DTMS混合溶液中静置浸润6h的铜电极。
核桃壳磨料为特优级,细度为30目。离心管规格为50mL,交流电机型号为15W220V,二氧化硅溶液的质量为0.10g,十二烷基三甲氧基硅烷(DTMS)溶液体积为10mL。
由图4可以看出,裸铜的容抗弧最小,经核桃壳打磨后的铜电极容抗弧最大,说明缓蚀率最大,证明经过核桃壳磨料打磨后的铜电极表面的疏水膜能够很好地保护铜电极在模拟海水(3.5%NaCl溶液)中抵抗腐蚀。这是由于核桃壳磨料与铜片进行摩擦,在铜片表面可形成微观结构,且同时经过二氧化硅和十二烷基三甲氧基硅烷浸泡后,铜片表面形成疏水膜。而这种疏水膜能够很好地抵御Cl-的侵蚀。相比于裸铜电极,组装有疏水膜的铜电极的腐蚀电流更低,证明了疏水膜的保护作用。
实施例4
一种铜表面疏水膜的二元低表面能物质,由0.10g二氧化硅(SiO2)、10mL硬脂酸乙醇溶液(6.25mg/mL)组成。
取相同规格裸铜片浸泡在0.10g二氧化硅和10mL的中作为对照组。
如图1所示,为组装实验装置示意图,所述的实验装置包括离心管1,所述的离心管1中盛有溶液2以及铜电极片3,使用旋转打磨装置对铜片进行打磨,每个离心管内装有一个铜片。
采用上述的旋转打磨实验装置,铜表面疏水改性方法为:
(1)将纯铜电极片分别用乙醇和去离子水冲洗铜基体表面2遍,使得铜片表面无残留杂质,烘干;
(2)将上述处理铜电极片放入含有金刚砂磨料的离心管中,在离心管中同时加入0.10g二氧化硅(SiO2)、10mL硬脂酸乙醇溶液(6.25mg/mL),随后旋转打磨2h,转速为500r/min。低表面能溶液体积与铜金属面积之比为10mL/cm2。打磨完成后,静置浸润6h,取出铜片分别用去离子水冲洗2遍,放入干燥箱中真空烘干2h,温度为180℃,在铜表面组装出疏水膜。
将组装好的铜电极放入3.5wt.%NaCl溶液中进行1h的开路电位测试后,使电极的电位趋于稳定,然后进行交流阻抗测试和极化曲线测试,结果如图5和表2所示。在图5和表2中,Bare copper代表裸铜电极在0.1g SiO2与10mL硬脂酸乙醇溶液(6.25mg/mL)混合溶液中浸润6h;JGS代表经过金刚砂磨料打磨,并在0.1g SiO2与10mL硬脂酸乙醇溶液(6.25mg/mL)中静置浸润6h的铜电极。
金刚砂磨料为特优级,细度为30目。离心管规格为50mL,交流电机型号为15W220V,二氧化硅溶液的质量为0.10g,硬脂酸乙醇溶液(6.25mg/mL)溶液体积为10mL。
由图5可以看出,裸铜的容抗弧最小,经金刚砂打磨后的铜电极容抗弧最大,说明缓蚀率最大,证明经过金刚砂打磨后的铜电极表面的疏水膜能够很好地保护铜电极在模拟海水(3.5%NaCl溶液)中抵抗腐蚀。这是由于金刚砂磨料与铜片进行摩擦,在铜片表面可形成微观结构,且同时经过硬脂酸乙醇溶液浸泡后,铜片表面形成疏水膜。而这种疏水膜能够很好地抵御Cl-的侵蚀。相比于裸铜电极,组装有疏水膜的铜电极的腐蚀电流更低,证明了疏水膜的保护作用。
实施例5
一种铜表面疏水膜的二元低表面能物质,由0.10g二氧化硅(SiO2)、10mL硬脂酸乙醇溶液(6.25mg/mL)组成。
取相同规格裸铜片浸泡在0.10g二氧化硅和10mL的硬脂酸乙醇溶液(6.25mg/mL)中作为对照组。
如图1所示,为组装实验装置示意图,所述的实验装置包括离心管1,所述的离心管1中盛有溶液2以及铜电极片3,使用旋转打磨装置对铜片进行打磨,每个离心管内装有一个铜片。
采用上述的旋转打磨实验装置,铜表面疏水改性方法为:
(1)将纯铜电极片分别用乙醇和去离子水冲洗铜基体表面2遍,使得铜片表面无残留杂质,烘干;
(2)将上述处理铜电极片放入含有石英砂磨料的离心管中,在离心管中同时加入0.10g二氧化硅(SiO2)、10mL硬脂酸乙醇溶液(6.25mg/mL),随后旋转打磨2h,转速为500r/min。低表面能溶液体积与铜金属面积之比为10mL/cm2。打磨完成后,静置浸润6h,取出铜片分别用去离子水冲洗2遍,放入干燥箱中真空烘干2h,温度为180℃,在铜表面组装出疏水膜。
将组装好的铜电极放入3.5wt.%NaCl溶液中进行1h的开路电位测试后,使电极的电位趋于稳定,然后进行交流阻抗测试和极化曲线测试,结果如图6和表2所示。在图6和表2中,Bare copper代表裸铜电极在0.10g二氧化硅(SiO2)、10mL硬脂酸乙醇溶液(6.25mg/mL)中浸润6h;SYS代表经过石英砂磨料打磨,并在0.1g SiO2与10mL硬脂酸乙醇溶液(6.25mg/mL)中静置浸润6h的铜电极。
石英砂磨料为特优级,细度为30目。离心管规格为50mL,交流电机型号为15W220V,二氧化硅溶液的质量为0.10g,硬脂酸乙醇溶液(6.25mg/mL)溶液体积为10mL。
图6可以看出,裸铜的容抗弧最小,经石英砂打磨后的铜电极容抗弧最大,说明缓蚀率最大,证明经过金刚砂打磨后的铜电极表面的疏水膜能够很好地保护铜电极在模拟海水(3.5%NaCl溶液)中抵抗腐蚀。这是由于石英砂磨料与铜片进行摩擦,在铜片表面可形成微观结构,且同时经过硬脂酸乙醇溶液浸泡后,铜片表面形成疏水膜。而这种疏水膜能够很好地抵御Cl-的侵蚀。相比于裸铜电极,组装有疏水膜的铜电极的腐蚀电流更低,证明了疏水膜的保护作用。
实施例6
一种铜表面疏水膜的二元低表面能物质,由0.10g二氧化硅(SiO2)、10mL硬脂酸乙醇溶液(6.25mg/mL)组成。
取相同规格裸铜片浸泡在0.10g二氧化硅和10mL的硬脂酸乙醇溶液(6.25mg/mL)中作为对照组。
如图1所示,为组装实验装置示意图,所述的实验装置包括离心管1,所述的离心管1中盛有溶液2以及铜电极片3,使用旋转打磨装置对铜片进行打磨,每个离心管内装有一个铜片。
采用上述的旋转打磨实验装置,铜表面疏水改性方法为:
(1)将纯铜电极片分别用乙醇和去离子水冲洗铜基体表面2遍,使得铜片表面无残留杂质,烘干;
(2)将上述处理铜电极片放入含有核桃壳磨料的离心管中,在离心管中同时加入0.10g SiO2及10mL硬脂酸乙醇溶液(6.25mg/mL)混合溶液,随后旋转打磨2h,转速为500r/min。低表面能溶液体积与铜金属面积之比为10mL/cm2。打磨完成后,静置浸润6h,取出铜片分别用去离子水冲洗2遍,放入干燥箱中真空烘干2h,温度为180℃,在铜表面组装出疏水膜。
将组装好的铜电极放入3.5wt.%NaCl溶液中进行1h的开路电位测试后,使电极的电位趋于稳定,然后进行交流阻抗测试和极化曲线测试,结果如图7和表2所示。在图7和表2中,Bare copper代表裸铜电极在0.1g SiO2与10mL硬脂酸乙醇溶液(6.25mg/mL)中浸润6h;HTK代表经过石英砂磨料打磨,并在0.1g SiO2与10mL硬脂酸乙醇溶液(6.25mg/mL)中静置浸润6h的铜电极。
核桃壳磨料为特优级,细度为30目。离心管规格为50mL,交流电机型号为15W220V,二氧化硅溶液的质量为0.10g,硬脂酸乙醇溶液(6.25mg/mL)溶液体积为10mL。
由图7可以看出,裸铜的容抗弧最小,经核桃壳磨料打磨后的铜电极容抗弧最大,说明缓蚀率最大,证明经过核桃壳打磨后的铜电极表面的疏水膜能够很好地保护铜电极在模拟海水(3.5%NaCl溶液)中抵抗腐蚀。这是由于核桃壳磨料与铜片进行摩擦,在铜片表面可形成微观结构,且同时经过硬脂酸乙醇溶液浸泡后,铜片表面形成疏水膜。而这种疏水膜能够很好地抵御Cl-的侵蚀。相比于裸铜电极,组装有疏水膜的铜电极的腐蚀电流更低,证明了疏水膜的保护作用。
实施例7
一种铜表面疏水膜的二元低表面能物质,由0.10g二氧化硅(SiO2)、10mL十二烷基三甲氧基硅烷(DTMS)。
取相同规格裸铜片浸泡在0.10g二氧化硅和10mL的十二烷基三甲氧基硅烷(DTMS)混合溶液中作为对照组。
如图1所示,为组装实验装置示意图,所述的实验装置包括离心管1,所述的离心管1中盛有溶液2以及铜电极片3,使用旋转打磨装置对铜片进行打磨,每个离心管内装有一个铜片。
采用上述的旋转打磨实验装置,铜表面疏水改性方法为:
(1)将纯铜电极片分别用乙醇和去离子水冲洗铜基体表面2遍,使得铜片表面无残留杂质,烘干;
(2)将上述处理铜电极片放入含有金刚砂、石英砂和核桃壳磨料的离心管中,在离心管中同时加入0.10g SiO2及10mL DTMS混合溶液,随后旋转打磨2h,转速为500r/min。低表面能溶液体积与铜金属面积之比为10mL/cm2。打磨完成后,静置浸润6h,取出铜片分别用去离子水冲洗2遍,放入干燥箱中真空烘干2h,温度为180℃,在铜表面组装出疏水膜。
将组装好的铜电极放入3.5wt.%NaCl溶液中进行1h的开路电位测试后,使电极的电位趋于稳定,然后进行交流阻抗测试和极化曲线测试,结果如图8和表1所示。在图8和表1中,Bare copper代表裸铜电极在0.1g SiO2与10mL DTMS混合溶液中浸润6h;JGS代表经过金刚砂磨料打磨,并在0.1g SiO2与10mL DTMS混合溶液中静置浸润6h的铜电极;SYS代表经过石英砂磨料打磨,并在0.1g SiO2与10mL DTMS混合溶液中静置浸润6h的铜电极;HTK代表经过金刚砂磨料打磨,并在0.1g SiO2与10mL DTMS混合溶液中静置浸润6h的铜电极。
金刚砂磨料细度为30目;石英砂磨料细度为30目;核桃壳磨料为特优级,细度为30目。离心管规格为50mL,交流电机型号为15W 220V,二氧化硅溶液的质量为0.10g,十二烷基三甲氧基硅烷(DTMS)溶液体积为10mL。
表1为裸铜电极和核桃壳磨料处理铜电极经0.10g二氧化硅(SiO2)、10mL十二烷基三甲氧基硅烷(DTMS)修饰后的阻抗拟合表;
表1 10mL DTMS修饰后阻抗拟合表
表中,Qdl和Qf是常相位角元件,分别代表双电层电容和膜电容,Y0为量级,n为指数项。Rf表示膜电阻,Rct表示双电层电阻,W表示Warburg阻抗,Rp为极化电阻,等于Rf与Rct之和,ηR(%)为保护效率。
由图8可以看出,相比于裸铜电极,经过不同磨料打磨后的铜电极容抗弧均有很大幅度提升,其中金刚砂>核桃壳>石英砂>空白组;在极化曲线图中可看出,相比于裸铜电极,经过不同磨料打磨后的铜电极腐蚀电流密度均下降,缓蚀效率提升明显。金刚砂打磨后的铜电极容抗弧最大,说明缓蚀率最大,证明经过金刚砂打磨后的铜电极表面的疏水膜能够很好地保护铜电极在模拟海水(3.5%NaCl溶液)中抵抗腐蚀。
从图9中可以看出,经石英砂、金刚砂及核桃壳三种磨料打磨后的铜基体表面形貌均发生了很大变化。由a图可以看出,经金刚砂打磨后,铜基体表面粗糙度增大,出现很多“沟壑状”细纹。b图是经金刚砂磨料打磨后的铜基体,后经低表面能物质修饰后的表面形貌。从图中可以看出,基体表面生成了一层肉眼可见的缓蚀膜,该缓蚀膜由附着在铜表面的疏水二氧化硅颗粒形成。二氧化硅颗粒不仅提高了铜金属基体的疏水性能,而且起到了阻隔Cl-与铜表面接触的作用。c图为经过核桃壳磨料打磨过后的铜金属表面,该表面出现点状痕迹。相比于金刚砂硬度,核桃壳硬度较小,因此表面打磨程度较低。d图为经核桃壳磨料打磨后的铜基体,后经低表面能物质修饰后的表面形貌。从图中可以看出,该缓蚀膜表面较平整,表面由许多大小不一的细小乳状凸出颗粒组成。这些小颗粒不仅增加了膜层的粗糙度,使液滴与金属表面存在空气膜,也在一定程度上阻断了腐蚀性离子与铜基体表面的接触。e图为经石英砂磨料打磨后的铜基体表面,较为平整光滑;f图为经过低表面能溶液修饰后的铜金属基体表面形貌,和d类似,表面由许多大小不一的细小乳状凸出颗粒组成。
从图10可以看出,相比于裸铜,经过旋转打磨装置打磨后的铜表面疏水性明显增加,其中经过石英砂打磨后的铜表面接触角可增加到143°。
实施例8
一种铜表面疏水膜的二元低表面能物质,由0.10g二氧化硅(SiO2)、10mL硬脂酸乙醇溶液(6.25mg/mL)组成。
取相同规格裸铜片浸泡在0.10g二氧化硅和10mL硬脂酸乙醇溶液(6.25mg/mL)中作为对照组。
如图1所示,为组装实验装置示意图,所述的实验装置包括离心管1,所述的离心管1中盛有溶液2以及铜电极片3,使用旋转打磨装置对铜片进行打磨,每个离心管内装有一个铜片。
采用上述的旋转打磨实验装置,铜表面疏水改性方法为:
(1)将纯铜电极片分别用乙醇和去离子水冲洗铜基体表面2遍,使得铜片表面无残留杂质,烘干;
(2)将上述处理铜电极片放入含有金刚砂、石英砂和核桃壳磨料的离心管中,在离心管中同时加入0.10g SiO2及10mL硬脂酸乙醇溶液(6.25mg/mL),随后旋转打磨2h,转速为500r/min。低表面能溶液体积与铜金属面积之比为10mL/cm2。打磨完成后,静置浸润6h,取出铜片分别用去离子水冲洗2遍,放入干燥箱中真空烘干2h,温度为180℃,在铜表面组装出疏水膜。
将组装好的铜电极放入3.5wt.%NaCl溶液中进行1h的开路电位测试后,使电极的电位趋于稳定,然后进行交流阻抗测试和极化曲线测试,结果如图11和表2所示。在图11和表2中,Bare copper代表裸铜电极在0.1g SiO2与10mL硬脂酸乙醇溶液(6.25mg/mL)中浸润6h;JGS代表经过金刚砂磨料打磨,并在0.1g SiO2与10mL硬脂酸乙醇溶液(6.25mg/mL)中静置浸润6h的铜电极;HTK代表经过金刚砂磨料打磨,并在0.1g SiO2与10mL硬脂酸乙醇溶液(6.25mg/mL)中静置浸润6h的铜电极。
金刚砂磨料细度为30目;石英砂磨料细度为30目;核桃壳磨料为特优级,细度为30目。离心管规格为50mL,交流电机型号为15W 220V,二氧化硅溶液的质量为0.10g,硬脂酸乙醇溶液(6.25mg/L),体积为10mL。
由图11可以看出,裸铜的容抗弧最小,经金刚砂打磨后的铜电极容抗弧最大,说明缓蚀率最大,证明经过金刚砂打磨后的铜电极表面的疏水膜能够很好地保护铜电极在模拟海水(3.5%NaCl溶液)中免受腐蚀。这是由于金刚砂磨料与铜片进行摩擦,在铜片表面可形成微观结构,且同时经过二氧化硅和硬脂酸乙醇溶液浸泡后,铜片表面形成疏水膜。而这种疏水膜能够很好地抵御Cl-的侵蚀。相比于裸铜电极,组装有疏水膜的铜电极的腐蚀电流更低,证明了疏水膜的保护作用,其中经金刚砂打磨后的铜电极的腐蚀电流最低,这个结果与交流阻抗结果相吻合。
表2为铜电极在经0.1g SiO2与10mL硬脂酸乙醇溶液(6.25mg/mL)处理后,在3.5wt%NaCl溶液中浸泡1小时的电化学阻抗拟合参数。
表中,Qdl和Qf是常相位角元件,分别代表双电层电容和膜电容,Y0为量级,n为指数项。Rf表示膜电阻,Rct表示双电层电阻,W表示Warburg阻抗,Rp为极化电阻,等于Rf与Rct之和,ηR(%)为保护效率。
从图12中可以看出,经石英砂、金刚砂及核桃壳三种磨料打磨后的铜基体表面形貌均发生了很大变化。由a图可以看出,经石英砂打磨后,铜基体表面粗糙度较小,整体较为光滑。b图是经石英砂磨料打磨后的铜基体,后经硬脂酸溶液修饰后的表面形貌。从图中可以看出,基体表面生成了一层缓蚀膜,该缓蚀膜由附着在铜表面的疏水二氧化硅颗粒附着形成。二氧化硅颗粒可提高铜金属基体的疏水性能。c图为经过金刚砂磨料打磨过后的铜金属表面,该表面出现点状痕迹。金刚砂硬度较高,会很大程度增加金属表面粗糙度。d图为经金刚砂磨料打磨后的铜基体,后经硬脂酸溶液修饰后的表面形貌。从图中可以看出,该缓蚀膜表面粗糙且薄。二氧化硅颗粒附着在铜表面,提高了其表面疏水性。e图为经核桃壳磨料打磨后的铜基体表面,较为粗糙,存在“沟壑”状;f图为经过硬脂酸溶液修饰后的铜金属基体表面形貌,和b类似,表面由许多大小不一的细小乳状凸出颗粒组成。
从图13可以看出,相比于裸铜,经过旋转打磨装置打磨后的铜表面疏水性明显增加,其中经过金刚砂打磨后的铜表面接触角可增加到146°。
应说明的是,以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制,尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本发明技术方案的精神和范围,其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。
Claims (5)
1.一种铜表面疏水改性的一体化方法,其特征在于:将铜片含有磨料和低表面能物质的旋转装置同时进行打磨和成膜处理;其中,
旋转打磨,其打磨时间为1~3h,转速为300~800r/min;
成膜处理,浸润时间为1~8h;
低表面能物质包括二氧化硅和十二烷基三甲氧基硅烷及二氧化硅和硬脂酸乙醇溶液;其中,二氧化硅和十二烷基三甲氧基硅烷的使用比例为0.05g~0.15g二氧化硅配合10mL~30mL十二烷基三甲氧基硅烷,二氧化硅和硬脂酸乙醇溶液的使用比例为0.05g~0.15g二氧化硅配合10mL~30mL硬脂酸溶液;
磨料包括金刚砂、石英砂、核桃壳中的一种或几种;
磨料的粒径为20~50目,莫氏硬度为3.5级以上。
2.如权利要求1所述的铜表面疏水改性的一体化方法,其特征在于:所述的铜片为纯铜或铜合金。
3.如权利要求1所述的铜表面疏水改性的一体化方法,其特征在于:所述浸润是按所述低表面能溶液体积与所述铜片面积之比为5~80mL/cm2进行。
4.如权利要求1~3中任一所述的铜表面疏水改性的一体化方法,其特征在于:所述打磨是在旋转打磨装置中进行,所述旋转打磨装置包括管体、传动轴和电动机,所述管体与所述传动轴连接,所述电动机带动所述传动轴旋转。
5.如权利要求4所述的铜表面疏水改性的一体化方法,其特征在于:所选用的电动机型号为15W 220V交流齿轮调速电机。
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