CN111863856B - 光源装置以及发光装置 - Google Patents

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Abstract

本发明通过使发光元件不易从光源装置的基底基板剥离以及使颜色转换层不易从发光元件剥离，从而提供高色域的光源装置。光源装置(1)具备：多个发光元件(13)；荧光体层(15、16)，其在光从发光元件(13)的射出侧位置，按多个发光元件(13)的每一个设置，且一部分与发光元件(13)接触；光遮挡层(18)，其与荧光体层(15、16)彼此的荧光体层(15、16)不同；以及加强树脂层(14)，其设置于发光元件(13)彼此之间。

Description

光源装置以及发光装置
技术领域
本发明涉及具有发光元件以及荧光体层的光源装置以及发光装置。
背景技术
作为具有发光元件以及荧光体层的装置，公知有例如公开于专利文献1的微型半导体发光元件(Light Emitting Diode；LED)显示器装置。上述显示器装置在驱动基板上的驱动电路(Complementray Metal-Oxide-Semiconductor；CMOS)单元上经由凸块而设置有发光构造物的层，在其上设置有生长基板，在生长基板上设置有多色的色光转换物质的层。这些色光转换物质的层各个由分隔壁分隔。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第638307号公报
发明内容
本发明所要解决的技术问题
然而，上述以往的显示器装置无法在如按各色的色光转换物质的每个层而具有取代上述发光构造物之层的发光元件那样的光源装置的结构中应用。这样的光源装置是例如在基底基板上分别经由电极而设置有多个发光元件，并在发光元件上设置有荧光体层那样的结构。而且在这样的光源装置中，谋求几十～几微米之类的显示器像素尺寸的微细化，伴随于此，成为像素的发光元件与具有电路的基底基板接合的接合面积变小，因此在制造工序中，发光元件容易从基底基板剥离。此外，上述以往的显示器装置作为显示器具有不易实现足够的颜色再现范围的问题点。这也导致了如下问题点：为了在微小的接合面积中确保颜色转换层的厚度，即以高纵横比形成颜色转换层，由此形成在发光元件上的颜色转换层变得容易剥离。
本发明的一方式的目的在于，在基底基板上按各色的荧光体层每一个而具有发光元件的结构的光源装置中，通过具有在制造工序中发光元件不易从基底基板剥离的特征和形成在发光元件上的颜色转换层不易剥离的特征，从而作为显示器实现具有足够的颜色再现范围的光源装置以及发光装置。
解决问题的方案
为了解决上述课题，本发明的一方式所涉及的光源装置具备：多个发光元件；荧光体层，其在光从上述发光元件的射出侧位置按每个上述发光元件设置，且一部分与上述发光元件接触；光遮挡层，其设置于相邻的上述荧光体层彼此之间，且与上述荧光体层不同；以及加强层，其设置于相邻的上述发光元件彼此之间。
发明效果
根据本发明的一方式，能够实现几十～几微米这样的微小的像素尺寸且高颜色再现范围的显示器，并且能够使发光元件不易从基底基板剥离、以及使形成在发光元件上的颜色转换层不易剥离。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式的光源装置的结构的纵剖视图。
图2是表示图1所示的光遮挡层的材料、以及使用了该材料的情况下的功能以及效果的说明图。
图3是表示本发明的其他实施方式的光源装置的结构的纵剖视图。
图4的(a)是在不具有基底层(记载于图3)的光源装置中通过跨相邻的发光元件的金属制的光遮挡层而使上述发光元件彼此短路的情况下的说明图。图4的(b)是在具有图3所示的基底层以及图4的(a)所示的光遮挡层的光源装置中通过基底层防止图4的(a)所示的短路的情况下的说明图。
图5是表示本发明的又一其他实施方式的光源装置的结构的纵剖视图。
图6是表示本发明的又一其他实施方式的光源装置的结构的纵剖视图。
图7是表示本发明的又一其他实施方式的光源装置的结构的纵剖视图。
图8是表示本发明的又一其他实施方式的光源装置的结构的纵剖视图。
图9是表示本发明的又一其他实施方式的光源装置的结构的纵剖视图。
图10是表示本发明的又一其他实施方式的光源装置的结构的纵剖视图。
图11是表示图10所示的光源装置的变形例所涉及的光源装置的结构的纵剖视图。
图12是表示图10所示的光源装置的其他变形例所涉及的光源装置的结构的纵剖视图。
图13是表示图10所示的光源装置的又一其他变形例所涉及的光源装置的结构的纵剖视图。
图14是表示本发明的又一其他实施方式的光源装置的结构的纵剖视图。
图15是表示图14所示的光源装置的变形例所涉及的光源装置的结构的纵剖视图。
图16是表示本发明的又一其他实施方式的光源装置的结构的纵剖视图。
图17是表示图16所示的光源装置的变形例所涉及的光源装置的结构的纵剖视图。
图18是表示图16所示的光源装置的其他变形例所涉及的光源装置的结构的纵剖视图。
图19是表示本发明的实施方式的光源装置的制造方法的纵剖视图。
图20是表示本发明的实施方式的光源装置的其他制造方法的纵剖视图。
图21是表示本发明的实施方式的光源装置的又一其他制造方法的纵剖视图。
图22是表示本发明的实施方式的光源装置的又一其他制造方法的纵剖视图。
图23是表示本发明的实施方式的光源装置的又一其他制造方法的纵剖视图。
图24是表示本发明的实施方式的光源装置的又一其他制造方法的纵剖视图。
图25是表示本发明的实施方式的光源装置的又一其他制造方法的纵剖视图。
图26是表示本发明的实施方式的光源装置的又一其他制造方法的纵剖视图。
图27是对图14所示的光源装置的一实施例所涉及的光源装置的光遮挡层的效果进行说明的图。
图28是表示本发明的实施方式的光源装置具备的发光元件的剖面构造的一个例子的纵剖视图。
图29是表示本发明的实施方式的光源装置具备的发光元件的剖面构造的其他例子的纵剖视图。
图30是表示图28所示的发光元件的制造工序的流程图。
具体实施方式
〔第一实施方式〕
(光源装置1的结构)
以下，对本发明的一实施方式详细地进行说明。图1是表示本实施方式的光源装置1的结构的纵剖视图。
如图1所示，光源装置1具备：基底基板11、电极12、发光元件13、加强树脂层(加强层)14、荧光体层15、16以及光遮挡层18。在本实施方式中，光源装置1具有三个发光元件13。
此外，图中发光元件13为三个，仅成为一个像素即分别与红色、绿色、蓝色对应的三个子像素，但发光元件13本来是m行n列(m以及n为2以上的整数)的阵列状的发光元件。m以及n根据目的而任意设定即可，例如若设为720行1280列ⅹ3(红、绿、蓝各色分)的发光元件阵列则能够显示高清(High Definition)的彩色图像、动画。另外，若设为1080行1920列ⅹ3(红1、绿1、蓝1各色分)的发光元件阵列则能够显示全高清(Full High Definition)的彩色图像、动画。此外，构成一个像素的红、绿、蓝的子像素数不局限于一个，例如也可以是1080行1920列ⅹ4(红2、绿1、蓝1各成分)、1080行1920列ⅹ5(红2、绿1、蓝2各成分)、1080行1920列ⅹ6(红2、绿2、蓝2各成分)等。另外，阵列的外周侧的上下的多行以及左右的多列的发光元件也可以以不点亮的方式形成元件，或者也可以接合于基底基板。由此，能够使阵列中的点亮的发光元件彼此的环境相同。另外，能够使基底基板与发光元件阵列的接合面积变大，接合强度大。此外，在光遮挡层、荧光体层形成时，作为对位的标记，也可以使用外周的非点亮的元件。这些在第二实施方式以后也相同。
(基底基板11)
基底基板11以能够与发光元件13连接的方式至少在表面形成有布线。在基底基板11形成有驱动发光元件13的驱动电路。基底基板11的材料优选整体由氮化铝构成的氮化铝的单结晶或者多晶等结晶基板以及烧结基板。另外，基底基板11的材料优选氧化铝等陶瓷、玻璃或Si等半金属或者金属基板，另外，可使用在它们的表面形成有氮化铝薄膜层的基板等的层叠体或者复合体。金属性基板以及陶瓷基板散热性高，因此作为基底基板11的材料而优选。在本实施方式中，基底基板11由Si形成。
例如，通过将利用集成电路形成技术在Si上形成对发光元件13的发光进行控制的驱动电路而成的结构用作基底基板11，从而能够制造使微小的发光元件13密集而成的高分辨率的光源装置1。
(电极12)
电极12将基底基板11和发光元件13电连接，且包括基底基板11侧的电极以及发光元件13侧的电极。电极12由例如Au、Pt、Pd、Rh、Ni、W、Mo、Cr以及Ti中的任一个金属、以及它们的合金或者它们的组合构成。在作为组合的例子而将基底基板11侧的电极以及发光元件13侧的电极作为金属电极层而构成的情况下，认为有从下表面层叠W/Pt/Au、Rh/Pt/Au、W/Pt/Au/Ni、Pt/Au、Ti/Pt/Au、Ti/Rh、或者TiW/Au的层叠构造。在本实施方式中，电极12由Au形成。
(发光元件13)
发光元件13是公知的发光元件，具体而言能够利用半导体发光元件(LED芯片)。例如为GaAs系、ZnO系或者GaN系的半导体发光元件。发光元件13也可以使用发出红色、黄色、绿色、蓝色或者紫色的光的LED，而且也可以使用发出紫外光的LED。其中，优选将能够进行蓝色至紫色或者紫色至紫外光的发光的GaN系半导体用作发光元件13。在本实施方式中，发光元件13由InGaN构成，并发出蓝色的光。在图1中，发光元件13的上表面是光射出面。关于发光元件13的上述方面在后述的其他实施方式中也相同。
从具有发光效率高、寿命长并且可靠性高之类的特征的方面考虑，GaN系半导体作为发光元件13是优选的。另外，作为发光元件13的半导体层，氮化物半导体适合用于为可见光域的短波长域、近紫外域或者比其更短波长域这方面、组合了这方面和波长转换部件(荧光体)的半导体模块1。另外，不限定于此，也可以是ZnSe系，InGaAs系，AlInGaP系等的半导体。
基于半导体层的发光元件构造在第一导电型(n型)层、第二导电型(p型)层之间具有活性层的构造在输出效率方面是优选的，但不限定于此。另外，各导电型层也可以一部分设置有绝缘、半绝缘性以及反导电型构造，而且也可以是它们相对于第一、第二导电型层而附加设置的构造。也可以附加地具有其他电路构造，例如保护元件构造。
作为发光元件13及其半导体层的构造，可举出具有PN结的均质构造、异质构造或者双异质构造。另外，也能够使各层成为超晶格构造，也能够成为使作为活性层的发光层形成于产生量子效应的薄膜的单一量子阱构造或者多重量子阱构造。此外，相邻的发光元件13彼此之间隔优选为0.1μm以上且20μm以下。在该情况下，存在于发光元件13彼此之间的加强树脂层14以及存在于加强树脂层14上的光遮挡层18的厚度成为0.1μm以上且20μm以下。另外，由发光元件13和加强树脂层14构成的面也可以是大致相同的高度的平坦形状，也能够容易形成荧光体层15、16、光遮挡层18。另一方面，由发光元件13和加强树脂层14构成的面也可以形成粗糙面、凹凸等特定的周期性的构造，荧光体层15、16以及光遮挡层18与发光元件13接触的接触面积增加，因此能够抑制荧光体层15、16以及光遮挡层18的剥离。这些虽然在其他实施方式中没有记载，但不局限于本实施方式，在其他实施方式中也相同。
此外，经由电极12而在基底基板11接合发光元件13，因此发光元件13上的N电极以及P电极优选为大致相同的高度。为了实现该构造，考虑N电极和P电极的任一个或两者采用台面构造、在N电极和P电极中采用共用的台面构造。采用了台面构造的接合前的发光元件13的剖面构造能够设为例如图28、图29。
此外，在图28以及图29中，201是蓝宝石基板(生长基板)，202是N-GaN层(第一导电型层)，203是InGaN层(活性层)，204是P-GaN层(第二导电型层)，205是Pd层，206是Au层，210是N电极，211是P电极。
如图28那样N电极和P电极两者采用了台面构造的情况下的发光元件13的制造工序的流程图如图30所示。此外，在图28以及图29中，通过Pd层205和Au层206形成N电极210以及P电极211，但若N电极210和P电极211能够成为大致相同的高度，则不局限于Pd、Au，也可以由Pt、Al、Ag、ITO透明电极等其他导电性材料形成N电极210以及P电极211。另外，在图28以及图29中，生长基板使用具有PSS(Patterned Sapphire Substrate)形状的蓝宝石基板201。然而，生长基板也可以是GaN基板、Si基板等其他材料，也可以是不具有PSS形状的生长基板。
此外，发光元件13也可以在以与子像素对应的方式单片化后分别接合于基底基板11，并剥离生长基板，也可以在剥离了生长基板后将以与子像素对应的方式单片化的发光元件13分别接合于基底基板11，或者也可以在生长基板上形成发光元件13，分割成具有与图像显示对应的数量的发光元件子像素的阵列状芯片，其后将阵列一并接合后剥离生长基板。在该情况下，通过紫外线激光照射、磨削、研磨、药液处理等剥离生长基板。在像这样作为阵列一并接合发光元件13而剥离生长基板的情况下、在接合了单片的发光元件13后剥离生长基板的情况下，为了抑制发光元件13从基底基板11剥离，优选在形成阵列后向基底基板11接合发光元件阵列，并如后述那样在基底基板11与发光元件13之间以及发光元件13彼此之间填充了加强树脂后剥离生长基板。这是由于通过加强树脂的存在而提高发光元件与基底基板的接合力。此外，通过在生长基板剥离后进行研磨、或者使用了药液、水的清洗工序而清理存在于生长基板与GaN之间的界面的残渣，从而能够增加光取出。利用该剥离后的处理，在具有PSS形状的情况下，对该PSS形状的残留、GaN层的厚度进行控制，由此能够成为实现目标的光取出的构造。
另外，在本实施方式中，与子像素对应的各发光元件13分别具有N电极和P电极两者，并且在空间上被分割。然而，也可以是，与子像素对应的发光元件13仅具有P电极，多个发光元件13的第一导电型层相连，与多个子像素对应的N电极形成于其他场所。例如，也可以针对以与一个像素即三个子像素对应的发光元件13的每一个而形成共用的N电极，也可以是与更多的子像素相当的数量的发光元件13所共用的N电极。此外，上述共用的N电极的形成位置未被限定，也可以是显示画面位置中，也可以形成于与显示画面相当的区域的外周。就上述结构而言，若连接多个发光元件13的第一导电型层厚，则穿过其中的发光元件13的光的量变多。因此，可能由于在各子像素点亮时穿过了近邻像素的透光存在而产生颜色再现范围降低的串扰，因此从颜色再现范围的观点考虑较为不利，因此按每个子像素形成分割槽，或通过研磨、药液处理等进行薄膜化。另外，在通过具有串扰而使各子像素的点亮时的有效尺寸变大从而获得高清晰的图像这方面，也优选连接各发光元件的第一导电层薄，具体而言优选为10μm以下的厚度，更优选为5μm以下的厚度，进一步优选为2μm以下的厚度。另一方面，若没有经过使第一导电型层变薄的工序，则由于作业时间减少的优点、处理减少，从而可能得到更高效率的发光元件。
上述虽在以下中未记载详情，但在第二实施方式以后也相同，另外，若能够不剥离而将发光元件13接合于基底基板11，则N电极与P电极的构造、相对位置关系以及数量对应关系、构成发光元件13的材料、发光元件13以及发光元件阵列的作成方法、接合后的生长基板、发光元件所相关的处理方法不限定于上述。
(加强树脂层14)
加强树脂层14形成为通过加强树脂充满相邻的发光元件13彼此之间。此外，在本实施方式中，加强树脂层14形成为通过加强树脂充满发光元件13与基底基板11之间、相邻的电极12彼此之间。在本实施方式中，相邻的发光元件13彼此之间的加强树脂层14的上表面成为与发光元件13的上表面大致相同的高度。加强树脂层14抑制发光元件13的剥离，且其上表面高度不局限于此，也可以形成为比发光元件13上表面低或高。由于前述的生长基板的剥离时、剥离残渣的研磨、清洗时、或者后述的光遮挡层、荧光体层形成时的外力、光源装置使用时的振动等，发光元件13从电极12或者各电极12从基底基板剥离，或者发光元件13倾倒，从而存在发光元件13剥离的可能性。加强树脂层14具有对制造工序中或者光源装置的使用中的发光元件13从基底基板11的剥离进行抑制这样的效果。另外，通过对加强树脂添加炭黑等光吸收材料、SiO2、TiO2等光散射材料、选择适当的树脂成分，从而能够具有光吸收、光反射等光遮挡性，能够使实施方式的光源装置中的各子像素间的彼此的光的干涉即串扰的影响变小。此外，加强树脂需要填充于发光元件13之间，因此添加材料的尺寸为1μm以下，优选为0.1μm以下，更优选为0.05μm以下。
在光源装置1中，通过加强树脂层14被覆发光元件13的侧面，从而除了发光元件13的剥离抑制之外，还得到以下的作用以及效果。第一，能够避免光从发光元件13的侧面漏出。第二，抑制具有与来自发光元件13的光射出面的发光相比而无法忽略的程度的色调差的光从发光元件13的侧面向外侧放出，能够减少光源装置1整体的发光色的颜色不均的产生。第三，在加强树脂层14具有光反射功能的情况下，通过加强树脂层14使向发光元件13的侧面方向行进的光向光源装置1的光取出方向侧反射，而且限制朝向外部的发光区域。由此，提高从发光元件13放出的光的指向性，并且提高发光元件13的光射出面的发光亮度。第四，通过使从发光元件13产生的热向加强树脂层14传导，从而能够提高发光元件13的散热性。第五，通过形成加强树脂层14，能够保护发光元件13的发光层免受水或者氧气等的影响。
此外，加强树脂层14抑制发光元件从基底基板的剥离，其构成不局限于树脂等有机材料，也可以是由Si、Al、Au、Ag、Cu、Pt、Pd、Al2O3、SiO2、TiO2、GaN、InGaN、AlGaN等无机材料构成的无机加强层。而且也可以从有机材料和无机材料的任一个或双方的材料类使用多个材料而形成。此外，在设为无机加强层的情况下，考虑在基底基板11侧形成了无机加强层后、或预先在发光元件13的子像素侧面形成了无机加强层后同时接合基底基板、发光元件、无机加强层。
(荧光体层15、16)
在本实施方式中，荧光体层15由红色的荧光体构成，荧光体层16由绿色的荧光体构成。荧光体层15是光源装置1包含的三个发光元件13中的正中间的发光元件13的上表面，且设置于该发光元件13的上表面的范围中。荧光体层16是光源装置1包含的三个发光元件13中的一端侧的发光元件13的上表面，且设置于该发光元件13的上表面的范围中。在光源装置1中，通过像这样在发光元件13的上表面配置示出与发光元件13的发光色不同的发光色的荧光体层15、16，从而能够示出处于可见光区域的各种发光色。
荧光体层15、16由Y3Al5O12：Ce3+、Y3(Al，Ga)5O12：Ce3+、Lu3Al5O12：Ce3+、(Sr，Ba)2SiO4：Eu2+、Ca2SiO4：Eu2+、Ca3(Sc、Mg)2Si3O12：Ce3+、β-SiAlON：Eu2+、Ca-α-SiAlON：Eu2+、La3Si6N11：Ce3+、K2SiF6：Mn4+、CaAlSiN3：Eu2+、(Sr，Ca)AlSiN3：Eu2+、(Ba，Sr)2Si5N8：Eu2+等陶瓷荧光体、CdSe、CdS、ZnS、ZnSe、CdTe、InP、InGaP、GaP、CsPbX3(X＝C1，Br，I)、(MAyFA1-y)PbX3(MA＝CH3NH3等甲基铵，FA＝CH(NH2)2等甲脒，X＝Cl，Br，I)、Cs3Cu2I5等量子点、GaN或者InGaN等荧光体材料、光吸收材料等颜色转换材料、二氧化钛、二氧化硅或者氧化铝等光散射材料和成为母材的树脂等构成，对发光元件13射出的光的波长进行转换。荧光体层15将发光元件13射出的光转换为红色的光，荧光体层16将发光元件13射出的光转换为绿色的光。
此外，优选相邻的荧光体层15、16彼此的间隔为0.1μm以上且20μm以下。另外，荧光体层15、16优选具有中值粒径为2μm以下的荧光体，优选具有中值粒径为0.5μm以下的荧光体，更优选具有中值粒径为0.15μm以下的荧光体。此时，能够使荧光体层15、16的尺寸变小，因此能够使光源装置1的像素尺寸变小，能够显示更高清晰的图像。
(光遮挡层18)
光遮挡层18设置在加强树脂层14上，对荧光体层15、16各自的侧面的周围进行覆盖。作为一个例子，光遮挡层18能够通过涂覆为液状且具有感光性的树脂并进行曝光、显影、固化而形成。或者，作为光遮挡层18的其他的形成方法，将Si、Al、Au、Ag、Cu、Pt、Pd、Al2O3、SiO2、TiO2、GaN、InGaN、AlGaN等无机物形成在发光元件13以及加强树脂层14上，涂覆具有感光性的树脂，进行曝光、显影、曝光、固化，由此在发光元件13的正上方的无机物上形成树脂后，对露出的区域的无机物进行湿式或者干式蚀刻，从而形成上述光遮挡层18。此外，曝光的区域依赖于树脂的感光性，若为负型则进行以加强树脂上的区域为主的曝光，若为正型则进行以发光元件13上的区域为主的曝光。通过像这样在荧光体层15、16的侧面形成有光遮挡层18，从而光源装置1的荧光体层15、16的紧贴面积变大，因此可抑制荧光体层15、16的剥离。
在光源装置1中，通过光遮挡层18被覆荧光体层15、16的侧面，从而除了荧光体层15、16的剥离抑制之外，还获得以下的作用以及效果。第一，能够避免光从荧光体层15、16的侧面漏出。第二，抑制具有与来自荧光体层15、16的光射出面的发光相比而无法忽略的程度的色调差的光从荧光体层15、16的侧面向外侧放出，能够减少光源装置1整体的发光色的颜色不均的产生。第三，在光遮挡层18具有光反射功能的情况下，通过光遮挡层18使向荧光体层15、16的侧面方向行进的光向光源装置1的光取出方向侧反射，而且限制朝向外部的发光区域。由此，提高荧光体层15、16的光射出面的发光亮度。第四，通过使从荧光体层15、16产生的热向光遮挡层18传导，从而能够提高荧光体层15、16的散热性。第五，通过形成光遮挡层18，能够保护荧光体层15、16的发光层免受水或者氧气等的影响。
图2是表示光遮挡层18的材料、及使用了该材料的情况下的功能以及效果的说明图。图2中，作为光遮挡层18的材料，针对黑矩阵、彩色滤光片、全反射膜(例如Pt)以及二向色镜这四例进行示出。
〔第二实施方式〕
以下对本发明的其他实施方式进行说明。此外，为了方便说明，对具有与上述实施方式中说明的部件相同功能的部件，标注相同的附图标记，不重复其说明。
图3是表示本实施方式的光源装置2的结构的纵剖视图。如图3所示，光源装置2除了前述的光源装置1的结构之外，还具备基底层31。基底层31在三个发光元件13以及加强树脂层14的上表面即三个发光元件13以及加强树脂层14与荧光体层15、16以及光遮挡层18之间设置。
基底层31由与发光元件13以及荧光体层15、16、光遮挡层18之间的紧贴力高的绝缘性材料形成，由此能够抑制荧光体层、光遮挡层的剥离。例如是丙烯酸树脂、有机硅树脂等有机绝缘材料、SiO2，Al2O3等无机绝缘材料。或者也可以是多个有机绝缘材料层叠或混合的结构、多个无机绝缘材料层叠或混合的结构、一个～多个有机绝缘材料和一个～多个无机绝缘材料层叠或混合的结构，也可以是在有机绝缘材料中分散有无机绝缘材料的结构。若像这样由多个材料构成，则设为具有光散射性、光遮挡性的基底层31变得更简单，也能够形成具有波长选择的光散射性、光遮挡性的基底层31。另外，若提高基底层31与发光元件13、荧光体层15、16、光遮挡层18之间的紧贴力，抑制剥离，则其形状未被限定。若基底层31具有充分的紧贴力、荧光体层15、16侧平坦，则容易以目标的形状形成荧光体层15、16、光遮挡层18。即便由发光元件13和加强树脂层14形成的面不平坦，也能够通过基底层31而平坦化，也能够容易地形成荧光体层15、16、光遮挡层18。或者，通过形成粗糙面、凹凸等特定的周期性的构造，从而荧光体层15、16以及光遮挡层18与基底层31接触的接触面积增加，因此能够抑制荧光体层15、16以及光遮挡层18的剥离。并且，除了具有前述那样的光散射性、光遮挡性之类的光学特性、提高从发光元件13的光取出效率之外，若绝缘性材料具有流动性则还能够通过涂覆形成，此外还能够通过溅射、蒸镀等形成。基底层31的厚度较薄为2μm以下，优选为0.5μm以下，更优选为0.1μm以下。通过这样使基底层31的厚度变薄，从而能够抑制由于形成了基底层31而引起的串扰的增大。
光源装置2通过具有基底层31，从而具有以下那样的优点。
(1)能够提高荧光体层15、16的紧贴性，抑制剥离。
(2)能够抑制将发光元件13的发热向荧光体层15、16传递。由此，能够抑制由于温度上升使发光效率降低的荧光体层15、16的发光效率的降低。
(3)在作为光遮挡层18而具有Si、Al、Au、Ag、Cu、Pt、Pd等金属、它们的合金等的光反射层的情况下，能够防止隔着金属制光反射层的相邻的发光元件13彼此的电短路(短路)。
得到上述(3)的优点的理由如图4的(a)、(b)所示。图4的(a)是在不具有基底层31的光源装置3中通过跨相邻的发光元件13的金属制的光遮挡层32(由圆包围的光遮挡层32)而使上述发光元件13彼此短路的情况的说明图。图4的(b)是在具有基底层31以及图4的(a)所示的光遮挡层32的光源装置4中通过基底层31防止图4的(a)所示的短路的情况的说明图。此外，图4的(a)、(b)所示的光遮挡层32是由金属膜32b覆盖透明树脂层32a的结构。光遮挡层32也可以构成为，由具有光遮挡功能的金属膜32b覆盖Si、Al、Au、Ag、Cu、Pt、Pd、Al2O3、SiO2、TiO2、GaN、InGaN、AlGaN等无机物来取代覆盖透明树脂层32a的结构，在由无机物构成光遮挡层32的情况下，其形成例如使用湿式蚀刻、干式蚀刻。另外，如上述那样光遮挡层32也可以由不同材料的多个层构成。例如，在荧光体层15、16由荧光体和树脂材料构成的情况下，通过使光遮挡层成为从内侧为透明树脂、金属膜、透明树脂之类的结构，从而能够同时实现提高与荧光体层15、16之间的紧贴力、以及基于光遮挡层的高的光反射性能产生的亮度提高。
此外，在以下所示的其他实施方式的光源装置中，对于基底层31未特别示出，但也可以与光源装置2同样具有基底层31。
〔第三实施方式〕
以下对本发明的又一其他实施方式进行说明。此外，为了方便说明，对具有与上述实施方式中说明的部件相同功能的部件，标注相同的附图标记，不重复其说明。
图5是表示本实施方式的光源装置5的结构的纵剖视图。如图5所示，光源装置5具有光遮挡层33而取代图1所示的光源装置1的光遮挡层18。光源装置5的其他结构与光源装置1相同。
在光源装置5中，光遮挡层33的高度比荧光体层15、16的上表面高。此外，光遮挡层33也可以是与荧光体层15、16的上表面相同的高度。另外，光遮挡层33由不使蓝色透过的彩色滤光片形成。例如，彩色滤光片由抗蚀剂树脂、分散剂、有机颜料构成。或者光遮挡层33也可以是由全波长反射膜覆盖树脂层的结构。
光源装置5具有上述那样的光遮挡层33，由此能够抑制来自加强树脂层14的内部或者荧光体层15、16的侧面的光波导。光源装置5的其他作用效果与光源装置1的前述的作用效果相同。
〔第四实施方式〕
以下对本发明的又一其他实施方式进行说明。此外，为了方便说明，对具有与上述实施方式中说明的部件相同功能的部件，标注相同的附图标记，不重复其说明。
图6是表示本实施方式的光源装置6的结构的纵剖视图。如图6所示，光源装置6相对于图1所示的光源装置1，在中央部的发光元件13上具有黄色的荧光体层51而取代绿色的荧光体层16。另外，光源装置6除了光源装置1的光遮挡层18(第一光遮挡层)之外，还在荧光体层15、51上分别具有光遮挡层34、35(第二光遮挡层)。红色的荧光体层15上的光遮挡层34由使红色光透过的彩色滤光片构成，黄色的荧光体层51上的光遮挡层35由使绿色光透过的彩色滤光片构成。光源装置6的其他结构与光源装置1相同。
在荧光体层15、51与发光元件13、光遮挡层18、或者第二实施方式那样的基底层之间的紧贴力弱、荧光体层15、51容易剥离的情况下，能够通过与荧光体层15、51、光遮挡层18之间紧贴性高的材料构成光遮挡层34、35，并且通过以跨荧光体层和处于其两侧的光遮挡层18的方式形成光遮挡层34、35，从而能够不易剥离荧光体层15、51。另外，也能够在荧光体层15、51以及光遮挡层18与光遮挡层34、35之间还形成由其他有机材料和无机材料的任一个或两者构成、且对荧光体层15、51、光遮挡层18、光遮挡层34、35的紧贴性高的层(***层)。另外，通过进行使***层的光遮挡层侧粗糙面化或具有凹凸形状等适当的控制，从而能够增加紧贴面积而不易剥离光遮挡层34、35，也能够提高从荧光体层15、51的光取出。但是，为了抑制各子像素间的串扰而***层的厚度以变薄为2μm以下，优选为0.5μm以下，进一步优选为0.1μm以下来形成。此外，对于***层，虽未记载于其他实施方式，但在其他实施方式中也相同，***层通过采用与和其接触的构成材料之间的亲和性高的材料，从而能够抑制包括荧光体层在内的各层、构成材料从光源装置剥离。
在光源装置6中，根据目的，选择彩色滤光片，从而能够通过彩色滤光片的光吸收特性抑制光源装置6的色度。例如，认为若荧光体层15、51的光吸收效率低、或荧光体层15、51的厚度不足，则基于荧光体层15、51的发光元件13发光的吸收不充分，发光元件13的发光成分和荧光体的发光成分混合，色度不充分。在该情况下，如本实施方式那样，在颜色转换层上作为光遮挡层34、35而形成具有吸收发光元件13的发光成分、并使荧光体的发光成分透过的特性的彩色滤光片，从而能够增大光源装置6的颜色再现范围。而且通过将吸收荧光体的发光成分的一部分那样的彩色滤光片形成为荧光体层状，从而能够提高来自各子像素的发光的颜色纯度，使颜色再现范围更大。例如，为了提高颜色再现范围，优选在成为绿色像素的荧光体层51上形成420nm以上且460nm以下的波长范围的透光率为10％以下且510nm以上且580nm以下的波长范围的最大的透光率为50％以上的彩色滤光片。另外，优选在成为红色像素的荧光体层15上形成420nm以上且460nm以下的波长范围的透光率为10％以下、且600nm以上且800nm以下的波长范围的最大的透光率为50％以上的彩色滤光片。
此外，在欲使颜色再现范围变大的情况下，使用可见光区域中透光率高的波长范围窄的彩色滤光片较为适当。例如，将420nm以上且460nm以下的波长范围的透光率为10％以下、且510nm以上且560nm以下的波长范围的最大的透光率为50％以上的彩色滤光片形成在成为绿色像素的荧光体层上，将420nm以上且480nm以下的波长范围的透光率为10％以下、且620nm以上且800nm以下的波长范围的最大的透光率为50％以上的彩色滤光片形成在成为红色像素的荧光体层上。另一方面，在相比颜色再现范围而使明亮度优先的情况下，使用可见光区域中透光率高的波长范围广的彩色滤光片，或使用可视度高的波长范围内透光率高的彩色滤光片。
〔第五实施方式〕
以下对本发明的又一其他实施方式进行说明。此外，为了方便说明，对具有与上述实施方式中说明的部件相同功能的部件，标注相同的附图标记，不重复其说明。
图7是表示本实施方式的光源装置7的结构的纵剖视图。如图7所示，光源装置7具有光遮挡层36、37而取代图1所示的光源装置1的光遮挡层18。光遮挡层36与光遮挡层18同样，覆盖从荧光体层15、16的侧面的下端部至中途。另外，光遮挡层37相对于中央部的发光元件13上的荧光体层16，覆盖从侧面的上述中途至上端部以及上表面。这样能够通过以跨荧光体层16和处于其两侧的光遮挡层36的方式形成光遮挡层37从而不易剥离荧光体层16。
光遮挡层36、37例如由使绿色的光透过的彩色滤光片形成。此外，针对光遮挡层37，覆盖荧光体层16的上表面，因此无法实现全波长反射的光遮挡层。在本实施方式中，通过彩色滤光片覆盖荧光体层的各个面，因此能够抑制来自荧光体层的发光所含的不需要的波长成分的辐射，能够使颜色再现范围变大。
〔第六实施方式〕
以下对本发明的又一其他实施方式进行说明。此外，为了方便说明，对具有与上述实施方式中说明的部件相同功能的部件，标注相同的附图标记，不重复其说明。
图8是表示本实施方式的光源装置8的结构的纵剖视图。如图8所示，光源装置8具有光遮挡层38、39而取代图1所示的光源装置1的光遮挡层18。另外，光源装置8具有绿色的荧光体层52而取代光源装置1的中央部的发光元件13上的绿色的荧光体层16。
荧光体层52的高度比荧光体层15高，上部具有伸出至荧光体层15的上表面的一部分的伸出部52a。绿色的荧光体层52通过这样的形状而被厚膜化以及高面积化。通过高面积化而增加粘合面积，荧光体层15以及荧光体层16变得不易剥离。
光遮挡层38、39由全波长反射膜形成。其中，光遮挡层38与光遮挡层18同样，覆盖从荧光体层15、52的侧面的下端部至中途。但是，荧光体层15、52之间的光源装置38覆盖从荧光体层15的侧面的下端部至上端部。另外，光遮挡层39对荧光体层52的伸出部52a的下表面、以及伸出部52a的下方的部分亦即荧光体层15的上表面的一部分进行覆盖。此外，光遮挡层39从全波长反射膜覆盖荧光体层15的上表面整体由于无法使红色光从荧光体层15取出而不可行。荧光体层的颜色转换能力依赖于材料的特性和形成厚度，因此即便在作为荧光体层52的材料的颜色转换特性低的情况下，在本实施方式中也能够较厚地形成荧光体层52，能够使光源装置的颜色再现范围变大。
〔第七实施方式〕
以下对本发明的又一其他实施方式进行说明。此外，为了方便说明，对具有与上述实施方式中说明的部件相同功能的部件，标注相同的附图标记，不重复其说明。
图9是表示本实施方式的光源装置9的结构的纵剖视图。如图9所示，光源装置9具有光遮挡层32而取代图1所示的光源装置1的光遮挡层18。光遮挡层32是由金属膜32b覆盖透明树脂层32a的结构，高度成为与荧光体层15、16的上表面几乎相同的高度。通过使光遮挡层32和荧光体层15、16成为几乎相同的高度，从而能够使光遮挡层32与荧光体层15、16的粘合面积最大化，荧光体层15以及荧光体层16变得不易剥离。另外，光遮挡层32由于由金属膜32b覆盖透明树脂层32a，因此具有光反射功能。光源装置9的其他结构与光源装置1相同。光遮挡层32也可以是由金属膜32b覆盖Si、Al、Au、Ag、Cu、Pt、Pd、Al2O3、SiO2、TiO2、GaN、InGaN、AlGaN等无机物来取代覆盖透明树脂32a的结构，在由无机物构成光遮挡层32的情况下，其形成例如使用湿式蚀刻、干式蚀刻。光源装置9起到与光源装置1的前述的作用效果相同的作用效果。例如，将仅由金属构成的光遮挡层以几μm的厚度形成通常较为困难，根据像素的尺寸，如本实施方式那样在由树脂形成的构造形成金属膜更为容易。此外，本实施方式的光源装置9的制造方法的例子将在后文说明。
〔第八实施方式〕
以下对本发明的又一其他实施方式进行说明。此外，为了方便说明，对具有与上述实施方式中说明的部件相同功能的部件，标注相同的附图标记，不重复其说明。
图10是表示本实施方式的光源装置10的结构的纵剖视图。如图10所示，光源装置10具有光遮挡层40而取代图1所示的光源装置1的光遮挡层18。光遮挡层40例如由不使蓝色透过的彩色滤光片形成，高度成为与荧光体层15、16的上表面相同的高度。通过使构成光遮挡层40的树脂材料与构成荧光体层15的树脂材料相同，或即便为不同树脂材料也由亲和性高的树脂材料形成，从而提高光遮挡层40与荧光体层15、16的紧贴性，荧光体层15以及荧光体层16变得不易剥离。此外，通过使光遮挡层40与荧光体层15、16成为几乎相同的高度，从而光遮挡层40与荧光体层15、16的粘合面积能够最大化，荧光体层15以及荧光体层16变得不易剥离。
另外，光源装置10在除了在上表面设置有荧光体层15、16的发光元件13以外的发光元件13的上表面设置有透明层53。透明层53由不包含荧光体的树脂层构成。
如上述那样，光源装置10在三个发光元件13中的两个发光元件13上设置有荧光体层15、16，在剩余一个发光元件13上设置有透明层53，因此能够使各色的取向特性一致。光源装置10的其他作用效果与光源装置1的前述的作用效果相同。
图11是表示图10所示的光源装置10的变形例所涉及的光源装置66的结构的纵剖视图。图11所示的光源装置66在荧光体层15、16、透明层53以及光遮挡层40上具有二向色镜层101。通过以跨荧光体层15、16以及光遮挡层40的方式形成二向色镜层101，从而荧光体层15以及荧光体层16变得不易剥离。此外，在这样的光源装置66中，即便在仅由成为红色子像素以及绿色子像素的荧光体层15、16吸收不完蓝色光的情况下，也由于存在二向色镜层101，使蓝色光的光路长变长，荧光体层15、16中的蓝色光的吸收变大。由此，能够使颜色再现范围变大。此外，荧光体通常具有被称为自吸收的对自身的发光的一部分进行吸收的特性，若使荧光体层15、16变厚，或提高荧光体层15、16中的荧光体的浓度，则观察到发光效率的降低、发光峰值波长的向长波长侧的转移。另一方面，为了增大颜色再现范围而需要抑制蓝色光从发光元件13的逸出，欲尽可能使荧光体层15、16的厚度变厚，或使荧光光层15、16中的荧光体的浓度变高。换句话说，仅对于荧光体层15、16而言，存在颜色再现范围与效率的权衡。因此，通过形成仅反射来自发光元件13的蓝色光的彩色滤光片、仅反射来自发光元件13的蓝色光的二向色镜101，能够兼顾颜色再现范围的扩大、荧光体发光效率的提高。
图12是表示图10所示的光源装置10的其他变形例所涉及的光源装置67的结构的纵剖视图。图12所示的光源装置67在二向色镜层101上并且红色的荧光体层15上具有红色的彩色滤光片层102，在二向色镜层101上并且绿色的荧光体层16上具有绿色的彩色滤光片层103。通过以跨荧光体层15、16以及光遮挡层40的方式形成二向色镜层101，从而荧光体层15以及荧光体层16变得不易剥离。此外，在这样的光源装置67中，能够使颜色再现范围进一步变大。
图13是表示图10所示的光源装置10的又一其他变形例所涉及的光源装置68的结构的纵剖视图。图13所示的光源装置68与图11所示的光源装置66不同，是在透明层53上不具有二向色镜层101的结构。关于这样的光源装置68的作用效果，与光源装置66的前述的作用效果相同。
〔第九实施方式〕
以下对本发明的又一其他实施方式进行说明。此外，为了方便说明，对具有与上述实施方式中说明的部件相同功能的部件，标注相同的附图标记，不重复其说明。
图14是表示本实施方式的光源装置61的结构的纵剖视图。图15是表示图14所示的光源装置61的变形例所涉及的光源装置62的结构的纵剖视图。如图14所示，光源装置61与光源装置10同样具有光遮挡层40而取代图1所示的光源装置1的光遮挡层18。
光源装置61与光源装置10不同，在红色的荧光体层15上具有使红色光透过的彩色滤光片层41，在绿色的荧光体层16上具有使绿色光透过的彩色滤光片层42。彩色滤光片层41、42的上表面的高度成为与光遮挡层40的上表面几乎相同的高度。因此，荧光体层15、16的上表面的高度比光遮挡层40的上表面的高度低。通过以与荧光体层15、16以及光遮挡层40两者接触的方式形成彩色滤光片层41、42，从而荧光体层15以及荧光体层16变得不易剥离。
此外，光源装置61也可以是光遮挡层40的高度为与荧光体层15、16的上表面的高度相同的高度的结构。将这样的结构的光源装置在图15中作为光源装置62而示出。通过这样形成光遮挡层40和彩色滤光片层41、42，从而与第五实施方式相比，覆盖荧光体层15、16的彩色滤光片的厚度变厚，因此容易使颜色再现范围更大。
此外，彩色滤光片层41、42也可以为选择性地反射蓝色的波长的二向色镜而取代彩色滤光片材料。通过设为二向色镜，从而全部取出来自荧光体的发光，且反射来自发光元件的发光，因此能够同时实现使颜色再现范围变大以及提高颜色转换能力这两者。
(实施例1)
以下对光源装置61的一实施例，与具备光遮挡层40的效果一起进行说明。此外，关于上述效果也在图27示出。
在上述的光源装置61的结构中，使用吸收来自发光元件13的蓝色光的彩色滤光片材料制成具有宽度1μm、厚度1μm的光遮挡层40、8μmⅹ24μm的尺寸的发光元件13的光源装置61。对仅使相当于各色的像素点亮时的CIE1931色坐标值进行测定，计算出色域面积。在仅红色像素点亮时，x＝0.620/y＝0.308，在仅绿色像素点亮时，x＝0.208/y＝0.645，在仅蓝色像素点亮时，x＝0.146/y＝0.040。而且，色域面积比率针对BT2020为63.7％，针对NTSC为85.3％，针对sRGB为120.5％。
接着，制成除了没有光遮挡层40以外其他与光源装置61相同的结构的光源装置，对仅使与各色相当的像素点亮时的CIE1931色坐标值进行测定，计算出色域面积。在仅红色像素点亮时，x＝0.257/y＝0.162，在仅绿色像素点亮时，x＝0.213/y＝0.255，在仅蓝色像素点亮时，x＝0.158/y＝0.063。而且色域面积比率针对BT2020为3.2％，针对NTSC为4.3％，针对sRGB为6.0％。
这样可知，通过光遮挡层40的形成而使光原装置61的颜色再现范围变大。
〔第十实施方式〕
以下对本发明的又一其他实施方式进行说明。此外，为了方便说明，对具有与上述实施方式中说明的部件相同功能的部件，标注相同的附图标记，不重复其说明。
图16是表示本实施方式的光源装置63的结构的纵剖视图。图17是表示图16所示的光源装置63的变形例所涉及的光源装置64的结构的纵剖视图。图18是表示图16所示的光源装置63的其他变形例所涉及的光源装置65的结构的纵剖视图。
如图16所示，光源装置63具有光遮挡层43而取代图1所示的光源装置1的光遮挡层18。在本实施方式中，光遮挡层43的高度与荧光体层15、16的上表面的高度相同。光遮挡层43由辅助层43a以及主体层43b构成。
辅助层43a设置于加强树脂层14的上表面，下表面的宽度比加强树脂层14的上表面的宽度窄。辅助层43a是例如由红色荧光体构成的荧光体层。主体层43b设置为覆盖辅助层43a的除去下表面之外的侧面以及上表面。主体层43b由作为光遮挡部件的例如彩色滤光片形成。在光遮挡层43中，辅助层43a的宽度＜主体层43b的宽度≈加强树脂层14的宽度。
辅助层43a相对于加强树脂层14的紧贴性良好。因此，光源装置63即便在主体层43b相对于加强树脂层14的紧贴性低的情况下，也能够将相对于加强树脂层14具有高紧贴性的光遮挡层43设置在加强树脂层14上。
此外，辅助层43a的宽度、加强树脂层14的宽度以及主体层43b的宽度的关系不限定于上述的关系，辅助层43a的宽度也可以比加强树脂层14的宽度小也可以与加强树脂层14的宽度成为相同程度。但是，需要辅助层43a的宽度≤加强树脂层14的宽度。
例如，在图17所示的光源装置64中，辅助层43a的宽度≈加强树脂层14的宽度＜主体层43b的宽度。另外，在图18所示的光源装置65中，以仅覆盖辅助层43a的上表面的方式设置有主体层43b，辅助层43a的宽度≈加强树脂层14的宽度≈主体层43b的宽度。
〔光源装置的制造方法1〕
对本实施方式的光源装置的制造方法进行说明。图19是表示本实施方式的光源装置的制造方法的纵剖视图。此外，图19例如相当于图10所示的光源装置10的制造方法，另外，光源装置10示出荧光体层15与荧光体层16的位置相反的情况的例子。
首先，如图19的(a)所示，设为在基底基板11上设置了电极12、发光元件13以及加强树脂层14的状态。通过在基底基板11经由电极12而接合了发光元件13后将加强树脂填充于基底基板与发光元件之间，从而能够成为图19的(a)那样的状态。或者取代加强树脂而通过将由Si、Al、Au、Ag、Cu、Pt、Pd、Al2O3、SiO2、TiO2、GaN、InGaN、AlGaN等无机材料构成的无机加强层预先形成于基底基板11或发光元件13的子像素侧面，并经由电极12将基底基板11与发光元件13接合，从而也能够成为图19的(a)那样的状态。此时，发光元件13以蓝宝石、GaN、Si等生长基板状以阵列以上形成，在接合于基底基板后，也能够通过激光(例如紫外线激光)照射或磨削、研磨等剥离生长基板。或者，也能够将各个发光元件依次接合于基底基板。此外，在加强树脂填充后或生长基板剥离后，通过研磨、清洗等，能够成为平坦的发光元件表面，或成为没有不需要的材料的吸附、残渣的发光元件表面。
接下来，在三个发光元件13以及加强树脂层14的上表面的整个面例如涂覆用于形成光遮挡层40的光遮挡层材料而形成光遮挡层形成层81。此外，图中发光元件成为分别与红色、绿色、蓝色相当的三个子像素，但本来为m行n列(m以及n为2以上的整数)的阵列状的发光元件。
接下来，经由相对于光遮挡层形成层81的图19的(b)所示的使用了光掩模82的曝光工序、以及图19的(c)所示的显影工序，形成光遮挡层40。
接下来，如图19的(d)所示，在三个发光元件13的上表面涂覆用于形成荧光体层15的红色的荧光体层材料而形成荧光体层形成层83(荧光体层材料涂覆工序)。
接下来，经由相对于荧光体层形成层83的图19的(e)所示的使用了光掩模84的曝光工序、以及图19的(f)所示的显影工序，在中央部的发光元件13上形成红色的荧光体层15。
其后，通过重复与图19的(d)～图19的(f)所示的荧光体层材料涂覆工序、曝光工序以及显影工序相同的工序，在形成了红色的荧光体层15的发光元件13的相邻的发光元件13的上表面形成绿色的荧光体层16以及透明层53。同样，通过重复与图19的(d)～图19的(f)所示的涂覆工序、曝光工序以及显影工序相同的工序，能够在荧光体上表面形成彩色滤光片层。另外，通过使曝光宽度比荧光体层宽度大，从而能够与荧光体层上表面同时在荧光体层侧面也形成彩色滤光片层。或者，通过重复与图19的(a)～图19的(c)所示的涂覆工序、曝光工序以及显影工序相同的工序，从而能够在荧光体层之间将光遮挡层重叠形成于相同位置，能够在荧光体层之间成为更高的光遮挡层。
此外，在本制造方法的各工序中，根据需要，在涂覆后、曝光后、显影后进行适当的温度、时间的烘烤。另外，在本实施方式未示出基底层31，但也可以如第二实施方式所述那样，在基底基板11上形成有基底层。
光遮挡层18在图中虽未示出，但如第一实施方式所述那样，作为其他的形成方法，通过将Si、Al、Au、Ag、Cu、Pt、Pd、Al2O3、SiO2、TiO2、GaN、InGaN、AlGaN等无机物形成在发光元件13以及加强树脂层14上，涂覆具有感光性的树脂，进行曝光、显影、曝光、固化，从而在发光元件正上方的无机物上形成了树脂后，对露出的区域的无机物进行湿式或者干式蚀刻，由此也能够形成光遮挡层18。此外，曝光的区域依赖于树脂的感光性，若为负型则成为以加强树脂上的区域为主的曝光，若为正型则成为以发光元件上的区域为主的曝光。
〔光源装置的制造方法2〕
对本实施方式的光源装置的其他制造方法进行说明。图20是表示本实施方式的光源装置的其他制造方法的纵剖视图。此外，图20例如相当于图1所示的光源装置1的制造方法，另外，光源装置1示出荧光体层15与荧光体层16的位置相反的情况的例子。
首先，如图20的(a)所示，成为在基底基板11上设置了电极12、发光元件13以及加强树脂层14的状态。接下来，在三个发光元件13以及加强树脂层14的上表面的整个面涂覆红色的荧光体层材料而形成荧光体层形成层85(荧光体层材料涂覆工序)。
接下来，经由图20的(b)所示的使用了光掩模84的相对于荧光体层形成层85的曝光工序以及图20的(c)所示的显影工序，在中央部的发光元件13上形成红色的荧光体层15。
其后，在通过上述的荧光体层材料涂覆工序、曝光工序以及显影工序形成了红色的荧光体层15的发光元件13的相邻的发光元件13的上表面形成绿色的荧光体层16。
接下来，如图20的(d)所示，在三个发光元件13的上表面以及加强树脂层14的上表面的荧光体层15、16不存在的区域的整个面涂覆用于形成光遮挡层18的光遮挡层材料而形成光遮挡层形成层86(荧光体层涂覆工序)。
接下来，经由相对于光遮挡层形成层86的图20的(e)所示的使用了光掩模82的曝光工序、以及图20的(f)所示的显影工序，形成光遮挡层18。
此外，在本制造方法的各工序中，根据需要，在涂覆后、曝光后、显影后进行适当的温度、时间的烘烤。另外，在本实施方式中虽未示出基底层31，但也可以如第二实施方式所述那样，在基底基板11上形成有基底层。
〔光源装置的制造方法3〕
对本实施方式的光源装置的又一其他制造方法进行说明。图21是表示本实施方式的光源装置的又一其他制造方法的纵剖视图。此外，在图21中，例如，与具有光遮挡层32的光源装置9(参照图9)的制造方法相当，而且也能够在具有光遮挡层43的光源装置63(参照图16)以及光源装置64(参照图17)的制造方法中应用。
首先，如图21的(a)所示，成为在基底基板11上设置了电极12、发光元件13以及加强树脂层14的状态。接下来，在三个发光元件13以及加强树脂层14的上表面的整个面涂覆透明树脂而形成透明树脂层87。
接下来，经由相对于透明树脂层87的图21的(b)所示的使用了光掩模82的曝光工序、以及图21的(c)所示的显影工序而形成光遮挡层32的透明树脂层32a。此外，此处，透明树脂层32a的宽度与加强树脂层14的宽度相同。
接下来，如图21的(d)所示，在三个发光元件13的上表面以及各透明树脂层32a的上表面涂覆剥离抗蚀剂而形成剥离抗蚀剂层88。
接下来，通过相对于剥离抗蚀剂层88的图21的(e)所示的使用了光掩模82的曝光工序、以及图21的(f)所示的显影工序，除去加强树脂层14的上表面的剥离抗蚀剂层88。
接下来，如图21的(g)所示，在加强树脂层14的上表面以及侧面、以及发光元件13上的剥离抗蚀剂层88的上表面蒸镀金属膜89。此外，蒸镀于加强树脂层14的金属膜89成为光遮挡层32的金属膜32b。由此，形成将透明树脂层32a的侧面以及上表面由金属膜32b覆盖的光遮挡层32。
接下来，如图21的(g)所示，除去发光元件13上的剥离抗蚀剂层88以及金属膜89(剥离工序)。
其后，通过重复与图19的(d)～图19的(f)所示的荧光体层材料涂覆工序、曝光工序以及显影工序相同的工序，从而形成红色的荧光体层15以及绿色的荧光体层16。
此外，在本制造方法的各工序中，根据需要，在涂覆后、曝光后、显影后进行适当的温度、时间的烘烤。另外，本实施方式虽未示出基底层31，但也可以如第二实施方式所述那样，在基底基板11上形成有基底层。
〔光源装置的制造方法4〕
对本实施方式的光源装置的又一其他制造方法进行说明。图22是表示本实施方式的光源装置的又一其他制造方法的纵剖视图。此外，在图22中，例如，与具有光遮挡层32的光源装置9(参照图9)的制造方法相当，而且也能够在具有光遮挡层43的光源装置63(参照图16)以及光源装置64(参照图17)的制造方法中应用。
首先，如图22的(a)所示，成为在基底基板11上设置了电极12、发光元件13以及加强树脂层14的状态。接下来，在三个发光元件13以及加强树脂层14的上表面的整个面涂覆剥离抗蚀剂而形成剥离抗蚀剂层90。
接下来，经由相对于剥离抗蚀剂层90的图22的(b)所示的使用了光掩模91的曝光工序、以及图22的(c)所示的显影工序，除去加强树脂层14上的剥离抗蚀剂层90。
接下来，如图22的(d)所示，在三个发光元件13的上表面以及加强树脂层14的上表面，例如通过涂覆彩色滤光片材料、或者蒸镀金属膜，从而形成光遮挡层形成层92。
接下来，如图22的(e)所示，除去发光元件13上的剥离抗蚀剂层90(剥离工序)，由此仅残留加强树脂层14上的光遮挡层形成层92。所残留的光遮挡层形成层92成为光遮挡层93。此外，在通过蒸镀金属膜而形成了光遮挡层形成层92的情况下，光遮挡层93成为反射层。
其后，通过与图19的(d)～图19的(f)、或者图20的(a)～图20的(c)所示的荧光体层材料涂覆工序、曝光工序以及显影工序相同的工序，如图22的(f)所示，形成红色的荧光体层15。并且，同样形成绿色的荧光体层16。
此外，在本制造方法的各工序中，根据需要，在涂覆后、曝光后、显影后进行适当的温度、时间的烘烤。另外，本实施方式虽未示出基底层31，但也可以如第二实施方式所述那样，在基底基板11上形成有基底层。
〔光源装置的制造方法5〕
对本实施方式的光源装置的又一其他制造方法进行说明。图23是表示本实施方式的光源装置的又一其他制造方法的纵剖视图。此外，在图23中，例如，与具有光遮挡层40的光源装置10(参照图10)的制造方法相当，而且也能够在具有光遮挡层40的光源装置66、67、61(参照图11、12、13)等的制造方法中应用。
首先，如图23的(a)所示，成为在基底基板11上设置了电极12、发光元件13以及加强树脂层14的状态。接下来，在三个发光元件13以及加强树脂层14的上表面的整个面涂覆红色的荧光体层材料而形成荧光体层形成层85(荧光体层材料涂覆工序)。
接下来，经由图23的(b)所示的使用了光掩模84的相对于荧光体层形成层85的曝光工序、以及图23的(c)所示的显影工序，在中央部的发光元件13上形成红色的荧光体层15。
其后，如图23的(d)所示，通过上述的荧光体层材料涂覆工序、曝光工序以及显影工序，在形成了红色的荧光体层15的发光元件13的相邻的发光元件13的上表面形成绿色的荧光体层16以及透明层53。
接下来，如图23的(e)所示，在荧光体层15、16以及透明层53的上表面以及加强树脂层14的上表面涂覆剥离抗蚀剂(正型抗蚀剂)而形成剥离抗蚀剂层88。
接下来，通过相对于剥离抗蚀剂层88的图23的(f)所示的使用了光掩模82的曝光工序、以及图23的(g)所示的显影工序，除去加强树脂层14的上表面的剥离抗蚀剂层88。
接下来，如图23的(h)所示，在加强树脂层14的上表面以及荧光体层15、16以及透明层53上的剥离抗蚀剂层88的上表面蒸镀成为反射膜的金属膜89。此外，蒸镀于加强树脂层14的金属膜89成为光遮挡层40(参照图23的(i))。
接下来，如图23的(i)所示，将荧光体层15、16以及透明层53上的剥离抗蚀剂层88以及金属膜89除去(剥离工序)。
此外，在本制造方法的各工序中，根据需要，在涂覆后、曝光后、显影后进行适当的温度、时间的烘烤。另外，本实施方式中虽未示出基底层31，但也可以如第二实施方式所述那样，在基底基板11上形成有基底层。
〔光源装置的制造方法6〕
对本实施方式的光源装置的又一其他制造方法进行说明。图24是表示本实施方式的光源装置的又一其他制造方法的纵剖视图。此外，在图24中，例如，与具有光遮挡层40的光源装置10(参照图10)的制造方法相当，而且也能够在具有光遮挡层40的光源装置66、67、61(参照图11、12、13)等的制造方法中应用。
图24的(a)～图24的(d)的工序与图23的(a)～图23的(d)的工序相同，因此省略说明。
如图24的(e)所示，在荧光体层15、16以及透明层53的上表面以及加强树脂层14的上表面涂覆光反射性树脂(负型抗蚀剂)而形成光反射性树脂层111。
接下来，通过相对于光反射性树脂层111的图24的(f)所示的使用了光掩模82的曝光工序、以及图24的(g)所示的显影工序，将荧光体层15、16以及透明层53的上表面的光反射性树脂层111除去。由此，得到光源装置。
(制造方法6的变形例1)
另外，在本制造方法中，图24的(e)～(g)所示的工序也可以被图24的(h)～(j)所示的工序替代。此时，如图24的(h)所示，在加强树脂层14的上表面涂覆光反射性树脂而形成光反射性树脂层113(负型抗蚀剂)。
接下来，通过相对于光反射性树脂层113的图24的(i)所示的未使用上述光掩模82的曝光工序以及图24的(j)所示的显影工序，将荧光体层15、16以及透明层53的上表面的光反射性树脂层111除去。由此，得到光源装置。
(制造方法6的变形例2)
另外，在本制造方法中，图24的(e)～(g)所示的工序也可以被图24的(k)～(l)所示的工序取代。此时，如图24的(k)所示，在加强树脂层14的上表面涂覆光反射性树脂(热固化型抗蚀剂)而形成光反射性树脂层112。
接下来，通过相对于光反射性树脂层112的图24的(1)所示的热固化工序使光反射性树脂层112固化。由此，得到光源装置。这样，在光反射性树脂层112的光反射性树脂是热固化型且能够将光反射性树脂层112以与荧光体层15、16以及透明层53相同的厚度在各层间(加强树脂层14的上表面)涂覆的情况下，也可以仅通过热处理使光反射性树脂层112固化。
此外，在本制造方法的各工序中，根据需要，在涂覆后、曝光后、显影后进行适当的温度、时间的烘烤。另外，本实施方式虽未示出基底层31，但也可以如第二实施方式所述那样，在基底基板11上形成有基底层。
〔光源装置的制造方法7〕
对本实施方式的光源装置的又一其他制造方法进行说明。图25是表示本实施方式的光源装置的又一其他制造方法的纵剖视图。此外，在图25中，例如，与具有光遮挡层40的光源装置10(参照图10)中的在全部发光元件上形成有黄色荧光体和红色、绿色、蓝色的任一个的彩色滤光片的成为变形例的光源装置的制造方法相当，而且也能够在具有光遮挡层40的光源装置66、67、61(参照图11、12、13)的相同的变形例等的制造方法中应用。
图25的(a)～图25的(d)的工序除去一部分之外其他与图23的(a)～图23的(d)的工序相同，因此仅对不同点进行说明。在图25的(b)中，取代上述光掩模84而使用开口宽度大的光掩模121。由此，荧光体层15的宽度扩张至荧光体层15的两侧的加强树脂层14上。在这一点上，针对荧光体层16以及透明层53也相同。由此，如图25的(d)所示，荧光体层15成为与相邻的荧光体层16以及透明层53接触的状态。
接下来，如图25的(e)所示，在荧光体层15、16以及透明层53的上表面涂覆保护用抗蚀剂(负型抗蚀剂)而形成保护用抗蚀剂层122。
接下来，通过相对于保护用抗蚀剂层122的图25(f)所示的使用了光掩模82的曝光工序、以及图25的(g)所示的显影工序，将与加强树脂层14的上表面相当的部分的保护用抗蚀剂层122除去。
接下来，如图25的(h)所示，通过蚀刻，将保护用抗蚀剂层122以及与加强树脂层14的上表面相当的部分的荧光体层15、16以及透明层53除去。
接下来，通过图23的(e)～(i)所示的剥离抗蚀剂涂覆、曝光、显影、金属膜蒸镀以及剥离的各工序，如图25的(i)所示，在加强树脂层14上形成光遮挡层40，得到光源装置。
此外，在本制造方法的各工序中，根据需要，在涂覆后、曝光后、显影后进行适当的温度、时间的烘烤。另外，本实施方式中虽未示出基底层31，但也可以如第二实施方式所述那样，在基底基板11上形成有基底层。
〔光源装置的制造方法8〕
对本实施方式的光源装置的又一其他制造方法进行说明。图26是表示本实施方式的光源装置的又一其他制造方法的纵剖视图。此外，在图26中，例如，与具有光遮挡层40的光源装置10(参照图10)中的在全部发光元件上形成有黄色荧光体和红色、绿色、蓝色的任一个的彩色滤光片的成为变形例的光源装置的制造方法相当，而且也能够在具有光遮挡层40的光源装置66、67、61(参照图11、12、13)的相同的变形例等的制造方法中应用。
首先，如图26的(a)所示，在三个发光元件13以及加强树脂层14的上表面的整个面涂覆黄色的荧光体层材料而形成荧光体层形成层131(荧光体层材料涂覆工序)。
接下来，如图26的(b)所示，在荧光体层形成层131的上表面涂覆保护用抗蚀剂(负型抗蚀剂)而形成保护用抗蚀剂层122。
接下来，通过相对于保护用抗蚀剂层122的图26的(c)所示的使用了光掩模82的曝光工序、以及图26的(d)所示的显影工序，将与加强树脂层14的上表面相当的部分的保护用抗蚀剂层122除去。
接下来，如图26的(e)所示，通过蚀刻，将保护用抗蚀剂层122、以及与加强树脂层14的上表面相当的部分的荧光体层形成层131除去，在各发光元件13上形成独立的荧光体层134。
接下来，通过图23的(e)～(i)所示的剥离抗蚀剂涂覆、曝光、显影、金属膜蒸镀以及剥离的各工序，如图26的(f)所示，在加强树脂层14上形成光遮挡层40。
接下来，如图26的(g)所示，在荧光体层134以及加强树脂层14的上表面涂覆绿色的彩色滤光片材料(负型抗蚀剂)而形成彩色滤光片形成层135。
接下来，通过相对于彩色滤光片形成层135的图26的(h)所示的使用了光掩模136的曝光工序、以及图26的(i)所示的显影工序，在一个荧光体层134上形成绿色的彩色滤光片层137。
其后，取代绿色的彩色滤光片材料而使用红色的彩色滤光片材料以及蓝色的彩色滤光片材料，重复图26的(g)～图26的(i)的工序，如图26的(j)所示，在其他的一个荧光体层134上形成红色的彩色滤光片层138，在又一其他的一个荧光体层134上形成蓝色的彩色滤光片层139，得到光源装置。
此外，在本制造方法的各工序中，根据需要，在涂覆后、曝光后、显影后进行适当的温度、时间的烘烤。另外，本实施方式中虽未示出基底层31，但也可以如第二实施方式所述那样，在基底基板11上形成有基底层。
〔总结〕
本发明的方式1所涉及的光源装置具备：红色像素用、绿色像素用以及蓝色像素用的各发光元件；荧光体层，其仅在上述红色像素用的发光元件以及上述绿色像素用的发光元件上设置，并在光从上述发光元件的射出侧位置，一部分与上述发光元件接触；光遮挡层，其设置于相邻的上述荧光体层彼此之间，且与上述荧光体层不同；以及加强层，其设置于相邻的上述发光元件彼此之间。
也可以是，发光元件例如由GaN/InGaN构成，P电极以及N电极的任一个或两者具有台面构造。通过加强层，从而发光元件不易从基底基板剥离。此外，加强层存在于发光元件间以及发光元件与电极、基底基板之间，抑制发光元件的剥离即可，构成材料没有被限定，也可以是由无机材料构成的加强层。
对于本发明的方式2所涉及的光源装置而言，在上述方式1中，也可以是，上述荧光体层包括一种或多种由有机或无机的材料构成的荧光体。容易形成与发光元件或者基底层、光遮挡层之间的紧贴性优异的荧光体层和颜色转换能力优异的荧光体层，荧光体层能够同时实现剥落抑制和颜色转换能力的提高。而且由于具有多个荧光体层，所以能够控制颜色再现范围、亮度。
对于本发明的方式3所涉及的光源装置而言，在上述方式2中，也可以构成为，上述荧光体层为一种或多种。
成为上述结构的理由是因为，容易形成与发光元件或者基底层、光遮挡层之间的紧贴性优异的荧光体层和颜色转换能力优异的荧光体层，荧光体层能够同时实现剥落抑制和颜色转换能力的提高。因为荧光体层也可以在红色和绿色中不同。另外，若也存在“黄色荧光体+彩色滤光片”的情况，则也可以是“红色荧光体+绿色荧光体(+彩色滤光片)”的情况。
对于本发明的方式4所涉及的光源装置而言，在上述方式3中，也可以构成为，上述光遮挡层不仅形成在上述荧光体层之间，还形成在上述荧光体层上。
通过除了在荧光体层之间还在荧光体层上形成有光遮挡层从而荧光体层不易剥落。而且控制从荧光体层的侧面射出的光的波长。通过绿色光激发红色荧光体，因此通过减少来自由绿色荧光体构成的荧光体层的侧面的光，能够减少串扰。
对于本发明的方式5所涉及的光源装置而言，在上述方式4中，也可以构成为，上述荧光体层之间的上述光遮挡层与上述荧光体层上的上述光遮挡层材质不同。
欲使红色以及绿色发光的位置的荧光体层也可以设为黄色荧光体。实际上考虑如下的可能性。
红发光像素：
(1)红荧光体，
(2)红荧光体+红彩色滤光片
(3)黄荧光体+红彩色滤光片
(4)红荧光体+二向色镜
(5)红荧光体+二向色镜+红彩色滤光片
(6)黄荧光体+二向色镜+红彩色滤光片
绿发光像素：
(1)绿荧光体，
(2)绿荧光体+绿彩色滤光片
(3)黄荧光体+绿彩色滤光片
(4)绿荧光体+二向色镜
(5)绿荧光体+二向色镜+绿彩色滤光片
(6)黄荧光体+二向色镜+绿彩色滤光片
此外，荧光体不局限于一种，能够使用多种荧光体，例如在红发光像素中，使用“红荧光体+黄荧光体”等两种不同发光色的荧光体，或使用“红荧光体1+红荧光体2”等多种相同发光色的荧光体。
对于本发明的方式6所涉及的光源装置而言，在上述方式5中，也可以构成为，按各个上述发光元件的每一个而具有上述荧光体层或树脂层。
在液晶显示器的情况下，相对于一个进行白色发光的LED(蓝色LED+荧光体)存在多个转换层。另一方面，各像素使用蓝发光元件、绿色发光元件、红色发光元件等三种以上发光元件的μLED显示器没有转换层。
对于本发明的方式7所涉及的光源装置而言，在上述方式6中，也可以构成为，以与上述荧光体层上的上述光遮挡层重叠的方式形成有不同的荧光体层。
通过使荧光体层变厚，能够提高颜色转换能力。
对于本发明的方式8所涉及的发光装置而言，在上述方式7中，也可以构成为，上述发光元件具有台面形状。
本发明的方式9所涉及的发光装置也可以构成为，具备上述方式1的光源装置。
本发明的方式10所涉及的发光装置具备：多个发光元件；荧光体层，其在光从上述发光元件的射出侧位置，按每个上述发光元件设置；基底层，其设置于上述发光元件与上述荧光体层之间，且与这些上述发光元件和上述荧光体层不同；光遮挡层，其设置于相邻的上述荧光体层彼此之间，且与上述荧光体层不同；以及加强层，其设置于相邻的上述发光元件彼此之间。
发光元件例如由GaN/InGaN构成。通过加强层，从而发光元件不易从基底基板剥离，而且通过利用基底层提高荧光体层的紧贴力，从而荧光体层不易剥离。此外，加强层存在于发光元件之间以及发光元件与电极、基底基板之间，抑制发光元件的剥离即可，构成材料没有被限定，也可以是由无机材料构成的加强层。
对于本发明的方式11所涉及的发光装置而言，在上述方式10中，也可以构成为，上述荧光体层包括一种或多种由有机或无机的材料构成的荧光体。通过这样由多个层构成荧光体层，从而容易形成与发光元件或者基底层、光遮挡层之间的紧贴性优异的荧光体层和颜色转换能力优异的荧光体层，荧光体层能够同时实现剥落抑制和颜色转换能力的提高。而且由于具有多个荧光体层，所以能够控制颜色再现范围、亮度。
对于本发明的方式12所涉及的发光装置而言，在上述方式10中，也可以构成为，上述荧光体层为一种或多种。
成为上述结构的理由是因为，通过同时使用与发光元件或基底层、光遮挡层之间的紧贴性优异的荧光体层和颜色转换能力优异的荧光体层，从而荧光体层能够同时实现剥落抑制和颜色转换能力的提高。而且是因为，在各发光色的子像素中荧光体层也可以在红色和绿色中不同。另外，若有“黄色荧光体+彩色滤光片”的情况，则可以有“红色荧光体+绿色荧光体”、“红色荧光体+绿色荧光体+彩色滤光片”、“红色荧光体+黄色荧光体”、“红色荧光体+黄色荧光体+彩色滤光片”、“绿色荧光体+黄色荧光体”、“绿色荧光体+黄色荧光体+彩色滤光片”等情况。通过这样由多个层构成荧光体层，从而能够控制颜色再现范围、亮度。
对于本发明的方式13所涉及的发光装置而言，在上述方式10中，也可以构成为，上述光遮挡层不仅形成在上述荧光体层之间，还形成在上述荧光体层上。
通过不仅在荧光体层之间还在荧光体层上形成有光遮挡层从而不易剥离荧光体层。而且控制从荧光体层的侧面射出的光的波长。由于通过绿色光激发红色荧光体，所以通过减少来自由绿色荧光体构成的荧光体层的侧面的光，能够减少串扰，能够增大光源装置的颜色再现范围。
对于本发明的方式14所涉及的发光装置而言，在上述方式13中，也可以构成为，上述荧光体层之间的上述光遮挡层与上述荧光体层上的上述光遮挡层材质不同。
欲使绿色发光的位置的荧光体层也可以设为黄色荧光体。实际上考虑如下的可能性。
红发光像素：
(1)红荧光体，
(2)红荧光体+红彩色滤光片
(3)黄荧光体+红彩色滤光片
(4)红荧光体+二向色镜
(5)红荧光体+二向色镜+红彩色滤光片
(6)黄荧光体+二向色镜+红彩色滤光片
绿发光像素：
(1)绿荧光体，
(2)绿荧光体+绿彩色滤光片
(3)黄荧光体+绿彩色滤光片
(4)绿荧光体+二向色镜
(5)绿荧光体+二向色镜+绿彩色滤光片
(6)黄荧光体+二向色镜+绿彩色滤光片
此外，荧光体不局限于一种，能够使用多种荧光体，例如在绿发光像素中，使用“绿荧光体+黄荧光体”等两种不同发光色的荧光体，或使用“绿荧光体1+绿荧光体2”等多种相同发光色的荧光体。
对于本发明的方式15所涉及的发光装置而言，在上述方式10中，也可以构成为，按各个上述发光元件的每一个而具有上述荧光体层或树脂层。
在液晶显示器的情况下，相对于一个进行白色发光的LED(蓝色LED+荧光体)存在多个转换层，换句话说，一个白色发光LED与多个像素对应。另外，各像素使用蓝发光元件、绿色发光元件、红色发光元件等三种以上的发光元件的μLED显示器没有转换层。另一方面，本申请的光源装置具有与各像素对应的发光元件，在与绿色以及红色对应的发光元件上形成有荧光体层，此外，在各色像素之间形成有光遮挡层。
对于本发明的方式16所涉及的发光装置而言，在上述方式10中，也可以构成为，上述发光元件具有台面形状。
对于本发明的方式17所涉及的发光装置而言，在上述方式13中，也可以构成为，以与上述荧光体层上的上述光遮挡层重叠的方式形成有不同的荧光体层。
通过使荧光体层变厚，从而能够提高颜色转换能力。
本发明不限定于上述的各实施方式，能够在权利要求所示的范围内进行各种变更，针对将不同实施方式所分别公开的技术方案适当地组合而得到的实施方式也包含于本发明的技术范围中。并且，通过将各实施方式分别公开的技术方案组合，能够形成新的技术特征。
附图标记说明
1～10、61～68 光源装置
11 基底基板
12 电极
13 发光元件
14 加强树脂层(加强层)
15、16、51、52 荧光体层
18、32、33～40、43、93 光遮挡层
31 基底层
32a、17、87 透明树脂层
32b、89 金属膜
41、42、102、103、137～139 彩色滤光片层
43a 辅助层
43b 主体层
53 透明层
81、86、92 光遮挡层形成层
82、84、91、121、136 光掩模
83、85 荧光体层形成层
88、90 剥离抗蚀剂层
101 二向色镜层
201 蓝宝石基板(生长基板)
202 N-GaN层(第一导电型层)
203 InGaN层(活性层)
204 P-GaN层(第二导电型层)
205 Pd层
206 Au层
210 N电极
211 P电极。

Claims (9)

1.一种光源装置，其特征在于，具备：
红色像素用、绿色像素用以及蓝色像素用的各发光元件；
红色像素用的荧光体层，其仅在所述红色像素用的发光元件上设置，并在光从所述红色像素用的发光元件射出的射出侧位置，所述红色像素用的荧光体层的一部分与所述红色像素用的发光元件接触；
绿色像素用的荧光体层，其与所述红色像素用的荧光体层相邻，且仅在所述绿色像素用的发光元件上设置，并在光从所述绿色像素用的发光元件射出的射出侧位置，所述绿色像素用的荧光体层的一部分与所述绿色像素用的发光元件接触；
光遮挡层，其设置于相邻的所述红色像素用的荧光体层与所述绿色像素用的荧光体层彼此之间，且与所述红色像素用的荧光体层和所述绿色像素用的荧光体层不同；
加强层，其设置于相邻的所述各发光元件彼此之间；
树脂层，其设置在所述蓝色像素用的发光元件上，并位于光从所述蓝色像素用的发光元件射出的射出侧位置；以及
第二光遮挡层，其形成在所述红色像素用的荧光体层和所述绿色像素用的荧光体层上，
所述第二光遮挡层具有二向色镜层以及形成在所述二向色镜层上的彩色滤光片层，
所述光遮挡层的最外表面为金属。
2.根据权利要求1所述的光源装置，其特征在于，
所述红色像素用的荧光体层和所述绿色像素用的荧光体层包括一种或多种由有机或无机的材料构成的荧光体。
3.根据权利要求2所述的光源装置，其特征在于，
所述红色像素用的荧光体层和所述绿色像素用的荧光体层为一种或多种。
4.根据权利要求1所述的光源装置，其特征在于，
所述各发光元件具有台面形状。
5.一种发光装置，其特征在于，
使用权利要求1所述的光源装置。
6.一种光源装置，其特征在于，具备：
红色像素用、绿色像素用以及蓝色像素用的各发光元件；
红色像素用的荧光体层，其仅在所述红色像素用的发光元件上设置，并形成在光从所述红色像素用的发光元件射出的射出侧位置；
绿色像素用的荧光体层，其与所述红色像素用的荧光体层相邻，且仅在所述绿色像素用的发光元件上设置，并形成在光从所述绿色像素用的发光元件射出的射出侧位置；
光遮挡层，其设置于相邻的所述红色像素用的荧光体层与所述绿色像素用的荧光体层彼此之间，且与所述红色像素用的荧光体层和所述绿色像素用的荧光体层不同；
加强层，其设置于相邻的所述各发光元件彼此之间；
基底层，其设置于所述红色像素用的发光元件与所述红色像素用的荧光体层之间、所述绿色像素用的发光元件与所述绿色像素用的荧光体层之间以及所述光遮挡层与所述加强层之间，且与这些所述红色像素用的发光元件、所述红色像素用的荧光体层、绿色像素用的发光元件、所述绿色像素用的荧光体层、所述光遮挡层和所述加强层不同；
树脂层，其设置在所述蓝色像素用的发光元件上，并位于光从所述蓝色像素用的发光元件射出的射出侧位置；以及
第二光遮挡层，其形成在所述红色像素用的荧光体层和所述绿色像素用的荧光体层上，
所述第二光遮挡层具有二向色镜层以及形成在所述二向色镜层上的彩色滤光片层，
所述基底层的厚度为2μm以下，
所述光遮挡层的最外表面为金属。
7.根据权利要求6所述的光源装置，其特征在于，
所述红色像素用的荧光体层和所述绿色像素用的荧光体层包括一种或多种由有机或无机的材料构成的荧光体。
8.根据权利要求6所述的光源装置，其特征在于，
所述红色像素用的荧光体层和所述绿色像素用的荧光体层为一种或多种。
9.根据权利要求6所述的光源装置，其特征在于，
所述各发光元件具有台面形状。
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