CN111834434B - 一种oled显示装置及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种OLED显示装置及其制备方法，该方法包括以下步骤：在基板上沉积缓冲层、半导体有源单元、栅极介质层、栅电极、层间介电层、源电极、漏电极、平坦化层、像素电极、像素限定层、发光单元以及封装层，且在相邻所述半导体有源单元之间的区域形成依次连接的第一金属块、第二金属块、第三金属块、第四金属块以及第五金属块，所述封装层覆盖所述像素限定层、所述第五金属块和所述发光单元。
Description
技术领域
本发明涉及半导体显示封装技术领域，尤其是涉及一种OLED显示装置及其制备方法。
背景技术
OLED器件(有机发光二极管)通常包括：基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层、及设于电子注入层上的阴极。现有的OLED器件通常采用氧化铟锡(ITO)电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层，电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层，并在发光层中相遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光。基于OLED器件的OLED显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、视角宽、使用温度范围宽等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。如何改善OLED显示装置的结构，以提高其结构稳定性，这是业界的热点问题。
发明内容
本发明的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种OLED显示装置及其制备方法。
为实现上述目的，一种OLED显示装置的制备方法，包括以下步骤：
(1)提供一基板，接着在所述基板上沉积缓冲层。
(2)接着在所述缓冲层上形成半导体层，并对所述半导体层进行图案化处理以形成多个半导体有源单元，接着刻蚀相邻所述半导体有源单元之间的缓冲层和基板以形成第一凹槽，接着在所述第一凹槽中和所述缓冲层上沉积金属材料以形成第一金属块。
(3)接着在所述缓冲层上形成栅极介质层，所述栅极介质层覆盖所述第一金属块和所述半导体有源单元。
(4)接着在所述栅极介质层上形成多个间隔设置栅电极，每个所述栅电极与每个所述半导体有源单元一一对应。
(5)接着刻蚀所述栅极介质层以暴露所述第一金属块的一部分，进一步刻蚀所述第一金属块，以形成第二凹槽，所述第二凹槽的底面低于所述基板的上表面，接着在所述第二凹槽中和所述栅极介质层上沉积金属材料以形成第二金属块。
(6)接着在所述栅极介质层和所述栅电极上形成层间介电层，接着刻蚀所述层间介电层和所述栅极介质层以形成暴露每个所述半导体有源单元的源极区的第一通孔以及所述半导体单元的漏极区的第二通孔，接着刻蚀所述层间介电层以暴露所述第二金属块的一部分，进一步刻蚀所述第二金属块，以形成第三凹槽，所述第三凹槽的底面低于所述栅极介质层的上表面，接着在所述层间介电层上、所述第一通孔中以及所述第二通孔中沉积金属材料，并进行图案化处理，以在所述层间介电层上形成源电极和漏电极以及在所述第一、第二通孔中分别形成源电极通孔以及漏电极通孔，且在所述第三凹槽中和所述层间介电层上沉积金属材料以形成第三金属块。
(7)接着在所述层间介电层上形成平坦化层，接着刻蚀所述平坦化层以形成暴露所述漏电极的第一开孔，接着刻蚀所述平坦化层以暴露所述第三金属块的一部分，进一步刻蚀所述第三金属块，以形成第四凹槽，所述第四凹槽的底面低于所述层间介电层的上表面。
(8)接着在所述平坦化层上和所述第一开孔中形成像素电极，并在所述第四凹槽中和所述平坦化层上沉积金属材料以形成第四金属块。
(9)接着在所述平坦化层上形成像素限定层，在所述像素限定层上形成暴露所述像素电极的第一开口，接着刻蚀所述像素限定层以暴露所述第四金属块的一部分，进一步刻蚀所述第四金属块，以形成第五凹槽，所述第五凹槽的底面低于所述平坦化层的上表面。
(10)接着在所述第一开口中形成一发光单元，接着在所述第五凹槽中沉积金属材料以形成第五金属块，所述第五金属块的顶面低于所述像素限定层的上表面，接着形成一封装层，所述封装层覆盖所述像素限定层、所述第五金属块和所述发光单元。
作为优选，在所述步骤(2)中，利用掩膜并通过湿法刻蚀或干法刻蚀形成所述第一凹槽，所述第一金属块的材料为铜、铝、银中的一种。
作为优选，在所述步骤(3)中，所述栅极介质层的材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，所述栅极介质层通过PECVD法形成。
作为优选，在所述步骤(4)中，所述栅电极的材料为铜、铝以及钼中的一种或多种的组合，所述栅电极通过化学镀、电镀、溅射或蒸镀形成。
作为优选，在所述步骤(7)中，所述平坦化层的材料为环氧树脂、有机硅树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺、聚乙烯、聚碳酸酯以及酚醛树脂中的一种或多种。
作为优选，在所述步骤(8)中，所述像素电极为金属材料或透明导电氧化物。
作为优选，在所述步骤(9)中，所述像素限定层的材料为聚酰亚胺、苯并环丁烯、PMMA树脂、酚醛树脂、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅中的一种或多种。
本发明还提出一种OLED显示装置，其采用上述方法制备形成的。
本发明与现有技术相比具有下列优点：
在本发明的OLED显示装置制备过程中，通过在相邻TFT器件之间以及相邻发光单元之间设置连续延伸的金属层叠结构，有效提高了本发明的OLED显示装置的结构稳定性，且在形成金属层叠结构的过程中，每次均刻蚀金属块的一部分，进而在沉积金属材料形成另一金属块时，使得另一金属块嵌入到其相邻的金属块中，使得金属层叠结构合为一体，进而可以更好的连接OLED显示装置的各功能层，可以有效的防止层间介电层、平坦化层以及像素限定层三者之间发生剥离，进而可以避免氧气或水汽浸入显示装置，进而可以避免显示装置失效。
附图说明
图1-图8为本发明的有机发光显示面板的制备过程的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在
这里图示或描述的那些以外的顺序实施。
应当理解，在本发明中，“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。应当理解，在本发明中，“多个”是指两个或两个以上。“包括A、B和C”是指A、B、C三者都包括，“包括A、B或C”是指包括A、B、C三者之一，“包括A、B和/或C”是指包括A、B、C三者中任1个或任2个或3个。应当理解，在本发明中，“与A对应的B”、“与A相对应的B”、“A与B相对应”或者“B与A相对应”，表示B与A的形状或功能具有对应关系，根据A可以确定B。根据A确定B并不意味着仅仅根据A确定B，还可以根据A和/或其他信息确定B。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征
下面以具体地实施例对本发明的技术方案进行详细说明。所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终以相同或类似的标号表示相同或类似的组件或具有相同或类似功能的组件。下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例不再赘述。
本发明提出的一种OLED显示装置的制备方法，包括以下步骤：
(1)提供一基板，接着在所述基板上沉积缓冲层。
(2)接着在所述缓冲层上形成半导体层，并对所述半导体层进行图案化处理以形成多个半导体有源单元，接着刻蚀相邻所述半导体有源单元之间的缓冲层和基板以形成第一凹槽，接着在所述第一凹槽中和所述缓冲层上沉积金属材料以形成第一金属块。
(3)接着在所述缓冲层上形成栅极介质层，所述栅极介质层覆盖所述第一金属块和所述半导体有源单元。
(4)接着在所述栅极介质层上形成多个间隔设置栅电极，每个所述栅电极与每个所述半导体有源单元一一对应。
(5)接着刻蚀所述栅极介质层以暴露所述第一金属块的一部分，进一步刻蚀所述第一金属块，以形成第二凹槽，所述第二凹槽的底面低于所述基板的上表面，接着在所述第二凹槽中和所述栅极介质层上沉积金属材料以形成第二金属块。
(6)接着在所述栅极介质层和所述栅电极上形成层间介电层，接着刻蚀所述层间介电层和所述栅极介质层以形成暴露每个所述半导体有源单元的源极区的第一通孔以及所述半导体单元的漏极区的第二通孔，接着刻蚀所述层间介电层以暴露所述第二金属块的一部分，进一步刻蚀所述第二金属块，以形成第三凹槽，所述第三凹槽的底面低于所述栅极介质层的上表面，接着在所述层间介电层上、所述第一通孔中以及所述第二通孔中沉积金属材料，并进行图案化处理，以在所述层间介电层上形成源电极和漏电极以及在所述第一、第二通孔中分别形成源电极通孔以及漏电极通孔，且在所述第三凹槽中和所述层间介电层上沉积金属材料以形成第三金属块。
(7)接着在所述层间介电层上形成平坦化层，接着刻蚀所述平坦化层以形成暴露所述漏电极的第一开孔，接着刻蚀所述平坦化层以暴露所述第三金属块的一部分，进一步刻蚀所述第三金属块，以形成第四凹槽，所述第四凹槽的底面低于所述层间介电层的上表面。
(8)接着在所述平坦化层上和所述第一开孔中形成像素电极，并在所述第四凹槽中和所述平坦化层上沉积金属材料以形成第四金属块。
(9)接着在所述平坦化层上形成像素限定层，在所述像素限定层上形成暴露所述像素电极的第一开口，接着刻蚀所述像素限定层以暴露所述第四金属块的一部分，进一步刻蚀所述第四金属块，以形成第五凹槽，所述第五凹槽的底面低于所述平坦化层的上表面。
(10)接着在所述第一开口中形成一发光单元，接着在所述第五凹槽中沉积金属材料以形成第五金属块，所述第五金属块的顶面低于所述像素限定层的上表面，接着形成一封装层，所述封装层覆盖所述像素限定层、所述第五金属块和所述发光单元。
其中，在所述步骤(2)中，利用掩膜并通过湿法刻蚀或干法刻蚀形成所述第一凹槽，所述第一金属块的材料为铜、铝、银中的一种。
其中，在所述步骤(3)中，所述栅极介质层的材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，所述栅极介质层通过PECVD法形成。
其中，在所述步骤(4)中，所述栅电极的材料为铜、铝以及钼中的一种或多种的组合，所述栅电极通过化学镀、电镀、溅射或蒸镀形成。
其中，在所述步骤(7)中，所述平坦化层的材料为环氧树脂、有机硅树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺、聚乙烯、聚碳酸酯以及酚醛树脂中的一种或多种。
其中，在所述步骤(8)中，所述像素电极为金属材料或透明导电氧化物。
其中，在所述步骤(9)中，所述像素限定层的材料为聚酰亚胺、苯并环丁烯、PMMA树脂、酚醛树脂、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅中的一种或多种。
本发明还提出一种OLED显示装置，其采用上述方法制备形成的。
请参考图1-8，一种OLED显示装置的制备方法，包括以下步骤：
如图1所示，首先进行步骤(1)，提供一基板11，接着在所述基板11上沉积缓冲层12。
在具体的实施例中，所述基板11的材质可以是玻璃、陶瓷、金属或树脂，根据需求不同以选择合适的衬底。所述缓冲层12可以是二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、三氧化二铝、氮化铝、氧化锆或氧化铪等形成单层或多层堆叠的层状结构，且通过物理气相沉积、化学气相沉积、原子层沉积或等离子体增强化学气相沉积工艺形成。
如图1所示，接着进行步骤(2)，接着在所述缓冲层12上形成半导体层，并对所述半导体层进行图案化处理以形成多个半导体有源单元13，接着刻蚀相邻所述半导体有源单元13之间的缓冲层12和基板11以形成第一凹槽111，接着在所述第一凹槽111中和所述缓冲层12上沉积金属材料以形成第一金属块211。
其中，在所述步骤(2)中，利用掩膜并通过湿法刻蚀或干法刻蚀形成所述第一凹槽111，所述第一金属块211的材料为铜、铝、银中的一种。在具体的实施例中，所诉半导体层13的材质为硅、锗或锗化硅，更具体的可以是多晶硅。所述第一金属块211的材料为铝，所述第一金属块211通过蒸镀工艺形成。
如图2所示，接着进行步骤(3)，接着在所述缓冲层12上形成栅极介质层14，所述栅极介质层14覆盖所述第一金属块211和所述半导体有源单元13。
其中，在所述步骤(3)中，所述栅极介质层的材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，所述栅极介质层通过PECVD法形成。
在具体的实施例中，通过PECVD法沉积氮氧化硅以形成所述栅极介质层14。
如图2所示，接着进行步骤(4)，接着在所述栅极介质层14上形成多个间隔设置栅电极15，每个所述栅电极15与每个所述半导体有源单元13一一对应。
其中，在所述步骤(4)中，所述栅电极15的材料为铜、铝以及钼中的一种或多种的组合，所述栅电极15通过化学镀、电镀、溅射或蒸镀形成。
在具体的实施例中，所述栅电极15可以是铜或铝，且通过电镀或蒸镀工艺形成。
如图3所示，接着进行步骤(5)，接着刻蚀所述栅极介质层14以暴露所述第一金属块211的一部分，进一步刻蚀所述第一金属块211，以形成第二凹槽112，所述第二凹槽112的底面低于所述基板1的上表面，接着在所述第二凹槽112中和所述栅极介质层14上沉积金属材料以形成第二金属块212。
在具体的实施例中，利用光刻胶掩膜并通过干法刻蚀工艺刻蚀所述栅极介质层14和所述第一金属块211，以形成所述第二凹槽112，所述第二金属块212的材料为铜、铝、银中的一种。在具体的实施例中，所述第二金属块212的材料为铝，所述第二金属块212通过蒸镀工艺形成。
如图4所示，接着进行步骤(6)，接着在所述栅极介质层14和所述栅电极15上形成层间介电层16，接着刻蚀所述层间介电层16和所述栅极介质层14以形成暴露每个所述半导体有源单元13的源极区的第一通孔161以及所述半导体单元13的漏极区的第二通孔162，接着刻蚀所述层间介电层16以暴露所述第二金属块212的一部分，进一步刻蚀所述第二金属块212，以形成第三凹槽113，所述第三凹槽113的底面低于所述栅极介质层14的上表面，接着在所述层间介电层16上、所述第一通孔161中以及所述第二通孔162中沉积金属材料，并进行图案化处理，以在所述层间介电层16上形成源电极和漏电极以及在所述第一、第二通孔161和162中分别形成源电极通孔以及漏电极通孔，且在所述第三凹槽113中和所述层间介电层16上沉积金属材料以形成第三金属块213。
在具体的实施例中，利用光刻胶掩膜并通过干法刻蚀工艺刻蚀所述层间介电层16以形成第一通孔161以及第二通孔162，且通过干法刻蚀以暴露所述第二金属块212的一部分，进一步的利用干法刻蚀工艺刻蚀所述第二金属块212，以形成第三凹槽113，在所述步骤(6)中，沉积的金属材料是铜、铝、银、钼中的一种。在具体的实施例中，所述金属材料为铝，且通过蒸镀工艺形成。
如图5所示，接着进行步骤(7)，接着在所述层间介电层16上形成平坦化层17，接着刻蚀所述平坦化层17以形成暴露所述漏电极的第一开孔171，接着刻蚀所述平坦化层17以暴露所述第三金属块213的一部分，进一步刻蚀所述第三金属块213，以形成第四凹槽114，所述第四凹槽114的底面低于所述层间介电层17的上表面。
其中，在所述步骤(7)中，所述平坦化层17的材料为环氧树脂、有机硅树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺、聚乙烯、聚碳酸酯以及酚醛树脂中的一种或多种。
在具体的实施例中，通过激光刻蚀工艺形成所述第一开孔171和所述第四凹槽114。
如图6所示，接着进行步骤(8)，接着在所述平坦化层17上和所述第一开孔171中形成像素电极18，并在所述第四凹槽114中和所述平坦化层17上沉积金属材料以形成第四金属块214。
其中，在所述步骤(8)中，所述像素电极为金属材料或透明导电氧化物。
在具体的实施例中，所述第四金属块214的材料为铜、铝、银、钼中的一种。在具体的实施例中，所述第四金属块214为铝，且通过蒸镀工艺形成。
如图7所示，接着进行步骤(9)，接着在所述平坦化层17上形成像素限定层19，在所述像素限定层19上形成暴露所述像素电极18的第一开口191，接着刻蚀所述像素限定层19以暴露所述第四金属块214的一部分，进一步刻蚀所述第四金属块214，以形成第五凹槽115，所述第五凹槽115的底面低于所述平坦化层17的上表面。
其中，在所述步骤(9)中，所述像素限定层19的材料为聚酰亚胺、苯并环丁烯、PMMA树脂、酚醛树脂、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅中的一种或多种。
在具体的实施例中，通过激光刻蚀工艺形成所述第一开口191和所述第五凹槽115。
如图8所示，接着进行步骤(10)，接着在所述第一开口191中形成一发光单元，接着在所述第五凹槽115中沉积金属材料以形成第五金属块215，所述第五金属块215的顶面低于所述像素限定层的上表面，接着形成一封装层200，所述封装层200覆盖所述像素限定层19、所述第五金属块215和所述发光单元。
在具体的实施例中，所述发光单元包括有机发光层、空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层以及电极。所述第五金属块215的材料为铜、铝、银、钼中的一种。在具体的实施例中，所述第五金属块215为铝，且通过蒸镀工艺形成。所述封装层200的材料可以是有机材料或无机材料，具体的可以是聚二甲基硅氧烷、热塑性聚氨酯、聚酰亚胺、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅。
通过在所述像素限定层19中设置第五金属块215，一方面可以增加像素限定层与所述平坦化层17之间的接合强度，另一方面，由于第五金属块215的设置可以避免发光单元侧面漏光。
如图8所示，本发明还提出一种OLED显示装置，其采用上述方法制备形成的。
在本发明的OLED显示装置制备过程中，通过在相邻TFT器件之间以及相邻发光单元之间设置连续延伸的金属层叠结构，有效提高了本发明的OLED显示装置的结构稳定性，且在形成金属层叠结构的过程中，每次均刻蚀金属块的一部分，进而在沉积金属材料形成另一金属块时，使得另一金属块嵌入到其相邻的金属块中，使得金属层叠结构合为一体，进而可以更好的连接OLED显示装置的各功能层，可以有效的防止层间介电层、平坦化层以及像素限定层三者之间发生剥离，进而可以避免氧气或水汽浸入显示装置，进而可以避免显示装置失效。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明披露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。
Claims (8)
1.一种OLED显示装置的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
（1）提供一基板，接着在所述基板上沉积缓冲层；
（2）接着在所述缓冲层上形成半导体层，并对所述半导体层进行图案化处理以形成多个半导体有源单元，接着刻蚀相邻所述半导体有源单元之间的缓冲层和基板以形成第一凹槽，接着在所述第一凹槽中和所述缓冲层上沉积金属材料以形成第一金属块；
（3）接着在所述缓冲层上形成栅极介质层，所述栅极介质层覆盖所述第一金属块和所述半导体有源单元；
（4）接着在所述栅极介质层上形成多个间隔设置栅电极，每个所述栅电极与每个所述半导体有源单元一一对应；
（5）接着刻蚀所述栅极介质层以暴露所述第一金属块的一部分，进一步刻蚀所述第一金属块，以形成第二凹槽，所述第二凹槽的底面低于所述基板的上表面，接着在所述第二凹槽中和所述栅极介质层上沉积金属材料以形成第二金属块，所述第二金属块的底部完全嵌入到所述第一金属块中；
（6）接着在所述栅极介质层和所述栅电极上形成层间介电层，接着刻蚀所述层间介电层和所述栅极介质层以形成暴露每个所述半导体有源单元的源极区的第一通孔以及所述半导体有源单元的漏极区的第二通孔，接着刻蚀所述层间介电层以暴露所述第二金属块的一部分，进一步刻蚀所述第二金属块，以形成第三凹槽，所述第三凹槽的底面低于所述栅极介质层的上表面，接着在所述层间介电层上、所述第一通孔中以及所述第二通孔中沉积金属材料，并进行图案化处理，以在所述层间介电层上形成源电极和漏电极以及在所述第一、第二通孔中分别形成源电极通孔以及漏电极通孔，且在所述第三凹槽中和所述层间介电层上沉积金属材料以形成第三金属块，所述第三金属块的底部完全嵌入到所述第二金属块中；
（7）接着在所述层间介电层上形成平坦化层，接着刻蚀所述平坦化层以形成暴露所述漏电极的第一开孔，接着刻蚀所述平坦化层以暴露所述第三金属块的一部分，进一步刻蚀所述第三金属块，以形成第四凹槽，所述第四凹槽的底面低于所述层间介电层的上表面；
（8）接着在所述平坦化层上和所述第一开孔中形成像素电极，并在所述第四凹槽中和所述平坦化层上沉积金属材料以形成第四金属块，所述第四金属块的底部完全嵌入到所述第三金属块中；
（9）接着在所述平坦化层上形成像素限定层，在所述像素限定层上形成暴露所述像素电极的第一开口，接着刻蚀所述像素限定层以暴露所述第四金属块的一部分，进一步刻蚀所述第四金属块，以形成第五凹槽，所述第五凹槽的底面低于所述平坦化层的上表面；
（10）接着在所述第一开口中形成一发光单元，接着在所述第五凹槽中沉积金属材料以形成第五金属块，所述第五金属块的底部完全嵌入到所述第四金属块中，所述第五金属块的顶面低于所述像素限定层的上表面，接着形成一封装层，所述封装层覆盖所述像素限定层、所述第五金属块和所述发光单元。
2.根据权利要求1所述的OLED显示装置的制备方法，其特征在于：在所述步骤（2）中，利用掩膜并通过湿法刻蚀或干法刻蚀形成所述第一凹槽，所述第一金属块的材料为铜、铝、银中的一种。
3.根据权利要求1所述的OLED显示装置的制备方法，其特征在于：在所述步骤（3）中，所述栅极介质层的材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，所述栅极介质层通过PECVD法形成。
4.根据权利要求1所述的OLED显示装置的制备方法，其特征在于：在所述步骤（4）中，所述栅电极的材料为铜、铝以及钼中的一种或多种的组合，所述栅电极通过化学镀、电镀、溅射或蒸镀形成。
5.根据权利要求1所述的OLED显示装置的制备方法，其特征在于：在所述步骤（7）中，所述平坦化层的材料为环氧树脂、有机硅树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺、聚乙烯、聚碳酸酯以及酚醛树脂中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的OLED显示装置的制备方法，其特征在于：在所述步骤（8）中，所述像素电极为金属材料或透明导电氧化物。
7.根据权利要求1所述的OLED显示装置的制备方法，其特征在于：在所述步骤（9）中，所述像素限定层的材料为聚酰亚胺、苯并环丁烯、PMMA树脂、酚醛树脂、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅中的一种或多种。
8.一种OLED显示装置，其特征在于，采用权利要求1-7任一项所述的方法制备形成的。
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