CN111816398B - 可改善大电流冲击稳定性的电阻片制备方法 - Google Patents

可改善大电流冲击稳定性的电阻片制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种可改善大电流冲击稳定性的电阻片制备方法，本发明方法能在不改变原有压敏电阻配方的基础上，通过工艺的调整来实现ZnO压敏电阻大电流脉冲浪涌冲击稳定性的改善。所制备的ZnO压敏电阻在大电流脉冲浪涌冲击后，正向与反向的压敏电压与未冲击前对比相差小，稳定性好，使其能满足更多场合的应用要求。本发明工艺简单，易于控制，成本低廉。

Description

可改善大电流冲击稳定性的电阻片制备方法
技术领域
本发明涉及一种压敏电阻制备方法，特别是涉及一种可改善大电流冲击后电阻片的稳定性的制备工艺，应用于电阻电气元件技术领域。
背景技术
压敏电阻是一种具有明显的非线性伏安特性的半导体陶瓷电阻。压敏电阻普遍存在电压阈值，一般称之为临界电压。当外加电压低于临界电压时，通过压敏电阻的电流很小，压敏电阻自身内阻很大，当外加电压超过临界电压时，内阻急剧减小，流过压敏电阻的电流呈指数倍增加。压敏电阻因此而得到了广泛的应用。
ZnO压敏电阻的操作机制是当电子线路中发生瞬态浪涌时，压敏电阻的内阻急剧下降并迅速导通，因此有效的保护了其他电子元器件免受浪涌电流的侵害。而ZnO压敏电阻非线性I-V特性的起源来源于大量相邻的两个ZnO晶粒周围的晶界层形成了背靠背的双肖特基势垒，正是由于这种双侧的势垒，使ZnO压敏电阻获得电压敏感的特性。然而，大电流浪涌冲击不可避免地对ZnO晶界的势垒产生影响，ZnO压敏电阻在高浪涌冲击下的退化行为是制约其发展的重要因素。因此，提升ZnO压敏电阻的电学性能，尤其是在高脉冲浪涌冲击之后的退化行为至关重要，成为亟待解决的技术问题
发明内容
为了解决现有技术问题，本发明的目的在于克服已有技术存在的不足，提供一种可改善大电流冲击稳定性的电阻片制备方法，所制备的ZnO压敏电阻在大电流脉冲浪涌冲击后，正向与反向的压敏电压与未冲击前对比相差小，稳定性好，使其能满足更多场合的应用要求。本发明工艺简单，易于控制，成本低廉。
为达到上述发明创造目的，本发明采用如下技术方案：
一种可改善大电流冲击稳定性的电阻片制备方法，步骤如下：
a.制备电阻片的原料准备：
按照组分质量百分计算，采用如下原料配方准备原料：
ZnO：80～93wt.％，Bi2O3：2～6wt.％，Sb2O3：1～6wt.％，NiO：0～6wt.％，Cr2O3：0～2wt.％，Mn3O4：0.5～5wt.％，Co3O4：0.5～5wt.％，SiO2：0.5～3wt.％，含Ag和B的玻璃粉：0.5～3wt.％；
b.浆料的制备：
b1.将在所述步骤a中准备的ZnO、Sb2O3、SiO2、玻璃粉和去离子水混合后，加入球磨机中，经过球磨3-12h后，过120目筛，收集混合浆料，然后将混合浆料在100-120℃烘干后粉碎成粉体，得到混合粉体材料；
b2.将在所述步骤b1中得到的混合粉体材料在700-900℃下进行预煅烧1-3h，使部分Sb3+离子渗入ZnO晶粒，同时使SiO2和玻璃粉形成的玻璃状结构层包覆在ZnO晶粒外部；待冷却后粉碎成粉体；
b3.将在所述步骤a中准备的Bi2O3、NiO、Cr2O3、Mn3O4、Co3O4与去离子水混合，使混合液达到质量百分比不低于60％的含固率，然后将混合液加入到球磨机中，球磨24～48h，使得混合浆料的粒径达到0.5-2μm，然后烘干粉碎成粉体；
b4.将在所述步骤b2和步骤b3中制备的粉体与Al(NO3)3·9H2O、分散剂、粘结剂、去离子水继续进行混合，加入球磨机中，进行球磨12-24h，将所得到的浆料过120目筛，得到总浆料；
c.坯体的制备：
c1.采用喷雾干燥机，将在所述步骤b中制备的总浆料进行喷雾造粒，得到造粒料；
c2.将在所述步骤c1中所得造粒料加入去离子水和脱模剂，混合均匀后过30目筛，然后对过筛收集的粉料进行陈腐处理至少20h，使粉料的质量百分比含水率为1.0-1.5％，得到制坯粉料；
c3.将在所述步骤c2中所得的制坯粉料压制成型，控制压力大小，使得所成型制得的坯体的密度为3.2-3.3g/cm3；
d.烧结工艺：
d1.将在所述步骤c中制备的坯体经过400-500℃进行预煅烧，同时完成排胶处理，排出坯体中的有机物；
d2.再将经过所述步骤d1的预煅烧处理获得的坯体在1000-1150℃的高温下煅烧至少2h，得到烧结后的电阻片坯体；
d3.将在所述步骤d2中得到的电阻片坯体经过磨片、清洗，然后在处理后的电阻片坯体表面制备金属电极，从而得到成品ZnO压敏电阻。
作为本发明优选的技术方案，在所述步骤a中，按照组分质量百分计算，采用如下原料配方准备原料：
ZnO：86.1～90.2wt.％，Bi2O3：2.5～3.6wt.％，Sb2O3：1.6～1.8wt.％，NiO：1.4～2.5wt.％，Cr2O3：0～0.7wt.％，Mn3O4：1.1～1.3wt.％，Co3O4：1.0～2.6wt.％，SiO2：0.6～0.8wt.％，含Ag和B的玻璃粉：0.7～1.5wt.％。
作为本发明优选的技术方案，在所述步骤b4中，添加的Al(NO3)3·9H2O为在所述步骤b2和步骤b3制备的粉体总量的0.01-0.05wt％。
作为本发明优选的技术方案，在所述步骤b4中，添加的Al(NO3)3·9H2O为在所述步骤b2和步骤b3制备的粉体总量的0.021-0.025wt％。
作为本发明优选的技术方案，在所述步骤c3中，将所得的制坯粉料压制成型，控制压力大小，使得所成型制得的坯体的直径为15-60mm，厚度为2.44-17.4mm。
作为本发明优选的技术方案，在所述步骤d1中，将坯体经过430-480℃进行预煅烧。
作为本发明优选的技术方案，在所述步骤d2中，坯体在1120-1150℃的高温下煅烧至少2.4h。
作为本发明优选的技术方案，在所述步骤d3中，制得的成品ZnO压敏电阻的直径为8～60mm，厚度为2-30mm。
作为本发明优选的技术方案，在所述步骤d3中，制得的成品ZnO压敏电阻的压敏电位梯度范围为100～300V/mm，非线性系数为20-100，5kA 8/20μs雷电波残压比为1.5-1.8。
作为本发明优选的技术方案，在所述步骤d3中，制得的成品在20*20kA 8/20μs雷电波冲击后，对于直径在8-20mm的ZnO压敏电阻，正向与反向的压敏电压与未冲击前对比相差不大于10％，对于直径在20-40mm的ZnO压敏电阻，正向与反向的压敏电压与未冲击前对比相差不大于5％，直径在40-60mm的ZnO压敏电阻，正向与反向的压敏电压与未冲击前对比相差不大于3％。
本发明与现有技术相比较，具有如下显而易见的突出实质性特点和显著优点：
1.本发明在不改变原有压敏电阻配方的基础上，通过工艺的调整来实现ZnO压敏电阻大电流脉冲浪涌冲击稳定性的改善；
2.本发明方法对直径范围8～60mm的ZnO压敏电阻的浪涌冲击稳定性的改善都有效，不仅可用于小型压敏电阻，也可用于浪涌保护器的压敏芯片，还可用于避雷器阀片；
3.本发明方法简单易行，成本低，适合推广使用。
具体实施方式
以下结合具体的实施例子对上述方案做进一步说明，本发明的优选实施例详述如下：
实施例一：
在本实施例中，一种可改善大电流冲击稳定性的电阻片制备方法，步骤如下：
a.制备电阻片的原料准备：
按照组分质量百分计算，采用如下原料配方准备原料：
ZnO：86.1wt.％，Bi2O3：3.6wt.％，Sb2O3：1.6wt.％，NiO：2.5wt.％，Mn3O4：1.3wt.％，Co3O4：2.6wt.％，SiO2：0.8wt.％，含Ag和B的玻璃粉：1.5wt.％；
b.浆料的制备：
b1.将在所述步骤a中准备的ZnO、Sb2O3、SiO2、玻璃粉和去离子水混合后，加入球磨机中，经过球磨6h后，过120目筛，收集混合浆料，然后将混合浆料在120℃烘干后粉碎成粉体，得到混合粉体材料；
b2.将在所述步骤b1中得到的混合粉体材料在800℃下进行预煅烧2h，使部分Sb3+离子渗入ZnO晶粒，同时使SiO2和玻璃粉形成的玻璃状结构层包覆在ZnO晶粒外部；待冷却后粉碎成粉体；
b3.将在所述步骤a中准备的Bi2O3、NiO、Cr2O3、Mn3O4、Co3O4与去离子水混合，使混合液达到质量百分比为60％的含固率，然后将混合液加入到球磨机中，球磨48h，使得混合浆料的粒径为0.8μm，然后烘干粉碎成粉体；
b4.将在所述步骤b2和步骤b3中制备的粉体与Al(NO3)3·9H2O、分散剂、粘结剂、去离子水继续进行混合，加入球磨机中，进行球磨20h，将所得到的浆料过120目筛，得到总浆料；添加的Al(NO3)3·9H2O为在所述步骤b2和步骤b3制备的粉体总量的0.025wt％；
c.坯体的制备：
c1.采用喷雾干燥机，将在所述步骤b中制备的总浆料进行喷雾造粒，得到造粒料；
c2.将在所述步骤c1中所得造粒料加入去离子水和脱模剂，混合均匀后过30目筛，然后对过筛收集的粉料进行陈腐处理24h，使粉料的质量百分比含水率为1.2％，得到制坯粉料；
c3.将在所述步骤c2中所得的制坯粉料压制成型，控制压力大小，使得所成型制得的坯体的直径为15mm，厚度为2.44mm，密度为3.25g/cm3；
d.烧结工艺：
d1.将在所述步骤c中制备的坯体经过430℃进行预煅烧，同时完成排胶处理，排出坯体中的有机物；
d2.再将经过所述步骤d1的预煅烧处理获得的坯体在1120℃的高温下煅烧至少2.5h，得到烧结后的电阻片坯体；
d3.将在所述步骤d2中得到的电阻片坯体经过磨片、清洗，然后在处理后的电阻片坯体表面制备金属电极，从而得到成品ZnO压敏电阻。
实验测试分析：
将本实施例制备的ZnO压敏电阻作为试验样品，进行实验检验。
本实施例方法制得的成品ZnO压敏电阻的直径为12.5mm，厚度为2mm。压敏电阻的压敏电位梯度范围为150V/mm，非线性系数为56，5kA 8/20μs雷电波残压比为1.78。在20次20kA 8/20μs雷电波冲击后，正向压敏电压与未冲击前对比相差7％，反向压敏电压与未冲击前对比相差-2％。而传统工艺中无ZnO、Sb2O3、SiO2、玻璃粉混合和预煅烧步骤的ZnO电阻样品，在20次20kA 8/20μs雷电波冲击后，正向压敏电压与未冲击前对比相差15％，反向压敏电压与未冲击前对比相差-3％。按本实施例的制备工艺有效改善了ZnO压敏电阻的大电流冲击稳定性。
实施例二：
本实施例与实施例一基本相同，特别之处在于：
在本实施例中，一种可改善大电流冲击稳定性的电阻片制备方法，步骤如下：
a.制备电阻片的原料准备：
按照组分质量百分计算，采用如下原料配方准备原料：
ZnO：86.1wt.％，Bi2O3：3.6wt.％，Sb2O3：1.6wt.％，NiO：2.5wt.％，Mn3O4：1.3wt.％，Co3O4：2.6wt.％，SiO2：0.8wt.％，含Ag和B的玻璃粉：1.5wt.％；
b.浆料的制备：
b1.将在所述步骤a中准备的ZnO、Sb2O3、SiO2、玻璃粉和去离子水混合后，加入球磨机中，经过球磨6h后，过120目筛，收集混合浆料，然后将混合浆料在120℃烘干后粉碎成粉体，得到混合粉体材料；
b2.将在所述步骤b1中得到的混合粉体材料在800℃下进行预煅烧2h，使部分Sb3+离子渗入ZnO晶粒，同时使SiO2和玻璃粉形成的玻璃状结构层包覆在ZnO晶粒外部；待冷却后粉碎成粉体；
b3.将在所述步骤a中准备的Bi2O3、NiO、Cr2O3、Mn3O4、Co3O4与去离子水混合，使混合液达到质量百分比为60％的含固率，然后将混合液加入到球磨机中，球磨48h，使得混合浆料的粒径为0.8μm，然后烘干粉碎成粉体；
b4.将在所述步骤b2和步骤b3中制备的粉体与Al(NO3)3·9H2O、分散剂、粘结剂、去离子水继续进行混合，加入球磨机中，进行球磨20h，将所得到的浆料过120目筛，得到总浆料；添加的Al(NO3)3·9H2O为在所述步骤b2和步骤b3制备的粉体总量的0.025wt％；
c.坯体的制备：
c1.采用喷雾干燥机，将在所述步骤b中制备的总浆料进行喷雾造粒，得到造粒料；
c2.将在所述步骤c1中所得造粒料加入去离子水和脱模剂，混合均匀后过30目筛，然后对过筛收集的粉料进行陈腐处理24h，使粉料的质量百分比含水率为1.2％，得到制坯粉料；
c3.将在所述步骤c2中所得的制坯粉料压制成型，控制压力大小，使得所成型制得的坯体的直径为45mm，厚度为4.5mm，密度为3.25g/cm3；
d.烧结工艺：
d1.将在所述步骤c中制备的坯体经过430℃进行预煅烧，同时完成排胶处理，排出坯体中的有机物；
d2.再将经过所述步骤d1的预煅烧处理获得的坯体在1120℃的高温下煅烧至少2.5h，得到烧结后的电阻片坯体；
d3.将在所述步骤d2中得到的电阻片坯体经过磨片、清洗，然后在处理后的电阻片坯体表面制备金属电极，从而得到成品ZnO压敏电阻。
实验测试分析：
将本实施例制备的ZnO压敏电阻作为试验样品，进行实验检验。
本实施例方法制得的成品ZnO压敏电阻的直径为37.5mm，厚度为3.7mm。压敏电阻的压敏电位梯度范围为152V/mm，非线性系数为63，5kA 8/20μs雷电波残压比为1.70。在20次20kA 8/20μs雷电波冲击后，正向压敏电压与未冲击前对比相差5％，反向压敏电压与未冲击前对比相差-1％。而传统工艺中无ZnO、Sb2O3、SiO2、玻璃粉混合和预煅烧步骤的ZnO电阻样品，在20次20kA 8/20μs雷电波冲击后，正向压敏电压与未冲击前对比相差11％，反向压敏电压与未冲击前对比相差-2％。按本实施例制备工艺有效改善了ZnO压敏电阻的大电流冲击稳定性。
实施例三：
本实施例与前述实施例基本相同，特别之处在于：
在本实施例中，一种可改善大电流冲击稳定性的电阻片制备方法，步骤如下：
a.制备电阻片的原料准备：
按照组分质量百分计算，采用如下原料配方准备原料：
ZnO：90.2wt.％，Bi2O3：2.5wt.％，Sb2O3：1.8wt.％，NiO：1.4wt.％，Cr2O3：0.7wt.％，Mn3O4：1.1wt.％，Co3O4：1.0wt.％，SiO2：0.6wt.％，含Ag和B的玻璃粉：0.7wt.％；
b.浆料的制备：
b1.将在所述步骤a中准备的ZnO、Sb2O3、SiO2、玻璃粉和去离子水混合后，加入球磨机中，经过球磨6h后，过120目筛，收集混合浆料，然后将混合浆料在120℃烘干后粉碎成粉体，得到混合粉体材料；
b2.将在所述步骤b1中得到的混合粉体材料在800℃下进行预煅烧2h，使部分Sb3+离子渗入ZnO晶粒，同时使SiO2和玻璃粉形成的玻璃状结构层包覆在ZnO晶粒外部；待冷却后粉碎成粉体；
b3.将在所述步骤a中准备的Bi2O3、NiO、Cr2O3、Mn3O4、Co3O4与去离子水混合，使混合液达到质量百分比为60％的含固率，然后将混合液加入到球磨机中，球磨36h，使得混合浆料的粒径为1.4μm，然后烘干粉碎成粉体；
b4.将在所述步骤b2和步骤b3中制备的粉体与Al(NO3)3·9H2O、分散剂、粘结剂、去离子水继续进行混合，加入球磨机中，进行球磨20h，将所得到的浆料过120目筛，得到总浆料；添加的Al(NO3)3·9H2O为在所述步骤b2和步骤b3制备的粉体总量的0.021wt％；
c.坯体的制备：
c1.采用喷雾干燥机，将在所述步骤b中制备的总浆料进行喷雾造粒，得到造粒料；
c2.将在所述步骤c1中所得造粒料加入去离子水和脱模剂，混合均匀后过30目筛，然后对过筛收集的粉料进行陈腐处理48h，使粉料的质量百分比含水率为1.1％，得到制坯粉料；
c3.将在所述步骤c2中所得的制坯粉料压制成型，控制压力大小，使得所成型制得的坯体的直径为60mm，厚度为17.4mm，密度为3.25g/cm3；
d.烧结工艺：
d1.将在所述步骤c中制备的坯体经过480℃进行预煅烧，同时完成排胶处理，排出坯体中的有机物；
d2.再将经过所述步骤d1的预煅烧处理获得的坯体在1150℃的高温下煅烧至少2.4h，得到烧结后的电阻片坯体；
d3.将在所述步骤d2中得到的电阻片坯体经过磨片、清洗，然后在处理后的电阻片坯体表面制备金属电极，从而得到成品ZnO压敏电阻。
实验测试分析：
将本实施例制备的ZnO压敏电阻作为试验样品，进行实验检验。
本实施例方法制得的成品ZnO压敏电阻的直径为50mm，厚度为14.4mm。压敏电阻的压敏电位梯度范围为225V/mm，非线性系数为78，5kA 8/20μs雷电波残压比为1.64。在20次20kA 8/20μs雷电波冲击后，正向压敏电压与未冲击前对比相差2.8％，反向压敏电压与未冲击前对比相差-1.2％。而传统工艺中无ZnO、Sb2O3、SiO2、玻璃粉混合和预煅烧步骤的ZnO电阻样品，在20次20kA 8/20μs雷电波冲击后，正向压敏电压与未冲击前对比相差5％，反向压敏电压与未冲击前对比相差-3％。按本实施例的制备工艺有效改善了ZnO压敏电阻的大电流冲击稳定性。
综上实施例所述，可改善大电流冲击稳定性的电阻片制备工艺能在不改变原有压敏电阻配方的基础上，通过工艺的调整来实现ZnO压敏电阻大电流脉冲浪涌冲击稳定性的改善。所制备的ZnO压敏电阻在大电流脉冲浪涌冲击后，正向与反向的压敏电压与未冲击前对比相差小，稳定性好，使其能满足更多场合的应用要求。
上面对本发明实施例进行了说明，但本发明不限于上述实施例，还可以根据本发明的发明创造的目的做出多种变化，凡依据本发明技术方案的精神实质和原理下做的改变、修饰、替代、组合或简化，均应为等效的置换方式，只要符合本发明的发明目的，只要不背离本发明的技术原理和发明构思，都属于本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种可改善大电流冲击稳定性的电阻片制备方法，其特征在于，步骤如下：
a.制备电阻片的原料准备：
按照组分质量百分计算，采用如下原料配方准备原料：
ZnO：80～93wt.％，Bi2O3：2～6wt.％，Sb2O3：1～6wt.％，NiO：0～6wt.％，Cr2O3：0～2wt.％，Mn3O4：0.5～5wt.％，Co3O4：0.5～5wt.％，SiO2：0.5～3wt.％，含Ag和B的玻璃粉：0.5～3wt.％；
b.浆料的制备：
b1.将在所述步骤a中准备的ZnO、Sb2O3、SiO2、玻璃粉和去离子水混合后，加入球磨机中，经过球磨3-12h后，过120目筛，收集混合浆料，然后将混合浆料在100-120℃烘干后粉碎成粉体，得到混合粉体材料；
b2.将在所述步骤b1中得到的混合粉体材料在700-900℃下进行预煅烧1-3h，使部分Sb3 +离子渗入ZnO晶粒，同时使SiO2和玻璃粉形成的玻璃状结构层包覆在ZnO晶粒外部；待冷却后粉碎成粉体；
b3.将在所述步骤a中准备的Bi2O3、NiO、Cr2O3、Mn3O4、Co3O4与去离子水混合，使混合液达到质量百分比不低于60％的含固率，然后将混合液加入到球磨机中，球磨24～48h，使得混合浆料的粒径达到0.5-2μm，然后烘干粉碎成粉体；
b4.将在所述步骤b2和步骤b3中制备的粉体与Al(NO3)3·9H2O、分散剂、粘结剂、去离子水继续进行混合，加入球磨机中，进行球磨12-24h，将所得到的浆料过120目筛，得到总浆料；
c.坯体的制备：
c1.采用喷雾干燥机，将在所述步骤b中制备的总浆料进行喷雾造粒，得到造粒料；
c2.将在所述步骤c1中所得造粒料加入去离子水和脱模剂，混合均匀后过30目筛，然后对过筛收集的粉料进行陈腐处理至少20h，使粉料的质量百分比含水率为1.0-1.5％，得到制坯粉料；
c3.将在所述步骤c2中所得的制坯粉料压制成型，控制压力大小，使得所成型制得的坯体的密度为3.2-3.3g/cm3；
d.烧结工艺：
d1.将在所述步骤c中制备的坯体经过400-500℃进行预煅烧，同时完成排胶处理，排出坯体中的有机物；
d2.再将经过所述步骤d1的预煅烧处理获得的坯体在1000-1150℃的高温下煅烧至少2h，得到烧结后的电阻片坯体；
d3.将在所述步骤d2中得到的电阻片坯体经过磨片、清洗，然后在处理后的电阻片坯体表面制备金属电极，从而得到成品ZnO压敏电阻。
2.根据权利要求1所述可改善大电流冲击稳定性的电阻片制备方法，其特征在于：在所述步骤a中，按照组分质量百分计算，采用如下原料配方准备原料：
ZnO：86.1～90.2wt.％，Bi2O3：2.5～3.6wt.％，Sb2O3：1.6～1.8wt.％，NiO：1.4～2.5wt.％，Cr2O3：0～0.7wt.％，Mn3O4：1.1～1.3wt.％，Co3O4：1.0～2.6wt.％，SiO2：0.6～0.8wt.％，含Ag和B的玻璃粉：0.7～1.5wt.％。
3.根据权利要求1所述可改善大电流冲击稳定性的电阻片制备方法，其特征在于：在所述步骤b4中，添加的Al(NO3)3·9H2O为在所述步骤b2和步骤b3制备的粉体总量的0.01-0.05wt％。
4.根据权利要求3所述可改善大电流冲击稳定性的电阻片制备方法，其特征在于：在所述步骤b4中，添加的Al(NO3)3·9H2O为在所述步骤b2和步骤b3制备的粉体总量的0.021-0.025wt％。
5.根据权利要求1所述可改善大电流冲击稳定性的电阻片制备方法，其特征在于：在所述步骤c3中，将所得的制坯粉料压制成型，控制压力大小，使得所成型制得的坯体的直径为15-60mm，厚度为2.44-17.4mm。
6.根据权利要求1所述可改善大电流冲击稳定性的电阻片制备方法，其特征在于：在所述步骤d1中，将坯体经过430-480℃进行预煅烧。
7.根据权利要求1所述可改善大电流冲击稳定性的电阻片制备方法，其特征在于：在所述步骤d2中，坯体在1120-1150℃的高温下煅烧至少2.4h。
8.根据权利要求1所述可改善大电流冲击稳定性的电阻片制备方法，其特征在于：在所述步骤d3中，制得的成品ZnO压敏电阻的直径为8～60mm，厚度为2-30mm。
9.根据权利要求1所述可改善大电流冲击稳定性的电阻片制备方法，其特征在于：在所述步骤d3中，制得的成品ZnO压敏电阻的压敏电位梯度范围为100～300V/mm，非线性系数为20-100，5kA 8/20μs雷电波残压比为1.5-1.8。
10.根据权利要求1所述可改善大电流冲击稳定性的电阻片制备方法，其特征在于：在所述步骤d3中，制得的成品在20*20kA 8/20μs雷电波冲击后，对于直径在8-20mm的ZnO压敏电阻，正向与反向的压敏电压与未冲击前对比相差不大于10％，对于直径在20-40mm的ZnO压敏电阻，正向与反向的压敏电压与未冲击前对比相差不大于5％，直径在40-60mm的ZnO压敏电阻，正向与反向的压敏电压与未冲击前对比相差不大于3％。
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