CN111755600B - 一种基于复合纳米线网络结构的忆阻器 - Google Patents

一种基于复合纳米线网络结构的忆阻器 Download PDF

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Abstract

本发明提出一种基于复合纳米线网络结构的忆阻器，其结构由下至上依次包括底电极层、复合纳米线网络结构层、顶电极层；其特征在于：复合纳米线网络结构层的功能是作为阻变功能层，包括氧掺杂的氮化物纳米线和纳米线包覆层，氧掺杂的氮化物纳米线底端与底电极层一侧连接；纳米线包覆层将纳米线顶端和侧面完全包覆，纳米线包覆层与顶电极层连接。优点如下：该结构器件表现出稳定的忆阻特性以及学习和遗忘特性为忆阻器在忆阻机理的探究、器件性能的优化提供了研究路径。且具有高的结构稳定性，优异的电学性能。制备方法简单，成本低廉，性能优异，在高密度存储计算，人工突触模拟，人工智能等领域应用广泛，有利于探索新型的类脑神经的工作机制。

Description

一种基于复合纳米线网络结构的忆阻器
技术领域
本发明涉及一种基于复合纳米线网络结构的忆阻器，且该器件具有稳定，低能耗，学习和遗忘的忆阻特性，属于类脑计算器件技术领域。
背景技术
随着人们对计算性能要求的不断提高，一种具有类脑学习、记忆功能的新型电子器件已成为研究热点。人工智能的出现，为新兴技术的发展带来了巨大的革新。人工智能是研究使计算机来模拟人的某些思维过程和智能行为(如学习、推理、思考、规划等)的学科。其中，基于忆阻器构建的神经网络是实现人工智能的一条重要途径。忆阻器由于其具有非易失性，结构简单，低功耗，运行速度快等优势，使得发展具有高性能人工突触成为可能。此外，忆阻器还具有与COMS器件相兼容等特点。因此，以其为基础的忆阻器在实现高密度存储计算，神经形态计算等方面具有广阔的应用前景。
目前，基于不同材料，不同结构类型以及不同的工作机理的忆阻器已被大量研究。从材料体系方面，主要分为硫化物、氧化物、氮化物、钙钛矿、二维材料、有机薄膜等；从结构类型方面，主要分为双端忆阻器和三端忆阻器；从机理类型方面，主要分为导电细丝机制、边界迁移机制、氧化还原机制以及相变机制等；从材料维度方面，主要分为连续电导行为和量子电导行为等。然而，忆阻器在应用中仍面临许多问题，比如阻变机理不明确，性能很难调控等问题。例如：基于导电细丝型忆阻器，由于导电细丝的随机生成、断裂等现象，使忆阻器在稳定性方面表现出很大波动，进而限制了其在人工突触方面的应用；而非导电细丝型忆阻器又以较低的开关比，差的低阻态保持时间为代价，使其限制了在神经形态计算中的进一步应用。通过对阻变层多种结构的研究，已经发现了不同结构可以有效改善忆阻器的不稳定性，比如多孔材料、层状材料、片状材料等。然而对于一维纳米线材料的忆阻器，目前由于离子迁移路径过长，纳米线表面或内部迁移势垒过高，以及制备方法过于复杂等问题，限制了其在忆阻器领域的进一步发展。
发明内容
针对忆阻器目前存在的问题，本发明结合一维材料的网络的特性，根据忆阻器的原理，提出了一种基于复合纳米线网络结构的忆阻器，为忆阻器忆阻机理的探究提供了新的路径，可提升忆阻器的电学性能，在人工突触的模拟方面表现出良好的特性，为神经形态计算提供了很大的应用前景。
本发明的难点在于设计了由金属纳米线网络构成的顶电极层与复合纳米线网络结构层及由衬底作为底电极构成了忆阻器的器件结构。将层状结构材料与氧掺杂的氮化物纳米线结合，通过对氧掺杂含量以及层状结构厚度的控制，使忆阻特性实现了可控化。本发明利用简单的制备方法，大大简化了器件的制作成本以及可大规模制备的可行性。本发明利用新型的忆阻机理解决了一维材料忆阻器由与迁移路径过长，迁移势垒过大造成的循环稳定性差，操作电压高的问题。
本发明采用以下技术方案：
本发明所述一种基于复合纳米线网络结构的忆阻器，其基本结构由下至上依次包括底电极层、复合纳米线网络结构层、顶电极层；其特征在于：所述复合纳米线网络结构层的功能是作为阻变功能层，包括氧掺杂的氮化物纳米线和纳米线包覆层，氧掺杂的氮化物纳米线底端与底电极层一侧连接；纳米线包覆层将纳米线顶端和侧面包覆完全，并与顶电极层连接。
其中，所述的氧掺杂的氮化物纳米线长度为0.5～100微米，直径为5～1000纳米，其类型包括氮化镓(GaN)、氮化铟(InN)、氮化铝(AlN)、氮化硼(BN)、氮化铟镓(InGaN)、氮化铝镓(AlGaN)、氮化铝铟(AlInN)中的一种，其中所属的氧为以氧离子、氧分子或氧原子形式存在于纳米线内部的氧元素；
其中，所述的纳米线包覆层为层状结构材料，厚度为1～50纳米其中层状结构材料为硫化钼(MoS2)，硒化钼(MoSe)，硒硫化钼(MoSSe)，钴酸锂(LiCoO3)，氮化硼(BN)中的一种。
所述的复合的纳米线网络，在电场作用下，在氧掺杂的氮化物纳米线和纳米线包覆层界面处的氧元素可以从纳米线中脱/嵌变为氧离子进入纳米线包覆层，氧离子进入层状材料的层间进行迁移，改变了纳米线包覆层的电导。当氧离子进入纳米线包覆层时，纳米线包覆层由低电导变为高电导；反之，当氧离子脱出纳米线包覆层时，纳米线包覆层由高电导变为低电导，且纳米线包覆层的结构不会发生明显变化。
所述一种基于复合纳米线网络结构的忆阻器，所述的网络结构类型包括由垂直的复合纳米线构成的网络结构层，倾斜的复合纳米线构成网络结构层，弯曲的复合纳米线构成的网络结构层中的一种；其中构成网络结构层的各个氧掺杂的氮化物纳米线之间相互连接或相互分立。
所述的顶电极层由各种金属纳米线构成的纳米线网络构成，具体为银(Ag)、金(Au)、铜(Cu)、铂(Pt)纳米线构成的网络中的一种，其中纳米线长度为5～100微米，直径为10～200纳米。
所述的顶电极层采用喷涂的制备方法，具体的方法为：利用金属纳米线配置好浓度为5～100mg/ml的溶液中，所述溶液包括水(H2O)、乙醇(C2H6O)、异丙醇(C3H8O)；将配置好的溶液放入喷枪当中，在长有复合纳米线网络结构的衬底上放上掩模版，利用喷枪喷涂配置好的溶液，喷射时间为1～120秒，喷射距离为5～50厘米；喷涂完成后放入烘箱，设置温度为50～200摄氏度，烘干5～120分钟。此时，由金属纳米线网络构成的顶电极与复合纳米线结构层的顶端相互连接，具有良好的接触特性。
所述的底电极层主要包括导体或半导体衬底，其中导体或半导体衬底类型包括：碳(C)、镍(Ni)、铜(Cu)、硅(Si)、碳化硅(SiC)中的一种，厚度为300～1000微米。
所述的纳米线包覆层的制备方法包括磁控溅射、原子层沉积、电子束沉积、电化学沉积、化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积。
所述复合纳米线网络结构中的氧掺杂的氮化物纳米线在外电场作用下主要提供氧离子和网络结构的支撑，并且所述各种掺杂的氮化物纳米线的结构和由其构成的网络结构在外电场的作用下不发生明显的变化。
所述复合纳米线网络结构中的纳米线包覆层在外电场作用下主要接收和存储氧离子，为氧离子提供迁移路径。并且所述各种掺杂的氮化物纳米线的结构在外电场的作用下不发生明显的变化。
所述复合纳米线网络结构具有良好的氧离子存储和迁移性能。
应用本发明的忆阻器实现忆阻效应的方法：
步骤一、写入过程，底电极层接地，对顶电极层施加连续的正向电压；复合纳米线中氧掺杂的氮化物纳米线与纳米线包覆层界面处的氧离子在电场的作用下，从纳米线中脱离，进入纳米线包覆层即层状结构材料中，与层状结构材料发生氧化还原反应并填补了层状结构中由空位产生的电子陷阱，并提供外来电子，器件阻态变为低阻态；
步骤二、擦除过程，继续对顶电极层施加连续的负向电压；在电场的作用下，纳米线包覆层即层状材料中的氧离子在电场的作用下，从纳米线包覆层中脱离，进入纳米线当中，使复合纳米线表面的层状结构电子总数减少，电子陷阱重新产生，器件变为高阻态。
与现有技术相比，本发明一种基于复合纳米线网络结构的忆阻器，结合了顶部纳米线网络电极和复合纳米线网络的相互连通的特性，使此结构器件具有更低的制作成本，可大范围的制备潜力，在器件功能上具有如下优点：
1.与现有的一维材料忆阻器相比，采用复合纳米线网络结构可以使离子迁移路径由原先的在整个纳米线内部进行迁移变为在短程的纳米线表面进行迁移，有利于提升器件稳定性，降低器件的功耗；
2.在电场作用下，纳米线包覆层即层状结构材料为离子的输运提供通道，减小离子迁移势垒并固定离子迁移路径，提升器件稳定性；
3.撤去外电场，纳米线包覆层即层状结构材料中层间可以有效的存储氧离子；
4.基于氧离子在氧掺杂的纳米线和纳米线包覆层即层状结构材料中的迁移产生忆阻效应。
5.利用基于复合纳米线网络结构的忆阻器中，由金属纳米线网络构成的顶电极层与复合纳米线网络结构层多点的相互连接，在连续电场作用下发生顶电极下复合纳米线的易化的效应，观察到忆阻器的学习和遗忘现象。
附图说明
图1是基于复合纳米线网络结构的忆阻器的结构示意图。
图2是基于复合纳米线网络结构的忆阻器中单根复合纳米线结构示意图。
图3是基于复合纳米线网络结构的忆阻器中复合纳米线网络结构的制备技术路线图。
图4a是复合纳米线网络结构结构的截面FE-SEM图，图中的网络结构由倾斜纳米线和弯曲的纳米线构成，其中各个纳米线相互连接或分立。
图4b是复合纳米线中纳米线包覆层的层状结构HR-TEM图。
图4c是顶电极层金属电极网络的表面FE-SEM图。
图5是复合纳米线网络结构的忆阻器的电学测量图。
图6a为施加连续的负向电压，电压-电流曲线图，电压扫描范围为0V～-1.5V。
图6b为连续的正向电压，电压-电流曲线扫描图，电压扫描范围为0V～1.5V。
图6c为对该器件施加7个负向三角波电压所对应的电流-时间，电压-时间图，即电压-电流在时间区域的展开。
图6d为对该器件施加7个正向三角波电压所对应的电流-时间，电压-时间图，即电压-电流在时间区域的展开。
图7是复合纳米线网络结构的忆阻器的连续脉冲测量图正向脉冲个数为50，脉宽为5毫秒，振幅为1V，占空比为50％；负向脉冲个数为50，脉宽为5毫秒，振幅为-1V，占空比为50％。
图中具体标号如下：
201-顶电极层；101-复合纳米线网络结构层；
202-底电极层；103-纳米线包覆层；102-氧掺杂的氮化物纳米线。
具体实施方式
本发明结合附图1-7作进一步详细说明，所述实施例旨在便于对本发明的了解，其特定的结构细节和功能细节仅是表示描述示例实施例的目的，对其不起任何限定作用。因此，可以以许多可形式来实施本发明，且本发明不应该被理解为仅仅局限于再次提出的示例实施例，而是应该覆盖落入本发明范围内的所有变化、等价物和可替换物。
本实施例中，基于“顶端电极/复合纳米线网络结构层/底端电极”结构，如图1所示，该结构从上至下有顶电极层201，复合纳米线网络结构层101，底电极层202，其中复合纳米线网络结构层101由多根纳米线结构如图2所示的纳米线构成，包括氧掺杂的氮化物纳米线102，纳米线包覆层103。
该结构采用等离子体辅助化学气相沉积，磁控溅射，喷涂，等方法，由下至上在衬底上逐层制备。如图3所示，具体制备过程如下：
步骤一、选用高度掺杂的n型(100)Si作为底电极层202，利用磁控溅射溅射15纳米金(Au)薄膜，然后垂直放入盛有3g氧化镓(Ga2O3)与活性炭(C)混合粉末的刚玉坩埚一侧，混合摩尔比为Ga2O3：C＝1：12，再将坩埚放入等离子体化学气相沉积***当中。
步骤二、通过等离子体化学气相沉积在Si表面生长一层氮化镓(GaN)纳米线，单根结构为102。
步骤三、利用磁控溅射技术在结构为102层的氮化镓纳米线表面生长一层硫化钼(MoS2)薄膜，作为纳米线包覆层，单根纳米线的包覆层结构为103，复合纳米线网络结构层制作完成101，截面FE-SEM图如图4a所示，包覆层层状结构的HR-TEM图如图4b所示。
步骤四、利用喷涂技术在结构101之上，将电极掩模版盖在长有复合纳米线网络结构的Si片之上，利用银(Ag)纳米线配置好浓度为20mg/ml的乙醇溶液中；将配置好的溶液放入喷枪当中，利用喷枪喷涂配置好的溶液，喷射时间为20秒，喷射距离为15厘米；喷涂完成后放入烘箱，设置温度为150摄氏度，烘干90分钟，FE-SEM图如图4c所示。
利用半导体参数分析测试仪在上述器件如图6a、6b、6c及6d所示。在测试过程中，底电极层接地，对顶电极层银纳米线网络施加负向和正向电压。在电场的作用下，氧离子向纳米线包覆层即层状硫化钼迁移或迁回，器件阻态改变，如图5所示。
在学习能力的测试当中，对顶电极层银纳米线网络施加连续负向电压，在电场作用下，顶电极下的纳米线中的氧离子都会向纳米线包覆层迁移，富含氧离子的纳米线包覆层的复合纳米线结构数量逐渐增多，器件阻态越来越小，最终形成稳定的阻态，此易化效应使器件具有学习能力，如图6a所示。
在遗忘能力的测试当中，对顶电极层银纳米线网络施加连续正向电压，在电场作用下，顶电极下的纳米线包覆层中的氧离子都会向纳米线迁移，富含氧离子的纳米线包覆层的复合纳米线结构数量逐渐减少，器件阻态越来越大，最终形成稳定的阻态，此易化效应使器件具有遗忘能力，如图6b所示。
图6c和图6d是分别将图6a和图6b中的电压-电流循环图在时间区域展开，其中黑色实线表示施加的电压，灰色实线表示响应的电流，横坐标时间表示在连续的脉冲信号下，最大的响应电流随着时间的增加逐渐增大，如图6c所示；或者最大的响应电流随时间的增加逐渐减弱，如图6d所示。
在学习和遗忘能力测试中，利用脉冲信号发生仪和电流表进行上述器件测试。施加连续负向脉冲50个，脉宽5毫秒，振幅-1V，占空比为50％，随后施加连续正向脉冲50个，脉宽5毫秒，振幅1V，占空比为50％，得到电导与脉冲数量的变化关系如图7所示，该器件表现出明显的学习和遗忘能力。
综上所示，该器件表现出明显的忆阻特性，并且呈现出学习和遗忘的能力。

Claims (9)

1.一种基于复合纳米线网络结构的忆阻器，其结构由下至上依次包括底电极层、复合纳米线网络结构层、顶电极层；其特征在于：所述复合纳米线网络结构层的功能是作为阻变功能层，包括氧掺杂的氮化物纳米线和纳米线包覆层，氧掺杂的氮化物纳米线底端与底电极层一侧连接；纳米线包覆层将纳米线顶端和侧面完全包覆，纳米线包覆层与顶电极层连接；所述的纳米线包覆层为层状结构材料，厚度为1～50纳米；其中层状结构材料为硫化钼(MoS2)，硒化钼(MoSe)，硒硫化钼(MoSSe)，钴酸锂(LiCoO3)，氮化硼(BN)中的一种。
2.根据权利要求1所述的一种基于复合纳米线网络结构的忆阻器，其特征在于：所述的氧掺杂的氮化物纳米线长度为0.5～100微米，直径为5～1000纳米，其类型包括氮化镓(GaN)、氮化铟(InN)、氮化铝(AlN)、氮化硼(BN)、氮化铟镓(InGaN)、氮化铝镓(AlGaN)、氮化铝铟(AlInN)中的一种；其中所属的氧为以氧离子、氧分子或氧原子形式存在于纳米线内部的氧元素。
3.根据权利要求1所述的一种基于复合纳米线网络结构的忆阻器，其特征在于：所述的复合纳米线网络结构层包括垂直的纳米线构成的网络结构层，倾斜的纳米线构成网络结构层或弯曲的纳米线构成的网络结构层中的一种，其中构成网络结构层的各个氧掺杂的氮化物纳米线之间相互连接或相互分立。
4.根据权利要求1所述的一种基于复合纳米线网络结构的忆阻器，其特征在于：所述的顶电极层由各种金属纳米线构成的纳米线网络构成，具体为银(Ag)、金(Au)、铜(Cu)、铂(Pt)纳米线构成的网络中的一种，其中纳米线长度为5～100微米，直径为10～200纳米。
5.根据权利要求1或4所述的一种基于复合纳米线网络结构的忆阻器，其特征在于：所述的顶电极层采用喷涂的制备方法，具体的方法为：利用金属纳米线配置好浓度为5～100mg/ml的溶液中，所述溶液包括水(H2O)、乙醇(C2H6O)、异丙醇(C3H8O)；将配置好的溶液放入喷枪当中，在长有复合纳米线网络结构的衬底上放上掩模版，利用喷枪喷涂配置好的溶液，喷射时间为1～120秒，喷射距离为5～50厘米；喷涂完成后放入烘箱，设置温度为50～200摄氏度，烘干5～120分钟；此时，由金属纳米线网络构成的顶电极与复合纳米线结构层的顶端相互连接，具有接触特性。
6.根据权利要求1所述的一种基于复合纳米线网络结构的忆阻器，其特征在于：所述的底电极层包括导体或半导体衬底，其中导体或半导体衬底类型包括：碳(C)、镍(Ni)、铜(Cu)、硅(Si)、碳化硅(SiC)中的一种，厚度为300～1000微米。
7.根据权利要求1所述的一种基于复合纳米线网络结构的忆阻器，其特征在于：所述的纳米线包覆层通过磁控溅射、原子层沉积、电子束沉积、电化学沉积、化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积中的一种制成。
8.根据权利要求1或3所述的一种基于复合纳米线网络结构的忆阻器，其特征在于：所述复合纳米线网络结构中的氧掺杂的氮化物纳米线在外电场作用下提供氧离子和网络结构的支撑，并且各种掺杂的氮化物纳米线的结构和由其构成的网络结构在外电场的作用下不发生变化。
9.根据权利要求8所述的一种基于复合纳米线网络结构的忆阻器，其特征在于：所述复合纳米线网络结构中的纳米线包覆层在外电场作用下接收和存储氧离子，为氧离子提供迁移路径；并且各种掺杂的氮化物纳米线的结构在外电场的作用下不发生变化。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2767721C1 (ru) * 2021-07-07 2022-03-18 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Образования "Московский Государственный Технический Университет Имени Н.Э. Баумана (Национальный Исследовательский Университет)" Способ формирования мемристивных структур на основе композитных оксидов с агломератами наночастиц
CN113921706B (zh) * 2021-08-31 2022-07-19 苏州科技大学 一种基于二维碲烯纳米线的场效应忆阻器及其制作方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100904588B1 (ko) * 2007-07-05 2009-06-25 삼성전자주식회사 코어/쉘 형태의 나노와이어를 제조하는 방법, 그에 의해제조된 나노와이어 및 이를 포함하는 나노와이어 소자
WO2010062644A2 (en) * 2008-10-28 2010-06-03 The Regents Of The University Of California Vertical group iii-v nanowires on si, heterostructures, flexible arrays and fabrication
CN102087886A (zh) * 2009-12-08 2011-06-08 中国科学院福建物质结构研究所 基于银纳米线的透明导电薄膜及其制备方法
CN102936006B (zh) * 2012-10-24 2014-04-02 北京工业大学 一种低成本低污染的氮化镓纳米线的制备生成方法
EP2997597B1 (en) * 2013-05-15 2018-12-26 Hewlett-Packard Enterprise Development LP Nanochannel array of nanowires for resistive memory devices
KR101431818B1 (ko) * 2013-07-31 2014-08-19 국립대학법인 울산과학기술대학교 산학협력단 나노와이어 소자 제조 방법
WO2015191847A1 (en) * 2014-06-13 2015-12-17 President And Fellows Of Harvard College Facet-selective growth of nanoscale wires
US9460921B2 (en) * 2015-04-06 2016-10-04 The United States Of America, As Represented By The Secretary Of Commerce Nanowire article and processes for making and using same
KR102234230B1 (ko) * 2017-05-29 2021-04-01 주식회사 에스지플렉시오 나노와이어 투명 전극 및 이의 제조방법

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