CN111755488A - 一种amoled显示屏结构及其制备方法 - Google Patents

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李元行
苏智昱
黄志杰
阮桑桑
宋爽
陈宇怀
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Abstract

本发明涉及微电子技术领域，特别涉及一种AMOLED显示屏结构及其制备方法，包括电容区域结构，所述电容区域结构包括玻璃层、第一金属层、第一绝缘层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层、第三金属层、平坦层、第四金属层、画素定义层和阴极金属层；通过在电容区域结构的画素定义层上设置一个第二过孔，在第二过孔中填充阴极金属层，在画素定义层设置第二过孔，能够实现阴极方块与阴极走线搭接，使得在一帧时间内，部分时间阴极走线赋值给电源负极(即VSS)电位，实现画面显示，部门时间阴极走线赋值给触控探测信号，实现自容触控感应，进而实现内嵌式触控AMOLED显示技术。

Description

一种AMOLED显示屏结构及其制备方法
技术领域
本发明涉及微电子技术领域，特别涉及一种AMOLED显示屏结构及其制备方法。
背景技术
现如今，屏幕不再单纯只为用户传递图片、视频等咨询，科技研发人员不断赋予显示屏新的附加功能，例如内嵌式触控显示技术。在现有液晶显示器的显示技术上，集成触控功能已被广泛应用于中小尺寸面板，而在有源矩阵有机发光二极体(Active-matrixOrganic Light Emitting Diode，缩写为AMOLED)显示技术上内嵌触控识别功能技术还处于研发阶段。现有AMOLED显示屏一般搭配外挂式触控显示屏，将触控单元设置在AMOLED的显示外部，这样不利于AMOLED显示屏的轻薄化。因此，有必要提供一种AMOLED显示屏结构及其制备方法，能够实现内嵌式触控AMOLED显示技术，进而实现AMOLED显示屏的轻薄化。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：提供一种AMOLED显示屏结构及其制备方法。
为了解决上述技术问题，本发明采用的第一种技术方案为：
一种AMOLED显示屏结构，包括电容区域结构；
所述电容区域结构包括玻璃层、第一金属层、第一绝缘层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层、第三金属层、平坦层、第四金属层、画素定义层和阴极金属层，所述第一金属层、第一绝缘层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层、第三金属层、平坦层、第四金属层、画素定义层和阴极金属层依次设置在所述玻璃层表面；
所述第三绝缘层上设有一个第一过孔，所述第三金属层填充于所述第一过孔中，所述第一过孔中填充的第三金属层与所述第二金属层远离所述玻璃层的一侧面接触，所述画素定义层上设有一个第二过孔，所述阴极金属层填充于所述第二过孔中，所述第二过孔中填充的阴极金属层与所述第四金属层远离玻璃层的一侧面接触。
本发明采用的第二种技术方案为：
一种AMOLED显示屏结构的制备方法，包括以下步骤：
S1、提供一电容区域结构的玻璃层，且在玻璃层表面上覆盖有第一金属层；
S2、形成一第一绝缘层，且覆盖于所述第一金属层表面；
S3、形成一第二绝缘层，且覆盖于所述第一绝缘层表面；
S4、形成一第二金属层，且覆盖于所述第二绝缘层表面；
S5、形成一第三绝缘层，覆盖于所述第二金属层表面且与所述第二绝缘层接触；
S6、于所述第三绝缘层中形成一个第一过孔，在第一过孔中形成第三金属层，且第三金属层与第二金属层远离玻璃层的一侧面接触；
S7、形成一平坦层，覆盖于所述第三金属层表面且与第三绝缘层接触；
S8、形成一第四金属层，且覆盖于所述平坦层表面；
S9、形成一画素定义层，覆盖于所述第四金属层表面且与所述平坦层接触；
S10、于所述画素定义层中形成一个第二过孔，在第二过孔中形成阴极金属层，且阴极金属层与第四金属层远离玻璃层的一侧面接触。
本发明的有益效果在于：
通过在电容区域结构的画素定义层上设置一个第二过孔，在第二过孔中填充阴极金属层，在画素定义层设置第二过孔，能够实现阴极方块与阴极走线搭接，使得在一帧时间内，部分时间阴极走线赋值给电源负极(即VSS)电位，实现画面显示，部门时间阴极走线赋值给触控探测信号，实现自容触控感应，进而实现内嵌式触控AMOLED显示技术，替代现有技术中将触控单元设置AMOLED的显示外部；通过在第三绝缘层上设有一个第一过孔，第三金属层填充于第一过孔中以形成电源电压走线，能够减少在高分辨率下RC负载过大引起的显示器亮度不均匀现象；本方案设计的电容区域结构通过在减少黄光、蚀刻和剥离制程直接蒸镀完成图案设置来缩减显示模组制作成本，同时也使得AMOLED可以做到轻薄化，既缩减了制程成本也提升了产品效益，且符合当今市场中小尺寸显示面板轻薄化的趋势。
附图说明
图1为根据本发明的一种AMOLED显示屏结构的结构示意图；
图2为根据本发明的一种AMOLED显示屏结构的制备方法的步骤流程图；
图3为根据本发明的一种AMOLED显示屏结构的走线设置方式一的电路原理图；
图4为根据本发明的一种AMOLED显示屏结构的走线设置方式二的电路原理图；
标号说明：
1、玻璃层；2、第一金属层；3、第一绝缘层；4、第二绝缘层；5、第二金属层；6、第三绝缘层；7、平坦层；8、第四金属层；9、画素定义层；10、有机发光材料；11、阴极金属层；12、电容区域结构；13、TFT2区域结构；14、TFT1区域结构；15、第三金属层；C1、第一电容；T1、第一薄膜场效应晶体管；T2、第二薄膜场效应晶体管；Data、信号走线；VDD、电源电压走线；Gate、栅极扫描走线；AN、阴极走线。
具体实施方式
为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
本发明最关键的构思在于：通过在AMOLED的电容区域结构的第三绝缘层上设有一个第一过孔，第三金属层填充于第一过孔中，在画素定义层上设置一个第二过孔，在第二过孔中填充阴极金属层，进而实现内嵌式触控AMOLED显示技术。
请参照图1，本发明提供的一种技术方案：
一种AMOLED显示屏结构，包括电容区域结构；
所述电容区域结构包括玻璃层、第一金属层、第一绝缘层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层、第三金属层、平坦层、第四金属层、画素定义层和阴极金属层，所述第一金属层、第一绝缘层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层、第三金属层、平坦层、第四金属层、画素定义层和阴极金属层依次设置在所述玻璃层表面；
所述第三绝缘层上设有一个第一过孔，所述第三金属层填充于所述第一过孔中，所述第一过孔中填充的第三金属层与所述第二金属层远离所述玻璃层的一侧面接触，所述画素定义层上设有一个第二过孔，所述阴极金属层填充于所述第二过孔中，所述第二过孔中填充的阴极金属层与所述第四金属层远离玻璃层的一侧面接触。
从上述描述可知，本发明的有益效果在于：
通过在电容区域结构的画素定义层上设置一个第二过孔，在第二过孔中填充阴极金属层，在画素定义层设置第二过孔，能够实现阴极方块与阴极走线搭接，使得在一帧时间内，部分时间阴极走线赋值给电源负极(即VSS)电位，实现画面显示，部门时间阴极走线赋值给触控探测信号，实现自容触控感应，进而实现内嵌式触控AMOLED显示技术，替代现有技术中将触控单元设置AMOLED的显示外部；通过在第三绝缘层上设有一个第一过孔，第三金属层填充于第一过孔中以形成电源电压走线，能够减少在高分辨率下RC负载过大引起的显示器亮度不均匀现象；本方案设计的电容区域结构通过在减少黄光、蚀刻和剥离制程直接蒸镀完成图案设置来缩减显示模组制作成本，同时也使得AMOLED可以做到轻薄化，既缩减了制程成本也提升了产品效益，且符合当今市场中小尺寸显示面板轻薄化的趋势。
进一步的，还包括TFT1区域结构，所述TFT1区域结构包括玻璃层、第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层、平坦层、第四金属层、画素定义层和阴极金属层，所述TFT1区域结构的第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层、平坦层、第四金属层、画素定义层和阴极金属层依次设置在所述玻璃层表面，所述TFT1区域结构的第二绝缘层上设有两个第三过孔，所述TFT1区域结构的第二金属层分别填充于两个所述第三过孔中，所述TFT1区域结构的第二金属层与所述半导体层远离所述玻璃层的一侧面接触，所述TFT1区域结构的画素定义层上设有第四过孔，所述第四过孔中填充有有机发光材料。
由上述描述可知，通过在TFT1区域结构设置第一金属层形成栅极扫描走线，设置第二金属层形成信号走线，设置第四金属层形成阴极走线。
进一步的，还包括TFT2区域结构，所述TFT2区域结构包括玻璃层、第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层、平坦层、第四金属层、画素定义层和阴极金属层，所述TFT2区域结构的第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层、平坦层、第四金属层、画素定义层和阴极金属层依次设置在所述玻璃层表面；
所述TFT2区域结构的第二绝缘层上设有两个第五过孔，所述TFT2区域结构的第一绝缘层和第二绝缘层分别对应第一金属层的位置设有一个子节点过孔，两个所述子节点过孔相对设置且连通，所述TFT2区域结构的第二金属层分别填充于所述第五过孔和子节点过孔中，所述第五过孔中填充的第二金属层与所述第二金属层远离玻璃层的一侧面接触，所述子节点过孔中填充的第二金属层与所述半导体层远离玻璃层的一侧面接触。
进一步的，所述阴极金属层为半透明金属层。
由上述描述可知，将阴极金属层设为半透明金属层，有利于在AMOLED显示屏内嵌入自容触控功能，进而达到面板轻薄化的效果。
进一步的，所述阴极金属层的厚度为0.01μm-0.3μm。
由上述描述可知，将阴极金属层的厚度设为0.01μm-0.3μm，能够提高电容量，有利于实现更高分辨率的AMOLED显示技术。
进一步的，所述阴极金属层为U字型。
由上述描述可知，阴极金属层为U字型，有利于实现内嵌式触控AMOLED显示技术。
进一步的，所述第三金属层的厚度为0.1μm-0.3μm。
由上述描述可知，将第三金属层的厚度设为0.1μm-0.3μm，能够减少在高分辨率下RC负载过大引起的显示器亮度不均匀现象。
进一步的，所述第三金属层为T字型。
由上述描述可知，T字型的金属层结构稳定性好，有利于提高器件沟道的电子迁移率和避免寄生电容过大的问题。
请参照图2，本发明提供的另一种技术方案：
一种AMOLED显示屏结构的制备方法，包括以下步骤：
S1、提供一电容区域结构的玻璃层，且在玻璃层表面上覆盖有第一金属层；
S2、形成一第一绝缘层，且覆盖于所述第一金属层表面；
S3、形成一第二绝缘层，且覆盖于所述第一绝缘层表面；
S4、形成一第二金属层，且覆盖于所述第二绝缘层表面；
S5、形成一第三绝缘层，覆盖于所述第二金属层表面且与所述第二绝缘层接触；
S6、于所述第三绝缘层中形成一个第一过孔，在第一过孔中形成第三金属层，且第三金属层与第二金属层远离玻璃层的一侧面接触；
S7、形成一平坦层，覆盖于所述第三金属层表面且与第三绝缘层接触；
S8、形成一第四金属层，且覆盖于所述平坦层表面；
S9、形成一画素定义层，覆盖于所述第四金属层表面且与所述平坦层接触；
S10、于所述画素定义层中形成一个第二过孔，在第二过孔中形成阴极金属层，且阴极金属层与第四金属层远离玻璃层的一侧面接触。
从上述描述可知，本发明的有益效果在于：
通过在电容区域结构的画素定义层上设置一个第二过孔，在第二过孔中填充阴极金属层，在画素定义层设置第二过孔，能够实现阴极方块与阴极走线搭接，使得在一帧时间内，部分时间阴极走线赋值给电源负极(即VSS)电位，实现画面显示，部门时间阴极走线赋值给触控探测信号，实现自容触控感应，进而实现内嵌式触控AMOLED显示技术，替代现有技术中将触控单元设置AMOLED的显示外部；通过在第三绝缘层上设有一个第一过孔，第三金属层填充于第一过孔中以形成电源电压走线，能够减少在高分辨率下RC负载过大引起的显示器亮度不均匀现象；本方案设计的电容区域结构通过在减少黄光、蚀刻和剥离制程直接蒸镀完成图案设置来缩减显示模组制作成本，同时也使得AMOLED可以做到轻薄化，既缩减了制程成本也提升了产品效益，且符合当今市场中小尺寸显示面板轻薄化的趋势。
进一步的，所述阴极金属层为半透明金属层。
从上述描述可知，将阴极金属层设为半透明金属层，有利于在AMOLED显示屏内嵌入自容触控功能，进而达到面板轻薄化的效果。
请参照图1、图3和图4，本发明的实施例一为：
一种AMOLED显示屏结构，包括电容区域结13；
一种AMOLED显示屏结构，包括电容区域结13；
所述电容区域结构13包括玻璃层1、第一金属层2、第一绝缘层3、第二绝缘层4、第二金属层5、第三绝缘层6、第三金属层15、平坦层7、第四金属层8、画素定义层9和阴极金属层11，所述第一金属层2、第一绝缘层3、第二绝缘层4、第二金属层5、第三绝缘层6、第三金属层15、平坦层7、第四金属层8、画素定义层9和阴极金属层11依次设置在所述玻璃层1表面；
所述第三绝缘层6上设有一个第一过孔，所述第三金属层15填充于所述第一过孔中，所述第一过孔中填充的第三金属层15与所述第二金属层5远离所述玻璃层1的一侧面接触，所述第三金属层15的厚度为0.1μm-0.3μm，优选为0.22μm，所述第三金属层15为T字型；所述画素定义层10上设有一个第二过孔，所述阴极金属层11填充于所述第二过孔中，所述第二过孔中填充的阴极金属层11所述第四金属层8远离玻璃层1的一侧面接触，所述阴极金属层11为半透明金属层，所述阴极金属层11的厚度为0.01μm-0.3μm，优选为0.25μm所述阴极金属层11为U字型。
所述电容区域结构13的电容间距为所述第一绝缘层3和第二绝缘层4的厚度。
还包括TFT1区域结构14，所述TFT1区域结构14包括玻璃层、第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层、平坦层、第四金属层、画素定义层和阴极金属层，所述TFT1区域结构的第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层、平坦层、第四金属层、画素定义层和阴极金属层依次设置在所述玻璃层表面，所述TFT1区域结构的第二绝缘层上设有两个第三过孔，所述TFT1区域结构的第二金属层分别填充于两个所述第三过孔中，所述TFT1区域结构的第二金属层与所述半导体层远离所述玻璃层的一侧面接触，所述TFT1区域结构的画素定义层上设有第四过孔，所述第四过孔中填充有有机发光材料10。
还包括TFT2区域结构13，所述TFT2区域结构13包括玻璃层、第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层、平坦层、第四金属层、画素定义层和阴极金属层，所述TFT2区域结构的第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层、平坦层、第四金属层、画素定义层和阴极金属层依次设置在所述玻璃层表面；
所述TFT2区域结构的第二绝缘层上设有两个第五过孔，所述TFT2区域结构的第一绝缘层和第二绝缘层分别对应第一金属层的位置设有一个子节点过孔，两个所述子节点过孔相对设置且连通，所述TFT2区域结构的第二金属层分别填充于所述第五过孔和子节点过孔中，所述第五过孔中填充的第二金属层与所述第二金属层远离玻璃层的一侧面接触，所述子节点过孔中填充的第二金属层与所述半导体层远离玻璃层的一侧面接触。
所述半导体层的氧化物介质为IGZO。
在阴极金属层11蒸镀时，利用掩膜板直接定义出阴极方块图形，阴极掩膜板设置有镂空区域和遮挡区域：在蒸镀时，镂空区域上方蒸镀材料会穿过掩膜板到达基板表面而形成金属图形；而遮挡区域由于掩膜板的遮挡作用，蒸镀材料无法到达基板表面，遮挡区域下方基板投影区无阴极金属层；通过掩膜板镂空区域与遮挡区域设置，形成阴极方块电极。
所述AMOLED显示屏结构的电路结构包括两个以上电路结构相同的方块单元，所述方块单元包括栅极扫描走线Gate、信号走线Data、阴极走线AN、电源电压走线VDD和补偿电路，所述栅极扫描走线Gate、信号走线Data、阴极走线AN和电源电压走线VDD四者之间共有两种走线设置方式：
方式一(请参照图3)：所述信号走线Data与所述电源电压走线VDD相互平行，所述阴极走线AN与所述信号走线Data相互平行，所述栅极扫描走线Gate与所述电源电压走线VDD相互垂直；
方式二(请参照图4)：所述信号走线Data与所述电源电压走线VDD相互垂直，所述阴极走线AN与所述信号走线Data相互平行，所述栅极扫描走线Gate与所述电源电压走线VDD相互平行。
所述补偿电路包括第一电容C1、第一薄膜场效应晶体管T1和第二薄膜场效应晶体管T2；
所述第一电容C1的一端分别与所述电源电压走线VDD和第二薄膜场效应晶体管T2的漏极电连接，所述第一电容C1的另一端分别与所述第一薄膜场效应晶体管T1的漏极和第二薄膜场效应晶体管T2的栅极电连接，所述第一薄膜场效应晶体管T1的源极与所述信号走线Data电连接，所述第一薄膜场效应晶体管T1的栅极与所述栅极扫描走线Gate电连接，第二薄膜场效应晶体管T2的源极接电源负极电位。
上述的补偿电路对应AMOLED显示屏结构，所述TFT1区域结构14的第一金属层对应所述补偿电路的栅极扫描走线Gate，所述TFT1区域结构14的第二金属层对应所述补偿电路的信号走线Data，所述电容区域结构12的第二金属层5对应所述补偿电路的电源电压走线VDD，所述电容区域结构12的第四金属层8对应所述补偿电路的阴极走线AN。
请参照图2，本发明的实施例二为：
一种AMOLED显示屏结构的制备方法，包括以下步骤：
S1、提供一电容区域结构12的玻璃层1，且在玻璃层1表面上覆盖有第一金属层2；
S2、形成一第一绝缘层3，且覆盖于所述第一金属层2表面；
S3、形成一第二绝缘层4，且覆盖于所述第一绝缘层3表面；
S4、形成一第二金属层5，且覆盖于所述第二绝缘层4表面；
S5、形成一第三绝缘层6，覆盖于所述第二金属层5表面且与所述第二绝缘层4接触；
S6、于所述第三绝缘层6中形成一个第一过孔，在第一过孔中形成第三金属层15，且第三金属层15与第二金属层5远离玻璃层1的一侧面接触；
S7、形成一平坦层7，覆盖于所述第三金属层15表面且与第三绝缘层6接触；
S8、形成一第四金属层8，且覆盖于所述平坦层7表面；
S9、形成一画素定义层9，覆盖于所述第四金属层8表面且与所述平坦层7接触；
S10、于所述画素定义层9中形成一个第二过孔，在第二过孔中形成阴极金属层11，且阴极金属层11与第四金属层8远离玻璃层1的一侧面接触。
综上所述，本发明提供的提供一种AMOLED显示屏结构及其制备方法，通过在电容区域结构的画素定义层上设置一个第二过孔，在第二过孔中填充阴极金属层，在画素定义层设置第二过孔，能够实现阴极方块与阴极走线搭接，使得在一帧时间内，部分时间阴极走线赋值给电源负极(即VSS)电位，实现画面显示，部门时间阴极走线赋值给触控探测信号，实现自容触控感应，进而实现内嵌式触控AMOLED显示技术，替代现有技术中将触控单元设置AMOLED的显示外部；通过在第三绝缘层上设有一个第一过孔，第三金属层填充于第一过孔中以形成电源电压走线，能够减少在高分辨率下RC负载过大引起的显示器亮度不均匀现象；本方案设计的电容区域结构通过在减少黄光、蚀刻和剥离制程直接蒸镀完成图案设置来缩减显示模组制作成本，同时也使得AMOLED可以做到轻薄化，既缩减了制程成本也提升了产品效益，且符合当今市场中小尺寸显示面板轻薄化的趋势。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种AMOLED显示屏结构，其特征在于，包括电容区域结构；
所述电容区域结构包括玻璃层、第一金属层、第一绝缘层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层、第三金属层、平坦层、第四金属层、画素定义层和阴极金属层，所述第一金属层、第一绝缘层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层、第三金属层、平坦层、第四金属层、画素定义层和阴极金属层依次设置在所述玻璃层表面；
所述第三绝缘层上设有一个第一过孔，所述第三金属层填充于所述第一过孔中，所述第一过孔中填充的第三金属层与所述第二金属层远离所述玻璃层的一侧面接触，所述画素定义层上设有一个第二过孔，所述阴极金属层填充于所述第二过孔中，所述第二过孔中填充的阴极金属层与所述第四金属层远离玻璃层的一侧面接触。
2.根据权利要求1所述的AMOLED显示屏结构，其特征在于，还包括TFT1区域结构，所述TFT1区域结构包括玻璃层、第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层、平坦层、第四金属层、画素定义层和阴极金属层，所述TFT1区域结构的第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层、平坦层、第四金属层、画素定义层和阴极金属层依次设置在所述玻璃层表面，所述TFT1区域结构的第二绝缘层上设有两个第三过孔，所述TFT1区域结构的第二金属层分别填充于两个所述第三过孔中，所述TFT1区域结构的第二金属层与所述半导体层远离所述玻璃层的一侧面接触，所述TFT1区域结构的画素定义层上设有第四过孔，所述第四过孔中填充有有机发光材料。
3.根据权利要求1所述的AMOLED显示屏结构，其特征在于，还包括TFT2区域结构，所述TFT2区域结构包括玻璃层、第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层、平坦层、第四金属层、画素定义层和阴极金属层，所述TFT2区域结构的第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层、平坦层、第四金属层、画素定义层和阴极金属层依次设置在所述玻璃层表面；
所述TFT2区域结构的第二绝缘层上设有两个第五过孔，所述TFT2区域结构的第一绝缘层和第二绝缘层分别对应第一金属层的位置设有一个子节点过孔，两个所述子节点过孔相对设置且连通，所述TFT2区域结构的第二金属层分别填充于所述第五过孔和子节点过孔中，所述第五过孔中填充的第二金属层与所述第二金属层远离玻璃层的一侧面接触，所述子节点过孔中填充的第二金属层与所述半导体层远离玻璃层的一侧面接触。
4.根据权利要求1所述的AMOLED显示屏结构，其特征在于，所述阴极金属层为半透明金属层。
5.根据权利要求1所述的AMOLED显示屏结构，其特征在于，所述阴极金属层的厚度为0.01μm-0.3μm。
6.根据权利要求1所述的AMOLED显示屏结构，其特征在于，所述阴极金属层为U字型。
7.根据权利要求1所述的AMOLED显示屏结构，其特征在于，所述第三金属层的厚度为0.1μm-0.3μm。
8.根据权利要求1所述的AMOLED显示屏结构，其特征在于，所述第三金属层为T字型。
9.一种权利要求1所述的AMOLED显示屏结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、提供一电容区域结构的玻璃层，且在玻璃层表面上覆盖有第一金属层；
S2、形成一第一绝缘层，且覆盖于所述第一金属层表面；
S3、形成一第二绝缘层，且覆盖于所述第一绝缘层表面；
S4、形成一第二金属层，且覆盖于所述第二绝缘层表面；
S5、形成一第三绝缘层，覆盖于所述第二金属层表面且与所述第二绝缘层接触；
S6、于所述第三绝缘层中形成一个第一过孔，在第一过孔中形成第三金属层，且第三金属层与第二金属层远离玻璃层的一侧面接触；
S7、形成一平坦层，覆盖于所述第三金属层表面且与第三绝缘层接触；
S8、形成一第四金属层，且覆盖于所述平坦层表面；
S9、形成一画素定义层，覆盖于所述第四金属层表面且与所述平坦层接触；
S10、于所述画素定义层中形成一个第二过孔，在第二过孔中形成阴极金属层，且阴极金属层与第四金属层远离玻璃层的一侧面接触。
10.根据权利要求9所述的AMOLED显示屏结构的制备方法，其特征在于，所述阴极金属层为半透明金属层。
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