CN111755482A - 显示装置 - Google Patents

显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN111755482A
CN111755482A CN202010228444.6A CN202010228444A CN111755482A CN 111755482 A CN111755482 A CN 111755482A CN 202010228444 A CN202010228444 A CN 202010228444A CN 111755482 A CN111755482 A CN 111755482A
Authority
CN
China
Prior art keywords
film
layer
display device
pattern
pattern layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010228444.6A
Other languages
English (en)
Inventor
李东洙
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN111755482A publication Critical patent/CN111755482A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/0102Constructional details, not otherwise provided for in this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/88Dummy elements, i.e. elements having non-functional features
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/11Anti-reflection coatings
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/0136Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  for the control of polarisation, e.g. state of polarisation [SOP] control, polarisation scrambling, TE-TM mode conversion or separation
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/875Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/878Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871Self-supporting sealing arrangements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

公开了一种其中限定有显示区域和边框区域的显示装置,所述显示装置包括:显示面板,包括有效区域和***区域以及像素,图像显示在有效区域处,***区域与有效区域相邻,像素包括像素电路和发光层,像素电路限定堆叠结构;窗;以及图案膜,位于显示面板与窗之间,图案膜包括第一膜和图案层,第一膜包括分别与显示装置的显示区域和边框区域对应的第一区域和第二区域,图案层在第二膜的第二区域中位于第二膜上。图案膜的图案层包括与由显示面板的像素电路限定的堆叠结构相同的堆叠结构。

Description

显示装置
本申请要求于2019年3月28日提交的第10-2019-0036194号韩国专利申请的优先权和所有权益,该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种具有边框区域的显示装置。
背景技术
显示装置在显示屏上显示各种图像以向用户提供信息。显示装置包括在其处显示图像的显示区域和与显示区域相邻的边框区域。显示装置的边框区域可以具有预定的颜色,并且显示装置包括设置在边框区域中以提供预定颜色的印刷层。
发明内容
本公开提供了一种显示装置,其中,当不显示图像时,使显示区域与边框区域之间的区别最小化。
发明的实施例提供了一种显示装置,在该显示装置中限定了显示区域和边框区域,该显示装置包括:显示面板,包括:有效区域和***区域,图像显示在有效区域处,***区域与有效区域相邻;第一膜,与有效区域和***区域对应;和像素,位于第一膜上,像素包括像素电路和发光层,像素电路限定堆叠结构;窗;以及图案膜,位于显示面板与窗之间,图案膜包括:第二膜,包括分别对应于显示装置的显示区域和边框区域的第一区域和第二区域;以及图案层,在第二膜的第二区域中位于第二膜上。图案膜的图案层包括与由显示面板的像素电路限定的堆叠结构相同的堆叠结构。
显示装置还可以包括设置在窗与图案膜之间的偏振膜,偏振膜对应于图案膜的第一区域和第二区域。
显示面板还可以包括虚设像素,虚设像素包括虚设像素电路和虚设发光层。
显示面板的像素可以对应于显示面板的有效区域,虚设像素可以对应于显示面板的***区域。
虚设像素可以设置为多个,虚设像素包括分别对应于图案膜的第一区域和第二区域的多个虚设像素。
图案层可以设置在窗与第二膜之间。
图案层可以设置在第二膜与显示面板之间。
图案层可以包括设置在第一膜上的第一子图案层和设置在第一子图案层上的第二子图案层,第一子图案层可以具有与像素电路相同的堆叠结构,第二子图案层可以包括与发光层相同的材料。
显示面板还可以包括覆盖发光层的薄膜封装层。
图案层可以包括设置在第一膜上的第一子图案层和设置在第一子图案层上的第二子图案层,第一子图案层可以具有与像素电路相同的堆叠结构,第二子图案层可以具有与薄膜封装层相同的堆叠结构。
图案层可以包括设置在第一膜上的第一子图案层、设置在第一子图案层上的第二子图案层以及设置在第二子图案层上的第三子图案层,第一子图案层可以具有与像素电路相同的堆叠结构,第二子图案层可以包括与发光层相同的材料,第三子图案层可以具有与薄膜封装层相同的堆叠结构。
显示装置还可以包括设置在显示面板下方的着色粘合层。
显示装置还可以包括设置在显示面板与第一膜之间的输入感测层。
在显示区域处入射到显示装置的外部光的反射率和透射率可以分别等于在边框区域处入射到显示装置的外部光的反射率和透射率。
发明的实施例提供了一种显示装置,在该显示装置中限定了显示区域和边框区域,该显示装置包括:显示面板,包括在其处显示图像的有效区域和与有效区域相邻的***区域;窗;以及图案膜,位于显示面板与窗之间,图案膜包括:第一膜,包括与显示装置的显示区域对应的透射区域;以及图案层,位于第一膜上并且与显示装置的边框区域对应。在与显示区域对应的区域处入射到显示装置的外部光的反射率等于在与边框区域对应的区域处入射到显示装置的外部光的反射率。
显示面板还可以包括与有效区域和***区域对应的第二膜以及位于第二膜上的像素,像素包括像素电路和发光层,像素电路限定堆叠结构,图案层可以包括具有与像素电路相同的堆叠结构的第一子图案层。
图案层还包括第二子图案层,第二子图案层设置在第一子图案层上并且具有与发光层相同的堆叠结构。
显示装置还可以包括覆盖像素的封装层,并且图案层还可以包括第二子图案层,第二子图案层设置在第一子图案层上并具有与封装层相同的堆叠结构。
显示装置还可以包括设置在窗与图案膜之间的偏振膜,并且偏振膜的平面面积可以等于窗的平面面积。
显示面板还可以包括多个虚设像素,虚设像素均包括虚设像素电路和虚设发光层,显示面板的像素可以对应于显示面板的有效区域,虚设像素可以对应于透射区域和图案层两者。
根据上面,图案层限定显示装置的边框区域,并且可以具有与显示面板内的组件的堆叠结构和布局相同的堆叠结构和布局。图案层可以通过用于制造显示面板的组件相同的工艺并且通过使用用于形成这样的组件的施用到显示面板的相同的材料或相同的材料层来设置或形成。因此,可以减小在与显示面板和其中设置有图案层的图案膜对应的区域处入射到显示装置的外部光的反射率差异和透射率差异。因此,可以提供其中在不显示图像时使显示区域与边框区域之间的区别最小化的显示装置。
附图说明
本公开的以上和其他优点通过参照下面的结合附图考虑时的详细描述将变得很明显,其中:
图1是示出显示装置的示例性实施例的俯视图;
图2是示出显示装置的示例性实施例的剖视图;
图3是示出显示装置的另一示例性实施例的剖视图;
图4是示出显示装置的又一示例性实施例的剖视图;
图5A是示出显示模块的示例性实施例的剖视图;
图5B是示出显示模块的另一示例性实施例的剖视图;
图6是示出显示面板的示例性实施例的俯视图;
图7是示出显示装置的部分的示例性实施例的放大剖视图;
图8是示出像素的示例性实施例的等效电路图;
图9是示出显示面板的实施例的放大剖视图;
图10是示出图案膜的示例性实施例的放大剖视图;
图11是示出图案膜的另一示例性实施例的放大剖视图;
图12是示出图案膜的又一示例性实施例的放大剖视图;以及
图13是示出图案膜的再一示例性实施例的放大剖视图。
具体实施方式
现在将在下文中参照附图更充分地描述发明,在附图中示出了各种实施例。然而,本发明可以以许多不同的形式来实施,并且不应该被解释为限于在此阐述的实施例。相反,提供这些实施例使得本公开将是透彻和完整的,并将向本领域技术人员充分传达发明的范围。同样的标记始终表示同样的元件。在附图中,为了有效描述技术内容,夸大了组件的厚度、比例和尺寸。
在下面的描述中,将理解的是,当元件或层被称为与另一元件相关(诸如“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层)时,该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层,或者可以存在中间元件或层。相反,当元件或层被称为与另一元件直接相关(诸如“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层)时,其间不存在中间元件或层。
将理解的是,尽管可以在此使用术语第一、第二等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分,但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些术语的限制。这些术语仅是用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此,在不脱离本公开的教导的情况下,下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可以被称为第二元件、组件、区域、层或部分。
除非上下文另外清楚地指出,否则如在此使用的单数形式“一”、“一个(种/者)”和“所述(该)”也旨在包括复数形式。“至少一个(种/者)”不被解释为限于“一”或“一个(种/者)”。“或”表示“和/或”。如在此使用的,术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何组合和所有组合。
为了易于描述,可以在此使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……上方”、“上”等的空间相对术语,来描述如在图中所示的一个元件或特征与另一(些)元件或特征的关系。
除非另有定义,否则在此使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。还将理解的是,术语(诸如在通用字典中定义的术语)应该被解释为具有与相关领域的上下文中它们的意思一致的意思,而将不以理想化或者过于形式化的含义来解释,除非这里如此明确地定义。
考虑到所讨论的测量和与测量特定量有关的误差(即,测量***的局限性),如在此使用的“大约(约)”或“近似”包括所陈述的值,并表示在如由本领域普通技术人员所确定的特定值的可接受偏差范围内。例如,“大约(约)”可以表示在一个或更多个标准偏差之内,或者在所陈述的值的±30%、±20%、±10%或±5%内。
还将理解的是,当在本说明书中使用术语“包含”、“包括”和/或其变型时,说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件,但是不排除存在或附加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
在此参照作为理想化实施例的示意性图示的剖视图来描述示例性实施例。如此,将预期由例如制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此,在此描述的实施例不应解释为限于在此所示的区域的特定形状,而是包括例如由制造引起的形状偏差。例如,示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙的和/或非线性特征。此外,示出的尖角可以是倒圆的。因此,附图中示出的区域本质上是示意性的,并且它们的形状不旨在示出区域的精确形状,也不旨在限制给出的权利要求的范围。
在下文中,将参照附图详细地说明本公开。
图1是示出显示装置DD的示例性实施例的俯视图。
参照图1,显示装置DD可以是响应于电信号而激活的装置。显示装置DD的激活可以产生光和/或发光,产生图像和/或经由显示装置DD的显示屏向显示装置DD外部显示图像。显示装置DD可以包括各种实施例。在示例性实施例中,例如,显示装置DD可以应用于诸如电视机、显示监视器或户外广告牌的相对大尺寸电子物品以及诸如个人计算机、笔记本计算机、个人数字助理、汽车导航单元、游戏单元、移动电子设备和相机的相对中小尺寸电子物品。这些仅是示例性的,因此在不脱离本公开的构思的情况下,显示装置DD可以应用于其他电子设备。在本示例性实施例中,平板计算机将被描述为显示装置DD的代表示例。
显示装置DD可以包括显示区域DA-D和边框区域NDA-D。图像可以显示在显示区域DA-D处。图像不会显示在边框区域NDA-D处,但是不限于此或受此限制。显示装置DD可以包括或限定基本上平行于由彼此相交的第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面的表面。显示装置DD可以朝向第三方向DR3显示图像IM,使得图像IM从显示装置DD外部是可见的。图像IM可以包括运动(例如,移动)图像和静止图像。图1示出了时钟窗和图标作为图像IM的代表示例。边框区域NDA-D与显示区域DA-D相邻。在示例性实施例中,边框区域NDA-D可以在俯视图中围绕显示区域DA-D。图像IM不会显示在边框区域NDA-D处。显示区域DA-D可以由边框区域NDA-D限定。显示区域DA-D和边框区域NDA-D可以在俯视图中限定显示装置DD的总平面区域,而不限于此。
在本示例性实施例中,相对于图像IM在其上显示的方向限定显示装置DD的每个构件的前(或上)表面和后(或下)表面。前表面和后表面沿着第三方向DR3彼此面对,前表面和后表面中的每个的法线方向基本上平行于第三方向DR3。由第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3指示的方向是彼此相对的,因此由第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3指示的方向可以改变为其他方向。在下面描述中,表述“当在平面图中观看时”可以表示沿着第三方向DR3观看的状态。
显示装置DD可以包括电子模块。当在平面图中观看时,电子模块可以与边框区域NDA-D叠置。然而,这仅是示例性的,并且本公开不应限于此或受此限制。在示例性实施例中,例如,当在平面图中观看时,一些电子模块可以与显示区域DA-D叠置。
电子模块可以包括:相机模块,通过其拍摄外部图像;邻近照度传感器模块,通过其测量显示装置DD的外部环境的照度和在这种环境下的物体的邻近;红外光发射模块,通过其从显示装置DD输出红外光;以及光接收模块,显示装置DD通过其感测红外光。在本公开的示例性实施例中,除了以上提及的电子模块之外,显示装置DD还可以包括通过其从显示装置DD输出声音的声音输出模块或显示装置DD通过其感测热的热感测模块。在示例性实施例中,可以省略电子模块中的至少一种。
图2是示出显示装置DD-1的示例性实施例的剖视图。图2示出了由第二方向DR2和第三方向DR3限定的剖面。图2以简单的方式被示出以说明显示装置DD-1的功能构件的堆叠关系。
参照图2,显示装置DD-1可以包括窗WD、偏振膜POL、图案膜FF、显示模块DM、粘合层PSA和板SUS。
窗WD和偏振膜POL、偏振膜POL和图案膜FF以及图案膜FF和显示模块DM可以分别通过粘合构件OCA(例如,多个粘合构件OCA)彼此结合。粘合构件OCA可以包括常规粘合剂或压敏粘合剂。在示例性实施例中,例如,粘合构件OCA可以是光学透明粘合剂。
窗WD可以是提供显示装置DD-1的最外面的表面的层。窗WD可以包括玻璃基底、合成树脂膜或复合膜。窗WD还可以包括功能涂层。功能涂层可以包括抗指纹层、抗反射层和相对硬的涂层。
偏振膜POL可以设置在窗WD下方。偏振膜POL可以减小从显示装置DD-1外部(例如,在图2中的窗WD的上方)入射到偏振膜POL的外部光的反射率。
根据本公开的示例性实施例的偏振膜POL可以包括延迟器和偏振器。延迟器可以是膜型或液晶涂层型,并且可以包括λ/2延迟器和/或λ/4延迟器。偏振器可以是膜型,并且可以包括拉伸型合成树脂膜。延迟器和偏振器还可以包括保护膜。延迟器和偏振器一起或者保护膜单独可以被限定为偏振膜POL的基体层。
当在平面图中观看时,偏振膜POL可以具有与窗WD的平面面积基本上相同的平面面积。前面提及的平面面积可以是各个构件的总平面面积,而不限于此。在示例性实施例中,例如,偏振膜POL可以与图1中所示的显示区域DA-D和边框区域NDA-D叠置。由于偏振膜POL附着到窗WD的整个表面,所以当在显示区域DA-D处不显示图像IM(参照图1)时,可以减小显示区域DA-D与边框区域NDA-D之间的边界的区别。
图案膜FF可以设置在偏振膜POL下方。图案膜FF可以包括第一膜FL1(例如,第一基底FL1)和图案层PL(例如,遮光图案PL)。
第一膜FL1可以包括或限定第一区域AR1和与第一区域AR1相邻(诸如在俯视图中围绕第一区域AR1)的第二区域AR2,而不限于此。第一区域AR1可以对应于图1的显示区域DA-D,第二区域AR2可以对应于图1的边框区域NDA-D。另外,第一区域AR1可以是显示装置DD的透射区域,来自显示模块DM的光和/或图像在透射区域处是可透射的,第二区域AR2可以是显示装置DD的遮光区域,来自显示模块DM的光在遮光区域处是不可透射(例如,被屏蔽)的。第一膜FL1可以是但不限于塑料膜。在示例性实施例中,例如,第一膜FL1可以包括聚酰亚胺类树脂。
图案层PL可以设置在第一膜FL1的表面上。在示例性实施例中,例如,所述表面可以是第一膜FL1的面向窗WD的上表面。因此,图案层PL可以沿着显示装置DD-1的厚度方向(例如,第三方向DR3)设置在窗WD与第一膜FL1之间。
图案层PL可以与第一膜FL1部分地叠置。图案层PL可以沿着第一膜FL1(例如,沿着第一方向DR1和/或第二方向DR2)断开。当在平面图中观看时,图案层PL可以与第二区域AR2叠置并且可以不与第一区域AR1叠置。即,边框区域NDA-D(参照图1)可以对应于图案层PL和/或由图案层PL限定。
根据本公开的示例性实施例,可以减小显示装置DD-1的分别对应于图案层PL和显示模块DM的显示面板DP的区域之间的反射率差异以及显示装置DD-1的分别对应于图案层PL和显示模块DM的显示面板DP的区域之间的透射率差异。因此,当显示模块DM不提供图像时,可以使第一区域AR1与第二区域AR2之间的边界的区别最小化。稍后将给出它的详细描述。
显示模块DM可以设置在图案膜FF下方。显示模块DM可以产生和/或显示图像。另外,显示模块DM可以感测入射到显示模块DM或入射到显示装置DD-1的外部输入。外部输入可以是使用诸如用户的身体的部分、光、热、笔或压力的输入工具入射到显示装置DD-1的用户输入。
粘合层PSA可以设置在显示模块DM下方。粘合层PSA可以诸如通过包括具有颜色的染料而被着色(例如,可以为着色粘合层PSA)。着色粘合层PSA面对图案膜FF设置,且显示面板DP设置在着色粘合层PSA与图案膜FF之间。在实施例中,例如,粘合层PSA可以是其中包括有黑色染料的压敏粘合剂。入射到粘合层PSA中的光可以被粘合层PSA吸收。因此,可以减少或有效地防止来自显示装置DD外部的入射光的反射。具有颜色的染料可以与粘合层PSA的基体材料或基质结合以向其提供颜色。
板SUS可以设置在粘合层PSA下方。板SUS可以包括具有比显示模块DM相对高的刚性的材料。在示例性实施例中,例如,板SUS可以包括多个框架和/或多个板,多个框架和/或多个板包括玻璃、塑料、金属合金或它们的组合。
图3是示出显示装置DD-2的另一示例性实施例的剖视图。
参照图3,显示装置DD-2可以包括窗WD、偏振膜POL、图案膜FFa、显示模块DM、粘合层PSA和板SUS。
图案膜FFa可以包括第一膜FL1和图案层PL。图案层PL可以设置在第一膜FL1的表面上。在示例性实施例中,例如,所述表面可以是第一膜FL1的面对显示模块DM的底表面。因此,图案层PL可以设置在第一膜FL1与显示模块DM之间。
图4是示出显示装置DD-3的又一示例性实施例的剖视图。
参照图4,显示装置DD-3可以包括窗WD、图案膜FF、偏振膜POL、显示模块DM、粘合层PSA和板SUS。图案膜FF可以设置在窗WD下方,偏振膜POL可以设置在图案膜FF下方。
参照图1描述的显示装置DD可以是参照图2至图4描述的显示装置DD-1、显示装置DD-2和显示装置DD-3中的任何一个。
图5A是示出显示模块DM-1的示例性实施例的剖视图。图5B是示出显示模块DM-2的另一示例性实施例的剖视图。图2至图4中描述的显示模块DM可以包括图5A的显示模块DM-1或图5B的显示模块DM-2。
参照图5A,显示模块DM-1可以包括显示面板DP、粘合构件OCA和输入感测面板ISP。显示面板DP和输入感测面板ISP可以通过粘合构件OCA彼此结合。
显示面板DP可以是发光型显示面板,但是不特别地限制。在示例性实施例中,例如,显示面板DP可以是有机发光显示面板或量子点发光显示面板。有机发光显示面板的发光层可以包括有机发光材料。量子点发光显示面板的发光层可以包括量子点和量子棒。在下文中,有机发光显示面板将被描述为显示面板DP的代表示例。
输入感测面板ISP可以设置在显示面板DP上,且粘合构件OCA设置在输入感测面板ISP与显示面板DP之间,以将两个组件彼此附着。输入感测面板ISP可以包括多个绝缘层和多个导电层。导电层可以形成感测电极、连接到感测电极的感测线和连接到感测线的感测垫(pad,或称为“焊盘”),显示模块DM-1可以通过感测电极感测外部输入。输入感测面板ISP可以以互电容方式和/或自电容方式感测外部输入,然而,用于外部输入的感测方式不应限于此或受此限制。
参照图5B,显示模块DM-2可以包括显示面板DP和输入感测层ISL。输入感测层ISL可以直接设置在显示面板DP上。在下面的描述中,组件“B”直接设置在组件“A”上的表述表示在组件“B”与组件“A”之间不存在诸如粘合层/粘合构件的中间元件。这种直接关系可以用来区分“层”与“面板”。在示例性实施例中,“层”可以包括组件“B”,组件“B”在形成组件“A”之后通过连续工艺形成在由组件“A”提供的基体表面上。
图6是示出显示面板DP的示例性实施例的俯视图。图7是示出包括显示面板DP的显示装置DD的部分的放大剖视图。
参照图6和图7,显示面板DP可以包括第二膜FL2(例如,第二基底FL2)和在第二膜FL2上设置为多个的像素PX(例如,多个像素PX)。在像素PX处,可以发光、可以产生图像和/或可以显示图像。
第二膜FL2可以是相对刚性的膜或相对柔性的膜。第二膜FL2可以是玻璃基底或塑料基底。塑料基底可以包括丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚异戊二烯、乙烯基类树脂、环氧类树脂、氨基甲酸酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂和苝类树脂中的至少一种。作为示例,第二膜FL2可以包括聚酰亚胺类树脂的单层结构,然而,不应限于此或受此限制。即,第二膜FL2可以是包括多个绝缘层的堆叠结构。
显示面板DP可以包括或限定有效区域AA和与有效区域AA相邻(诸如在俯视图中围绕有效区域AA)的***区域NAA。有效区域AA可以通过像素PX提供图像。即,图像可以显示在有效区域AA处。图像不会显示在***区域NAA处,但是不限于此或受此限制。
图6示出了边界BD-W(在下文中,称为“图案边界”)和边界BD-P(在下文中,称为“有效边界”),边界BD-W位于第一膜FL1的第一区域AR1(参照图2)与第二区域AR2(参照图2)之间,边界BD-P位于显示面板DP的有效区域AA与***区域NAA之间。图案边界BD-W可以对应于显示区域DA-D(参照图1)与边框区域NDA-D(参照图1)之间的边界。即,第一膜FL1的第一区域AR1包括显示面板DP的***区域NAA的一部分。
当在平面图中观看时,图案边界BD-W可以不与有效边界BD-P叠置。在示例性实施例中,例如,有效边界BD-P可以被图案边界BD-W围绕。由于第一区域AR1是透射区域,因此可以通过第一区域AR1识别***区域NAA的一部分和整个有效区域AA。
根据本公开的示例性实施例,显示面板DP还可以包括设置为多个的虚设像素D-PX(例如,多个虚设像素D-PX)。虚设像素D-PX可以布置在***区域NAA中。当在平面图中观看时,虚设像素D-PX中的一些虚设像素D-PX可以位于第二区域AR2中(例如,与第二区域AR2叠置),虚设像素D-PX中的其他虚设像素D-PX可以位于第一区域AR1中(例如,与第一区域AR1叠置)。即,虚设像素D-PX中的一些虚设像素D-PX可以被图案层PL覆盖。另外,***区域NAA的其中未布置或排除虚设像素D-PX的部分可以被图案层PL覆盖。这样的部分包括沿着第一方向DR1和/或第二方向DR2彼此相邻的虚设像素D-PX之间的平面区域。
虚设像素D-PX可以不发光,可以不产生图像并且可以不显示图像,但是可以包括与像素PX的堆叠结构和布局相同的堆叠结构和布局。因此,通过堆叠结构和布局在显示面板DP的有效区域AA处入射到显示装置DD的光的反射率和透射率可以与在显示面板DP的***区域NAA处入射到显示装置DD的光的反射率和透射率基本上相同。根据本公开的示例性实施例,由于有效区域AA中的反射率和透射率与***区域NAA中的反射率和透射率基本上相同,所以当显示面板DP不显示图像时,不会识别出有效边界BD-P。在本公开中,布局可以表示当在平面图中观看显示面板DP时的导电布线和图案的布置关系。
在本公开中,透射率相同的表述可以被解释为表示基本上相同。反射率相同的表述可以被解释为表示基本上相同。在示例性实施例中,例如,透射率可以在预定偏差内相同。并且,反射率可以在预定偏差内相同。预定偏差可以在约5%内。作为预定偏差给出的数值仅是示例性的,预定偏差不应限于此或受此限制。
图8是示出像素PX的示例性实施例的等效电路图。
参照图8,像素PX设置在显示面板DP的有效区域AA(参照图6)中,并且是通过其可以发光、可以产生图像和/或可以显示图像的元件。
像素PX可以电连接到多条信号线。作为扫描线,图8示出了信号线之中的扫描线SLi和SLi-1、数据线DL、第一电力线PL1、第二电力线PL2、初始化电力线VIL和发光控制线ECLi。根据本公开的示例性实施例的像素PX还可以连接到图8中未示例的各种信号线。可以省略图8中所示的信号线中的一些。
像素PX可以包括发光元件LD和连接到发光元件LD的像素电路CC。像素电路CC可以包括多个晶体管T1至T7和电容器CP。像素电路CC可以响应于诸如数据信号的电信号来控制流过发光元件LD的电流量。
发光元件LD可以响应于从像素电路CC提供的电流量以预定的亮度产生光和/或发光。为此,第一电源ELVDD可以具有被设定为高于第二电源ELVSS的电平的电平。
晶体管T1至T7中的每个可以包括输入电极(或源电极)、输出电极(或漏电极)和控制电极(或栅电极)。在下面的描述中,为了便于说明,输入电极和输出电极中的一个电极可以被称为“第一电极”,输入电极和输出电极中的另一个电极可以被称为“第二电极”。
第一晶体管T1的第一电极经由第五晶体管T5连接到第一电力线PL1。第一电力线PL1可以是施加有第一电源ELVDD的线。第一晶体管T1的第二电极经由第六晶体管T6连接到发光元件LD的阳极电极。在本公开中,第一晶体管T1可以被称为“驱动晶体管”。
第一晶体管T1响应于施加到第一晶体管T1的控制电极的电压来控制流过发光元件LD的电流量。
第二晶体管T2连接在数据线DL与第一晶体管T1的第一电极之间。第二晶体管T2的控制电极连接到第i扫描线SLi。当第i扫描信号被施加到第i扫描线SLi时,第二晶体管T2被导通并将数据线DL电连接到第一晶体管T1的第一电极。
第三晶体管T3连接在第一晶体管T1的第二电极与第一晶体管T1的控制电极之间。第三晶体管T3的控制电极连接到第i扫描线SLi。当第i扫描信号被施加到第i扫描线SLi时,第三晶体管T3被导通并将第一晶体管T1的第二电极电连接到第一晶体管T1的控制电极。因此,当第三晶体管T3被导通时,第一晶体管T1以二极管构造连接。
第四晶体管T4连接在节点ND与初始化电力线VIL之间。第四晶体管T4的控制电极连接到第i-1扫描线SLi-1。节点ND可以是在其处第四晶体管T4连接到第一晶体管T1的控制电极的节点。当第i-1扫描信号被施加到第i-1扫描线SLi-1时,第四晶体管T4被导通并将初始化电压Vint提供到节点ND。
第五晶体管T5连接在第一电力线PL1与第一晶体管T1的第一电极之间。
第六晶体管T6连接在第一晶体管T1的第二电极与发光元件LD的阳极电极之间。第五晶体管T5的控制电极和第六晶体管T6的控制电极连接到第i发光控制线ECLi。
第七晶体管T7连接在初始化电力线VIL与发光元件LD的阳极电极之间。第七晶体管T7的控制电极连接到第i扫描线SLi。当第i扫描信号被施加到第i扫描线SLi时,第七晶体管T7被导通并向发光元件LD的阳极电极提供初始化电压Vint。
第七晶体管T7可以改善像素PX的黑色表现能力。详细地,当第七晶体管T7被导通时,发光元件LD的寄生电容(未示出)放电。因此,当实施黑色亮度时,发光元件LD由于来自第一晶体管T1的电流的泄漏而不发光,因此可以改善黑色表现能力。
另外,在图8中,第七晶体管T7的控制电极连接到第i扫描线SLi,然而,其不应限于此或受此限制。根据另一实施例,第七晶体管T7的控制电极可以连接到第i-1扫描线SLi-1或第i+1扫描线(未示出)。
图8示出了作为像素电路CC的参照的PMOS,然而,不应限于此或不受此限制。根据另一实施例,像素电路CC可以通过NMOS来实施。根据另一实施例,像素电路CC可以通过NMOS和PMOS的组合来实施。
电容器CP设置在第一电力线PL1与节点ND之间。电容器CP以对应于数据信号的电压充电。当第五晶体管T5和第六晶体管T6由于电容器CP中充入的电压而被导通时,可以确定流过第一晶体管T1的电流量。
发光元件LD可以电连接到第六晶体管T6和第二电力线PL2。发光元件LD可以经由第二电力线PL2接收第二电源ELVSS。
发光元件LD可以利用电压来产生光和/或发光,所述电压与通过第六晶体管T6提供的电信号和通过第二电力线PL2提供的第二电源ELVSS之间的差对应。
在本公开中,像素PX的结构不应限于图8中所示的结构。根据本公开的另一实施例,可以以各种方式来实施像素PX以允许发光元件LD产生光和/或发光。
另外,虚设像素D-PX(参照图7)可以包括与图8中描述的像素PX相同的等效电路。即,虚设像素D-PX可以包括与上面限定的图8中描述的像素PX的导电布线和图案的布置关系相同的布局。在示例性实施例中,例如,虚设像素D-PX可以包括虚设像素电路和虚设发光元件。虚设像素电路可以对应于像素电路CC,虚设发光元件可以对应于发光元件LD。虚设像素电路可以限定显示面板DP的虚设堆叠结构,像素电路CC可以限定显示面板DP的堆叠结构。
图9是示出显示面板DP的实施例的放大剖视图。图9中的导电布线和图案的布置关系可以包括在像素PX中,而不限于此。
参照图9,第一绝缘层10可以设置在第二膜FL2上。第一绝缘层10可以包括阻挡层11和缓冲层12。
阻挡层11可以包括无机材料。阻挡层11可以减少或有效地防止通过第二膜FL2流入的氧或湿气进入限定在第二膜FL2上的像素PX(参照图6)和虚设像素D-PX(参照图6)。
缓冲层12可以包括无机材料。缓冲层12可以将比第二膜FL2的表面能低的表面能提供到像素PX,使得像素PX稳定地设置或形成在第二膜FL2上。
在图9中,阻挡层11和缓冲层12中的每个被示出为设置为单个,然而,这仅是示例性的。阻挡层11和缓冲层12中的每个可以设置为多个,阻挡层11可以与缓冲层12交替地堆叠。作为另一示例性实施例,阻挡层11和缓冲层12中的至少一个可以设置多个或可以被省略。
像素PX(参照图6)中的每个像素PX可以包括像素电路CC(参照图8)和发光层EML。图9仅示出了一个晶体管TR。晶体管TR可以对应于图8中描述的第六晶体管T6。
晶体管TR可以设置在第一绝缘层10上。晶体管TR可以包括半导体图案SP、控制电极CNE、第一电极ET1和第二电极ET2。半导体图案SP可以设置在第一绝缘层10上。半导体图案SP可以包括半导体材料。控制电极CNE可以与半导体图案SP间隔开,且第二绝缘层20置于控制电极CNE与半导体图案SP之间。
第一电极ET1和第二电极ET2可以通过在第二绝缘层20、第三绝缘层30和第四绝缘层40中的接触孔处分别穿过第二绝缘层20、第三绝缘层30和第四绝缘层40来分别连接到半导体图案SP的相对侧。根据本公开的示例性实施例的晶体管TR可以以各种堆叠结构来实施,并且不应限于图9中所示的结构。
上电极UE可以设置在第三绝缘层30与第四绝缘层40之间。上电极UE可以连接到图8中描述的电容器CP的电极。
第五绝缘层50可以设置在第四绝缘层40上以覆盖第一电极ET1和第二电极ET2。第五绝缘层50可以包括有机材料和/或无机材料,并且可以具有单层结构或多层结构。
像素电极PE可以设置在第五绝缘层50上。像素电极PE可以通过在第五绝缘层50中的接触孔处穿过第五绝缘层50电连接到晶体管TR。
在本公开中,从第一绝缘层10到像素电极PE的结构可以被称为“像素电路层PX-CL”。由像素电路CC(参照图8)限定的堆叠结构可以对应于像素电路层PX-CL的剖面结构。
第六绝缘层60可以设置在第五绝缘层50上。开口可以通过第六绝缘层60来限定,并且像素电极PE的至少一部分可以通过开口而被暴露。第六绝缘层60可以被称为“像素限定层”。第六绝缘层60中的开口可以对应于像素PX的发光区域,而不限于此。
发光层EML可以设置在通过由第六绝缘层60限定的开口而被暴露的像素电极PE上。发光层EML可以包括发光材料。在示例性实施例中,例如,发光层EML可以包括分别发射红光、绿光和蓝光的材料之中的至少一种材料。发光层EML可以包括荧光材料或磷光材料。发光层EML可以包括有机发光材料或无机发光材料。发光层EML可以通过前面提及的材料中的一种或更多种来限定堆叠结构。发光层EML可以响应于像素电极PE与共电极CE之间的电位差而发光。
共电极CE可以设置在发光层EML上。共电极CE可以从显示面板DP的有效区域AA(参照图6)延伸到显示面板DP的***区域NAA(参照图6)以具有单一的形式。共电极CE可以相对于多个像素PX(参照图6)共同地设置。
共电极CE可以包括透射导电材料或半透射导电材料。因此,由发光层EML产生的光可以在穿过共电极CE后沿着第三方向DR3容易地行进到显示面板DP外部(例如,顶表面发光方式)。然而,这仅是示例性的,根据本公开的示例性实施例的发光元件LD(参照图8)可以以后表面发光方式或多表面发光方式操作,在后表面发光方式中,像素电极PE包括透射材料或半透射材料,使得由发光层EML产生的光可以在穿过像素电极PE后沿着第三方向DR3容易地行进到显示面板DP外部,在多表面发光方式中,在显示面板DP的前表面和后表面两者处发光,并且不应限于具体的实施例。在本公开中,发光元件LD可以共同包括像素电极PE、发光层EML和共电极CE。
薄膜封装层TFE可以设置在共电极CE上以封装第二膜FL2上的发光层EML。薄膜封装层TFE可以从显示面板DP的有效区域AA(参照图6)延伸到显示面板DP的***区域NAA(参照图6)以具有单一的形式。尽管未在图中示出,但是还可以在共电极CE与薄膜封装层TFE之间设置覆盖层以覆盖共电极CE。
薄膜封装层TFE可以包括沿着第三方向DR3顺序堆叠的第一无机层EF1、有机层EF2和第二无机层EF3。即,薄膜封装层TFE可以限定包括第一无机层EF1、有机层EF2和第二无机层EF3之中的一个或更多个的堆叠结构。在本示例性实施例中,第一无机层EF1、有机层EF2和第二无机层EF3中的每个可以设置为单个,然而,这仅是示例性的。第一无机层EF1、有机层EF2和第二无机层EF3中的至少一个可以设置为多个或者可以被省略,然而,不应限于具体的实施例。
第一无机层EF1可以覆盖共电极CE。第一无机层EF1可以减少或有效防止外部的湿气或氧进入发光层EML。在示例性实施例中,例如,第一无机层EF1可以包括氮化硅、氧化硅或它们的组合。在制造显示装置DD的方法的实施例中,可以通过沉积工艺形成第一无机层EF1。
有机层EF2可以设置在第一无机层EF1上以与第一无机层EF1接触。有机层EF2可以在第一无机层EF1上提供平坦的表面。
由第一无机层EF1的上表面形成的不平坦的形状和存在于第一无机层EF1上的颗粒可以被有机层EF2覆盖,因此可以阻止第一无机层EF1的具有不平坦的形状或颗粒的上表面的表面状态对随后设置或形成在有机层EF2上的组件的影响。另外,有机层EF2可以缓解薄膜封装层TFE中的彼此接触的层之间的应力。有机层EF2可以包括有机材料并在制造显示装置DD的方法的实施例中可以通过诸如旋涂、狭缝涂覆或喷墨工艺的溶液工艺形成。
第二无机层EF3可以设置在有机层EF2上以覆盖有机层EF2。与其上设置或形成有第一无机层EF1的表面相比,第二无机层EF3可以稳定地设置或形成在相对平坦的表面上。第二无机层EF3可以封装或吸收从有机层EF2泄漏的湿气以减少或有效地防止湿气传递到第二无机层EF3的外部。第二无机层EF3可以包括氮化硅、氧化硅或它们的组合。在制造显示装置DD的方法的实施例中,可以通过沉积工艺设置或形成第二无机层EF3。
参照图9和下面描述的图10至图13,层11-P、12-P、20-P、30-P、40-P、UE-P、50-P、PE-P、60-P、EML-P、CE-P、EF1-P、EF2-P、EF3-P、ET2-P、SP-P、CNE-P和ET1-P可以分别对应于以上描述的层11、12、20、30、40、UE、50、PE、60、EML、CE、EF1、EF2、EF3、ET2、SP、CNE和ET1。
图10是示出图案膜FF-1的示例性实施例的放大剖视图。图10中的导电布线和图案的布置关系可以包括在虚设像素D-PX中,而不限于此。图2至图4中描述的图案膜FF和图案膜FFa可以包括图10的图案膜FF-1。
参照图9和图10,图案膜FF-1可以包括第一膜FL1和图案层PL-1。图案层PL-1可以从第一膜FL1依次包括第一子图案层SPL1、第二子图案层SPL2和第三子图案层SPL3。
第一子图案层SPL1可以设置在第一膜FL1的表面上,第二子图案层SPL2可以设置在第一子图案层SPL1上,第三子图案层SPL3可以设置在第第二子图案层SPL2上。
第一子图案层SPL1可以具有与像素电路层PX-CL的堆叠结构基本上相同的堆叠结构或者由与像素电路层PX-CL的堆叠结构基本上相同的堆叠结构限定。在显示装置DD的示例性实施例中,在第一膜FL1上设置第一子图案层SPL1的堆叠结构和在第二膜FL2上设置像素电路层PX-CL的堆叠结构可以通过相同的工艺设置或形成,而不限于此。在第一膜FL1上设置第一子图案层SPL1的堆叠结构可以包括与在第二膜FL2上设置像素电路层PX-CL的堆叠结构中包括的材料层相同的材料层中的一个或更多个的部分。
与第一子图案层SPL1相似,第二子图案层SPL2可以包括与发光层EML相同的层或相同的材料层或者由与发光层EML相同的层或相同的材料层限定。另外,与发光层EML一样,第二子图案层SPL2还可以包括具有与第六绝缘层60和共电极CE相同的材料和相同的结构的层。
与第一子图案层SPL1相似,第三子图案层SPL3可以具有与薄膜封装层TFE相同的堆叠结构。
根据本公开的示例性实施例,第一膜FL1上的图案层PL-1可以具有与设置在显示面板DP的第二膜FL2上的组件的堆叠结构和布局相同的堆叠结构和布局。在制造显示装置DD的方法的示例性实施例中,可以通过用于制造显示面板DP相同的工艺使用显示面板DP的与用于制造显示面板DP相同的材料或层来设置或形成图案层PL-1。
在使用多个第一掩模形成像素电路层PX-CL的情况下,第一子图案层SPL1可以使用具有与第一掩模相同的掩模图案的掩模来形成。在示例性实施例中,例如,在像素电路层PX-CL包括包含钛或钼的布线或信号线的情况下,第一子图案层SPL1可以具有包含与布线或信号线相同的材料和相同的图案的元件。第二子图案层SPL2可以使用与第六绝缘层60、发光层EML和共电极CE相同的材料或层以及与用于形成第六绝缘层60、发光层EML和共电极CE相同的工艺来设置或形成。另外,第三子图案层SPL3可以使用与薄膜封装层TFE相同的材料或层以及与用于形成薄膜封装层TFE相同的工艺来设置或形成。
从显示装置DD的外部入射到图案层PL-1的光的反射和折射的程度可以与从显示装置DD外部入射到显示面板DP的光的反射和折射的程度相似。即,显示面板DP的反射率和透射率可以与其中设置有图案层PL-1的图案膜FF-1的反射率和透射率基本上相同。
根据本公开的示例性实施例,图案膜FF-1(参照图10)的限定显示装置DD的边框区域NDA-D(参照图1)的图案层PL-1可以与显示面板DP(参照图9)的第二膜FL2上方的构造基本上相同。因此,不仅在诸如在日光下或在荧光灯下的多种环境下,而且在观看显示装置DD所处的各种角度下,显示装置DD的边框区域NDA-D(参照图1)可以具有与显示装置DD的显示区域DA-D(参照图1)的透射率、反射率和颜色相似的透射率、反射率和颜色。结果,当不显示图像时,可以使边框区域NDA-D与显示区域DA-D之间的边界的区别最小化。
图11是示出图案膜FF-2的另一示例性实施例的放大剖视图。
参照图9和图11,图案膜FF-2可以包括第一膜FL1和图案层PL-2。图案层PL-2可以包括第一子图案层SPL1a和第二子图案层SPL2a。
参照图10中描述的图案层PL-1,图11的图案层PL-2可以不包括与设置在像素电路层PX-CL和薄膜封装层TFE之间的组件对应的层。在示例性实施例中,例如,第一子图案层SPL1a可以具有与像素电路层PX-CL相同的堆叠结构,第二子图案层SPL2a可以具有与薄膜封装层TFE相同的堆叠结构。
由于图案层PL-2具有堆叠结构而不是通过印刷方法设置或形成的常规图案层,因此可以减小图案层PL-2与显示面板DP之间的反射率差异和图案层PL-2与显示面板DP之间的透射率差异。因此,当不显示图像时,可以提供其中使显示区域DA-D与边框区域NDA-D之间的区别最小化的显示装置DD。
图12是示出图案膜FF-3的又一示例性实施例的放大剖视图。
参照图9和图12,图案膜FF-3可以包括第一膜FL1和图案层PL-3。图案层PL-3可以包括第一子图案层SPL1b和第二子图案层SPL2b。参照图10中描述的图案层PL-1,图12的图案层PL-3可以不包括与薄膜封装层TFE对应的层。
第一子图案层SPL1b可以具有与像素电路层PX-CL相同的堆叠结构。第二子图案层SPL2b可以包括具有与发光层EML、第六绝缘层60和共电极CE相同的材料和相同的结构的层。
图13是示出图案膜FF-4的再一示例性实施例的放大剖视图。
参照图9和图13,图案膜FF-4可以包括第一膜FL1和图案层PL-4。参照图10中描述的图案层PL-1,图13的图案层PL-4可以不包括与显示面板DP的设置在像素电路层PX-CL上的层对应的层。因此,图案层PL-4可以具有与像素电路层PX-CL相同的堆叠结构。
参照图2至图4描述的图案膜FF和图案膜FFa可以改变为参照图10至图13描述的图案膜FF-1、FF-2、FF-3和FF-4。
尽管已经描述了本公开的示例性实施例,但是理解的是,发明不应限于这些示例性实施例,而是在如要求保护的本公开精神和范围内,本领域的普通技术人员可以进行各种改变和修改。因此,所公开的主题不应限于在此描述的任何单个实施例,并且发明的范围应根据权利要求来确定。

Claims (20)

1.一种显示装置,在所述显示装置中限定了显示区域和边框区域,所述显示装置包括:
显示面板,包括:有效区域和***区域,图像显示在所述有效区域处,所述***区域与所述有效区域相邻;第一膜,与所述有效区域和所述***区域对应;以及像素,位于所述第一膜上,所述像素包括像素电路和发光层,所述像素电路限定堆叠结构;
窗;以及
图案膜,位于所述显示面板与所述窗之间,所述图案膜包括:第二膜,包括分别与所述显示装置的所述显示区域和所述边框区域对应的第一区域和第二区域;以及图案层,位于所述第二膜上,在所述第二膜的所述第二区域中,
其中,所述图案膜的所述图案层包括与由所述显示面板的所述像素电路限定的堆叠结构相同的堆叠结构。
2.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括:偏振膜,位于所述窗与所述图案膜之间,其中,所述偏振膜与所述图案膜的所述第一区域和所述第二区域二者对应。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述显示面板还包括虚设像素,所述虚设像素包括虚设像素电路和虚设发光层。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述显示面板的所述像素与所述显示面板的所述有效区域对应,并且所述虚设像素与所述显示面板的所述***区域对应。
5.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述虚设像素设置为多个,所述虚设像素包括分别与所述图案膜的所述第一区域和所述第二区域对应的多个虚设像素。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述图案膜的所述图案层位于所述窗与所述图案膜的所述第二膜之间。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述图案层位于所述显示面板与所述图案膜的所述第二膜之间。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述图案层包括从所述第二膜依次设置的第一子图案层和第二子图案层,
所述第一子图案层具有与由所述像素电路限定的所述堆叠结构相同的堆叠结构,并且
所述第二子图案层包括与所述发光层相同的材料。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述显示面板还包括覆盖所述发光层的薄膜封装层。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,
所述薄膜封装层限定堆叠结构,
所述图案层包括从所述第二膜依次设置的第一子图案层和第二子图案层,
所述第一子图案层具有与由所述像素电路限定的所述堆叠结构相同的堆叠结构,并且
所述第二子图案层具有与由所述薄膜封装层限定的所述堆叠结构相同的堆叠结构。
11.根据权利要求9所述的显示装置,其中,
所述薄膜封装层限定堆叠结构,
所述图案层包括从所述第二膜依次设置的第一子图案层、第二子图案层和第三子图案层,
所述第一子图案层具有与由所述像素电路限定的所述堆叠结构相同的堆叠结构,
所述第二子图案层包括与所述发光层相同的材料,并且
所述第三子图案层具有与由所述薄膜封装层限定的所述堆叠结构相同的堆叠结构。
12.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括:着色粘合层,面对所述图案膜,且所述显示面板设置在所述着色粘合层与所述图案膜之间。
13.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括位于所述显示面板与所述图案膜的所述第二膜之间的输入感测层。
14.根据权利要求1所述的显示装置,其中,在与所述显示区域对应的区域处入射到所述显示装置的外部光的反射率和透射率分别等于在与所述边框区域对应的区域处入射到所述显示装置的外部光的反射率和透射率。
15.一种显示装置,在所述显示装置中限定了显示区域和边框区域,所述显示装置包括:
显示面板,包括在其处显示图像的有效区域和与所述有效区域相邻的***区域;
窗;以及
图案膜,位于所述显示面板与所述窗之间,所述图案膜包括:第一膜,包括与所述显示装置的所述显示区域对应的透射区域;以及图案层,位于所述第一膜上,并与所述显示装置的所述边框区域对应;
其中,在与所述显示区域对应的区域处入射到所述显示装置的外部光的反射率等于在与所述边框区域对应的区域处入射到所述显示装置的外部光的反射率。
16.根据权利要求15所述的显示装置,其中,
所述显示面板还包括:
第二膜,与所述有效区域和所述***区域对应,以及
像素,位于所述第二膜上,所述像素包括像素电路和发光层,所述像素电路限定堆叠结构,并且
所述图案层包括第一子图案层,所述第一子图案层具有与由所述像素电路限定的所述堆叠结构相同的堆叠结构。
17.根据权利要求16所述的显示装置,其中,
所述发光层限定堆叠结构,并且
所述图案层还包括第二子图案层,所述第二子图案层面对所述第一膜,且所述第一子图案层置于所述第二子图案层与所述第一膜之间,所述第二子图案层具有与由所述发光层限定的所述堆叠结构相同的堆叠结构。
18.根据权利要求16所述的显示装置,所述显示装置还包括覆盖所述像素的封装层,所述封装层限定堆叠结构,
其中,所述图案层还包括第二子图案层,所述第二子图案层面对所述第一膜,且所述第一子图案层置于所述第二子图案层与所述第一膜之间,所述第二子图案层具有与由所述封装层限定的所述堆叠结构相同的堆叠结构。
19.根据权利要求15所述的显示装置,所述显示装置还包括位于所述窗与所述图案膜之间的偏振膜,其中,所述偏振膜的平面面积等于所述窗的平面面积。
20.根据权利要求15所述的显示装置,其中,
所述显示面板还包括多个虚设像素,所述多个虚设像素均包括虚设像素电路和虚设发光层,
所述显示面板的所述像素与所述显示面板的所述有效区域对应,并且
所述多个虚设像素与所述图案膜的所述透射区域和所述图案层对应。
CN202010228444.6A 2019-03-28 2020-03-27 显示装置 Pending CN111755482A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2019-0036194 2019-03-28
KR1020190036194A KR20200115886A (ko) 2019-03-28 2019-03-28 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111755482A true CN111755482A (zh) 2020-10-09

Family

ID=69846302

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010228444.6A Pending CN111755482A (zh) 2019-03-28 2020-03-27 显示装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11579473B2 (zh)
EP (1) EP3719845A1 (zh)
KR (1) KR20200115886A (zh)
CN (1) CN111755482A (zh)

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009199852A (ja) 2008-02-21 2009-09-03 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置
JP2011204384A (ja) * 2010-03-24 2011-10-13 Canon Inc 表示装置
JP6217161B2 (ja) 2013-06-19 2017-10-25 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
KR20170039809A (ko) 2015-10-01 2017-04-12 삼성디스플레이 주식회사 윈도우 부재 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102435968B1 (ko) 2015-10-08 2022-08-26 삼성디스플레이 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치
KR102509524B1 (ko) 2016-05-04 2023-03-10 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20200310166A1 (en) 2020-10-01
US11579473B2 (en) 2023-02-14
KR20200115886A (ko) 2020-10-08
EP3719845A1 (en) 2020-10-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111341806B (zh) 显示装置
KR102607379B1 (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102662722B1 (ko) 표시장치
US11043656B2 (en) Display device incorporating a scattering pattern
US20200133438A1 (en) Display device
US20200125203A1 (en) Display device
US20220006039A1 (en) Display device and method for manufacturing the same
KR102646363B1 (ko) 표시 장치
US20220121301A1 (en) Display device
KR20210060711A (ko) 표시 장치
EP3719845A1 (en) Display device
CN111129337A (zh) 显示装置
KR20210060733A (ko) 표시 장치
US12052903B2 (en) Electronic device and method of manufacturing the same
TWI828751B (zh) 輸入感測單元及包含其之顯示裝置
US20220123072A1 (en) Electronic device and method of manufacturing the same
KR20230020051A (ko) 표시 장치
KR20230066193A (ko) 표시장치 및 이의 제조방법
CN117794296A (zh) 显示装置和制造显示装置的方法
TW202022452A (zh) 顯示裝置及顯示裝置製造方法
KR20210024272A (ko) 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination