CN111739827B - 半导体片材组件的制备方法及装置 - Google Patents

半导体片材组件的制备方法及装置 Download PDF

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Abstract

本发明实施例涉及一种半导体片材组件的制备方法及装置，该半导体片材组件的制备方法包括对半导体片材进行定位，并确定待开槽的第一区域及所述第一区域内的缺陷位置，沿所述第一区域中所述缺陷位置对半导体片材进行切割开槽，对切割开槽后的半导体片材进行裂片。

Description

半导体片材组件的制备方法及装置
技术领域
本发明实施例涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体片材组件的制备方法及装置。
背景技术
目前半导体片材的切割主要是通过激光划片及机械裂片、或者激光开槽以及冷热结合在半导体片材内部形成瞬间的压应力以及拉应力，从而将半导体片材切割成数个小半导体裂片。
然而现有技术中的方法仅仅考虑如何保证半导体裂片效率，而并未考虑半导体裂片切割后容易产生隐裂等问题。
发明内容
本发明实施方式的目的在于提供一种半导体片材组件的制备方法及装置，旨在降低半导体片材切割后容易产生隐裂的问题。
为解决上述技术问题，本发明的实施方式提供了一种半导体片材组件的制备方法，依次包括：
S1：对半导体片材进行定位，并确定待开槽的第一区域及所述第一区域内的缺陷位置；
S2：沿所述第一区域中所述缺陷位置对半导体片材进行切割开槽；
S3：对切割开槽后的半导体片材进行裂片。
本发明实施方式相对于现有技术而言通过对半导体片材进行定位，并确定待开槽的第一区域及所述第一区域内的缺陷位置，沿所述第一区域中所述缺陷位置对半导体片材进行切割开槽，对切割开槽后的半导体片材进行裂片，如此，通过沿所述第一区域中缺陷位置裂片降低半导体裂片切割后产生隐裂的情况。
优选地，在该制备方法中，所述步骤S1具体包括：
对半导体片材进行定位，确定待开槽的第一区域；
获取所述第一区域中多个位置的灰度值，将灰度值大于或等于50%的位置作为缺陷位置。
优选地，在该制备方法中，所述步骤S2包括沿所述第一区域中所述缺陷位置和边缘点对半导体片材进行切割开槽，其中所述边缘点为所述半导体片材的中间线与半导体片材边缘的交点。
优选地，在该制备方法中，所述步骤S2具体包括：
沿所述第一区域中所述缺陷位置对半导体片材进行间断性激光打点开槽。
优选地，在该制备方法中，所述步骤S3依次包括：
对切割开槽后的半导体片材进行加热处理；
对加热处理后的半导体片材冷却并腐蚀。
优选地，在该制备方法中，所述对加热处理后的半导体片材冷却并腐蚀的步骤，包括：
对加热处理后的半导体片材采用冷却液进行冷却并腐蚀，其中，所述冷却液为含具有腐蚀性的酸性或者碱性物质的冷却液。
优选地，在该制备方法中，在步骤S3之后，还包括如下步骤：
S4：将步骤S3中裂片形成的若干个半导体裂片的切割边缘朝第一方向依次排列设置，相邻的两个所述半导体裂片采用互联条连接。
优选地，在该制备方法中，在所述步骤S4中所述互联条具有沿第一方向延伸的第一段和第二段、以及分别与所述第一段和所述第二段连接的中间段，所述第一段与其中一个所述半导体裂片的上表面金属化电学连接，所述第二段与沿第一方向的下一个所述半导体裂片的下表面金属化电学连接，形成半导体片材串。
优选地，在该制备方法中，在所述步骤S4之后还包括如下步骤：
S5：将玻璃面板、第一胶膜、所述半导体片材串、第二胶膜、以及背板依次堆叠设置形成堆叠结构，对所述堆叠结构进行层压。
优选地，在该制备方法中，在所述步骤S5中，所述半导体片材串中所述切割边缘朝向所述玻璃面板设置。
为了实现上述目的，本发明还提供一种半导体片材组件的制备装置，包括：
定位检测结构，用于对半导体片材进行定位，并确定待开槽的第一区域及所述第一区域内的缺陷位置；
开槽结构，用于沿所述第一区域中所述缺陷位置对半导体片材进行切割开槽；
裂片结构，用于对切割开槽后的半导体片材进行裂片。
优选地，在该制备装置中，所述定位检测结构包括：
定位结构，用于对半导体片材进行定位，确定待开槽的第一区域；
检测结构，用于获取所述第一区域中多个位置的灰度值，将灰度值大于或等于50%的位置作为缺陷位置。
优选地，在该制备装置中，所述开槽结构还用于沿所述第一区域中所述缺陷位置和边缘点对半导体片材进行切割开槽，其中所述边缘点为所述半导体片材的中间线与半导体片材边缘的交点。
优选地，在该制备装置中，所述开槽结构包括激光开槽结构，所述激光开槽结构用于沿所述第一区域中所述缺陷位置对半导体片材进行间断性激光打点开槽。
优选地，在该制备装置中，所述裂片结构包括：
加热器，用于对切割开槽后的半导体片材进行加热处理；
冷却装置，用于对加热处理后的半导体片材冷却并腐蚀。
优选地，在该制备装置中，所述冷却装置含具有腐蚀性的酸性或者碱性物质的冷却液。
优选地，在该制备装置中，还包括连接结构，所述连接结构用于将裂片结构裂片形成的若干个半导体裂片的切割边缘朝第一方向依次排列设置，相邻的两个所述半导体裂片采用互联条连接，形成半导体片材串。
优选地，在该制备装置中，所述互联条具有沿第一方向延伸的第一段和第二段、以及分别与所述第一段和所述第二段连接的中间段，所述第一段与其中一个所述半导体裂片的上表面金属化电学连接，所述第二段与沿第一方向的下一个所述半导体裂片的下表面金属化电学连接。
优选地，在该制备装置中，还包括层压结构，所述层压结构用于将沿第二方向依次排列布置的玻璃面板、第一胶膜、半导体片材串、第二胶膜、以及背板依次堆叠设置形成堆叠结构，对所述堆叠结构进行层压。
优选地，在该制备装置中，所述半导体片材串中所述切割边缘朝向所述玻璃面板设置。
附图说明
一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。
图1为本发明半导体片材组件的制备方法第一实施例的流程示意图；
图2为本发明半导体片材组件的制备方法第二实施例的流程示意图；
图3为本发明半导体片材组件的制备方法第三实施例的流程示意图；
图4为本发明半导体片材组件的制备装置第一实施例的结构框图；
图5为本发明半导体片材串第二实施例的结构示意图；
图6为本发明半导体片材组件第三实施例的结构示意图；
图7为图6中半导体裂片的局部示意图；
图8为图7的右视图。
本发明附图标号说明：
标号 名称 标号 名称
11 定位检测结构 22 互联条
12 开槽结构 221 第一段
13 裂片结构 222 中间段
14 连接结构 223 第二段
15 层压结构 31 玻璃面板
2 半导体片材串 32 第一胶膜
21 半导体裂片 33 第二胶膜
211 切割边缘 34 背板
212 断裂面
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明，若本发明实施例中有涉及方向性指示（诸如上、下、左、右、前、后……），则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态（如附图所示）下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
另外，若本发明实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。
本发明提供了一种半导体片材组件的制备方法，请参阅图1，图1示出了本发明半导体片材组件的制备方法第一实施例的流程示意图。
在本实施例中，所述半导体片材组件的制备方法依次包括：
步骤S1：对半导体片材进行定位，并确定待开槽的第一区域及所述第一区域内的缺陷位置；
其中，若将半导体片材裂片形成两片，所述第一区域为沿所述半导体片材的中间线的预设范围内，在本实施例中，所述中间线的预设范围为中间线±0.05mm之间的区域。半导体片材也可以裂片形成多片，例如三片、四片、……，当裂片为多片时，第一区域为沿所述半导体片材的多等分的等分线的预设范围内，例如，当裂片为三片时，第一区域为沿所述半导体片材的三等分的等分线的预设范围内；当裂片为四片时，第一区域为沿所述半导体片材的四等分的等分线的预设范围内，……以此类推。而缺陷位置指的是半导体片材上存在裂纹或其他缺陷的位置。在本实施例中，半导体片材为光伏电池片。
在一个具体的实施例中，所述步骤S1依次包括步骤S11和步骤S12：
步骤S11：对半导体片材进行定位，确定待开槽的第一区域；
具体实现时，可以是通过定位结构对半导体片材进行定位，其中，定位结构可以是例如电荷耦合器件定位装置（CCD，Charge Coupled Device），也可以是采用其他摄像装置进行定位，在此不做具体限制。
步骤S12：获取所述第一区域中多个位置的灰度值，将灰度值大于或等于50%的位置作为缺陷位置。
在一个具体的实施例中，可以通过检测结构确认半导体片材在第一区域的缺陷分布情况，确定第一区域内的缺陷位置。具体的，检测结构可以是例如PL（光致发光）检测结构。其中，所述步骤S12中灰度值（gray-scale value）指的是黑白图像中点的颜色深度。由于缺陷位置的灰度值相较正常区域更大，因此在本实施例中将灰度值大于或等于灰度阀值的位置作为缺陷位置，在本实施例中，灰度阀值为50%。在其他实施例中，灰度阀值也可以为其他值，例如60%或70%等等。
步骤S2：沿所述第一区域中所述缺陷位置对半导体片材进行切割开槽；
其中，步骤S2也可以为包括：沿所述第一区域中所述缺陷位置和边缘点对半导体片材进行切割开槽，其中所述边缘点为所述半导体片材的中间线与半导体片材边缘的交点。在一个具体的实施例中，半导体片材为长方形，则该实施例中的半导体片材具有四条边缘。
所述步骤S2可以为沿所述第一区域中所述缺陷位置对半导体片材进行间断性激光打点开槽，其中，间断性激光打点开槽指的是通过激光器沿多个间隔设置的点打点开槽。通过间断性激光打点在沿在步骤S1中已确定的各缺陷位置进行打点开槽，半导体片材的损伤小，可以进一步降低半导体片材隐裂的发生。在其他实施例中，也可以采用刻蚀机进行开槽，也可以是采用其他常规的开槽方式，在此不做具体限制。
步骤S3：对切割开槽后的半导体片材进行裂片。
其中，所述步骤S3中对切割开槽后的半导体片材进行裂片可以采用常规的机械裂片，也可以冷热结合的裂片方式，例如采用激光束或者其他高能量密度的加热器根据开槽位置进行路径引导加热，在加热后再采用液体冷却方法对于加热区域进行处理，这样可以使该区域在冷热交替的过程中产生压应力和拉应力，从而导致半导体片材沿着引导路径裂片。由于传统的机械裂片是通过硬质件对半导体片材进行裂片，容易造成微裂纹，而本实施例采用冷热结合的裂片方式无需直接接触硬质件可以避免该情况的发生，避免裂片过程中裂纹的产生。在该实施例中，所述步骤S3依次包括：
步骤S31：对切割开槽后的半导体片材进行加热处理；
具体实现时，可以是采用高能量密度的加热器，激光束等加热。
步骤S32：对加热处理后的半导体片材冷却并腐蚀。
其中，所述步骤S32包括对加热处理后的半导体片材采用冷却液进行冷却并腐蚀，其中，所述冷却液为含具有腐蚀性的酸性或者碱性物质的冷却液。该步骤可以进一步减少半导体片材的微裂纹，并且，通过对裂片后的切割边缘和断裂面212进行形貌处理，可以提高断裂面212的平整度，其中，断裂面212为半导体片材自切割边缘断裂开形成的面。具体地，通过对裂片后的切割边缘和断裂面212腐蚀，可以减少裂片过程中微裂纹，提高半导体片材裂片后形成的断裂面212的平整度，降低断裂面212的微裂纹数量。在一个优选的实施例中，可以在步骤32中对半导体片材断裂面212主栅区域的微裂纹的平整度进行局部加强处理，从而减少甚至是消除微裂纹。其中，腐蚀性的酸性或碱性物质可以为常规的具有腐蚀性的酸性（如硫酸等）或碱性物质，在此不做具体限制。
本发明实施方式相对于现有技术而言通过对半导体片材进行定位，并确定待开槽的第一区域及所述第一区域内的缺陷位置，沿所述第一区域中所述缺陷位置对半导体片材进行切割开槽，对切割开槽后的半导体片材进行裂片，如此，通过沿所述第一区域中缺陷位置裂片降低半导体片材切割后产生隐裂的情况。
请参阅图2和图5，图2为本发明半导体片材组件的制备方法第二实施例的流程示意图。图5示出了本发明半导体片材串第二实施例的结构示意图。第二实施例提供的制备方法与第一实施例大致相同，主要区别在于在步骤S3之后，还包括步骤S4：将步骤S3中裂片形成的若干个半导体裂片21的切割边缘211朝第一方向依次排列设置，相邻的两个所述半导体裂片21采用互联条22连接。
基于上述第一实施例，在本实施中，在步骤S3之后，该半导体片材组件的制备方法还包括如下步骤：
步骤S4：将步骤S3中裂片形成的若干个半导体裂片21的切割边缘211朝第一方向依次排列设置，相邻的两个所述半导体裂片21采用互联条22连接，形成半导体片材串2。
其中，切割边缘211为半导体片材的切割开槽处（即半导体片材在切割开槽时的切割槽的内侧壁），以图5中半导体裂片21为例，图5中半导体裂片21的上边缘设有切割边缘211。所述步骤S4中第一方向通常为焊接时若干个半导体裂片21的传送方向。在本实施例中，第一方向可以是串焊机在焊接若干个半导体裂片21的传送方向。
具体地，在所述步骤S4中所述互联条22具有沿第一方向延伸的第一段221和第二段223、以及分别与所述第一段221和所述第二段223连接的中间段222，所述第一段221与其中一个所述半导体裂片21的上表面金属化电学连接，所述第二段223与沿第一方向的下一个所述半导体裂片21的下表面金属化电学连接，如此，若干个半导体裂片21的切割边缘211均朝第一方向设置，将若干个半导体裂片21串联连接，形成半导体片材串2，在本实施例中，半导体裂片21的数量为两个。通过将切割边缘211均朝第一方向设置，便于后续步骤中层压时使半导体片材串整体旋转180°使得半导体片材串2中所述切割边缘211朝向相同。本发明该实施例提供的半导体片材组件的制备方法可以通过互联条22将若干个半导体裂片串联在一起。
请参阅图3至图8，图3为本发明半导体片材组件的制备方法第三实施例的流程示意图，图6为本发明半导体片材组件第三实施例的结构示意图。图6中的半导体片材串的方向与图5中半导体片材串的方向不同，图6中将图5中半导体片材串整体旋转180°使得半导体片材串2中所述切割边缘211朝向所述玻璃面板设置。
基于上述第二实施例，在本实施中，在所述步骤S4之后该半导体片材组件的制备方法还包括如下步骤：
步骤S5：将玻璃面板31、第一胶膜32、所述半导体片材串2、第二胶膜33以及背板34依次堆叠设置形成堆叠结构，对所述堆叠结构进行层压。
在图6中，堆叠结构从上到下依次为：背板34、第二胶膜33、半导体片材串2、第一胶膜32、玻璃面板31。施加层压压力的方向为从上到下垂直于背板34的方向，也就是说，层压结构可以从图6上方向下施加压力至背板34，以使得整个堆叠结构被层压形成光伏组件。
图7为图6中半导体裂片21的局部示意图，图8为图7的右视图。半导体片材裂片后形成至少两个半导体裂片21，每一个半导体裂片21均具有断裂面212，断裂面212为半导体裂片21自切割边缘211断裂开形成的面。
具体的，在步骤S5中，半导体片材串2中的切割边缘211可以朝向玻璃面板31设置。如图6所示，每一个半导体裂片21的切割边缘211是朝下设置的，也就是朝向玻璃面板31。也就是说，半导体裂片21的切割边缘211位于远离施加层压压力的位置，这样可以使缓冲更充分，有效降低了层压过程中半导体片材中隐裂的产生。并且，优选地，每一个半导体裂片21的切割边缘211均不与互联条22接触，从而在层压时可以使多个半导体片材串2的切割边缘211避免直接与互联条22直接接触，进一步减少半导体片材中隐裂的产生。
图6中将半导体片材串2相较图5中半导体片材串2整体旋转180°后，半导体片材串2中所述切割边缘211朝向所述玻璃面板31设置，互联条22和玻璃面板31均为硬质材质，切割边缘211位于互联条22和玻璃面板31的一侧，从而在层压时可以使多个半导体片材串2的切割边缘211避免直接与硬质直接接触，缓冲更充分，有效降低了层压过程中隐裂的产生；反之，若半导体片材串2中所述切割边缘211背离所述玻璃面板设置，切割边缘211夹持在互联条22和玻璃面板31之间，层压时互联条22和玻璃面板31相互挤压切割边缘211，会导致容易产生隐裂。
具体实现时，在玻璃面板31、第一胶膜32、所述半导体片材串2、第二胶膜33、以及背板34堆叠后形成堆叠结构，进入层压机层压，压力施加的方向垂直于堆叠结构。层压的具体工艺为常规的层压技术（例如在经过削边、装框、功率测试及EL测试等工序完成组件制备），在此不做具体限制。
图4为本发明半导体片材组件的制备装置第一实施例的结构框图。如图4所示，本发明实施例提出的半导体片材组件的制备装置包括定位检测结构11、开槽结构12以及裂片结构13，定位检测结构11用于对半导体片材定位并确定待开槽的第一区域及第一区域中的缺陷位置，开槽结构12用于沿所述第一区域中缺陷位置进行切割开槽，裂片结构13用于对切割开槽后的半导体片材进行裂片。
其中，所述定位检测结构11包括定位结构以及检测结构，定位结构用于对半导体片材进行定位，确定待开槽的第一区域，其中，定位结构可以是例如电荷耦合器件定位装置（CCD，Charge Coupled Device），也可以是采用其他摄像装置进行定位，在此不做具体限制。检测结构用于获取半导体片材中所述第一区域的灰度值，将灰度值大于或等于50%的位置作为缺陷位置。具体的，检测结构可以是例如PL（光致发光）检测结构，在此不做具体限制。
所述开槽结构12可以采用常规的开槽方式，在一个优选的实施例中，开槽结构12可以是例如激光开槽结构，所述激光开槽结构用于沿所述第一区域中所述缺陷位置对半导体片材进行间断性激光打点开槽。
所述裂片结构13可以采用机械裂片结构，也可以采用冷热结合方式进行裂片，在本实施例中，所述裂片结构13包括加热器以及冷却装置，加热器用于对切割开槽后的半导体片材进行加热处理；冷却装置用于对加热处理后的半导体片材冷却并腐蚀。
进一步地，还包括有连接结构14，所述连接结构14用于将裂片结构13裂片形成的若干个半导体裂片21的切割边缘211朝第一方向依次排列设置，相邻的两个所述半导体裂片21采用互联条22连接，形成半导体片材串2。
进一步地，还包括有层压结构15，所述层压结构15用于将玻璃面板31、第一胶膜32、半导体片材串2、第二胶膜33、以及背板34依次堆叠设置，形成堆叠结构，将所述堆叠结构进行层压。在本实施例中，所述层压结构15为层压机。
需要说明的是，本发明提供的半导体片材组件的制备装置的实施例为半导体片材组件的制备方法对应的装置的实施例，因此本发明提供的装置的实施例可与半导体片材组件的制备方法实施例互相配合实施。半导体片材组件的制备方法的实施例中提到的相关技术细节在该半导体片材组件的制备装置中依然有效，在半导体片材组件的制备方法的实施例所能达到的技术效果在本发明提供的装置的实施例中也同样可以实现，为了减少重复，不再赘述。相应地，本发明提供的装置的实施例中提到的相关技术细节也可应用在半导体片材组件的制备方法的实施例中。
以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (16)

1.一种半导体片材组件的制备方法，其特征在于，依次包括：
步骤S1：对半导体片材进行定位，并确定待开槽的第一区域及所述第一区域内的缺陷位置；
步骤S2：沿所述第一区域中所述缺陷位置对半导体片材进行切割开槽；
步骤S3：对切割开槽后的半导体片材进行裂片，其中，所述步骤S3依次包括：
对切割开槽后的半导体片材进行加热处理；
对加热处理后的半导体片材采用冷却液进行冷却并腐蚀，其中，所述冷却液为含具有腐蚀性的酸性或者碱性物质的冷却液。
2.如权利要求1所述的半导体片材组件的制备方法，其特征在于，所述步骤S1具体包括：
对半导体片材进行定位，确定待开槽的第一区域；
获取所述第一区域中多个位置的灰度值，将灰度值大于或等于50%的位置作为缺陷位置。
3.如权利要求1所述的半导体片材组件的制备方法，其特征在于，所述步骤S2包括：
沿所述第一区域中所述缺陷位置和边缘点对半导体片材进行切割开槽，其中所述边缘点为所述半导体片材的中间线与半导体片材边缘的交点。
4.如权利要求1所述的半导体片材组件的制备方法，其特征在于，所述步骤S2具体包括：
沿所述第一区域中所述缺陷位置对半导体片材进行间断性激光打点开槽。
5.如权利要求1所述的半导体片材组件的制备方法，其特征在于，在步骤S3之后，还包括如下步骤：
S4：将步骤S3中裂片形成的若干个半导体裂片的切割边缘朝第一方向依次排列设置，相邻的两个所述半导体裂片采用互联条连接，其中，所述切割边缘为半导体片材在切割开槽时的切割槽的内侧壁。
6.如权利要求5所述的半导体片材组件的制备方法，其特征在于，在所述步骤S4中所述互联条具有沿第一方向延伸的第一段和第二段、以及分别与所述第一段和所述第二段连接的中间段，所述第一段与其中一个所述半导体裂片的上表面金属化电学连接，所述第二段与沿第一方向的下一个所述半导体裂片的下表面金属化电学连接，形成半导体片材串。
7.如权利要求5所述的半导体片材组件的制备方法，其特征在于，在所述步骤S4之后还包括如下步骤：
S5：将玻璃面板、第一胶膜、所述半导体片材串、第二胶膜、以及背板依次堆叠设置形成堆叠结构，对所述堆叠结构进行层压。
8.如权利要求7所述的半导体片材组件的制备方法，其特征在于，在所述步骤S5中，所述半导体片材串中所述切割边缘朝向所述玻璃面板设置。
9.一种半导体片材组件的制备装置，其特征在于，包括：
定位检测结构，用于对半导体片材进行定位，并确定待开槽的第一区域及所述第一区域内的缺陷位置；
开槽结构，用于沿所述第一区域中所述缺陷位置对半导体片材进行切割开槽；
裂片结构，用于对切割开槽后的半导体片材进行裂片，其中，所述裂片结构包括：
加热器，用于对切割开槽后的半导体片材进行加热处理；
冷却装置，用于对加热处理后的半导体片材冷却并腐蚀，所述冷却装置含具有腐蚀性的酸性或者碱性物质的冷却液。
10.如权利要求9所述的半导体片材组件的制备装置，其特征在于，所述定位检测结构包括：
定位结构，用于对半导体片材进行定位，确定待开槽的第一区域；
检测结构，用于获取所述第一区域中多个位置的灰度值，将灰度值大于或等于50%的位置作为缺陷位置。
11.如权利要求9所述的半导体片材组件的制备装置，其特征在于，所述开槽结构还用于沿所述第一区域中所述缺陷位置和边缘点对半导体片材进行切割开槽，其中所述边缘点为所述半导体片材的中间线与所述半导体片材的边缘的交点。
12.如权利要求9所述的半导体片材组件的制备装置，其特征在于，所述开槽结构包括激光开槽结构，所述激光开槽结构用于沿所述第一区域中所述缺陷位置对半导体片材进行间断性激光打点开槽。
13.如权利要求9所述的半导体片材组件的制备装置，其特征在于，还包括连接结构，所述连接结构用于将裂片结构裂片形成的若干个半导体裂片的切割边缘朝第一方向依次排列设置，相邻的两个所述半导体裂片采用互联条连接，形成半导体片材串，其中，所述切割边缘为半导体片材在切割开槽时的切割槽的内侧壁。
14.如权利要求13所述的半导体片材组件的制备装置，其特征在于，所述互联条具有沿第一方向延伸的第一段和第二段、以及分别与所述第一段和所述第二段连接的中间段，所述第一段与其中一个所述半导体裂片的上表面金属化电学连接，所述第二段与沿第一方向的下一个所述半导体裂片的下表面金属化电学连接。
15.如权利要求14所述的半导体片材组件的制备装置，其特征在于，还包括层压结构，所述层压结构用于将玻璃面板、第一胶膜、半导体片材串、第二胶膜、以及背板依次堆叠设置形成堆叠结构，对所述堆叠结构进行层压。
16.如权利要求15所述的半导体片材组件的制备装置，其特征在于，所述半导体片材串中所述切割边缘朝向所述玻璃面板设置。
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