CN111697030A - 显示装置 - Google Patents

Abstract

公开了显示装置。显示装置包括衬底、多个扫描线、多个数据线和多个扇出单元，其中，衬底包括显示区域和显示区域周围的***区域，多个扫描线在显示区域中在第一方向上延伸，多个数据线在显示区域中在与第一方向相交的第二方向上延伸，并且多个扇出单元位于***区域中，多个扇出单元中的每个包括与多个数据线电连接的扇出线，其中，在多个扇出单元中的每个中，扇出线包括交替地布置并且位于不同层上的第一扇出线和第二扇出线，并且相邻的最外侧扇出线为第一扇出线或第二扇出线，相邻的最外侧扇出线分别包括在多个扇出单元之中彼此相邻的两个扇出单元中。

Description

显示装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年3月12日提交的韩国专利申请第10-2019-0028156号的优先权和权益，该韩国专利申请出于所有目的通过引用并入本文，如同在本文中全面阐述一样。

技术领域

本发明的示例性实施方式涉及显示装置，并且更具体地，涉及具有使信号干扰最小化的数据扇出单元的显示装置。

背景技术

随着可视化地表达诸如数据和图像的各种类型的电信号信息的显示领域的迅速发展，已经推出了具有诸如薄型外形、轻便和低功耗的优异特性的各种平面显示装置，并且这些显示装置的分辨率也得到了提高。

当增加显示装置的分辨率时，将电信号传输到显示区域的布线的数量不可避免地增加，并且其结果，显示装置的图像品质可能因当减小相邻布线之间的间隔时发生的意外联接(干扰)而降低。

在背景技术部分中公开的上述信息仅用于理解本发明概念的背景，并因此，其可能包含不构成现有技术的信息。

发明内容

申请人发现，通过将相邻的信号线布置在不同层中，能够减少或防止显示装置中的信号线(如数据扇出线)之间的干扰。申请人还发现，将相邻的数据扇出单元的最外侧线布置在相同层中可能降低例如在亮度中不期望的偏差。

根据本发明的概念和示例性实施方式构成的显示装置提供优异的图像品质，并且防止或减少在将电信号传输到显示区域的布线之间的干扰的发生。例如，根据一个或多个示例性实施方式，将电信号施加到显示区域的扇出单元中的至少一些包括位于不同层上并且交替地布置的第一扇出线和第二扇出线，从而减少或防止扇出线之间的干扰。

而且，根据一个或多个示例性实施方式，布置在彼此相邻的两个相邻的扇出单元中的最外侧扇出线包括位于相同层上的第一扇出线或第二扇出线，从而最小化或防止显示装置中的亮度偏差的发生。

本发明概念的额外的特征将在下面的描述中阐述，并且部分地将通过该描述而显而易见，或者可通过实践本发明概念而习得。

根据一个或多个实施例，显示装置包括衬底、多个扫描线、多个数据线和多个扇出单元，其中，衬底包括显示区域和显示区域周围的***区域，多个扫描线在显示区域中在第一方向上延伸，多个数据线在显示区域中在与第一方向相交的第二方向上延伸，并且多个扇出单元位于***区域中，多个扇出单元中的每个包括与多个数据线中的至少一些电连接的扇出线，其中，在多个扇出单元中的每个中，扇出线包括交替地布置并且位于不同层上的第一扇出线和第二扇出线，并且相邻的最外侧扇出线为第一扇出线或第二扇出线，上述相邻的最外侧扇出线分别包括在多个扇出单元之中彼此相邻的两个扇出单元中。

包括在多个扇出单元之中彼此相邻的两个扇出单元中的第一扇出线和第二扇出线可布置成相对于最外侧扇出线彼此对称。

多个扇出单元中的每个可包括与显示区域相邻的接触单元、与接触单元相对地定位的焊盘单元、以及位于接触单元与焊盘单元之间的扩展单元，并且扩展单元可包括第一区、以及位于第一区的相对两侧上的第二区和第三区，并且多个扇出单元可在第一区中包括弯曲图案。

第二区的形状和第三区的形状可彼此不同。

多个像素可布置在显示区域中，多个像素电连接到多个扫描线和多个数据线，并且多个像素中的每个可包括具有薄膜晶体管的像素电路、以及电连接到薄膜晶体管的发光元件。

薄膜晶体管可包括有源层、栅电极、源电极和漏电极，第一栅极绝缘层可布置在有源层与栅电极之间，第二栅极绝缘层可布置在栅电极与源电极和漏电极之间，并且第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层中的每个可延伸到***区域并且包括无机材料。

栅电极和第一扇出线可布置在相同层上，并且可包括相同的材料。

第二扇出线可布置在第二栅极绝缘层上。

显示装置还可包括位于第二扇出线上的层间绝缘层，其中，源电极和漏电极可在显示区域中布置在层间绝缘层上。

发光元件可包括有机发光二极管。

应理解，前面的一般描述和下面的详细描述都是示例性和解释性的，并且旨在提供对所要求保护的本发明的进一步解释。

附图说明

附图被包括以提供对本发明的进一步理解并且被并入并构成本说明书的一部分，附图示出了本发明的示例性实施例并且与描述一同用于解释本发明概念。

图1是根据本发明概念构成的显示装置的示例性实施例的平面图；

图2是图1的显示装置的一个代表性(子)像素的等效电路图；

图3是沿图1的线I-I'截取的剖面的实例的剖面图；

图4是图1的显示装置的第一扇出单元和相邻的第二扇出单元的放大平面图；

图5是沿图4的线II-II'截取的剖面的实例的剖面图；以及

图6是沿图4的线III-III'截取的剖面的实例的剖面图。

具体实施方式

在下面的描述中，为了解释的目的，阐述了许多具体细节以提供对本发明的各种示例性实施例或实施方式的透彻理解。如本文中所使用的，“实施例”和“实施方式”为可互换的词，它们是采用本文中所公开的本发明概念中的一种或多种的装置或方法的非限制性实例。然而，显而易见的是，各种示例性实施例可在没有具体细节的情况下或者用一个或多个等同布置的情况下实践。在其它实例中，公知的结构和装置以框图形式示出以避免不必要地混淆各种示例性实施例。另外，各种示例性实施例可以不同，但不必是排他的。例如，在不背离本发明概念的情况下，示例性实施例的特定形状、配置和特性可在另一示例性实施例中使用或实现。

除非另有说明，否则所示的示例性实施例应被理解为提供能够在实践中实现本发明概念的一些方式的不同细节的示例性特征。因此，除非另有说明，否则各种实施例的特征、部件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(在下文中单独称为或统称为“元件”)可在不背离本发明概念的情况下以其它方式组合、分离、互换和/或重新布置。

交叉影线和/或阴影在附图中的使用通常被提供以阐明相邻元件之间的边界。由此，除非另有说明，否则无论交叉影线或阴影存在与否都不会传达或表明对特定材料、材料特性、尺寸、比例、所示元件之间的共性和/或元件的任何其它特性、属性、性能等的任何偏好或要求。另外，在附图中，出于清楚和/或描述的目的，元件的尺寸和相对尺寸可被夸大。当示例性实施例可不同方式实现时，具体工艺顺序可与所描述的顺序不同地执行。例如，两个连续描述的工艺可基本上同时进行或者以与描述的顺序相反的顺序进行。此外，相似的附图标记表示相似的元件。

当元件(例如，层)被称为在另一元件或层“上”，“连接到”或“联接到”另一元件或层时，该元件(例如，层)可直接在另一元件或层上，连接到或联接到另一元件或层，或者可存在有中间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接”在另一元件或层“上”，“直接连接到”或“直接联接到”另一元件或层时，则不存在中间元件或层。为此，措辞“连接”可指示在具有或不具有中间元件的情况下的物理、电气和/或流体连接。另外，D1-轴、D2-轴和D3-轴不限于直角坐标系的三个轴(诸如x-轴、y-轴和z-轴)，并且可被解释为更广泛的含义。例如，D1-轴、D2-轴和D3-轴可彼此垂直，或者可表示彼此不垂直的不同方向。为了这种公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”和“选自由X、Y和Z构成的集群中的至少一个”可被解释为仅X、仅Y、仅Z或X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合，例如XYZ、XYY、YZ和ZZ。如本文中所使用的，措辞“和/或”包括相关所列项目中的一个或多个的任一个和所有组合。

虽然措辞“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种类型的元件，但是这些元件不应受这些措辞的限制。这些措辞用于将一个元件与另一个元件区分开。因此，在不背离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可被称为第二元件。

空间相对措辞，诸如“下面(beneath)”、“下方(below)”、“之下(under)”“下(lower)”、“上方(above)”、“上(upper)”、“之上(over)”、“更高(higher)”、“侧(side)”(例如，如在“侧壁(sidewall)中”)等，可在本文中出于描述性目的使用，并因此，用以描述如图中所示的一个元件与另一个元件的关系。除了图中描绘的取向以外，空间相对措辞还旨在涵盖装置在使用、操作和/或制造中的不同取向。例如，如果图中的装置被翻转，则被描述为在其它元件或特征“下方”或“下面”的元件将随后被取向为在其它元件或特征“上方”。因此，示例性措辞“下方”可包含上方和下方的取向这两者。此外，装置可其它方式取向(例如，旋转90度或在其它取向)，并由此，本文中使用的空间相对描述词被相应地解释。

本文中所使用的术语是出于描述特定实施例的目的，而不旨在限制。除非上下文另有明确说明，否则如本文所使用的单数形式“一(a)”、“一(an)”和“该(the)”也旨在包括复数形式。此外，当措辞“包括(comprise)”、“包括有(comprising)”、“包含(include)”和/或“包含有(including)”在本说明书中使用时指示所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其集群的存在，但不排除一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其集群的存在或添加。还注意，如本文所使用的，措辞“基本上(substantially)”、“约(about)”以及相似措辞用作近似的措辞而不是程度的措辞，并且由此，用于考虑本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供值的固有偏差。

本文中参照作为理想化的示例性实施例和/或中间结构的示意性图示的剖面图和/或分解图对各种示例性实施例进行描述。由此，由例如制造技术和/或公差的结果所导致的图示的形状的变化是可预期的。因此，本文中所公开的示例性实施例不应必须被解释为受限于特定所示的区域形状，而是包括由例如制造导致的形状上的偏差。通过这种方式，图中所示的区域本质上可为示意性的，并且这些区域的形状可不反映装置的区域的实际形状，并由此并不必须旨在限制。

除非另有限定，否则本文中所使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本公开所属技术领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。除非在本文中明确地这样限定，否则术语(诸如常用词典中限定的那些术语)应被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义一致的含义，并且不应以理想化或过于正式的含义来解释。

在下文中，将参照示出了本发明的示例性实施例的附图，对本公开进行更加全面的描述。当参考附图进行描述时，附图中相同的附图标记表示相同或相应的元件。

图1是根据示例性实施例的显示装置10的平面图，并且图2是图1的显示装置10的一个(子)像素的等效电路图。

参照图1，根据示例性实施例的显示装置10包括显示图像的显示区域DA和位于显示区域DA外部的***区域PA。可理解，衬底100包括显示区域DA和***区域PA。

在第一方向上延伸的多个扫描线SL和在与第一方向相交的第二方向上延伸的多个数据线DL可布置在显示区域DA中。多个数据扇出单元DF和多个栅极扇出单元GF可布置在***区域PA中。多个数据扇出单元DF可布置在与扫描线SL大致平行地延伸的行中，而多个栅极扇出单元GF可布置在与数据线DL大致平行地延伸的列中。

每个数据扇出单元DF包括多个数据扇出线DFL。每个数据扇出线DFL的一端部电连接到对应的数据焊盘DP，并且其另一端部电连接到对应的数据线DL。每个数据扇出单元DF中的数据扇出线DFL之间的间隔(间距)从数据线DL朝向数据焊盘DP变窄。

诸如驱动集成电路的外部装置可电连接到数据焊盘DP。例如，包括数据驱动器的驱动集成电路可以以玻璃载芯片(COG)方法与数据焊盘DP接合，并且安装在衬底100的***区域PA中。作为另一实例，数据焊盘DP可连接到已布置有驱动集成电路的柔性印刷电路板。

每个栅极扇出单元GF包括多个栅极扇出线GFL。每个栅极扇出线GFL的一端部电连接到对应的栅极焊盘GP，并且其另一端部电连接到对应的扫描线SL。每个栅极扇出单元GF中的栅极扇出线GFL之间的间隔(间距)从扫描线SL朝向栅极焊盘GP变窄。

诸如驱动集成电路的外部装置可电连接到栅极焊盘GP。例如，包括栅极驱动器的驱动集成电路可以以玻璃载芯片(COG)方法与栅极焊盘GP接合，并且安装在衬底100的***区域PA中。作为另一实例，栅极焊盘GP可连接到已布置有驱动集成电路的柔性印刷电路板。

显示区域DA中数据线DL和扫描线SL彼此相交的部分中形成有多个(子)像素P，(子)像素P电连接到数据线DL和扫描线SL。

图2示出了一个(子)像素P的等效电路图的实例。参照图2，(子)像素P可包括像素电路PC和发光元件，像素电路PC连接到扫描线SL和数据线DL，并且发光元件连接到像素电路PC。例如，发光元件可包括有机发光二极管OLED。

像素电路PC可包括驱动薄膜晶体管Td、开关薄膜晶体管Ts和存储电容器Cst。开关薄膜晶体管Ts可连接到扫描线SL和数据线DL，并且可响应于通过扫描线SL输入的扫描信号而将通过数据线DL输入的数据信号传输到驱动薄膜晶体管Td。存储电容器Cst可连接到开关薄膜晶体管Ts和驱动电压线PL，并且可存储与从开关薄膜晶体管Ts传输的电压和供给到驱动电压线PL的驱动电压ELVDD之间的差异对应的电压。

驱动薄膜晶体管Td可连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可响应于存储在存储电容器Cst中的电压来控制从驱动电压线PL流过有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可通过使用驱动电流来发射具有预定亮度的光。有机发光二极管OLED可发射例如红色光、绿色光、蓝色光或白色光。另外，第二电压ELVSS可供给到有机发光二极管OLED。

虽然图2示出了一个(子)像素P包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器的情况，但是示例性实施例不限于此。在另一示例性实施例中，一个(子)像素P的像素电路PC可包括三个或更多个薄膜晶体管或者两个或更多个存储电容器。可进行各种修改。

图3是沿图1的线I-I'截取的剖面的实例的剖面图。在下文中，参照图3对一个(子)像素的结构进行详细描述。

参照图3，薄膜晶体管210和发光元件310可布置在衬底100上方，发光元件310电连接到薄膜晶体管210。例如，发光元件310可包括有机发光二极管OLED，并且薄膜晶体管210可对应于参照图2描述的像素电路PC(参见图2)的驱动薄膜晶体管Td(参见图2)。虽然为了描述的便利图3仅示出了一个薄膜晶体管210，但是参照图2描述的开关薄膜晶体管Ts(参见图2)和存储电容器Cst(参见图2)也形成在衬底100上方。

衬底100可包括各种材料，诸如包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)和聚酰亚胺(PI)的塑料材料。例如，衬底100可包括各种柔性或可弯曲材料。衬底100可包括聚合物树脂，诸如聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)和乙酸丙酸纤维素(CAP)。衬底100可包括包含两个层和阻挡层的多层，两个层分别包括这些聚合物树脂，阻挡层在两个层之间包括无机材料，并且无机材料包括SiO_x、SiN_x和SiON。衬底100可进行各种修改。

缓冲层110可布置在衬底100上。缓冲层110可在衬底100上提供平坦的表面，并且阻挡异物等穿透衬底100。例如，缓冲层110可包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钛或氮化钛的无机材料、或者诸如聚酰亚胺、聚酯和丙烯酸的有机材料。缓冲层110可包括包含上述示例性材料中的多种的堆叠体。

薄膜晶体管210可包括有源层211、栅电极213、源电极215a和漏电极215b。在下文中，描述针对薄膜晶体管210为顶栅型薄膜晶体管的示例性情况，其中有源层211、栅电极213、源电极215a和漏电极215b顺序地形成。然而，示例性实施例不限于此，并且可实现如底栅型薄膜晶体管的各种类型的薄膜晶体管210。

有源层211可包括诸如非晶硅或多晶硅的半导体材料。然而，示例性实施例不限于此，并且有源层211可包括各种材料。在示例性实施例中，有源层211可包括有机半导体材料。在另一示例性实施例中，有源层211可包括氧化物半导体材料。例如，有源层211可包括第12族、第13族和第14族金属元素，诸如Zn、In、Ga、Sn、Cd、Ge以及它们的组合材料的氧化物。

第一栅极绝缘层12 1布置在有源层211上。第一栅极绝缘层121可包括包含诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料的单层或多层。第一栅极绝缘层121可使有源层211与栅电极213绝缘，并且不仅可延伸到显示区域DA，而且还可延伸到***区域PA。

栅电极213布置在第一栅极绝缘层121上。栅电极213可连接到将导通/关断信号施加到薄膜晶体管210的栅极线。栅电极213可包括低电阻金属材料。例如，栅电极213可包括包含Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和Cu中的至少一种的单层或多层。

第二栅极绝缘层122布置在栅电极213上。第二栅极绝缘层122可包括包含诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料的单层或多层，并且可延伸到***区域PA。

布置在第二栅极绝缘层122上的层间绝缘层131不仅可延伸到显示区域DA，而且还可延伸到***区域PA。层间绝缘层131可包括包含无机材料的单层或多层。例如，无机材料可包括金属氧化物或金属氮化物。具体地，无机材料可包括SiO₂、SiN_x、SiON、Al₂O₃、TiO₂、Ta₂O₅、HfO₂或ZrO₂。

源电极215a和漏电极215b布置在层间绝缘层131上。即，第二栅极绝缘层122和层间绝缘层131使源电极215a和漏电极215b与栅电极213绝缘。

源电极215a和漏电极215b可包括包含Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和Cu中的至少一种的单层或多层。例如，源电极215a和漏电极215b可具有包括Ti、Al和Ti的三层堆叠结构。

源电极215a和漏电极215b可通过形成在第一栅极绝缘层121、第二栅极绝缘层122和层间绝缘层131中的接触孔分别连接到有源层211的源区和漏区。

平坦化层140布置在源电极215a和漏电极215b上。平坦化层140通过解决因薄膜晶体管210引起的高度中的台阶差来防止发光元件310发生缺陷。平坦化层140可包括包含有机材料的单层或多层。有机材料可包括诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸基聚合物、酰亚胺基聚合物、芳基醚基聚合物、酰胺基聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物或其共混物。

发光元件310可布置在平坦化层140上，发光元件310包括像素电极311、公共电极315和中间层313，并且中间层313布置在像素电极311与公共电极315之间并且包括发射层。例如，发光元件310可包括有机发光二极管。

像素电极311可布置在平坦化层140上并且通过形成在平坦化层140中的接触孔电连接到其下方的薄膜晶体管210。像素电极311可具有各种形状，并且例如可通过光刻法图案化为岛型形状。

像素电极311可包括例如反射电极。例如，像素电极311可包括反射层和布置在反射层上的透明或半透明电极层，反射层包括Ag、Mg、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr及其化合物中的至少一种。透明或半透明电极层可包括ITO、IZO、ITZO、GZO和IGZO中的至少一种。

例如，像素电极311可具有堆叠结构，该堆叠结构包括作为透明或半透明电极层的第一导电层、包含Ag的第二导电层以及作为透明或半透明电极层的第三导电层。而且，包含Ag的第二导电层还可包括原子半径等于或小于Ag的原子半径的合金元素，以防止Ag的内聚。合金元素可包括Zn、Ni、Co、Cu、Ga、Ge、Pt、Sb、Mn、W和Mo中的至少一种。

平坦化层140上形成有像素限定层150，像素限定层150覆盖像素电极311的边缘。像素限定层150通过包括与每个像素对应的开口(即，至少暴露像素电极311的中心部分的开口)来限定像素。而且，像素限定层150可通过增加像素电极311的边缘和公共电极315的边缘之间的距离来防止在像素电极311的边缘和公共电极315的边缘之间发生电弧等。像素限定层150可包括至少一种有机绝缘材料并且可通过旋涂来形成，该至少一种有机绝缘材料包含聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烷和酚醛树脂。

中间层313可布置在像素电极311的通过像素限定层150的开口暴露的部分上。中间层313可包括低分子量材料或聚合物材料。在中间层313包括低分子量材料的情况下，中间层313可具有空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)等被堆叠成单个或复合配置的结构。中间层313可包括各种有机材料，诸如铜酞菁(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基联苯胺(NPB)和三-8-羟基喹啉铝(Alq3)。这些层可通过真空沉积形成。

在中间层313包括聚合物材料的情况下，中间层313可具有包括HTL和EML的结构。在这种情况下，HTL可包括PEDOT，并且EML可包括聚合物材料，诸如聚亚苯基亚乙烯(PPV)基材料和聚芴基材料。中间层313的结构不限于此，并且可进行各种修改。例如，中间层313可包括在多个像素电极311上方是一体的层，或者包括与多个像素电极311中的每个对应的图案化层。

公共电极315可布置成覆盖显示区域DA。即，公共电极315可提供为一体以覆盖多个发光元件310。公共电极315可包括透明或半透明电极，并且包括金属薄层，该金属薄层具有小的功函数并且包括Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg及其化合物中的至少一种。而且，金属薄层上还可形成有包括用于透明电极的材料的辅助电极层或总线电极，用于透明电极的材料包括ITO、IZO、ZnO或In₂O₃。因此，公共电极315可透射从包括在中间层313中的有机发射层发射的光。即，从有机发射层发射的光可直接发射到公共电极315，或者被包括反射电极的像素电极311反射且然后发射到公共电极315。

然而，根据所示示例性实施例的图1的显示装置10不限于顶部发射型显示装置，并且可为从有机发射层发射的光发射到衬底100的底部发射型显示装置。在这种情况下，像素电极311可包括透明或半透明电极，并且公共电极315可包括反射电极。而且，图1的显示装置10可为在包括顶侧和底侧的两个方向上发射光的双发射型显示装置。

图4是图1的显示装置10的数据扇出单元的放大平面图，图5是沿图4的线II-II'截取的剖面的实例的剖面图，并且图6是沿图4的线III-III'截取的剖面的实例的剖面图。

图4示出了彼此相邻的第一数据扇出单元DF1和第二数据扇出单元DF2。第一数据扇出单元DF1和第二数据扇出单元DF2表示在图1中所示的多个数据扇出单元DF之中彼此相邻的两个数据扇出单元DF。而且，尽管下面描述了第二数据扇出单元DF2，但是该描述可适用于第一数据扇出单元DF1。

多个数据扇出线DFL布置在第二数据扇出单元DF2中。每个数据扇出线DFL的一端部连接到数据焊盘DP中的一个，而其另一端部连接到数据线DL(参见图1)。

数据扇出线DFL在数据扇出单元中彼此间隔开。数据扇出单元可包括焊盘单元SA1、接触单元SA5和扩展单元。扩展单元可包括第一区SA2、第二区SA3和第三区SA4。虽然在图4中示出了第二区SA3和第三区SA4具有相同的形状，但是示例性实施例不限于此。即，第二区SA3和第三区SA4可具有不同的形状或不同的面积。

接触单元SA5可与显示区域DA(参见图1)相邻，并且多个数据焊盘DP布置在与接触单元SA5相对地定位的焊盘单元SA1中。

第一区SA2、第二区SA3和第三区SA4布置在焊盘单元SA1与接触单元SA5之间。第二区SA3和第三区SA4布置在第一区SA2的相对两侧上。在附图中，第二区SA3和第三区SA4可具有三角形形状，并且第一区SA2可具有倒三角形形状。

数据扇出线DFL可连接到焊盘单元SA1中的数据焊盘DP，并且布置成使得数据扇出线DFL之间的间隔(间距)为恒定的。

数据扇出线DFL从焊盘单元SA1延伸到第一区SA2。在第一区SA2中，数据扇出线DFL布置成使得数据扇出线DFL之间的间距为大致恒定的。

与此同时，由于数据焊盘DP之间的间距小于显示区域DA(参见图1)的数据线DL(参见图1)之间的间距，因此数据扇出线DFL在第二区SA3和第三区SA4中在倾斜方向上扩展并延伸。数据扇出线DFL之间的间距在第二区SA3和第三区SA4中朝向接触单元SA5增加。结果，数据扇出线DFL的长度可从第二数据扇出单元DF2的中心朝向第二数据扇出单元DF2的外侧增加。

因此，数据扇出线DFL之间的电阻中的差异可能取决于第二数据扇出单元DF2的位置而发生。为了防止这种情况，数据扇出线DFL可包括位于第一区SA2中的弯曲图案。例如，图案可包括锯齿形图案。而且，从第一区SA2的边缘朝向第一区SA2的中心可通过增加的图案的弯曲次数来减小数据扇出线DFL之间的电阻中的差异。

数据扇出线DFL可包括交替地布置的第一数据扇出线DFL1和第二数据扇出线DFL2。在这种情况下，如图5中所示，第一数据扇出线DFL1和第二数据扇出线DFL2可位于不同层上。

例如，第一数据扇出线DFL1可位于第一栅极绝缘层121上，并且第二数据扇出线DFL2可位于覆盖第一数据扇出线DFL1的第二栅极绝缘层122上。即，第一数据扇出线DFL1和栅电极213(参见图3)可由相同的材料同时形成。层间绝缘层131、平坦化层140和像素限定层150可顺序地堆叠在第二数据扇出线DFL2上。

如上所述，当交替地布置的第一数据扇出线DFL1和第二数据扇出线DFL2位于不同层上时，与第一数据扇出线DFL1和第二数据扇出线DFL2位于相同层上的情况相比，由于第一数据扇出线DFL1与第二数据扇出线DFL2之间的间距可减小，因此即使第一数据扇出线DFL1和第二数据扇出线DFL2的数量增加，也能够防止或最小化彼此相邻的第一数据扇出线DFL1与第二数据扇出线DFL2之间的短路和干扰的发生。

位于不同层上的第一数据扇出线DFL1和第二数据扇出线DFL2意味着通过不同的工艺形成第一数据扇出线DFL1和第二数据扇出线DFL2。这意味着：因为第一数据扇出线DFL1和第二数据扇出线DFL2的厚度等可能因形成第一数据扇出线DFL1和第二数据扇出线DFL2的工艺之间的偏差而不同，第一数据扇出线DFL1的电阻和第二数据扇出线DFL2的电阻可不同。

而且，如上所述，第二区SA3和第三区SA4可具有不同的形状。例如，当第一数据扇出单元DF1的焊盘单元SA1的位置和/或第二数据扇出单元DF2的焊盘单元SA1的位置由于包括在显示装置10(参见图1)中的其它元件的布置等的原因而发生改变时，因为接触单元SA5的位置不改变，因此第二区SA3和第三区SA4在第一数据扇出单元DF1和/或第二数据扇出单元DF2中可具有不同的形状。通过这种配置，在第一数据扇出单元DF1的数据扇出线DFL之中的最靠近第二数据扇出单元DF2的最外侧数据扇出线DFL的长度和第二数据扇出单元DF2的数据扇出线DFL之中的最靠近第一数据扇出单元DF1的最外侧数据扇出线DFL的长度可彼此不同。

在这种状态下，当第一数据扇出单元DF1的最靠近第二数据扇出单元DF2的最外侧数据扇出线DFL和第二数据扇出单元DF2的最靠近第一数据扇出单元DF1的最外侧数据扇出线DFL形成在不同层上时，它们之间的电阻中的差异可能甚至增加得更多，并且(子)像素P(参见图1)之间的亮度差异可能明显地出现，其中这些(子)像素从分别连接到上述最外侧数据扇出线DFL的两个数据线DL(参见图1)接收数据信号。

因此，如图6中所示，通过将彼此相邻的第一数据扇出单元DF1的最外侧数据扇出线DFL和第二数据扇出单元DF2的最外侧数据扇出线DFL定位在相同层中，能够防止在制造工艺期间造成上述最外侧数据扇出线DFL的电阻不同。通过这种配置，即使第一数据扇出单元DF1的最外侧数据扇出线DFL的长度和第二数据扇出单元DF2的最外侧数据扇出线DFL的长度形成为不同的，因为防止了它们之间的电阻中差异的进一步增加，因此也能够最小化显示装置10(参见图1)中的亮度差异的发生。

虽然在图6中示出了第一数据扇出单元DF1的最靠近第二数据扇出单元DF2的数据扇出线DFL和第二数据扇出单元DF2的最靠近第一数据扇出单元DF1的数据扇出线DFL为第一数据扇出线DFL1，但是示例性实施例不限于此。即，由于分别包括在第一数据扇出单元DF1和第二数据扇出单元DF2中并且彼此相邻的最外侧数据扇出线DFL可位于相同层上，因此它们可为第二数据扇出线DFL2。

而且，由于第一数据扇出线DFL1和第二数据扇出线DFL2在第一数据扇出单元DF1和第二数据扇出单元DF2中交替地布置并且位于不同层上，因此分别位于第一数据扇出单元DF1和第二数据扇出单元DF2中的第一数据扇出线DFL1和第二数据扇出线DFL2可相对于彼此相邻的最外侧数据扇出线彼此对称。

根据示例性实施例，由于向显示区域DA施加电信号的多个扇出单元中的每个均包括位于不同层上并且交替地布置的第一扇出线和第二扇出线，因此能够防止或减少扇出线之间的干扰的发生。

而且，由于彼此相邻并且分别包括在彼此相邻的两个扇出单元中的最外侧扇出线包括位于相同层上的第一扇出线或第二扇出线，因此能够防止或最小化显示装置中的亮度偏差的发生。本发明的范围不受这些效果限制或者不限于这些效果。

虽然已在本文中描述了某些示例性实施例和实施方式，但是其它实施例和变型将通过本描述而显而易见。相应地，对于本领域普通技术人员显而易见的是，本发明概念不限于这些实施例，而是限于随附的权利要求书的较宽的范围以及各种显而易见的变型和等同布置。

Claims (10)

1.一种显示装置，包括：

衬底，所述衬底包括显示区域和至少部分地围绕所述显示区域的***区域；

多个扫描线，所述多个扫描线在所述显示区域中在第一方向上延伸；

多个数据线，所述多个数据线在所述显示区域中在与所述第一方向相交的第二方向上延伸；以及

多个扇出单元，所述多个扇出单元位于所述***区域中，所述多个扇出单元中的每个包括与所述多个数据线中的至少一些电连接的扇出线，

其中，在所述多个扇出单元中的至少一些中，所述扇出线包括交替地布置并且位于不同层上的第一扇出线和第二扇出线，以及

其中，包括在所述多个扇出单元中的两个相邻的扇出单元中的最外侧扇出线为所述第一扇出线或所述第二扇出线。

2.如权利要求1所述的显示装置，其中，包括在所述多个扇出单元中的两个相邻的扇出单元中的所述第一扇出线和所述第二扇出线相对于相邻的所述最外侧扇出线彼此对称。

3.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个扇出单元中的每个具有：

接触单元，所述接触单元与所述显示区域相邻；

焊盘单元，所述焊盘单元与所述接触单元相对地定位；以及

扩展单元，所述扩展单元布置在所述接触单元与所述焊盘单元之间，以及

所述扩展单元包括第一区、第二区和第三区，其中，所述第二区布置在所述第一区与所述第三区之间，以及

所述多个扇出单元中的至少一些在所述第一区中包括弯曲图案。

4.如权利要求3所述的显示装置，其中，所述第二区和所述第三区具有不同的形状。

5.如权利要求1所述的显示装置，其中，多个像素布置在所述显示区域中，所述多个像素电连接到所述多个扫描线和所述多个数据线，以及

所述多个像素中的每个包括具有薄膜晶体管的像素电路、以及电连接到所述薄膜晶体管的发光元件。

6.如权利要求5所述的显示装置，其中，所述薄膜晶体管包括有源层、栅电极、源电极和漏电极，

第一栅极绝缘层布置在所述有源层与所述栅电极之间，

第二栅极绝缘层布置在所述栅电极与所述源电极和所述漏电极之间，以及

所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层中的每个延伸到所述***区域并且包括无机材料。

7.如权利要求6所述的显示装置，其中，所述栅电极和所述第一扇出线布置在相同层上，并且包括相同的材料。

8.如权利要求7所述的显示装置，其中，所述第二扇出线布置在所述第二栅极绝缘层上。

9.如权利要求8所述的显示装置，还包括：

层间绝缘层，所述层间绝缘层布置在所述第二扇出线上，

其中，所述源电极和所述漏电极在所述显示区域中布置在所述层间绝缘层上。

10.如权利要求5所述的显示装置，其中，所述发光元件包括有机发光二极管。

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