CN111681683A - 磁记录装置以及磁头 - Google Patents

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Abstract

本发明提供能够提高记录密度的磁记录装置以及磁头。根据实施方式，磁记录装置包括磁头、第1电路以及第2电路。磁头包括磁极、第1屏蔽件、层叠体、第1端子、第2端子以及线圈。第1电路至少实施第1工作。在第1工作中，当第2电路向线圈供给着记录电流时，第1电路向第1端子与第2端子之间的电流路径供给第1电流。第1电流比使得电流路径的电阻振荡的第2电流小。

Description

磁记录装置以及磁头
本申请以日本专利申请2019-043903(申请日2019年3月11日)为基础，根据该申请享受优先权。本申请通过参照该申请而包含该申请的全部内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及磁记录装置以及磁头。
背景技术
使用磁头来在HDD(Hard Disk Drive，硬盘驱动器)等磁记录介质中记录信息。在磁记录装置以及磁头中希望提高记录密度。
发明内容
本发明的实施方式提供能够提高记录密度的磁记录装置以及磁头。
根据本发明的实施方式，磁记录装置具备磁头、第1电路以及第2电路。所述磁头包括磁极、第1屏蔽件、设置在所述磁极与所述第1屏蔽件之间的层叠体、与所述磁极电连接的第1端子、与所述第1屏蔽件电连接的第2端子以及线圈。所述第1电路与所述第1端子以及所述第2端子电连接。所述第2电路与所述线圈电连接。所述第1电路至少实施第1工作。在所述第1工作中，当所述第2电路向所述线圈供给着记录电流时，所述第1电路向所述第1端子与所述第2端子之间的电流路径供给第1电流。所述第1电流比使得所述电流路径的电阻振荡的第2电流小。
根据上述构成，能够提供能提高记录密度的磁记录装置以及磁头。
附图说明
图1的(a)以及图1的(b)是对第1实施方式涉及的磁头以及磁记录装置进行例示的示意性剖面图。
图2的(a)～图2的(d)是对第1实施方式涉及的磁头以及磁记录装置中的特性进行例示的曲线图。
图3的(a)～图3的(c)是对第1实施方式涉及的磁头以及磁记录装置中的工作进行例示的示意性剖面图。
图4是对磁头以及磁记录装置中的特性进行例示的曲线图。
图5是对第1实施方式涉及的磁头以及磁记录装置中的特性进行例示的曲线图。
图6是对第1实施方式涉及的磁头进行例示的示意性剖面图。
图7的(a)以及图7的(b)是对第1实施方式涉及的磁头进行例示的示意性剖面图。
图8的(a)以及图8的(b)是对第1实施方式涉及的磁头进行例示的示意性剖面图。
图9是对第2实施方式涉及的磁头以及磁记录装置进行例示的示意性剖面图。
图10是对第2实施方式涉及的磁头进行例示的示意性剖面图。
图11的(a)以及图11的(b)是对第2实施方式涉及的磁头进行例示的示意性剖面图。
图12的(a)以及图12的(b)是对第2实施方式涉及的磁头进行例示的示意性剖面图。
图13是对实施方式涉及的磁记录装置的一部分进行例示的示意性立体图。
图14是对实施方式涉及的磁记录装置进行例示的示意性立体图。
图15的(a)以及图15的(b)是对实施方式涉及的磁记录装置的一部分进行例示的示意性立体图。
标号说明
20层叠体；20D第1电路；21～24第1导电层～第4导电层；22a、22b第1区域、第2区域；23c、23d第3区域、第4区域；24e、24f第5区域、第6区域；25磁性层；25M磁化；25a～25c第1磁性层～第3磁性层；30磁极；30D第2电路；30F磁极面；30c线圈；30e端部；30i绝缘部；31第1屏蔽件；32第2屏蔽件；35电流路径；80磁记录介质；110、111、112、112a、113、113a、119、120、121、122、122a、123、123a磁头；150磁记录装置；154悬架；155臂；156音圈马达；157轴承部；158头万向架(gimbal)组件；159头滑块；159A空气流入侧；159B空气流出侧；160头堆叠(stack)组件；161支承框架；162线圈；180记录用介质盘；180M主轴马达；181记录介质；190信号处理部；AR箭头；D1第1方向；Hac高频磁场；Hw记录磁场；I1～I3第1电流～第3电流；Id1、Id2电流；Iw记录电流；Mst1设计磁量(magnetic volume)；Mst2反转磁量；R1～R3第1电阻～第3电阻；Rc电阻；ST1～ST3第1状态～第3状态；T1、T2第1端子、第2端子；W1、W2第1配线、第2配线；ir1～ir3第1电流范围～第3电流范围；tc1～tc4、tm1～tm3厚度；tt时间。
具体实施方式
以下参照附图对本发明的各实施方式进行说明。
附图是示意性或者概念性的，各部分的厚度和宽度的关系、部分间的大小的比率等不一定限于与现实的相同。即使是在表示相同的部分的情况下，有时也通过附图以相互的尺寸、比率不同的方式来表示。
在本申请说明书和各附图中，对于与关于先出现的附图在先描述过的要素同样的要素标记同一标号，适当省略详细的说明。
(第1实施方式)
图1的(a)以及图1的(b)是对第1实施方式涉及的磁头以及磁记录装置进行例示的示意性剖面图。
图1的(b)是图1的(a)的一部分的放大图。
如图1的(a)所示，实施方式涉及的磁记录装置150包括磁头110。磁头110包括磁极30、第1屏蔽件31以及层叠体20。在该例子中，磁头110还包括第1端子T1、第2端子T2、第2屏蔽件32以及线圈30c。
在第1屏蔽件31与第2屏蔽件32之间设有磁极30的至少一部分。例如，线圈30c的至少一部分设置在磁极30与第1屏蔽件31之间。在该例子中，线圈30c的一部分设置在磁极30与第2屏蔽件32之间。
在线圈30c电连接第2电路30D(记录用电路)。从记录用电路向线圈30c供给记录电流Iw。从磁极30产生与记录电流Iw相应的磁场(记录磁场)。记录磁场施加于磁记录介质80，在磁记录介质80记录信息。这样，记录用电路(第2电路30D)能够向线圈30c供给与所记录的信息对应的电流(记录电流Iw)。
如图1的(a)所示，例如在磁极30、第1屏蔽件31、第2屏蔽件32、线圈30c以及层叠体20周围设置有绝缘部30i。在图1的(b)中，省略绝缘部30i。
磁极30例如是主磁极。在磁极30的端部30e设有磁极面30F。磁极面30F例如沿着磁头110的ABS(Air Bearing Surface，空气支承面)。磁极面30F与磁记录介质80相对向。
将相对于磁极面30F垂直的方向作为Z轴方向。将相对于Z轴方向垂直的一个方向设为X轴方向。将相对于Z轴方向以及X轴方向垂直的方向设为Y轴方向。
Z轴方向例如是高度方向。X轴方向例如是沿磁道(down track)方向。Y轴方向是交叉磁道(cross track)方向。
例如在磁极面30F的附近，磁极30沿着X轴方向离开第1屏蔽件31。例如在磁极面30F的附近，第2屏蔽件32沿着X轴方向离开磁极30。实质上沿着X轴方向，磁头110和磁记录介质80相对地移动。由此，在磁记录介质80的任意位置记录信息。
第1屏蔽件31例如与“trailing shield(尾随屏蔽件)”对应。第2屏蔽件32例如与“leading shield(前导屏蔽件)”对应。第1屏蔽件31例如是辅助磁极。第1屏蔽件31能够与磁极30一起形成磁芯。例如，也可以设置有侧屏蔽件(未图示)等的追加屏蔽件。
如图1的(a)所示，磁头110也可以包括第1配线W1以及第2配线W2。第1配线W1与磁极30电连接。第2配线W2与第1屏蔽件31电连接。第1端子T1经由第1配线W1与磁极30电连接。第2端子T2经由第2配线W2与第1屏蔽件31电连接。
层叠体20与磁极30以及第1屏蔽件31电连接。在磁头110中形成电流路径35。电流路径35例如包括第1端子T1、第1配线W1、磁极30、层叠体20、第1屏蔽件31、第2配线W2以及第2端子T2。
从第1电路20D例如向第1端子T1与第2端子T2之间供给电流Id1(参照图1的(b))。电流Id1被供给至电流路径35(图1的(a))。
如图1的(b)所示，在该例子中，层叠体20包括第1磁性层25a、第2磁性层25b、第3磁性层25c、第1导电层21、第2导电层22、第3导电层23以及第4导电层24。
第1磁性层25a设置在磁极30与第1屏蔽件31之间。第1导电层21设置在第1屏蔽件31与第1磁性层25a之间。第1导电层21包含第1元素。第1元素包含选自由Cu、Ag、Al、Cr以及Au构成的组中的至少一种。第1导电层21例如是Cu层。
第2导电层22设置在磁极30与第1磁性层25a之间。第2导电层22包含第2元素。第2元素包含选自由Ta、Pt、W、Mo、Ir、Ru、Tb、Rh以及Pd构成的组中的至少一种。第2导电层22例如是Ta层。
第2磁性层25b设置在第1磁性层25a与第2导电层22之间。第3磁性层25c设置在第1磁性层25a与第2磁性层25b之间。
第3导电层23设置在第1磁性层25a与第3磁性层25c之间。第3导电层23包含第3元素。第3元素包含选自由Ta、Pt、W、Mo、Ir、Ru、Tb、Rh以及Pd构成的组中的至少一种。第3导电层23例如是Ta层。
第4导电层24设置在第3磁性层25c与第2磁性层25b之间。第4导电层24包含第4元素。第4元素包含选自由Cu、Au、Ag、Al、Cr、Ta、Pt、W、Mo、Ir、Ru、Tb、Rh以及Pd构成的组中的至少一种。第4导电层24例如是Ta层。
例如，第1导电层21也可以与第1屏蔽件31以及第1磁性层25a相接。第1磁性层25a也可以与第1导电层21以及第3导电层23相接。第3导电层23例如也可以与第1磁性层25a以及第3磁性层25c相接。第3磁性层25c也可以与第3导电层23以及第4导电层24相接。第4导电层24例如也可以与第3磁性层25c以及第2磁性层25b相接。第2磁性层25b例如也可以与第4导电层24以及第2导电层22相接。第2导电层22例如也可以与第2磁性层25b以及磁极30相接。
如已经说明过的那样，第2电路30D向这样的磁头110的线圈30c供给记录电流Iw。该记录电流Iw的极性例如根据所记录的信息而反转。例如，在记录与“1”和“－1”中的一方对应的信息的情况下，正的记录电流Iw被供给至线圈30c。例如在记录与“1”和“－1”中的另一方对应的信息的情况下，负的记录电流Iw被供给至线圈30c。
通过这样的记录电流Iw，从磁极30的包括端部30e的区域产生记录磁场。如已经说明过的那样，记录磁场被施加于磁记录介质80，信息被记录于磁记录介质80。此时，记录磁场的一部分也被施加于层叠体20。与记录磁场的一部分向层叠体20的施加、和在层叠体20中流动的电流相应地，包含层叠体20的电流路径35的电阻会变化。例如，在正或者负的记录电流Iw被供给至线圈30c的状态下，在第1端子T1与第2端子T2之间的电流路径35中流动了电流(例如图1的(b)所示的电流Id1)时，电流路径35的电阻会变化。以下，对电阻变化的例子进行说明。
图2的(a)～图2的(d)是对第1实施方式涉及的磁头以及磁记录装置中的特性进行例示的曲线图。
图2的(a)以及图2的(b)的横轴与时间tt对应。纵轴与电流路径35的电阻Rc对应。图2的(a)例示了在电流路径35中流动的电流(例如图1的(b)所示的电流Id1)为一个电流(第1电流I1)时的特性。如图2的(a)所示，在第1电流I1下，电阻Rc实质上是一定的。第1电流I1下的电阻Rc不振荡。
图2的(b)例示了在电流路径35中流动的电流(例如电流Id1)为其他电流(第2电流I2)时的特性。第2电流I2的大小比第1电流I1的大小大，如图2的(b)所示，在第2电流I2下，电阻Rc在时间上(时间性地)周期性地变化。第2电流I2下的电阻Rc会振荡。电阻Rc的振荡频率例如为10GHz以上且50GHz以下。
在实施方式中，例如第1电路20D至少实施第1工作。在第1工作中，当第2电路30D向线圈30c供给着记录电流Iw时，第1电路20D向电流路径35供给上述的第1电流I1。第1电流I1是比使得电流路径35的电阻Rc振荡的第2电流I2小的电流。由此，如后所述，记录磁场被有效地施加于磁记录介质80。由此，能够提供能提高记录密度的磁记录装置。
在实施方式中，第1电路20D也可以还实施以下的第2工作。在第2工作中，当第2电路30D向线圈30c供给着记录电流Iw时，第1电路20D向电流路径35供给上述的第2电流I2。如后所述，通过基于第2电流I2的振荡产生的高频磁场能够有效地控制磁记录介质80的磁化，能够提高记录密度。例如，也可以切换第1工作和第2工作来进行实施。容易进一步提高记录密度。
以下，对电阻变化的例子进一步进行说明。
在图2的(c)中，横轴与电流Id1的大小对应。纵轴与电流路径35的电阻Rc对应。图2的(c)的特性是第2电路30D向线圈30c供给记录电流Iw、基于记录电流Iw的记录磁场的一部分被施加于层叠体20时的特性。记录电流Iw是正或者负的一个电流。
如图2的(c)所示，在第2电路30D向线圈30c供给记录电流Iw、并且在电流路径35中流动了第1电流I1时，电流路径35具有第1电阻R1。
在第2电路30D向线圈30c供给上述的记录电流Iw、并且在电流路径35中流动了第2电流I2时，电流路径35具有第2电阻R2。第2电流I2比第1电流I1大。第2电流I2的方向与第1电流I1的方向相同。第2电阻R2比第1电阻R1低。第2电阻R2由于振荡而会在时间上(时间性地)发生变化。因此，在图2的(c)中示出了第2电阻R2的在时间上的平均值。
在第2电路30D向线圈30c供给上述的记录电流Iw、并且在电流路径35中流动了第3电流I3时，电流路径35具有第3电阻R3。第3电流I3比第1电流I1小。第3电流I3的方向与第1电流I1的方向相同。第3电阻R3比第2电阻R2低。
例如当使向电流路径35供给的电流的大小增大时，从第3电阻R3的第3状态ST3转变为第1电阻R1的第1状态ST1。进一步，当使电流的大小增大时，从第1状态ST1转变为第2电阻R2的第2状态ST2。第2状态ST2是振荡状态。在实施方式涉及的磁头110中，具有这样的特殊的电阻的变化。
当使电流的大小增大时，有时层叠体20的温度会上升。一般而言，当温度上升时，电阻会上升。因此，图2的(c)的电阻Rc的变化在温度的上升少的状态下容易更明确地进行观测。例如，在电流为短的脉冲状等的情况下，能够比较抑制温度的上升。例如，在存在因温度上升而导致的电阻变化的情况下，也能够对基于上述的电阻Rc的变化的电阻的变化进行观测。
图2的(c)所例示的示意性的特性表示电流路径35的实质的电阻Rc。图2的(c)所例示的示意性的特性实质上不包含温度上升引起的电阻变化。
图2的(d)示意性地示出了包含温度上升引起的电阻变化的情况下的电阻Rc的变化。在图2的(d)中，横轴与电流Id1的大小对应。纵轴与电流路径35的电阻Rc对应。在图2的(d)中示出了第2电阻R2的在时间上的平均值。
如图2的(d)所示那样，例如根据从第3状态ST3向第1状态ST1的转变、或者从第1状态ST1向第2状态ST2的转变，电阻Rc相对于向电流路径35供给的电流的大小的倾斜度会变化。例如，根据从第3状态ST3向第1状态ST1的转变、或者从第1状态ST1向第2状态ST2的转变，相对于向电流路径35供给的电流的大小的电阻Rc会不连续地变化。这些是基于上述的电阻Rc的实质性的变化的。
例如将第2电路30D向线圈30c供给记录电流Iw、并且在电流路径35中流动第1电流I1时的电阻Rc相对于第1电流的变化的变化率设为第1变化率。将在电流路径35中流动第3电流I3时的电阻Rc相对于第3电流I3的变化的变化率设为第3变化率。第1变化率例如是第1电流范围ir1中的电阻Rc的变化率。第3变化率例如是第3电流范围ir3中的电阻Rc的变化率。第3电流范围ir3比第1电流范围ir1小。第3电流I3的大小比第1电流I1的大小小。第3变化率与第1变化率不同。例如，第1变化率比第3变化率高。
另一方面，例如将第2电路30D向线圈30c供给记录电流Iw、并且在电流路径35中流动了第2电流I2时的电阻Rc相对于第2电流I2的变化的变化率设为第2变化率。第2变化率例如是第2电流范围ir2中的电阻Rc的变化率。关于第1电流I1的第1变化率与第2变化率不同。
使用产生这样的电阻Rc的变化的磁头110，实施使用第1电流I1的第1工作或者使用第2电流I2的第2工作。
认为：在记录磁场的一部分施加于层叠体20的状态下，在包含层叠体20的电流路径35中流动电流时，层叠体20所包含的磁性层的磁化的方向会变化。认为：由于该磁化的方向的变化，会发生图2的(a)～图2的(d)所例示的电阻Rc的变化。以下，对上述的第1状态ST1～第3状态ST3的例子进行说明。
图3的(a)～图3的(c)是对第1实施方式涉及的磁头以及磁记录装置中的工作进行例示的示意性剖面图。
图3的(a)与上述的第3状态ST3对应。图3的(b)与上述的第1状态ST1对应。图3的(c)与上述的第2状态ST2对应。在这些图中，为了容易观察图，层叠体20所包含的多个磁性层描绘为一个“磁性层25”。
如图3的(a)所示，在第3状态ST3下，从磁极30产生记录磁场Hw。记录磁场Hw的一部分(第1部分)朝向磁记录介质80。在第3状态ST3下，向电流路径35所包含的磁性层25供给第3电流I3。或者，不供给电流。因此，磁性层25的磁化25M的方向与记录磁场Hw的方向相同。在该情况下，记录磁场Hw的另外一部分(第2部分)通过磁性层25，不通过磁记录介质80而进入第1屏蔽件31。因此，在第3状态ST3下，从磁极30产生的记录磁场Hw中朝向磁记录介质80的部分(第1部分)的量少。
如图3的(b)所示，在第1状态ST1下也从磁极30产生记录磁场Hw。在第1状态ST1下，向电流路径35所包含的磁性层25供给阈值以上的第1电流I1。通过该第1电流I1，磁性层25的磁化25M的方向反转为与记录磁场Hw的方向相反。在该情况下，记录磁场Hw难以朝向磁性层25。因此，在第1状态ST1下，从磁极30产生的记录磁场Hw中朝向磁记录介质80的部分(第1部分)的量相比于第3状态ST3下的量而增加。通过利用第1状态ST1，能够进行高效的磁记录。
通过进行第1状态ST1下的记录工作，即使在减小了写间隙时，也能抑制从磁极30发出的记录磁场Hw经由磁性层25而直接地朝向第1屏蔽件31。其结果，从磁极30发出的记录磁场Hw大多朝向磁记录介质80。记录磁场Hw有效地施加于磁记录介质80。由此，能够提高记录密度。
如图3的(c)所示，在第2状态ST2下，也从磁极30产生记录磁场Hw。在第2状态ST2下，向电流路径35所包含的磁性层25供给大的第2电流I2。通过该第2电流I2，磁性层25的磁化25M会振荡。例如在至少一个磁性层中，磁化成为振荡状态。例如从磁性层25产生高频磁场Hac。高频磁场Hac被施加于磁记录介质80的一部分。高频磁场Hac的频率被设计为实质上与磁记录介质80的磁共振频率一致。在磁记录介质80的施加了高频磁场Hac的部分，磁化容易反转。这样，进行通过高频磁场Hac辅助了的磁记录。在这样的记录工作中，也能够高效地控制磁记录介质80的磁化，能够提高记录密度。
在实施方式中，例如进行利用了上述的第1状态ST1的磁记录工作。在实施方式中，也可以进行利用了上述的第2状态ST2的磁记录工作。这些工作也可以被切换来实施。这样的工作能够通过第1电路20D来进行。上述的第1电路20D以及第2电路30D包含于磁记录装置150。
例如，第1电路20D至少实施第1工作。在第1工作中，当第2电路30D向线圈30c供给着记录电流Iw时，第1电路20D向电流路径35供给上述的第1电流I1。由此，从磁极30发出的记录磁场Hw大多朝向磁记录介质80。记录磁场Hw有效地施加于磁记录介质80。由此，能够提高记录密度。
根据实施方式，能够提供能提高记录密度的磁头以及磁记录装置。
在实施方式中，例如第1电流I1的大小优选为第2电流I2的大小的1/2以上。在大的第2电流I2下，会产生第2状态ST2(振荡)。第1电流I1的大小被设为比该第2电流I2的大小小。由此，通过第1电流I1，得到上述的第1状态ST1。例如在第1电流I1小于第2电流I2的大小的1/5的情况下，产生上述的第3状态ST3。第1电流I1的大小为第2电流I2的大小的1/5以上、更优选为1/2以上时，通过第1电流I1容易得到第1状态ST1。
上述的第1电流I1具有从第1屏蔽件31向磁极30的方向。
第1电路20D也可以还实施以下的第2工作。在第2工作中，当第2电路30D向线圈30c供给着记录电流Iw时，第1电路20D向电流路径35供给上述的第2电流I2。由此，进行通过高频磁场Hac辅助了的磁记录。能够高效地控制磁记录介质80的磁化，能够提高记录密度。
上述的第2电流I2具备从第1屏蔽件31向磁极30的方向。如上所述，在该第2工作中的电流区域中，第2电阻R2具有进行振荡的条件。第2电阻R2具有时间性地变化的第2电流I2的区域。该振荡的频率例如为10GHz以上且50GHz以下。因振荡而变化的电阻的时间性的平均与上述的第2电阻R2对应。
磁记录装置150也可以包括磁记录介质80。如已经说明过的那样，通过磁头110向磁记录介质80记录信息。上述的振荡的频率f1与磁记录介质80的磁共振频率f2之差的绝对值(|f1－f2|)相对于磁共振频率f2之比为50％以下。这样，振荡的频率f1被设计为实质上与磁共振频率f2一致。由此，进行通过高频磁场Hac进行了辅助的磁记录。振荡的频率f1例如能够通过在层叠体20中流动的电流以及施加于层叠体20的磁场(记录磁场Hw的一部分)来控制。
例如，通过切换上述的第1工作或者第2工作来进行实施，能够实施与所使用的磁记录介质80相匹配的适当的磁记录。例如，在容易使高频磁场Hac的频率f1适配于磁记录介质80的磁共振频率f2的情况下，也可以实施上述的第2工作。例如，在与使高频磁场Hac的频率f1适配于磁记录介质80的磁共振频率f2相比、实施了上述的第1工作一方是更有利的情况下，也可以实施上述的第1工作。能够进行更实用的磁记录。能够提供更实用的磁记录装置。
具有层叠体20作为STO(Spin Torque Oscillator，自旋转矩振荡器)发挥功能的第1参考例。在该第1参考例中，不设有第1状态ST1。例如当使供给于层叠体20的电流增大时，从第3状态ST3直接转变为第2状态ST2。
具有在层叠体20中实质上不产生高频的振荡的第2参考例。在该第2参考例中，设有第3状态ST3和第1状态ST1，不产生第2状态ST2。
在实施方式中，例如通过具有层叠体20包括上述的第1磁性层25a～第3磁性层25c以及上述的第1导电层21～第4导电层24的构成，能得到如上所述的第1状态ST1～第3状态ST3。
第1状态ST1～第3状态ST3例如是由将通过向层叠体20通电流来在各磁性层中产生的自旋转移矩(spin transfer torque)作为起源的磁化行为引起的。在层叠体20所包含的各磁性层中，通过经由导电层的自旋转移矩的作用，能够使各磁性层的磁化的方向变化。
进一步，可知：在实施方式中，与上述的第2参考例相比，能够高效率地使磁性层的磁化反转。
图4是对磁头以及磁记录装置中的特性进行例示的曲线图。
在图4中例示了进行了上述的第1工作时的实施方式涉及的磁头110的特性以及第2参考例的磁头119的特性。磁头110包括上述的第1磁性层25a～第3磁性层25c以及上述的第1导电层21～第4导电层24。在磁头119中设有第1磁性层25a、第1导电层21以及第2导电层22，未设有第2磁性层25b、第3磁性层25c、第3导电层23以及第4导电层24。在磁头119中，第1导电层21与第1屏蔽件31以及第1磁性层25a相接，第2导电层22与磁极30以及第1磁性层25a相接。
图4表示关于层叠体20所包含的磁性层的磁量的设计值(设计磁量Mst1)和层叠体20所包含的磁性层中磁化反转的部分的磁量(反转磁量Mst2)的关系的模拟结果。在磁头110中，设计磁量Mst1与第1磁性层25a～第3磁性层25c各自的磁量之和对应。在磁头119中，设计磁量Mst1与第1磁性层25a的磁量对应。磁量对应于磁性层的饱和磁化与该磁性层的厚度之积。在图4中，横轴是设计磁量Mst1。纵轴是反转磁量Mst2。
在图4中，反转磁量Mst2被期待相对于设计磁量Mst1成比例。然而，如图4所示，在磁头119中，当设计磁量Mst1变大时，反转磁量Mst2会饱和。在磁头110中，即使设计磁量Mst1变大，反转磁量Mst2也相对于设计磁量Mst1成比例地变大。认为这是因为：在磁头110中，通过分割发生磁化反转的磁性层，磁化反转的效率变高。
这样，在实施方式涉及的磁头110中，即使设计磁量Mst1变大，在磁性层中的实质上的整体上，磁化也能够反转。由此，能够更有效地使记录磁场Hw大多朝向磁记录介质80。
图5是对第1实施方式涉及的磁头以及磁记录装置中的特性进行例示的曲线图。
图5例示了使用磁头110进行了上述的第1工作时的特性的模拟结果。图5的横轴是设计磁量Mst1。纵轴例示了施加于磁记录介质80的记录磁场Hw的大小Ha。
如图5所示，当设计磁量Mst1变大时，施加于磁记录介质80的记录磁场Hw的大小Ha变大。大小Ha相对于设计磁量Mst1的增大而实质地呈线性地增大。根据实施方式涉及的磁头110，能够使施加于磁记录介质80的记录磁场Hw的大小Ha如所希望那样地增大。记录磁场Hw有效地施加于磁记录介质80。由此，能够提高记录密度。
如图1的(b)所示，在实施方式中，层叠体20中的层叠方向(第1方向D1)也可以相对于Z轴方向(以及X轴方向)倾斜。层叠方向例如与从第2导电层22向第1导电层21的方向对应。
在实施方式中，第1磁性层25a的厚度tm1(参照图1的(b))例如优选为2nm以上且15nm以下。通过第1磁性层25a的厚度tm1处于该范围，例如会发生向第2状态ST2的高效的转变。例如，发生向第3状态ST3的高效的转变。例如，磁记录能力改善。
第2磁性层25b的厚度tm2(参照图1的(b))例如优选为2nm以上且15nm以下。通过第2磁性层25b的厚度tm2处于该范围，例如发生向第2状态ST2的高效的转变。例如，发生向第3状态ST3的高效的转变。例如，磁记录能力改善。
第3磁性层25c的厚度tm3(参照图1的(b))例如优选为2nm以上且15nm以下。通过第3磁性层25c的厚度tm3处于该范围，例如发生向第2状态ST2的高效的转变。例如，发生向第3状态ST3的高效的转变。例如，磁记录能力改善。
第1导电层21的厚度tc1(参照图1的(b))例如优选为1nm以上且10nm以下。通过第1导电层21的厚度tc1处于该范围，例如能够向第1磁性层25a有效地提供自旋转移矩。例如，第1导电层21优选包含自旋扩散长度长的材料。
第2导电层22的厚度tc2(参照图1的(b))例如优选为1nm以上且10nm以下。通过第2导电层22的厚度tc2处于该范围，例如能够有效地控制作用于第2磁性层25b的自旋转移矩。例如，第2导电层22优选包含下述材料，该材料包含自旋扩散长度短的材料。例如，第2导电层22所包含的材料的自旋扩散长度比第1导电层21所包含的材料的自旋扩散长度短。
第3导电层23的厚度tc3(参照图1的(b))例如优选为1nm以上且10nm以下。通过第3导电层23的厚度tc3处于该范围，例如能够有效地控制作用于第1磁性层25a以及第3磁性层25c的自旋转移矩。例如第3导电层23优选包含自旋扩散长度短的材料。例如，第3导电层23所包含的材料的自旋扩散长度比第1导电层21所包含的材料的自旋扩散长度短。
第4导电层24的厚度tc4(参照图1的(b))例如优选为1nm以上且10nm以下。通过第4导电层24的厚度tc4处于该范围，例如能够有效地控制作用于第2磁性层25b以及第3磁性层25c的自旋转移矩。
上述的厚度与沿着第1方向D1的长度对应。
在实施方式中，优选沿着从第2导电层22向第1导电层21的第1方向D1的第3磁性层25c的厚度tm3比沿着第1方向D1的第1磁性层25a的厚度tm1薄。厚度tm3优选比沿着第1方向D1的第2磁性层25b的厚度tm2薄。由此，例如能够增大记录能力的改善效果。
以下，对实施方式涉及的磁头的几个例子进行说明。以下，对与磁头110不同的部分进行说明。
图6是对第1实施方式涉及的磁头进行例示的示意性剖面图。
如图6所示，在磁头111中，第2导电层22包括第1区域22a以及第2区域22b。第2区域22b位于第1区域22a与第2磁性层25b之间。第1区域22a包括上述的第2元素。第1区域22a例如包含Ta。第2区域22b包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Ti、Cr、Mg以及V构成的组中的至少一种。
例如，当第2元素与第2磁性层25b相接时，有时第2磁性层25b中的阻尼(damping)常数会上升。由此，有时第2磁性层25b的磁化难以反转。通过在包含第2元素的第1区域22a与第2磁性层25b之间设置第2区域22b，能够抑制阻尼常数的上升。由此，例如能够更高效地实施上述的第1工作。
图7的(a)以及图7的(b)是对第1实施方式涉及的磁头进行例示的示意性剖面图。
如图7的(a)以及图7的(b)所示，在磁头112以及112a中，第3导电层23包括第3区域23c以及第4区域23d。第4区域23d设置在第3区域23c与第1磁性层25a之间(参照图7的(a))。或者，第4区域23d设置在第3区域23c与第3磁性层25c之间(参照图7的(b))。第3区域23c包含上述的第3元素。例如，第3区域23c例如包含Ta。第4区域23d包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Ti、Cr、Mg以及V构成的组中的至少一种。第4区域23d例如包含Cu。
在磁头112以及112a中，也能够抑制阻尼常数的上升。由此，例如能够更高效地实施上述的第1工作。
图8的(a)以及图8的(b)是对第1实施方式涉及的磁头进行例示的示意性剖面图。
如图8的(a)以及图8的(b)所示，在磁头113以及113a中，第4导电层24包括第5区域24e以及第6区域24f。第6区域24f设置在第5区域24e与第2磁性层25b之间(参照图8的(a))。或者，第6区域24f设置在第5区域24e与第3磁性层25c之间(参照图8的(b))。第5区域24e也可以包含上述的第4元素。第5区域24e例如包含选自由Ta、Pt、W、Mo、Ir、Ru、Tb、Rh以及Pd构成的组中的至少一种。例如，第5区域24e例如包含Ta。第6区域24f包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Ti、Cr、Mg以及V构成的组中的至少一种。例如，第6区域24f包含Cu。
在磁头113以及113a中，也能够抑制阻尼常数的上升。由此，例如能够更高效地实施上述的第1工作。
第1区域22a、第3区域23c以及第5区域24e各自的厚度例如是1nm以上且5nm以下。第2区域22b、第4区域23d以及第6区域24f各自的厚度例如是1nm以上且5nm以下。
(第2实施方式)
以下，在关于第2实施方式的说明中，省略与第1实施方式同样的部分。
图9是对第2实施方式涉及的磁头以及磁记录装置进行例示的示意性剖面图。
如图9所示，第2实施方式涉及的磁头120也包括磁极30、第1屏蔽件31以及层叠体20。磁头120也可以还包括线圈30c(参照图1的(a))、第1端子T1(参照图1的(a))以及第2端子T2(参照图1的(a))。磁记录装置150包括磁头120。磁记录装置150也可以还包括磁记录介质80、第1电路20D(参照图1的(a))以及第2电路30D(参照图1的(a))。
如图9所示，在磁头120中，层叠体20也包括第1磁性层25a～第3磁性层25c以及第1导电层21～第4导电层24。磁头120中的这些层的顺序与磁头110中的顺序不同。
第1导电层21设置在磁极30与第1磁性层25a之间。第1导电层21包含第1元素，所述第1元素包含选自由Cu、Ag、Al、Cr以及Au构成的组中的至少一种。
第2导电层22设置在第1屏蔽件31与第1磁性层25a之间。第2导电层22包含第2元素，所述第2元素包含选自由Ta、Pt、W、Mo、Ir、Ru、Tb、Rh以及Pd构成的组中的至少一种。
第2磁性层25b设置在第1磁性层25a与第2导电层22之间。第3磁性层25c设置在第1磁性层25a与第2磁性层25b之间。
第3导电层23设置在第1磁性层25a与第3磁性层25c之间。第3导电层23包含第3元素，所述第3元素包含选自由Ta、Pt、W、Mo、Ir、Ru、Tb、Rh以及Pd构成的组中的至少一种。
第4导电层24设置在第3磁性层25c与第2磁性层25b之间。第4导电层24包含第4元素，所述第4元素包含选自由Cu、Au、Ag、Al、Cr、Ta、Pt、W、Mo、Ir、Ru、Tb、Rh以及Pd构成的组中的至少一种。
在磁头120中，也能得到关于图2而说明过的电阻Rc的特性。在磁头120中，在电流路径35(图1的(a))中流动图9所示的电流Id2。电流Id2具有从磁极30向第1屏蔽件31的方向。
在磁头120中，也进行上述的第1工作。从磁极30发出的记录磁场Hw大多朝向磁记录介质80，记录磁场Hw有效地施加于磁记录介质80。由此，能够提高记录密度。在第1工作中供给的第1电流I1(参照图2)具有从磁极30向第1屏蔽件31的方向。
在磁头120中，也可以还进行上述的第2工作。进行通过高频磁场Hac进行了辅助的磁记录。在这样的记录工作中，也能够高效地控制磁记录介质80的磁化，能够提高记录密度。在第2工作中供给的第2电流I2(参照图2)具有从磁极30向第1屏蔽件31的方向。
在磁头120中，第1工作或者第2工作也可以切换来进行实施。能够提供更实用的磁记录装置。
图10是对第2实施方式涉及的磁头进行例示的示意性剖面图。
如图10所示，在磁头121中，第2导电层22包括第1区域22a以及第2区域22b。第2区域22b处于第1区域22a与第2磁性层25b之间。第1区域22a包含上述的第2元素。第1区域22a例如包含Ta。第2区域22b包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Ti、Cr、Mg以及V构成的组中的至少一种。
图11的(a)以及图11的(b)是对第2实施方式涉及的磁头进行例示的示意性剖面图。
如图11的(a)以及图11的(b)所示，在磁头122以及122a中，第3导电层23包括第3区域23c以及第4区域23d。第4区域23d设置在第3区域23c与第1磁性层25a之间(参照图11的(a))。或者，第4区域23d设置在第3区域23c与第3磁性层25c之间(参照图11的(b))。第3区域23c包含上述的第3元素。例如，第3区域23c例如包含Ta。第4区域23d包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Ti、Cr、Mg以及V构成的组中的至少一种。第4区域23d例如包含Cu。
图12的(a)以及图12的(b)是对第2实施方式涉及的磁头进行例示的示意性剖面图。
如图12的(a)以及图12的(b)所示，在磁头123以及123a中，第4导电层24包括第5区域24e以及第6区域24f。第6区域24f设置在第5区域24e与第2磁性层25b之间(参照图12的(a))。或者，第6区域24f设置在第5区域24e与第3磁性层25c之间(参照图12的(b))。第5区域24e包含上述的第4元素。例如，第5区域24e例如包含Ta。第6区域24f包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Ti、Cr、Mg以及V构成的组中的至少一种。例如，第6区域24f包含Cu。
在磁头121、122、122a、123以及123a中，也能够抑制阻尼常数的上升。由此，例如能够更高效地实施上述的第1工作。
在第2实施方式中，第1区域22a、第3区域23c、第5区域24e、第2区域22b、第4区域23d以及第6区域24f各自的厚度等的构成，也可以应用关于第1实施方式的说明。
在第1实施方式以及第2实施方式中，第1磁性层25a～第3磁性层25c中至少任一者例如包含Fe以及Co。第1磁性层25a～第3磁性层25c中的至少任一者例如也可以包含Fe以及Ni。
第1实施方式或者第2实施方式涉及的磁头具有上述的磁头的任一者的构成或者其变形的构成。如图1的(a)所示，磁头例如包括磁极30、第1屏蔽件31、设置在磁极30与第1屏蔽件31之间的层叠体20、与磁极30电连接的第1端子T1、与第1屏蔽件31电连接的第2端子T2。在第1端子T1与第2端子T2之间的电流路径35中流动了第1电流I1时的电流路径35的电阻Rc相对于第1电流I1的变动的第1变化率，与在电流路径35中流动了第2电流I2时的电流路径35的电阻Rc相对于第2电流I2的变动的第2变化率不同。第1变化率与在电流路径35中流动了第3电流I3时的电流路径35的电阻Rc相对于第3电流I3的变动的第3变化率不同。如图2的(d)所示，第1电流I1的大小处于第1电流范围ir1。第2电流I2的大小处于比第1电流范围ir1大的第2电流范围ir2。第3电流I3的大小处于比第1电流范围ir1小的第3电流范围ir3。例如，第1变化率比第3变化率高。
第1实施方式或者第2实施方式涉及的磁头也可以具有磁头110、111、112、112a、113、113a、120、121、122、122a、123以及123a中的至少任一者的构成或者它们的变形的构成。
(第3实施方式)
第3实施方式涉及磁记录装置。本实施方式涉及的磁记录装置包括磁头、磁记录介质80(例如后述的记录用介质盘180)、以及第1电路20D(参照图1的(a))。在磁记录介质，通过磁头(磁极30)被记录信息。作为第3实施方式中的磁头，使用第1实施方式或者第2实施方式涉及的任意的磁头及其变形的磁头。以下，对使用磁头110的情况进行说明。
如已经说明过的那样，第1电路20D能够向磁极30与第1屏蔽件31之间供给电流(第1电流I1或者第2电流I2)。实施方式涉及的磁记录装置也可以还包括第2电路30D(参照图1的(a))。如已经说明过的那样，第2电路30D能够向线圈30c供给与要记录于磁记录介质80的信息对应的电流(记录电流Iw)。
磁头110也可以向磁记录介质80进行瓦写入记录。能够进一步提高记录密度。
以下，对本实施方式涉及的磁记录装置的例子进行说明。
图13是对实施方式涉及的磁记录装置的一部分进行例示的示意性立体图。
图13例示了头滑块。
磁头110设置在头滑块159。头滑块159例如包含Al2O3/TiC等。头滑块159一边在磁记录介质之上悬浮或者接触，一边相对于磁记录介质相对地进行运动。
头滑块159例如具有空气流入侧159A以及空气流出侧159B。磁头110配置在头滑块159的空气流出侧159B的侧面等。由此，磁头110一边在磁记录介质之上悬浮或者接触，一边相对于磁记录介质相对地进行运动。
图14是对实施方式涉及的磁记录装置进行例示的示意性立体图。
如图14所示，在实施方式涉及的磁记录装置150中，使用旋转致动器。记录用介质盘180设置在主轴马达180M。记录用介质盘180通过主轴马达180M来按箭头AR的方向旋转。主轴马达180M响应来自驱动装置控制部的控制信号。本实施方式涉及的磁记录装置150也可以包括多个记录用介质盘180。磁记录装置150也可以包括记录介质181。记录介质181例如是SSD(Solid State Drive，固态驱动器)。在记录介质181例如使用闪速存储器等非易失性存储器。例如，磁记录装置150也可以是混合式HDD(Hard Disk Drive，硬盘驱动器)。
头滑块159进行向记录用介质盘180记录的信息的记录以及再现。头滑块159设置在薄膜状的悬架154的前端。在头滑块159的前端附近设有实施方式涉及的磁头。
当记录用介质盘180进行旋转时，由悬架154产生的按压压力和在头滑块159的介质对向面(ABS)产生的压力相平衡。头滑块159的介质对向面与记录用介质盘180的表面之间的距离成为预定的悬浮量。在实施方式中，头滑块159也可以与记录用介质盘180接触。例如，也可以应用接触走行方式。
悬架154与臂155(例如致动器臂)的一端连接。臂155例如具有线轴(bobbin)部等。线轴部保持驱动线圈。在臂155的另一端设有音圈马达156。音圈马达156是线性马达的一种。音圈马达156例如包括驱动线圈以及磁回路。驱动线圈卷绕于臂155的线轴部。磁回路包括永磁体以及对向轭。在永磁体与对向轭之间设有驱动线圈。悬架154具有一端和另一端。磁头设置在悬架154的一端。臂155与悬架154的另一端连接。
臂155由滚珠轴承(ball bearing)保持。滚珠轴承设置在轴承部157上下的两处部位。臂155通过音圈马达156而能够旋转以及滑动。磁头能够移动到记录用介质盘180的任意位置。
图15的(a)以及图15的(b)是对实施方式涉及的磁记录装置的一部分进行例示的示意性立体图。
图15的(a)例示了磁记录装置的一部分的构成，是头堆叠组件160的放大立体图。图15的(b)是对成为头堆叠组件160的一部分的磁头组件(头万向架组件：HGA)158进行例示的立体图。
如图15的(a)所示，头堆叠组件160包括轴承部157、头万向架组件158、和支承框架161。头万向架组件158从轴承部157延伸。支承框架161从轴承部157延伸。支承框架161延伸的方向与头万向架组件158延伸的方向相反。支承框架161支承音圈马达156的线圈162。
如图15的(b)所示，头万向架组件158具有从轴承部157延伸的臂155、和从臂155延伸的悬架154。
在悬架154的前端设有头滑块159。在头滑块159设有实施方式涉及的磁头。
实施方式涉及的磁头组件(头万向架组件)158包括实施方式涉及的磁头、设有磁头的头滑块159、悬架154、以及臂155。头滑块159设置在悬架154的一端。臂155与悬架154的另一端连接。
悬架154例如具有用于信号的记录以及再现的引线(lead line)(未图示)。悬架154例如也可以具有用于调整悬浮量的加热器用的引线(未图示)。悬架154例如也可以具有用于自旋转矩振荡器用等的引线(未图示)。这些引线和设置在磁头的多个电极电连接。
在磁记录装置150中设有信号处理部190。信号处理部190使用磁头进行向磁记录介质的信号的记录以及再现。对于信号处理部190而言，信号处理部190的输入输出线例如与头万向架组件158的电极焊盘连接，与磁头电连接。
本实施方式涉及的磁记录装置150包括磁记录介质、实施方式涉及的磁头、可动部、位置控制部、以及信号处理部。可动部能使磁记录介质与磁头在分离或者接触了的状态下相对地移动。位置控制部使磁头位置对合于磁记录介质的预定记录位置。信号处理部使用磁头进行向磁记录介质的信号的记录以及再现。
例如，作为上述的磁记录介质，使用记录用介质盘180。上述的可动部例如包括头滑块159。上述的位置控制部例如包括头万向架组件158。
本实施方式涉及的磁记录装置150包括磁记录介质、实施方式涉及的磁头组件、以及、使用设置在磁头组件的磁头进行向磁记录介质的信号的记录以及再现的信号处理部。
实施方式也可以包括以下构成(例如技术方案)。
(构成1)
一种磁记录装置，具备：
磁头，其包括磁极、第1屏蔽件、设置在所述磁极与所述第1屏蔽件之间的层叠体、与所述磁极电连接的第1端子、与所述第1屏蔽件电连接的第2端子以及线圈；
第1电路，其与所述第1端子以及所述第2端子电连接；以及
第2电路，其与所述线圈电连接，
所述第1电路至少实施第1工作，
在所述第1工作中，当所述第2电路向所述线圈供给着记录电流时，所述第1电路向所述第1端子与所述第2端子之间的电流路径供给第1电流，所述第1电流比使得所述电流路径的电阻振荡的第2电流小。
(构成2)
根据构成1所述的磁记录装置，
所述第1电路还实施第2工作，
在所述第2工作中，当所述第2电路向所述线圈供给着所述记录电流时，所述第1电路向所述电流路径供给所述第2电流。
(构成3)
根据构成1或者2所述的磁记录装置，
所述电阻的振荡的频率为10GHz以上且50GHz以下。
(构成4)
根据构成1～3中任一项所述的磁记录装置，
所述第1电流的大小为所述第2电流的大小的1/2以上。
(构成5)
根据构成1～4中任一项所述的磁记录装置，
在所述第1工作中，所述电阻不振荡。
(构成6)
根据构成1～5中任一项所述的磁记录装置，
所述第2电路向所述线圈供给记录电流、并且在所述电流路径中流动了所述第1电流时的所述电阻相对于所述第1电流的变化的第1变化率，与所述第2电路向所述线圈供给记录电流、并且在所述电流路径中流动了第3电流时的所述电阻相对于所述第3电流的变化的第3变化率不同，所述第3电流的大小比所述第1电流的大小小。
(构成7)
根据构成6所述的磁记录装置，
所述第1变化率比所述第3变化率高。
(构成8)
根据构成1～7中任一项所述的磁记录装置，
还具备通过所述磁头被记录信息的磁记录介质，
所述电阻的振荡的频率与所述磁记录介质的磁共振频率之差的绝对值相对于所述磁共振频率之比，为50％以下。
(构成9)
根据构成1～8中任一项所述的磁记录装置，
所述层叠体包括：
第1磁性层；
第1导电层，其设置在所述第1屏蔽件与所述第1磁性层之间，包含第1元素，所述第1元素包含选自由Cu、Ag、Al、Cr以及Au构成的组中的至少一种；
第2导电层，其设置在所述磁极与所述第1磁性层之间，包含第2元素，所述第2元素包含选自由Ta、Pt、W、Mo、Ir、Ru、Tb、Rh以及Pd构成的组中的至少一种；
第2磁性层，其设置在所述第1磁性层与所述第2导电层之间；
第3磁性层，其设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间；
第3导电层，其设置在所述第1磁性层与所述第3磁性层之间，包含第3元素，所述第3元素包含选自由Ta、Pt、W、Mo、Ir、Cr、Tb、Rh以及Pd构成的组中的至少一种；以及
第4导电层，其设置在所述第3磁性层与所述第2磁性层之间，包含第4元素，所述第4元素包含选自由Cu、Au、Ag、Al、Cr、Ta、Pt、W、Mo、Ir、Ru、Tb、Rh以及Pd构成的组中的至少一种。
(构成10)
根据构成9所述的磁记录装置，
所述第1电流具有从所述第1屏蔽件向所述磁极的方向。
(构成11)
根据构成9或者10所述的磁记录装置，
所述第2电流具有从所述第1屏蔽件向所述磁极的方向。
(构成12)
根据构成1～8中任一项所述的磁记录装置，
所述层叠体包括：
第1磁性层；
第1导电层，其设置在所述磁极与所述第1磁性层之间，包含第1元素，所述第1元素包含选自由Cu、Ag、Al、Cr以及Au构成的组中的至少一种；
第2导电层，其设置在所述第1屏蔽件与所述第1磁性层之间，包含第2元素，所述第2元素包含选自由Ta、Pt、W、Mo、Ir、Ru、Tb、Rh以及Pd构成的组中的至少一种；
第2磁性层，其设置在所述第1磁性层与所述第2导电层之间；
第3磁性层，其设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间；
第3导电层，其设置在所述第1磁性层与所述第3磁性层之间，包含第3元素，所述第3元素包含选自由Ta、Pt、W、Mo、Ir、Ru、Tb、Rh以及Pd构成的组中的至少一种；以及
第4导电层，其设置在所述第3磁性层与所述第2磁性层之间，包含第4元素，所述第4元素包含选自由Cu、Au、Ag、Al、Cr、Ta、Pt、W、Mo、Ir、Ru、Tb、Rh以及Pd构成的组中的至少一种。
(构成13)
根据构成12所述的磁记录装置，
所述第1电流具有从所述磁极向所述第1屏蔽件的方向。
(构成14)
根据构成12或者13所述的磁记录装置，
所述第2电流具有从所述磁极向所述第1屏蔽件的方向。
(构成15)
根据构成9～14中任一项所述的磁记录装置，
所述第2导电层包括第1区域以及第2区域，所述第2区域位于所述第1区域与所述第2磁性层之间，
所述第1区域包含所述第2元素，
所述第2区域包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Ti、Cr、Mg以及V构成的组中的至少一种。
(构成16)
根据构成9～14中任一项所述的磁记录装置，
所述第3导电层包括第3区域以及第4区域，所述第4区域位于所述第3区域与所述第1磁性层之间、或者第3区域与所述第3磁性层之间，
所述第3区域包含所述第3元素，
所述第4区域包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Ti、Cr、Mg以及V构成的组中的至少一种。
(构成17)
根据构成9～16中任一项所述的磁记录装置，
所述第4导电层包括第5区域以及第6区域，所述第6区域位于所述第5区域与所述第2磁性层之间、或者第5区域与所述第3磁性层之间，
所述第5区域包含选自由Ta、Pt、W、Mo、Ir、Ru、Tb、Rh以及Pd构成的组中的至少一种，
所述第6区域包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Ti、Cr、Mg以及V构成的组中的至少一种。
(构成18)
一种磁头，具备磁极、第1屏蔽件、设置在所述磁极与所述第1屏蔽件之间的层叠体、与所述磁极电连接的第1端子以及与所述第1屏蔽件电连接的第2端子，
所述层叠体包括：
第1磁性层；
第1导电层，其设置在所述第1屏蔽件与所述第1磁性层之间，包含第1元素，所述第1元素包含选自由Cu、Ag、Al、Cr以及Au构成的组中的至少一种；
第2导电层，其设置在所述磁极与所述第1磁性层之间，包含第2元素，所述第2元素包含选自由Ta、Pt、W、Mo、Ir、Ru、Tb、Rh以及Pd构成的组中的至少一种；
第2磁性层，其设置在所述第1磁性层与所述第2导电层之间；
第3磁性层，其设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间；
第3导电层，其设置在所述第1磁性层与所述第3磁性层之间，包含第3元素，所述第3元素包含选自由Ta、Pt、W、Mo、Ir、Ru、Tb、Rh以及Pd构成的组中的至少一种；以及
第4导电层，其设置在所述第3磁性层与所述第2磁性层之间，包含第4元素，所述第4元素包含选自由Cu、Au、Ag、Al、Cr、Ta、Pt、W、Mo、Ir、Ru、Tb、Rh以及Pd构成的组中的至少一种。
(构成19)
一种磁头，具备磁极、第1屏蔽件、设置在所述磁极与所述第1屏蔽件之间的层叠体、与所述磁极电连接的第1端子以及与所述第1屏蔽件电连接的第2端子，
所述层叠体包括：
第1磁性层；
第1导电层，其设置在所述磁极与所述第1磁性层之间，包含第1元素，所述第1元素包含选自由Cu、Ag、Al、Cr以及Au构成的组中的至少一种；
第2导电层，其设置在所述第1屏蔽件与所述第1磁性层之间，包含第2元素，所述第2元素包含选自由Ta、Pt、W、Mo、Ir、Cr、Tb、Rh以及Pd构成的组中的至少一种；
第2磁性层，其设置在所述第1磁性层与所述第2导电层之间；
第3磁性层，其设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间；
第3导电层，其设置在所述第1磁性层与所述第3磁性层之间，包含第3元素，所述第3元素包含选自由Ta、Pt、W、Mo、Ir、Cr、Tb、Rh以及Pd构成的组中的至少一种；以及
第4导电层，其设置在所述第3磁性层与所述第2磁性层之间，包含第4元素，所述第4元素包含选自由Cu、Au、Ag、Al、Cr、Ta、Pt、W、Mo、Ir、Ru、Tb、Rh以及Pd构成的组中的至少一种。
(构成20)
根据构成18或者19所述的磁头，
沿着从所述第2导电层向所述第1导电层的第1方向的所述第3磁性层的厚度，比沿着所述第1方向的所述第1磁性层的厚度薄，且比沿着所述第1方向的所述第2磁性层的厚度薄。
(构成21)
一种磁头，具备磁极、第1屏蔽件、设置在所述磁极与所述第1屏蔽件之间的层叠体、与所述磁极电连接的第1端子以及与所述第1屏蔽件电连接的第2端子，
在所述第1端子与所述第2端子之间的电流路径中流动了第1电流时的所述电流路径的电阻相对于所述第1电流的变动的第1变化率，与在所述电流路径中流动了第2电流时的所述电流路径的电阻相对于所述第2电流的变动的第2变化率不同，
所述第1变化率，与在所述电流路径中流动了第3电流时的所述电流路径的电阻相对于所述第3电流的变动的第3变化率不同，
所述第1电流的大小处于第1电流范围，
所述第2电流的大小处于比所述第1电流范围大的第2电流范围，
所述第3电流的大小处于比所述第1电流范围小的第3电流范围。
(构成22)
根据构成21所述的磁头，所述第1变化率比所述第3变化率高。
根据实施方式，能够提供能提高记录密度的磁记录装置以及磁头。
在本申请说明书中，“垂直”以及“平行”并不仅仅是严格的垂直以及严格的平行，而是还包括例如制造工序中的偏差等的概念，只要是实质上垂直以及实质上平行即可。
以上，参照具体例对本发明的实施方式进行了说明。但是，本发明并不限定于这些具体例。例如，关于磁头所包含的磁极、第1屏蔽件、磁性层、导电层、绝缘层以及配线等各要素的具体构成，通过本领域技术人员从公知的范围中适当地进行选择，只要能够同样地实施本发明、能够得到同样的效果，就包含在本发明的范围内。
另外，只要包含本发明的宗旨，则在技术上可能的范围内组合各具体例的任意两个以上的要素而得到的方案也包含在本发明的范围内。
此外，只要包含本发明的宗旨，则以作为本发明的实施方式而如上所述的磁记录装置以及磁头为基础、本领域技术人员能够适当地进行设计变更来实施的全部磁记录装置以及磁头也属于本发明的范围。
此外，本领域技术人员在本发明的思想范畴内能够想到各种变更例以及修正例，应当明了这些变更例以及修正例也属于本发明的范围。
以上对本发明的几个实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例子提示的，并不是意在限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其他各种各样的方式来实施，能够在不脱离发明的宗旨的范围内进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形包含在发明的范围、宗旨内，并且，包含在技术方案记载的发明及其等同的范围内。

Claims (10)

1.一种磁记录装置，具备：
磁头，其包括磁极、第1屏蔽件、设置在所述磁极与所述第1屏蔽件之间的层叠体、与所述磁极电连接的第1端子、与所述第1屏蔽件电连接的第2端子以及线圈；
第1电路，其与所述第1端子以及所述第2端子电连接；以及
第2电路，其与所述线圈电连接，
所述第1电路至少实施第1工作，
在所述第1工作中，当所述第2电路向所述线圈供给着记录电流时，所述第1电路向所述第1端子与所述第2端子之间的电流路径供给第1电流，所述第1电流比使得所述电流路径的电阻振荡的第2电流小。
2.根据权利要求1所述的磁记录装置，
所述第1电路还实施第2工作，
在所述第2工作中，当所述第2电路向所述线圈供给着所述记录电流时，所述第1电路向所述电流路径供给所述第2电流。
3.根据权利要求1所述的磁记录装置，
所述电阻的振荡的频率为10GHz以上且50GHz以下。
4.根据权利要求1所述的磁记录装置，
所述第1电流的大小为所述第2电流的大小的1/2以上。
5.根据权利要求1所述的磁记录装置，
所述第2电路向所述线圈供给记录电流、并且在所述电流路径中流动了所述第1电流时的所述电阻相对于所述第1电流的变化的第1变化率,与所述第2电路向所述线圈供给记录电流、并且在所述电流路径中流动了第3电流时的所述电阻相对于所述第3电流的变化的第3变化率不同，所述第3电流的大小比所述第1电流的大小小。
6.根据权利要求1所述的磁记录装置，
还具备通过所述磁头被记录信息的磁记录介质，
所述电阻的振荡的频率与所述磁记录介质的磁共振频率之差的绝对值相对于所述磁共振频率之比为50％以下。
7.根据权利要求1所述的磁记录装置，
所述层叠体包括：
第1磁性层；
第1导电层，其设置在所述第1屏蔽件与所述第1磁性层之间，包含第1元素，所述第1元素包含选自由Cu、Ag、Al、Cr以及Au构成的组中的至少一种；
第2导电层，其设置在所述磁极与所述第1磁性层之间，包含第2元素，所述第2元素包含选自由Ta、Pt、W、Mo、Ir、Ru、Tb、Rh以及Pd构成的组中的至少一种；
第2磁性层，其设置在所述第1磁性层与所述第2导电层之间；
第3磁性层，其设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间；
第3导电层，其设置在所述第1磁性层与所述第3磁性层之间，包含第3元素，所述第3元素包含选自由Ta、Pt、W、Mo、Ir、Cr、Tb、Rh以及Pd构成的组中的至少一种；以及
第4导电层，其设置在所述第3磁性层与所述第2磁性层之间，包含第4元素，所述第4元素包含选自由Cu、Au、Ag、Al、Cr、Ta、Pt、W、Mo、Ir、Ru、Tb、Rh以及Pd构成的组中的至少一种。
8.根据权利要求7所述的磁记录装置，
所述第1电流具有从所述第1屏蔽件向所述磁极的方向。
9.根据权利要求7所述的磁记录装置，
所述第2电流具有从所述第1屏蔽件向所述磁极的方向。
10.根据权利要求1所述的磁记录装置，
所述层叠体包括：
第1磁性层；
第1导电层，其设置在所述磁极与所述第1磁性层之间，包含第1元素，所述第1元素包含选自由Cu、Ag、Al、Cr以及Au构成的组中的至少一种；
第2导电层，其设置在所述第1屏蔽件与所述第1磁性层之间，包含第2元素，所述第2元素包含选自由Ta、Pt、W、Mo、Ir、Ru、Tb、Rh以及Pd构成的组中的至少一种；
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第4导电层，其设置在所述第3磁性层与所述第2磁性层之间，包含第4元素，所述第4元素包含选自由Cu、Au、Ag、Al、Cr、Ta、Pt、W、Mo、Ir、Ru、Tb、Rh以及Pd构成的组中的至少一种。
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