CN110910908B - 磁记录装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供能够提高记录密度的磁记录装置。根据实施方式，磁记录装置包括磁头、第1电路以及第2电路。磁头包括磁极、第1屏蔽件、设置于磁极与第1屏蔽件之间并将磁极与第1屏蔽件电连接的导电部件、以及线圈。第1电路能够向磁极、导电部件以及第1屏蔽件供给第1电流。第2电路能够向线圈供给记录电流。从磁极产生与记录电流相应的记录磁场。记录电流的上升时间是最短位长的65％以上。

Description

磁记录装置
本申请以日本专利申请2018-174140(申请日2018年9月18日)为基础而享有根据该申请的优先权。本申请通过参照该申请而包括该申请的全部内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及磁记录装置。
背景技术
使用磁头来将信息记录于HDD(Hard Disk Drive：硬盘驱动器)等磁存储介质。在磁头和磁记录装置中，希望提高记录密度。
发明内容
本发明的实施方式提供能够提高记录密度的磁记录装置。
根据本发明的实施方式，磁记录装置包括磁头、第1电路以及第2电路。所述磁头包括磁极、第1屏蔽件、设置于所述磁极与所述第1屏蔽件之间并将所述磁极与所述第1屏蔽件电连接的导电部件、以及线圈。所述第1电路能够向所述磁极、所述导电部件以及所述第1屏蔽件供给第1电流。所述第2电路能够向所述线圈供给记录电流。从所述磁极产生与所述记录电流相应的记录磁场。所述记录电流的上升时间是最短位长的65％以上。
根据上述构成的磁记录装置，能够提供能提高记录密度的磁记录装置。
附图说明
图1(a)和图1(b)是例示出第1实施方式涉及的磁记录装置的示意图。
图2是例示出磁记录装置的特性的图表。
图3(a)～图3(c)是例示出磁记录装置的特性的图表。
图4是例示出磁记录装置的特性的图表。
图5是例示出磁记录装置的特性的图表。
图6是例示出磁记录装置的特性的图表。
图7是例示出磁记录装置的特性的图表。
图8是例示出磁记录装置的特性的图表。
图9是例示出磁记录装置的特性的图表。
图10是例示出磁记录装置中的记录电流的示意图。
图11是例示出磁记录装置的特性的图表。
图12是例示出磁记录装置的特性的图表。
图13是例示出磁记录装置的特性的示意图。
图14是例示出第1实施方式涉及的磁记录装置的示意性的剖面图。
图15(a)和图15(b)是例示出第2实施方式涉及的磁记录装置的示意性的剖面图。
图16是例示出第2实施方式涉及的磁记录装置的动作的示意图。
图17是例示出第2实施方式涉及的磁记录装置的动作的示意图。
图18(a)和图18(b)是例示出第4实施方式涉及的磁记录装置的示意性的剖面图。
图19是例示出第3实施方式涉及的磁记录装置的示意性的剖面图。
图20是例示出实施方式涉及的磁记录装置的一部分的示意性的立体图。
图21是例示出实施方式涉及的磁记录装置的示意性的立体图。
图22(a)和图22(b)是例示出实施方式涉及的磁记录装置的一部分的示意性的立体图。
标号说明
20：导电部件；
20D：第1电路；
20Da：直流电路；
20Ds：开关；
21：第1导电层；
21sp：自旋转矩；
22：第2导电层；
22sp：自旋转矩；
25：磁性层；
25M：磁化；
26：导电部件；
26a、26b：第1、第2磁性层；
26n：中间层；
28：导电部件；
30：磁极；
30D：第2电路；
30F：第1面；
30M：磁化；
30c：线圈；
30e：端部；
30i：绝缘部；
31～34：第1～第4屏蔽件；
31M：磁化；
80：磁记录介质；
110、120、130、131：磁头；
150：磁记录装置；
154：悬架；
155：臂；
156：音圈马达；
157：轴承部；
158：头万向节组件；
159：头滑块；
159A：空气流入侧；
159B：空气流出侧；
160：头堆叠组件；
161：支承架；
162：线圈；
180：记录用介质盘；
180M：主轴马达；
181：记录介质；
190：信号处理部；
210、211、220、230、231：磁记录装置；
AR、AR1：箭头；
BERv：位出错率值；
BLN：位长；
BLNa：最短位长；
DH：磁场宽度；
DT：期间；
FD：场延迟；
H2：磁场；
Hg1：间隙磁场；
Hw：记录磁场；
I1：第1电流；
Idc：直流电流；
Iw：记录电流；
Iw1～Iw3：记录电流；
IwH：最高值；
IwL：最低值；
Je：电子流；
OS：过冲；
RP：上升部；
RTIw：上升时间；
T1、T2：第1、第2端子；
W1、W2：第1、第2布线；
WD：面记录密度；
tm：时间。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的各实施方式进行说明。
附图是示意性或概念性的附图，各部分的厚度与宽度的关系、部分间的大小的比率等并不一定限于与现实相同。即使在表示相同的部分的情况下，有时彼此的尺寸、比率也根据附图而不同地表示。
在本申请说明书和各图中，对与前文关于已有的图所描述的要素同样的要素标注相同的标号而适当地省略详细的说明。
(第1实施方式)
图1(a)和图1(b)是例示出第1实施方式涉及的磁记录装置的示意图。
图1(a)是图1(b)的A1-A2线剖面图。图1(b)是从图1(a)的箭头AR1观察而得到的平面图。在图1(b)中省略了图1(a)所例示的磁记录介质80。
如图1(a)所示，实施方式涉及的磁记录装置210包括磁头110和第1电路20D。磁头110包括磁极30、第1屏蔽件31以及导电部件28。在该例子中，磁头110还包括第2屏蔽件32和线圈30c。
在第1屏蔽件31与第2屏蔽件32之间设置有磁极30。线圈30c的至少一部分设置于磁极30与第1屏蔽件31之间。在该例子中，线圈30c的一部分设置于磁极30与第2屏蔽件32之间。
在线圈30c电连接有第2电路30D。第2电路30D例如是记录用电路。从第2电路30D向线圈30c供给记录电流Iw。从磁极30产生与记录电流Iw相应的磁场(记录磁场Hw)。记录磁场Hw被施加到磁记录介质80，在磁记录介质80记录信息。像这样，第2电路30D能够将与所记录的信息对应的记录电流Iw向线圈30c供给。
导电部件28设置于磁极30与第1屏蔽件31之间。导电部件28与磁极30和第1屏蔽件31相接。导电部件28为非磁性。
导电部件28包括例如Cu、Au、Ag、Al、Ir、Ta、Ru、Pt、W以及Mo中的至少任一者。
围绕磁极30、第1屏蔽件31、第2屏蔽件32、线圈30c以及导电部件28设置有绝缘部30i。
磁极30的端部30e与磁记录介质80相对。端部30e包括第1面30F。第1面30F例如对应于介质相对面。第1面30F沿磁头110的ABS(Air Bearing Surface：空气支承面)。第1面30F与磁记录介质80相对。
将相对于第1面30F垂直的方向设为Z轴方向。将相对于Z轴方向垂直的一个方向设为X轴方向。将相对于Z轴方向和X轴方向垂直的方向设为Y轴方向。
Z轴方向例如是高度方向。X轴方向例如是沿磁道(down track)方向。Y轴方向例如是交叉磁道(cross track)方向。
第1屏蔽件31沿X轴方向离开磁极30。X轴方向沿第1面30F。例如，在第1面30F的旁边，第1屏蔽件31沿X轴方向离开磁极30。例如，在第1面30F的旁边，磁极30沿X轴方向离开第2屏蔽件32。磁头110与磁记录介质80实质上沿X轴方向相对移动。由此，可在磁记录介质80的任意的位置记录信息。
磁极30例如是主磁极。第1屏蔽件31例如是辅助磁极。第1屏蔽件31能够与磁极30一起形成磁芯。
如图1(b)所示，也可以设置侧屏蔽(第3屏蔽件33和第4屏蔽件34)。在Y轴方向上，在第3屏蔽件33与第4屏蔽件34之间设置有磁极30。
磁极30的端部30e与第1屏蔽件31的端部之间相当于记录间隙。在记录间隙设置有导电部件28。
第1电路20D能够向磁极30、导电部件28以及第1屏蔽件31供给直流电流Idc。
例如设置有第1布线W1和第2布线W2。第1布线W1与磁极30电连接。第2布线W2与第1屏蔽件31电连接。也可以设置第1端子T1和第2端子T2。第1端子T1经由第1布线W1而与磁极30电连接。第2端子T2经由第2布线W2而与第1屏蔽件31电连接。
上述的直流电流Idc从第1电路20D被供给。直流电流Idc经由第1端子T1、第1布线W1、第2布线W2以及第2端子T2向磁极30、导电部件28以及第1屏蔽件31流动。
在一个例子中，直流电流Idc的朝向是从第1屏蔽件31向磁极30的朝向。直流电流Idc的朝向也可以是从磁极30向第1屏蔽件31的朝向。直流电流Idc的朝向是任意的。
如以下所说明的那样，可知，直流电流Idc流动，由此记录磁场Hw容易变得稳定。例如，能够抑制记录磁场Hw的偏差。由此，能够提供能提高记录密度的磁记录装置。
以下，对发明人独立进行的研究结果进行说明。
图2是例示出磁记录装置的特性的图表。
图2例示出在向线圈30c流动了记录电流Iw时从磁极30产生的记录磁场Hw的模拟结果。记录电流Iw的极***替地变化。该记录电流Iw对应于在磁记录介质80交替地记录“0”和“1”的信息的情况。图2的横轴对应于时间tm(ns)。图2的纵轴对应于记录磁场Hw(Oe)。
在图2中，用实线来描绘直流电流Idc流动的情况下(导通状态“ON”)的记录磁场Hw。在图2中，用点线来描绘直流电流Idc不流动的情况下(断开状态“OFF”)的记录磁场Hw。
如图2所示，供给了直流电流Idc时的记录磁场Hw(实线)与未供给直流电流Idc时的记录磁场Hw(点线)不同。
图3(a)～图3(c)是例示出磁记录装置的特性的图表。
在图3(a)中，图2所例示的点线的记录磁场Hw(断开状态“OFF”)重叠地显示。在图3(b)中，图2所例示的实线的记录磁场Hw(导通状态“ON”)重叠地显示。在图3(c)中，用点线表示图3(a)所例示的断开状态“OFF”的记录磁场Hw被平均后的特性。在图3(c)中，用实线表示图3(b)所例示的导通状态“ON”的记录磁场Hw被平均后的特性。上述的图的横轴对应于时间tm。上述的图的纵轴对应于记录磁场Hw。
如图3(a)所示，在未供给直流电流Idc时的记录磁场Hw中，偏差大。产生大的抖动。
与此相对，如图3(b)所示，在供给了直流电流Idc时的记录磁场Hw中，偏差非常小。可抑制抖动。
通过偏差变小，由此例如能够提高在轨(on track)的性能。例如，能够提高在轨的记录密度。
考虑到在未供给直流电流Idc的情况下，例如，在磁极30的磁化反转时，在磁极30的顶端部分(端部30e的旁边)形成有复杂的磁区。该磁区成为能量势垒。在记录电流Iw发生了正负变化时，认为磁区的变化不均匀。在记录电流Iw发生了正负变化时，容易产生偏差。因此，认为记录磁场Hw的变化的偏差大。
与此相对，考虑到在供给了直流电流Idc时，直流电流Idc成为偏压，难以形成复杂的磁区。由此，认为可抑制记录磁场Hw的变化的偏差。
在供给了直流电流Idc时的记录磁场Hw中，偏差得到了改善的情况是发明人新发现的现象。实施方式是基于新发现的该现象导出的。
在本实施方式中，从第1电路20D向磁极30、导电部件28以及第1屏蔽件31供给直流电流Idc。抑制了记录磁场Hw的偏差，抑制了抖动。例如，能够提高在轨性能。能够提高记录密度。
在实施方式中，直流电流Idc也可以不是完全的直流。直流电流Idc的大小也可以发生变化。直流电流Idc的大小的最大值与直流电流Idc的大小的最小值之差相对于最大值和最小值的平均值的比例如为10％以下。直流电流Idc例如也可以具有10％左右的变动(例如干扰等)。
如图3(c)所示，可知流动直流电流Idc的情况下(导通状态“ON”)的记录磁场Hw(实线)的上升比不流动直流电流Idc的情况下(断开状态“OFF”)的记录磁场Hw的上升急剧。
认为这是因为：直流电流Idc流动，由此磁极30的磁区稳定地在短时间内反转。
例如，流动直流电流Idc的情况下(导通状态“ON”)的记录磁场Hw(实线)的上升的倾斜度约为3.28kOe/10ps。不流动直流电流Idc的情况下(断开状态“OFF”)的记录磁场Hw(点线)的上升的倾斜度约为2.32kOe/10ps。
通过供给直流电流Idc，记录磁场Hw的上升快至不供给直流电流Idc的情况下的上升的1.5倍。能够减少记录磁场Hw相对于记录电流Iw的变化的延迟。通过供给直流电流Idc，能够应对高频率的记录。由此，例如能够提高写入动作。例如，能够提高在轨的记录密度。
以下，对改变了记录电流Iw的上升时间时的特性的例子进行说明。以下，对关于供给直流电流Idc的情况、和未供给直流电流Idc的情况这双方的特性进行说明。
图4是例示出磁记录装置的特性的图表。
图4的横轴对应于时间tm(ns)。图4的纵轴对应于记录电流Iw(mA)。在图4中，例示出3种记录电流Iw(记录电流Iw1～Iw3)。
在该例子中，在记录电流Iw设置有反转时的过冲(overshoot)OS。过冲OS具有期间DT(duration time：持续时间)。
记录电流Iw具有最低值IwL和最高值IwH。负极性的过冲OS中的记录电流Iw对应于最低值IwL。正极性的过冲OS中的记录电流Iw对应于最高值IwH。
例如，在记录电流Iw中，将从一方的极性(在该例子中为负极性)向另一方的极性(在该例子中为正极性)的转移设为上升部RP。在3种记录电流Iw(记录电流Iw1～Iw3)中，上升部RP中的记录电流Iw的倾斜度(变化率)彼此不同。倾斜度的差异对应于上升时间RTIw的差异。
最高值IwH与最低值IwL之差对应于上升时间RTIw与上升部RP中的记录电流Iw的倾斜度之积。
在该例子中，在点线的记录电流Iw1中，上升时间RTIw为50ps。在实线的记录电流Iw2中，上升时间RTIw为175ps。在虚线的记录电流Iw3中，上升时间RTIw为325ps。
例如，在与从负极性向正极性的转移有关的上升部RP中记录电流Iw成为0的时刻与在与从正极性向负极性的转移有关的上升部RP中记录电流Iw成为0的时刻的差对应于位长BLN。在该例子中，位长BLN为900ps。
图5和图6是例示出磁记录装置的特性的图表。
图5和图6例示出向线圈30c供给了图4所例示的记录电流Iw1～Iw3时的记录磁场Hw的变化。图5对应于供给了直流电流Idc的情况(导通状态“ON”)。图6对应于未供给直流电流Idc的情况(断开状态“OFF”)。上述的图的横轴是时间tm(ns)。时间tm为0ns时对应于记录电流Iw1～Iw3的切换(switching)的开始的时间。
如上述的图所示，记录磁场Hw的上升特性根据记录电流Iw1～Iw3的上升时间RTIw的不同而发生变化。进而，记录磁场Hw的上升特性根据直流电流Idc的有无(导通状态“ON”或断开状态“OFF”)而发生变化。
将从时间tm为0ns时到记录磁场Hw成为0Oe时为止的时间设为场延迟FD。例如，在图5所示的实线(记录电流Iw2)的特性中，场延迟FD约为0.1ns。在图5和图6所示的六个特性中分别求出场延迟FD。
图7是例示出磁记录装置的特性的图表。
图7例示出关于上述的六个特性的场延迟FD。横轴对应于记录电流Iw的上升时间RTIw(ps)。纵轴对应于场延迟FD(ns)。六个特性对应于图4所例示的三个记录电流Iw1～Iw3各自中的直流电流Idc的有无(导通状态“ON”或断开状态“OFF”)。
如图7所示，在直流电流Idc的有无(导通状态“ON”或断开状态“OFF”)这双方中，当上升时间RTIw变大时，场延迟FD变大。在相同的上升时间RTIw中，供给了直流电流Idc的情况下(导通状态“ON”)的场延迟FD比未供给直流电流Idc的情况下(断开状态“OFF”)的场延迟FD小。
以下，对“磁场宽度”的特性的例子进行说明。“磁场宽度”是切换记录电流Iw而记录磁场Hw稳定后的记录磁场Hw的交叉磁道方向(图1(a)中的Y轴方向)的最大值。记录磁场Hw稳定后的状态是例如在图5和图6中，时间tm为0.2ns以后的状态。
图8是例示出磁记录装置的特性的图表。
图8的横轴对应于场延迟FD(ns)。图8的纵轴对应于磁场宽度DH(nm)。在图8中示出向线圈30c供给图4所例示的记录电流Iw1～Iw3，且有无直流电流Idc(导通状态“ON”或断开状态“OFF”)时的数据。
根据图8可知，不论有无直流电流Idc，当场延迟FD小时，磁场宽度DH大。当场延迟FD变大时，磁场宽度DH变小。
这样的特性是发明人新发现的现象。认为原因之一是：当场延迟FD小时，侧屏蔽(第3屏蔽件33和第4屏蔽件34)的磁化反转变得不充分，磁场宽度DH变大。
图9是例示出磁记录装置的特性的图表。
图10是例示出磁记录装置中的记录电流的示意图。
图9的横轴对应于记录电流Iw的上升时间RTIw(ps)。图9的纵轴对应于磁场宽度DH(nm)。在图9中例示出最短位长的记录电流Iw(参照图10)的特性。
图10的横轴是时间tm(ps)。图10的纵轴是记录电流Iw。最短位长的记录电流Iw的波形成为仅是过冲部的波形。在该例子中，最短位长BLNa为0.34ns(340ps)。在图10所例示的记录电流Iw1～Iw3中，上升时间RTIw分别为50ps、175ps以及325ps。图9例示出向线圈30c供给这样的记录电流Iw1～Iw3、且有无直流电流Idc(导通状态“ON”或断开状态“OFF”)时的数据。
根据图9可知，在有无直流电流Idc的供给这双方的情况下，若增大记录电流Iw的上升时间RTIw，则磁场宽度DH变小。
当着眼于获得相同的磁场宽度DH的上升时间RTIw时，导通状态“ON”下的上升时间RTIw比断开状态“OFF”下的上升时间RTIw大。例如，在导通状态“ON”下，获得76nm的磁场宽度DH的上升时间RTIw约为150ps。在断开状态“OFF”下，获得76nm的磁场宽度DH的上升时间RTIw约为50ps。若像这样使导通状态“ON”下的上升时间RTIw比断开状态“OFF”下的上升时间RTIw大，并使其大出程度为约100ps，则能够抑制磁场宽度DH(交叉磁道方向的磁场的宽度)变得过大。
以下，对上升时间RTIw与位出错率的关系、和上升时间RTIw与面记录密度的关系的例子进行说明。
图11是例示出磁记录装置的特性的图表。
图11的横轴是上升时间RTIw。图11的纵轴是位出错率值BERv。位出错率值BERv是位出错率的对数(最低限为10)。位出错率值BERv对应于在轨特性。在图11中，例示出有无直流电流Idc(导通状态“ON”或断开状态“OFF”)时的特性。
如图11所示，在上升时间RTIw较小的区域中，位出错率值BERv几乎不取决于上升时间RTIw。在该区域中，导通状态“ON”下的位出错率值BERv比断开状态“OFF”下的位出错率值BERv小。
当上升时间RTIw超过某一值时，位出错率值BERv急剧地恶化。位出错率值BERv急剧地恶化的上升时间RTIw(阈值)根据直流电流Idc的有无而不同。导通状态“ON”下的上升时间RTIw的阈值比断开状态“OFF”下的上升时间RTIw的阈值大。
像这样，当上升时间RTIw大时，磁场宽度DH变小(参照图9)，脱轨特性提高。然而，当上升时间RTIw过大时(当超过阈值时)，位出错率值BERv恶化(参照图11)，在轨特性恶化。
磁记录装置的面记录密度受到脱轨特性和在轨特性这双方的影响。
图12是例示出磁记录装置的特性的图表。
图12的横轴是上升时间RTIw。图12的纵轴是面记录密度WD(Tbits/inch2)。面记录密度WD对应于在轨特性和脱轨特性这双方。在图12中，例示出有无直流电流Idc(导通状态“ON”或断开状态“OFF”)时的特性。
如图12所示，在导通状态“ON”和断开状态“OFF”下，面记录密度WD分别在某一上升时间RTIw成为最高。并且，导通状态“ON”下的面记录密度WD的最高值比断开状态“OFF”下的面记录密度WD的最高值高。在导通状态“ON”下面记录密度WD成为最高的上升时间RTIw比在断开状态“OFF”下面记录密度WD成为最高的上升时间RTIw大。
在该例子中，在导通状态“ON”下面记录密度WD成为最高的上升时间RTIw约为300ps。另一方面，在断开状态“OFF”下面记录密度WD成为最高的上升时间RTIw约为220ps。
例如，在导通状态“ON”下抖动小(参照图3(a))。因此，认为在相同的上升时间RTIw获得的最高的面记录密度WD大。在导通状态“ON”下，记录磁场Hw的上升快(参照图3(c))。因此，在导通状态“ON”下，能够使用大的上升时间RTIw。
如上所述，在该例子中，最短位长BLNa为340ps。在断开状态“OFF”下面记录密度WD成为最高的上升时间RTIw约为220ps。该值与最短位长BLNa的64.7％对应。在导通状态“ON”下，能够使用比在断开状态“OFF”下面记录密度WD成为最高的上升时间RTIw大的值。例如，在导通状态“ON”下，能够使用超过最短位长BLNa的64.7％(例如65％以上)的上升时间RTIw。
在图12所示的例子中，在导通状态“ON”下面记录密度WD成为最高的上升时间RTIw约为300ps。该值与最短位长BLNa的88％对应。
在实施方式中，例如，进行2.94Gbps的记录。此时，最短位长BLNa对应于0.34ns。
在实施方式中，在导通状态“ON”下，即使将记录电流Iw的上升时间RTIw设为1位(最短位长BLNa)的65％以上，例如也可获得与断开状态“OFF”下的磁场宽度DH同等以上的磁场宽度DH。例如，在导通状态“ON”下，也可以使记录电流Iw的上升时间RTIw为1位的85％以上。能够使导通状态“ON”下的记录电流Iw的上升时间RTIw明显比断开状态“OFF”下的记录电流Iw的上升时间RTIw大。
如上所述，通过供给直流电流Idc(导通状态“ON”)，能够抑制记录磁场Hw的抖动并提高在轨方向的性能。当供给直流电流Idc(导通状态“ON”)时，场延迟FD变小，磁场宽度DH变大(参照图7和图8)。因此，有时在交叉磁道方向上产生损失。此时，通过优化供给了直流电流Idc(导通状态“ON”)时的记录电流Iw的上升时间RTIw，能够抑制交叉磁道方向的损失。
在实施方式中，例如，记录电流Iw的上升时间RTIw是1位的时间(最短位长BLNa)的65％以上。由此，可抑制磁场宽度DH变得过大。能够抑制交叉磁道方向的损失。
像这样，在磁记录装置210中还设置有线圈30c、和能够向线圈30c供给记录电流Iw的第2电路30D。从磁极30产生与记录电流Iw相应的记录磁场Hw。在一个例子中，记录电流Iw的上升时间RTIw是1位的时间(最短位长BLNa)的65％以上。
如关于图9和图11所说明的那样，“ON”状态的在轨特性优于“OFF”状态的在轨特性。这表示“ON”状态下的线记录密度比“OFF”状态下的线记录密度高。另一方面，“OFF”状态的脱轨(off track)特性优于“ON”状态的脱轨特性。这表示“OFF”状态下的磁道密度比“OFF”状态下的磁道密度好。
在实施方式中，也可以根据硬盘(磁记录介质80)的规格来切换“ON”状态的动作与“OFF”状态的动作来实施。例如，在一个硬盘(磁记录介质80)中，也可以切换“ON”状态的动作与“OFF”状态的动作来实施。例如，在使线记录密度与面记录密度中的至少任一者优先的部分中，也可以在“ON”状态下进行动作。例如，在使磁道密度优先的部分中，也可以在“OFF”状态下进行动作。例如，能够更精细地与硬盘的规格对应。
图13是例示出磁记录装置的特性的示意图。
图13示出在多个磁头的样本中，导通状态“ON”和断开状态“OFF”时的面记录密度WD的测定结果。图13的纵轴是面记录密度WD(Tbits/inch2)。
在该测定中，使用与图9同样的波形(参照图10)。在图13中，导通状态“ON”的多个印记中的一个与断开状态“OFF”的印记中的一个通过直线连结。通过直线连结的两个印记对应于多个磁头的样本中的一个。
在图13所例示的多个样本中，导通状态“ON”时的面记录密度WD的平均为0.88Tbits/inch2。另一方面，断开状态“OFF”时的面记录密度WD的平均为0.858Tbits/inch2。像这样，在导通状态“ON”下，与断开状态“OFF”相比，面记录密度WD提高。在该例子中，提高的程度为2.5％。
在该例子中，导通状态“ON”下的多个磁头的面记录密度WD的偏差比断开状态“OFF”下的多个磁头的面记录密度WD的偏差大。
例如，根据样本，在断开状态“OFF”下面记录密度WD尤其低。通过将这样的样本作为导通状态“ON”使用，可更有效地获得高的面记录密度WD。
图14是例示出第1实施方式涉及的磁记录装置的示意性的剖面图。
如图14所示，在磁记录装置211中，第1电路20D包括直流电流电路20Da和开关20Ds。开关20Ds能够切换来自直流电流电路20Da的直流电流Idc的供给的接通/断开。
第1电路20D例如能够实施第1动作和第2动作。在第1动作中，第1电路20D向磁极30、导电部件28以及第1屏蔽件31供给第1电流I1。第1电流I1例如是直流电流Idc。在第2动作中，第1电路20D不向磁极30、导电部件28以及第1屏蔽件31供给上述的第1电流I1。这样的第1动作与第2动作的切换例如通过开关20Ds来实施。开关20Ds也能够被视为与第1电路20D分开的个体。
例如，第2电路30D使第1动作中的记录电流Iw的上升时间RTIw(例如，第1上升时间)比第2动作中的记录电流Iw的上升时间RTIw(例如，第2上升时间)长。例如，能够抑制磁场宽度DH的过度的增大。
上述的第1上升时间与上述的第2上升时间之差例如为80皮秒(ps)以上。该差也可以是100ps以上。
例如，在第1动作中，记录电流Iw的上升时间RTIw是1位的时间的65％以上。上升时间RTIw也可以是1位的时间的60％以上。上升时间RTIw也可以是1位的时间的65％以上。上升时间RTIw也可以是1位的时间的85％以上。
在第2动作中，电流实质上不向磁极30、导电部件28以及第1屏蔽件31流动。或者在第2动作中向磁极30、导电部件28以及第1屏蔽件31流动的电流比第1动作中的第1电流I1(例如直流电流Idc)小。在第2动作中向磁极30、导电部件28以及第1屏蔽件31流动的电流例如是第1电流I1的1/10以下。
在实施方式中，也可以切换第1动作与第2动作来实施。例如，能够更精细地与硬盘的规格对应。
(第2实施方式)
图15(a)和图15(b)是例示出第2实施方式涉及的磁记录装置的示意性的剖面图。
图15(b)是图15(a)的一部分的放大图。
如图15(a)所示，磁记录装置220包括磁头120和第1电路20D。磁头120包括磁极30、第1屏蔽件31以及导电部件20。在该例子中，磁头120还包括第2屏蔽件32和线圈30c。磁头120也可以还包括第3屏蔽件33和第4屏蔽件34(参照图1(b))。
如图15(b)所示，第1电路20D能够向磁极30、导电部件20以及第1屏蔽件31供给第1电流I1。第1电流I1例如是直流电流Idc。也可以在第1电路20D设置有直流电流电路20Da和开关20Ds。第1电路20D也可以切换第1电流I1的供给的接通/断开(第1动作或第2动作)来实施。
如图15(b)所示，在本实施方式中，导电部件20的构成与第1实施方式中的导电部件28的构成不同。磁记录装置220(磁头120)中的除此以外的构成与磁记录装置210或211(磁头110)中的构成同样。以下，对导电部件20的例子进行说明。
如图15(b)所示，导电部件20包括磁性层25、第1导电层21以及第2导电层22。磁性层25设置于磁极30与第1屏蔽件31之间。磁性层25包含例如从由Fe、Co以及Ni构成的组中选择的至少一者。
第1导电层21设置于磁极30与磁性层25之间。第1导电层21与磁极30和磁性层25相接。第1导电层21包含第1材料与第2材料中的一方，第1导电层21是非磁性的。
第2导电层22设置于磁性层25与第1屏蔽件31之间。第2导电层22与磁性层25和第1屏蔽件31相接。第2导电层22包含第1材料与第2材料中的另一方。第2导电层22是非磁性的。
第1材料包含从由Ta、Pt、W、Ru、Mo、Ir、Rh以及Pd构成的组中选择的至少一者。第2材料包含从由Cu、Ag以及Au构成的组中选择的至少一者。
在一个例子中，第1导电层21包含第1材料，第2导电层22包含第2材料。例如，第1导电层21包含Ta，第2导电层22包含Cu。此时，第1电流I1例如具有从第1屏蔽件31向磁极30的朝向。
在其他例子中，第1导电层21包含第2材料，第2导电层22包含第1材料。例如，第1导电层21包含Cu，第2导电层22包含Ta。此时，第1电流I1具有从磁极30向第1屏蔽件31的朝向。
通过这样的构成，可抑制从磁极30发出的记录磁场Hw直接朝向第1屏蔽件31。记录磁场Hw容易朝向磁记录介质80。记录磁场Hw被有效地施加到磁记录介质80。能够进行更高效的记录。能够提高记录密度。
在磁记录装置220中，也通过供给第1电流I1，从而抑制记录磁场Hw的偏差。可抑制抖动。例如，能够提高在轨的性能。例如，能够提高在轨的记录密度。
在磁记录装置220中，也可以进行上述的第1动作和第2动作。例如，第2电路30D使第1动作中的记录电流Iw的上升时间RTIw(例如，第1上升时间)比第2动作中的记录电流Iw的上升时间RTIw(例如，第2上升时间)长。第1上升时间与第2上升时间之差例如为80皮秒以上。例如，在第1动作中，记录电流Iw的上升时间RTIw是1位的时间的65％以上。例如，在第2动作中，电流实质上不向磁极30、导电部件28以及第1屏蔽件31流动。或者在第2动作中向磁极30、导电部件28以及第1屏蔽件31流动的电流比第1动作中的第1电流I1(例如直流电流Idc)小。
图16是例示出第2实施方式涉及的磁记录装置的动作的示意图。
通过使记录电流Iw向线圈30c流动，从而从磁极30产生磁场H2。磁场H2的一部分作为记录磁场Hw朝向磁记录介质80。在未设置磁性层25的参考例中，磁场H2容易朝向第1屏蔽件31。结果，有时难以将记录磁场Hw施加到磁记录介质80。
如图16所示，在磁头120中，通过使第1电流I1向磁性层25(导电部件20)流动，磁性层25的磁化具有与从磁极30发出的磁场H2的朝向相反的朝向的成分。因此，磁场H2难以通过磁性层25。磁场H2的大部分成为记录磁场Hw而通过磁记录介质80进入第1屏蔽件31。因此，记录磁场Hw容易施加到磁记录介质80。即使在减小了记录间隙时，磁场H2也可有效地施加到磁记录介质80。
图17是例示出第2实施方式涉及的磁记录装置的动作的示意图。
如图17所示，在磁极30与第1屏蔽件31之间设置有导电部件20。在导电部件20中，设置有磁性层25、第1导电层21以及第2导电层22。
从第2电路30D向磁极30的线圈30c供给记录电流Iw(参照图15(a))。由此，从磁极30产生间隙磁场Hg1。间隙磁场Hg1被施加到导电部件20。
例如，磁极30的磁化30M和第1屏蔽件31的磁化31M与间隙磁场Hg1大致平行。磁性层25的磁化25M与间隙磁场Hg1大致平行。
从第1电路20D向导电部件20供给第1电流I1。在该例子中，经由第1屏蔽件31和磁极30而向导电部件20供给第1电流I1。在该例子中，第1电流I1从第2导电层22朝向第1导电层21流动。此时，电子流Je流动。电子流Je从第1导电层21朝向第2导电层22流动。
通过电子流Je，在第1导电层21与磁性层25之间的界面产生自旋转矩21sp。该自旋转矩21sp是透射型。另一方面，通过电子流Je，在磁性层25与第2导电层22之间的界面产生自旋转矩22sp。自旋转矩22sp是反射型。通过上述的自旋转矩，磁性层25的磁化25M反转。反转后的磁化25M具有相对于图17所示的间隙磁场Hg1反平行的成分。
在其他例子中，第1电流I1例如也可以从第1导电层21朝向第2导电层22流动。此时，图17所示的自旋转矩21sp的朝向和自旋转矩22sp的朝向反转。自旋转矩21sp是反射型，自旋转矩22sp是透射型。
例如，磁性层25的磁化25M具有与在未向磁性层25供给第1电流I1的情况下从磁极30产生的磁场(间隙磁场Hg1)相反的朝向。通过这样的磁化25M，能够将从磁极30产生的磁场有效地施加到磁记录介质80。
在实施方式中，例如，在使第1电流I1向第1导电层21与第2导电层22之间(例如，磁极30与第1屏蔽件31之间)流动时，磁性层25的磁化25M包括与在不流动第1电流I1的情况下从磁极30产生的磁场(间隙磁场Hg1)相反的方向的成分。
磁性层25例如作为控制磁场的“磁场控制层”发挥作用。
(第3实施方式)
图18(a)和图18(b)是例示出第3实施方式涉及的磁记录装置的示意性的剖面图。
图18(a)是与图1(b)的A1-A2线剖面对应的剖面图。图18(b)是图18(a)的一部分的放大图。
如图18(a)所示，磁记录装置230包括磁头130和第1电路20D。磁头130包括磁极30、第1屏蔽件31以及导电部件26。在该例子中，磁头130还包括第2屏蔽件32和线圈30c。磁头130也可以还包括第3屏蔽件33和第4屏蔽件34(参照图1(b))。
如图18(b)所示，第1电路20D能够向磁极30、导电部件26以及第1屏蔽件31供给第1电流I1。第1电流I1例如是直流电流Idc。也可以在第1电路20D设置有直流电流电路20Da和开关20Ds。第1电路20D也可以切换第1电流I1的供给的接通/断开(第1动作或第2动作)来实施。
如图18(b)所示，在本实施方式中，导电部件26的构成与第1实施方式中的导电部件28的构成不同。磁记录装置230(磁头130)中的除此以外的构成与磁记录装置210或211(磁头110)中的构成同样。以下，对导电部件26的例子进行说明。
如图18(b)所示，导电部件26包括第1磁性层26a、第2磁性层26b以及中间层26n。中间层26n设置于第1磁性层26a与第2磁性层26b之间。中间层26n是非磁性的。
在该例子中，第1磁性层26a设置于磁极30与中间层26n之间。第2磁性层26b设置于中间层26n与第1屏蔽件31之间。也可以像后述那样，第2磁性层26b设置于磁极30与中间层26n之间，第1磁性层26a设置于中间层26n与第1屏蔽件31之间。
也可以在磁极30与导电部件26之间设置其他的层(例如电极等)。也可以在第1屏蔽件31与导电部件26之间设置其他的层(例如电极等)。
在该情况下，也通过第1电路20D来向导电部件26供给第1电流I1(例如，直流电流Idc)。
由此，例如，从导电部件26产生高频磁场。该高频磁场被施加到磁记录介质80。通过高频磁场，磁记录介质80的磁化容易发生变化，变得容易进行高密度的记录。导电部件26例如是自旋转矩振荡器。
例如，第1磁性层26a作为振荡层发挥作用。例如，第2磁性层26b作为自旋注入层发挥作用。
第1磁性层26a包含第1磁性材料与第2磁性材料中的一方。此时，第2磁性层26b包含第1磁性材料与第2磁性材料中的另一方。例如，第1磁性材料包含例如从由FeCo合金和霍斯勒(Heusler)合金构成的组中选择的至少一者。第2磁性材料包含例如从由CoPt合金、FePt合金、包含Co和Pd的层叠膜、以及包含Co和Pt的层叠膜构成的组中选择的至少一者。
中间层26n包含例如从由Cu、Au以及Ag构成的组中选择的至少一者。
例如，第1磁性层26a包含第1材料，第2磁性层26b包含第2材料。此时，如图18(b)所示，第1电流I1具有从第2磁性层26b向第1磁性层26a的朝向。第1电流I1具有从第1屏蔽件31向磁极30的朝向。第1磁性层26a的磁化进行振荡。
图19是例示出第3实施方式涉及的磁记录装置的示意性的剖面图。
如图19所示，在磁记录装置231(和磁头131)中也设置有导电部件26。磁头131中的第1磁性层26a和第2磁性层26b的位置与磁头130中的第1磁性层26a和第2磁性层26b的位置不同。磁头131中的除此以外的构成与磁头130中的构成同样。
在磁头131中，第2磁性层26b设置于磁极30与中间层26n之间。第1磁性层26a设置于中间层26n与第1屏蔽件31之间。
例如，第1磁性层26a包含第1材料，第2磁性层26b包含第2材料。此时，如图19所示，第1电流I1具有从第2磁性层26b向第1磁性层26a的朝向。第1电流I1具有从磁极30向第1屏蔽件31的朝向。第1磁性层26a的磁化进行振荡。
在磁记录装置230和231中，也可以进行上述的第1动作和第2动作。例如，第2电路30D使第1动作中的记录电流Iw的上升时间RTIw(例如，第1上升时间)比第2动作中的记录电流Iw的上升时间RTIw(例如，第2上升时间)长。第1上升时间与第2上升时间之差为80皮秒以上。例如，在第1动作中，记录电流Iw的上升时间RTIw是1位的时间的65％以上。例如，在第2动作中，电流实质上不向磁极30、导电部件28以及第1屏蔽件31流动。或者在第2动作中向磁极30、导电部件28以及第1屏蔽件31流动的电流比第1动作中的第1电流I1(例如直流电流Idc)小。
以下，对本实施方式涉及的磁记录装置的例子进行说明。磁记录装置也可以是磁记录再现装置。磁头也可以包括记录部和再现部。
图20是例示出实施方式涉及的磁记录装置的一部分的示意性的立体图。
图20例示出头滑块。
磁头110设置于头滑块159。头滑块159例如包含Al2O3/TiC等。头滑块159一边在磁记录介质上悬浮或者与磁记录介质接触一边相对于磁记录介质相对运动。
头滑块159例如具有空气流入侧159A和空气流出侧159B。磁头110配置在头滑块159的空气流出侧159B的侧面等。由此，磁头110一边在磁记录介质上悬浮或者与磁记录介质接触一边相对于磁记录介质相对运动。
图21是例示出实施方式涉及的磁记录装置的示意性的立体图。
图22(a)和图22(b)是例示出实施方式涉及的磁记录装置的一部分的示意性的立体图。
如图21所示，在实施方式涉及的磁记录装置150中使用旋转致动器。记录用介质盘180安装于主轴马达180M。记录用介质盘180通过主轴马达180M而沿箭头AR的方向旋转。主轴马达180M响应来自驱动装置控制部的控制信号。本实施方式涉及的磁记录装置150也可以具备多个记录用介质盘180。磁记录装置150也可以包括记录介质181。记录介质181例如是SSD(Solid State Drive：固态硬盘)。例如，闪速存储器等非易失性存储器用于记录介质181。例如，磁记录装置150也可以是混合HDD(Hard Disk Drive：硬盘驱动器)。
头滑块159进行记录于记录用介质盘180的信息的记录和再现。头滑块159设置于薄膜状的悬架154的顶端。在头滑块159的顶端附近设置有实施方式涉及的磁头。
当记录用介质盘180旋转时，基于悬架154的按压力与在头滑块159的介质相对面(ABS)产生的压力达到平衡。头滑块159的介质相对面与记录用介质盘180的表面之间的距离成为预定的悬浮量。在实施方式中，头滑块159也可以与记录用介质盘180接触。例如，也可以应用接触移动型。
悬架154连接于臂155(例如致动器臂)的一端。臂155例如具有线圈骨架部等。线圈骨架部将驱动线圈保持。在臂155的另一端设置有音圈马达156。音圈马达156是直线电机的一种。音圈马达156例如包括驱动线圈和磁路。驱动线圈卷绕在臂155的线圈骨架部。磁路包括永磁体和相对轭。在永磁体与相对轭之间设置有驱动线圈。悬架154具有一端和另一端。磁头设置于悬架154的一端。臂155连接于悬架154的另一端。
臂155由滚珠轴承保持。滚珠轴承设置于轴承部157的上下的两个部位。臂155能够通过音圈马达156而旋转和滑动。磁头能够移动到记录用介质盘180的任意的位置。
图22(a)例示出磁记录装置的一部分的构成，是头堆叠组件160的放大立体图。
图22(b)是例示出成为头堆叠组件160的一部分的磁头组件(头万向节组件：HGA)158的立体图。
如图22(a)所示，头堆叠组件160包括轴承部157、头万向节组件158以及支承架161。头万向节组件158从轴承部157延伸。支承架161从轴承部157延伸。支承架161的延伸方向与头万向节组件158的延伸方向相反。支承架161支承音圈马达156的线圈162。
如图22(b)所示，头万向节组件158具有从轴承部157延伸的臂155、和从臂155延伸的悬架154。
在悬架154的顶端设置有头滑块159。在头滑块159设置有实施方式涉及的磁头。
实施方式涉及的磁头组件(头万向节组件)158包括实施方式涉及的磁头、设置有磁头的头滑块159、悬架154以及臂155。头滑块159设置于悬架154的一端。臂155与悬架154的另一端连接。
悬架154例如具有信号的记录和再现用的引线(未图示)。悬架154例如也可以具有用于调整悬浮量的加热器用的引线(未图示)。悬架154例如也可以具有用于自旋转矩振荡器用等的引线(未图示)。上述的引线与设置于磁头的多个电极电连接。
在磁记录装置150中设置有信号处理部190。信号处理部190使用磁头来进行向磁记录介质的信号的记录和再现。在信号处理部190中，信号处理部190的输入/输出线例如连接于头万向节组件158的电极焊盘，并与磁头电连接。
本实施方式涉及的磁记录装置150包括磁记录介质、实施方式涉及的磁头、可动部、位置控制部以及信号处理部。可动部能够使磁记录介质与磁头以分离或接触的状态相对移动。位置控制部使磁头对准磁记录介质的预定记录位置。信号处理部进行向使用了磁头的磁记录介质的信号的记录和再现。
例如，使用记录用介质盘180作为上述的磁记录介质。上述的可动部例如包括头滑块159。上述的位置控制部例如包括头万向节组件158。
本实施方式涉及的磁记录装置150具备磁记录介质、实施方式涉及的磁头组件、以及使用设置于磁头组件的磁头来进行向磁记录介质的信号的记录和再现的信号处理部。
实施方式也可以包括以下的技术方案。
(技术方案1)
一种磁记录装置，其具备：
磁头，其包括磁极、第1屏蔽件、设置于所述磁极与所述第1屏蔽件之间并将所述磁极与所述第1屏蔽件电连接的导电部件、以及线圈；
第1电路，其能够向所述磁极、所述导电部件以及所述第1屏蔽件供给第1电流；以及
第2电路，其能够向所述线圈供给记录电流，
从所述磁极产生与所述记录电流相应的记录磁场，
所述记录电流的上升时间是最短位长的65％以上。
(技术方案2)
根据技术方案1所述的磁记录装置，
所述导电部件包括：
磁性层；
非磁性的第1导电层，其设置于所述磁极与所述磁性层之间且与所述磁极和所述磁性层相接并包含第1材料与第2材料中的一方；以及
非磁性的第2导电层，其设置于所述磁性层与所述第1屏蔽件之间且与所述磁性层和所述第1屏蔽件相接并包含所述第1材料与所述第2材料中的另一方，
所述第1材料包含从由Ta、Pt、W、Ru、Mo、Ir、Rh以及Pd构成的组中选择的至少一者，
所述第2材料包含从由Cu、Ag以及Au构成的组中选择的至少一者。
(技术方案3)
根据技术方案2所述的磁记录装置，
所述第1导电层包含所述第1材料，
所述第2导电层包含所述第2材料，
所述第1电流具有从所述第1屏蔽件向所述磁极的朝向。
(技术方案4)
根据技术方案2所述的磁记录装置，
所述第1导电层包含所述第2材料，
所述第2导电层包含所述第1材料，
所述第1电流具有从所述磁极向所述第1屏蔽件的朝向。
(技术方案5)
根据技术方案1所述的磁记录装置，
所述导电部件包括：
第1磁性层；
第2磁性层；以及
非磁性的中间层，其设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间。
(技术方案6)
根据技术方案5所述的磁记录装置，
从所述导电部件产生高频磁场。
(技术方案7)
根据技术方案5或6所述的磁记录装置，
所述第1磁性层包含第1磁性材料与第2磁性材料中的一方，
所述第2磁性层包含所述第1磁性材料与所述第2磁性材料中的另一方，
所述第1磁性材料包含从由FeCo合金与霍斯勒合金构成的组中选择的至少一者，
所述第2磁性材料包含从由CoPt合金、FePt合金、包含Co个Pd的层叠膜、以及包含Co和Pt的层叠膜构成的组中选择的至少一者。
(技术方案8)
根据技术方案7所述的磁记录装置，
所述第1磁性层包含所述第1材料，所述第2磁性层包含所述第2材料，所述第1电流具有从所述第2磁性层向所述第1磁性层的朝向。
(技术方案9)
根据技术方案5～8中任一个所述的磁记录装置，
所述中间层包含从由Cu、Au以及Ag构成的组中选择的至少一者。
(技术方案10)
一种磁记录装置，其具备：
磁头，其包括磁极、第1屏蔽件、设置于所述磁极与所述第1屏蔽件之间并将所述磁极与所述第1屏蔽件电连接的导电部件、以及线圈；
第1电路，其能够实施向所述磁极、所述导电部件以及所述第1屏蔽件供给第1电流的第1动作、和不向所述磁极、所述导电部件以及所述第1屏蔽件供给所述第1电流的第2动作；以及
第2电路，其能够向所述线圈供给记录电流，
从所述磁极产生与所述记录电流相应的记录磁场。
(技术方案11)
根据技术方案10所述的磁记录装置，
所述第2电路使所述第1动作中的所述记录电流的第1上升时间比所述第2动作中的所述记录电流的第2上升时间长。
(技术方案12)
根据技术方案11所述的磁记录装置，
所述第1上升时间与所述第2上升时间之差为80皮秒以上。
(技术方案13)
根据技术方案10～12中任一个所述的磁记录装置，
在所述第1动作中，所述记录电流的上升时间是1位的时间的65％以上。
(技术方案14)
根据技术方案10～13中任一个所述的磁记录装置，
在所述第2动作中，电流不向所述磁极、所述导电部件以及所述第1屏蔽件流动，或者
在所述第2动作中向所述磁极、所述导电部件以及所述第1屏蔽件流动的电流比所述第1电流小。
(技术方案15)
根据技术方案10～14中任一个所述的磁记录装置，
所述导电部件包括：
磁性层；
非磁性的第1导电层，其设置于所述磁极与所述磁性层之间且与所述磁极和所述磁性层相接并包含第1材料与第2材料中的一方；以及
非磁性的第2导电层，其设置于所述磁性层与所述第1屏蔽件之间且与所述磁性层和所述第1屏蔽件相接并包含所述第1材料与所述第2材料中的另一方，
所述第1材料包含从由Ta、Pt、W、Ru、Mo、Ir、Rh以及Pd构成的组中选择的至少一者，
所述第2材料包含从由Cu、Ag以及Au构成的组中选择的至少一者。
(技术方案16)
根据技术方案10～14中任一个所述的磁记录装置，
所述导电部件包括：
第1磁性层；
第2磁性层；以及
非磁性的中间层，其设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间，
在所述第1动作中，从所述导电部件产生高频磁场。
(技术方案17)
根据技术方案1～16中任一个所述的磁记录装置，
还具备利用所述磁头被记录信息的磁记录介质。
根据实施方式，能够提供能提高记录密度的磁头和磁记录装置。
在本申请说明书中，“垂直”和“平行”并不仅是严格的垂直和严格的平行，还包括例如制造工序中的偏差等，是实质上垂直和实质上平行即可。
以上，参照具体例对本发明的实施方式进行了说明。但是，本发明并不限定于上述的具体例。例如，关于磁头所包含的磁极、第1屏蔽件、第2屏蔽件、层叠体、磁性层、导电层以及布线等各要素的具体的构成，只要本领域技术人员能够通过从公知的范围内适当地选择从而同样地实施本发明并获得同样的效果，则包含于本发明的范围内。
只要包含本发明的要旨，在技术上可能的范围内对各具体例的任两个以上的要素进行组合而得到的要素也包含于本发明的范围内。
另外，只要包含本发明的要旨，以作为本发明的实施方式的上述的磁头和磁记录装置为基础，本领域技术人员可以适当地改变设计而实施的所有的磁头和磁记录装置也属于本发明的范围。
另外，在本发明的思想的范畴中，本领域技术人员能够想到各种变更例和修改例，应理解这些变更例和修改例也属于本发明的范围。
对本发明的几个实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例子而提示出的，并非意在限定发明的范围。这些新颖的实施方式可以以其他各种各样的方式实施，在不脱离发明要旨的范围内可以进行各种省略、替换、变更。这些实施方式及其变形包含于发明的范围、要旨，并且包含于在权利要求书所记载的发明及与其等同的范围。

Claims (8)

1.一种磁记录装置，其具备：
磁头，其包括磁极、第1屏蔽件、设置于所述磁极与所述第1屏蔽件之间并将所述磁极与所述第1屏蔽件电连接的导电部件、以及线圈；
第1电路，其能够实施：向所述磁极、所述导电部件以及所述第1屏蔽件供给第1电流的第1动作；和不向所述磁极、所述导电部件以及所述第1屏蔽件供给所述第1电流的第2动作；以及
第2电路，其能够向所述线圈供给记录电流，
从所述磁极产生与所述记录电流相应的记录磁场，
所述第2电路使所述第1动作中的所述记录电流的第1上升时间比所述第2动作中的所述记录电流的第2上升时间长。
2.根据权利要求1所述的磁记录装置，
所述导电部件包括：
磁性层；
非磁性的第1导电层，其设置于所述磁极与所述磁性层之间且与所述磁极和所述磁性层相接并包含第1材料与第2材料中的一方；以及
非磁性的第2导电层，其设置于所述磁性层与所述第1屏蔽件之间且与所述磁性层和所述第1屏蔽件相接并包含所述第1材料与所述第2材料中的另一方，
所述第1材料包含从由Ta、Pt、W、Ru、Mo、Ir、Rh以及Pd构成的组中选择的至少一者，
所述第2材料包含从由Cu、Ag以及Au构成的组中选择的至少一者。
3.根据权利要求1所述的磁记录装置，
所述导电部件包括：
第1磁性层；
第2磁性层；以及
非磁性的中间层，其设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间。
4.根据权利要求3所述的磁记录装置，
从所述导电部件产生高频磁场。
5.根据权利要求1所述的磁记录装置，
所述第1上升时间与所述第2上升时间之差为80皮秒以上。
6.根据权利要求1所述的磁记录装置，
在所述第1动作中，所述记录电流的上升时间是1位的时间的65％以上。
7.根据权利要求1所述的磁记录装置，
在所述第2动作中，电流不向所述磁极、所述导电部件以及所述第1屏蔽件流动，或者
在所述第2动作中向所述磁极、所述导电部件以及所述第1屏蔽件流动的电流比所述第1电流小。
8.根据权利要求1所述的磁记录装置，
还具备利用所述磁头被记录信息的磁记录介质。
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