CN111676444A - 一种蒸镀掩膜板和oled器件 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及蒸镀掩膜板技术领域，特别涉及一种蒸镀掩膜板和OLED器件，包括第一掩膜基板、第二掩膜基板和通电线圈，第一掩膜基板与第二掩膜基板相互贴合，通电线圈套设在第一掩膜基板外壁，使得在通电线圈通上电流时，第一掩膜基板和通电线圈构成一个磁铁，这样可以通过改变电流的方向来改变磁铁的阴阳极，也可以通过调节电流的大小来控制磁铁的磁性大小，进而来调节蒸镀掩膜板的极性和洛伦磁力的大小，实现蒸镀掩膜板的洛伦磁力和本身重力的平衡，以此消除蒸镀掩膜板被磁化带来的影响，从而提高蒸镀器件的良率，提高产品品质。
Description
技术领域
本发明涉及蒸镀掩膜板技术领域，特别涉及一种蒸镀掩膜板和OLED器件。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称为OLED)显示器具备低功耗、宽视角、响应速度快、超轻期薄和抗震性好等特点，作为自主发光的器件越来越底被运用到高性能的显示区域；
目前采用蒸镀方式制备OLED器件，在蒸镀成膜过程中，通过腔体内部的永磁体磁板将蒸镀掩膜板吸附玻璃基板上，玻璃基板与蒸镀掩膜板并非完全贴合，中间存有一定间隙，以保护薄膜不被蒸镀掩膜板刮伤，在长期的蒸镀过程中，蒸镀掩膜板会被永磁体磁化，使蒸镀掩膜板变成和永磁体一样的磁性，由于同性磁体互相排斥，导致蒸镀掩膜板不能完全吸附，使蒸镀掩膜板在重力的作用下和玻璃基板的间隙变大，在蒸镀时，蒸镀材料在间隙处发生衍射，导致阴影区域变大，造成器件混色、缺色和亮度不均等不良。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：提供一种能够解决蒸镀掩膜板被磁化问题的蒸镀掩膜板和OLED器件。
为了解决上述技术问题，本发明采用的第一种技术方案为：
一种蒸镀掩膜板，包括第一掩膜基板、第二掩膜基板和通电线圈，所述第一掩膜基板与第二掩膜基板相互贴合，所述第一掩膜基板上开设有两个以上呈阵列分布的第一通槽，所述第二掩膜基板上开设有两个以上呈阵列分布的第二通槽，所述第二通槽的数量与第一通槽的数量相同，所述第一通槽与第二通槽一一对应设置且相通，所述通电线圈套设在第一掩膜基板外壁。
本发明采用的第二种技术方案为：
一种OLED器件，包括磁板，所述磁板的一侧面上依次层叠设有玻璃基板和上述的蒸镀掩膜板；
所述玻璃基板与磁板接触，所述玻璃基板与蒸镀掩膜板之间设有间距。
本发明的有益效果在于：
通过设置第一掩膜基板和第二掩膜基板，第一掩膜基板与第二掩膜基板相互贴合，第一掩膜基板上开设第一通槽，第二掩膜基板上开设第二通槽，通电线圈套设在第一掩膜基板外壁，使得在通电线圈通上电流时，第一掩膜基板和通电线圈构成一个磁铁，这样可以通过改变电流的方向来改变磁铁的阴阳极，也可以通过调节电流的大小来控制磁铁的磁性大小，进而来调节蒸镀掩膜板的极性和洛伦磁力的大小，实现蒸镀掩膜板的洛伦磁力和本身重力的平衡，以此消除蒸镀掩膜板被磁化带来的影响，从而提高蒸镀器件的良率，提高产品品质。
附图说明
图1为根据本发明的一种蒸镀掩膜板的结构示意图；
图2为根据本发明的一种蒸镀掩膜板的结构示意图；
图3为根据本发明的一种蒸镀掩膜板的侧视结构示意图；
图4为根据本发明的一种OLED器件的结构示意图；
图5为根据本发明的一种OLED器件的结构示意图；
图6为根据本发明的一种OLED器件的坩埚蒸镀的结构示意图；
标号说明：
1、第一掩膜基板；101、第一通槽；
2、第二掩膜基板；201、第二通槽；
3、通电线圈；
4、磁板；
5、玻璃基板；
6、弹簧；
7、坩埚。
具体实施方式
为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
请参照图1，本发明提供的一种技术方案：
一种蒸镀掩膜板，包括第一掩膜基板、第二掩膜基板和通电线圈，所述第一掩膜基板与第二掩膜基板相互贴合，所述第一掩膜基板上开设有两个以上呈阵列分布的第一通槽，所述第二掩膜基板上开设有两个以上呈阵列分布的第二通槽，所述第二通槽的数量与第一通槽的数量相同，所述第一通槽与第二通槽一一对应设置且相通，所述通电线圈套设在第一掩膜基板外壁。
从上述描述可知，本发明的有益效果在于：
通过设置第一掩膜基板和第二掩膜基板，第一掩膜基板与第二掩膜基板相互贴合，第一掩膜基板上开设第一通槽，第二掩膜基板上开设第二通槽，通电线圈套设在第一掩膜基板外壁，使得在通电线圈通上电流时，第一掩膜基板和通电线圈构成一个磁铁，这样可以通过改变电流的方向来改变磁铁的阴阳极，也可以通过调节电流的大小来控制磁铁的磁性大小，进而来调节蒸镀掩膜板的极性和洛伦磁力的大小，实现蒸镀掩膜板的洛伦磁力和本身重力的平衡，以此消除蒸镀掩膜板被磁化带来的影响，从而提高蒸镀器件的良率，提高产品品质。
进一步的，所述第一掩膜基板的形状为长方体，所述第一掩膜基板的四个侧面均向内凹陷，所述通电线圈缠绕在第一掩膜基板的凹陷处。
由上述描述可知，通过将第一掩膜基板的四个侧面均向内凹陷，通电线圈缠绕在第一掩膜基板的凹陷处，不仅能够使得通电线圈稳定得缠绕在第一掩膜基板外壁，而且能够避免通电线圈的增加而增大蒸镀掩膜板的体积，通电线圈的有序缠绕能够使得第一掩膜基板和通电线圈构成的磁铁产生稳定的洛伦磁力，使其和本身重力的一直保持平衡，消除蒸镀掩膜板被磁化带来的影响。
进一步的，所述第一掩膜基板的四个侧面向内凹陷的深度均为5mm-8mm。
由上述描述可知，将第一掩膜基板的四个侧面向内凹陷的深度均设为 5mm-8mm，能够进一步提高蒸镀器件的良率，提高产品品质。
进一步的，所述通电线圈的匝数为40-60匝。
由上述描述可知，将通电线圈的匝数设为40-60匝，能够使得第一掩膜基板和通电线圈构成的磁铁产生稳定的洛伦磁力，使其和本身重力的一直保持平衡，消除蒸镀掩膜板被磁化带来的影响。
进一步的，所述第一掩膜基板的厚度为4mm-10mm，所述第二掩膜基板的厚度为0.1mm-0.3mm。
请参照图4，本发明提供的另一种技术方案：
一种OLED器件，包括磁板，所述磁板的一侧面上依次层叠设有玻璃基板和上述的蒸镀掩膜板；
所述玻璃基板与磁板接触，所述玻璃基板与蒸镀掩膜板之间设有间距。
从上述描述可知，本发明的有益效果在于：
通过设置上述的结构可以克服蒸镀掩膜板被磁化，实现玻璃基板与蒸镀掩膜板之间间距的可调，优化蒸镀掩膜板镂空边缘处薄膜与中间薄膜的均一性，减小阴影区域，消除器件混色和亮度不均问题。
进一步的，还包括弹簧，所述弹簧的一端与磁板靠近蒸镀掩膜板的一侧面固定连接，所述弹簧的一端相对的另一端与蒸镀掩膜板靠近磁板的一侧面固定连接。
从上述描述可知，通过设置弹簧，弹簧的一端与磁板靠近蒸镀掩膜板的一侧面固定连接，述弹簧的一端相对的另一端与蒸镀掩膜板靠近磁板的一侧面固定连接，这样能够防止因为机构的转动或者磁板对蒸镀掩膜板磁力太大，造成玻璃基板和蒸镀掩膜板直接接触，导致玻璃基板表面的有机材料薄膜被刮伤，进一步提高蒸镀器件的良率，提高产品品质。
请参照图1至图3，本发明的实施例一为：
请参照图1、图2和图3，一种蒸镀掩膜板，包括第一掩膜基板1、第二掩膜基板2和通电线圈3，所述第一掩膜基板1与第二掩膜基板2相互贴合，所述第一掩膜基板1上开设有两个以上呈阵列分布的第一通槽101，所述第二掩膜基板2上开设有两个以上呈阵列分布的第二通槽201，所述第二通槽201的数量与第一通槽101的数量相同，所述第一通槽101与第二通槽201一一对应设置且相通，所述通电线圈3套设在第一掩膜基板1外壁。
所述第一通槽101的形状和第二通槽201的形状均为方形，且大小相等。
所述第一掩膜基板1的形状为长方体，所述第一掩膜基板1的四个侧面均向内凹陷，所述通电线圈3缠绕在第一掩膜基板1的凹陷处。
所述第二掩膜基板2的形状也为长方体。
所述第一掩膜基板1的四个侧面向内凹陷的深度均为5mm-8mm，优选为 6.7mm。
所述通电线圈3的匝数为40-60匝，优选为55匝。
所述第一掩膜基板1的厚度为4mm-10mm，优选为6mm，所述第二掩膜基板2的厚度为0.1mm-0.3mm，优选为0.2mm。
请参照图4至图6，本发明的实施例二为：
请参照图4，一种OLED器件，包括磁板4(磁板的材质可以是铁、钴、镍等，厚度为1cm-5cm，优选为3cm)，所述磁板4的一侧面上依次层叠设有玻璃基板5和上述的蒸镀掩膜板；
所述玻璃基板5与磁板4接触，所述玻璃基板5与蒸镀掩膜板之间设有间距，所述玻璃基板5的材质可以为SiO2，厚度为0.3mm-0.7mm，优选为0.5mm。
还包括弹簧6，所述弹簧6的一端与磁板4靠近蒸镀掩膜板的一侧面固定连接，所述弹簧6的一端相对的另一端与蒸镀掩膜板靠近磁板4的一侧面固定连接，所述弹簧6的数量为四个，分别分布在长方形蒸镀掩膜板的四个直角处。
请参照图6，蒸镀是在真空环境下，通过加热坩埚7内有机材料或者金属，使其变成气态粒子或原子，以较大自由程近匀速直线运动，通过特定的掩膜板在玻璃基板5上沉积形成特定图案薄膜；
采用蒸镀掩膜板成膜的方式是选择区域性遮挡成膜，在蒸镀掩膜板的镂空处(即第一通槽101和第二通槽201)进行蒸镀需要的薄膜，非镂空处遮挡薄膜沉积。
本方案设计的蒸镀掩膜板把第一掩膜基板1的四周向内凹陷，在凹陷处缠绕上通电线圈3，通电线圈3与第一掩膜基板1形成一个可调节的磁体，和蒸镀腔室内部磁板4的极性刚好相反，实现蒸镀掩膜板的重力(图5中用G表示) 和磁板4的洛伦磁力(图5中用F表示)平衡，得到蒸镀掩膜板和玻璃基板5 的最佳间隙，优化蒸镀成膜均匀性；
通过在第一掩膜基板1的凹陷处设计通电线圈3，可通过调节电流的方向和电流的大小来调节蒸镀掩膜板的极性和洛伦磁力的大小，实现和本身重力的平衡，消除蒸镀掩膜板被磁化带来的影响，减小玻璃基板5与掩膜板的间隙，从而提高蒸镀器件的良率，提高产品品质。
请参照图5，通过调节蒸镀掩膜板和玻璃基板5之间的间隙(图5中用H 表示)，可以减少薄膜在间隙里面的渗透，减少阴影区域的距离；
当薄膜的阴影区域变长时，可以通加大通电线圈3中的电流，增大蒸镀掩膜板的磁性，进而增大磁板4对蒸镀掩膜板的吸引力，缩短H的距离；
本方案设计的蒸镀掩膜板可以弥补掩膜板由于重力原因，导致掩膜板下垂，阴影区域变长造成的器件不良；
原理上随着H值的变小，缝隙越小遮挡了离子运动自由程，离子到达的区域越狭窄，阴影区域的长度会越来越小，配合弹簧6，既可以保护薄膜不会被掩膜板刮伤，又可减少阴影区域，优化调节薄膜中心和边缘的均匀性。
综上所述，本发明提供的一种蒸镀掩膜板和OLED器件，通过设置第一掩膜基板和第二掩膜基板，第一掩膜基板与第二掩膜基板相互贴合，第一掩膜基板上开设第一通槽，第二掩膜基板上开设第二通槽，通电线圈套设在第一掩膜基板外壁，使得在通电线圈通上电流时，第一掩膜基板和通电线圈构成一个磁铁，这样可以通过改变电流的方向来改变磁铁的阴阳极，也可以通过调节电流的大小来控制磁铁的磁性大小，进而来调节蒸镀掩膜板的极性和洛伦磁力的大小，实现蒸镀掩膜板的洛伦磁力和本身重力的平衡，以此消除蒸镀掩膜板被磁化带来的影响，从而提高蒸镀器件的良率，提高产品品质。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (7)
1.一种蒸镀掩膜板，其特征在于，包括第一掩膜基板、第二掩膜基板和通电线圈，所述第一掩膜基板与第二掩膜基板相互贴合，所述第一掩膜基板上开设有两个以上呈阵列分布的第一通槽，所述第二掩膜基板上开设有两个以上呈阵列分布的第二通槽，所述第二通槽的数量与第一通槽的数量相同，所述第一通槽与第二通槽一一对应设置且相通，所述通电线圈套设在第一掩膜基板外壁。
2.根据权利要求1所述的蒸镀掩膜板，其特征在于，所述第一掩膜基板的形状为长方体，所述第一掩膜基板的四个侧面均向内凹陷，所述通电线圈缠绕在第一掩膜基板的凹陷处。
3.根据权利要求2所述的蒸镀掩膜板，其特征在于，所述第一掩膜基板的四个侧面向内凹陷的深度均为5mm-8mm。
4.根据权利要求1所述的蒸镀掩膜板，其特征在于，所述通电线圈的匝数为40-60匝。
5.根据权利要求1所述的蒸镀掩膜板，其特征在于，所述第一掩膜基板的厚度为4mm-10mm，所述第二掩膜基板的厚度为0.1mm-0.3mm。
6.一种OLED器件，其特征在于，包括磁板，所述磁板的一侧面上依次层叠设有玻璃基板和权利要求1-5任意一项所述的蒸镀掩膜板；
所述玻璃基板与磁板接触，所述玻璃基板与蒸镀掩膜板之间设有间距。
7.根据权利要求6所述的OLED器件，其特征在于，还包括弹簧，所述弹簧的一端与磁板靠近蒸镀掩膜板的一侧面固定连接，所述弹簧的一端相对的另一端与蒸镀掩膜板靠近磁板的一侧面固定连接。
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| CN111676444B (zh) | 2024-06-18 |
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