CN111668374A - 大面积三维-二维钙钛矿异质结原位制备方法 - Google Patents
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Abstract
一种大面积三维‑二维钙钛矿异质结原位制备***，包括反应腔，其特征在于，所述反应腔内设置有支架组件，所述反应腔外部设置有溶剂循环组件，所述反应腔顶部设置有气体循环管路。本发明通过在3D准单晶钙钛矿层上原位生长大面积高质量的2D钙钛矿薄膜，形成3D‑2D钙钛矿异质结，有利于提高钙钛矿太阳能电池的光伏性能和长期稳定性；密闭循环利用钙钛矿前驱液和反溶剂溶液，有利于减少环境污染，同时提高资源利用率。
Description
技术领域
本发明属于钙钛矿材料技术领域，具体涉及一种大面积三维-二维钙钛矿异质结原位制备方法。
背景技术
近年来，钙钛矿太阳能电池（PSC）实验室光电转换效率已由2009年的3.8%刷新到2019年的认证效率25.2%，具备产业化价值。但是，这些认证或报道的高效PSC大多数是基于相对较小面积（一般是0.1cm2，有些更小至0.03cm2）的三维（3D）多晶钙钛矿材料。3D多晶钙钛矿材料对湿度和温度敏感，其长期稳定性的不足严重制约着PSC的产业化应用。为了提高3D钙钛矿材料的长期稳定性，其中一种有效的解决方法是在3D钙钛矿材料表面制备一层具有较强热稳定性和湿度稳定性的二维（2D）钙钛矿薄膜，形成3D-2D异质结。
目前，实现上述3D-2D钙钛矿异质结可以采用旋涂法、涂布法和气相法。经检索发现专利CN 110061136 A公开了一种背接触式钙钛矿太阳电池及其制备方法，其中3D钙钛矿层是通过热蒸发法、旋涂法、刮涂法、喷涂法等方法制备的，2D钙钛矿层是通过旋涂法制备的。3D钙钛矿是多晶结构，存在大量的晶界和缺陷，不利于获得高效稳定的PSC器件，而且面积小；2D钙钛矿层面积小，而且旋涂液中所含有的有机极性溶剂会对3D钙钛矿层的成膜质量产生诸多不确定性影响，而更为不利的是，这些溶剂均存在一定程度的毒性，如果后续处理不当，大规模应用必将导致严重的环境问题。
专利CN 110061136 A公开了一种背接触式钙钛矿太阳电池及其制备方法，其中3D钙钛矿层是通过热蒸发法、旋涂法、刮涂法、喷涂法等方法制备的，2D钙钛矿层是通过旋涂法制备的。3D钙钛矿是多晶结构，存在大量的晶界和缺陷，不利于获得高效稳定的PSC器件，而且面积小；2D钙钛矿层面积小，而且旋涂液中所含有的有机极性溶剂会对3D钙钛矿层的成膜质量产生诸多不确定性影响，而更为不利的是，这些溶剂均存在一定程度的毒性，如果后续处理不当，大规模应用必将导致严重的环境问题。
专利CN 106410047 A公开了一种大面积钙钛矿太阳电池复合光吸收层及其制备方法，专利CN 106449994 B公开了一种大面积钙钛矿太阳电池光吸收多层膜及其制备方法，其中3D钙钛矿层和2D钙钛矿层都是通过线棒涂布器先后涂布形成的。3D钙钛矿材料和2D钙钛矿材料都是溶解在极性有机溶剂中，在2D钙钛矿材料涂布在3D钙钛矿层表面时，涂布液中所含有的有机极性溶剂会对3D钙钛矿层的薄膜质量产生诸多不利影响，而且这些溶剂的毒性也会导致严重的环境问题。
专利CN 108269921 A公开了一种钙钛矿平面异质结太阳能电池及其制备方法，该3D-2D钙钛矿层均通过气相法制备而成。真空气相法耗能并且设备复杂，同时2D钙钛矿层的蒸发形成温度与3D钙钛矿的分解温度接近，在提高器件稳定性的同时容易牺牲器件整体效率。
专利CN 109962164 A公开了一种恒温气体处理装置、包含有三维-二维钙钛矿薄膜的太阳能电池及其制备方法，该制备方法通过丁基胺饱和蒸气对三维钙钛矿薄膜表面进行处理，快速形成表面二维钙钛矿薄层。丁基胺的饱和蒸气容易发生泄漏，造成严重的环境污染；而且有机胺的用量大，资源利用率不高。
需要解决的技术问题：如何在不损害3D准单晶钙钛矿薄膜的前提下，在3D准单晶钙钛矿层上原位制备大面积高质量的2D钙钛矿薄膜，对于制备高性能稳定的大面积光伏器件至关重要；如何循环利用钙钛矿前驱液和反溶剂溶液，对降低生产成本至关重要；如何减少钙钛矿前驱液中重金属铅以及有机溶剂挥发至环境中，对降低环境污染至关重要。
发明内容
本发明的目的在于提供一种大面积三维-二维钙钛矿异质结原位制备方法。本发明通过在3D准单晶钙钛矿层上原位生长大面积高质量的2D钙钛矿薄膜，形成3D-2D钙钛矿异质结，有利于提高钙钛矿太阳能电池的光伏性能和长期稳定性；密闭循环利用钙钛矿前驱液和反溶剂溶液，有利于减少环境污染，同时提高资源利用率。
本发明的技术方案在于：
一种大面积三维-二维钙钛矿异质结原位制备方法，包括如下步骤：
(1)ABX3钙钛矿前驱液的配制：将AX和BX2按等摩尔比例加入到溶剂中，在30-100℃下搅拌1-24小时，从而配制浓度为0.5-2.5mol/L的ABX3钙钛矿前驱液；
(2)反溶剂溶液的配制：将一定量的卤化有机胺加入到反溶剂中，在30-100℃下搅拌1-24小时，从而配制浓度为0.001-0.05mol/L的反溶剂溶液；
(3)大面积反应衬底的制备：在清洗干净的15cm×15cm~35 cm×35cm大面积透明导电衬底上，利用掩膜版制备具有特定形状和规格的金属空腔电极；再采用真空热蒸镀法在形成的金属空腔电极表面制备载流子传输层；最后采用电泳法在载流子传输层表面沉积功能化的石墨烯量子点；
(4)大面积3D-2D钙钛矿异质结的原位制备：
a.打开腔门，将步骤（3）制备的大面积反应衬底置于支架上，调整支撑板高度控制反应衬底与支架水平面的夹角Ɵ；
b.关闭腔门和所有阀门，打开第五阀门，逐一打开第一、二、三、四、六阀门，调整惰性气体流速s1，通入一定时间t1的惰性气体，逐一关闭第一、二、三、四、六阀门；
c.关闭第五阀门，逐一打开第六阀门和第一阀门，调整钙钛矿前驱液流速s2，通入一定时间t2的步骤（1）配制的钙钛矿前驱液至超过反应衬底一定高度H1，反应腔和气体循环管路里的惰性气体通过第六阀门进入储气瓶；
d.逐一关闭第一阀门与第六阀门，打开温控加热板开关，调控反应温度T1，反应一定时间t3，获得大面积3D准单晶钙钛矿薄膜；
e.自然冷却至室温，逐一打开第三阀门与第二阀门，调整反溶剂溶液流速s3，快速通入一定时间t4的步骤（2）配制的反溶剂溶液至超过反应衬底一定高度H2，未反应完的钙钛矿前驱液和少量反溶剂溶液通过第二阀门进入第一储液池；
f.逐一关闭第三阀门与第二阀门，逐一打开第四阀门与第五阀门，调整惰性气体流速s4，通入一定时间t5的惰性气体排走密闭腔室里的反溶剂溶液，反溶剂溶液通过第四阀门进入第二储液池；
g.逐一关闭第四阀门与第五阀门，打开腔门，取出反应衬底，并经过一定温度T2退火一定时间t6，获得可控厚度的大面积3D-2D钙钛矿异质结。
进一步地，所述步骤（1）中ABX3钙钛矿前驱液中A类阳离子为CH3NH3 +、HC(NH2)2 +、(CH3)4N+、C7H7 +、Rb+和Cs+中的一种或多种；B类金属离子为Ge2+、Sn2+和Pb2+中一种或多种；X卤族离子为I-、Br-和Cl-中一种或多种；溶剂为γ-丁内酯、N,N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜和N-甲基-2-吡咯烷酮中一种或多种混合物。
进一步地，所述步骤（2） 中卤化有机胺中有机胺包括脂肪胺、芳香胺和萘系胺中的一种或者几种的组合；卤化有机胺中卤族元素为I、Br和Cl中一种或多种；反溶剂为四氯化碳、三氯化碳、二氯甲烷和二硫化碳中的一种或多种混合。
进一步地，所述步骤（3）中载流子传输层可控厚度为20-600纳米；功能化的石墨烯量子点中功能化为氨基化、巯基化、羧基化和卤化中的一种或多种。
进一步地，所述步骤（4）中反应衬底与支架水平面的夹角Ɵ为0-90度。
进一步地，所述步骤（4）中惰性气体为氮气和氩气中的一种；惰性气体流速s1为0.1-5升/秒，时间t1为120-240秒。
进一步地，所述步骤（4）中钙钛矿前驱液流速s2为0.1-5升/秒，时间t2为30-120秒，钙钛矿前驱液超过反应衬底高度H1为0.5-5厘米；反应温度T1为50-150℃，反应时间t3为6-48小时。
进一步地，所述步骤（4）中反溶剂溶液流速s3为0.1-5升/秒，时间t4为15-60秒，反溶剂溶液超过反应衬底高度H2为0.5-5厘米；惰性气体流速s4为0.1-5升/秒，时间t5为30-120秒；退火温度T2为50-200℃，退火时间t6为5-60分钟。
进一步地，所述步骤（4）中大面积3D-2D钙钛矿异质结中3D钙钛矿层的可控生长厚度为0.5-1.0微米，2D钙钛矿层的可控生长厚度为10-200纳米。
进一步地，所述步骤（4）中进入储气瓶、第一储液池和第二储液池中的气体和溶液分别经过各自的分离纯化循环装置，可资源重复利用。
本发明的有益效果：
采用本发明方法制备大面积三维-二维钙钛矿异质结，具有以下优点：惰性气体可排出密闭腔室和导管里的空气，保护生长好的大面积三维-二维钙钛矿异质结；储液池或储气瓶可临时储存钙钛矿前驱液、反溶剂溶液和惰性气体，有利于调控各步骤的时间差；分离和纯化装置可纯化未反应完的钙钛矿前驱液、反溶剂溶液和惰性气体，有利于材料的循环利用；大面积三维-二维钙钛矿异质结在密闭腔室里制备，有利于减少钙钛矿前驱液中重金属铅和有机溶剂对环境的污染；大面积三维-二维钙钛矿异质结在载流子传输层表面直接原位生长且厚度可控；金属空腔电极能显著降低大面积光伏器件的内阻，同时形成埋入式金属电极有利于载流子的收集和传输；可调控制备装置和反应衬底的尺寸，从而制备面积大于200cm2的高效稳定的光伏器件。本发明制备条件温和可控，制备方法简单有效且环保，能够实现各种基于溶液法制备的大面积异质结薄膜的规模化连续循环生产。
附图说明
图1为一种适用于大面积三维-二维钙钛矿异质结原位制备方法的制备***的结构示意图；
图中：1-反应腔，2-温控加热板，3-透明舱门，4-压强计，5-温度计，6-支架，7-阻挡板，8-支撑板，9-反应衬底，10-前驱液循环管路，11-第一阀门，12-前驱液流速计，13-第二阀门，14-第一储液池，15-前驱液分离纯化循环装置，16-前驱液加液管道，17-反溶剂溶液循环管路，18-第三阀门，19-反溶剂流速计，20-第四阀门，21-第二储液池，22-反溶剂溶液分离纯化循环装置，23-反溶剂溶液加液管道，24-气体循环管路，25-第五阀门，26-第六阀门，27-气体流速计，28-储气瓶，29-气体分离纯化循环装置，30-气体加气管道。
具体实施方式
为让本发明的上述特征和优点能更浅显易懂，下文特举实施例，并配合附图，作详细说明如下，但本发明并不限于此。
参考图1。
在本发明一较佳实施例中：
一种大面积三维-二维钙钛矿异质结原位制备方法，包括如下步骤：
(1)MAPbI3钙钛矿前驱液的配制：将MAI和PbI2按等摩尔比例加入到体积比为4:1的N,N-二甲基甲酰胺和二甲基亚砜混合溶剂中，并将混合液在70℃下搅拌6小时，从而配制浓度为1.2mol/L的MAPbI3钙钛矿前驱液。其中，MA+为CH3NH3 +；
(2)反溶剂溶液的配制：将一定量的碘化十八胺加入到反溶剂三氯化碳中，在60℃下搅拌6小时，从而配制浓度为0.005mol/L的反溶剂溶液；
(3)大面积反应衬底的制备：在清洗干净的15cm×15cm的透明FTO导电玻璃衬底上，采用真空热蒸镀法，利用边长10毫米、梗宽0.05毫米的正方形掩膜版，制备正方形的锡金属空腔电极，其边长、梗宽、梗高分别是10毫米、0.05毫米、300纳米；然后采用真空热蒸镀法（不需要掩膜版）在锡金属空腔电极表面制备100纳米厚的二氧化锡电子传输层；最后采用电泳法在二氧化锡电子传输层表面沉积氨基化的石墨烯量子点；
(4)大面积3D-2D钙钛矿异质结的原位制备：
a.打开腔门，将步骤（3）制备的大面积反应衬底置于支架上，调整支撑板高度控制反应衬底与支架水平面的夹角30°；
b.关闭腔门和所有阀门，打开第五阀门，逐一打开第一、二、三、四、六阀门，调整惰性气体流速为0.5升/秒，通入180秒的氮气，逐一关闭第一、二、三、四、六阀门，用于赶走密闭腔室、导液管和导气管里的空气；
c.关闭第五阀门，逐一打开第六阀门和第一阀门，调整钙钛矿前驱液流速为0.5升/秒，通入60秒的步骤（1）配制的MAPbI3钙钛矿前驱液至超过反应衬底1.0厘米，反应腔和气体循环管路里的惰性气体通过第六阀门进入储气瓶；
d.逐一关闭第一阀门与第六阀门，打开温控加热板开关，调控反应温度为105℃，反应24小时，获得0.8微米厚的大面积3D准单晶钙钛矿薄膜；
e.自然冷却至室温，逐一打开第三阀门与第二阀门，调整反溶剂溶液流速为1.5升/秒，快速通入15秒的步骤（2）配制的反溶剂溶液至超过反应衬底1.0厘米，未反应完的钙钛矿前驱液和少量反溶剂溶液通过第二阀门进入第一储液池；
f.逐一关闭第三阀门与第二阀门，逐一打开第四阀门与第五阀门，调整惰性气体流速为0.5升/秒，通入90秒的氮气排走密闭腔室里的反溶剂溶液，反溶剂溶液通过第四阀门进入第二储液池；
g.逐一关闭第四阀门与第五阀门，打开腔门，取出反应衬底，并经过100℃退火15分钟，在大面积3D钙钛矿层表面原位获得20纳米厚的2D钙钛矿薄膜，从而获得3D-2D钙钛矿异质结。
在本实施例中，所述步骤（4）中进入储气瓶、第一储液池和第二储液池中的气体和溶液分别经过各自的分离纯化循环装置，可资源重复利用。
一种适用于大面积三维-二维钙钛矿异质结原位制备方法的制备***，包括反应腔1，其特征在于，所述反应腔内设置有支架组件，所述反应腔外部设置有溶剂循环组件，所述反应腔顶部设置有气体循环管路24。
在本实施例中，所述反应腔底部设置有温控加热板2，用以控制反应腔内的温度，所述反应腔顶部设置有透明腔门3，所述反应腔上还设置有压强计4与温度计5，以观测内部反应状态。
在本实施例中，所述支架组件包括设置于反应腔底部的支架6，所述支架顶部设置有阻挡板7和高度可调的支撑板8，所述支架的上方设置有反应衬底9，所述反应衬底的一端抵在阻挡板的底部，所述反应衬底的另一端靠在支撑板的顶部，以便于通过调整支撑板高度来控制反应衬底与支架的夹角。
在本实施例中，所述溶剂循环组件包括设置于反应腔外部的前驱液循环管路10，所述前驱液循环管路的一端设置有第一阀门11，所述第一阀门旁侧设置有前驱液流速计12，所述前驱液循环管路的另一端设置有第二阀门13，设置有第一阀门的一端穿过反应腔侧壁下部与反应腔内部空间相连，设置有第二阀门的一端穿过反应腔侧壁上部与反应腔内部空间相连，所述所述前驱液循环管路上位于第一阀门与第二阀门之间设置有第一储液池14，以容纳流出的前驱液，便于调整各使用步骤之间的时间差，所述所述前驱液循环管路上位于第一储液池与第一阀门之间设置有前驱液分离纯化循环装置15，以便于循环利用前驱液，避免污染环境，所述所述前驱液循环管路上位于前驱液分离纯化循环装置与第一阀门之间设置有前驱液加液管道16，所述前驱液加液管道的管口处设置有喇叭状的前驱液加液口，以便于加液。
在本实施例中，所述溶剂循环组件还包括设置于反应腔外部的反溶剂溶液循环管路17，所述反溶剂溶液循环管路的一端设置有第三阀门18，所述第三阀门旁侧设置有反溶剂流速计19，所述反溶剂溶液循环管路的另一端设置有第四阀门20，所述反溶剂溶液循环管路的两端均穿过反应腔侧壁下部与反应腔内部空间相连，所述反溶剂溶液循环管路上位于第三阀门与第四阀门之间设置有第二储液池21，以容纳流出的反溶剂溶液，便于调整各使用步骤之间的时间差，所述反溶剂溶液循环管路上位于第二储液池与第三阀门之间设置有反溶剂溶液分离纯化循环装置22，以便于循环利用反溶剂溶液，避免污染环境，所述反溶剂溶液循环管路上位于反溶剂溶液分离纯化循环装置与第三阀门之间设置有反溶剂溶液加液管道23，所述反溶剂溶液加液管道的管口处设置有喇叭状的反溶剂溶液加液口，以便于加液。
在本实施例中，所述气体循环管路的一端设置有第五阀门25，所述第五阀门旁侧设置有气体流速计27，所述气体循环管路的另一端设置有第六阀门26，所述气体循环管路的两端均穿入反应腔内部，所述气体循环管路上位于第五阀门与第六阀门之间设置有储气瓶28，以容纳气体，便于调整各使用步骤之间的时间差，所述气体循环管路上位于储气瓶与第五阀门之间设置有气体分离纯化循环装置29，以便于循环利用气体，避免污染环境，所述气体循环管路上位于气体分离纯化循环装置与第五阀门之间设置有气体加气管道30，所述气体加气管道的管道口设置有喇叭状的气体加气口，以便于加气。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，对于本领域的普通技术人员而言，根据本发明的教导，设计出不同形式的大面积三维-二维钙钛矿异质结原位制备***及制备方法并不需要创造性的劳动，在不脱离本发明的原理和精神的情况下凡依本发明申请专利范围所做的均等变化、修改、替换和变型，皆应属本发明的涵盖范围。
Claims (10)
1.一种大面积三维-二维钙钛矿异质结原位制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
（1）ABX3钙钛矿前驱液的配制：将AX和BX2按等摩尔比例加入到溶剂中，在30-100℃下搅拌1-24小时，从而配制浓度为0.5-2.5mol/L的ABX3钙钛矿前驱液；
（2）反溶剂溶液的配制：将一定量的卤化有机胺加入到反溶剂中，在30-100℃下搅拌1-24小时，从而配制浓度为0.001-0.05mol/L的反溶剂溶液；
（3）大面积反应衬底的制备：在清洗干净的15cm×15cm~35 cm×35cm大面积透明导电衬底上，利用掩膜版制备具有特定形状和规格的金属空腔电极；再采用真空热蒸镀法在形成的金属空腔电极表面制备载流子传输层；最后采用电泳法在载流子传输层表面沉积功能化的石墨烯量子点；
（4）大面积3D-2D钙钛矿异质结的原位制备：
（a）打开腔门，将步骤（3）制备的大面积反应衬底置于支架上，调整支撑板高度控制反应衬底与支架水平面的夹角Ɵ；
（b）关闭腔门和所有阀门，打开第五阀门，逐一打开第一、二、三、四、六阀门，调整惰性气体流速s1，通入一定时间t1的惰性气体，逐一关闭第一、二、三、四、六阀门；
（c）关闭第五阀门，逐一打开第六阀门和第一阀门，调整钙钛矿前驱液流速s2，通入一定时间t2的步骤（1）配制的钙钛矿前驱液至超过反应衬底一定高度H1，反应腔和气体循环管路里的惰性气体通过第六阀门进入储气瓶；
（d）逐一关闭第一阀门与第六阀门，打开温控加热板开关，调控反应温度T1，反应一定时间t3，获得大面积3D准单晶钙钛矿薄膜；
（e）自然冷却至室温，逐一打开第三阀门与第二阀门，调整反溶剂溶液流速s3，快速通入一定时间t4的步骤（2）配制的反溶剂溶液至超过反应衬底一定高度H2，未反应完的钙钛矿前驱液和少量反溶剂溶液通过第二阀门进入第一储液池；
（f）逐一关闭第三阀门与第二阀门，逐一打开第四阀门与第五阀门，调整惰性气体流速s4，通入一定时间t5的惰性气体排走密闭腔室里的反溶剂溶液，反溶剂溶液通过第四阀门进入第二储液池；
（g）逐一关闭第四阀门与第五阀门，打开腔门，取出反应衬底，并经过一定温度T2退火一定时间t6，获得可控厚度的大面积3D-2D钙钛矿异质结。
2.根据权利要求1所述的一种大面积三维-二维钙钛矿异质结原位制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中ABX3钙钛矿前驱液中A类阳离子为CH3NH3 +、HC(NH2)2 +、(CH3)4N+、C7H7 +、Rb+和Cs+中的一种或多种；B类金属离子为Ge2+、Sn2+和Pb2+中一种或多种；X卤族离子为I-、Br-和Cl-中一种或多种；溶剂为γ-丁内酯、N,N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜和N-甲基-2-吡咯烷酮中一种或多种混合物。
3.根据权利要求1所述的一种大面积三维-二维钙钛矿异质结原位制备方法，其特征在于，所述步骤（2） 中卤化有机胺中有机胺包括脂肪胺、芳香胺和萘系胺中的一种或者几种的组合；卤化有机胺中卤族元素为I、Br和Cl中一种或多种；反溶剂为四氯化碳、三氯化碳、二氯甲烷和二硫化碳中的一种或多种混合。
4.根据权利要求1所述的一种大面积三维-二维钙钛矿异质结原位制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中载流子传输层可控厚度为20-600纳米；功能化的石墨烯量子点中功能化为氨基化、巯基化、羧基化和卤化中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的一种大面积三维-二维钙钛矿异质结原位制备方法，其特征在于，所述步骤（4）中反应衬底与支架水平面的夹角Ɵ为0-90度。
6.根据权利要求1所述的一种大面积三维-二维钙钛矿异质结原位制备方法，其特征在于，所述步骤（4）中惰性气体为氮气和氩气中的一种；惰性气体流速s1为0.1-5升/秒，时间t1为120-240秒。
7.根据权利要求1所述的一种大面积三维-二维钙钛矿异质结原位制备方法，其特征在于，所述步骤（4）中钙钛矿前驱液流速s2为0.1-5升/秒，时间t2为30-120秒，钙钛矿前驱液超过反应衬底高度H1为0.5-5厘米；反应温度T1为50-150℃，反应时间t3为6-48小时。
8.根据权利要求1所述的一种大面积三维-二维钙钛矿异质结原位制备方法，其特征在于，所述步骤（4）中反溶剂溶液流速s3为0.1-5升/秒，时间t4为15-60秒，反溶剂溶液超过反应衬底高度H2为0.5-5厘米；惰性气体流速s4为0.1-5升/秒，时间t5为30-120秒；退火温度T2为50-200℃，退火时间t6为5-60分钟。
9.根据权利要求1所述的一种大面积三维-二维钙钛矿异质结原位制备方法，其特征在于，所述步骤（4）中大面积3D-2D钙钛矿异质结中3D钙钛矿层的可控生长厚度为0.5-1.0微米，2D钙钛矿层的可控生长厚度为10-200纳米。
10.根据权利要求1所述的一种大面积三维-二维钙钛矿异质结原位制备方法，其特征在于，所述步骤（4）中进入储气瓶、第一储液池和第二储液池中的气体和溶液分别经过各自的分离纯化循环装置，可资源重复利用。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113675347A (zh) * | 2021-08-23 | 2021-11-19 | 西南石油大学 | 一种制备2d/3d有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池的方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106356456A (zh) * | 2016-10-17 | 2017-01-25 | 北京科技大学 | 一种基于高质量钙钛矿异质结的太阳能电池及制备方法 |
| US20170287648A1 (en) * | 2016-04-01 | 2017-10-05 | National Central University | Large-area perovskite film and perovskite solar cell or module and fabrication method thereof |
| CN109920924A (zh) * | 2019-03-11 | 2019-06-21 | 香港中文大学（深圳） | 一种二维钙钛矿材料、发光层、led器件及其制备方法 |
| CN109962164A (zh) * | 2019-03-26 | 2019-07-02 | 暨南大学 | 一种恒温气体处理装置、包含有三维-二维钙钛矿薄膜的太阳能电池及其制备方法 |
| KR20200045585A (ko) * | 2018-10-22 | 2020-05-06 | 서울대학교산학협력단 | 다차원 페로브스카이트 하이브리드 발광층을 포함하는 발광다이오드 및 이의 제조방법 |
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20170287648A1 (en) * | 2016-04-01 | 2017-10-05 | National Central University | Large-area perovskite film and perovskite solar cell or module and fabrication method thereof |
| CN106356456A (zh) * | 2016-10-17 | 2017-01-25 | 北京科技大学 | 一种基于高质量钙钛矿异质结的太阳能电池及制备方法 |
| KR20200045585A (ko) * | 2018-10-22 | 2020-05-06 | 서울대학교산학협력단 | 다차원 페로브스카이트 하이브리드 발광층을 포함하는 발광다이오드 및 이의 제조방법 |
| CN109920924A (zh) * | 2019-03-11 | 2019-06-21 | 香港中文大学（深圳） | 一种二维钙钛矿材料、发光层、led器件及其制备方法 |
| CN109962164A (zh) * | 2019-03-26 | 2019-07-02 | 暨南大学 | 一种恒温气体处理装置、包含有三维-二维钙钛矿薄膜的太阳能电池及其制备方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113675347A (zh) * | 2021-08-23 | 2021-11-19 | 西南石油大学 | 一种制备2d/3d有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池的方法 |
| CN113675347B (zh) * | 2021-08-23 | 2023-06-09 | 西南石油大学 | 一种制备2d/3d有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池的方法 |
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