CN111650530B - 电源开关状态检测电路 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种电源开关状态检测电路，包括：第一、第二PMOS管、比较器、电阻、电流源和参考电压源；第一、第二PMOS管栅极连接第二PMOS管漏极，第二PMOS管漏极连接电流源；电阻一端连接第一PMOS管漏极，另一端接地；比较器的第一信号输入端连接第一PMOS管漏极与电阻的连接点，第二信号输入端连接参考电压源；第一PMOS管源极连接检测电路检测端；第二PMOS管源极连接检测电路电源端。本发明检测电路检测的二极管反接时，其反向电压值始终较低，使得反向漏电流接近于0，避免反向漏电流造成比较器输入电压信号过高。二极管的反向电压不会随供电电源的增大而增大。在高温环境下工作，反向漏电流不会异常增大，比较器不会输出错误逻辑信号，提高了***可靠性。

Description

电源开关状态检测电路

技术领域

本发明涉及电源检测技术领域，特别是涉及一种电源开关状态检测电路。

背景技术

在对电子器件等负载进行供电的电源供电电路中，一般会在电源与负载之间设置电源开关，以控制电源向负载供电的开关状态并切换不同电源进行供电。此外，为了防止电源端出现反接，进而损坏负载端的电子器件，在电源与负载之间还设有防反接二极管。

目前，对于电源供电电路，还设有电源开关状态检测电路，以检测电源的开关状态。上述电源开关状态检测电路的两端分别接于防反接二极管的两端。通过引入比较器，比较参考电压值与从防反接二极管引出电流在分压电阻处的电压值的大小，判断防反接二极管的工作状态，进而得出电源是否处于供电状态。

然而，当防反接二极管处于反向截止状态时，其反向漏电流将随反向电压差的增大而增大，且在高温工作环境下，反向漏电流还会随温度升高而指数级增大。在上述极端条件下，过高的反向漏电流将造成比较器输入电压信号过高，进而输出电源处于供电状态的错误逻辑信号。这将使***对电源开关状态发生误判，影响***的可靠性。

因此，有必要提出一种新的电源开关状态检测电路，解决上述问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种电源开关状态检测电路，用于解决现有技术中高压高温环境下二极管反向漏电流增大导致的电源供电状态误判的问题。

为实现上述目的及其它相关目的，本发明提供了一种电源开关状态检测电路，其特征在于，包括：第一PMOS管、第二PMOS管、比较器、电阻、电流源和参考电压源；

所述第一PMOS管的栅极与所述第二PMOS管的栅极共同连接所述第二PMOS管的漏极，所述第二PMOS管的漏极连接所述电流源；

所述第一PMOS管的漏极连接于所述电阻的一端，所述电阻的另一端接地；

所述比较器具有第一信号输入端、第二信号输入端和信号输出端；所述第一信号输入端连接所述第一PMOS管的漏极与所述电阻的连接点，所述第二信号输入端连接参考电压源；

所述第一PMOS管的源极连接所述电源开关状态检测电路的检测端；所述第二PMOS管的源极连接所述电源开关状态检测电路的电源端。

作为本发明的一种可选方案，所述电源开关状态检测电路用于对开关电源电路中的电源开关的状态进行检测并输出逻辑信号；

所述开关电源电路包括第一电源、第二电源、第一电源开关、第二电源开关、第一二极管、第二二极管和负载；所述第一电源开关的一端连接于所述第一电源，所述第一电源开关的另一端连接于所述第一二极管的阳极；所述第二电源开关的一端连接于所述第二电源，所述第二电源开关的另一端连接于所述第二二极管的阳极；所述第一二极管和所述第二二极管的阴极共同连接于所述负载；

所述电源开关状态检测电路的检测端连接所述第二电源开关和所述第二二极管的连接点；所述电源开关状态检测电路的电源端连接所述第二二极管和所述负载的连接点。

作为本发明的一种可选方案，所述第一二极管和所述第二二极管为防反接二极管。

作为本发明的一种可选方案，当所述第一电源开关断开、所述第二电源开关导通时，所述电阻的阻值R₁、通过所述第一PMOS管的电流值I_d1以及所述参考电压源的电压值V_r的关系为：I_d1×R₁>V_r。

作为本发明的一种可选方案，所述第二二极管导通时，阳极和阴极的电压差为0.7V；所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的阈值电压相等；当所述第一电源开关断开、所述第二电源开关导通时，通过所述第一PMOS管的电流值I_d1满足下式：

其中，K_p为集成电路工艺参数值，

为所述第一PMOS管的器件宽长比值，V_gs1为所述第一PMOS管的栅源电压，V_gs2为所述第二PMOS管的栅源电压，V_thp为所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的阈值电压。

作为本发明的一种可选方案，当所述第一电源开关导通、所述第二电源开关断开时，所述电阻的阻值R₁、通过所述第一PMOS管的电流值I_d1以及所述参考电压源的电压值V_r的关系为：I_d1×R₁<V_r。

作为本发明的一种可选方案，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的阈值电压相等；当所述第一电源开关导通、所述第二电源开关断开时，所述电流源的电流值I_r满足下式：

其中，K_p为集成电路工艺参数值，

为所述第一PMOS管的器件宽长比值，V_gs2为所述第二PMOS管的栅源电压，V_thp为所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的阈值电压。

作为本发明的一种可选方案，当所述第一电源开关导通、所述第二电源开关断开时，所述比较器的输出信号为低的逻辑信号；当所述第一电源开关断开、所述第二电源开关导通时，所述比较器的输出信号为高的逻辑信号。

作为本发明的一种可选方案，所述比较器还包括用于接受供电的比较器电源端。

作为本发明的一种可选方案，所述比较器电源端连接所述电源开关状态检测电路的电源端。

如上所述，本发明提供一种电源开关状态检测电路，具有以下有益效果：

本发明的电源开关状态检测电路所检测的二极管反接时，其阴极和阳极之间的反向电压值始终较低，从而使得二极管反向漏电流接近于0，避免该反向漏电流造成比较器输入电压信号过高。相比现有技术，二极管的反向电压不会随供电电源的增大而增大。即使二极管在较高的环境温度下工作，反向漏电流也不会异常增大，确保了比较器不会输出错误的逻辑信号，提高了***可靠性。

附图说明

图1显示为现有技术中的电源供电电路及电源开关状态检测电路的示意图。

图2显示为二极管伏安特性示意图。

图3显示为本发明实施例中提供的电源供电电路及电源开关状态检测电路的示意图。

元件标号说明

100 负载

101 电源开关状态检测电路

101a 检测端

102 比较器

200 负载

201 电源开关状态检测电路

201a 检测端

202 比较器

V_in1 第一电源

V_in2 第二电源

S₀₁ 第一电源开关

S₀₂ 第二电源开关

D₀₁ 第一二极管

D₀₂ 第二二极管

R₀₁ 第一电阻

R₀₂ 第二电阻

V_cc 电源端

V_r 参考电压源

I₀₂ 第二二极管反向漏电流

P₁ 第一PMOS管

P₂ 第二PMOS管

S₁ 第一电源开关

S₂ 第二电源开关

D₁ 第一二极管

D₂ 第二二极管

R₁ 电阻

V_cc 电源端

V_r 参考电压源

I_r 电流源

I₂ 第二二极管反向漏电流

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其它优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

请参阅图1至图3需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，虽图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局形态也可能更为复杂。

如图1所示，是现有技术中的电源供电电路及电源开关状态检测电路的示意图。

在图1中，负载100分别可以由第一电源V_in1和第二电源V_in2供电，第一电源开关S₀₁和第二电源开关S₀₂分别控制其供电开关状态；第一二极管D₀₁和第二二极管D₀₂为防反接二极管，用于防止电源反接损坏所述负载100，所述第一二极管D₀₁和所述第二二极管D₀₂中的任意一个正向导通时，电源将向所述负载100供电。具体地，当所述第一电源开关S₀₁导通、所述第二电源开关S₀₂断开时，所述第一电源V_in1通过所述第一二极管D₀₁向所述负载100供电，所述第二二极管D₀₂关闭；当所述第一电源开关S₀₁断开、所述第二电源开关S₀₂导通时，所述第二电源V_in2通过所述第二二极管D₀₂向负载供电，所述第一二极管D₀₁关闭。

电源开关状态检测电路101用于检测所述第二电源开关S₀₂的开关状态，并输出关于开关状态的逻辑信号。所述第一二极管D₀₁和所述第二二极管D₀₂的阴极连接到所述负载100，并同时连接到所述电源开关状态检测电路101的电源端V_cc；所述第二二极管D₀₂的阳极连接到所述电源开关状态检测电路101的检测端101a。

在所述电源开关状态检测电路101中，第一电阻R₀₁和第二电阻R₀₂构成的分压电阻连接在所述检测端101a和地线之间，所述第一电阻R₀₁和所述第二电阻R₀₂的连接点连接至比较器102的一个输入端，所述比较器102的另一个输入端连接参考电压源V_r，则电压源V_r应满足下式：

当所述第一电源开关S₀₁断开、所述第二电源开关S₀₂导通时，所述第一二极管D₀₁不导通，所述第二二极管D₀₂正向导通。所述第二电源开关S₀₂和所述第二二极管D₀₂阳极的连接点的电压为V_in2，所述第一电阻R₀₁和所述第二电阻R₀₂的连接点的电压值为：

该电压值高于所述比较器102的阈值电压V_r，所述比较器102的输出信号为高的逻辑信号。

当所述第一电源开关S₀₁导通、所述第二电源开关S₀₂断开时，所述第一二极管D₀₁正向导通，所述第二二极管D₀₂不导通。对于理想的所述第二二极管D₀₂，不存在由阴极流向阳极的反向电流，即I₀₂＝0A，流过所述第一电阻R₀₁和所述第二电阻R₀₂的电流为0A，所以所述第一电阻R₀₁和所述第二电阻R₀₂连接点的电压值为0V，该电压值低于所述比较器102的阈值电压V_r，所述比较器102的输出信号为低的逻辑信号。

然而，在上述电源开关状态检测电路101中，对于所述第二二极管D₀₂而言，当其阴极电压远高于阳极电压时，会产生由二极管的阴极流向阳极的反向漏电流。如果该反向漏电流较大，可能会导致所述第二电阻R₀₂上的电压值较大，进而导致所述电源开关状态检测电路101输出错误的逻辑信号。

具体地，上述电源开关状态检测电路101输出错误的逻辑信号的失效机理为：

当所述第一电源开关S₀₁导通、所述第二电源开关S₀₂断开时，所述第一二极管D₀₁正向导通，所述第一二极管D₀₁阳极和阴极的电压差V_d1一般约为0.7V。由所述第二二极管D₀₂阴极流向阳极的反向漏电流为I₀₂，则所述检测端101a的电压为I₀₂×(R₁+R₂)。由此可以计算得到所述第二二极管D₀₂阴极和阳极之间的反向电压差为V_d2＝V_in1-0.7-I₀₂×(R₁+R₂)。假设所述第二二极管D₀₂的反向漏电流I₀₂＝0，则所述第二二极管D₀₂阴极和阳极之间的反向电压差为V_d2＝V_in1-0.7。当所述第一电源V_in1的电压值高达100V时，所述第二二极管D₀₂阴极和阳极之间的反向电压差也会接近100V。在这种情况下，通过所述第二二极管D₀₂的反向漏电流I₀₂必定很大。

如图2所示，是二极管伏安特性示意图，其展示了通过二极管的电流随其两端电压差值变化曲线图。图2中，V₁代表了二极管正向导通开启的阈值电压，V_d代表了二极管反向截止时的反向电压。随着所述第一电源V_in1的电压值增大，所述第二二极管D₀₂阴极和阳极之间的反向电压差V_d2越大，则通过所述第二二极管D₀₂的反向漏电流越大。此外，如果二极管工作在较高的环境温度下，通过二极管D2的反向漏电流也会比在室温下大很多，且反向漏电流随环境温度的升高而指数级增大。

当所述第一电源开关S₀₁导通、所述第二电源开关S₀₂断开时，所述比较器102的输出信号应该为低的逻辑信号。然而，通过所述第二二极管D₀₂的反向漏电流电流从所述第一电源V_in1经过所述第一电源开关S₀₁、所述第一二极管D₀₁、所述第二二极管D₀₂后进入所述检测端101a，所述第一电阻R₀₁和所述第二电阻R₀₂连接点的电压值为I₀₂×R₂。当该电压值大于所述比较器102的阈值电压V_r时，所述比较器102的输出信号变为高的逻辑信号，即输出了错误的逻辑信号。随着所述第一电源V_in1电压值增大和环境温度升高，通过所述第二二极管D₀₂的反向漏电流电流增大，所述比较器102将更容易输出错误的逻辑信号，这将严重影响***在高电压高温工作条件下的稳定性。

请参阅图3，本实施例提供了一种电源开关状态检测电路201，其特征在于，包括：第一PMOS管P₁、第二PMOS管P₂、比较器202、电阻R₁、电流源I_r和参考电压源V_r；

所述第一PMOS管P₁的栅极与所述第二PMOS管P₂的栅极共同连接所述第二PMOS管P₂的漏极，所述第二PMOS管P₂的漏极连接所述电流源I_r；

所述第一PMOS管P₁的漏极连接于所述电阻R₁的一端，所述电阻R₁的另一端接地；

所述比较器202具有第一信号输入端、第二信号输入端和信号输出端；所述第一信号输入端连接所述第一漏极与所述电阻R₁的连接点，所述第二信号输入端连接参考电压源V_r；

所述第一PMOS管P₁的源极连接所述电源开关状态检测电路201的检测端201a；所述第二PMOS管P₂的源极连接所述电源开关状态检测电路201的电源端V_cc。

作为示例，如图3所示，所述电源开关状态检测电路201用于对开关电源电路中的电源开关的状态进行检测并输出逻辑信号；

所述开关电源电路包括第一电源V_in1、第二电源V_in2、第一电源开关S₁、第二电源开关S₂、第一二极管D₁、第二二极管D₂和负载200；所述第一电源开关S₁的一端连接于所述第一电源V_in1，所述第一电源开关S₁的另一端连接于所述第一二极管D₁的阳极；所述第二电源开关S₂的一端连接于所述第二电源V_in2，所述第二电源开关S₂的另一端连接于所述第二二极管D₂的阳极；所述第一二极管D₁和所述第二二极管D₂的阴极共同连接于所述负载200；

所述电源开关状态检测电路201的检测端201a连接所述第二电源开关S₂和所述第二二极管D₂的连接点；所述电源开关状态检测电路201的电源端V_cc连接所述第二二极管D₂和所述负载200的连接点。

作为示例，在所述开关电源电路中，所述第一二极管D₁和所述第二二极管D₂为防反接二极管，用来防止输入电源反接时造成电路损坏。所述第一二极管D₁和所述第二二极管D₂中的任意一个正向导通时，电源向所述负载200供电。具体地，当所述第一电源开关S₁导通、所述第二电源开关S₂断开时，所述第一二极管D₁正向导通，所述第二二极管D₂不导通，所述第一电源V_in1通过所述第一二极管D₁向所述负载200供电；当所述第一电源开关S₁断开、所述第二电源开关S₂导通时，所述第一二极管D₁不导通，所述第二二极管D₂正向导通，所述第二电源V_in2通过所述第二二极管D₂向为所述负载200供电。所述第一二极管D₁、所述第二二极管D₂的阴极连接到所述负载200，并连接到所述电源开关状态检测电路201的电源端V_cc。

作为示例，在所述电源开关状态检测电路201中，所述第一PMOS管P₁和所述第二PMOS管P₂的阈值电压相同，且都为V_thp。当所述第一二极管D₁或所述第二二极管D₂中的任意一个正向导通时，所述第二PMOS管P₂导通，通过所述第二PMOS管P₂的电流等于所述电流源I_r的电流：

其中，K_p为集成电路工艺参数值，

为所述第二PMOS管P₂的器件宽长比值，V_gs2为所述第二PMOS管P₂的源极和栅极电压差，并满足V_gs2>V_thp。

作为示例，当所述第一电源开关S₁断开、所述第二电源开关S₂导通时，所述第一PMOS管P₁的源极电压为V_in2，所述第二PMOS管P₂的源极电压为V_cc。所述第二二极管D₂阳极和阴极的电压差V_d2为0.7V，V_in2约比V_d2高0.7V，即V_in2-V_d2＝0.7。由于所述第一PMOS管P₁和所述第二PMOS管P₂的阈值电压相同，都为V_thp，其源极和栅极电压差都满足：V_gs1-V_gs2＝V_in2-V_cc＝0.7。计算得到V_gs1-V_thp＝V_gs2+0.7-V_thp>0，所以V_gs1>V_thp。当所述第一PMOS管P₁的源极和栅极电压差V_gs1大于其阈值电压V_thp时，所述第一PMOS管P₁导通。通过所述第一PMOS管P₁的电流值I_d1满足下式：

其中，K_p为集成电路工艺参数值，

为所述第一PMOS管P₁的器件宽长比值。

所述电阻R₁上的电压为I_d1×R₁，通过调节所述电阻R₁、所述第一PMOS管P₁的器件宽长比值

和第二PMOS管P₂的器件宽长比值

可以使I_d1×R₁>V_r，从而使所述比较器202输出高的逻辑信号。

作为示例，当所述第一电源开关S₁导通、所述第二电源开关S₂断开时，所述第一二极管D₁正向导通，所述第二二极管D₂不导通。所述第二PMOS管P₂的源极电压为V_cc，栅极电压为V_cc-V_gs2，所述第一PMOS管P₁与所述第二PMOS管P₂的栅极电压相等。所述第一PMOS管P₁的源极和栅极电压差V_gs1＝V_gs2-V_d2，其中V_d2为所述第二二极管D₂阴极与阳极的电压差，即所述第二二极管D₂上的反向电压值。当所述第一PMOS管P₁的源极和栅极电压差V_gs1大于其阈值电压V_thp时，所述第一PMOS管P₁才会开启，即需要满足V_gs1＝V_gs2-V_d2>V_thp。由该关系式可以得到V_gs2-V_thp>V_d2。因为

所以推导得到，

时，所述第一PMOS管P₁才会开启。对于PMOS器件，都可以通过根据电流I_r和K_p值，适当地设计其宽长比值

使得(V_gs2-V_thp)≈0.2V。从而可以得到，当0.2V>V_d2时，即所述第二二极管D₂上的反向电压差值小于0.2V时，所述第一PMOS管P₁才会开启，才会有电流通过所述电阻R₁；否则所述第一PMOS管P₁关断，电阻R₁的电压值为0。参考图2，对于常规二极管，当其反向电压差小于0.2V时，即使在高温环境下，从所述第二二极管D₂阴极流向阳极的反向漏电流也很小，即接近于I₂＝0。于是，所述第一PMOS管P₁开启时，所述第二二极管D₂因为反向电压较小而导致漏电流接近于0，通过所述第一PMOS管P₁的电流接近于0，电阻R₁上的电压值接近于0，可以使I_d1×R₁<V_r，所述比较器202的输出信号为低的逻辑信号。

作为示例，如图3所示，所述比较器202还包括用于接受供电的比较器电源端。在本实施例中，所述比较器电源端连接所述电源开关状态检测电路201的电源端V_cc，即所述比较器202直接由所述第一电源V_in1或所述第二电源V_in2进行供电。此外，在本发明的其他实施方案中，所述比较器202还可以通过设置其他电源进行供电。

与现有技术中的电源开关状态检测电路相比，在本实施例中的所述电源开关状态检测电路201中，当所述第二二极管D₀₂反接时，其阴极和阳极之间的反向电压值始终保持在较低水平，从而使得通过所述第二二极管D₀₂阴极流向阳极的反向漏电流接近于0，避免该反向漏电流造成所述比较器202的输入电压信号过高而导致输出错误的逻辑信号。

综上所述，本发明提供了一种电源开关状态检测电路，包括：第一PMOS管、第二PMOS管、比较器、电阻、电流源和参考电压源；所述第一PMOS管的栅极与所述第二PMOS管的栅极共同连接所述第二PMOS管的漏极，所述第二PMOS管的漏极连接所述电流源；所述第一PMOS管的漏极连接于所述电阻的一端，所述电阻的另一端接地；所述比较器具有第一信号输入端、第二信号输入端和信号输出端；所述第一信号输入端连接所述第一漏极与所述电阻的连接点，所述第二信号输入端连接参考电压源；所述第一PMOS管的源极连接所述电源开关状态检测电路的检测端；所述第二PMOS管的源极连接所述电源开关状态检测电路的电源端。本发明的电源开关状态检测电路所检测的二极管反接时，其阴极和阳极之间的反向电压值始终较低，从而使得二极管反向漏电流接近于0，避免该反向漏电流造成比较器输入电压信号过高。相比现有技术，二极管的反向电压不会随供电电源的增大而增大。即使二极管在较高的环境温度下工作，反向漏电流也不会异常增大，确保了比较器不会输出错误的逻辑信号，提高了***可靠性。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (7)

1.一种电源开关状态检测电路，其特征在于，包括：第一PMOS管、第二PMOS管、比较器、电阻、电流源和参考电压源；

所述第一PMOS管的栅极与所述第二PMOS管的栅极共同连接所述第二PMOS管的漏极，所述第二PMOS管的漏极连接所述电流源；

所述第一PMOS管的漏极连接于所述电阻的一端，所述电阻的另一端接地；

所述比较器具有第一信号输入端、第二信号输入端和信号输出端；所述第一信号输入端连接所述第一PMOS管的漏极与所述电阻的连接点，所述第二信号输入端连接参考电压源；

所述第一PMOS管的源极连接所述电源开关状态检测电路的检测端；所述第二PMOS管的源极连接所述电源开关状态检测电路的电源端；

其中，所述电源开关状态检测电路用于对开关电源电路中的电源开关的状态进行检测并输出逻辑信号；

所述开关电源电路包括第一电源、第二电源、第一电源开关、第二电源开关、第一二极管、第二二极管和负载；所述第一电源开关的一端连接于所述第一电源，所述第一电源开关的另一端连接于所述第一二极管的阳极；所述第二电源开关的一端连接于所述第二电源，所述第二电源开关的另一端连接于所述第二二极管的阳极；所述第一二极管和所述第二二极管的阴极共同连接于所述负载；

所述电源开关状态检测电路的检测端连接所述第二电源开关和所述第二二极管的连接点；所述电源开关状态检测电路的电源端连接所述第二二极管和所述负载的连接点；

其中，当所述第一电源开关断开、所述第二电源开关导通时，所述电阻的阻值R₁、通过所述第一PMOS管的电流值I_d1以及所述参考电压源的电压值V_r的关系为：I_d1×R₁>V_r，

当所述第一电源开关导通、所述第二电源开关断开时，所述电阻的阻值R₁、通过所述第一PMOS管的电流值I_d1以及所述参考电压源的电压值V_r的关系为：I_d1×R₁<V_r。

2.根据权利要求1所述的电源开关状态检测电路，其特征在于，所述第一二极管和所述第二二极管为防反接二极管。

3.根据权利要求1所述的电源开关状态检测电路，其特征在于，所述第二二极管导通时，阳极和阴极的电压差为0.7V；所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的阈值电压相等；当所述第一电源开关断开、所述第二电源开关导通时，通过所述第一PMOS管的电流值I_d1满足下式：

其中，K_p为集成电路工艺参数值，

为所述第一PMOS管的器件宽长比值，V_gs1为所述第一PMOS管的栅源电压，V_gs2为所述第二PMOS管的栅源电压，V_thp为所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的阈值电压。

4.根据权利要求1所述的电源开关状态检测电路，其特征在于，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的阈值电压相等；当所述第一电源开关导通、所述第二电源开关断开时，所述电流源的电流值I_r满足下式：

其中，K_p为集成电路工艺参数值，

为所述第一PMOS管的器件宽长比值，V_gs2为所述第二PMOS管的栅源电压，V_thp为所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的阈值电压。

5.根据权利要求1所述的电源开关状态检测电路，其特征在于，当所述第一电源开关导通、所述第二电源开关断开时，所述比较器的输出信号为低的逻辑信号；当所述第一电源开关断开、所述第二电源开关导通时，所述比较器的输出信号为高的逻辑信号。

6.根据权利要求1所述的电源开关状态检测电路，其特征在于，所述比较器还包括用于接受供电的比较器电源端。

7.根据权利要求6所述的电源开关状态检测电路，其特征在于，所述比较器电源端连接所述电源开关状态检测电路的电源端。

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