CN111627948A - 一种具有片上滤光片的ccd结构 - Google Patents
一种具有片上滤光片的ccd结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111627948A CN111627948A CN202010510479.9A CN202010510479A CN111627948A CN 111627948 A CN111627948 A CN 111627948A CN 202010510479 A CN202010510479 A CN 202010510479A CN 111627948 A CN111627948 A CN 111627948A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- ccd
- tube core
- boss
- ceramic
- optical filter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 47
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 51
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 18
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 16
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 8
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 6
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000007723 die pressing method Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
本发明涉及电荷耦合器件技术邻域,具体涉及一种具有片上滤光片的CCD结构,包括:陶瓷管壳、CCD管芯以及光窗;所述CCD管芯设置在陶瓷管壳的内部;采用光窗将陶瓷管壳密封;所述CCD管芯包括管芯压点、凸台、滤光片以及CCD管芯台;所述管芯压点设置在CCD管芯台的顶部平面;所述凸台设置在CCD管芯台的顶部平面上;所述滤光片固定在凸台上;本发明采用凸台结构将滤光片固定在陶瓷管壳的内部,降低了滤光片与CCD管芯的高度,提升了多光谱CCD谱段分光效果,本发明可以通过调节凸台的高度,满足不同环境下滤光片与CCD光敏面的距离要求。
Description
技术领域
本发明涉及电荷耦合器件技术邻域,具体涉及一种具有片上滤光片的CCD结构。
背景技术
CCD是一种电荷耦合器件(Charge Coupled Device)的简称,CCD感光组件表面具有储存电荷的能力,并以矩阵的方式排列。当其表面感受到光线时,会将电荷反应在组件上,整个CCD上的所有感光组件所产生的信号,构成了一个完整的画面。
现有的航天中对多光谱CCD谱段进行分光操作时,采用一种陶瓷管壳设置有窗口滤光片的CCD结构器件;这种器件通过窗口滤光片滤除不需要的光,从而保证了分光结果的精确性。
但是,由于受限于多光谱CCD陶瓷管壳制作以及封装工艺,现有滤光片粘结在陶瓷管壳之上不能满足滤光片与CCD光敏面近距离要求;急需一种新的,能满足滤光片与CCD光敏面近距离要求的CCD结构。
发明内容
为解决以上现有技术问题,本发明提出了一种具有片上滤光片的CCD结构,包括:陶瓷管壳1、CCD管芯2以及光窗3;所述CCD管芯2设置在陶瓷管壳1的内部;采用光窗3将陶瓷管壳1密封;所述CCD管芯2包括管芯压点21、凸台22、滤光片23以及CCD管芯台24;所述管芯压点21设置在CCD管芯台24的顶部平面;所述凸台22设置在CCD管芯台24的顶部平面上;所述滤光片23固定在凸台22上。
优选的,所述陶瓷管壳1的内部设置有陶瓷管壳焊盘11,采用金属引线将陶瓷管壳焊盘11和管芯压点21导通。
优选的,所述陶瓷管壳1的内部为梯台结构,且CCD管芯2固定在梯台结构底部。
优选的,所述凸台的结构包括:在场氧层221上依次沉积有一次多晶硅222、二次多晶硅223、三次多晶硅224、第一金属层225,第二金属层226以及聚酰亚胺层227。
优选的,凸台22为矩形环状结构。
优选的,凸台22的宽度为2mm~6mm。
优选的,光窗3与陶瓷管壳1采用专用胶水进行粘接,凸台22与滤光片23采用专用胶水进行粘接。
本发明采用凸台结构将滤光片固定在陶瓷管壳的内部,降低了滤光片与CCD管芯的高度,提升了多光谱CCD谱段分光效果;本发明的凸台结构为矩形环状结构,与现有的矩形滤光片一致,使器件制作更简单;本发明可以通过调节凸台的高度,满足不同环境下滤光片与CCD光敏面的距离要求。
附图说明
图1为本发明的现有技术的CCD结构剖面示意图;
图2为本发明的的CCD结构剖面示意图;
图3为本发明的凸台结构示意图;
图4为本发明的滤光片粘结在凸台之上俯视图;
其中,1、陶瓷管壳,11、陶瓷管壳焊盘,2、CCD管芯,21、管芯压点,22、凸台,221、常氧层,222、第一多晶硅层,223、第二多晶硅层,224、第三多晶硅层,225、第一金属层,226、第二金属层,227、聚酰亚胺层,23、滤光片,24、CCD管芯台,3、光窗。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
如图1所示,现有技术的CCD结构包括:陶瓷管壳1、CCD管芯2以及滤光片23;CCD管芯2通过金属引线与陶瓷管壳1的电路连接孔连接,将滤光片23粘接在陶瓷管壳1上,形成CCD器件。由于滤光片23与外部接触,很容易造成滤光片的磨损,在进行多光谱CCD谱段分光时,其结果误差大;由于陶瓷管壳的尺寸固定,因此在进行多光谱CCD谱段分光时不能满足滤光片与CCD光敏面近距离要求。
一种具有片上滤光片的CCD结构,如图2所示,包括:陶瓷管壳1、CCD管芯2以及光窗3;所述CCD管芯2设置在陶瓷管壳1的内部;采用光窗3将陶瓷管壳1密封;
所述CCD管芯2包括管芯压点21、凸台22、滤光片23以及CCD管芯台24;所述管芯压点21设置在CCD管芯台24的顶部平面;所述凸台22设置在CCD管芯台24的顶部平面上;所述滤光片23固定在凸台22上。
采用光窗3对陶瓷管壳1的内部进行密封处理,保护了滤光片不被磨损,使得检测结果更精确。
在光窗3上设置防水防尘膜与增透膜。防水防尘膜使污染物不易粘附于镜片表面,保证了光窗表面的光洁性,增加了防水、防雾、防尘、防指纹等防污染的功能。增透膜可以起到增加镜片表面的硬度,同时也可以起到防止划花窗口的作用。
所述陶瓷管壳1的内部设置有陶瓷管壳焊盘11,采用金属引线将陶瓷管壳焊盘11和管芯压点21导通;所述光窗3固定在陶瓷管壳1顶部,使得陶瓷管壳1内部处于密封状态。
所述陶瓷管壳1的内部为梯台结构,且CCD管芯2固定在梯台结构底部,使得CCD管芯台24的上表面与陶瓷管壳1的台阶相平。
CCD管芯2与陶瓷管壳1的固定方式包括:卡扣固定、焊接以及胶水粘接等等。
所述卡扣固定包括在陶瓷管壳的底部设置卡扣槽,在CCD管芯台24外部设置卡扣,将CCD管芯台24放置陶瓷管壳1的梯台结构底部,将卡扣与卡扣槽对准连接。
所述焊接为采用焊锡将CCD管芯台24固定在陶瓷管壳的梯台结构底部。该方法由于焊接缝隙小,不易操作且容易损坏器件。
所述CCD管芯台24为将mos电容器按一定规律排列所组成的阵列,在p型或n型硅衬底上生长一层很薄的二氧化硅;在二氧化硅薄层上依次序沉积金属或掺杂多晶硅电极(栅极),形成规则的mos电容器阵列,同时在器件的两端加上输入及输出二极管,构成了CCD芯片。其中,mos表示电压控制电流。
优选的,采用专用胶水把CCD管芯台24粘接固定在陶瓷管壳的梯台结构底部。
所述专用胶水为UV胶水;在进行粘接过程中,先用UV胶水将连个物体连接,再用紫外线灯进行照射。
如图3所示,所述凸台的结构包括:在场氧层221上依次沉积有一次多晶硅222、二次多晶硅223、三次多晶硅224、第一金属层225,第二金属层226以及聚酰亚胺层227。
在对凸台22进行工艺制作时,将凸台和CCD管芯设置为同一光刻层,即同时曝光光刻。
在对凸台的高度的调整时,根据相机光学***的需求,通过对凸台的场氧层221、一次多晶硅222、二次多晶硅223、三次多晶硅224、第一金属层225,第二金属层226以及聚酰亚胺层227的取舍,或者调整其每层的厚度来进行调节。
场氧层221、一次多晶硅222、二次多晶硅223、三次多晶硅224、第一金属层225,第二金属层226以及聚酰亚胺层227除用于构成凸台结构外,也构成CCD结构;即在CCD管芯制作的同时生长滤光片粘接凸台;粘接凸台、CCD相应层次采用同一光刻掩膜版进行制作,制作完成后,粘接凸台、CCD位于同一衬底之上,为一整体结构。
如图4所示,CCD管芯2包含多个管芯压点21,在陶瓷管壳的台阶上包含有与管芯压点21相同数量的陶瓷管壳焊盘11,且每个陶瓷管壳焊盘11与管芯压点21对应;采用金属导线将对应的管芯压点21和陶瓷管壳焊盘11进行导通。
优选的,所述管芯压点21的数量为28个。
所述凸台22为矩形环状结构,多块滤光片23覆盖在凸台22上,使得凸台内部为密封环境。所述凸台的宽度大于等于2mm。优选的,滤光片23的数量为4块。
每块滤光片为“三片式”滤光片,包括两块石英片以及一块蓝玻璃构成,所述蓝玻璃位于两块石英片之间,且两个石英片的正反面相反;在每块滤光片上镀上一层AR-Coating膜,该膜能够增加滤光片的透光率,即滤光片可达到98-99%的穿透率;AR-Coating膜为减反射镀膜。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“同轴”、“底部”、“一端”、“顶部”、“中部”、“另一端”、“上”、“一侧”、“顶部”、“内”、“外”、“前部”、“中央”、“两端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“设置”、“连接”、“固定”、“旋转”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系,除非另有明确的限定,对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (7)
1.一种具有片上滤光片的CCD结构,其特征在于,包括:陶瓷管壳(1)、CCD管芯(2)以及光窗(3);所述CCD管芯(2)设置在陶瓷管壳(1)的内部;采用光窗(3)将陶瓷管壳(1)密封;所述CCD管芯(2)包括管芯压点(21)、凸台(22)、滤光片(23)以及CCD管芯台(24);所述管芯压点(21)设置在CCD管芯台(24)的顶部平面;所述凸台(22)设置在CCD管芯台(24)的顶部平面上;所述滤光片(23)固定在凸台(22)上。
2.根据权利要求1所述的一种具有片上滤光片的CCD结构,其特征在于,所述陶瓷管壳(1)的内部设置有陶瓷管壳焊盘(11),采用金属引线将陶瓷管壳焊盘(11)和管芯压点(21)导通。
3.根据权利要求1所述的一种具有片上滤光片的CCD结构,其特征在于,所述陶瓷管壳(1)的内部为梯台结构,且CCD管芯(2)固定在梯台结构底部。
4.根据权利要求1所述的一种具有片上滤光片的CCD结构,其特征在于,所述凸台的结构包括:在场氧层(221)上依次沉积有一次多晶硅(222)、二次多晶硅(223)、三次多晶硅(224)、第一金属层(225),第二金属层(226)以及聚酰亚胺层(227)。
5.根据权利要求1所述的一种具有片上滤光片的CCD结构,其特征在于,所述凸台(22)为矩形环状结构。
6.根据权利要求5所述的一种具有片上滤光片的CCD结构,其特征在于,所述凸台(22)的宽度为2mm~6mm。
7.根据权利要求1所述的一种具有片上滤光片的CCD结构,其特征在于,光窗(3)与陶瓷管壳(1)采用UV胶水进行粘接,凸台(22)与滤光片(23)采用UV胶水进行粘接。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010510479.9A CN111627948B (zh) | 2020-06-05 | 2020-06-05 | 一种具有片上滤光片的ccd结构 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010510479.9A CN111627948B (zh) | 2020-06-05 | 2020-06-05 | 一种具有片上滤光片的ccd结构 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111627948A true CN111627948A (zh) | 2020-09-04 |
CN111627948B CN111627948B (zh) | 2023-04-28 |
Family
ID=72271962
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010510479.9A Active CN111627948B (zh) | 2020-06-05 | 2020-06-05 | 一种具有片上滤光片的ccd结构 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111627948B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI840132B (zh) * | 2023-02-23 | 2024-04-21 | 同欣電子工業股份有限公司 | 感測器封裝結構 |
Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1713393A (zh) * | 2004-06-15 | 2005-12-28 | 富士胶片株式会社 | 固态成像器件及其制造方法和照相机模块 |
CN1783953A (zh) * | 2004-11-22 | 2006-06-07 | 夏普株式会社 | 摄像模块及摄像模块的制造方法 |
US20070010041A1 (en) * | 2005-07-11 | 2007-01-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing optical device having transparent cover and method of manufacturing optical device module using the same |
CN101174643A (zh) * | 2006-11-03 | 2008-05-07 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 影像感测器封装及其应用的影像感测器模组 |
CN101320120A (zh) * | 2007-06-07 | 2008-12-10 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 相机模组 |
US20090111207A1 (en) * | 2005-10-18 | 2009-04-30 | Houtai Choumane | Method of fabricating an integrated detection biosensor |
CN103151360A (zh) * | 2011-12-06 | 2013-06-12 | 奥普蒂兹公司 | 用于cmos图像传感器的线结合内插板封装及其制造方法 |
JP2014003433A (ja) * | 2012-06-18 | 2014-01-09 | Ricoh Co Ltd | 撮像装置 |
CN109246348A (zh) * | 2018-11-05 | 2019-01-18 | 中芯集成电路(宁波)有限公司 | 镜头模组及其封装方法、电子设备 |
CN109244099A (zh) * | 2018-08-31 | 2019-01-18 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 | 通过叠层提高近红外谱段效率的ccd器件及其制作方法 |
CN110120397A (zh) * | 2018-02-05 | 2019-08-13 | 上海珏芯光电科技有限公司 | 成像器件、摄像头模组及制造方法 |
CN110364540A (zh) * | 2018-04-09 | 2019-10-22 | 宁波舜宇光电信息有限公司 | 感光组件、摄像模组及其制作方法 |
CN209982562U (zh) * | 2018-12-04 | 2020-01-21 | 宁波舜宇光电信息有限公司 | 感光组件、摄像模组和带有摄像模组的电子设备 |
US20200098807A1 (en) * | 2018-09-21 | 2020-03-26 | Ningbo Semiconductor International Corporation | Image sensor module and method for forming the same |
US20200135782A1 (en) * | 2018-10-31 | 2020-04-30 | Ningbo Semiconductor International Corporation | Photosensitive assembly and formation methods thereof, lens module, and electronic device |
CN111163254A (zh) * | 2019-09-23 | 2020-05-15 | 神盾股份有限公司 | 影像感测模块 |
-
2020
- 2020-06-05 CN CN202010510479.9A patent/CN111627948B/zh active Active
Patent Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1713393A (zh) * | 2004-06-15 | 2005-12-28 | 富士胶片株式会社 | 固态成像器件及其制造方法和照相机模块 |
CN1783953A (zh) * | 2004-11-22 | 2006-06-07 | 夏普株式会社 | 摄像模块及摄像模块的制造方法 |
US20070010041A1 (en) * | 2005-07-11 | 2007-01-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing optical device having transparent cover and method of manufacturing optical device module using the same |
US20090111207A1 (en) * | 2005-10-18 | 2009-04-30 | Houtai Choumane | Method of fabricating an integrated detection biosensor |
CN101174643A (zh) * | 2006-11-03 | 2008-05-07 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 影像感测器封装及其应用的影像感测器模组 |
CN101320120A (zh) * | 2007-06-07 | 2008-12-10 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 相机模组 |
CN103151360A (zh) * | 2011-12-06 | 2013-06-12 | 奥普蒂兹公司 | 用于cmos图像传感器的线结合内插板封装及其制造方法 |
JP2014003433A (ja) * | 2012-06-18 | 2014-01-09 | Ricoh Co Ltd | 撮像装置 |
CN110120397A (zh) * | 2018-02-05 | 2019-08-13 | 上海珏芯光电科技有限公司 | 成像器件、摄像头模组及制造方法 |
CN110364540A (zh) * | 2018-04-09 | 2019-10-22 | 宁波舜宇光电信息有限公司 | 感光组件、摄像模组及其制作方法 |
CN109244099A (zh) * | 2018-08-31 | 2019-01-18 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 | 通过叠层提高近红外谱段效率的ccd器件及其制作方法 |
US20200098807A1 (en) * | 2018-09-21 | 2020-03-26 | Ningbo Semiconductor International Corporation | Image sensor module and method for forming the same |
US20200135782A1 (en) * | 2018-10-31 | 2020-04-30 | Ningbo Semiconductor International Corporation | Photosensitive assembly and formation methods thereof, lens module, and electronic device |
CN109246348A (zh) * | 2018-11-05 | 2019-01-18 | 中芯集成电路(宁波)有限公司 | 镜头模组及其封装方法、电子设备 |
CN209982562U (zh) * | 2018-12-04 | 2020-01-21 | 宁波舜宇光电信息有限公司 | 感光组件、摄像模组和带有摄像模组的电子设备 |
CN111163254A (zh) * | 2019-09-23 | 2020-05-15 | 神盾股份有限公司 | 影像感测模块 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI840132B (zh) * | 2023-02-23 | 2024-04-21 | 同欣電子工業股份有限公司 | 感測器封裝結構 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111627948B (zh) | 2023-04-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7683961B2 (en) | CMOS image sensor using gradient index chip scale lenses | |
US20070126912A1 (en) | Camera module and manufacturing method for such a camera module | |
US6943423B2 (en) | Electronic package of photo-image sensors in cellular phone camera modules, and the fabrication and assembly thereof | |
US7948555B2 (en) | Camera module and electronic apparatus having the same | |
KR100982270B1 (ko) | 카메라 모듈 및 이의 제조 방법 | |
US7728398B2 (en) | Micro camera module and method of manufacturing the same | |
US20050270405A1 (en) | Image pickup device and camera module | |
US7968961B2 (en) | Solid-state image pickup device and method for manufacturing the same | |
US20110292271A1 (en) | Camera module and fabrication method thereof | |
US20100214456A1 (en) | Camera module and method of manufacturing camera module | |
KR20060059873A (ko) | 고체 촬상 장치 및 상기 고체 촬상 장치를 구비한 촬상장치 및 고체 촬상 장치의 마이크로렌즈 어레이 제조 방법 | |
JP2008305972A (ja) | 光学デバイス及びその製造方法、並びに、光学デバイスを用いたカメラモジュール及び該カメラモジュールを搭載した電子機器 | |
JP2010283380A (ja) | 光検出用半導体装置の電子パッケージおよびそのパッケージング方法 | |
JP2007158751A (ja) | 撮像装置及びその製造方法 | |
KR20040054523A (ko) | 카메라 모듈 | |
JP7326572B2 (ja) | 光センサ及び電子機器 | |
CN108520886B (zh) | 一种影像传感芯片的封装结构及其封装方法 | |
CN111627948B (zh) | 一种具有片上滤光片的ccd结构 | |
CN210804460U (zh) | 一种光学指纹模组和终端设备 | |
CN100472790C (zh) | 一种光感应的半导体器件的电子封装及其制作和组装 | |
TWI788060B (zh) | 內含封裝元件的封裝結構及封裝方法 | |
JP7187260B2 (ja) | 光センサ及び電子機器 | |
WO2024109173A1 (zh) | 屏幕组件、制备方法及电子设备 | |
TWM352704U (en) | Lens structure and lens module having the same | |
JP2006100859A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |