CN111584753A - 显示基板及其制造方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种显示基板及其制造方法、显示装置，涉及显示技术领域。该显示基板包括衬底基板以及多个子像素，每个子像素包括阳极层，该阳极层包括位于同层且间隔设置的多个电极块。由于每个电极块远离衬底基板的一侧在衬底基板上的正投影，位于电极块靠近衬底基板的一侧在衬底基板上的正投影内，即每个电极块的侧壁相对于衬底基板的承载面倾斜，因此能够便于后续发光层沿电极块的侧壁爬坡形成，进而避免发光层在电极块的侧壁处断裂，保证显示装置的显示效果。

Description

显示基板及其制造方法、显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板及其制造方法、显示装置。

背景技术

有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)显示装置包括多个OLED子像素。每个子像素包括：阳极层，阴极层以及位于该阳极层和阴极层之间的发光层。

相关技术中，为了使得显示装置具有3维(dimension，D)显示效果，每个子像素包括的阳极层可以包括多个同层且间隔设置的电极块，每个电极块可以与对应的一个像素电路连接，该像素电路能够驱动对应的电极块所在区域的发光层发光。并且，对于每个子像素的阳极层中的任意两个电极块，该两个电极块所在区域的发光层发出的光线能够显示在不同的平面，从而实现显示装置的3D显示。

但是，由于阳极层包括的多个电极块间隔设置，且每个电极块的侧壁与衬底基板的承载面垂直，容易导致形成在该电极块的一侧的发光层在电极块的侧壁处断裂，进而影响显示装置的显示效果。

发明内容

本申请提供了一种显示基板及其制造方法、显示装置，可以解决相关技术中显示装置的显示效果较差的问题。所述技术方案如下：

一方面，提供了一种显示基板，所述显示基板包括：衬底基板，以及位于所述衬底基板的一侧的多个子像素，每个所述子像素包括：阳极层；

所述阳极层包括：位于同层且间隔设置的多个电极块，每个所述电极块远离所述衬底基板的一侧在所述衬底基板上的正投影，位于所述电极块靠近所述衬底基板的一侧在所述衬底基板上的正投影内。

可选的，每个所述电极块的侧壁为平面，且每个所述电极块的侧壁与所述衬底基板的承载面之间的夹角的范围为40度至70度。

可选的，每个所述电极块包括：沿远离所述衬底基板的一侧依次层叠的第一电极图案，第二电极图案，以及第三电极图案；

所述第二电极图案在所述衬底基板上的正投影位于所述第一电极图案在所述衬底基板上的正投影内，所述第三电极图案在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第一电极图案在所述衬底基板上的正投影，且覆盖所述第二电极图案在所述衬底基板上的正投影。

可选的，所述第一电极图案和所述第三电极图案的材料均为氧化铟锡，所述第二电极图案的材料为铝或银。

可选的，每个所述子像素还包括：发光层以及阴极层；

所述发光层位于所述阳极层远离所述衬底基板的一侧，所述发光层在所述衬底基板上的正投影覆盖相邻两个所述电极块之间的间隙，且与每个所述电极块在所述衬底基板上的正投影重叠；

所述阴极层位于所述发光层远离所述衬底基板的一侧。

可选的，所述显示基板还包括：位于所述多个子像素远离所述衬底基板的一侧的多个透镜结构；

每个所述透镜结构在所述衬底基板上的正投影覆盖一个所述子像素在所述衬底基板上的正投影。

另一方面，提供了一种显示基板的制造方法，所述方法包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板的一侧形成多个子像素；

其中，每个所述子像素包括：阳极层，所述阳极层包括：位于同层且间隔设置的多个电极块，每个所述电极块远离所述衬底基板的一侧在所述衬底基板上的正投影，位于所述电极块靠近所述衬底基板的一侧在所述衬底基板上的正投影内。

可选的，所述在所述衬底基板的一侧形成多个子像素，包括：

在所述衬底基板的一侧形成阳极层；

在所述阳极层远离衬底基板的一侧形成发光层；

在所述发光层远离阳极层的一侧形成阴极层。

可选的，所述在所述衬底基板的一侧形成阳极层，包括：

在所述衬底基板的一侧依次形成第一电极层以及第二电极层；

对所述第二电极层进行图形化处理，得到多个间隔的第二电极图案，每个所述第二电极图案的侧壁与所述衬底基板的承载面之前的夹角为锐角；

对所述第一电极层进行图形化处理，得到多个间隔的第一电极图案，每个所述第二电极图案在所述衬底基板上的正投影位于一个所述第一电极图案在所述衬底基板上的正投影内；

在所述多个第二电极图案远离所述衬底基板的一侧形成第三电极层；

对所述第三电极层进行图形化处理，得到多个间隔的第三电极图案，每个所述第三电极图案在所述衬底基板上的正投影，覆盖一个所述第一电极图案在所述衬底基板上的正投影，以及一个所述第二电极图案在所述衬底基板上的正投影。

又一方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：驱动电路以及如上述方面所述的显示基板；

所述驱动电路用于为所述显示基板中的每个子像素提供驱动信号。

本申请提供的技术方案带来的有益效果至少包括：

本申请提供了一种显示基板及其制造方法、显示装置，该显示基板包括衬底基板以及多个子像素，每个子像素包括阳极层，该阳极层包括位于同层且间隔设置的多个电极块。由于每个电极块远离衬底基板的一侧在衬底基板上的正投影，位于电极块靠近衬底基板的一侧在衬底基板上的正投影内，即每个电极块的侧壁相对于衬底基板的承载面倾斜，因此能够便于后续发光层沿电极块的侧壁爬坡形成，进而避免发光层在电极块的侧壁处断裂，保证显示装置的显示效果。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是一种采用扫描电子显微镜对相关技术中的发光层进行测试的结果示意图；

图2是另一种采用扫描电子显微镜对相关技术中的发光层进行测试的结果示意图；

图3是相关技术中的显示装置的显示效果示意图；

图4是本申请实施例提供的一种显示基板的结构示意图；

图5是本申请实施例提供的另一种显示基板的结构示意图；

图6是本申请实施例提供的又一种显示基板的结构示意图；

图7是本申请实施例提供的再一种显示基板的结构示意图；

图8是本申请实施例提供的一种子像素的结构示意图；

图9是本申请实施例提供的再一种显示基板的结构示意图；

图10是本申请实施例提供的再一种显示基板的结构示意图；

图11是本申请实施例提供的一种显示基板的制造方法的流程图；

图12是本申请实施例提供的另一种显示基板的制造方法的流程图；

图13是本申请实施例提供的一种衬底基板和晶体管器件层的示意图；

图14是本申请实施例提供的一种阳极层的制造方法的流程图；

图15是本申请实施例提供的一种形成第一电极层和第二电极层的示意图；

图16是本申请实施例提供的一种对第二电极层进行图形化处理的示意图；

图17是本申请实施例提供的一种对第一电极层进行图形化处理的示意图；

图18是本申请实施例提供的一种形成第三电极层的示意图；

图19是本申请实施例提供的一种对第三电极层进行图形化处理的示意图；

图20是本申请实施例提供的另一种阳极层的制造方法的流程图；

图21是一种采用扫描电子显微镜对本申请实施例提供的电极块进行测试的结果示意图；

图22是本申请实施例提供的一种形成像素界定薄膜的示意图；

图23是本申请实施例提供的一种对像素界定薄膜进行图形化处理的示意图；

图24是本申请实施例提供的一种形成发光层的示意图；

图25是本申请实施例提供的一种形成阴极层的示意图；

图26是本申请实施例提供的一种显示装置的结构示意图。

具体实施方式

为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请实施方式作进一步地详细描述。

随着显示技术的不断发展，用户对柔性可折叠显示装置，增强现实(augmentedreality，AR)装置，虚拟现实(virtual reality，VR)装置以及3D显示装置的需求不断显现。其中，由于裸眼3D显示设备在使用时无需任何辅助设备(如3D眼镜，头盔等)，即可使用户沉浸到虚拟环境中。因此，裸眼3D显示设备的发展越来越受到市场的重视。

相关技术中，显示装置可以包括衬底基板以及多个子像素。每个子像素包括：阳极层，阴极层，以及位于该阳极层和阴极层之间的发光层。

为了使得显示装置具有裸眼3D显示效果，该每个子像素中的阳极层可以包括多个同层且间隔设置的电极块。每个电极块可以与对应的一个像素电路连接，该像素电路可以驱动该电极块所在区域的发光层发出光线，且每个电极块所在区域的发光层发出的光线能够显示在不同的平面，以实现显示装置的3D显示。

但是，由于阳极层包括的多个电极块间隔设置，且每个电极块的侧壁与衬底基板的承载面垂直，容易导致形成在该电极块的一侧的发光层断裂。示例的，采用扫描电子显微镜(scanning electron microscope，SEM)对发光层01进行测试，得到如图1所示的测试结果。参考图1可以看出，该发光层01在电极块02的侧壁处发生断裂。

并且，还可以采用SEM对相邻电极块02所在区域的发光层01之间的距离进行测试，得到如图2所示的测试结果。参考图2，相邻电极块02所在区域的发光层01之间的距离为2.4μm(微米)。

因此，参考图3，在该显示装置显示图像时，该显示装置由于发光层断裂，且相邻电极块02所在区域的发光层01之间的距离较大，导致相邻电极块10211之间的区域的发光层无法正常发出光线，即相邻电极块10211之间具有不能发光的暗区，显示装置显示的图像出现类似摩尔纹的条纹，显示装置的显示效果较差。其中，摩尔纹是指感光元件的空间频率与影像的空间频率接近时，产生的一种波浪形的干扰图案。

图4是本申请实施例提供的一种显示基板的结构示意图。参考图4可以看出，该显示基板10可以包括：衬底基板(substrate)101，以及位于该衬底基板101的一侧的多个子像素102。其中，图1仅示出了一个子像素102。每个子像素102可以包括：阳极(anode)层1021。该阳极层1021可以包括：位于同层且间隔设置的多个电极块10211，每个电极块10211远离衬底基板101的一侧在衬底基板101上的正投影A1，可以位于该电极块10211靠近衬底基板101的一侧在衬底基板101上的正投影A2内。

在本申请实施例中，由于多个电极块10211间隔设置，因此后续形成的发光层(图4未示出)可以位于该多个电极块10211中每个电极块10211远离衬底基板101的一侧，且位于多个电极块10211中每相邻两个电极块10211之间的间隙。

并且，由于电极块10211远离衬底基板101的一侧在衬底基板101上的正投影A1，位于该电极块10211靠近衬底基板101的一侧在衬底基板101上的正投影A2内，便于发光层沿电极块10211的侧壁爬坡形成，避免该发光层在电极块10211的侧壁处断裂，因此位于该电极块10211所在区域的发光层中的电子能够向位于电极块10211间隙处的发光层传输，依靠发光层的电子串扰使得位于间隙处的发光层发光，进而减小暗区，保证显示装置的显示效果。

综上所述，本申请实施例提供了一种显示基板，该显示基板包括衬底基板以及多个子像素，每个子像素包括阳极层，该阳极层包括位于同层且间隔设置的多个电极块。由于每个电极块远离衬底基板的一侧在衬底基板上的正投影，位于电极块靠近衬底基板的一侧在衬底基板上的正投影内，即每个电极块的侧壁相对于衬底基板的承载面倾斜，因此能够便于后续发光层沿电极块的侧壁爬坡形成，进而避免发光层在电极块的侧壁处断裂，保证显示装置的显示效果。

参考图4还可以看出，每个电极块10211的侧壁a可以均为平面。并且，为了便于后续的发光层沿电极块10211的侧壁a爬坡形成，每个电极块10211的侧壁a与衬底基板101的承载面b之间的夹角β可以为锐角。也即是，该每个电极块10211的剖面可以呈梯形。其中，该剖面垂直于衬底基板101的承载面b。该夹角β可以是指电极块10211的侧壁a与该电极块10211在衬底基板101上的正投影之间的夹角。

可选的，每个电极块10211的侧壁a与衬底基板101的承载面b之间的夹角β的范围可以为40度至70度。例如，每个电极块10211的侧壁a与衬底基板101的承载面b之间的夹角β可以为60度。

图5是本申请实施例提供的另一种显示基板的结构示意图。参考图5可以看出，每个电极块10211可以包括：沿远离衬底基板101的一侧依次层叠的第一电极图案102111，第二电极图案102112，以及第三电极图案102113。

其中，第二电极图案102112在衬底基板101上的正投影可以位于该第一电极图案102111在衬底基板101上的正投影内，第三电极图案102113在衬底基板101上的正投影可以覆盖第一电极图案在衬底基板101上的正投影，且覆盖第二电极图案102112在衬底基板101上的正投影。

参考图5可以看出，该第一电极图案102111的侧壁，第二电极图案102112的侧壁，以及第三电极图案102113的侧壁与衬底基板101的承载面之间的夹角均为锐角。通过将该第一电极图案102111的侧壁，第二电极图案102112的侧壁，以及第三电极图案102113的侧壁均设置为与衬底基板101的承载面之间的夹角为锐角，可以使得由该第一电极图案102111，第二电极图案102112，以及第三电极图案102113构成的电极块10211与衬底基板101的承载面之间的夹角为锐角，进而能够便于后续发光层爬坡形成，避免发光层断裂。

可选的，该第一电极图案102111的侧壁，第二电极图案102112的侧壁，以及第三电极图案102113的侧壁与衬底基板101的承载面的夹角的范围均为40度至70度。

示例的，该第一电极图案102111的侧壁以及第三图案的侧壁与衬底基板101的承载面的夹角可以均为40度。该第二电极图案102112的侧壁与衬底基板101的承载面的夹角可以为60度。

在本申请实施例中，该第一电极图案102111以及第三电极图案102113的材料可以均为氧化铟锡(indium tin oxide，ITO)，该第二电极图案102112的材料可以为铝(Al)或银(Ag)。例如，该第二电极图案102112的材料为Al。

参考图5，该第一电极图案102111以及第三电极图案102113的厚度可以小于第二电极图案102112的厚度。可选的，该第一电极图案102111以及第三电极图案102113的厚度的范围可以为8nm(纳米)至15nm，例如可以均为10nm。该第二电极图案102112的厚度的范围可以为40nm至120nm，例如可以为100nm。

图6是本申请实施例提供的又一种显示基板的结构示意图。参考图6可以看出，每个子像素102还可以包括：发光(emitting layer，EL)层1022和阴极(cathode)层1023。该发光层1022可以位于阳极层1021远离衬底基板101的一侧。该阴极层1023可以位于发光层1022远离衬底基板101的一侧。

其中，该发光层1022在衬底基板101上的正投影可以覆盖相邻两个电极块10211之间的间隙，且该发光层1022在衬底基板101上的正投影可以与每个电极块10211在衬底基板101上的正投影重叠。由此能够使得该发光层1022在电极块10211的侧壁处不会断裂，进而保证显示装置的显示效果。

参考图6，在衬底基板101中相邻两个电极块10211之间的间隙处，该发光层1022可以位于衬底基板101的一侧，在衬底基板101中电极块10211所在区域，该发光层1022可以位于该电极块10211远离衬底基板101的一侧。

在本申请实施例中，每个子像素102还可以包括：多个像素电路(图中未示出)，每个像素电路可以包括至少一个晶体管。参考图7，该多个像素电路可以位于衬底基板101与阳极层1021之间的晶体管器件层103，该晶体管器件层103还可以称为薄膜晶体管背板(thin film transistor backplane，TFT-BP)层。其中，每个子像素102中包括的像素电路的数量可以与该子像素102中包括的电极块10211的数量相同。每个像素电路可以用于与对应的一个电极块10211连接，用于为该电极块10211提供驱动信号。

示例的，参考图8，该子像素102的阳极层1021可以包括四个间隔的电极块10211，则相应的该子像素102可以包括四个像素电路。

可选的，每个子像素102的阳极层1021所包括的多个电极块10211可以沿目标方向排列，即该多个电极块10211可以线性排布。其中，该目标方向X可以为显示基板的像素行方向或像素列方向。

例如，参考图8，该四个电极块10211可以沿目标方向X排布。其中，该目标方向X可以为显示基板10的像素列方向。

参考图6和图7可以看出，该显示基板10还可以包括：像素界定层(pixeldefinition layer，PDL)104。其中，该像素界定层104中可以具有开口B，子像素102中的发光层1022在衬底基板101上的正投影可以与该开口B在衬底基板101上的正投影重叠。也即是，子像素102中的发光层1022可以位于该开口B所在区域。

图9是本申请实施例提供的再一种显示基板的结构示意图。参考图9可以看出，该显示基板10还可以包括：封装薄膜(thin-film encapsulation，TFE)105，粘合胶(adhesive)106，偏光层(polarizer，POL)107以及多个透镜结构108。其中，该透镜结构108还可以称为像素岛(pixel island)结构。由于图9中仅示出了一个子像素102，因此图9中也仅示出了一个透镜结构108。

该封装薄膜105可以位于多个子像素102远离衬底基板101的一侧，该粘合胶106可以位于封装薄膜105远离多个子像素102的一侧，偏光层107可以位于粘合胶106远离封装薄膜105的一侧，多个透镜结构108可以位于偏光层107远离粘合胶106的一侧。

该粘合胶106可以用于将粘合偏光层107和封装薄膜10。每个透镜结构108在衬底基板101上的正投影可以覆盖一个子像素102在衬底基板101上的正投影。对于每个子像素102，通过设置偏光层107以及多个透镜结构108，可以使得该子像素102中阳极层1021的各个电极块10211所在区域的发光层1022发出的光线显示在不同的平面上，进而能够实现显示装置的3D显示。

在本申请实施例中，显示基板10包括的多个子像素102可以为不同颜色的子像素。并且，该多个子像素102可以被划分为多个像素，每个像素包括三个不同颜色的子像素102。例如，参考图10，每个像素中的第一个子像素102a发出的光线可以为红色(red，R)，第二个子像素102b发出的光线可以为绿色(green，G)。第三个子像素102c发出的光线可以为蓝色(blue，B)。并且，参考图10，该显示基板10中示出了三个透镜结构108。

综上所述，本申请实施例提供了一种显示基板，该显示基板包括衬底基板以及多个子像素，每个子像素包括阳极层，该阳极层包括位于同层且间隔设置的多个电极块。由于每个电极块远离衬底基板的一侧在衬底基板上的正投影，位于电极块靠近衬底基板的一侧在衬底基板上的正投影内，即每个电极块的侧壁相对于衬底基板的承载面倾斜，因此能够便于后续发光层沿电极块的侧壁爬坡形成，进而避免发光层在电极块的侧壁处断裂，保证显示装置的显示效果。

图11是本申请实施例提供的一种显示基板的制造方法的流程图。该方法可以用于制造上述实施例提供的显示基板，例如以制造图4所示的显示基板10为例进行说明。参考图11，该方法可以包括：

步骤201、提供一衬底基板。

在本申请实施例中，先获取一个衬底基板，以在该衬底基板的一侧形成其他膜层结构。该衬底基板可以为玻璃基板。

步骤202、在衬底基板的一侧形成多个子像素。

在本申请实施例中，在获取衬底基板之后，可以在该衬底基板的一侧形成多个子像素。其中，参考图1，每个子像素102可以包括：阳极层1021。该阳极层1021可以包括：位于同层且间隔设置的多个电极块10211，每个电极块10211远离衬底基板101的一侧在衬底基板101上的正投影，可以位于电极块10211靠近衬底基板101的一侧在衬底基板101上的正投影内。

综上所述，本申请实施例提供了一种显示基板的制造方法，该方法可以在提供衬底基板之后，在该衬底基板的一侧形成多个子像素。每个子像素包括阳极层，该阳极层包括位于同层且间隔设置的多个电极块。由于每个电极块远离衬底基板的一侧在衬底基板上的正投影，位于电极块靠近衬底基板的一侧在衬底基板上的正投影内，即每个电极块的侧壁相对于衬底基板的承载面倾斜，因此能够便于后续形成的发光层沿电极块的侧壁爬坡，进而避免发光层在电极块的侧壁处断裂，保证显示装置的显示效果。

图12是本申请实施例提供的另一种显示基板的制造方法的流程图。该方法可以用于制造上述实施例提供的显示基板，例如以图9所示的显示基板为例进行说明。参考图12，该方法可以包括：

步骤301、提供一衬底基板。

在本申请实施例中，先获取一个衬底基板，以在该衬底基板的一侧形成其他膜层结构。其中，该衬底基板可以为透明的玻璃基板。

步骤302、在衬底基板的一侧形成晶体管器件层。

在本申请实施例中，参考图13，在获取衬底基板101之后，可以在该衬底基板101的一侧形成晶体管器件层103。其中，该晶体管器件层103可以包括多个像素电路，每个像素电路可以包括至少一个晶体管。

步骤303、在衬底基板的一侧形成阳极层。

在本申请实施例中，在形成晶体管器件层103之后，可以在该晶体管器件层103远离衬底基板101的一侧形成阳极层1021。

作为一种可选的实现方式，参考图14，该步骤303可以包括：

步骤3031a、在晶体管器件层远离衬底基板的一侧依次形成第一电极层以及第二电极层。

在本申请实施例中，在形成晶体管器件层103之后，参考图15，可以在该晶体管器件层103远离衬底基板101的一侧依次形成第一电极层10211a以及第二电极层10212a。参考图15，该第一电极层10211a和第二电极层10212a可以整层覆盖衬底基板101。其中，该第一电极层10211a可以用于形成多个第一电极图案10211，第二电极层10212a可以用于形成多个第二电极图案10212。

可选的，该第一电极层10211a的材料为ITO，第一电极层10211a的厚度范围为8nm至15nm。第二电极层10212a的材料为Al或Ag，该第二电极层10212a的厚度范围为40nm至120nm。

步骤3032a、对第二电极层进行图形化处理，得到多个间隔的第二电极图案。

在本申请实施例中，在得到该第一电极层10211a以及第二电极层10212a之后，参考图16，可以对该第二电极层10212a进行图形化处理，以得到多个间隔的第二电极图案10212。其中，每个第二电极图案102112的侧壁与衬底基板101的承载面之间的夹角为锐角，且该夹角的角度范围可以为40度至70度。

可选的，可以采用光刻工艺对该第二电极层10212a进行图形化处理，得到第二电极图案10212。其中，该光刻工艺可以包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离等工艺。该光刻工艺也可以称为掩膜板(Mask)工艺。

其中，在对该第二电极层10212a进行刻蚀时，可以采用第一刻蚀剂对该第二电极层10212a进行刻蚀。并且，该第一刻蚀剂仅能够对第二电极层10212a进行刻蚀，而不会对第一电极层10211a造成影响。可选的，该第一刻蚀剂可以为硝酸或磷酸。

步骤3033a、对第一电极层进行图形化处理，得到多个间隔的第一电极图案。

在本申请实施例中，在采用第一刻蚀剂对第二电极层10212a刻蚀完成之后，参考图17，可以对第一电极层10211a进行图形化处理，以得到多个间隔的第一电极图案10211。

其中，参考图17，每个第二电极图案102112在衬底基板101在衬底基板上的正投影可以位于一个第一电极图案102111在衬底基板101上的正投影内。每个第一电极图案102111的侧壁与衬底基板101的承载面之间的夹角为锐角，且该夹角的角度范围可以为40度至70度。

在本申请实施例中，可以采用光刻工艺对该第一电极层10211a进行图形化处理，得到第一电极图案10211，其中，对该第一电极层10211a进行图形化处理时所采用的掩膜板，可以与对第二电极层10212a进行图形化处理时所采用的掩膜板相同。

并且，在对该第二电极层10212a进行刻蚀时，可以采用第二刻蚀剂对第一电极层10211a进行刻蚀，以得到多个间隔的第一电极图案10211。该第二刻蚀剂仅能够对第一电极层10211a进行刻蚀，而不会对第二电极层10212a造成影响。可选的，该第二刻蚀剂可以为硫酸。

步骤3034a、在多个第二电极图案远离衬底基板的一侧形成第三电极层。

在本申请实施例中，参考图18，可以在多个第二电极图案10212远离衬底基板101的一侧形成第三电极层10213a，且该第三电极层10213a可以整层覆盖衬底基板101。该第三电极层10213a可以用于形成多个第三电极图案10213。

其中，该第三电极层10213a的材料可以为ITO，该第三电极层10231a的厚度可以为8nm至15nm。

步骤3035a、对第三电极层进行图形化处理，得到多个间隔的第三电极图案。

在本申请实施例中，参考图19，可以对第三电极层10213a进行图形化处理，以得到多个间隔的第三电极图案10213。

其中，参考图19，每个第三电极图案102113在衬底基板101上的正投影，覆盖一个第一电极图案102111在衬底基板101上的正投影，以及一个第二电极图案102112在衬底基板101上的正投影。

在本申请实施例中，可以采用光刻工艺对该第三电极层10213a进行图形化处理，得到第三电极图案10213。其中，对该第三电极层10213a进行图形化处理时所采用的掩膜板，可以与对第一电极层10211a以及第二电极层10212a进行图形化处理时所采用的掩膜板相同。

并且，在对该第三电极层10213a进行刻蚀时，可以采用第三刻蚀剂对第三电极层10213a进行刻蚀，以得到多个间隔的第三电极图案10213。该第三刻蚀剂仅能够对第三电极层10213a进行刻蚀，而不会对第二电极层10212a以及第一电极层10211a造成影响。可选的，该第三刻蚀剂可以为硫酸。

作为另一种可选的实现方式，参考图20，该步骤303可以包括：

步骤3031b、在晶体管器件层远离衬底基板的一侧形成第一电极层。

步骤3032b、对该第一电极层进行图形化处理，得到多个第一电极图案。

步骤3033b、在多个第一电极图案远离衬底基板的一侧形成第二电极层。

步骤3034b、对该第二电极层进行图形化处理，得到多个第二电极图案。

步骤3035b、在多个第二电极图案远离衬底基板的一侧形成第三电极层。

步骤3036b、对该第三电极层进行图形化处理，得到多个第三电极图案。

需要说明的是，步骤3031b至步骤3036b的具体内容可以参考上述步骤3031a至步骤3035a的相关描述，本申请实施例在此不再赘述。

还需要说明的是，采用SEM对形成的阳极层1021的电极块10211进行测试，得到如图21所示的测试结果，参考图21，该电极块10211的侧壁倾斜，能够便于发光层沿该阳极层1021的侧壁爬坡形成，避免发光层断裂。其中，图21还示出了未剥离的光学胶。

步骤304、在衬底基板的一侧形成像素界定薄膜。

在本申请实施例中，参考图22，在阳极层1021远离衬底基板的一侧形成像素界定薄膜104a可以整层覆盖在衬底基板101上。

步骤305、对像素界定薄膜进行图形化处理，得到像素界定层。

在本申请实施例中，参考图23，对像素界定薄膜104a进行图形化处理时，可以形成用于限定发光区域的开口B。后续形成的发光层可以通过该开口B与阳极层1021接触。

可选的，可以采用光刻工艺对该像素界定薄膜104a进行图形化处理，得到像素界定层104。

步骤306、在阳极层远离衬底基板的一侧形成发光层。

在本申请实施例中，参考图24，在该阳极层1021远离衬底基板101的一侧形成发光层1022可以位于像素界定层104形成的开口B处，即该发光层1022在衬底基板101上的正投影与像素界定层104中的开口B在衬底基板101上的正投影重叠。例如，该发光层1022在衬底基板101上的正投影可以覆盖一个开口B在衬底基板101上的正投影。

其中，发光层1022可以采用蒸镀工艺的方式进行制备，或者发光层1022可以采用蒸镀工艺结合溶液法的方式进行制备。

步骤307、在发光层远离阳极层的一侧形成阴极层。

在本申请实施例中，参考图25，在发光层1022远离阳极层1021的一侧形成阴极层1023可以整层覆盖该衬底基板101。其中，制成阴极层1023的材料可以为金属或金属合金。例如该阴极层1023可以由银或铝等金属材料制成，或者，该阴极层1023可以由镁银、镁铝或镁钙等金属合金材料制成。

可选的，该阴极层1023可以采用磁控溅射的方式进行制备，或者可以采用蒸镀的方式进行制备。

步骤308、在阴极层远离发光层的一侧依次形成封装薄膜，粘合胶，偏光层以及透镜结构。

在本申请实施例中，参考图9，该封装薄膜105可以位于阴极层1023远离衬底基板101的一侧，该粘合胶106可以位于封装薄膜105远离衬底基板101的一侧，偏光层107可以位于粘合胶106远离衬底基板的一侧，透镜结构108可以位于偏光层107远离衬底基板101的一侧。

可选的，该透镜结构108可以由树脂材料制成。

综上所述，本申请实施例提供了一种显示基板的制造方法，该方法可以在提供衬底基板之后，在该衬底基板的一侧形成多个子像素。每个子像素包括阳极层，该阳极层包括位于同层且间隔设置的多个电极块。由于每个电极块远离衬底基板的一侧在衬底基板上的正投影，位于电极块靠近衬底基板的一侧在衬底基板上的正投影内，即每个电极块的侧壁相对于衬底基板的承载面倾斜，因此能够便于后续形成的发光层沿电极块的侧壁爬坡，进而避免发光层在电极块的侧壁处断裂，保证显示装置的显示效果。

图26是本申请实施例提供的一种显示装置的结构示意图。参考图26可以看出，该显示装置可以包括：驱动电路40以及上述实施例提供的显示基板10。该驱动电路40可以用于为显示面板10中指纹识别电路104提供驱动信号。

其中，参考图26，该驱动电路40可以包括：栅极驱动电路401和源极驱动电路402。该栅极驱动电路401可以通过栅线与显示基板10中的各行子像素102连接，用于为各行子像素102提供栅极驱动信号。源极驱动电路402可以通过数据线与显示基板10中的各列子像素结构102连接，用于为各列子像素102提供数据信号。

可选的，该显示装置可以为液晶显示装置、电子纸、无源矩阵有机发光二极管(passive-matrix organic light-emitting diode，PMOLED)显示装置、有源矩阵有机发光二极管(active-matrix organic light-emitting diode，AMOLED)显示装置、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

以上所述仅为本申请的可选实施例，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括：衬底基板，以及位于所述衬底基板的一侧的多个子像素，每个所述子像素包括：阳极层；

所述阳极层包括：位于同层且间隔设置的多个电极块，每个所述电极块远离所述衬底基板的一侧在所述衬底基板上的正投影，位于所述电极块靠近所述衬底基板的一侧在所述衬底基板上的正投影内。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，每个所述电极块的侧壁为平面，且每个所述电极块的侧壁与所述衬底基板的承载面之间的夹角的范围为40度至70度。

3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，每个所述电极块包括：沿远离所述衬底基板的一侧依次层叠的第一电极图案，第二电极图案，以及第三电极图案；

所述第二电极图案在所述衬底基板上的正投影位于所述第一电极图案在所述衬底基板上的正投影内，所述第三电极图案在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第一电极图案在所述衬底基板上的正投影，且覆盖所述第二电极图案在所述衬底基板上的正投影。

4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述第一电极图案和所述第三电极图案的材料均为氧化铟锡，所述第二电极图案的材料为铝或银。

5.根据权利要求1至4任一所述的显示基板，其特征在于，每个所述子像素还包括：发光层以及阴极层；

所述发光层位于所述阳极层远离所述衬底基板的一侧，所述发光层在所述衬底基板上的正投影覆盖相邻两个所述电极块之间的间隙，且与每个所述电极块在所述衬底基板上的正投影重叠；

所述阴极层位于所述发光层远离所述衬底基板的一侧。

6.根据权利要求1至4任一所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：位于所述多个子像素远离所述衬底基板的一侧的多个透镜结构；

每个所述透镜结构在所述衬底基板上的正投影覆盖一个所述子像素在所述衬底基板上的正投影。

7.一种显示基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板的一侧形成多个子像素；

其中，每个所述子像素包括：阳极层，所述阳极层包括：位于同层且间隔设置的多个电极块，每个所述电极块远离所述衬底基板的一侧在所述衬底基板上的正投影，位于所述电极块靠近所述衬底基板的一侧在所述衬底基板上的正投影内。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底基板的一侧形成多个子像素，包括：

在所述衬底基板的一侧形成阳极层；

在所述阳极层远离衬底基板的一侧形成发光层；

在所述发光层远离阳极层的一侧形成阴极层。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底基板的一侧形成阳极层，包括：

在所述衬底基板的一侧依次形成第一电极层以及第二电极层；

对所述第二电极层进行图形化处理，得到多个间隔的第二电极图案，每个所述第二电极图案的侧壁与所述衬底基板的承载面之前的夹角为锐角；

对所述第一电极层进行图形化处理，得到多个间隔的第一电极图案，每个所述第二电极图案在所述衬底基板上的正投影位于一个所述第一电极图案在所述衬底基板上的正投影内；

在所述多个第二电极图案远离所述衬底基板的一侧形成第三电极层；

对所述第三电极层进行图形化处理，得到多个间隔的第三电极图案，每个所述第三电极图案在所述衬底基板上的正投影，覆盖一个所述第一电极图案在所述衬底基板上的正投影，以及一个所述第二电极图案在所述衬底基板上的正投影。

10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：驱动电路以及如权利要求1至6任一所述的显示基板；

所述驱动电路用于为所述显示基板中的每个子像素提供驱动信号。

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