CN109801954B - 阵列基板及其制造方法、显示面板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板及其制造方法、显示面板及显示装置，属于显示技术领域。该阵列基板具有显示区域和位于显示区域周围的非显示区域，该阵列基板包括：衬底基板，以及依次设置在衬底基板上的栅极图案、层间绝缘层、平坦图案和源漏极图案；其中，平坦图案与位于显示区域内的源漏极图案形状互补，平坦图案具有容置位于显示区域内的源漏极图案的第一开槽。本发明通过在显示区域内设置与位于显示区域内的源漏极图案形状互补的平坦图案，提高阵列基板的平坦度，进而改善色分离现象。

Description

阵列基板及其制造方法、显示面板及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制造方法、显示面板及显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)作为一种电流型发光器件，因其所具有的低功耗、自发光、高色饱和度、快速响应、宽视角和能够实现柔性化等特点而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。目前的OLED显示面板普遍采用圆偏光片(英文：Circular Polarizer)来减少外部的反射光线，即在OLED显示面板的出光面贴附圆偏光片，该圆偏光片能够减少进入OLED显示面板内的环境光被OLED显示面板的内部结构反射后从出光面的出射量。
相关技术中提供了一种封装上的彩色滤光片(Color Filter on Encap，COE)技术，在OLED显示面板的出光侧封装滤光片，由于滤光片能够对光线起到过滤作用，因此也可以减少进入OLED显示面板内的环境光被OLED显示面板的内部结构反射后从出光面的出射量。另外，滤光片与圆偏光片相比，其光透过率更高且柔性效果更好，因此COE技术得到了发展。
OLED显示面板包括阵列基板以及位于阵列基板上的发光器件。随着OLED显示面板的分辨率的提高，阵列基板中薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)的源漏极图案的厚度越来越大，由于阵列基板为多层膜层堆叠结构，厚度较大的源漏极图案会使其平坦度较差，易导致发光器件中的下电极表面不平整。因此在现有的COE技术中，当该OLED显示面板处于熄屏状态，外界光线进入OLED显示面板内部在下电极表面发生反射时，易出现某个方向上的集中反射现象，导致反射光线经过滤光片后出现色分离现象，进而导致反射图像失真，因此相关技术中OLED显示面板的信赖性较低。
发明内容
本发明实施例提供了一种阵列基板及其制造方法、显示面板及显示装置，可以解决相关技术中OLED显示面板的信赖性较低的问题。所述技术方案如下：
第一方面，提高了一种阵列基板，所述阵列基板具有显示区域和位于所述显示区域周围的非显示区域，所述阵列基板包括：
衬底基板，以及依次设置在所述衬底基板上的栅极图案、层间绝缘层、平坦图案和源漏极图案；
其中，所述平坦图案与位于所述显示区域内的源漏极图案形状互补，所述平坦图案具有容置所述位于所述显示区域内的源漏极图案的第一开槽。
可选地，所述衬底基板为柔性衬底基板，所述非显示区域包括弯折区，所述弯折区内具有第二开槽，所述第二开槽内设置有有机填充物；
所述源漏极图案包括位于所述弯折区内的源漏极走线，所述源漏极走线位于所述有机填充物远离所述衬底基板的一侧。
可选地，所述平坦图案与所述有机填充物同层制备得到。
可选地，所述阵列基板还包括平坦层，所述平坦层位于所述源漏极图案远离所述衬底基板的一侧。
可选地，所述阵列基板还包括有源层图案和钝化层，所述有源层图案位于所述衬底基板与所述栅极图案之间，所述钝化层位于所述有源层图案与所述栅极图案之间。
可选地，所述阵列基板还包括有源层图案，所述有源层图案位于所述层间绝缘层与所述源漏极图案之间。
第二方面，提供了一种显示面板，包括：如第一方面任一所述的阵列基板。
可选地，所述阵列基板还包括平坦层，所述平坦层位于所述源漏极图案远离所述衬底基板的一侧；
所述显示面板还包括位于所述平坦层远离所述衬底基板的一侧层叠设置的第一电极、发光层、第二电极和滤光片，所述第一电极和所述第二电极分别为阴极和阳极中的一极。
可选地，所述显示面板具有两组平行的对边，所述显示区域内具有多个像素，所述多个像素的排布方向与所述显示面板的任一边不平行。
第三方面，提供了一种显示装置，包括：如第二方面任一所述的显示面板。
第四方面，提供了一种阵列基板的制造方法，所述阵列基板具有显示区域和位于所述显示区域周围的非显示区域，所述方法包括：
提供衬底基板；
在所述衬底基板上依次形成栅极图案和层间绝缘层；
在所述层间绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成平坦图案，所述平坦图案具有第一开槽；
在形成有所述平坦图案的衬底基板上形成源漏极图案，所述平坦图案与位于所述显示区域内的源漏极图案形状互补，所述位于所述显示区域内的源漏极图案容置于所述第一开槽内。
可选地，所述衬底基板为柔性衬底基板，所述非显示区域包括弯折区，所述在所述层间绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成平坦图案，包括：
在形成有所述层间绝缘层的衬底基板上整层涂覆有机材料，形成有机材料层，所述有机材料层的厚度大于或等于所述源漏极图案的厚度；
对位于所述显示区域内的有机材料层进行曝光显影处理，得到所述平坦图案。
可选地，在所述形成有机材料层之前，所述方法还包括：
对所述弯折区内的无机膜层进行蚀刻处理，形成第二开槽；
所述在形成有所述层间绝缘层的衬底基板上整层涂覆有机材料，形成有机材料层，包括：
在所述第二开槽内填充所述有机材料，以在所述第二开槽内形成有机填充物。
可选地，所述源漏极图案包括位于所述弯折区内的源漏极走线，所述在形成有所述平坦图案的衬底基板上形成源漏极图案，包括：
通过构图工艺在所述有机填充物远离所述衬底基板的一侧形成所述源漏极走线。
可选地，当所述有机材料层的厚度大于所述源漏极图案的厚度，在得到所述平坦图案之后，所述方法还包括：
采用半色调掩膜板对所述平坦图案进行曝光处理；
对经过所述曝光处理后的平坦图案进行显影处理，使经过所述显影处理后的平坦图案的厚度等于所述源漏极图案的厚度。
可选地，当所述有机材料层的厚度大于所述源漏极图案的厚度，在得到所述平坦图案之后，所述方法还包括：
采用灰化工艺对所述平坦图案进行灰化处理，使经过所述灰化处理后的平坦图案的厚度等于所述源漏极图案的厚度。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果包括：
由于平坦图案与位于显示区域内的源漏极图案形状互补，且平坦图案具有容置位于显示区域内的源漏极图案的第一开槽，即该位于显示区域内的源漏极图案能够容置于平坦图案的第一开槽内，因此可以改善由于源漏极图案的厚度较大导致阵列基板的平坦度较差的问题，提高了阵列基板的表面平整性。进一步的，可以提高位于阵列基板上的膜层的平整性，避免外界光线进入显示面板内部后，在膜层表面发生反射时出现某个方向上的集中反射现象，因此可以改善色分离现象，提高产品信赖度。
附图说明
图1是相关技术中提供的一种OLED显示面板的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的平坦图案的俯视结构示意图；
图4是本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
图5是本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图6是本发明实施例提供的再一种阵列基板的结构示意图；
图7是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图8是本发明实施例提供的一种显示面板中的像素分布示意图；
图9是本发明实施例提供的一种阵列基板的制造方法的流程图；
图10是本发明实施例提供的另一种阵列基板的制造方法流程图；
图11是本发明实施例提供的一种在层间绝缘层远离衬底基板的一侧形成平坦图案的工艺流程示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
图1是相关技术中提供的一种OLED显示面板的结构示意图，如图1所示，该OLED显示面板包括阵列基板10，位于阵列基板10上的发光器件11，以及位于发光器件11出光侧的滤光片12。参见图1，阵列基板10包括衬底基板101，以及层叠设置在衬底基板101上的有源层102、钝化层103、栅极图案104、层间绝缘层105、源漏极图案106和平坦层107；发光器件11包括第一电极111、发光层112和第二电极113；滤光片12具有红色滤光区R、绿色滤光区G和蓝色滤光区B。
随着OLED显示面板的分辨率的提高，源漏极图案的厚度越来越大。参见图1，由于源漏极图案106的厚度较大，在源漏极图案106远离衬底基板101的一侧形成的平坦层107的平坦度较差，进一步导致在平坦层107上形成的第一电极111的表面不平整。当外界光线(尤其是强光)进入OLED显示面板内部，在第一电极111的表面发生反射时，由于第一电极111的表面不平整，易出现某个方向上的集中反射现象，反射光线经过滤光片上的R、G和B出射后会出现色分离现象，进而导致反射图像失真。其中，反射图像指OLED显示面板处于熄屏状态下，通过反射外界光线形成的图像。
图2是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图，如图2所示，该阵列基板20具有显示区域A和位于显示区域A周围的非显示区域B，该阵列基板20包括：
衬底基板201，以及依次设置在衬底基板201上的栅极图案202、层间绝缘层203、平坦图案204和源漏极图案205。
参见图2，平坦图案204与位于显示区域A内的源漏极图案205形状互补，即平坦图案204与位于显示区域A内的源漏极图案205同层设置。其中，位于显示区域A内的源漏极图案205包括源极205a、漏极205b和源漏极走线(图中未画出)；位于非显示区域B内的源漏极图案包括源漏极走线205c。
图3是本发明实施例提供的平坦图案的俯视结构示意图，如图3所示，平坦图案204具有容置位于显示区域内的源漏极图案的第一开槽H1。
可选地，平坦图案的厚度与位于显示区域内的源漏极图案的厚度相等。平坦图案和源漏极图案的厚度范围为300至800纳米。
可选地，栅极图案的制备材料包括铝(Al)、钕(Nd)和钼(Mo)中的至少一种；源漏极图案的制备材料包括铝、钕和钼中的至少一种；平坦图案的制备材料包括聚酰亚胺(polyimide，PI)和亚克力(化学名：聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate，PMMA))等有机材料。本发明实施例对各个膜层的制备材料不做限定。
本发明实施例提供的阵列基板可以是顶栅结构，也可以是底栅结构。当该阵列基板为顶栅结构时，参见图2，该阵列基板20还包括有源层图案206和钝化层207，有源层图案206位于衬底基板201与栅极图案202之间，钝化层207位于有源层图案206与栅极图案202之间。图4是本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图，当该阵列基板为底栅结构时，参见图4，该阵列基板20还包括有源层图案206，有源层图案206位于层间绝缘层203与源漏极图案205之间。本发明以下实施例以阵列基板为顶栅结构为例进行说明。
综上所述，本发明实施例提供的阵列基板，由于平坦图案与位于显示区域内的源漏极图案形状互补，且平坦图案具有容置位于显示区域内的源漏极图案的第一开槽，即该位于显示区域内的源漏极图案能够容置于平坦图案的第一开槽内，因此可以改善由于源漏极图案的厚度较大导致阵列基板的平坦度较差的问题，提高了阵列基板的表面平整性。进一步的，可以提高位于阵列基板上的膜层的平整性，避免外界光线进入显示面板内部后，在膜层表面发生反射时出现某个方向上的集中反射现象，因此可以改善色分离现象，提高产品信赖度。
可选地，衬底基板为柔性衬底基板，例如该衬底基板可以由聚对苯二甲酸(polyethylene terephthalate，PET)塑料薄膜或PI塑料薄膜制备得到。图5是本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图，如图5所示，非显示区域B包括弯折(英文：Bending)区，该弯折区内具有第二开槽H2，该第二开槽H2内设置有有机填充物M；源漏极图案205包括位于弯折区内的源漏极走线205c(即位于非显示区域B内的源漏极走线205c)，该源漏极走线205c位于有机填充物M远离衬底基板201的一侧。
可选地，有机填充物的厚度范围为0.5至1.5微米。
需要说明的是，由于无机膜层(包括钝化层和层间绝缘层等)的刚性强度较大，弯折时易发生断裂，当弯折区内的源漏极走线形成在无机膜层上时，无机膜层断裂易导致源漏极走线断裂，影响显示面板的正常显示，因此目前通常对弯折区内的无机膜层进行蚀刻处理形成开槽，并在开槽内设置有机填充物。由于有机填充物的柔韧性较好，弯折时发生断裂的可能性较低，因此可以减小源漏极走线断裂的风险，提高阵列基板的可靠性。
可选地，平坦图案与有机填充物同层制备得到。需要说明的是，通过同层制备平坦图案与有机填充物，无需增加新的膜层工艺制备平坦图案，即无需增加额外的工艺成本，可实现性高。可选地，平坦图案与有机填充物也可以分别制备得到，本发明实施例对此不做限定。
可选地，衬底基板也可以为硬质衬底基板，例如该衬底基板可以由玻璃、硅片和石英等材料制备得到。本发明实施例对衬底基板的材质不做限定。
图6是本发明实施例提供的再一种阵列基板的结构示意图，如图6所示，该阵列基板20还包括平坦层208，平坦层208位于源漏极图案205远离衬底基板201的一侧。
需要说明的是，通过在源漏极图案远离衬底基板的一侧设置平坦层，可以进一步提高阵列基板的平坦度，进而提高后续膜层的制备可靠性。
综上所述，本发明实施例提供的阵列基板，由于平坦图案与位于显示区域内的源漏极图案形状互补，且平坦图案具有容置位于显示区域内的源漏极图案的第一开槽，即该位于显示区域内的源漏极图案能够容置于平坦图案的第一开槽内，因此可以改善由于源漏极图案的厚度较大导致阵列基板的平坦度较差的问题，提高了阵列基板的表面平整性。进一步的，可以提高位于阵列基板上的膜层的平整性，避免外界光线进入显示面板内部后，在膜层表面发生反射时出现某个方向上的集中反射现象，因此可以改善色分离现象，提高产品信赖度。
本发明实施例提供了一种显示面板，该显示面板包括：如图2以及图4至图6任一所示的阵列基板20。
可选地，图7是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图，如图7所示，该显示面板包括如图6所示的阵列基板20，该阵列基板20还包括平坦层208，平坦层208位于源漏极图案205远离衬底基板201的一侧。
参见图7，显示面板还包括位于平坦层208远离衬底基板201的一侧层叠设置的第一电极301、发光层302、第二电极303和滤光片40，第一电极和第二电极分别为阴极和阳极中的一极。其中，发光层包括沿远离第一电极的方向层叠设置的第一载流子注入层、第一载流子传输层、发光材料层、第二载流子传输层和第二载流子注入层，第一载流子和第二载流子分别为电子和空穴中的一种。当第一电极为阳极，第二电极为阴极时，第一载流子为空穴，第二载流子为电子；当第一电极为阴极，第二电极为阳极时，第一载流子为电子，第二载流子为空穴。
可选地，当显示面板的显示区域内具有的多个像素中，每个像素包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素时，参见图7，滤光片40具有红色滤光区R、绿色滤光区G和蓝色滤光区B。一方面，滤光片能够对出射的光线进行过滤处理，提高出射光线的色纯度；另一方面，滤光片能够对外界光线起到过滤作用，可以减少进入显示面板内的环境光，进而减少显示面板对环境光的反射，提高用户体验。
需要说明的是，层叠设置的第一电极、发光层和第二电极组成的结构也可称为发光器件。在本发明实施例中，该发光器件可以是OLED器件或量子点发光二极管(QuantumDot Light Emitting Diodes，QLED)器件等。
可选地，图8是本发明实施例提供的一种显示面板中的像素分布示意图，如图8所示，显示面板具有两组平行的对边，显示区域A内具有多个像素x，该多个像素x的排布方向与显示面板的任一边不平行。其中，每个像素x包括至少一种颜色的子像素。
需要说明的是，显示区域中的多个像素的排布方向与显示面板的任一边不平行，可以改善显示面板的色分离现象，提高显示面板的产品信赖性。
综上所述，本发明实施例提供的显示面板，由于阵列基板中平坦图案与位于显示区域内的源漏极图案形状互补，且平坦图案具有容置位于显示区域内的源漏极图案的第一开槽，即该位于显示区域内的源漏极图案能够容置于平坦图案的第一开槽内，因此可以改善由于源漏极图案的厚度较大导致阵列基板的平坦度较差的问题，提高了阵列基板的表面平整性。进一步的，可以提高位于阵列基板上的第一电极的平整性，避免外界光线进入显示面板内部后，在第一电极表面发生反射时出现某个方向上的集中反射现象，因此可以改善色分离现象，提高产品信赖度。
本发明实施例提供了一种显示装置，包括：如图7所示的显示面板。
可选的，本发明实施例提供的显示装置可以为电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
图9是本发明实施例提供的一种阵列基板的制造方法的流程图，该阵列基板具有显示区域和位于显示区域周围的非显示区域，如图9所示，该方法包括：
步骤501、提供衬底基板。
步骤502、在衬底基板上依次形成栅极图案和层间绝缘层。
步骤503、在层间绝缘层远离衬底基板的一侧形成平坦图案，该平坦图案具有第一开槽。
步骤504、在形成有平坦图案的衬底基板上形成源漏极图案，平坦图案与位于显示区域内的源漏极图案形状互补，位于显示区域内的源漏极图案容置于第一开槽内。
可选地，采用如图9所示的阵列基板的制造方法，可以制备得到如图2或图4所示的阵列基板，该阵列基板的结构可以参考结构侧实施例，本发明实施例在此不做赘述。
综上所述，本发明实施例提供的阵列基板的制造方法，先在层间绝缘层远离衬底基板的一侧形成平坦图案，再在形成有平坦图案的衬底基板上形成源漏极图案，由于该平坦图案与位于显示区域内的源漏极图案形状互补，该位于显示区域内的源漏极图案能够容置于平坦图案的第一开槽内，因此可以改善由于源漏极图案的厚度较大导致阵列基板的平坦度较差的问题，提高了阵列基板的表面平整性。进一步的，可以提高位于阵列基板上的膜层的平整性，避免外界光线进入显示面板内部后，在膜层表面发生反射时出现某个方向上的集中反射现象，因此可以改善色分离现象，提高产品信赖度。
可选地，当阵列基板为顶栅结构，在步骤502执行之前，上述方法还包括：在衬底基板上形成有源层图案；在形成有有源层图案的衬底基板上形成钝化层。当阵列基板为底栅结构，在步骤502执行之后，上述方法还包括：在形成有层间绝缘层的衬底基板上形成有源层。本发明以下实施例以阵列基板为顶栅结构为例，对阵列基板的制备过程进行说明，底栅结构的阵列基板的制造过程可参考顶栅结构的阵列基板的制造过程，本发明实施例在此不做赘述。
图10是本发明实施例提供的另一种阵列基板的制造方法流程图，该阵列基板具有显示区域和位于显示区域周围的非显示区域，如图10所示，该方法包括：
步骤601、提供衬底基板。
可选地，衬底基板为柔性衬底基板，例如该衬底基板可以由PET塑料薄膜或PI塑料薄膜制备得到。或者，衬底基板也可以为硬质衬底基板，例如该衬底基板可以由玻璃、硅片和石英等材料制备得到。本发明实施例对衬底基板的材质不做限定。
步骤602、在衬底基板上形成有源层图案。
可选的，有源层图案的制备材料包括铟镓锌氧化物(Indium Gallium ZincOxide，IGZO)、单晶硅(a-Si)、低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)或低温多晶氧化物(Low Temperature Polycrystalline Oxide，LTPO)中的至少一种。例如可以采用沉积的方式在衬底基板上形成有源层图案。
步骤603、在形成有有源层图案的衬底基板上形成钝化层。
可选地，钝化层的制备材料包括二氧化硅或氮化硅中的至少一种。
步骤604、在形成有钝化层的衬底基板上形成栅极图案。
可选地，栅极图案的制备材料包括铝、钕和钼中的至少一种。可以采用沉积的方式形成栅极层，再通过构图工艺形成栅极图案。在本发明实施例中，构图工艺包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。其中，栅极图案可以是两层结构，本发明实施例对此不做限定。
步骤605、在形成有栅极图案的衬底基板上形成层间绝缘层。
可选地，层间绝缘层的制备材料包括二氧化硅、氮化硅和氧化铝中的至少一种。例如可以采用沉积的方式在形成有栅极图案的衬底基板上形成层间绝缘层。进一步的，可以通过构图工艺在层间绝缘层和钝化层上形成过孔，该过孔用于连通有源层和源漏极图案。其中，层间绝缘层和钝化层上的过孔可以通过一次构图工艺制备得到，也可以分别通过构图工艺制备得到，本发明实施例对此不做限定。
步骤606、在层间绝缘层远离衬底基板的一侧形成平坦图案，该平坦图案具有第一开槽。
可选地，步骤606的实现过程包括：在层间绝缘层远离衬底基板的一面涂覆有机材料，形成有机材料层；对该有机材料层进行曝光显影处理，得到平坦图案。平坦图案的制备材料可以包括PI和亚克力等有机材料。
可选地，当衬底基板为柔性衬底基板，非显示区域包括弯折区，在衬底基板上形成层间绝缘层之后，需要对弯折区内的无机膜层(包括钝化层和层间绝缘层等)进行蚀刻处理，形成第二开槽，并在第二开槽内形成有机填充物。
需要说明的是，由于无机膜层的刚性强度较大，弯折时易发生断裂，当弯折区内的源漏极走线形成在无机膜层上时，无机膜层断裂易导致源漏极走线断裂，影响显示面板的正常显示。因此目前通常对弯折区内的无机膜层进行蚀刻处理形成开槽，并在开槽内设置有机填充物。由于有机填充物的柔韧性较好，弯折时发生断裂的可能性较低，因此可以减小源漏极走线断裂的风险，提高阵列基板的可靠性。
可选地，上述步骤606的实现过程可以包括：在形成有层间绝缘层的衬底基板上整层涂覆有机材料，形成有机材料层，有机材料层的厚度大于或等于源漏极图案的厚度；对位于显示区域内的有机材料层进行曝光显影处理，得到与源漏极图案形状互补的平坦图案。其中，在形成有层间绝缘层的衬底基板上整层涂覆有机材料，形成有机材料层的过程，包括：在第二开槽内填充有机材料，以在第二开槽内形成有机填充物，也即是弯折区内的有机填充物与显示区域内的平坦图案同层制备得到。
需要说明的是，通过同层制备平坦图案与有机填充物，无需增加新的膜层工艺制备平坦图案，即无需增加额外的工艺成本，可实现性高。可选地，平坦图案与有机填充物也可以分别制备得到，本发明实施例对此不做限定。
可选地，由于存在工艺误差，因此通常在形成平坦图案上的第二开槽时，在第二开槽中预留一定的误差尺寸，以提高源漏极图案与平坦图案的匹配性。
示例地，图11是本发明实施例提供的一种在层间绝缘层远离衬底基板的一侧形成平坦图案的工艺流程示意图(均为俯视图)，如图11所示，包括以下工作过程：
S1、提供衬底基板，该衬底基板上形成有层间绝缘层203，且非显示区域内的弯折区内形成有第二开槽H2。
可选地，第二开槽的深度范围为0.5至1.5微米。
S2、在层间绝缘层远离衬底基板的一面整层涂覆有机材料，在显示区域A内形成有机材料层L，并在第二开槽H2内形成有机填充物M。
可选地，由于第二开槽的深度范围为0.5至1.5微米，因此在第二开槽内形成的有机填充物的厚度范围为0.5至1.5微米，即有机材料层的厚度范围为0.5至1.5微米。
S3、对显示区域A内的有机材料层L进行曝光显影处理，得到平坦图案204。
可选地，阵列基板中源漏极图案的厚度范围一般为300至800纳米，当有机材料层的厚度大于源漏极图案的厚度，在得到平坦图案之后，可以采用半色调掩膜板对平坦图案进行曝光处理；对经过曝光处理后的平坦图案进行显影处理，使经过显影处理后的平坦图案的厚度等于源漏极图案的厚度。或者，可以采用灰化(英文：ashing)工艺对平坦图案进行灰化处理，使经过灰化处理后的平坦图案的厚度等于源漏极图案的厚度。
需要说明的是，设置平坦图案的厚度与位于显示区域内的源漏极图案的厚度相等，可以在源漏极图案容置于平坦图案的第一开槽内后，使源漏极图案远离衬底基板的一面与平坦图案远离衬底基板的一面平齐，进一步提高阵列基板的平坦度。
步骤607、在形成有平坦图案的衬底基板上形成源漏极图案，平坦图案与位于显示区域内的源漏极图案形状互补，位于显示区域内的源漏极图案容置于第一开槽内。
可选地，源漏极图案的制备材料包括铝、钕和钼中的至少一种，可以通过构图工艺在形成有平坦图案的衬底基板上形成源漏极图案。
参考步骤606，当衬底基板为柔性衬底基板时，源漏极图案包括位于弯折区内的源漏极走线，则在形成有平坦图案的衬底基板上形成源漏极图案，包括：通过构图工艺在有机填充物远离衬底基板的一侧形成源漏极走线。
步骤608、在源漏极图案远离衬底基板的一侧形成平坦层。
可选地，通过沉积或涂覆工艺在源漏极图案远离衬底基板的一侧形成平坦层。需要说明的是，通过在源漏极图案远离衬底基板的一侧形成平坦层，可以进一步提高阵列基板的平坦度，进而提高后续膜层的制备可靠性。
可选地，采用如图10所示的阵列基板的制造方法，可以制备得到如图6所示的阵列基板，该阵列基板的结构可以参考结构侧实施例，本发明实施例在此不做赘述。
需要说明的是，本发明实施例提供的阵列基板的制造方法步骤的先后顺序可以进行适当调整，步骤也可以根据情况进行相应增减，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化的方法，都应涵盖在本发明的保护范围之内，因此不再赘述。
综上所述，本发明实施例提供的阵列基板的制造方法，先在层间绝缘层远离衬底基板的一侧形成平坦图案，再在形成有平坦图案的衬底基板上形成源漏极图案，由于该平坦图案与位于显示区域内的源漏极图案形状互补，该位于显示区域内的源漏极图案能够容置于平坦图案的第一开槽内，因此可以改善由于源漏极图案的厚度较大导致阵列基板的平坦度较差的问题，提高了阵列基板的表面平整性。进一步的，可以提高位于阵列基板上的膜层的平整性，避免外界光线进入显示面板内部后，在膜层表面发生反射时出现某个方向上的集中反射现象，因此可以改善色分离现象，提高产品信赖度。
以上所述仅为本发明的可选实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (12)

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板具有显示区域和位于所述显示区域周围的非显示区域，所述阵列基板包括：
衬底基板，以及依次设置在所述衬底基板上的栅极图案、层间绝缘层、平坦图案和源漏极图案，位于所述显示区域内的所述源漏极图案包括源极、漏极和源漏极走线；
其中，所述平坦图案与位于所述显示区域内的源漏极图案同层设置，且所述平坦图案远离所述衬底基板的一侧与位于所述显示区域内的源漏极图案远离所述衬底基板的一侧平齐，所述平坦图案与位于所述显示区域内的源漏极图案形状互补，所述平坦图案具有容置所述位于所述显示区域内的源漏极图案的第一开槽；
所述衬底基板为柔性衬底基板，所述非显示区域包括弯折区，所述弯折区内具有第二开槽，所述第二开槽内设置有有机填充物，所述有机填充物远离所述柔性衬底基板的一侧与所述层间绝缘层远离所述柔性衬底基板的一侧平齐；
所述源漏极图案包括位于所述弯折区内的源漏极走线，所述源漏极走线位于所述有机填充物远离所述衬底基板的一侧；
所述平坦图案与所述有机填充物同层制备得到。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括平坦层，所述平坦层位于所述源漏极图案远离所述衬底基板的一侧。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括有源层图案和钝化层，所述有源层图案位于所述衬底基板与所述栅极图案之间，所述钝化层位于所述有源层图案与所述栅极图案之间。
4.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括有源层图案，所述有源层图案位于所述层间绝缘层与所述源漏极图案之间。
5.一种显示面板，其特征在于，包括：如权利要求1至4任一所述的阵列基板。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括平坦层，所述平坦层位于所述源漏极图案远离所述衬底基板的一侧；
所述显示面板还包括位于所述平坦层远离所述衬底基板的一侧层叠设置的第一电极、发光层、第二电极和滤光片，所述第一电极和所述第二电极分别为阴极和阳极中的一极。
7.根据权利要求5或6所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板具有两组平行的对边，所述显示区域内具有多个像素，所述多个像素的排布方向与所述显示面板的任一边不平行。
8.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求5至7任一所述的显示面板。
9.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述阵列基板具有显示区域和位于所述显示区域周围的非显示区域，所述方法包括：
提供衬底基板，所述衬底基板为柔性衬底基板，所述非显示区域包括弯折区；
在所述衬底基板上依次形成栅极图案和层间绝缘层；
在形成有所述层间绝缘层的衬底基板上整层涂覆有机材料，形成有机材料层，所述有机材料层的厚度大于或等于源漏极图案的厚度；
对位于所述显示区域内的有机材料层进行曝光显影处理，得到平坦图案，所述平坦图案具有第一开槽；
在形成有所述平坦图案的衬底基板上形成源漏极图案，位于所述显示区域内的所述源漏极图案包括源极、漏极和源漏极走线，所述平坦图案与位于所述显示区域内的源漏极图案同层设置，且所述平坦图案远离所述柔性衬底基板的一侧与位于所述显示区域内的源漏极图案远离所述柔性衬底基板的一侧平齐，所述平坦图案与位于所述显示区域内的源漏极图案形状互补，所述位于所述显示区域内的源漏极图案容置于所述第一开槽内；
对所述弯折区内的无机膜层进行蚀刻处理，形成第二开槽；
所述在形成有所述层间绝缘层的衬底基板上整层涂覆有机材料，形成有机材料层，包括：
在所述第二开槽内填充所述有机材料，以在所述第二开槽内形成有机填充物，所述有机填充物远离所述柔性衬底基板的一侧与所述层间绝缘层远离所述柔性衬底基板的一侧平齐，所述平坦图案与所述有机填充物同层制备得到。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述源漏极图案包括位于所述弯折区内的源漏极走线，所述在形成有所述平坦图案的衬底基板上形成源漏极图案，包括：
通过构图工艺在所述有机填充物远离所述衬底基板的一侧形成所述源漏极走线。
11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，当所述有机材料层的厚度大于所述源漏极图案的厚度，在得到所述平坦图案之后，所述方法还包括：
采用半色调掩膜板对所述平坦图案进行曝光处理；
对经过所述曝光处理后的平坦图案进行显影处理，使经过所述显影处理后的平坦图案的厚度等于所述源漏极图案的厚度。
12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，当所述有机材料层的厚度大于所述源漏极图案的厚度，在得到所述平坦图案之后，所述方法还包括：
采用灰化工艺对所述平坦图案进行灰化处理，使经过所述灰化处理后的平坦图案的厚度等于所述源漏极图案的厚度。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109801954B (zh) 2019-02-26 2021-04-09 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板及显示装置
CN110389685A (zh) * 2019-07-23 2019-10-29 京东方科技集团股份有限公司 触控显示面板及其制作方法、和显示装置
CN110349978A (zh) * 2019-07-25 2019-10-18 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置
CN110718572B (zh) * 2019-10-17 2022-10-11 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示基板及其制备方法和显示装置
CN110796949B (zh) * 2019-11-08 2021-11-30 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板、其制作方法及母板、显示面板、显示装置
CN111129106A (zh) * 2020-01-20 2020-05-08 合肥京东方卓印科技有限公司 一种oled基板及其制备方法、显示面板、显示装置
CN113206124A (zh) * 2020-02-03 2021-08-03 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置
CN113437127B (zh) * 2021-06-25 2022-08-02 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN114023792A (zh) * 2021-10-25 2022-02-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100782458B1 (ko) * 2006-03-27 2007-12-05 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
JP2008277546A (ja) * 2007-04-27 2008-11-13 Rohm Co Ltd 半導体装置
CN106206426B (zh) * 2016-08-01 2019-03-01 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
CN107978617B (zh) * 2016-10-21 2020-12-01 上海和辉光电股份有限公司 一种像素阵列
CN106601778B (zh) 2016-12-29 2019-12-24 深圳市华星光电技术有限公司 Oled背板及其制作方法
CN106601133B (zh) * 2017-02-28 2020-04-14 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板、其制作方法及显示装置
CN108565358B (zh) * 2018-01-19 2020-05-19 昆山国显光电有限公司 一种阳极刻蚀的方法及显示屏
CN108695370B (zh) 2018-05-21 2021-10-22 京东方科技集团股份有限公司 Oled基板及制作方法、显示装置
CN108933179B (zh) * 2018-07-05 2020-06-16 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种薄膜晶体管及其制作方法
CN108899334B (zh) * 2018-07-20 2021-03-26 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
CN109801954B (zh) * 2019-02-26 2021-04-09 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板及显示装置

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