CN111574794A - 高介电常数聚四氟乙烯薄膜及其制备方法和应用 - Google Patents

高介电常数聚四氟乙烯薄膜及其制备方法和应用 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种高介电常数聚四氟乙烯薄膜及其制备方法和应用，该高介电常数聚四氟乙烯薄膜放入原料组成包括聚四氟乙烯和功能材料，所述的功能材料由(Ba1‑xSrx)TiO3和Ba(Ti1‑ySny)O3组成，其中，x＝0.3‑0.6，y＝0.1‑0.2。本发明中，为对聚四氟乙烯材料的介电性能进行改性，在聚四氟乙烯中添加了两种改性钛酸钡陶瓷细粉作为功能材料；经检验，在10GHz的高频下，本发明聚四氟乙烯薄膜的介电常数在2.3‑80之间可调，介电损耗均低于1.0×10‑3，可以满足5G通信领域中不同设计的需求。

Description

高介电常数聚四氟乙烯薄膜及其制备方法和应用
技术领域
本发明属于5G通信技术领域，具体涉及一种高介电常数聚四氟乙烯薄膜及其制备方法和应用。
背景技术
电子信息产品和设备的发展趋势是高频化、微型化，而具有高介电常数的有机材料，则有利于电子器件的小型化、微型化。
在高频传输下，聚四氟乙烯材料是目前为止发现的性能最优的有机材料。聚四氟乙烯不仅介电性能佳，而且还具有优良的耐高温性能和天然的V0级阻燃性能。但是聚四氟乙烯材料也有局限性，如纯聚四氟乙烯材料的介电常数低(大约在2.4-2.9之间)，这限制其在5G通信领域中高频PCB板上的广泛运用。
为解决上述问题，公开号为CN 107775975 A的中国发明专利申请公开了一种高介电常数宽幅聚四氟乙烯功能薄膜及其制造工艺，该聚四氟乙烯功能薄膜是由添加了纳米级高纯超细硅微粉或钛白粉的聚四氟乙烯坯料经车削或旋切加工而成的。在10G～30G Hz的高频下，该聚四氟乙烯功能薄膜的介电常数在2.5-20之间，取决于功能材料(即纳米级高纯超细硅微粉或钛白粉)的添加量(添加量在2-20％之间)。
该聚四氟乙烯功能薄膜的介电常数可调，可以根据实际需要制备具有所需介电常数性质的薄膜。但其可调范围仍旧较窄，具体应用场景受到限制。
发明内容
本发明的发明目的是提供一种高介电常数聚四氟乙烯薄膜及其制备方法和应用。
为实现上述发明目的，本发明的技术方案如下：
一种高介电常数聚四氟乙烯薄膜，其原料组成包括聚四氟乙烯和功能材料，所述的功能材料由(Ba1-xSrx)TiO3和Ba(Ti1-ySny)O3组成，其中，x＝0.3-0.6，y＝0.1-0.2。
本发明中，为对聚四氟乙烯材料的介电性能进行改性，在聚四氟乙烯中添加了两种改性钛酸钡陶瓷细粉作为功能材料；经检验，在10GHz的高频下，本发明聚四氟乙烯薄膜的介电常数在2.3-80之间可调，介电损耗均低于1.0×10-3，可以满足5G通信领域中不同设计的需求。
在上述的高介电常数聚四氟乙烯薄膜中，所述的功能材料由(Ba1-xSrx)TiO3和Ba(Ti1-ySny)O3组成，其中，x＝0.5，y＝0.13。
在上述的高介电常数聚四氟乙烯薄膜中，所述的功能材料中，(Ba1-xSrx)TiO3和Ba(Ti1-ySny)O3的质量比为1:(0.1-10)。
在上述的高介电常数聚四氟乙烯薄膜中，所述的功能材料与聚四氟乙烯的质量比为(0.5-10)：1000。
上述的高介电常数聚四氟乙烯薄膜的制备方法包括以下步骤：
(1)制备(Ba1-xSrx)TiO3细粉和Ba(Ti1-ySny)O3细粉，并按预设的质量比，将(Ba1- xSrx)TiO3细粉和Ba(Ti1-ySny)O3细粉混合成功能材料；
(2)按预设的质量比，将所述的功能材料与聚四氟乙烯细粉混匀，获得混合原料；
(3)将所述的混合原料通过模压法制成毛坯，并将毛坯烧结成坯料；
(4)按预设的薄膜厚度，将所述的坯料车削或旋切成所述的高介电常数聚四氟乙烯薄膜。
在上述的高介电常数聚四氟乙烯薄膜的制备方法中，步骤(1)中，(Ba1-xSrx)TiO3细粉的制备方法包括：
(1.1)按化学式配比，精确称取BaTiO3、SrTiO3和TiO2混匀并进行一次球磨，球磨后干燥、过40目筛，获得一次球磨料；
(1.2)将所述的一次球磨料置于1000-1100℃下预烧2.5-3.5h，而后进行二次球磨，获得二次球磨料；
(1.3)在所述的二次球磨料中加入粘结剂，混匀后通过模压法制成毛坯，并将毛坯烧结成(Ba1-xSrx)TiO3陶瓷；
(1.4)将所述的(Ba1-xSrx)TiO3陶瓷进行球磨，球磨后干燥，获得粒径为1-50μm的(Ba1-xSrx)TiO3细粉。
作为优选，(Ba1-xSrx)TiO3细粉的粒径为5-35μm。
在上述的高介电常数聚四氟乙烯薄膜的制备方法中，步骤(1)中，Ba(Ti1-ySny)O3细粉的制备方法包括：
(1.5)按化学式配比，精确称取BaTiO3、SnO2和TiO2混匀并进行一次球磨，球磨后干燥、过40目筛，获得一次球磨料；
(1.6)将所述的一次球磨料置于1000-1100℃下预烧2.5-3.5h，而后进行二次球磨，获得二次球磨料；
(1.7)在所述的二次球磨料中加入粘结剂，混匀后通过模压法制成毛坯，并将毛坯烧结成Ba(Ti1-ySny)O3陶瓷；
(1.8)将所述的Ba(Ti1-ySny)O3陶瓷进行球磨，球磨后干燥，获得粒径为1-50μm的Ba(Ti1-ySny)O3细粉。
作为优选，Ba(Ti1-ySny)O3细粉的粒径为5-35μm。
在上述的高介电常数聚四氟乙烯薄膜的制备方法中，步骤(2)中，将所述的功能材料与聚四氟乙烯细粉在100-3000r/min下混匀0.5-5h。
作为优选，在上述的高介电常数聚四氟乙烯薄膜的制备方法中，步骤(2)中，将所述的功能材料与聚四氟乙烯细粉在500-1500r/min下混匀1-4h。
在上述的高介电常数聚四氟乙烯薄膜的制备方法中，步骤(3)中，将所述的混合原料置于5-100MPa下压制1-10h；将所述的毛坯置于320-450℃下烧结5-150h。
作为优选，在上述的高介电常数聚四氟乙烯薄膜的制备方法中，步骤(3)中，将所述的混合原料置于10-50MPa下压制2-6h；将所述的毛坯置于330-380℃下烧结10-80h。
本发明制备的高介电常数聚四氟乙烯薄膜可以根据实际需要加工成宽度为10-1700mm、厚度为0.01-5mm。
本发明还提供了上述的高介电常数聚四氟乙烯薄膜在5G通信中的应用。
与现有技术相比，本发明的有益效果体现在：
本发明的高介电常数聚四氟乙烯薄膜中，在聚四氟乙烯中添加了两种改性钛酸钡陶瓷细粉作为功能材料，以对聚四氟乙烯材料的介电性能进行改性；经检验，在10-30GHz的高频下，本发明聚四氟乙烯薄膜的介电常数在2.3-80之间可调，介电损耗均低于1.0×10-3，可以满足5G通信领域中不同设计的需求。
具体实施方式
下面列举具体实施方式对本发明的技术方案做进一步详细说明。
实施例1
本实施例一种高介电常数聚四氟乙烯薄膜，其制备方法包括以下步骤：
(1)制备(Ba1-xSrx)TiO3细粉和Ba(Ti1-ySny)O3细粉，并按1:0.1的质量比，将(Ba1- xSrx)TiO3细粉和Ba(Ti1-ySny)O3细粉混合成功能材料；
其中，x＝0.3，y＝0.2；
具体地，(Ba1-xSrx)TiO3细粉的制备方法包括：
(1.1)按化学式配比，精确称取BaTiO3、SrTiO3和TiO2混匀，放入球磨罐中，导入去离子水作为球磨介质，进行一次球磨，球磨时间为6h；球磨后放入烘箱中干燥、过40目筛，获得一次球磨料；
(1.2)将一次球磨料放入坩埚中，于1000℃下预烧3h，而后在球磨机中进行二次球磨6h，再次出料烘干，获得二次球磨料；
(1.3)在二次球磨料中加入8％的粘结剂PVA，混匀后过筛造粒，再利用压片机将粉体压制成合适的圆柱状毛坯，并将毛坯放入烧结炉中烧结，升温速率为5℃/min，在550℃保温1h以排出PVA，而后继续升温至1100℃-1175℃，保温6h，获得(Ba1-xSrx)TiO3陶瓷；
(1.4)将(Ba1-xSrx)TiO3陶瓷进行球磨，球磨后干燥，获得粒径为30μm的(Ba1-xSrx)TiO3细粉。
同样地，Ba(Ti1-ySny)O3细粉的制备方法包括：
(1.5)按化学式配比，精确称取BaTiO3、SnO2和TiO2混匀放入球磨罐中，导入去离子水作为球磨介质，进行一次球磨，球磨时间为6h；球磨后放入烘箱中干燥、过40目筛，获得一次球磨料；
(1.6)将一次球磨料放入坩埚中，于1000℃下预烧3h，而后在球磨机中进行二次球磨6h，再次出料烘干，获得二次球磨料；
(1.7)在二次球磨料中加入8％的粘结剂PVA，混匀后过筛造粒，再利用压片机将粉体压制成合适的圆柱状毛坯，并将毛坯放入烧结炉中烧结，升温速率为5℃/min，在550℃保温1h以排出PVA，而后继续升温至1100℃-1175℃，保温6h，获得Ba(Ti1-ySny)O3陶瓷；
(1.8)将Ba(Ti1-ySny)O3陶瓷进行球磨，球磨后干燥，获得粒径为20μm的Ba(Ti1- ySny)O3细粉。
(2)将功能材料与聚四氟乙烯细粉按0.5:1000的质量比混合，在1000r/min下混匀1h；获得混合原料；
(3)将混合原料置于20MPa下压制6h，制成圆柱形的毛坯；并将毛坯置于350℃下烧结30h，烧结成坯料；
(4)将坯料车削或旋切成宽为1000mm、厚为0.5mm的高介电常数聚四氟乙烯薄膜。
实施例2
本实施例一种高介电常数聚四氟乙烯薄膜，其制备方法包括以下步骤：
(1)制备(Ba1-xSrx)TiO3细粉和Ba(Ti1-ySny)O3细粉，并按1:1的质量比，将(Ba1-xSrx)TiO3细粉和Ba(Ti1-ySny)O3细粉混合成功能材料；
其中，x＝0.4，y＝0.16；
(Ba1-xSrx)TiO3细粉和Ba(Ti1-ySny)O3细粉的制备方法与实施例1相同；
(2)将功能材料与聚四氟乙烯细粉按2:1000的质量比混合，在800r/min下混匀2h；获得混合原料；
(3)将混合原料置于30MPa下压制5h，制成圆柱形的毛坯；并将毛坯置于380℃下烧结20h，烧结成坯料；
(4)将坯料车削或旋切成宽为1000mm、厚为0.5mm的高介电常数聚四氟乙烯薄膜。
实施例3
本实施例一种高介电常数聚四氟乙烯薄膜，其制备方法包括以下步骤：
(1)制备(Ba1-xSrx)TiO3细粉和Ba(Ti1-ySny)O3细粉，并按1:5的质量比，将(Ba1-xSrx)TiO3细粉和Ba(Ti1-ySny)O3细粉混合成功能材料；
其中，x＝0.5，y＝0.13；
(Ba1-xSrx)TiO3细粉和Ba(Ti1-ySny)O3细粉的制备方法与实施例1相同；
(2)将功能材料与聚四氟乙烯细粉按5:1000的质量比混合，在500r/min下混匀4h；获得混合原料；
(3)将混合原料置于10MPa下压制6h，制成圆柱形的毛坯；并将毛坯置于360℃下烧结15h，烧结成坯料；
(4)将坯料车削或旋切成宽为1000mm、厚为0.5mm的高介电常数聚四氟乙烯薄膜。
实施例4
本实施例一种高介电常数聚四氟乙烯薄膜，其制备方法包括以下步骤：
(1)制备(Ba1-xSrx)TiO3细粉和Ba(Ti1-ySny)O3细粉，并按1:10的质量比，将(Ba1- xSrx)TiO3细粉和Ba(Ti1-ySny)O3细粉混合成功能材料；
其中，x＝0.6，y＝0.1；
(Ba1-xSrx)TiO3细粉和Ba(Ti1-ySny)O3细粉的制备方法与实施例1相同；
(2)将功能材料与聚四氟乙烯细粉按10:1000的质量比混合，在1500r/min下混匀0.5h；获得混合原料；
(3)将混合原料置于100MPa下压制1h，制成圆柱形的毛坯；并将毛坯置于450℃下烧结5h，烧结成坯料；
(4)将坯料车削或旋切成宽为1000mm、厚为0.5mm的高介电常数聚四氟乙烯薄膜。
实施例5
本实施例一种高介电常数聚四氟乙烯薄膜，其制备方法包括以下步骤：
(1)制备(Ba1-xSrx)TiO3细粉和Ba(Ti1-ySny)O3细粉，并按1:0.2的质量比，将(Ba1- xSrx)TiO3细粉和Ba(Ti1-ySny)O3细粉混合成功能材料；
其中，x＝0.6，y＝0.2；
(Ba1-xSrx)TiO3细粉和Ba(Ti1-ySny)O3细粉的制备方法与实施例1相同；
(2)将功能材料与聚四氟乙烯细粉按7:1000的质量比混合，在2000r/min下混匀1h；获得混合原料；
(3)将混合原料置于5MPa下压制10h，制成圆柱形的毛坯；并将毛坯置于400℃下烧结40h，烧结成坯料；
(4)将坯料车削或旋切成宽为1000mm、厚为0.5mm的高介电常数聚四氟乙烯薄膜。
实施例6
本实施例一种高介电常数聚四氟乙烯薄膜，其制备方法包括以下步骤：
(1)制备(Ba1-xSrx)TiO3细粉和Ba(Ti1-ySny)O3细粉，并按1:0.4的质量比，将(Ba1- xSrx)TiO3细粉和Ba(Ti1-ySny)O3细粉混合成功能材料；
其中，x＝0.3，y＝0.17；
(Ba1-xSrx)TiO3细粉和Ba(Ti1-ySny)O3细粉的制备方法与实施例1相同；
(2)将功能材料与聚四氟乙烯细粉按3:1000的质量比混合，在2500r/min下混匀3h；获得混合原料；
(3)将混合原料置于60MPa下压制6h，制成圆柱形的毛坯；并将毛坯置于350℃下烧结25h，烧结成坯料；
(4)将坯料车削或旋切成宽为1000mm、厚为0.5mm的高介电常数聚四氟乙烯薄膜。
实施例7
本实施例一种高介电常数聚四氟乙烯薄膜，其制备方法包括以下步骤：
(1)制备(Ba1-xSrx)TiO3细粉和Ba(Ti1-ySny)O3细粉，并按1:0.6的质量比，将(Ba1- xSrx)TiO3细粉和Ba(Ti1-ySny)O3细粉混合成功能材料；
其中，x＝0.4，y＝0.2；
(Ba1-xSrx)TiO3细粉和Ba(Ti1-ySny)O3细粉的制备方法与实施例1相同；
(2)将功能材料与聚四氟乙烯细粉按6:1000的质量比混合，在3000r/min下混匀0.1h；获得混合原料；
(3)将混合原料置于80MPa下压制1h，制成圆柱形的毛坯；并将毛坯置于340℃下烧结15h，烧结成坯料；
(4)将坯料车削或旋切成宽为1000mm、厚为0.5mm的高介电常数聚四氟乙烯薄膜。
实施例8
本实施例一种高介电常数聚四氟乙烯薄膜，其制备方法包括以下步骤：
(1)制备(Ba1-xSrx)TiO3细粉和Ba(Ti1-ySny)O3细粉，并按1:0.8的质量比，将(Ba1- xSrx)TiO3细粉和Ba(Ti1-ySny)O3细粉混合成功能材料；
其中，x＝0.45，y＝0.17；
(Ba1-xSrx)TiO3细粉和Ba(Ti1-ySny)O3细粉的制备方法与实施例1相同；
(2)将功能材料与聚四氟乙烯细粉按2.5:1000的质量比混合，在3000r/min下混匀0.1h；获得混合原料；
(3)将混合原料置于80MPa下压制1h，制成圆柱形的毛坯；并将毛坯置于340℃下烧结15h，烧结成坯料；
(4)将坯料车削或旋切成宽为1000mm、厚为0.5mm的高介电常数聚四氟乙烯薄膜。
实施例9
本实施例一种高介电常数聚四氟乙烯薄膜，其制备方法包括以下步骤：
(1)制备(Ba1-xSrx)TiO3细粉和Ba(Ti1-ySny)O3细粉，并按1:0.5的质量比，将(Ba1- xSrx)TiO3细粉和Ba(Ti1-ySny)O3细粉混合成功能材料；
其中，x＝0.51，y＝0.11；
(Ba1-xSrx)TiO3细粉和Ba(Ti1-ySny)O3细粉的制备方法与实施例1相同；
(2)将功能材料与聚四氟乙烯细粉按9:1000的质量比混合，在3000r/min下混匀0.1h；获得混合原料；
(3)将混合原料置于80MPa下压制1h，制成圆柱形的毛坯；并将毛坯置于340℃下烧结15h，烧结成坯料；
(4)将坯料车削或旋切成宽为1000mm、厚为0.5mm的高介电常数聚四氟乙烯薄膜。
实施例10
本实施例一种高介电常数聚四氟乙烯薄膜，其制备方法包括以下步骤：
(1)制备(Ba1-xSrx)TiO3细粉和Ba(Ti1-ySny)O3细粉，并按1:2的质量比，将(Ba1-xSrx)TiO3细粉和Ba(Ti1-ySny)O3细粉混合成功能材料；
其中，x＝0.32，y＝0.16；
(Ba1-xSrx)TiO3细粉和Ba(Ti1-ySny)O3细粉的制备方法与实施例1相同；
(2)将功能材料与聚四氟乙烯细粉按5.5:1000的质量比混合，在3000r/min下混匀0.1h；获得混合原料；
(3)将混合原料置于80MPa下压制1h，制成圆柱形的毛坯；并将毛坯置于340℃下烧结15h，烧结成坯料；
(4)将坯料车削或旋切成宽为1000mm、厚为0.5mm的高介电常数聚四氟乙烯薄膜。
实施例11
本实施例一种高介电常数聚四氟乙烯薄膜，其制备方法包括以下步骤：
(1)制备(Ba1-xSrx)TiO3细粉和Ba(Ti1-ySny)O3细粉，并按1:8的质量比，将(Ba1-xSrx)TiO3细粉和Ba(Ti1-ySny)O3细粉混合成功能材料；
其中，x＝0.38，y＝0.13；
(Ba1-xSrx)TiO3细粉和Ba(Ti1-ySny)O3细粉的制备方法与实施例1相同；
(2)将功能材料与聚四氟乙烯细粉按7.5:1000的质量比混合，在3000r/min下混匀0.1h；获得混合原料；
(3)将混合原料置于80MPa下压制1h，制成圆柱形的毛坯；并将毛坯置于340℃下烧结15h，烧结成坯料；
(4)将坯料车削或旋切成宽为1000mm、厚为0.5mm的高介电常数聚四氟乙烯薄膜。
实施例12
本实施例一种高介电常数聚四氟乙烯薄膜，其制备方法包括以下步骤：
(1)制备(Ba1-xSrx)TiO3细粉和Ba(Ti1-ySny)O3细粉，并按1:7的质量比，将(Ba1-xSrx)TiO3细粉和Ba(Ti1-ySny)O3细粉混合成功能材料；
其中，x＝0.38，y＝0.16；
(Ba1-xSrx)TiO3细粉和Ba(Ti1-ySny)O3细粉的制备方法与实施例1相同；
(2)将功能材料与聚四氟乙烯细粉按4:1000的质量比混合，在3000r/min下混匀0.1h；获得混合原料；
(3)将混合原料置于80MPa下压制1h，制成圆柱形的毛坯；并将毛坯置于340℃下烧结15h，烧结成坯料；
(4)将坯料车削或旋切成宽为1000mm、厚为0.5mm的高介电常数聚四氟乙烯薄膜。
根据介电常数的标准测试方法(ASTM D 150)，在10GHz测试频率下对实施例1-7制备的聚四氟乙烯薄膜的介电常数和介电损耗进行检测，检测结果见表1。
表1
编号 介电常数 介电损耗
实施例1 2.3 3.12×10<sup>-4</sup>
实施例2 14.6 6.37×10<sup>-4</sup>
实施例3 80.1 9.56×10<sup>-4</sup>
实施例4 58.3 2.98×10<sup>-4</sup>
实施例5 4.9 3.32×10<sup>-4</sup>
实施例6 7.1 3.66×10<sup>-4</sup>
实施例7 12.2 4.78×10<sup>-4</sup>
实施例8 10.4 4.22×10<sup>-4</sup>
实施例9 13.5 3.89×10<sup>-4</sup>
实施例10 23.7 3.12×10<sup>-4</sup>
实施例11 60.8 3.45×10<sup>-4</sup>
实施例12 63.1 3.77×10<sup>-4</sup>

Claims (10)

1.一种高介电常数聚四氟乙烯薄膜，其原料组成包括聚四氟乙烯和功能材料，其特征在于，所述的功能材料由(Ba1-xSrx)TiO3和Ba(Ti1-ySny)O3组成，其中，x＝0.3-0.6，y＝0.1-0.2。
2.如权利要求1所述的高介电常数聚四氟乙烯薄膜，其特征在于，所述的功能材料由(Ba1-xSrx)TiO3和Ba(Ti1-ySny)O3组成，其中，x＝0.5，y＝0.13。
3.如权利要求1所述的高介电常数聚四氟乙烯薄膜，其特征在于，所述的功能材料中，(Ba1-xSrx)TiO3和Ba(Ti1-ySny)O3的质量比为1:(0.1-10)。
4.如权利要求3所述的高介电常数聚四氟乙烯薄膜，其特征在于，所述的功能材料与聚四氟乙烯的质量比为(0.5-10)：1000。
5.如权利要求1-4中任意一项所述的高介电常数聚四氟乙烯薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)制备(Ba1-xSrx)TiO3细粉和Ba(Ti1-ySny)O3细粉，并按预设的质量比，将(Ba1-xSrx)TiO3细粉和Ba(Ti1-ySny)O3细粉混合成功能材料；
(2)按预设的质量比，将所述的功能材料与聚四氟乙烯细粉混匀，获得混合原料；
(3)将所述的混合原料通过模压法制成毛坯，并将毛坯烧结成坯料；
(4)按预设的薄膜厚度，将所述的坯料车削或旋切成所述的高介电常数聚四氟乙烯薄膜。
6.如权利要求5所述的高介电常数聚四氟乙烯薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，(Ba1-xSrx)TiO3细粉的制备方法包括：
(1.1)按化学式配比，精确称取BaTiO3、SrTiO3和TiO2混匀并进行一次球磨，球磨后干燥、过40目筛，获得一次球磨料；
(1.2)将所述的一次球磨料置于1000-1100℃下预烧2.5-3.5h，而后进行二次球磨，获得二次球磨料；
(1.3)在所述的二次球磨料中加入粘结剂，混匀后通过模压法制成毛坯，并将毛坯烧结成(Ba1-xSrx)TiO3陶瓷；
(1.4)将所述的(Ba1-xSrx)TiO3陶瓷进行球磨，球磨后干燥，获得粒径为1-50μm的(Ba1- xSrx)TiO3细粉。
7.如权利要求5所述的高介电常数聚四氟乙烯薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，Ba(Ti1-ySny)O3细粉的制备方法包括：
(1.5)按化学式配比，精确称取BaTiO3、SnO2和TiO2混匀并进行一次球磨，球磨后干燥、过40目筛，获得一次球磨料；
(1.6)将所述的一次球磨料置于1000-1100℃下预烧2.5-3.5h，而后进行二次球磨，获得二次球磨料；
(1.7)在所述的二次球磨料中加入粘结剂，混匀后通过模压法制成毛坯，并将毛坯烧结成Ba(Ti1-ySny)O3陶瓷；
(1.8)将所述的Ba(Ti1-ySny)O3陶瓷进行球磨，球磨后干燥，获得粒径为1-50μm的Ba(Ti1-ySny)O3细粉。
8.如权利要求5所述的高介电常数聚四氟乙烯薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，将所述的功能材料与聚四氟乙烯细粉在100-3000r/min下混匀0.5-5h。
9.如权利要求5所述的高介电常数聚四氟乙烯薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，将所述的混合原料置于5-100MPa下压制1-10h；将所述的毛坯置于320-450℃下烧结5-150h。
10.如权利要求1-4中任意一项所述的高介电常数聚四氟乙烯薄膜在5G通信中的应用。
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Denomination of invention: High dielectric constant polytetrafluoroethylene film and its preparation method and application

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