CN111510521A - 终端后壳、及终端后壳的加工方法 - Google Patents

终端后壳、及终端后壳的加工方法 Download PDF

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Abstract

本公开是关于终端后壳、及终端后壳的加工方法。方法包括：在待处理的终端后壳上确定磨砂区和非磨砂区；采用遮蔽工艺在非磨砂区形成遮蔽层；采用酸蚀刻工艺对磨砂区进行酸蚀刻处理；去除非磨砂区的遮蔽层，得到磨砂后的终端后壳。本公开通过对终端后壳的磨砂区进行酸蚀刻处理，借助磨砂区使外界光线散射，减少外界光线从磨砂区透射，防止外界光线在透明基材与膜片之间进行多次反复反射，避免相关技术中存在的带纹理膜片的透明终端后壳出现重影的问题，能够提升终端后壳的外观效果，提升用户体验。

Description

终端后壳、及终端后壳的加工方法
技术领域
本公开涉及终端技术领域，尤其涉及终端后壳、及终端后壳的加工方法。
背景技术
近年来，为满足用户对于手机壳的精致度要求，很多厂商采用玻璃、透明聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等透明基材制作手机壳，然后在手机壳的背面贴上带纹理的膜片进行装饰。
但是，外界光线就会从成品的2.5D边缘透进，在透明基材和膜片之间进行多次反复反射，从而形成虚影。
发明内容
为克服相关技术中存在的问题，本公开实施例提供一种终端后壳、及终端后壳的加工方法。所述技术方案如下：
根据本公开实施例的第一方面，提供一种终端后壳的加工方法，包括：
在待处理的终端后壳上确定磨砂区和非磨砂区；
采用遮蔽工艺在所述非磨砂区形成遮蔽层；
采用酸蚀刻工艺对所述磨砂区进行酸蚀刻处理；
去除所述非磨砂区的遮蔽层，得到磨砂后的终端后壳。
本公开的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：该技术方案通过对终端后壳的磨砂区进行酸蚀刻处理，借助磨砂区使外界光线散射，减少外界光线从磨砂区透射，防止外界光线在透明基材与膜片之间进行多次反复反射，避免相关技术中存在的带纹理膜片的透明终端后壳出现重影的问题，能够提升终端后壳的外观效果，提升用户体验。
在一个实施例中，所述磨砂区包括所述待处理的终端后壳的弧面区域。
在一个实施例中，所述采用遮蔽工艺在所述非磨砂区形成遮蔽层，包括：
采用遮蔽工艺在所述非磨砂区覆盖油墨，形成遮蔽层。
在一个实施例中，所述采用酸蚀刻工艺对所述磨砂区进行酸蚀刻处理，包括：
将所述待处理的终端后壳浸泡于含有氟化氢铵NH4HF2的酸性溶液中，对所述磨砂区进行酸蚀刻处理。
在一个实施例中，所述酸蚀刻处理的条件至少包括以下任一种条件或组合：
所述酸性溶液中NH4HF2的含量范围包括50％vol至95％vol、所述酸性溶液的温度范围包括25摄氏度至85摄氏度、浸泡时间的范围包括5分钟至30分钟。
在一个实施例中，所述采用酸蚀刻工艺对所述磨砂区进行酸蚀刻处理，包括：
将所述待处理的终端后壳浸泡于酸性溶液中，使用超声波搅拌所述酸性溶液，对所述磨砂区进行酸蚀刻处理。
在一个实施例中，所述在所述采用酸蚀刻工艺对所述磨砂区进行酸蚀刻处理之后，所述方法还包括：
采用喷砂工艺对所述磨砂区进行喷砂处理。
在一个实施例中，所述去除所述非磨砂区的遮蔽层，得到磨砂后的终端后壳，包括：
使用稀释剂清洗掉所述非磨砂区的油墨；
将所述待处理的终端后壳浸泡于纯水中，使用超声波搅拌所述纯水；
将所述待处理的终端后壳晾干，得到磨砂后的终端后壳。
根据本公开实施例的第二方面，提供一种终端后壳，所述终端后壳采用上述第一方面所述方法的步骤加工而成，所述终端后壳包括：
透明基材和设置在所述透明基材下方的膜片，所述透明基材包括磨砂区和非磨砂区。
在一个实施例中，所述磨砂区包括所述透明基材的弧面区域。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。
图1是根据一示例性实施例示出的终端后壳的加工方法的流程图。
图2是根据一示例性实施例示出的终端后壳的加工方法的流程图。
图3是根据一示例性实施例示出的一种终端后壳的局部示意图。
具体实施方式
这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本公开相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本公开的一些方面相一致的装置和方法的例子。
相关技术中，当外界光线从手机壳的2.5D边缘透进时，在透明基材和膜片之间进行多次反复反射，从而形成虚影，影响手机壳的外观效果。
为了解决上述问题，本公开实施例提供了一种终端后壳的加工方法，方法包括：在待处理的终端后壳上确定磨砂(AG，Anti-Glare)区和非磨砂区；采用遮蔽工艺在非磨砂区形成遮蔽层；采用酸蚀刻工艺对磨砂区进行酸蚀刻处理；清洗掉非磨砂区的油墨，得到磨砂后的终端后壳。采用本公开实施例提供的技术方案，通过对终端后壳的磨砂区进行酸蚀刻处理，借助磨砂区使外界光线散射，减少外界光线从磨砂区透射，防止外界光线在透明基材与膜片之间进行多次反复反射，避免相关技术中存在的带纹理膜片的透明终端后壳出现重影的问题，能够提升终端后壳的外观效果，提升用户体验。本公开中涉及的终端例如可以包括手机、平板电脑或可穿戴设备等。
在上述分析的基础上，下面介绍本公开的方法实施例。
图1是根据一示例性实施例示出的一种终端后壳的加工方法的流程图；如图1所示，该方法包括以下步骤101-104：
在步骤101中，在待处理的终端后壳上确定磨砂区和非磨砂区。
示例的，磨砂区至少包括待处理的终端后壳的弧面区域；弧面区域例如2.5维(2.5D)区域。而非磨砂区为待处理的终端后壳的表面上除了磨砂区之外的区域。非磨砂区包括待处理的终端后壳的表面上平面区域的部分或全部。
示例的，制作待处理的终端后壳的材料至少可以包括以下任一种材料：玻璃、透明PC、PMMA。可选的，通过机械加工将透明基材制成待处理的终端后壳，并清洗干净。
在步骤102中，采用遮蔽工艺在非磨砂区形成遮蔽层。
示例的，遮蔽工艺至少可以包括：黄光工艺、或激光工艺。采用遮蔽工艺在非磨砂区覆盖油墨，形成遮蔽层，从而通过油墨遮蔽待处理的终端后壳的平面区域，但是不在弧面区域上覆盖油墨。
在步骤103中，采用酸蚀刻工艺对磨砂区进行酸蚀刻处理。
示例的，将待处理的终端后壳浸泡于含有氟化氢铵(NH4HF2)的酸性溶液中，对磨砂区进行酸蚀刻处理。
可选的，酸蚀刻处理的条件至少包括以下任一种条件或组合：酸性溶液中NH4HF2的含量范围包括50％vol至95％vol、酸性溶液的温度范围包括25摄氏度至85摄氏度、浸泡时间的范围包括5分钟至30分钟。
示例的，将待处理的终端后壳浸泡于酸性溶液中，使用超声波搅拌酸性溶液，对磨砂区进行酸蚀刻处理。例如超声波频率范围包括48MHz至60MHz。可选的，磨砂区的粗糙度的范围包括0.05μm至5μm，光泽度小于20％，使得磨砂区的尖锐结构能够尽可能多的分散掉外界光线，减少外界光线透射入终端后壳，防止外界光线在透明基材与膜片间的水平方向多次反复反射。
示例的，在采用酸蚀刻工艺对磨砂区进行酸蚀刻处理之后，采用喷砂工艺对磨砂区进行喷砂处理，将磨砂区的尖锐结构均匀化，圆润化。可选的，喷砂工艺包括金刚砂喷丸工艺。
在步骤104中，去除非磨砂区的遮蔽层，得到磨砂后的终端后壳。
示例的，使用稀释剂清洗掉非磨砂区的油墨；将待处理的终端后壳浸泡于纯水中，使用超声波搅拌纯水；将待处理的终端后壳晾干，得到磨砂后的终端后壳。例如，稀释剂可以包括开油水。
本公开的实施例提供的技术方案，通过对终端后壳的磨砂区进行酸蚀刻处理，借助磨砂区使外界光线散射，减少外界光线从磨砂区透射，防止外界光线在透明基材与膜片之间进行多次反复反射，避免相关技术中存在的带纹理膜片的透明终端后壳出现重影的问题，能够提升终端后壳的外观效果，提升用户体验。
图2是根据一示例性实施例示出的一种终端后壳的加工方法的流程图；如图2所示，在图1所示实施例的基础上，本公开涉及的终端后壳的加工方法包括以下步骤201-208：
在步骤201中，对透明基材进行机械加工，制成待处理的终端后壳；其中，待处理的终端后壳的表面包括平面区域和弧面区域。
在步骤202中，将待处理的终端后壳的表面上至少包括弧面区域的区域确定为磨砂区，将待处理的终端后壳的表面上除了磨砂区之外的区域确定为非磨砂区。
在步骤203中，采用遮蔽工艺在非磨砂区覆盖油墨，形成遮蔽层。
在步骤204中，将待处理的终端后壳浸泡于含有NH4HF2的酸性溶液中，并使用超声波搅拌酸性溶液，对磨砂区进行酸蚀刻处理。
示例的，酸性溶液中NH4HF2的含量范围包括50％vol至95％vol、酸性溶液的温度范围包括25摄氏度至85摄氏度、浸泡时间的范围包括5分钟至30分钟，超声波频率范围包括48MHz至60MHz。
在步骤205中，采用喷砂工艺对磨砂区进行喷砂处理。
示例的，采用金刚砂喷丸工艺对磨砂区进行喷砂处理，将磨砂区的尖锐结构均匀化，圆润化。
在步骤206中，使用稀释剂清洗掉非磨砂区的油墨。
示例的，稀释剂可以包括开油水；例如采用开油水褪掉非磨砂区的油墨。
在步骤207中，将待处理的终端后壳浸泡于纯水中，使用超声波搅拌纯水。
示例的，可以在纯水中清洗2次至5次，纯水温度介于40摄氏度至85摄氏度之间，每次清洗时长为5秒至10秒；可选的，当最后一次在纯水中清洗完毕时，还可以采用一定的提拉速度将待处理的终端后壳从纯水中取出，提拉速度例如为0.5mm/s至2mm/s，以避免在待处理的终端后壳的表面残留水渍。
在步骤208中，将待处理的终端后壳晾干，得到磨砂后的终端后壳。
示例的，将经过纯水清洗后的待处理的终端后壳，置于洁净环境中自然晾干，例如，环境洁净度不低于千级；也可以辅以除静电用的离子风和烘烤，例如，烘烤温度可以介于40摄氏度至65摄氏度之间，烘烤时间可以为3分钟至5分钟，离子风枪气压可以为0.1kgf至10kgf。
本公开的实施例提供的技术方案，通过对终端后壳的磨砂区进行酸蚀刻处理，借助磨砂区使外界光线散射，减少外界光线从磨砂区透射，防止外界光线在透明基材与膜片之间进行多次反复反射，避免相关技术中存在的带纹理膜片的透明终端后壳出现重影的问题，能够提升终端后壳的外观效果，提升用户体验。
图3是根据一示例性实施例示出的一种终端后壳的局部示意图；图3中的终端后壳采用本公开任意一个方法实施例所提供的终端后壳的加工方法的步骤加工而成；如图3所示，终端后壳包括：
透明基材31和设置在透明基材31下方的膜片32，透明基材31包括磨砂区311和非磨砂区312。
示例的，磨砂区包括透明基材的弧面区域；非磨砂区为透明基材的表面除了磨砂区之外的区域。
本公开的实施例提供的技术方案，通过将透明基材制作成磨砂区和非磨砂区，从而借助磨砂区使外界光线散射，减少外界光线从磨砂区透射，防止外界光线在透明基材与膜片之间进行多次反复反射，避免相关技术中存在的带纹理膜片的透明终端后壳出现重影的问题，能够提升终端后壳的外观效果，提升用户体验。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的公开后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由下面的权利要求指出。
应当理解的是，本公开并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本公开的范围仅由所附的权利要求来限制。

Claims (10)

1.一种终端后壳的加工方法，其特征在于，所述方法包括：
在待处理的终端后壳上确定磨砂区和非磨砂区；
采用遮蔽工艺在所述非磨砂区形成遮蔽层；
采用酸蚀刻工艺对所述磨砂区进行酸蚀刻处理；
去除所述非磨砂区的遮蔽层，得到磨砂后的终端后壳。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述磨砂区包括所述待处理的终端后壳的弧面区域。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用遮蔽工艺在所述非磨砂区形成遮蔽层，包括：
采用遮蔽工艺在所述非磨砂区覆盖油墨，形成遮蔽层。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用酸蚀刻工艺对所述磨砂区进行酸蚀刻处理，包括：
将所述待处理的终端后壳浸泡于含有氟化氢铵NH4HF2的酸性溶液中，对所述磨砂区进行酸蚀刻处理。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述酸蚀刻处理的条件至少包括以下任一种条件或组合：
所述酸性溶液中NH4HF2的含量范围包括50％vol至95％vol、所述酸性溶液的温度范围包括25摄氏度至85摄氏度、浸泡时间的范围包括5分钟至30分钟。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用酸蚀刻工艺对所述磨砂区进行酸蚀刻处理，包括：
将所述待处理的终端后壳浸泡于酸性溶液中，使用超声波搅拌所述酸性溶液，对所述磨砂区进行酸蚀刻处理。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述采用酸蚀刻工艺对所述磨砂区进行酸蚀刻处理之后，所述方法还包括：
采用喷砂工艺对所述磨砂区进行喷砂处理。
8.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述去除所述非磨砂区的遮蔽层，得到磨砂后的终端后壳，包括：
使用稀释剂清洗掉所述非磨砂区的油墨；
将所述待处理的终端后壳浸泡于纯水中，使用超声波搅拌所述纯水；
将所述待处理的终端后壳晾干，得到磨砂后的终端后壳。
9.一种终端后壳，其特征在于，所述终端后壳采用权利要求1至10中任一项所述方法的步骤加工而成，所述终端后壳包括：
透明基材和设置在所述透明基材下方的膜片，所述透明基材包括磨砂区和非磨砂区。
10.根据权利要求9所述的终端后壳，其特征在于，所述磨砂区包括所述透明基材的弧面区域。
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