CN111504491B - 数据处理方法、温度检测电路及电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种数据处理方法、温度检测电路及电子设备，其中，数据处理方法包括：获取被测电阻对应的采样值；获取第一参考信息；利用所述被测电阻对应的采样值，以及所述第一参考信息确定所述被测电阻的电阻值；其中，所述第一参考信息包括：第一参考电阻的电阻值、所述第一参考电阻对应的采样值；根据所述被测电阻的电阻值确定目标温度值。实现了提高温度的检测准确度的技术效果。

Description

数据处理方法、温度检测电路及电子设备

技术领域

本申请属于医学技术领域，尤其涉及一种数据处理方法、温度检测电路及电子设备。

背景技术

现有技术中，目前常用的温度检测方法是将热敏电阻和固定电阻进行串联后，通过测量热敏电阻两端的电压或者流过的电流值，基于热敏电阻的阻值和温度特性表确定对应的温度值；在此过程中，测量电路中所用的电子元器件的参数受到使用时间，环境温度的变化会发生参数漂移，导致随着使用时间的变化而出现准确性变差的现象，从而会导致温度测量结果的不准确，现有技术中的温度测量方法温度检测结果的准确度较低。

发明内容

有鉴于此，本申请提供一种数据处理方法、温度检测电路及电子设备，以解决现有技术中的温度检测方法检测温度的准确度较低的技术问题。

在本申请的一个实施例中，提供了一种数据处理方法。包括：获取被测电阻对应的采样值；获取第一参考信息；利用所述被测电阻对应的采样值，以及所述第一参考信息确定所述被测电阻的电阻值；其中，所述第一参考信息包括：第一参考电阻的电阻值、所述第一参考电阻对应的采样值；根据所述被测电阻的电阻值确定目标温度值。

在本申请的一个实施例中，提供了一种温度检测电路，包括：被测电阻、第一参考电阻、检测装置以及第一开关电路；所述检测装置，用于通过所述第一开关电路与所述被测电阻及所述第一参考电阻连接，用于：获取所述被测电阻对应的采样值；获取第一参考信息；利用所述被测电阻对应的采样值，以及所述第一参考信息确定所述被测电阻的电阻值；其中，所述第一参考信息包括：所述第一参考电阻的电阻值、所述第一参考电阻对应的采样值；根据所述被测电阻的电阻值确定目标温度值。

在本申请的一个实施例中，提供了一种电子设备，包括：存储器及处理器；其中，所述存储器，用于存储程序；所述处理器，与所述存储器耦合，用于调用所述存储器中的程序指令，以执行上述的数据处理方法。

本申请实施例提供的方案，通过获取被测电阻对应的采样值；获取第一参考信息；利用所述被测电阻对应的采样值，以及所述第一参考信息确定所述被测电阻的电阻值；其中，所述第一参考信息包括：第一参考电阻的电阻值、所述第一参考电阻对应的采样值；根据所述被测电阻的电阻值确定目标温度值的方案，基于对被测电阻对应的采样值，以及第一参考电阻对应的采样值的引入，消除了二者共有的同类误差，提高了温度检测的准确度。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：

图1为本申请一实施例提供的温度检测电路的结构示意图；

图2为本申请一实施例提供的热敏电阻的温度和电阻值特性曲线图；

图3为本申请一实施例提供的温度检测电路的结构示意图；

图4为本申请一实施例提供的ADC测量结果的特性示意图；

图5为本申请一实施例提供的ADC测量结果的特性示意图；

图6为本申请一实施例提供的温度检测电路的结构示意图；

图7为本申请一实施例提供的温度检测电路的结构示意图；

图8为本申请一实施例提供的温度检测电路的结构示意图；

图9为本申请一实施例提供的温度检测电路的结构示意图；

图10a为本申请一实施例提供的温度检测电路的结构示意图；

图10b为本申请一实施例提供的温度检测电路的结构示意图；

图11为本申请一实施例提供的数据处理方法的流程示意图；

图12为本申请一实施例提供的数字电位器的结构示意图；

图13为本申请一实施例提供的数据处理装置的结构示意图；

图14为本申请一实施例提供的电子设备的结构示意图。

具体实施方式

为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义，“多种”一般包含至少两种，但是不排除包含至少一种的情况。

应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

需要说明的是，本文中的“第一”、“第二”等描述，是用于区分不同的消息、设备、模块等，不代表先后顺序，也不限定“第一”和“第二”是不同的类型。取决于语境，如在此所使用的词语“如果”、“若”可以被解释成为“在……时”或“当……时”或“响应于确定”或“响应于监测”。类似地，取决于语境，短语“如果确定”或“如果监测(陈述的条件或事件)”可以被解释成为“当确定时”或“响应于确定”或“当监测(陈述的条件或事件)时”或“响应于监测(陈述的条件或事件)”。

还需要说明的是，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的商品或者***不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种商品或者***所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的商品或者***中还存在另外的相同要素。

现有技术中，目前常用的温度检测方法是将热敏电阻和固定电阻进行串联后，通过测量热敏电阻两端的电压或者流过的电流值，然后基于热敏电阻的阻值和温度特性表确定对应的温度值。使用该方法确定温度时，温度的准确性的测量容易受到两方面的影响，一方面是电阻测量电路的准确性，另外一方面就是热敏电阻的准确性。因此现有的温度监测设备在生产过程中就会针对***的准确性(包括测量电路的准确性和热敏电阻的准确性)进行统一的校准处理，而温度的校准处理需要将待校准的设备放入到恒定的油槽或者是水槽中，将当前的油槽或水槽温度发送给待校准设备，完成校准，导致生产效率低，生产成本高。更重要的是，测量电路中所用的电子元器件的参数受到使用时间，环境温度的变化会发生参数漂移，导致随着使用时间的变化而出现准确性变差的现象，从而会导致温度测量结果的不准确，现有技术中的温度测量方法温度检测结果的准确度较低。

本申请旨在解决温度检测方法中温度测量电路的测量精度与准确度不高，同时电路上的电子元器件容易随着时间的变化发生漂移造成测量误差变大的问题。提出了通过固定电阻对热敏电阻的阻值进行标定的方法，消减掉电子元器件的漂移带来的误差，从而提高温度测量的准确性。

以下结合附图，详细说明本申请各实施例提供的技术方案。

图1为本申请一示例性实施例提供的一种温度检测电路的示意图，如图 1所示，温度检测电路，包括：被测电阻rt、第一参考电阻r1、检测装置100 以及第一开关电路10；

所述检测装置100，用于通过所述第一开关电路10与所述被测电阻rt 及所述第一参考电阻r1连接，用于：

获取所述被测电阻rt对应的采样值；

获取第一参考信息；

利用所述被测电阻rt对应的采样值，以及所述第一参考信息确定所述被测电阻rt的电阻值；其中，所述第一参考信息包括：所述第一参考电阻r1 的电阻值、所述第一参考电阻r1对应的采样值；

根据所述被测电阻rt的电阻值确定目标温度值。

具体地，上述被测电阻rt可以为热敏电阻或者数字电位器，第一参考电阻r1的电阻值为已知，上述检测装置100可以为差分输入ADC也可以为单端输入ADC，还可以包括用于进行数据处理的处理设备。被测电阻rt的对应的采样值以及所述第一参考电阻r1对应的采样值可以为AD值，具体可通过检测装置100中的差分输入ADC或单端输入ADC采集获取。第一参考电阻 r1可以为满足一定精度要求的阻值固定的电阻，具体的精度要求可根据目标测温精度的高低来选择，例如在目标测温精度为0.1℃的条件时，可选择精度为0.1％甚至是更高精度的固定电阻，而如果目标测温精度为0.3℃以上，则可选择0.5％精度的固定电阻。图2为NTC热敏电阻RT的温度和电阻值特性曲线，当温度升高的时候，热敏电阻的阻值逐渐变小，通过上述数据处理方法得到热敏电阻的电阻值以后，在图2的曲线上进行查找计算，即可得到该电阻值对应的温度值，从而可以得到准确的人体体温。

可选地，检测装置100中的处理设备可具体用于：获取所述被测电阻rt 对应的采样值；获取第一参考信息；利用所述被测电阻rt对应的采样值，以及所述第一参考信息确定所述被测电阻rt的电阻值；其中，所述第一参考信息包括：所述第一参考电阻r1的电阻值、所述第一参考电阻r1对应的采样值；根据所述被测电阻rt的电阻值确定目标温度值。

可选地，第一开关电路10可包括多个模拟开关；在检测装置100采集第一参考电阻r1对应的采样值，以及被测电阻rt对应的采样值时，可基于对第一开关电路10中的模拟开关的控制来实现。

参见图3所示，图3为本申请一实施例提供的一种温度检测电路的示意图；第一开关电路10包括：

第一模拟开关11、第二模拟开关12以及第三模拟开关13；

所述第一模拟开关11，具有第一连接点与第二连接点，其中，所述第一连接点与所述第一参考电阻r1的一端连接，所述第二连接点与所述检测装置 100的第一输入端连接；

所述第二模拟开关12，具有第三连接点、第四连接点与第五连接点，其中，所述第三连接点与所述第一参考电阻r1的另一端以及所述被测电阻rt 的一端连接，连接于所述第一参考电阻r1与所述被测电阻rt之间，所述第四连接点与所述第一输入端连接，所述第五连接点与所述检测装置100的第二输入端连接；

所述第三模拟开关13，具有第六连接点与第七连接点，其中，所述第六连接点与所述被测电阻rt的另一端连接，所述第七连接点与所述第二输入端连接。

参见图3所示，第一模拟开关11为单刀单掷开关、第二模拟开关12为单刀双掷开关、第三模拟开关13为单刀单掷开关；检测装置100可以为差分输入ADC、Vref为激励电源、第一连接点可以与Vref连接、第六连接点接地；第一参考电阻r1还可以并联一个电容，用于滤波；检测装置100的第一输入端为差分输入ADC的正端，第二输入端为差分输入ADC的负端。

可设定图3的温度检测电路的第一参考电阻r1对应的采样值AD0，以及被测电阻rt对应的采样值ADT，可通过以下方式对第一开关电路10中的模拟开关进行控制：设置第一模拟开关11闭合、第三模拟开关13断开、第二模拟开关12的第三连接点与第五连接点连接；通过检测装置100检测第一参考电阻r1对应的AD值为AD0；设置第一模拟开关11断开、第二模拟开关12的第三连接点与第四连接点连接、第三模拟开关13闭合；通过检测装置100检测被测电阻rt对应的AD值为ADT，第一参考电阻r1的电阻值R1 为已知。

在一些可选的实施例中，在图3的温度检测电路的基础上，检测装置100 利用所述被测电阻rt对应的采样值，以及所述第一参考信息确定所述被测电阻rt的电阻值RT包括：

根据所述第一参考电阻r1的电阻值R1与所述第一参考电阻r1对应的采样值AD0确定第一数值；

利用所述第一数值及所述被测电阻rt对应的采样值ADT，得到所述被测电阻rt的电阻值RT。

一般情况下，温度检测电路受到线性误差影响的原理可参见图4所示的 ADC测量结果的特性图，图4中，横轴为输入电压值，纵轴为ADC测量的 AD值。理想的ADC测量值的特性为图中的理想曲线，AD值和输入电压值在理想的情况下满足VIN＝VREF*AD/ADMAX，其中VIN是ADC的输入电压，ADMAX是ADC的最大输出AD值，通常由ADC的分辨率N来决定， VREF是ADC的参考电压。但实际的曲线，受到ADC生产工艺的影响，如图4中的实际曲线所示，和理想曲线有一定的增益误差，当不存在偏移误差时，该增益误差会在电阻测量过程中产生很大的偏差，从而导致ADC测量结果的准确性不足，在此种情况下，ADC对应的实际曲线变为VIN＝k*VREF*AD/ADMAX，其中k是因为工艺偏差导致的误差系数，会根据工艺的不同以及同一工艺下的不同ADC之间而不确定。

图3中，由于被测电阻rt与第一参考电阻r1在同一个电路通路下，通过的电流相同，则满足VAD0/R1＝(VREF-VAD0)/RT；其中，VAD0为第一参考电阻r1两端的电压，VREF为激励电源Vref的电压。并且，由于AD0与 VAD0对应，ADT与rt两端的电压VADT(即(VREF-VAD0))对应(具体对应关系可以为AD0/ADT＝VAD0/VADT)，进一步得到以下公式(1)：

。

公式(1)中，通过引入ADT与AD0，消除了前述ADC的增益误差，导致ADC测量值的特性曲线实际变为VIN＝k*VREF*AD/ADMAX的影响，也就是消除了电路中VAD0＝k*VREF*AD0/ADMAX/R1，以及 VADT＝k*VREF*ADT/ADMAX/RT的影响。其中，RT为所述被测电阻rt的电阻值，R1为所述第一参考电阻r1的电阻值，ADT为所述被测电阻rt对应的采样值，AD0为所述第一参考电阻r1对应的采样值；上述R1/AD0可以为第一数值。也就是说检测装置100根据所述第一参考电阻r1的电阻值R1与所述第一参考电阻r1对应的采样值AD0确定第一数值；利用所述第一数值及所述被测电阻rt对应的采样值ADT，得到所述被测电阻rt的电阻值RT可通过以上公式(1)进行实现。

通过本申请中的温度检测电路与数据处理方法，有关k、Vref等引起的偏差全部被抵消掉，从而消除了因为k和Vref误差所导致的温度测量精度的影响。

一般情况下，在很多ADC中还存在零点偏移，在无增益误差时，温度检测电路受到零点误差，也就是偏移误差，该偏移误差影响电路的原理可参见图5所示的ADC测量结果的特性图所示，图5中，横轴为输入电压值，纵轴为ADC测量的AD值。理想的ADC测量值的特性为图中的理想曲线，当电路中存在零点误差时，ADC测量值的实际测量值得特性为图5中的实际曲线。当零点误差与增益误差都存在的情况下，在实际测量中，ADC的实际曲线变为VIN＝k*VREF*AD/ADMAX+b，其中，VREF是ADC的参考电压， k是因为工艺偏差导致的增益误差系数，b为零点偏移的系数，均会根据工艺的不同以及同一工艺下的不同ADC之间而不确定，从而影响测量精度。

本申请提供了一种可消除k与b的影响的温度检测电路与方法，可对图 3的结构进行进一步改造，具体可参见图6中所示的温度检测电路，即温度检测电路还可以包括第二参考电阻r2与第二开关电路；

所述检测装置100还通过所述第二开关电路与所述第二参考电阻r2连接，用于通过所述第二开关电路获取所述第二参考电阻r2对应的采样值；

所述第一参考信息还包括所述第二参考电阻r2的电阻值以及所述第二参考电阻r2对应的采样值；

所述检测装置100利用所述被测电阻rt对应的采样值，以及所述第一参考信息确定所述被测电阻rt的电阻值包括：根据所述第一参考电阻r1的电阻值、所述第二参考电阻r2的电阻值、所述第一参考电阻r1对应的采样值以及所述第二参考电阻r2对应的采样值确定第二数值；利用所述第二数值及所述被测电阻rt对应的采样值，得到所述被测电阻rt的电阻值。

参见图6所示，所述第二开关电路包括第四模拟开关14，所述第四模拟开关14具有八连接点与第九连接点；

所述第八连接点与所述第二参考电阻r2的一端连接，所述第九连接点与所述第一输入端连接；

所述第二参考电阻r2的另一端与所述第一连接点连接；所述第一模拟开关11还包括第十连接点(此时第一模拟开关11可以为单刀双掷开关)，所述第十连接点与所述第二输入端连接。第二参考电阻r2具体连接于激励电源 Vref与第一参考电阻r1之间。

在检测装置100检测第二参考电阻r2对应的采样值AD2时，可设置第四模拟开关14(第四模拟开关14可以为单刀单掷开关)闭合、第二模拟开关12的各连接点彼此都不连接、第三模拟开关13断开、第一模拟开关11 的第一连接点与第十连接点连接。

可设定通过该通路的电流为I，则有：

VREF–V1＝I*R2＝k*AD2+b；

V1–VT＝I*R1＝k*AD0+b；

VT–GND＝I*RT＝k*ADT+b；

其中，VREF为电源电压、V1为第一连接点处的电压、VT为第三连接点处的电压、GND为接地端的电压；根据VREF–V1＝I*R2＝k*AD2+b，以及V1–VT＝I*R1＝k*AD0+b，可得到R2＝K*AD2+B、R1＝K*AD0+B；其中K＝k/I；B＝b/I。

根据所述第一参考电阻r1的电阻值R1、所述第二参考电阻r2的电阻值R2、所述第一参考电阻r1对应的采样值AD0以及所述第二参考电阻r2对应的采样值AD2确定第二数值可通过以下方式进行实现；

联立

解方程，则可得出K、B。其中，K、B则为第二数值。

利用所述第二数值及所述被测电阻rt对应的采样值ADT，得到所述被测电阻rt的电阻值RT可通过以下公式(2)实现：

RT＝K*ADT+B (2)。

在一些可选的实施例中，上述第二参考电阻r2的阻值还可以为0，此时，读取检测装置100的输入为0的时候r2对应的AD值AD1，首先，根据r1 两端的电压，可得到第一参考电阻r1对应的AD值AD0；接下来，根据被测电阻rt两端的电压，可得到被测电阻rt对应的AD值ADT；根据整个通路中的电流相等的原理，得到如下等式，(k*VREF*(AD0-AD1)/ADMAX)/R1＝(k*VREF*(ADT-AD1)/ADMAX)/RT；

进而得到(AD0-AD1)/R1＝(ADT-AD1)/RT，上式中，因为RT以外全部都为已知，从而可根据R1、AD0、AD1得到RT的值，从而可以进一步查表得到温度值。

通过该方法，可以抵消掉工艺偏差导致的增益误差，以及零点偏移导致的误差，从而提高温度检测的精度。

在另一些可选的实施例中，对于消除k的影响的方式，第一参考电阻r1 对应的AD值与被测电阻rt对应的AD值的检测还可以基于拓扑一致的电路实现，具体可以基于图7的温度检测电路进行实现，具体可以为：第一参考电阻r1与被测电阻rt分别与阻值相同的固定电阻连接，其中，第一参考电阻r1与第一校准电阻r01串联、被测电阻rt与第二校准电阻r02串联。即图1 对应的温度检测电路，还包括：第一校准电阻与第二校准电阻；具体温度检测电路可参见图7所示：

所述第一开关电路10包括第五模拟开关15与第六模拟开关16；

所述第五模拟开关15具有第十一连接点与第十二连接点，所述第十一连接点与所述第一参考电阻r1的一端以及所述第一校准电阻r01的一端连接，连接于所述第一参考电阻r1与所述第一校准电阻r01之间；所述第十二连接点与所述检测装置100的第三输入端连接；

所述第六模拟开关16具有第十三连接点与第十四连接点，所述第十三连接点与所述被测电阻rt的一端以及所述第二校准电阻r02的一端连接，连接于所述被测电阻rt与所述第二校准电阻r02之间；所述第十四连接点与所述第三输入端连接。

可选地，第五模拟开关15与第六模拟开关16都为单刀单掷开关，第一参考电阻r1的另一端以及被测电阻rt的另一端接地，检测装置100可以包括单端输入ADC，检测装置100的第三输入端为单端输入ADC的正端，检测装置100的第四输入端接地，第四输入端为单端输入ADC的负端；第一校准电阻r01与第二校准电阻r02的阻值相同，如第一校准电阻r01的阻值为 R01，第二校准电阻r02的阻值为R02，则R01与R02相同。第一校准电阻 r01以及第二校准电阻r02的另一端可以连接激励电源Vref。

具体地，可设置第五模拟开关15闭合、第六模拟开关16断开，通过检测装置100检测得到第一参考电阻r1对应的AD值AD0；设置第五模拟开关 15断开、第六模拟开关16闭合，通过检测装置100检测得到被测电阻rt对应的AD值ADT。

当第一参考电阻r1和被测电阻rt相等时，两个电路上的参数完全相同，则有V11＝k*AD0＝VREF*(R1/(R1+R01))、k/VREF＝R1/(R1+R01)/AD0。其中，V11为第一参考电阻r1两端的电压,VREF为电源电压，R01为第一校准电阻r01的电阻值。

设被测电阻rt两端的电压为VT1，由于VT1＝k*ADT＝VREF* (RT/(RT+R02))、k/VREF＝R1/(R1+R01)/AD0；其中，R02为第二校准电阻r02 的电阻值。

进而得到RT关于R1、AD0、R01和ADT的计算关系，从而计算得出 RT。

通过本申请的上述数据处理方法与温度检测电路可以抵消掉k、Vref等引起来的偏差，从而消除了因为k和Vref等引起的误差所导致的测量精度的影响。

在图7的基础上，为了进一步消除零点偏移和增益偏移的综合影响，本申请还提供了一种温度检测电路，具体参见图8所示，温度检测电路还包括第三开关电路、第三参考电阻r2'与第三校准电阻r03；检测装置100为单端输入ADC。

所述检测装置100还通过所述第三开关电路与所述第三参考电阻r2'连接，用于通过所述第三开关电路获取所述第三参考电阻r2'对应的采样值；

所述第一参考信息还包括所述第三参考电阻的电阻值r2'以及所述第三参考电阻r2'对应的采样值；

所述检测装置100利用所述被测电阻rt对应的采样值，以及所述第一参考信息确定所述被测电阻rt的电阻值包括：根据所述第一参考电阻r1的电阻值、所述第三参考电阻r2'的电阻值、所述第一参考电阻r1对应的采样值以及所述第三参考电阻r2'对应的采样值确定第三数值；利用所述第三数值及所述被测电阻rt对应的采样值，得到所述被测电阻rt的电阻值；

所述第三开关电路包括第七模拟开关17；

所述第七模拟开关17具有第十五连接点与第十六连接点，所述第十五连接点与所述第三参考电阻r2'的一端以及所述第三校准电阻r03的一端连接，连接于所述第三参考电阻r2'与所述第三校准电阻r03之间；所述第十六连接点与所述第三输入端连接。

可选地，第七模拟开关17为单刀单掷开关，第三参考电阻r2'的另一端接地，第三校准电阻r03的阻值R03与第一校准电阻r01以及第二校准电阻 r02的阻值相同，第三校准电阻r03的另一端可以连接激励电源Vref。

具体地，可通过设置第五模拟开关15与第六模拟开关16断开，第七模拟开关17闭合，通过检测装置100测量第三参考电阻r2'对应的AD值AD2'。

则在图8中，

VT1＝k*ADT+b＝VREF*(RT/(RT+R02))；

V11＝k*AD0+b＝VREF*(R1/(R1+R01))；

V12＝k*AD2'+b＝VREF*(R2'/(R2'+R03))；

进一步得到AD0*k/VREF+b/VREF＝R1/(R1+R01)；

V12＝AD2'*k/VREF+b/VREF＝R2'/(R2'+R03)；

其中，VT1为被测电阻rt两端的电压；V11为第一参考电阻r1两端的电压，V12为第三参考电阻r2'两端的电压，R2'为第三参考电阻r2'的电阻值， AD2'为第三参考电阻r2'对应的采样值。

根据所述第一参考电阻r1的电阻值R1、所述第三参考电阻r2'的电阻值 R2'、所述第一参考电阻r1对应的采样值AD0以及所述第三参考电阻r2'对应的采样值AD2'确定第三数值可通过以下方式进行实现：

联立

解方程，则可得到k/VREF与b/VREF；其中，k/VREF与b/VREF则为第三数值；

利用所述第三数值及所述被测电阻rt对应的采样值ADT，得到所述被测电阻rt的电阻值RT可基于以下方式进行实现：

根据VT1＝k*ADT+b＝VREF*(RT/(RT+R02))；以及上述得出的 k/VREF与b/VREF可确定RT的值。

在本申请的另一些可选的实施例中，第四输入端还可以与第五模拟开关 15的第十一连接点连接，具体参见图9所示，图9中的检测装置100为差分输入ADC可设置第五模拟开关15闭合、第六模拟开关16断开、第七模拟开关17断开；通过差分输入ADC检测第一参考电阻r1对应的AD值AD0；

可设置第五模拟开关15闭合、第六模拟开关16闭合、第七模拟开关17 断开；通过差分输入ADC检测被测电阻rt对应的AD值ADT；

可设置第五模拟开关15闭合、第六模拟开关16断开、第七模拟开关17 闭合；通过差分输入ADC检测第三参考电阻r2'对应的AD值AD2'；

在具体计算时，电阻值与其对应的电阻对应的AD值近似看成一条直线，即 R＝k*AD+b；

根据图9可知：R1＝k*AD0+b；R2'＝k*AD2'+b。

由于R1、R2'为已知，AD0、AD2'可通过检测装置100测得，因此可得到k， b仅与R1、R2'、AD0、AD2'相关的关系式，此时的k，b由于和Vref、ADC 的误差等并不相关，已经消除掉了该部分造成的误差。

将被测电阻rt对应的AD值ADT代入RT＝k*ADT+b中，从而得到RT 的值，从而进一步得到了温度值。

图9中的电路相比第四输入端接地的电路而言，差分输入电压的输入范围比单端输入电压的范围小，因此有效的电压输入范围的占比更高。

例如：30K热敏电阻在30-45摄氏度对应的阻值范围为25K-35K，因为中心值为30K，则选择R1为30K，则RT在25K-35K之间变化时，第十三连接点处的电压在VREF*35/65和VREF*25/55之间，则无论VREF设为多少，VREF*25/55以下全部为无效的转换结果；通过图9的温度检测电路，由于差分输入ADC的检测值对应于减去VREF*25/55后的电压对应的AD 值，则电压范围变为了0-(VREF*35/65-VREF*25/55)，因此给ADC选择一个合适的参考电压VREF，便可以使得ADC的转换结果中有效的输入电压占比很高，从而增加测量精度。

进一步需要说明的是，很多性能相对比较差、同时价格比较低廉的ADC 除了存在零点偏移和线性偏移以外，整个满量程(即ADC的特性曲线)并不一定是直线，也很可能是曲线。因此为了满足在ADC的满量程使用时，通常会将整个ADC的特性曲线分成两段及以上，从工程上认为，每段曲线之间是接近于线性的。在本申请的另一些可选的实施例中，温度检测电路还可以为图10a所示的电路。图10a中，各个参考电阻串行连接，rn可以为第 X参考电阻，p为第Y模拟开关，第X参考电阻的一端与第Y模拟开关以及 Vref连接，另一端与其他参考电阻连接。

在图10a中，检测装置100通过控制第Y模拟开关闭合，以及通过控制 rn的另一端连接的模拟开关实现检测装置100与rn的另一端连接，从而进行 rn对应的AD值的检测，此时假如rn对应的AD值为ADn，则可基于ADn 选择计算RT所使用的参考电阻。例如：如果测量的ADn值在AD1和AD2 之间，则利用R2、AD1、AD2得到RT的值，如果ADn值在AD0和AD2 之间，则利用R1、AD0、AD2、R2的关系得到RT的值。具体的温度测量方法与基于图3及图6的数据处理方法类似，此处不再赘述。

通过该方法可以选择与RT的电阻值最接近的参考电阻，避免了电阻差值过大引起的器件特性误差，提高了RT的确定精度。

类似地，在本申请的另一些可选的实施例中，温度检测电路还可以为图 10b所示的电路。图10b中，r0n为第n校准电阻，rn'为第Z参考电阻。rn' 与第n校准电阻串行连接；q为第W模拟开关，第n校准电阻的一端与Vref 连接，另一端与第Z参考电阻的一端以及第W模拟开关连接，第Z参考电阻的另一端可接地。

在图10b中，检测装置100通过控制第W模拟开关闭合，其他模拟开关断开，从而进行rn'对应的AD值的检测，此时假如rn'对应的AD值为ADn'，则基于ADn'选择计算RT所使用的参考电阻。例如：如果测量的ADn'值在 AD1和AD2之间，则利用R2、AD1、AD2得到RT的值，如果ADn'值在AD0和AD2之间，则利用R1、AD0、AD2、R2的关系得到RT的值。具体的温度测量方法与基于图7及图8的数据处理方法类似，此处不再赘述。

与图9对应，图10b中，检测装置100对应的负端也可以不接地，而连接第W模拟开关中与第n校准电阻连接的连接点，来实现各个参考电阻以及被测电阻对应的AD值的检测。从而基于ADn'选择计算RT所使用的参考电阻，以提高被测电阻rt的电阻值确定结果的准确性。

图11为本申请一示例性实施例提供的一种数据处理方法的流程示意图，如图11所示，该方法包括以下步骤101至步骤104；

101、获取被测电阻对应的采样值；

102、获取第一参考信息；

103、利用所述被测电阻对应的采样值，以及所述第一参考信息确定所述被测电阻的电阻值；其中，所述第一参考信息包括：第一参考电阻的电阻值、所述第一参考电阻对应的采样值；

104、根据所述被测电阻的电阻值确定目标温度值。

可选地，利用所述被测电阻对应的采样值，以及所述第一参考信息确定所述被测电阻的电阻值包括：

根据所述第一参考电阻的电阻值与所述第一参考电阻对应的采样值确定第一数值；利用所述第一数值及所述被测电阻对应的采样值，得到所述被测电阻的电阻值。

可选地，所述第一参考信息还包括第二参考电阻的电阻值以及所述第二参考电阻对应的采样值；利用所述被测电阻对应的采样值，以及所述第一参考信息确定所述被测电阻的电阻值包括：根据所述第一参考电阻的电阻值、所述第二参考电阻的电阻值、所述第一参考电阻对应的采样值以及所述第二参考电阻对应的采样值确定第二数值；利用所述第二数值及所述被测电阻对应的采样值，得到所述被测电阻的电阻值。

可选地，所述被测电阻包括热敏电阻或可调电阻。

图11对应的数据处理方法的具体实施方式可参见前述基于温度检测电路的实施例，在前文已经详细阐述过了，此处就不再赘述。

在本申请的另一些可选的实施例中，本申请中的数据处理方法可运用于电阻校准，目前监护仪的温度采集都是通过温度传感器来实现的，温度传感器的原理是一个NTC的热敏电阻，不同的温度输出对应着不同的电阻值，监护仪通过采集到不同的电阻值从而得到不同的温度值，并对温度值进行显示，通常可穿戴检测设备检测的温度信息也通过监护仪来显示，监护仪端可设定一个电阻输出模块，能够基于可穿戴监测设备测得的温度值，输出至监护仪与该温度值对应的准确的电阻值，从而让监护仪能够采集到该电阻值，并将温度值显示在屏幕上。其中，电阻输出模块可以设置于位于可穿戴检测设备与监护仪之间，与监护仪侧电连接的设备中，具体可以为一个电阻输出设备或电路板。

电阻输出模块位于可穿戴检测设备与监护仪之间，只需要按照监护仪对应的标准进行电阻输出，多参数监护仪即可在屏幕上将对应的温度值进行显示。假设人体温度为37℃，所述可穿戴检测设备测量到人体温度为37℃，从而将数字量温度值通过无线通讯通道发送给所述电阻输出模块，所述电阻输出模块接收到该数字量温度值，将控制内部的数字电位器和模拟处理电路输出 1.35K(按照2.25K@25℃的标准)的电阻值，该电阻值对应的电阻连接到多参数监护仪上以后，多参数监护仪则显示为37℃。

具体地，目前通常的电阻输出模块都是通过数字电位器来实现的，图12 为本申请实施例的数字电位器的示意图；其包括N个阻值为Rs的电阻、N个模拟开关和一个译码器组成。当所述译码器的输入数字信号作为数字电位器的输入时，所述译码器总会控制所述N个模拟开关的其中一个导通，其余的模拟开关则处于关闭状态。假设所述译码器的输入为D，那么译码器就会控制Ax(为数字电位器的其中一个输出端)和Wx(为数字电位器的另一个输出端)之间的第D个模拟开关打开，那么Ax和Wx之间的电阻值R可以表示为R＝Rs*D；从而实现了数字值到电阻值的转换。

其中，WX的位置可根据D的值变化，当WX的位置位于BX时，数字电位器的输出电阻达到其可输出电阻的最大值。

但是，数字电位器的Rs基本上都是采用CMOS结构的电路，对温度的变化相对而言更敏感，并且，CMOS结构的电阻会随着流过电流的变化而变化，由于温度的输出比较容易受到环境温度，包括监护仪的采样电流的影响而发生变化，电阻输出模块实际输出的电阻值为多少，电阻输出模块并不能确认，因此，本申请的方案中提出了一种对电阻输出模块输出至监护仪的输出电阻进行测量，将测量值和目标输出电阻值进行比较并对输出电阻进行调整的方案，具体可以当测量值和目标输出电阻值的差值大于第一预设阈值时，对输出电阻进行调整，当差值小于第二预设阈值时，则不再对测量值进行调整。

即在一些可选的实施例中，上述数据处理方法中的可调电阻可包括数字电位器，所述方法还包括：

获取待校准的电阻值；

判断所述待校准的电阻值与目标电阻值的偏差是否大于预设阈值，若是，则基于所述偏差对所述待校准的电阻值对应的电阻进行调整；

所述待校准的电阻值基于所述数字电位器的电阻值以及预设电阻的电阻值得到。其中，预设电阻可以为与数字电位器串联的固定电阻，该预设电阻可以为图3中第一参考电阻r1。

具体地，可基于图3或图6对应的数据处理方法检测得到数字电位器的电阻值，数字电位器与预设电阻的总阻值则为待校准电阻值。

可选地，当被测电阻rt为数字电位器时，图3与图6中的激励电源Vref 可以由监护仪提供。

在一些可选的实施例中，对应图3中的温度检测电路，当电阻输出模块获取到的温度信息对应的温度值为15-45℃时，对应的电阻值的输出范围为 1K-5KΩ，具体可选择阻值为0.8KΩ的第一参考电阻r1，则数字电位器只需要输出0.2KΩ-4.2KΩ即可。

在一些可选的实施例中，对应图6中的温度检测电路，第一参考电阻r1 的电阻值为0.2KΩ、第二参考电阻r2的电阻值为0.6KΩ时，数字电位器只需要输出0.2KΩ-4.2KΩ即可。

在另一些可选的实施例中，还可以进一步在电阻输出模块内部设置一个环境温度传感器，同时存储一个输出电阻值随环境温度变化的表格曲线，当对电阻输出模块输出的电阻校准时，记录下校准时刻的环境温度T1，在电阻输出模块工作的过程中，定期的检测环境温度T，然后根据环境温度和校准时刻的环境温度T1的差值，对电阻输出模块的输出电阻值根据温度变化曲线进行修正得到一个电阻变化量R0，然后将该变化量R0、第一参考电阻r1，以及数字电位器的总阻值作为电阻输出模块最终的电阻值输出。

本申请提供的数据处理方法，可对电阻输出模块的输出电阻进行校准，基于将数字电位器与预设电阻进行串联，消除了二者的共有误差，从而解决了电阻输出模块内部由于数字电位器的对温度的变化敏感不稳定，以及数字电位器的电阻会随着流过电流的变化而变化引起的数字电位器对应的电阻值的不准确造成的电阻输出模块输出电阻不准确的问题。

图13为本申请一示例性实施例提供的一种数据处理装置的结构示意图，如图13所示，该数据处理装置包括：

第一获取模块121，用于获取被测电阻对应的采样值；

第二获取模块122，用于获取第一参考信息；

第一确定模块123，用于利用所述被测电阻对应的采样值，以及所述第一参考信息确定所述被测电阻的电阻值；其中，所述第一参考信息包括：第一参考电阻的电阻值、所述第一参考电阻对应的采样值；

第二确定模块124，用于根据所述被测电阻的电阻值确定目标温度值。

可选地，第一确定模块123用于利用所述被测电阻对应的采样值，以及所述第一参考信息确定所述被测电阻的电阻值时，具体用于：

根据所述第一参考电阻的电阻值与所述第一参考电阻对应的采样值确定第一数值；

利用所述第一数值及所述被测电阻对应的采样值，得到所述被测电阻的电阻值。

可选地，所述第一参考信息还包括第二参考电阻的电阻值以及所述第二参考电阻对应的采样值；第一确定模块123用于利用所述被测电阻对应的采样值，以及所述第一参考信息确定所述被测电阻的电阻值时，具体用于：

根据所述第一参考电阻的电阻值、所述第二参考电阻的电阻值、所述第一参考电阻对应的采样值以及所述第二参考电阻对应的采样值确定第二数值；

利用所述第二数值及所述被测电阻对应的采样值，得到所述被测电阻的电阻值。

可选地，所述被测电阻包括热敏电阻或可调电阻。

可选地，所述可调电阻包括数字电位器，所述数据处理装置还用于：

获取待校准的电阻值；

判断所述待校准的电阻值与目标电阻值的偏差是否大于预设阈值，若是，则基于所述偏差对所述待校准的电阻值对应的电阻进行调整；

所述待校准的电阻值基于所述数字电位器的电阻值以及预设电阻的电阻值得到。

图13对应的具体实施例，可参见上述内容，此处不再赘述。

图14示出了本申请一实施例提供的电子设备的结构示意图。如图14所示，所述电子设备包括：存储器131以及处理器132；其中，

所述存储器131，用于存储程序；

所述处理器132，与所述存储器耦合，用于执行所述存储器中存储的所述程序，以用于：

获取被测电阻对应的采样值；

获取第一参考信息；

利用所述被测电阻对应的采样值，以及所述第一参考信息确定所述被测电阻的电阻值；其中，所述第一参考信息包括：第一参考电阻的电阻值、所述第一参考电阻对应的采样值；

根据所述被测电阻的电阻值确定目标温度值。

上述存储器131可被配置为存储其它各种数据以支持在电子设备上的操作。这些数据的示例包括用于在电子设备上操作的任何应用程序或方法的指令。存储器131可以由任何类型的易失性或非易失性存储设备或者它们的组合实现，如静态随机存取存储器(SRAM)，电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)，可擦除可编程只读存储器(EPROM)，可编程只读存储器 (PROM)，只读存储器(ROM)，磁存储器，快闪存储器，磁盘或光盘。

上述处理器132在执行存储器131中的程序时，除了上面的功能之外，还可实现其它功能，具体可参见前面各实施例的描述。

进一步，如图14所示，电子设备还包括：显示器133、电源组件134、通讯组件135等其它组件。图14中仅示意性给出部分组件，并不意味着该电子设备只包括图14所示组件。

具体地，上述电子设备可以为温度计，还可以为电阻输出模块。

相应的，本申请实施例还提供一种存储有计算机程序的计算机可读存储介质，所述计算机程序被计算机执行时能够实现上述各实施例提供的数据处理方法的步骤或功能。

以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性的劳动的情况下，即可以理解并实施。

通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到各实施方式可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件。基于这样的理解，上述技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品可以存储在计算机可读存储介质中，如ROM/RAM、磁碟、光盘等，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行各个实施例或者实施例的某些部分所述的方法。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (2)

1.一种温度检测电路，其特征在于，包括：被测电阻、第一参考电阻、检测装置以及第一开关电路、第一校准电阻、第二校准电阻、第三开关电路、第三参考电阻与第三校准电阻；

所述第一开关电路包括第五模拟开关与第六模拟开关；

所述第五模拟开关具有第十一连接点与第十二连接点，所述第十一连接点与所述第一参考电阻的一端以及所述第一校准电阻的一端连接，连接于所述第一参考电阻与所述第一校准电阻之间；所述第十二连接点与所述检测装置的第三输入端连接；

所述第六模拟开关具有第十三连接点与第十四连接点，所述第十三连接点与所述被测电阻的一端以及所述第二校准电阻的一端连接，连接于所述被测电阻与所述第二校准电阻之间；所述第十四连接点与所述第三输入端连接；

所述第三开关电路包括第七模拟开关；

所述第七模拟开关具有第十五连接点与第十六连接点，所述第十五连接点与所述第三参考电阻的一端以及所述第三校准电阻的一端连接，连接于所述第三参考电阻与所述第三校准电阻之间；所述第十六连接点与所述第三输入端连接；

所述检测装置通过所述第一开关电路与所述被测电阻及所述第一参考电阻连接，以及通过所述第三开关电路与所述第三参考电阻连接，所述检测装置用于：

获取所述被测电阻对应的采样值；

获取所述第一参考电阻的电阻值、所述第一参考电阻对应的采样值、所述第三参考电阻的电阻值以及所述第三参考电阻对应的采样值；

根据所述第一参考电阻的电阻值、所述第三参考电阻的电阻值、所述第一参考电阻对应的采样值以及所述第三参考电阻对应的采样值确定第三数值；利用所述第三数值及所述被测电阻对应的采样值，得到所述被测电阻的电阻值；

其中，在确定第三数值时，根据公式（1）

（1）

得到第三数值k/VREF与b/VREF；

在确定所述被测电阻的电阻值时，将k/VREF与b/VREF代入公式（2）：

k*ADT+b=VREF*(RT/(RT+R02))（2），得到所述被测电阻的电阻值RT；

其中，VREF为激励电源的电压，AD0为第一参考电阻对应的采样值，AD2'为第三参考电阻对应的采样值，R01为第一校准电阻的阻值，R02为第二校准电阻的阻值，R03为第三校准电阻的阻值，R1为第一参考电阻的阻值，R2'为第三参考电阻的阻值；k是因为工艺偏差导致的增益误差系数，b为零点偏移的系数；所述ADT为所述被测电阻的采样值。

2.根据权利要求1所述的温度检测电路，其特征在于，所述检测装置的第四输入端与所述第十一连接点连接，或所述检测装置的第四输入端接地。

Images