CN111487896B - 半导体装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及半导体装置。公开了一种能够抑制显示装置的显示质量恶化并能够在显示装置上重写显示数据的新颖半导体装置。具体地，该半导体装置包括显示控制装置。显示控制装置包括：输出单元，基于恒定周期的信号在所述恒定周期中输出交流信号的反转极性；停止控制单元，基于停止信号来停止输出单元中交流信号的极性反转；重写控制单元，用于输出显示数据重写信号；以及传输控制单元，用于控制重写控制单元。在输出显示数据重写信号的时段期间，停止信号停止交流信号的极性反转。由停止信号停止的交流信号保持在极性反转停止之前的极性。在输出显示数据重写信号的时段之后，输出单元基于恒定周期的信号反转并输出交流信号的极性。

Description

半导体装置
相关申请的交叉引用
这里通过参考并入2019年1月28日提交的第2019-011905号日本专利申请的公开内容，包括说明书、附图和摘要。
技术领域
本公开涉及半导体装置，更具体地说，涉及用于控制显示装置的微控制器等。
背景技术
在使用液晶显示面板的显示装置中，已知以下技术：其中提供给像素的公共电极的电位(VCOM电位)被暂时改变，以防止屏幕老化(也称为屏幕图像粘滞)。专利文献1公开了“当极性应反转的时刻在图像数据被输出的时段内时，CPU 101将该时刻改变为所述时段之后的时刻。
下面列出了公开的技术:
[专利文献1]日本未审查专利申请公开No：2018-132716
发明内容
诸如微控制器的半导体装置执行显示数据重写操作以重写显示装置上显示的显示数据。需要执行显示数据重写操作以满足显示装置的规格。如果显示数据重写操作不满足显示装置的规格，则显示装置的显示质量可能恶化。
本发明的目的是提供一种用于抑制显示装置的显示质量恶化并在显示装置上重写显示数据的技术。
本发明的其他目的和新颖特征将从本说明书和附图的描述中变得显而易见。
下面将简要描述本发明的典型方案的概要。
本发明的半导体装置包括显示控制装置，所述显示控制装置包括：
输出单元，基于恒定周期的信号，在时段内输出交流信号的反转极性；
停止控制单元，基于停止信号，停止交流信号输出单元中的交流信号的极性反转；
重写控制单元，用于输出显示数据重写信号；以及
传输控制单元，用于控制重写控制单元。
此外，在输出显示数据重写信号的时段中，停止信号停止交流信号的极性反转。极性反转被停止的交流信号保持在极性反转停止之前的极性。在输出显示数据重写信号的时段之后，输出单元基于具有恒定周期的信号来反转该周期中的交流信号的极性，并输出反转的信号。
根据本发明的半导体装置，可以在抑制显示装置的显示质量下降的同时重写显示装置上的显示数据。
附图说明
图1是示出根据实施例1的半导体***的图。
图2是用于说明图1的显示控制装置的概念配置的图。
图3是示出图2所示的传输控制单元、交流信号输出单元和交流信号停止控制单元的配置细节的图。
图4是用于说明图1的LCD装置20的规格的图。
图5是示出显示数据重写信号和VCOM信号的极性反转时刻不重叠的情况的图。
图6是示出显示数据重写信号和VCOM信号的极性反转时刻重叠的情况的图。
图7是示出根据比较示例的显示数据重写信号和VCOM信号的极性反转时刻重叠的情况的图。
图8是用于说明间歇地多次执行根据实施例1的显示数据重写操作的情况的图。
图9是示出间歇地多次执行根据比较示例2的显示数据重写操作的情况的图。
图10是用于说明根据实施例1的显示数据重写操作的图。
图11是用于说明根据比较示例3的显示数据重写操作的图。
图12是用于说明根据实施例2的半导体装置10的概念配置的图。
图13是示出根据实施例2的控制流程的图。
具体实施方式
以下，将参照附图描述实施例。然而，在下面的描述中，可以用相同的附图标记来表示相同的组件，并且可以省略重复的描述。另外，虽然为了更清楚地说明，通常可以不按实际比率来表示附图，但是附图只是示例，并不限制对本发明的解释。
(实施例1)
图1是示出根据实施例1的半导体***的图。半导体***1是具有显示面板(例如电子钟表、显示产品价格的标签装置等)的电子装置。半导体***1包括半导体装置10、具有显示面板的液晶显示装置20。
半导体装置10是微控制器MCU，例如，使用CMOS晶体管制造方法技术在半导体衬底(例如单晶硅)上形成的半导体集成电路器件。作为半导体装置10的微控制器MCU包括作为控制单元的中央处理单元CPU、非易失性存储器ROM、易失性存储器RAM、数据传输控制装置DMAC、显示控制装置LCDC和总线BUS。总线BUS将中央处理单元CPU、非易失性存储器ROM、易失性存储器RAM、数据传输控制装置DMAC和显示控制装置LCDC相互连接。
中央处理单元CPU是执行各种算术处理并控制半导体***1的整体操作的处理器。中央处理装置CPU从非易失性存储器ROM中读出控制程序，将控制程序存储在易失性存储器RAM中，并执行与各种功能相关的各种操作处理，如算术控制和显示控制。
非易失性存储器ROM可以通过例如只读存储器、闪存存储器等来配置。非易失性存储器ROM存储控制程序、计算所需的数据、初始设定数据等。
易失性存储器RAM可以通过例如静态随机存取存储器(SRAM)或动态随机存取存储器(DRAM)来配置。例如，易失性存储器RAM用作执行控制程序的中央处理装置CPU的临时数据存储区。
数据传输控制装置DMAC可以通过例如直接存储器访问控制器来配置。数据传输控制装置DMAC直接控制存储器之间或者存储器与***电路或装置之间的数据传输，而无需中央处理装置CPU的干预。数据传输控制装置DMAC可用于传输要在液晶显示装置20上显示的显示数据。
显示控制装置LCDC是用于控制液晶显示装置20的***电路，并且包括传输控制单元11、交流信号生成单元12和重写控制单元13。传输控制器11控制交流信号发生器12和重写控制器13的操作。
交流信号发生器12生成VCOM信号14并将信号14输出到LCD装置20。VCOM信号14用于防止在液晶显示装置20中设置的液晶显示面板的屏幕的老化。在一个实例中，VCOM信号14是其极性被周期性反转的交流电压信号。LCD装置20基于VCOM信号14的极性的反转时间，将供给多个像素的公共电极的公共电位(VCOM电位)的极性从正电位改变为负电位或从负电位改变为正电位。
重写控制单元13生成显示数据重写信号15，并输出到液晶显示装置20。显示数据重写信号15包括例如要重写的显示数据、同步信号、写入使能信号等。液晶显示装置20基于显示数据重写信号15重写液晶显示装置20中对应多个像素的显示数据。
液晶显示装置20是具有液晶显示面板的显示装置。例如，液晶显示装置20可以是包括存储器元件的像素内存储器液晶装置，在所述存储器元件中多个像素中的每一个像素存储了显示数据。与典型的薄膜晶体管液晶装置相比，MIP液晶装置不需要频繁的重写，并且MIP液晶装置1可以消耗更少的功率。
图2是用于说明图1的显示控制装置的概念配置的图。如图2的显示控制装置LCDC所示，交流信号生成单元12包括交流信号输出单元121和交流信号停止控制单元122。交流信号输出单元121基于交流信号生成时钟CK生成具有预定周期的VCOM信号14，并将生成的时钟CK发送到LCD装置20。基于由传输控制单元11生成的VCOM停止信号111，交流信号停止控制单元122将用于停止VCOM信号14的极性变化的VCOM停止指令信号123发送到交流信号输出单元121。交流信号输出单元121被配置成基于VCOM停止指令信号123来停止VCOM信号14的极性的改变。
重写控制单元13包括显示数据生成单元131和显示数据重写信号生成单元132。由显示数据生成单元131和显示数据重写信号生成单元132生成的显示数据重写信号15被传输到液晶显示装置20。
传输控制单元11将显示重写数据116输出到显示数据生成单元131，并将传输开始指令信号117输出到显示数据重写信号生成单元132。
图3是示出图2的传输控制单元11、交流信号输出单元121和交流信号停止控制单元122的详细配置示例的图。
传输控制单元11包括数据缓冲器电路112、触发器检测电路113和VCOM周期控制电路114。数据缓冲器电路112连接到总线BUS，并且中央处理装置CPU或数据传输控制装置DMAC将显示重写数据存储在数据缓冲器电路112中。当显示重写数据的写入量与数据缓冲器电路112的存储容量匹配时，数据缓冲器电路112生成缓冲信号115。当缓冲信号115被输入到触发器检测电路113时，触发器检测电路113将VCOM停止信号111发给交流信号停止控制电路122。提供VCOM周期控制电路114以控制计数器124的参考计数值。计数器124的参考计数值可以由VCOM周期控制电路114基于连接到半导体装置10的LCD装置20的类型来设定。
交流信号输出单元121包括计数器124和翻转电路125。交流信号停止控制单元122包括与电路127。计数器124对交流信号生成时钟CK进行计数，并且当交流信号生成时钟CK的计数值与参考计数值匹配时，例如生成高电平溢出信号126。计数器124基于溢出信号126的生成重置交流信号生成时钟CK的计数值，并再次开始对交流信号生成时钟CK进行计数。与电路127具有输入溢出信号126的第一输入和输入VCOM停止信号111的反转信号的第二输入。与电路127的输出连接到翻转电路125的输入，并且翻转电路125的输出为VCOM信号14。
当VCOM停止信号111被设定为高电平时，与电路127禁止将高电平的溢出信号126输出到翻转电路125。因此，当VCOM停止信号111被设定为高电平时，作为翻转电路125的输出的VCOM信号14的极性不改变并且保持翻转电路125的极性。
接下来，将描述操作。当重写液晶显示装置20的显示数据时，重写数据缓冲器电路112，以便由中央处理装置CPU或数据传输控制装置DMAC更新显示重写数据。触发器检测电路113接收通过重写数据缓冲器电路112而生成的缓冲信号115等，并且传输控制单元11将VCOM停止信号111发给交流信号停止控制单元122。
交流信号停止控制单元122响应于VCOM停止信号111停止改变VCOM信号14的极性的操作。此时，由于计数器124继续基于交流信号生成时钟CK的计数操作，所以计数器124保持VCOM信号14的极性反转的改变时刻，而不受VCOM停止信号111的影响。换言之，在预定时段(T)连续输出计数器124的溢出信号126，所述溢出信号126确定VCOM信号14的极性反转的改变时刻。
通过停止改变VCOM信号14的极性反转的操作，即保持VCOM信号14，可以重写液晶显示装置20的显示数据，而不限制VCOM信号14关于液晶显示装置20的极性反转的改变。
此外，交流信号输出单元121的计数器124可以通过VCOM周期控制电路114来改变参考计数值(溢出计数值)，从而避免继续以下的操作：即关于恒定周期(T)的传输停止改变VCOM信号14的极性的操作。也就是说，可以考虑预定周期的显示重写数据的传输来确定溢出信号126的输出时刻。优选的是确定参考计数值，使得显示/重写数据的更新时段不与VCOM信号14的极性反转的改变操作重叠。参考计数值被配置成可由VCOM周期控制电路114改变，以对应于各种电子装置和各种液晶显示装置。在一个实施例中，参考计数值可由VCOM周期控制电路114设定，使得VCOM信号14的极性的时段T为0.5秒、1秒、2秒或5秒。尽管没有特别限制，但是假定一旦确定了一个电子装置的参考计数值，则其不再改变。然而不限于此，一旦确定参考计数值当然也可以改变。
接下来，将描述LCD装置20的规格。图4是用于说明图1所示的LCD装置20的规格的图。在LCD装置20中，VCOM信号14的高电平宽度(或时段)tH和低电平宽度(或时段)tL的最小值(tMIN)可以被指定为规格。在这种情况下，需要将VCOM信号14的高电平的宽度(或时段)tH和低电平的宽度(或时段)tL设置为最小值(tMIN)或更大值(tH>tMIN，tL>tMIN)。如果VCOM信号14的高电平的宽度tH和低电平的宽度tL变为等于或小于规定的最小值(tMIN)(tH<tMIN，tL<tMIN)的宽度(或时段)，则液晶显示装置20不能保持液晶的特性并且液晶显示装置20的显示质量可能恶化。
在一些情况下，在VCOM信号14的极性被反转之前和之后，用于禁止重写显示数据的重写禁止时段tRWP被指定为规格。也就是说，在VCOM信号14的极性从低电平转换到高电平的反转时刻和VCOM信号14的极性从高电平转换到低电平的反转时刻中的每一个之前和之后提供重写禁止时段tRWP。如果在重写禁止时段tRWP中重写显示数据，则显示数据可能丢失或显示数据可能无法正常显示。因此，显示的数据需要在重写禁止时段tRWP期间被重写。
接下来，将描述显示数据重写信号的时段与VCOM信号14的极性的反转时间之间的关系。图5是示出显示数据重写信号15和VCOM信号14的极性彼此不重叠的情况的图。图6是示出显示数据重写信号15和VCOM信号14的极性彼此重叠的情况的图。应该注意的是，图5和图6满足参照图4描述的液晶显示装置20的规格。
参照图5，VCOM信号14具有反转时刻，在该反转时刻其极性在时间t1、t6和t7反转。VCOM信号14的极性的每个反转时刻基于计时器电路124的溢出信号126的生成时刻，并且发生在预定时段T。时段T长于图4中的最小值(tMIN)(T>tMIN)。
在时间t2，VCOM停止信号111从低电平转变到高电平，并且从时间t3到时间t4，显示数据重写信号15被输出到液晶显示装置20。注意，输出显示数据重写信号15的时段TD(从时间t3到时间t4的时段)被使得短于时段T(TD<T)。在图5中，从时间t1到时间t2的时段被设置为长于图4中的重写禁止时段tRWP的一半的时段(tRWP/2)。
在时间t5，VCOM停止信号111从高电平转换到低电平，并且完成显示数据重写。当显示数据重写信号15的输出完成时，VCOM停止信号111从高电平到低电平的转换可以是时间t4处的转换。在图5中，从时间t5到时间t6的时段被设置为长于图4中的重写禁止时段tRWP的一半的时段(tRWP/2)。
在图5中，作为半导体装置10的微控制器MCU的操作模式MD在时间t2处从消耗低功率的待机状态stb转变到活动状态act，并且在时间t5处从活动状态act转移到待机状态stb。即，在本实施例中，微控制器MCU在VCOM停止信号111的高电平时段期间间歇地或选择性地转换到活动状态act，并且微控制器MCU在剩余时段期间被置于低功率待机状态stb。因此，与待机状态stb的时段相比，微控制器MCU的功耗I在活动状态act的时段中增加。在图5中，Iac1表示微控制器MCU的平均功耗，并且保持低功耗。因此，当微控制器由诸如电池的电源驱动时，由于可以通过缩短数据重写时间来降低微控制器的平均功耗，因此微控制器MCU由电池驱动的时间可以相对延长。
参照图6，VCOM信号14具有反转时刻，在该反转时刻其极性在时间t1、t6和t7反转。然而，计时器电路124的溢出信号126在时间ta(t34)生成，但是通过极性电平VCOM停止信号111抑制了VCOM信号14的极性反转，从而从时间t1到时间t6保持VCOM信号14的高电平。因此，在时间ta处显示数据重写操作不被VCOM信号14的极性反转所阻断，并且在时间t3和时间t4之间可靠地执行显示数据重写操作。其他操作与图5中的操作相同，因此省略其描述。在图6中，从时间t1到时间t2的时段以及从时间t5到时间t6的时段中的每个时段都长于图4中的重写禁止时段tRWP的一半的时段(tRWP/2)。
如上所述，即使当显示数据重写信号15和VCOM信号14在时间ta反转时，交流信号停止控制单元122通过从传输控制单元11发出的VCOM停止信号111也停止VCOM信号14的改变。通过停止VCOM信号14的极性改变，将发送到液晶显示装置20的VCOM信号14的状态保持在高电平或低电平，消除由于VCOM信号14的状态而对液晶显示装置20的限制，并且可以随时重写显示数据。因此，微控制器MCU的活动状态act的持续时间可以被最小化而没有延长。因此，可以降低整个半导体***1的平均电流消耗。因此，当微控制器MCU由如电池的电源驱动时，由于可以通过缩短数据重写时间来降低微控制器MCU的平均功耗，因此可以相对地延长微控制器MCU由电池驱动的时间。
图7是示出根据比较示例的显示数据重写信号15和VCOM信号14的极性反转时刻重叠的情况的图。在比较示例中，尽管如虚线所示，尝试在时间t10输出显示数据重写信号151，但是由于VCOM信号14的极性反转时刻发生在时间t11，因此显示数据重写信号15的输出的开始被改变为延迟到在时间t11之后的时间t12，并且从时间t12到时间t13执行显示数据重写操作。在这种情况下，微控制器MCU的活动状态act将被延长，例如在时间t10和时间t13之间。因此，整个半导体***1的平均电流Iac2增加(Iac2>Iac1)。例如，微控制器MCU可以通过以下来执行如图7所示的操作：向微控制器MCU提供监视电路，用于监视VCOM信号14的极性反转时刻，并且基于监视电路的监视结果，改变输出显示数据重写信号的开始时间。
图8是示出根据实施例1间歇性地执行的多个显示数据重写操作的图。图9是用于说明间歇性地执行根据比较示例2的多个显示数据重写操作的情况的图。
在图8所示的VCOM信号14中，如参考图6所述，计时器电路124的溢出信号126在时间ta生成，但是VCOM信号14的极性反转被高电平的VCOM停止信号111抑制，并且VCOM信号14的高电平从时间ta保持到时间t6。在时间t6，由于VCOM信号14具有其中信号14从高电平转变到低电平的极性反转时刻，如参考图4所述，因此在反转时刻前后提供用于禁止重写显示数据的重写禁止时段tRWP。
考虑这样一种情况，即显示数据的重写操作间歇性地且连续地执行两次。例如，在完成显示数据重写信号15_1的第一输出之后，在经过预定时间之后开始显示数据重写信号15_2的第二输出。在这种情况下，在不考虑重写禁止时间tRWP的情况下，可以将第一显示数据重写信号15_1的输出完成与第二显示数据重写信号15_2的输出开始之间的时间td设置为相对较短的时间(最短时间)。
图9示出了间歇性地且连续地执行图8中的显示数据的重写操作两次的情况。由于图9所示的VCOM信号14在时间ta处与第一显示数据重写信号15_1的输出时段重叠，因此VCOM信号14从高电平转换到低电平的极性反转时刻从时间ta改变到时间tb。该配置可参考例如日本专利公开No.2018-132716中描述的技术。如参考图4所述，当在时间tb的反转时刻之前和之后提供用于禁止重写显示数据的重写禁止时段tRWP时，第二显示数据重写信号15_2的输出在第一显示数据重写信号15_1的输出完成之后并且在重写禁止时段tRWP过去之后开始。因此，与图8所示的配置(td)相比，从完成第一显示数据重写信号15_1的输出到开始第二显示数据重写信号15_2的输出之间的时间(tRWP)变得更长(tRWP>td)。
根据实施例1，第一显示数据重写操作和第二显示数据重写操作可以在相对较短的时间内间歇性地并且连续地执行。
图10是用于说明根据实施例1的显示数据重写操作的图。图11是用于说明根据比较示例3的显示数据重写操作的图。
在图10所示的VCOM信号14中，如参考图6所述那样，计时器电路124的溢出信号126在时间ta处生成，但是VCOM信号14的极性反转被高电平VCOM停止信号111抑制，并且从时间ta到时间t6保持VCOM信号14的低电平。在时间t1和时间ta之间以及在时间ta和时间t6之间，基于从计时器电路124输出的溢出信号126的生成时刻来设定时段T。也就是说，由于时段T是恒定的，如参考图4所述那样，VCOM信号14的高电平的宽度(或时段)tH和低电平的宽度(或时段)tL被设定为最小值(tMIN)或更大。另外，由于在液晶显示装置的规格中VCOM信号14的时段T总是规定时段的N倍(N是正整数)，因此VCOM信号14的高电平的宽度(或时段)tH和低电平的宽度(或时段)tL不需要考虑下限值(最小值tMIN)。
由于图11中所示的VCOM信号14在时间ta处与显示数据重写信号15_1的输出时段重叠，因此VCOM信号14从低电平转换到高电平的极性反转时刻从时间ta改变到时间tb。VCOM信号14在时间t6还具有极性反转时刻，在该极性反转时刻信号从高电平转换到低电平。这里，周期T在时间t1和时间ta之间以及在时间ta和时间t6之间恒定。该配置可参考例如日本专利公开No.2018-132716中描述的技术。FL1对应于表示正在输出图像数据的标志，FL2对应于极性不变的标志。如图4所述，VCOM信号14的高电平宽度(或时段)tH和低电平宽度(或时段)tL需要被设定为最小值(tMIN)或更大。然而，如图11所示，如果将输出图像数据的时段设定为相对长，则时间tb和时间t6之间的时段(VCOM信号14的高电平的宽度(或时段))可以等于或小于最小值(tMIN)。因此，认为液晶显示装置20不能保持液晶的特性，并且液晶显示装置20的显示质量可能恶化。
根据实施例1，由于VCOM信号14的宽度不短于规定宽度，因此可以保持液晶显示装置20的原始特性，并且可以抑制液晶显示装置20的显示质量的恶化。
(实施例2)
尽管实施例1示出了通过从传输控制单元11输出的VCOM停止信号111来停止VCOM信号14的改变的配置，但本发明不限于此。实施例2示出了允许中央处理器装置CPU通过CPU执行的软件程序随时停止VCOM信号14的变化的配置。
图12是示出根据实施例2的半导体装置10的概念配置的图。在图12中，省略图1所示的易失性存储器RAM和数据传输控制装置DMAC。图12的显示控制装置LCDC的配置与图2的不同之处在于，VCOM停止信号111可以在执行图12中的软件程序的中央处理器装置CPU的控制下输出。因此，显示控制装置LCDC被设置有控制寄存器REG，这些寄存器REG可以经由总线BUS通过中央处理装置CPU来设置。控制寄存器REG被配置为包括第一控制位B1和第二控制位B2。第一控制位B1是用于控制VCOM信号14的极性变化是有效还是无效的位，并且可以被称为VCOM停止控制位。第二控制位B2是用于指令传输控制单元11开始和完成显示数据重写信号15的输出的控制位。其余配置与图2相同，并且将省略其描述。软件程序存储在非易失性存储器ROM中。
图13是示出根据实施例2的控制流程的流程图。图13所示的控制流程使得能够在由中央处理装置CPU执行的软件程序的控制下停止VCOM信号14的极性改变。在实施例2中，可以随时停止VCOM信号14的极性改变，而不管显示数据的重写如何。
(步骤S1)VCOM信号14的极性变化有效(VCOM停止＝0)，并且输出VCOM信号14。执行软件程序的中央处理器装置例如执行将指示有效的值(在一个示例中，值为0(零))经由总线BUS写入控制寄存器REG的第一控制位B1的操作。
(步骤S2)VCOM信号14的极性无效(VCOM停止＝1)。执行软件程序的中央处理装置CPU例如执行将指示无效的值(在一个示例中为1)经由总线BUS写入控制寄存器REG的第一控制位B1的操作。
(步骤S3)开始显示数据重写信号15的输出。执行软件程序的中央处理装置CPU例如执行经由总线BUS将值(在一个示例中值为1)写入控制寄存器REG的第二控制位B2的操作，该值指示控制寄存器REG的开始。结果，传输控制单元11将显示重写数据116输出到显示数据生成单元131，将传输开始指令信号117输出到显示数据重写信号生成单元132，并且重写控制单元13将显示数据重写信号15输出到液晶显示装置20。
(步骤S4)完成显示数据重写信号15的输出。执行软件程序的中央处理装置CPU执行例如将指示完成的值(在一个示例中，值为0(零))经由总线BUS写入控制寄存器REG的第二控制位B2的操作。
(步骤S5)使VCOM信号14的极性变化有效化(VCOM停止＝0)，并且输出VCOM信号14。执行软件程序的中央处理器装置例如执行将指示有效的值(在一个示例中，值为0(零))经由总线BUS写入控制寄存器REG的第一控制位B1的操作。
根据实施例2，VCOM信号14的极性变化的停止可以在由中央处理器装置CPU执行的软件程序的控制下进行。
虽然已经基于实施例在上面具体描述了由本发明人作出的本发明，但是本发明不限于本实施例和上述实施例，并且不必说，本发明可以进行各种修改。

Claims (8)

1.一种半导体装置，包括显示控制装置，所述显示控制装置包括：
输出单元，基于恒定周期的信号，在所述恒定周期中输出交流信号的反转极性；
停止控制单元，基于停止信号，停止所述输出单元中的所述交流信号的极性反转；
重写控制单元，用于输出显示数据重写信号；以及
传输控制单元，用于控制所述重写控制单元，
其中，所述停止信号在所述显示数据重写信号被输出的时段期间，停止所述交流信号的极性反转，
其中，由所述停止信号停止的所述交流信号保持在极性反转的停止之前的极性，
其中，在所述显示数据重写信号被输出的时段之后，所述输出单元基于所述恒定周期的信号来反转并输出所述交流信号的极性，
其中所述输出单元包括：
计时器电路，用于在所述恒定周期下计数时钟并产生溢出信号；以及
翻转电路，用于基于所述溢出信号，在所述恒定周期下反转所述交流信号的极性，并且
其中所述停止控制单元被配置用于基于所述停止信号，停止从所述计时器电路输出到所述翻转电路的所述溢出信号的供应。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述传输控制单元包括数据缓冲器电路和触发器电路，并且所述触发器电路基于所述数据缓冲器电路生成的缓冲信号，向所述停止控制单元输出所述停止信号。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，还包括中央处理装置以及数据传输控制装置，
其中，所述中央处理装置或所述数据传输控制装置将显示重写数据存储在所述数据缓冲器电路中，并且
其中，当所述显示重写数据的写入量与所述数据缓冲器电路的存储容量匹配时，所述数据缓冲器电路生成所述缓冲信号。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述显示控制装置包括周期控制电路，其中所述周期控制电路在所述计时器电路中设置参考计数值，并且
其中，当所述时钟的计数值与所述参考计数值匹配时，所述计时器电路生成所述溢出信号。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述停止控制单元包括与电路，以及
其中，所述与电路具有第一输入、第二输入以及输出，所述溢出信号被输入到所述第一输入，所述停止信号的反转信号被输入到所述第二输入，所述输出被连接到所述翻转电路的输入。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括中央处理装置和存储程序的非易失性存储器，
其中，所述停止信号通过执行所述程序的所述中央处理装置生成。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述显示控制装置包括具有第一控制位的控制寄存器，以及
其中，执行程序的所述中央处理装置通过向所述第一控制位写入值来生成所述停止信号。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述控制寄存器还包括第二控制位，以及
其中，执行所述程序的所述中央处理装置通过向所述第二控制位写入值来开始输出所述显示数据重写信号。
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