CN111466037A - 具有改进光输出耦合的发光装置 - Google Patents
具有改进光输出耦合的发光装置 Download PDFInfo
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- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 39
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims abstract 13
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 44
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 43
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 39
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 15
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 7
- 108020001568 subdomains Proteins 0.000 claims description 7
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 claims description 6
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 5
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 85
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- -1 or a Substances 0.000 description 4
- PSGCQDPCAWOCSH-UHFFFAOYSA-N (4,7,7-trimethyl-3-bicyclo[2.2.1]heptanyl) prop-2-enoate Chemical compound C1CC2(C)C(OC(=O)C=C)CC1C2(C)C PSGCQDPCAWOCSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004971 Cross linker Substances 0.000 description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 3
- IAXXETNIOYFMLW-COPLHBTASA-N [(1s,3s,4s)-4,7,7-trimethyl-3-bicyclo[2.2.1]heptanyl] 2-methylprop-2-enoate Chemical compound C1C[C@]2(C)[C@@H](OC(=O)C(=C)C)C[C@H]1C2(C)C IAXXETNIOYFMLW-COPLHBTASA-N 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 229940119545 isobornyl methacrylate Drugs 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 3
- SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N neopentyl glycol Chemical group OCC(C)(C)CO SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N (+/-)-1,3-Butanediol Chemical compound CC(O)CCO PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYWOJODOMFBVCB-UHFFFAOYSA-N 1,2,6-trimethylphenanthrene Chemical compound CC1=CC=C2C3=CC(C)=CC=C3C=CC2=C1C MYWOJODOMFBVCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JMIZWXDKTUGEES-UHFFFAOYSA-N 2,2-di(cyclopenten-1-yloxy)ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound C=1CCCC=1OC(COC(=O)C(=C)C)OC1=CCCC1 JMIZWXDKTUGEES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N anhydrous diethylene glycol Natural products OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- GHLKSLMMWAKNBM-UHFFFAOYSA-N dodecane-1,12-diol Chemical compound OCCCCCCCCCCCCO GHLKSLMMWAKNBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229920000592 inorganic polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000002114 nanocomposite Substances 0.000 description 2
- HMZGPNHSPWNGEP-UHFFFAOYSA-N octadecyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCOC(=O)C(C)=C HMZGPNHSPWNGEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- RSVDRWTUCMTKBV-UHFFFAOYSA-N sbb057044 Chemical compound C12CC=CC2C2CC(OCCOC(=O)C=C)C1C2 RSVDRWTUCMTKBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 2
- MXFQRSUWYYSPOC-UHFFFAOYSA-N (2,2-dimethyl-3-prop-2-enoyloxypropyl) prop-2-enoate Chemical class C=CC(=O)OCC(C)(C)COC(=O)C=C MXFQRSUWYYSPOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOEHLQBXTVNQBY-UHFFFAOYSA-N 2-(4-ethylphenyl)ethyl-trimethoxysilane Chemical compound CCC1=CC=C(CC[Si](OC)(OC)OC)C=C1 BOEHLQBXTVNQBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WMYINDVYGQKYMI-UHFFFAOYSA-N 2-[2,2-bis(hydroxymethyl)butoxymethyl]-2-ethylpropane-1,3-diol Chemical compound CCC(CO)(CO)COCC(CC)(CO)CO WMYINDVYGQKYMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 6-prop-2-enoyloxyhexyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCCCCCOC(=O)C=C FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane triacrylate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CC)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XRMBQHTWUBGQDN-UHFFFAOYSA-N [2-[2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)butoxymethyl]-2-(prop-2-enoyloxymethyl)butyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(CC)COCC(CC)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C XRMBQHTWUBGQDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- AOJOEFVRHOZDFN-UHFFFAOYSA-N benzyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1=CC=CC=C1 AOJOEFVRHOZDFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019437 butane-1,3-diol Nutrition 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000254 damaging effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- SCPWMSBAGXEGPW-UHFFFAOYSA-N dodecyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC SCPWMSBAGXEGPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(IV) oxide Inorganic materials O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- AJTIBHMHWCGMKL-UHFFFAOYSA-N methoxy-(methoxymethoxy)-propyl-(triethoxymethoxy)silane Chemical compound COCO[Si](OC(OCC)(OCC)OCC)(OC)CCC AJTIBHMHWCGMKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRDXJKGNWSUIBT-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Chemical group [CH2]OC1=CC=CC=C1 HRDXJKGNWSUIBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 125000005359 phenoxyalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- NMEPHPOFYLLFTK-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(octyl)silane Chemical compound CCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC NMEPHPOFYLLFTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004034 viscosity adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
- H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
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- H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
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Abstract
提供在多层封装堆叠体中包括复合膜的光电装置。还提供使用喷墨打印形成光反射修改结构以及其它聚合物装置层的方法。复合膜包括第一较低折射指数域和第二较高折射指数域。
Description
相关申请的交叉参考
本申请要求于2017年12月19日提交的美国临时专利申请号62/607,824的优先权，其全部内容在此通过参考并入本文。
背景技术
由交替的无机和有机聚合物膜组成的多层封装堆叠体已经用于保护发光装置免受暴露于水蒸气和氧气的损坏效果。不幸的是，堆叠体中的无机层与其相邻的较低折射指数的有机聚合物层之间的折射指数（RI）之间的差异可能导致光在两层之间的界面处的全内反射，这降低了能够离开装置的光的比例。此外，即使在无机和有机聚合物层之间不存在高的RI失配，由于光在封装堆叠体中的端子层以及上覆装置层之间的界面处或者在没有上覆装置层的情况下在封装堆叠体中的端子层与空气之间的界面处的全内反射，发光装置可能遭受受限的光输出。
技术领域
本文描述的发明涉及封装堆叠体和发光装置，例如包括多层封装堆叠体的有机发光二极管（OLED）装置。多层封装堆叠体提供了减少的全内反射，因此相对于传统封装堆叠体提供了改善的光输出效率。
附图说明
图1A是示出OLED装置的一个实施例的截面图的示意图，该OLED装置包括具有复合膜的多层封装堆叠体，其中，单个高折射指数圆顶形结构设置在装置的每个子像素上。图1B是OLED装置的俯视图。
图2是示出OLED装置的第二实施例的截面图的示意图，该OLED装置包括具有复合膜的多层封装堆叠体，其中，单个高折射指数圆柱形结构设置在装置的每个子像素上。
图3是示出OLED装置的一个实施例的截面图的示意图，该OLED装置包括具有复合膜的多层封装堆叠体，其中，多个高折射指数圆顶形结构设置在装置的每个子像素上。
图4是示出OLED装置的另一实施例的俯视图的示意图，该OLED装置包括具有复合膜的多层封装堆叠体，其中，多个高折射指数圆顶形结构设置在装置的每个子像素上。
图5A是示出在其多层封装堆叠体的顶部具有复合膜的OLED装置的截面图的示意图。
图5B是更详细示出图5A的多层封装堆叠体的示意图。
图6是制造图1A和图1B的OLED装置的方法的示意图。
图7是制造图2的OLED装置的方法的示意图。
具体实施例
本文描述的装置包括各种电子和光电装置，其中，装置的活动区域使用保护性多层封装堆叠体封装。在OLED或其它电子或光电装置中，“活动区域”不需要满足电能放大或晶体管活动的任何要求，并且通常可以指可以发生电活动或光电活动（例如，光发射，光吸收，或光转换）的区域。活动区域本身通常将是由多个装置层组成的多层结构，所述装置层包括例如电极、电荷注入层、电荷传输层和/或发光层。尽管下面使用顶部发射的OLED装置作为说明性示例来描述封装堆叠体的各种益处，但是可以将封装堆叠体应用于其它发光装置，包括其它顶部发射照明装置、顶部发射量子点（QD）-LED装置、微-LED显示器和QD-光致发光（PL）发射颜色转换器。另外，该技术可以应用于光传感器和光电池，其中耦合到装置中的大量光是有利的。
在图1A中示出了OLED装置100的一个实施例的截面图所示的示意图，OLED装置100包括多层封装堆叠体。OLED装置的俯视图在图1B中示出。OLED装置的该实施例包括多个活动区域104和OLED装置基板102。多层封装堆叠体106设置在活动区域104上方。多层封装堆叠体106（其保护下面的活动区域104免受暴露于空气和/或湿气中而降级） 包括第一无机阻挡层108，该第一无机阻挡层108抑制活动区域104暴露于周围大气中存在的水蒸气、氧气和/或其它反应性气体。包括第一域的复合膜109与第一无机阻挡层108相邻，该第一域包括第一聚合物层110。第一聚合物层110由一种或多种有机聚合物组成，并提供平面化层以平面化封装堆叠体。在图1A所示的OLED装置的实施例中，多层封装堆叠体106包括设置在复合膜109上方的第二无机阻挡层108A。在封装堆叠体的其它实施例中，各层的顺序可以颠倒，从而首先制造复合膜109，随后制造第一无机阻挡层108。在这种实施例中，然后可以依次沉积第二平面化聚合物层和第二无机阻挡层，以便为下面的装置提供足够的封装。因此，一种修改的过程包括将复合膜109直接沉积在装置的活动区域的顶部，随后沉积第一无机阻挡层，随后沉积第二聚合物层，随后沉积第二无机阻挡层。另外，可以提供更多或更少数量的无机阻挡层和聚合物层。例如，图1A的封装堆叠体可以具有设置在第二无机阻挡层108A上的第二聚合物层。图1A的OLED装置的活动区域104可以是嵌入在OLED装置102基板中或由OLED装置102基板支撑的发光子像素（例如，红色，绿色和/或蓝色子像素）。这些子像素中的每一个可以包括设置在第一电极（例如，阴极）和第二电极（例如，阳极）之间的有机发光层。任选地，可以在阴极和发光层之间设置电子传输层和/或电子注入层，并且可以在阳极和发光层之间设置空穴传输层和/或空穴注入层。
封装堆叠体中的至少一层是复合膜，其包括由第一聚合物形成的第一域和由第二聚合物形成的第二域，其中，第二域具有比第一域高的RI，并且另外其中，第二域期望地具有与第一无机阻挡层108的无机材料的RI相同或几乎相同的RI。第二域可以是不连续的域，其包括多个子域，通常被第一域环绕或嵌入第一域中。例如，在图1A和图1B所示的复合膜109的实施例中，子域是多个圆顶形结构112。由于子域112和无机阻挡层108之间的减少RI不匹配，从子像素104发射的光在无机阻挡层108和结构112之间的界面处的全内反射减少。用于子域112的合适RI将取决于无机阻挡层的RI。在多层封装堆叠体的一些实施例中，子域和无机阻挡层的RI相差不超过±15％，包括不超过10％，并且还包括不超过5％。仅通过说明的方式，对于包含具有在约1.85至约2.2范围内的RI的SiNx的无机阻挡层，子域可以具有约1.7或更高的RI。
制备较高RI域的材料可以是包含一种或多种有机聚合物或聚合物复合物的聚合物材料，包括包含分散在聚合物基质中的无机颗粒的聚合物材料。合适的聚合物包括丙烯酸、氨基甲酸酯和环氧树脂。合适的无机颗粒包括金属氧化物颗粒，例如氧化锆、氧化钛、氧化铪、氧化锌及其两种或更多种的混合物。任选地，无机氧化物颗粒可以用封端剂进行表面官能化，所述封端剂改善其在聚合物基质中的分散性。这种封端剂可包括2- [2-（2-9-甲氧基乙氧基）乙氧基]乙酸和/或甲氧基（三亚乙基氧基）丙基三甲氧基硅烷和/或3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷和/或n-正辛基三甲氧基硅烷和/或十二烷基三甲氧基硅烷和/或m，p-对乙基苯乙基三甲氧基硅烷。在一些实施例中，相同的金属氧化物存在于复合膜的较高RI域和无机阻挡层中。仅通过说明的方式，在美国专利公开号2014/0322549中描述的用于纳米复合涂层的高RI聚合物-纳米晶体复合材料可用于形成本文所述的多层封装堆叠体的复合膜中的更高RI域，该专利的全部公开内容通过参考并入本文。
在图1A的复合膜的实施例中，子域112在子域的较高RI材料与第一域的较低RI材料之间提供非平面界面，从而它们改变了在该界面处反射的光的角度，使得全内反射得到抑制，且光输出耦合和提取得到增强。在包括颗粒的较高RI域材料的一些实施例中，颗粒可以充当散射中心以进一步减少内反射和光捕获。然而，对于不期望光散射的应用，颗粒可以具有足够小的直径以避免或最小化光散射。复合膜的子域可以具有各种形状和尺寸。例如，如图1A所示，子域可以是诸如以规则阵列或随机图案设置的半球（圆顶）的结构。一旦形成，该结构可以被第一域的较低RI的聚合物材料层覆盖，以形成光滑平面的或基本平面的表面，可以在其上形成下一个无机阻挡层。可选地，子域可以是以规则阵列或随机图案设置的圆柱体114，如图2所示。 在该装置的该实施例中，第一域110环绕圆柱体114，并且由第一域110和圆柱体114形成的表面提供了光滑平面或基本平面的表面，可以在其上形成下一个无机阻挡层108A。圆柱形结构的使用可能是有益的，因为在圆柱形子域114和第一域110之间形成的竖直界面116处反射的光可以被朝向装置的发光表面引导，从而进一步减少了光在第一无机阻挡层108和/或活动区域104中的捕获。
子域的尺寸和位置不受严格限制，只要它们能够减少装置内的全内反射即可。例如，包括半球形结构的子域的各种实施例具有在1 µm至50 µm的范围内的半径，在1 µm至100 µm的范围内的结构间间距（节距），和/或1 µm至50 µm的范围内的高度；但是可以使用这些范围之外的尺寸。一旦形成，子域可以被第一域的较低RI聚合物材料层覆盖或侧向包围在该层中，以形成光滑平面或基本平面的复合膜表面，可以在其上形成下一个无机阻挡层。可选地，第一域和第二域可以同时形成为具有光滑平面或基本平面的表面的复合膜，可以在其上形成下一个无机阻挡层。
为了避免或减少颜色渗色和其它不期望的视觉效果，子域可以以与显示器装置的分辨率相称的分辨率来图案化（例如，喷墨打印）。例如，在多层封装堆叠体的一些实施例中，存在与每个像素或与像素内的每个子像素相关联的一个子域，如图1A、图1B和图2所示。在其它实施例中，子域比像素或子像素小得多，使得多个子域设置在每个像素或子像素上。例如，子域可以以在显示器装置中的每个像素或子像素上的簇定位。这在图3中示意性地示出，图3示出了显示器装置的一部分的截面图，该显示器装置包括OLED子像素304，在该OLED子像素上设置封装堆叠体306。封装堆叠体306包括第一无机阻挡层308、复合膜309以及在复合膜309上方的第二无机阻挡层308A，复合膜309包括第一域310、包括聚集在OLED 304上方的多个圆顶形子域312的第二域。
在图4中进一步示出了具有位于单个子像素上的复合膜的多于一个子域的构思，图4示出了三个子像素（红色（R）、绿色（G）和蓝色（B））的俯视图，每个子像素与复合膜的三个上覆子域412相关联。
在多层封装堆叠体中的第一（即，最低）无机阻挡层的顶部而不是在封装堆叠体的顶部上实施复合膜的优点在于，这样的放置减小了子像素的发光层和复合膜的高RI子域之间的距离。这是有利的，因为这有助于减少颜色渗色，这会降低OLED显示器的感知分辨率、黑色对比度和/或色域。
尽管在图1A、图1B和图2所示的装置实施例中复合膜直接定位在封装堆叠体的第一无机阻挡层上，但是在其它实施例中，复合膜可以在封装堆叠体内的第二（或更高）无机阻挡层上形成。例如，复合膜可以放置在封装堆叠体的顶部无机阻挡层上，如图5A和图5B所示的OLED装置中所示。另外，复合膜可以在多层封装堆叠体中的多于一个无机阻挡层上提供。在其它实施例中，复合膜可以直接放置在下面的活动区域的顶表面上（例如，在OLED堆叠体的顶部电极上）以提供封装堆叠体的第一层。
在复合膜放置在封装堆叠体中的第二或更高无机阻挡层上的实施例中，复合膜下面的封装堆叠体中的所有层，包括聚合物平面化层，应由高RI材料制成。在这样的实施例中，下面的平面化层可以具有与复合膜中的第二域相同的材料成分。但是，平面化层和复合膜的第二域不必具有相同的成分，只要平面化层具有的RI与封装堆叠体中的无机阻挡层的无机材料的RI相同或几乎相同（例如相差不超过15％）即可。仅通过说明的方式，对于包含具有在约1.85至约2.2范围内的RI的SiNx的无机阻挡层，高RI平面化层可以具有约1.7或更高的RI。
图5A中示意性地示出了包括复合膜作为封装堆叠体的最后层的OLED显示器装置的实施例。该图是截面图，并且包括OLED装置的活动区域530的部件。这些包括反射阳极522、有机层堆叠体524和半透明阴极526。在活动区域530上方设置有封装堆叠体506和顶部保护玻璃层528。有机层堆叠体524从顶部到底部可以包括：电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层和空穴注入层。 OLED装置还可以包括支撑基板520。在这里示出的实施例中，封装堆叠体506的最后层包括设置在另一个下面的封装堆叠体层511（为简单起见，此处示出为单个块）上的本文所述类型的复合膜509。图5B示出了具有上部复合膜509的封装层506的更详细截面图。该复合膜具有与图3所示的结构相似的结构，除了复合膜509在封装堆叠体的顶部并且封装堆叠体的下面层包括具有高RI材料（可以是与形成子域512的材料相同的材料）的一个或多个无机阻挡层507。为了简单起见，图5A和5B中所示的显示器装置中的所有层都显示为具有相同的厚度。然而，如本领域普通技术人员将理解的，取决于它们的具体功能，实际的显示器装置中层将具有不同的厚度。例如，有机层堆叠体将通常比封装堆叠体层511和509显著更薄。
相对于不包含这种膜但其它方面是相同的OLED装置，在封装堆叠体的层内包括高RI域的复合膜的使用可以显著地提高包含该膜的OLED装置的光提取效率和集成电流（integrated current，或整体电流）效率。通过说明的方式，根据本教导的封装堆叠体的各种实施例将OLED装置的提取效率增加至少30％（例如，30％至40％），并且将OLED装置的集成电流效率增加至少70％（例如，70％至100％）。另外，包括复合膜的封装堆叠体可以降低发射光的视角依赖性，从而导致更高质量的显示器。
可用于制造多层封装堆叠体的无机阻挡层的无机材料的示例可包括，例如，各种氮化物、氧化物和氧氮化物，诸如氮化硅（SiNx）、氧化硅、Al2O3、TiO2、HfO2和氮氧化硅（SiOXNY）中的一种或多种。无机阻挡层可以沉积或以其它方式形成在活动区域上，并且可以在基板和活动区域的整个或基本整个暴露表面上被毯式涂覆（例如，经由化学和/或物理气相沉积）。
可用于制造复合膜的第一和第二域以及多层封装堆叠体的其它聚合物平面化层的聚合物包括可使用热（例如，烘焙）、辐射（例如，紫外线曝光）或其它基于能量的（例如电子束）固化技术中的一种或多种固化的各种聚合物材料，并且一旦固化，就可以形成聚合物薄膜和/或聚合物结构。可以使用各种聚合物沉积技术来形成封装堆叠体的各种聚合物层。在OLED装置的一些实施例中，封装堆叠体的聚合物层，包括复合膜，通过将包含可固化单体、低聚物和/或聚合物的墨成分喷墨打印到基板上（例如，到无机阻挡层上）并固化该成分以形成聚合物膜而形成。另外，墨成分可以包含一种或多种交联剂、聚合引发剂和/或溶剂。聚合物平面化层也可以通过以下方式制备：使用喷墨打印以外的涂覆技术将墨成分施加到装置基板上，随后固化该成分以形成聚合物膜。
可以包含在墨成分中的丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯（在本文中统称为（甲基）丙烯酸酯）单体的示例包括单（甲基）丙烯酸酯单体、二（甲基）丙烯酸酯单体和更高官能的（甲基）丙烯酸酯单体。在墨成分的各种实施例中，（甲基）丙烯酸酯单体是聚醚。在墨成分的各种实施例中，（甲基）丙烯酸酯单体是烷氧基化的脂族二（甲基）丙烯酸酯单体。这些包括含新戊二醇基的二（甲基）丙烯酸酯，包括烷氧基化的新戊二醇二丙烯酸酯，例如新戊二醇丙氧基化物二（甲基）丙烯酸酯和新戊二醇乙氧基化物二（甲基）丙烯酸酯。其它合适的（甲基）丙烯酸酯单体包括但不限于：（甲基）丙烯酸烷基酯，例如（甲基）丙烯酸甲酯，（甲基）丙烯酸乙酯和甲基丙烯酸苄酯；环状三羟甲基丙烷缩甲醛（甲基）丙烯酸酯；（甲基）丙烯酸烷氧基化四氢糠酯；（甲基）丙烯酸苯氧基烷基酯，例如（甲基）丙烯酸2-苯氧基乙基酯和（甲基）丙烯酸苯氧基甲基酯；（甲基）丙烯酸2-（2-乙氧基乙氧基）乙酯。其它合适的二（甲基）丙烯酸酯单体包括：1，6-己二醇二丙烯酸酯、1，12十二烷二醇二（甲基）丙烯酸酯；1,3-丁二醇二（甲基）丙烯酸酯；二（乙二醇二甲基）丙烯酸甲酯和聚乙二醇二（甲基）丙烯酸酯单体。可以单独或组合包含在墨成分的各种实施例中的其它单和二（甲基）丙烯酸酯单体包括：丙烯酸二环戊烯氧基乙酯（DCPOEA）、丙烯酸异冰片酯（ISOBA）、甲基丙烯酸二环戊烯氧基乙酯（DCPOEMA）、甲基丙烯酸异冰片酯（ISOBMA ）和N-十八烷基甲基丙烯酸酯（OctaM）。也可以使用ISOBA和ISOBMA的同系物（统称为“ ISOB（M）A”同系物），其中环上的一个或多个甲基基团被氢取代。
多官能（甲基）丙烯酸酯交联剂期望地具有至少三个反应性（甲基）丙烯酸酯基团。因此，多官能（甲基）丙烯酸酯交联剂可以是例如三（甲基）丙烯酸酯、四（甲基）丙烯酸酯和/或更高官能的（甲基）丙烯酸酯。季戊四醇四丙烯酸酯或季戊四醇四甲基丙烯酸酯、二（三羟甲基丙烷）四丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯和二（三羟甲基丙烷）四甲基丙烯酸酯是可以用作主要交联剂的多官能（甲基）丙烯酸酯的示例。此处使用的术语“主要”是指墨成分的其它组分也可以参与交联，尽管这不是其主要功能目的。
美国专利申请公开号2014/0322549中用于形成纳米复合涂层的成分是可以用于形成复合膜的第二域和/或封装堆叠体中的任何高RI平面化层的墨成分的示例。美国专利申请号US 20160024322、US 2017/0062762和US 2017/0358775中描述的墨成分是可用于在多层封装堆叠体中形成复合膜的第一域和/或其它聚合物平面化层的墨成分的示例。
关于经由喷墨打印施加的墨成分的属性，应当调整初始墨成分的表面张力、粘度和润湿属性，以允许成分通过喷墨打印喷嘴分配而不会干燥或堵塞在处于用于打印的温度（例如，室温；约25°C）的喷嘴上。通过说明的方式，用于形成聚合物层的墨成分的一些实施例在25℃下具有约10cP至约28cP之间（包括例如约15cP至约26cP之间）的粘度，在25℃下具有约28达因/厘米和约45达因/厘米之间的表面张力。为了调节或优化用于喷墨打印的墨成分，可以在墨成分中包括溶剂、表面活性剂、粘度调节剂等。合适的有机溶剂包括酯和醚。除了解决墨的粘度和表面张力以外，还可以修改沉积墨成分的表面的表面能量，以实现期望的墨扩展。这可以通过等离子处理，暴露于包含表面改性剂的气体中以及涂覆包含表面改性剂的薄底漆层来完成。还可以以图案化的方式沉积这些表面改性剂，从而迫使墨被围住（pin）在基底上的限定位置。
一种制造图1A和图1B中所示类型的OLED装置的方法在图6中示意性地示出。期初，在装置基板102上形成一个或多个活动区域（例如，子像素）104，并且第一无机阻挡层108作为膜沉积在活动区域上。接下来，将包含组成复合膜的子域的材料的墨成分600的液滴沉积（例如，喷墨打印）在活动区域104上在第一无机阻挡层108上（面板（a））。液滴在表面上扩散并固化以形成圆顶状结构112（面板（b））。在此处所示的实施例中，每个活动区域都有一个圆顶形结构。如果活动区域包括发射不同颜色的子像素，则可以独立地调整子域的成分，以满足不同子像素的所需光学属性。尽管这里未示出，但是在打印之后，可以使用像素堤（bank）来限制扩散的墨成分600。可选地，可以通过对其上沉积有疏水性和/或亲水性区域的基板表面进行图案化来限制墨成分600，所述疏水性和/或亲水性区域控制墨成分的润湿特性。接下来，包含组成复合膜的第一较低RI域的材料的墨成分602的液滴作为涂层沉积（例如喷墨打印）在第一无机阻挡层108上在较高RI结构112上方（面板（c））。然后涂层固化以形成第一域110。最后，第二无机阻挡层108A作为膜沉积在构成复合膜109的第一域的第一聚合物层上（面板（d））。在另一种方法中，在沉积较低RI墨成分602之前不固化较高RI墨成分600。在这种情况下，两种墨成分被优化使得它们不相互混合，或者使得它们仅部分地相互混合，因此保留了最终装置中结构的输出耦合优势。在该过程的变型中，形成子域结构112的墨成分在沉积之后但在沉积形成第一域的较低RI墨成分602之前被固化。在这种情况下，两个固化域之间的界面是明确限定的并且是突变的。该方法对墨成分***施加较少的限制，因为两种墨成分之间的相互混合被固化步骤抑制。
一种制造图2所示类型的OLED装置的方法在图7中示意性地示出。在该方法中，用于制造子域的较高RI结构的墨成分400和用于制造第一域的墨成分602被设计成使得它们类似地润湿第一无机阻挡层108的表面以在表面上形成平面涂层，但在涂层内基本上不会相互混合。墨成分600和602的液滴可以打印（同时或顺序地）到第一无机阻挡层108上，而无需在打印步骤（面板（a）和（b））之间固化，然后可以固化涂层，从而形成横向包围在第一域110的聚合物层中的圆柱形子域结构（或类似于锥体的特征）114，随后沉积第二无机阻挡层108A（面板（c））。在该方法中，可允许墨成分之间的一些相互混合，只要相互混合区域相对较小并且两个域之间的RI对比度得以保留即可。
可以被容纳在被配置为提供受控过程环境的封装件中的工业喷墨打印***可以被用于将墨成分沉积到装置基板上。用于沉积本文所述的墨成分的喷墨打印可具有若干优点。首先，由于可以在大气压力下执行基于喷墨的制造，因此可以消除一系列真空处理操作。另外，在喷墨打印过程期间，墨成分可以局部化以覆盖OLED基板的在活动区域之上和附近的部分，以有效地封装活动区域，包括活动区域的横向边缘。使用喷墨打印的目标图案化导致消除材料浪费，以及消除实现有机薄膜的图案化通常需要的（例如通过各种掩模技术所需要的）附加处理。可以使用例如诸如美国专利号9,343,678中所述的打印***来打印墨成分。
本教导旨在是说明性的，而不是限制性的。在说明书中，各种特征可以被聚集在一起以流线化本公开。这不应被解释为旨在使未要求保护的公开特征对于任何权利要求都是必要的。而是，发明主题可以在于少于特定公开实施例的所有特征。 因此，所附权利要求由此作为示例或实施例并入详细描述中，每个权利要求作为单独的实施例而独立存在，并且可以设想的是，这种实施例可以以各种组合或排列彼此组合。本发明的范围应当参考所附权利要求书连同这种权利要求书所赋予的等同物的全部范围来确定。
Claims (19)
1. 一种光电装置，包括：
至少一个活动区域；以及
设置在所述至少一个活动区域上方的多层封装堆叠体，所述多层封装堆叠体包括：
无机阻挡层；
复合膜，所述复合膜靠近所述无机阻挡层，且包括第一域和第二域，第二域包括多个子域，其中，第二域具有比第一域更高的折射指数。
2.根据权利要求1所述的光电装置，其中，光电装置是有机发光二极管装置，所述至少一个活动区域包括发光像素。
3.根据权利要求1所述的光电装置，其中，第二域包括分散在聚合物基质中的无机颗粒。
4.根据权利要求1所述的光电装置，其中，无机阻挡层包括氮化硅、氧化硅、或氮氧化硅。
5.根据权利要求4所述的光电装置，其中，第二域包括分散在聚合物基质中的氧化锆、氧化钛、氧化铪、氧化锌、或其两种或更多种的混合物。
6.根据权利要求1所述的光电装置，其中，第二域包括分散在聚合物基质中的氧化锆、氧化钛、氧化铪、氧化锌、或其两种或更多种的混合物。
7.根据权利要求6所述的光电装置，其中，聚合物基质是丙烯酸基质。
8.根据权利要求1所述的光电装置，其中，子域是圆顶形。
9.根据权利要求1所述的光电装置，其中，子域是圆柱形或圆锥形形状。
10.一种形成封装光电装置的方法，所述方法包括：
在光电装置的至少一个活动区域上形成无机阻挡层；
在无机阻挡层上喷墨打印第一可固化墨成分，作为多个液滴；
固化所述多个液滴，以在无机阻挡层上形成多个子域；
围绕多个液滴或者在子域上方喷墨打印第二墨成分；以及
固化第二墨成分，以围绕所述子域形成包括聚合物膜的第一域，其中，所述子域具有比第一域更高的折射指数。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，光电装置是有机发光二极管装置，所述至少一个活动区域包括发光像素。
12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述多个液滴在第二墨成分喷墨打印之前固化以形成所述多个子域。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述子域是圆顶形。
14.根据权利要求10所述的方法，其中，第二墨成分与第一墨成分基本上不能混合，且另外其中，在第一墨成分和第二墨成分固化之前，第二墨成分围绕第一墨成分的液滴打印。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述子域是圆柱形或圆锥形形状。
16.根据权利要求10所述的方法，其中，第一墨成分包括无机颗粒以及一种或多种可固化单体、低聚物或聚合物。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，无机颗粒包括氧化锆、氧化钛、氧化铪、氧化锌、或其两种或更多种的混合物。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，一种或多种可固化单体、低聚物或聚合物包括一种或多种丙烯酸单体、丙烯酸低聚物或丙烯酸聚合物。
19.根据权利要求10所述的方法，其中，无机颗粒包括氧化锆、氧化钛、氧化铪、氧化锌、或其两种或更多种的混合物。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201762607824P | 2017-12-19 | 2017-12-19 | |
| US62/607824 | 2017-12-19 | ||
| PCT/US2018/063492 WO2019125735A1 (en) | 2017-12-19 | 2018-11-30 | Light-emitting devices with improved light outcoupling |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111466037A true CN111466037A (zh) | 2020-07-28 |
Family
ID=66995058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201880082675.1A Pending CN111466037A (zh) | 2017-12-19 | 2018-11-30 | 具有改进光输出耦合的发光装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US11043653B2 (zh) |
| JP (1) | JP2021507448A (zh) |
| KR (2) | KR20220118553A (zh) |
| CN (1) | CN111466037A (zh) |
| TW (2) | TWI812657B (zh) |
| WO (1) | WO2019125735A1 (zh) |
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- 2018-11-30 JP JP2020527020A patent/JP2021507448A/ja active Pending
- 2018-11-30 US US16/771,157 patent/US11043653B2/en active Active
- 2018-11-30 WO PCT/US2018/063492 patent/WO2019125735A1/en active Application Filing
- 2018-11-30 CN CN201880082675.1A patent/CN111466037A/zh active Pending
- 2018-11-30 KR KR1020227027334A patent/KR20220118553A/ko not_active Application Discontinuation
- 2018-11-30 KR KR1020207010141A patent/KR102432383B1/ko active IP Right Grant
- 2018-12-06 TW TW107143953A patent/TWI812657B/zh active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2019125735A1 (en) | 2019-06-27 |
| TWI812657B (zh) | 2023-08-21 |
| US11793024B2 (en) | 2023-10-17 |
| KR20220118553A (ko) | 2022-08-25 |
| US20230422545A1 (en) | 2023-12-28 |
| KR20200093523A (ko) | 2020-08-05 |
| US11043653B2 (en) | 2021-06-22 |
| KR102432383B1 (ko) | 2022-08-11 |
| US20210328185A1 (en) | 2021-10-21 |
| TW202345435A (zh) | 2023-11-16 |
| JP2021507448A (ja) | 2021-02-22 |
| US20210005838A1 (en) | 2021-01-07 |
| TW201937775A (zh) | 2019-09-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
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