CN111416064A - 显示面板、其制作方法及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请公开一种显示面板、其制作方法及显示装置,涉及显示技术领域,包括:显示层、衬底和反射层;衬底位于显示层和反射层之间;显示层包括至少一个发光单元和至少一个驱动晶体管,发光单元和驱动晶体管的源极或漏极电连接;显示面板还包括第一通孔,第一通孔沿垂直于衬底所在平面的方向贯穿衬底和反射层,第一通孔内设置有色转换层;第一通孔在显示层所在平面上的正投影与发光单元在显示层所在平面上的正投影至少部分交叠。本申请在衬底远离显示层的一侧设置反射层,并使第一通孔沿垂直于衬底所在平面的方向贯穿衬底和反射层,使得光线可以从衬底侧发出,从而避免电极对出光率的影响,提高光源利用率。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体地说,涉及一种显示面板、其制作方法及显示装置。
背景技术
镜面显示屏包括显示屏和覆盖显示屏的反射膜,其既可以实现常规镜子的功能,也能够实现图像显示功能,因此广泛应用于车载后视镜、化妆镜等领域中。
现有技术中,用于镜面显示的显示屏中,大多采用正面发光的显示面板,而对于正装结构的发光单元,其电极会对发光单元的出光效率造成影响,从而影响显示面板对光的利用率,造成光源损耗。
发明内容
有鉴于此,本申请提供一种显示面板、其制作方法及显示装置,在衬底远离显示层的一侧设置反射层,并使第一通孔沿垂直于衬底所在平面的方向贯穿衬底和反射层,使得光线可以从衬底侧发出,从而避免电极对出光率的影响,提高光源利用率。
为了解决上述技术问题,本申请有如下技术方案:
第一方面,本申请提供一种显示面板,包括:显示层、衬底和反射层;所述衬底位于所述显示层和所述反射层之间;
所述显示层包括至少一个发光单元和至少一个驱动晶体管,所述发光单元和所述驱动晶体管的源极或漏极电连接;
所述显示面板还包括第一通孔,所述第一通孔沿垂直于所述衬底所在平面的方向至少贯穿所述衬底,所述第一通孔内设置有色转换层;所述第一通孔在所述显示层所在平面上的正投影与所述发光单元在所述显示层所在平面上的正投影至少部分交叠。
第二方面,本申请提供一种显示面板的制作方法,包括:
提供衬底;
在所述衬底的一侧制作显示层,所述显示层包括至少一个发光单元和至少一个驱动晶体管,所述发光单元和所述驱动晶体管的源极或漏极电连接;
在所述衬底远离所述显示层的一侧制作反射层;
设置第一通孔,所述第一通孔沿垂直于所述衬底所在平面的方向至少贯穿所述衬底;所述第一通孔在所述显示层所在平面上的正投影与所述发光单元在所述显示层所在平面上的正投影至少部分交叠;
在所述第一通孔内填充色转换层。
第三方面,本申请还提供一种显示装置,包括显示面板,该显示面板为本申请所提供的显示面板。
与现有技术相比,本发明提供的显示面板、其制作方法及显示装置,至少实现了如下的有益效果:
本申请所提供的显示面板、其制作方法及显示装置,在衬底远离显示层的一侧设置反射层,实现对环境光线的反射,使得显示面板具有镜面显示功能。并在显示面板上设置第一通孔,并在第一通孔内填充色转换层,且第一通孔沿垂直于衬底所在平面的方向上贯穿衬底和反射层,且第一通孔在显示层所在平面上的正投影与发光单元在显示层所在平面上的正投影至少部分交叠,如此,发光单元发出的光线可通过第一通孔出射,使得光线可以从衬底侧发出,显示面板能够实现底发光,从而能够避免电极对发光单元出光率的影响,提高显示面板对光的利用率,使得显示面板既可以实现镜面显示,又能够实现图像显示功能。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解,构成本申请的一部分,本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请,并不构成对本申请的不当限定。在附图中:
图1所示为本申请实施例所提供的显示面板的一种结构示意图;
图2所示为沿图1显示面板中的一种AA’截面图;
图3所示为沿图1显示面板中的另一种AA’截面图;
图4所示为沿图1显示面板中的又一种AA’截面图;
图5所示为沿图1显示面板中的再一种AA’截面图;
图6所示为本申请实施例所提供的发光单元的一种结构示意图;
图7所示为本申请实施例所提供的发光单元的另一种结构示意图;
图8所示为本申请实施例所提供的发光单元的又一种结构示意图;
图9所示为本申请实施例所提供的包含基板的显示面板的一种结构示意图;
图10所示为沿图1显示面板中的再一种AA’截面图;
图11所示为本申请实施例所提供的显示面板制作方法的一种流程图;
图12所示为本申请实施例所提供的发光单元制作方法的一种流程图;
图13所示为本申请实施例所提供的发光单元制作方法的另一种流程图;
图14所示为本申请实施例所提供的显示面板制作方法的另一种流程图;
图15所示为本申请实施例所提供的显示装置的一种结构示意图。
具体实施方式
如在说明书及权利要求当中使用了某些词汇来指称特定组件。本领域技术人员应可理解,硬件制造商可能会用不同名词来称呼同一个组件。本说明书及权利要求并不以名称的差异来作为区分组件的方式,而是以组件在功能上的差异来作为区分的准则。如在通篇说明书及权利要求当中所提及的“包含”为一开放式用语,故应解释成“包含但不限定于”。“大致”是指在可接受的误差范围内,本领域技术人员能够在一定误差范围内解决所述技术问题,基本达到所述技术效果。此外,“耦接”一词在此包含任何直接及间接的电性耦接手段。因此,若文中描述一第一装置耦接于一第二装置,则代表所述第一装置可直接电性耦接于所述第二装置,或通过其他装置或耦接手段间接地电性耦接至所述第二装置。说明书后续描述为实施本申请的较佳实施方式,然所述描述乃以说明本申请的一般原则为目的,并非用以限定本申请的范围。本申请的保护范围当视所附权利要求所界定者为准。其中,各实施例之间的相同之处不再一一赘述。
现有技术中,用于镜面显示的显示屏中,大多采用正面发光的显示面板,而对于正装结构的发光单元,其电极会对发光单元的出光效率造成影响,从而影响显示面板对光的利用率,造成光源损耗。
有鉴于此,本申请提供一种显示面板、其制作方法及显示装置,在衬底远离显示层的一侧设置反射层,并使第一通孔沿垂直于衬底所在平面的方向贯穿衬底和反射层,使得光线可以从衬底侧发出,显示面板能够实现底发光,从而避免电极对出光率的影响,提高光源利用率。
以下将结合附图和具体实施例进行详细说明。
图1所示为本申请实施例所提供的显示面板100的一种结构示意图,图2所示为沿图1显示面板100中的一种AA’截面图,请参考图1和图2,本申请实施例所提供的显示面板100,包括:显示层10、衬底20和反射层30;衬底20位于显示层10和反射层30之间;
显示层10包括至少一个发光单元11和至少一个驱动晶体管12,发光单元11和驱动晶体管12的源极121或漏极122电连接;
显示面板100还包括第一通孔40,第一通孔40沿垂直于衬底20所在平面的方向至少贯穿衬底20,第一通孔40内设置有色转换层41;第一通孔40在显示层10所在平面上的正投影与发光单元11在显示层10所在平面上的正投影至少部分交叠。
具体地,请参考图1和图2,本申请实施例所提供的显示面板100包括显示层10、衬底20和反射层30,其中,衬底20位于显示层10和反射层30之间。显示层10包括至少一个发光单元11和至少一个驱动晶体管12,驱动晶体管12的源极121或漏极122电连接至发光单元11,当驱动晶体管12导通时,通过源极121或漏极122向发光单元11发送驱动信号,驱动发光单元11发光。反射层30位于衬底20远离显示层10的一侧,用于实现对环境光线的反射,使得显示面板100具有镜面显示功能。
显示面板100上还设置有第一通孔40,沿垂直于衬底20所在平面的方向上,第一通孔40至少贯穿衬底20,且第一通孔40在显示层10所在平面上的正投影与发光单元11在显示层10所在平面上的正投影至少部分交叠,如此,发光单元11发出的光线可通过第一通孔40出射,使得光线可以从衬底20侧发出,显示面板100能够实现底发光,从而能够避免电极对发光单元11出光率的影响,提高显示面板100对光的利用率,使得显示面板100既可以实现镜面显示,又能够实现图像显示功能。
请参考图2,本实施例在第一通孔40内设置有色转换层41,色转换层41中包括多个量子点QD,当发光单元11发出的光线经过第一通孔40时,色转换层41可以对发光单元11出射光的颜色进行转换,例如,发光单元11发蓝光时,可以通过色转换层41中的量子点QD将蓝光转换为红光或绿光,从而使得显示面板实现RGB彩色显示。
图2仅是为了示意性说明发光单元11和驱动晶体管12电连接,并不代表发光单元11和驱动晶体管12的实际位置结构、大小等,在不同的实施例中,驱动晶体管12可以为如图2中的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT),也可以为场效应晶体管(Field EffectTransistor,FET),且发光单元11也可以与驱动晶体管12的源极121电连接。
图3所示为沿图1显示面板100中的另一种AA’截面图,请参考图3,图3中的驱动晶体管为FET,FET是通过在同一块N形半导体上制作两个高掺杂的P区,并将它们连接在一起,所引出的电极为栅极g,并在N型半导体两端分别引出两个电极,即源极121和漏极122。FET的工作方式是沟道中的多数载流子在电场作用下由源极121向漏极122作漂移运动,形成漏极122电流。因此,当驱动晶体管12为FET时,将FET的漏极122连接至发光单元11,从而将漏电流传输至发光单元11,驱动发光单元11发光。且FET可以与发光单元11共用晶格匹配AlGaN层和GaN层,与发光单元11同层设置,有利于降低显示层10的厚度,从而降低显示面板100的厚度,有利于实现显示面板100的轻薄化设计。
需要说明的是,上述反射层30可以为全反射膜层或半反半透膜层,只要能够实现反射光线的功能即可,本申请对此不作限定。图4所示为沿图1显示面板100中的又一种AA’截面图,请参考图4,当第一通孔40只贯穿衬底时,反射层30需要采用半反半透膜层,如此,即使未在反射层30上刻蚀通孔,也可以使得发光单元11射出的光线经过反射层30出射,从而实现彩色显示。此外,当第一通孔40只贯穿衬底20时,需要先在衬底20上刻蚀好第一通孔40之后,再设置反射层30,如此,则可以在第一通孔30的侧壁也设置有反射层30,如图5所示,图5所示为沿图1显示面板100中的再一种AA’截面图,通过在第一通孔40的侧壁也设置反射层30,能够增加反射面,从而有利于进一步提高反射效果。
本申请所提供的显示面板100,除了显示层10、衬底20和反射层30之外,还可包括其他有机层、无机层等,通过有机层、无机层形成绝缘层或封装层,避免各个膜层之间的信号干扰,并防止空气中的水、氧等对发光单元11造成腐蚀,从而确保显示面板100正常显示。此外,图2-图5中第一通孔的形状、大小也仅是示意性说明,并不作为对本申请的限定,在其他实施例中,第一通孔还可以为其他形状,例如矩形等。
可选地,请继续参考图2和图3,第一通孔沿垂直于衬底所在平面的方向贯穿衬底和反射层。具体地,请参考图2和图3,反射层30既可以为半反半透膜层,也可以为全反射膜层,当反射层30为全反射膜层时,光线无法穿透反射层30,因此,本实施例中设置第一通孔40沿垂直于衬底所在平面的方向贯穿衬底20和反射层30,使发光单元11发出的光线经第一通孔40出射,而在未设置第一通孔40的地方,镜面显示面板100实现全反射,使得显示面板100的镜面显示效果较好。当然,即使反射层30为半反半透膜层,也可以设置第一通孔40沿垂直于衬底所在平面的方向贯穿衬底20和反射层30,如此,在设置有第一通孔40的位置,光线的出射率较高,有利于提高对发光单元11的光利用率,从而能够提高显示面板100的显示亮度。
可选地,请参考图2和图3,衬底20为金属材料。具体地,请参考图2和图3,本实施例中设置衬底20为金属材料,金属材料具有较好的柔韧性,利用金属材料制作衬底20,能够实现大面积、可卷曲的显示面板100的制作。此外,金属材料具有较高的强度且其散热性能较好,因此,能够为显示面板100提供强度和散热,从而有利于提高显示面板100的制作良率以及使用寿命。
可选地,请参考图2和图3,发光单元11为micro LED。具体地,请参考图2和图3,本实施例中的发光单元11采用微发光二极管(micro light-emitting diode,Micro LED),Micro LED是一种尺寸为微米级的发光二极管,由于Micro LED的尺寸较小,因此其可作为显示面板100上的像素,采用Micro LED制备得到的显示面板100可称为Micro LED显示面板。Micro LED显示面板100的使用寿命和可视角度均较优。需要说明的是,发光单元11采用micro LED,仅仅是在本实施例中的一种实施方式,在其他实施例中,发光单元11还可以为有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED),本申请对此不进行限定。
可选地,图6所示为本申请实施例所提供的发光单元11的一种结构示意图,请参考图2-图6,在垂直于衬底20所在平面的方向上,发光单元11包括第一型半导体111、发光层112、第二型半导体113、第一电极114和第二电极115;其中,发光层112位于第一型半导体111远离衬底20的一侧,第二型半导体113位于发光层112远离衬底20的一侧,第一电极114与第一型半导体111电连接,第二电极115与第二型半导体113电连接,且第二电极115覆盖第二型半导体113的远离衬底20一侧的至少部分表面;第一电极114接第一电压信号,第二电极115与驱动晶体管12的源极121或漏极122电连接。
具体地,请参考图2-图6,当发光单元11为Micro LED,其结构包括第一型半导体111、发光层112、第二型半导体113、第一电极114和第二电极115,沿垂直于衬底20所在的平面上,第一型半导体111、发光层112和第二型半导体113从下到上依次层叠,其中,第一型半导体111和第二型半导体113为极性相反的半导体,例如,第一型半导体111为N型半导体,第二型半导体113为P型半导体,或者,第一型半导体111为P型半导体,第二型半导体113为N型半导体,本申请对此不进行限定。第一电极114与第一型半导体111连接,第二电极115与第二型半导体113连接,第一电极114接第一电压信号,第二电极115与驱动晶体管12的源极121或漏极122电连接,通过第一电压信号与源极121或漏极122发送的信号之间的电压差驱动发光单元11发光。
通常情况下,发光单元11四面发光,为了能够提高光利用率,本实施例中设置第二电极115覆盖第二型半导体113的远离衬底20一侧的至少部分表面,如此,当光线从远离衬底20的一侧出射时,会被第二电极115反射回来,使更多的光线从第一通孔40出射,进一步提高光利用率,从而能够进一步提高显示面板100的显示亮度。采用第二电极115对向上出射的光线进行反射,则不需要再在发光单元11的上方涂覆反射材料,从而有利于节省工序和材料,能够在降低制作难度的同时,节约制作成本。但并不作为对本申请的限定,在其他的实施例中,也可以采用涂覆反射材料进行反射光线的结构,具体可以根据实际需要进行灵活设置。
需要说明的是,图6仅是对发光单元11的一种示意性说明,并不作为对发光单元11结构的限定,在其他实施例中,发光单元11还可以设置为其它结构,但无论是哪种结构,都必须满足第一电极114与第一型半导体111电连接,第二电极115与第二型半导体113电连接。第二电极115覆盖第二型半导体113时,需要使第二电极115与第一电极114之间存在一定的距离,并在第二电极115和第一电极114之间设置绝缘材料,通过绝缘材料将第二电极115和第一电极114隔离,从而有效避免第一电极114和第二电极115之间短路,确保显示面板100正常显示。此外,发光单元11中除了第一型半导体111、发光层112、第二型半导体113、第一电极114和第二电极115之外,还存在AlGaN层和GaN层,通过AlGaN层和GaN对晶格进行调节,提高发光效率。
在图2-图5中,发光单元11的第二电极115与驱动晶体管12的漏极122电连接,为了避免第二电极115与发光层112和第一型半导体111短路,在制作第二电极115之前,先制作一层绝缘层,从而将第二电极115与发光层112和第一型半导体111隔离,避免第二电极115与其短路,造成发光单元不能正常发光的问题。
可选地,图7所示为本申请实施例所提供的发光单元11的另一种结构示意图,请参考图7,第二型半导体113朝向第二电极115一侧的表面具有至少一个第一凹凸结构116,第二电极115朝向第二型半导体113一侧的表面具有至少一个第二凹凸结构117,第二凹凸结构117与第一凹凸结构116一一对应且相匹配。具体地,请参考图7,本实施例中设置第二型半导体113与第二电极115接触的表面为第一凹凸结构116,第二电极115与第二型半导体113接触的表面为与第一凹凸结构116相匹配的第二凹凸结构117,使第二电极115和第二型半导体113各处的折射率不同,从而能够降低第二型半导体113与第二电极115之间的折射率差异,有效减小折射率急剧变化造成全反射的现象,从而能够增加出光效率,提高光利用率。
需要说明的是,图7仅是为了示意性说明第一凹凸结构116和第二凹凸结构117相匹配,并不代表第一凹凸结构116和第二凹凸结构117的实际结构,在其他实施例中第一凹凸结构116和第二凹凸结构117还可以为锥体状,如图8所示,图8所示为本申请实施例所提供的发光单元11的又一种结构示意图。
可选地,图9所示为本申请实施例所提供的包含基板的显示面板的一种结构示意图,请参考图9,显示面板100还包括:第一玻璃基板50和第二玻璃基板70,第一玻璃基板50位于显示层10远离衬底20的一侧,第二玻璃基板70位于反射层30远离显示层10的一侧。具体地,请参考图9,本实施例中还在显示层10远离衬底20的一侧设置第一玻璃基板50,在反射层30远离衬底20的一侧设置第二玻璃基板70,通过第一玻璃基板50和第二玻璃基板70进行显示面板100的封装,对显示层10和反射层30起一定的保护作用。在进行第一玻璃基板50和第二玻璃基板70的贴附时,采用粘接层70进行粘接,其中,粘接层70的材料可以为聚酰亚胺或耐热的树脂。由于本申请中的显示面板100为底出光显示面板100,为了不影响出光效率,第二玻璃基板70和用于粘接第二玻璃基板70和反射层30的粘接层70均要设置为透明的,避免第二玻璃基板70和粘接层70对光线的阻挡。
通常情况下,显示面板100要实现正常显示,需要通过驱动芯片为其提供显示信号,驱动芯片通过绑定区的导电衬垫进行绑定,通过粘接层70粘接显示层10与第一玻璃基板50时,粘接层70需要避开绑定区,也即,绑定区在衬底20所在平面上的正投影与粘接层70在衬底20所在平面上的正投影不交叠,避免粘接层70覆盖导电衬垫使得驱动芯片绑定时电信号接触不良的问题,有利于提高显示面板100的制作良率。
除了采用玻璃基板进行封装之外,还可以通过柔性基板进行封装,形成柔性显示面板100,例如,请继续参见图9,显示面板100还可以包括:第一柔性衬底80和第二柔性衬底90,第一柔性衬底80位于显示层10远离衬底20的一侧,第二柔性衬底90位于反射层30远离显示层10的一侧;第二柔性衬底90为透明材料。
可选地,请参考图2和图3,反射层30的反射率大于等于85%。具体地,请参考图2和图3,为了能够更好的实现镜面显示,本实施例中设置反射层30为高反射率的材料,使其反射率大于等于85%,例如可以为银或铝等,当反射层30采用铝金属层时,其对可见光的反射率大约为85%;当反射层30采用银金属层时,其对可见光的反射率大约为92%,均能较好的满足镜面显示的需求。当然,使反射层30的反射率大于等于85%,仅是一种较好的实施方式,并不能作为对本申请的限定,在实际制作中,可以根据实际应用调整反射率。
可选地,图10所示为沿图1显示面板100中的再一种AA’截面图,请参考图10,显示面板100还包括:氧化层31,氧化层31位于反射层30远离衬底20的表面。具体地,请参考图10,本实施例中对反射层30远离衬底20的一侧表面进行氧化处理,形成氧化层31,对反射层30进行氧化处理时,可以采用阳极氧化处理的方法。例如,当反射层30为铝金属层时,将铝金属层置于相应电解液(如硫酸、铬酸、草酸等)中作为阳极,在特定条件和外加电流作用下,进行电解,阳极铝的表面上形成氧化铝薄层,氧化铝薄层中具有大量的微孔,该微孔吸附能力强可着色成各种颜色,从而能够将各种颜色的氧化层31作为显示面板100的背景,使得显示面板100用于多种应用场景。此外,通过对反射层30进行氧化形成的氧化层31,还能够提高其耐腐蚀性、耐磨性以及硬度等,从而有利于提高显示面板100的使用寿命。
需要说明的是,图10仅是为了说明反射层30被氧化之后会形成氧化层31,并不代表反射层30和氧化层31的实际结构,当反射层30被阳极氧化后,反射层30的表面直接被氧化为氧化层31。
基于同一发明构思,本申请实施例提供一种显示面板100的制作方法,图11所示为本申请实施例所提供的显示面板100制作方法的一种流程图,请参考图2-图5和图11,本申请实施例所提供的显示面板100的制作方法,还包括:
步骤01:提供衬底20;
步骤02:在衬底20的一侧制作显示层10,显示层10包括至少一个发光单元11和至少一个驱动晶体管12,发光单元11和驱动晶体管12的源极121或漏极122电连接;
步骤03:在衬底20远离显示层10的一侧制作反射层30;
步骤04:设置第一通孔40,第一通孔40沿垂直于衬底20所在平面的方向至少贯穿衬底20;第一通孔40在显示层10所在平面上的正投影与发光单元11在显示层10所在平面上的正投影至少部分交叠;
步骤05:在第一通孔40内填充色转换层41。
具体地,请参考图2-图5和图11,本申请实施例所提供的显示面板100的制作方法,在步骤01中提供衬底20,然后利用步骤02在衬底20上制作显示层10,显示层10包括至少一个发光单元11和至少一个驱动晶体管12,驱动晶体管12的源极121或漏极122电连接至发光单元11,当驱动晶体管12导通时,通过源极121或漏极122向发光单元11发送驱动信号,驱动发光单元11发光。制作好显示层10之后,通过步骤03在衬底20远离显示层10的一侧制作反射层30,通过反射层30实现对环境光线的反射,使得显示面板100具有镜面显示功能。
通过步骤04,在反射层30和衬底20上沿垂直于衬底20所在平面的方向上刻蚀第一通孔40,使得第一通孔40至少贯穿衬底20,且第一通孔40在显示层10所在平面上的正投影与发光单元11在显示层10所在平面上的正投影至少部分交叠,如此,发光单元11发出的光线可通过第一通孔40出射,使得光线可以从衬底20侧发出,显示面板100能够实现底发光,从而能够避免电极对发光单元11出光率的影响,提高显示面板100对光的利用率。并利用步骤05在第一通孔40内填充色转换层41,能够实现彩色显示,从而使得显示面板100既可以实现镜面显示,又能够实现图像显示功能。
需要说明的是,当在第一通孔40内填充色转换层41时,沿垂直于衬底20所在平面的方向上,设置色转换层41的高度小于第一通孔40的高度,避免色转换层41从第一通孔40内溢出,便于色转换层41的图形化,且能够节省色转换材料,从而有利于节约成本。
当第一通孔40只贯穿衬底20时,需要先在衬底20上刻蚀好第一通孔40之后,再设置反射层30。而当第一通孔40贯穿衬底20和反射层30时,可以制作好反射层30之后在进行刻蚀,使得第一通孔40贯穿衬底20和反射层30;或者,也可以先在衬底20上刻蚀第一通孔40之后,然后制作反射层30,制作好反射层30之后再在反射层上刻蚀通孔,并使反射层30上的通孔与第一通孔40在垂直衬底所在平面的方向上重合。具体采用何种制作方式,可以根据实际制作需要灵活选择,本申请对此不做限定。
可选地,图12所示为本申请实施例所提供的发光单元11制作方法的一种流程图,请参考图2-图5和图12,发光单元11的制作方法包括:步骤001:制作第一型半导体111;步骤002:在第一型半导体111远离衬底20的表面的部分区域制作发光层112;步骤003:在发光层112远离第一型半导体111的表面制作第二型半导体113;步骤004:制作第一电极114,使第一电极114与第一型半导体111电连接,第一电极114接第一电压信号;步骤005:在第二型半导体113的远离发光层112的一侧制作第二电极115,使第二电极115覆盖第二型半导体113的至少部分区域;第二电极115与第二型半导体113电连接,并使第二电极115与驱动晶体管12的源极121或漏极122电连接。
具体地,请参考图2-图5和图12,制作发光单元11时,首先通过步骤001制作第一型半导体111;并通过步骤002在第一型半导体111的远离衬底20一侧的部分表面制作发光层112;然后通过步骤003在发光层112远离第一型半导体111的表面制作第二型半导体113,其中,第一型半导体111和第二型半导体113为极性相反的半导体,例如,第一型半导体111为N型半导体,第二型半导体113为P型半导体,或者,第一型半导体111为P型半导体,第二型半导体113为N型半导体,本申请对此不进行限定。
发光单元11还包括第一电极114和第二电极115,制作好第二型半导体113之后,通过步骤004制作第一电极114,使第一电极114与第一型半导体111电连接,且第一电极114接第一电压信号。通过步骤005在第二型半导体113的远离发光层112的一侧制作第二电极115,使第二电极115覆盖第二型半导体113的至少部分区域,且第二电极115分别与第二型半导体113和驱动晶体管12的源极121或漏极122电连接,通过第一电压信号与源极121或漏极122发送的信号之间的电压差驱动发光单元11发光。通常情况下,发光单元11四面发光,为了能够提高光利用率,本实施例中设置第二电极115覆盖第二型半导体113的远离衬底20一侧的至少部分表面,如此,当光线从远离衬底20的一侧出射时,会被第二电极115反射回来,使更多的光线从第一通孔40出射,进一步提高光利用率,从而能够进一步提高显示面板100的显示亮度。
需要说明的是,制作第二电极115时,第二电极115覆盖第二型半导体113,为了避免第二电极115与第一电极114接触,需要使第二电极115与第一电极114之间存在一定的距离,从而避免第一电极114与第二电极115之间短路造成无法显示的问题,确保显示面板100能够正常显示。
可选地,图13所示为本申请实施例所提供的发光单元11制作方法的另一种流程图,请参考图7、图8和图13,在第二型半导体113的远离发光层112的一侧制作第二电极115之前,发光单元11的制作方法还包括:步骤006:刻蚀第二型半导体113,使第二型半导体113远离发光层112的表面呈第一凹凸结构116。具体地,请参考图7、图8和图13,本实施例中在制作第二电极115之前,通过步骤006对第二型半导体113进行刻蚀,使第二型半导体113远离发光层112的表面呈第一凹凸结构116,如此,在第二型半导体113上制作的第二电极115与第二型半导体113接触的表面为与第一凹凸结构116相匹配的凹凸结构,本实施例中称其为第二凹凸结构117,当第二电极115和第二型半导体113之间相接触的表面为凹凸结构时,第二电极115和第二型半导体113各处的折射率不同,从而能够降低第二型半导体113与第二电极115之间的折射率差异,有效减小折射率急剧变化造成全反射的现象,从而能够增加出光效率,提高光利用率。
可选地,图14所示为本申请实施例所提供的显示面板100制作方法的另一种流程图,请参考图10和图14,显示面板100的制作方法还包括:步骤06:对反射层30远离衬底20的一侧表面进行阳极氧化处理,形成氧化层31。具体地,请参考图10和图14,在第一通孔40内填充色转换层41之后,还通过步骤06对反射层30进行阳极氧化处理,将反射层30置于相应电解液(如硫酸、铬酸、草酸等)中作为阳极,在特定条件和外加电流作用下,进行电解,阳极反射层30的表面上形成氧化薄层,氧化薄层中具有大量的微孔,该微孔吸附能力强可着色成各种颜色,从而能够将各种颜色的氧化层31作为显示面板100的背景,使得显示面板100用于多种应用场景。
基于同一发明构思,本申请还提供一种显示装置,图15所示为本申请实施例所提供的显示装置200的一种结构示意图,请参考图15,该显示装置200包括显示面板100,该显示面板100为本申请上述实施例所提供的任一显示面板100。需要说明的是,本申请所提供的显示装置200的实施例可参见上述显示面板100的实施例,相同之处不再赘述。本申请所提供的显示装置可以为:手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
通过以上各实施例可知,本申请存在的有益效果是:
本申请所提供的显示面板、其制作方法及显示装置,在衬底远离显示层的一侧设置反射层,实现对环境光线的反射,使得显示面板具有镜面显示功能。并在显示面板上设置第一通孔,并在第一通孔内填充色转换层,且第一通孔沿垂直于衬底所在平面的方向上贯穿衬底和反射层,且第一通孔在显示层所在平面上的正投影与发光单元在显示层所在平面上的正投影至少部分交叠,如此,发光单元发出的光线可通过第一通孔出射,使得光线可以从衬底侧发出,显示面板能够实现底发光,从而能够避免电极对发光单元出光率的影响,提高显示面板对光的利用率,使得显示面板既可以实现镜面显示,又能够实现图像显示功能。
上述说明示出并描述了本申请的若干优选实施例,但如前所述,应当理解本申请并非局限于本文所披露的形式,不应看作是对其他实施例的排除,而可用于各种其他组合、修改和环境,并能够在本文所述发明构想范围内,通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本申请的精神和范围,则都应在本申请所附权利要求的保护范围内。
Claims (15)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:显示层、衬底和反射层;所述衬底位于所述显示层和所述反射层之间;
所述显示层包括至少一个发光单元和至少一个驱动晶体管,所述发光单元和所述驱动晶体管的源极或漏极电连接;
所述显示面板还包括第一通孔,所述第一通孔沿垂直于所述衬底所在平面的方向至少贯穿所述衬底,所述第一通孔内设置有色转换层;所述第一通孔在所述显示层所在平面上的正投影与所述发光单元在所述显示层所在平面上的正投影至少部分交叠。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述第一通孔沿垂直于所述衬底所在平面的方向贯穿所述衬底和所述反射层。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述衬底为金属材料。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述发光单元为micro LED。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,
在垂直于所述衬底所在平面的方向上,所述发光单元包括第一型半导体、发光层、第二型半导体、第一电极和第二电极;其中,所述发光层位于所述第一型半导体远离所述衬底的一侧,所述第二型半导***于所述发光层远离所述衬底的一侧,所述第一电极与所述第一型半导体电连接,所述第二电极与所述第二型半导体电连接,且所述第二电极覆盖所述第二型半导体的远离所述衬底一侧的至少部分表面;所述第一电极接第一电压信号,所述第二电极与所述驱动晶体管的源极或漏极电连接。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,
所述第二型半导体朝向所述第二电极一侧的表面具有至少一个第一凹凸结构,所述第二电极朝向所述第二型半导体一侧的表面具有至少一个第二凹凸结构,所述第二凹凸结构与所述第一凹凸结构一一对应且相匹配。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:
第一玻璃基板和第二玻璃基板,所述第一玻璃基板位于所述显示层远离所述衬底的一侧,所述第二玻璃基板位于所述反射层远离所述显示层的一侧。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:
第一柔性衬底和第二柔性衬底,所述第一柔性衬底位于所述显示层远离所述衬底的一侧,所述第二柔性衬底位于所述反射层远离所述显示层的一侧;所述第二柔性衬底为透明材料。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述反射层的反射率大于等于85%。
10.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:
氧化层,所述氧化层位于所述反射层远离所述衬底的表面。
11.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
提供衬底;
在所述衬底的一侧制作显示层,所述显示层包括至少一个发光单元和至少一个驱动晶体管,所述发光单元和所述驱动晶体管的源极或漏极电连接;
在所述衬底远离所述显示层的一侧制作反射层;
设置第一通孔,所述第一通孔沿垂直于所述衬底所在平面的方向至少贯穿所述衬底;所述第一通孔在所述显示层所在平面上的正投影与所述发光单元在所述显示层所在平面上的正投影至少部分交叠;
在所述第一通孔内填充色转换层。
12.根据权利要求11所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述发光单元的制作方法包括:
制作第一型半导体;
在所述第一型半导体远离所述衬底的表面的部分区域制作发光层;
在所述发光层远离所述第一型半导体的表面制作第二型半导体;制作第一电极,使所述第一电极与所述第一型半导体电连接,所述第一电极接第一电压信号;
在所述第二型半导体的远离所述发光层的一侧制作第二电极,使所述第二电极覆盖所述第二型半导体的至少部分区域;所述第二电极与所述第二型半导体电连接,并使所述第二电极与所述驱动晶体管的源极或漏极电连接。
13.根据权利要求12所述的显示面板的制作方法,其特征在于,在所述第二型半导体的远离所述发光层的一侧制作第二电极之前,所述发光单元的制作方法还包括:
刻蚀所述第二型半导体,使所述第二型半导体远离所述发光层的表面呈第一凹凸结构。
14.根据权利要求11所述的显示面板的制作方法,其特征在于,还包括:
对所述反射层远离所述衬底的一侧表面进行阳极氧化处理,形成氧化层。
15.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-10之任一所述的显示面板。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112750854A (zh) * | 2021-02-04 | 2021-05-04 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN113991002A (zh) * | 2021-10-29 | 2022-01-28 | 武汉京东方光电科技有限公司 | 一种显示面板、显示装置 |
CN114420817A (zh) * | 2022-01-20 | 2022-04-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光器件及其制备方法、显示面板 |
WO2024016441A1 (zh) * | 2022-07-19 | 2024-01-25 | 闻泰通讯股份有限公司 | 显示装置和显示装置的制作方法 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104103661A (zh) * | 2013-04-09 | 2014-10-15 | 三星显示有限公司 | 具有镜面功能的有机发光显示装置 |
KR20140135355A (ko) * | 2013-05-16 | 2014-11-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
KR20160001311A (ko) * | 2014-06-27 | 2016-01-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 패널 |
WO2017081575A1 (en) * | 2015-11-11 | 2017-05-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
CN207503983U (zh) * | 2017-10-26 | 2018-06-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板和显示面板 |
US20190172886A1 (en) * | 2017-12-01 | 2019-06-06 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Oled Display Panel, Method For Manufacturing The Same And Display Device |
CN110299085A (zh) * | 2019-06-28 | 2019-10-01 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN110504387A (zh) * | 2019-08-30 | 2019-11-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制作方法和显示装置 |
US20190393292A1 (en) * | 2017-04-06 | 2019-12-26 | HKC Corporation Limited | Display panel and method for manufacturing the same |
CN110828695A (zh) * | 2019-11-19 | 2020-02-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 镜面阵列基板及其制备方法、镜面显示面板和显示装置 |
CN110838559A (zh) * | 2019-11-26 | 2020-02-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置、显示面板及其制造方法 |
CN110838509A (zh) * | 2019-11-20 | 2020-02-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
-
2020
- 2020-04-30 CN CN202010366458.4A patent/CN111416064B/zh active Active
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104103661A (zh) * | 2013-04-09 | 2014-10-15 | 三星显示有限公司 | 具有镜面功能的有机发光显示装置 |
KR20140135355A (ko) * | 2013-05-16 | 2014-11-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
KR20160001311A (ko) * | 2014-06-27 | 2016-01-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 패널 |
WO2017081575A1 (en) * | 2015-11-11 | 2017-05-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
US20190393292A1 (en) * | 2017-04-06 | 2019-12-26 | HKC Corporation Limited | Display panel and method for manufacturing the same |
CN207503983U (zh) * | 2017-10-26 | 2018-06-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板和显示面板 |
US20190172886A1 (en) * | 2017-12-01 | 2019-06-06 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Oled Display Panel, Method For Manufacturing The Same And Display Device |
CN110299085A (zh) * | 2019-06-28 | 2019-10-01 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN110504387A (zh) * | 2019-08-30 | 2019-11-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制作方法和显示装置 |
CN110828695A (zh) * | 2019-11-19 | 2020-02-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 镜面阵列基板及其制备方法、镜面显示面板和显示装置 |
CN110838509A (zh) * | 2019-11-20 | 2020-02-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
CN110838559A (zh) * | 2019-11-26 | 2020-02-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置、显示面板及其制造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112750854A (zh) * | 2021-02-04 | 2021-05-04 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN113991002A (zh) * | 2021-10-29 | 2022-01-28 | 武汉京东方光电科技有限公司 | 一种显示面板、显示装置 |
CN114420817A (zh) * | 2022-01-20 | 2022-04-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光器件及其制备方法、显示面板 |
WO2024016441A1 (zh) * | 2022-07-19 | 2024-01-25 | 闻泰通讯股份有限公司 | 显示装置和显示装置的制作方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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CN111416064B (zh) | 2022-12-06 |
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