CN111394730B - 蚀刻液再生装置及蚀刻液再生方法 - Google Patents

蚀刻液再生装置及蚀刻液再生方法 Download PDF

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Abstract

本申请提出了一种蚀刻液再生装置及蚀刻液再生方法。该蚀刻液再生装置包括：第一存储容器、第二存储容器、第三存储容器、第四存储容器、及位于第一存储容器和第四存储容器之间的再生容器其中，第一存储容器用于存储蚀刻废液，第二存储容器用于存储解吸液，第三存储容器用于存储解吸废液，第四存储容器用于存储再生的蚀刻液，再生容器用于蚀刻废液的再生。第一存储容器、第二存储容器、第三存储容器、第四存储容器通过管道与再生容器选择性相连通。本申请通过再生容器的设置，吸附蚀刻废液中的铜离子，实现了蚀刻液的再生，提高了蚀刻液的使用效率，减少了蚀刻液再生过程中有机溶剂的使用，减轻了对环境造成的污染。

Description

蚀刻液再生装置及蚀刻液再生方法
技术领域
本申请涉及显示领域，尤其涉及一种蚀刻液再生装置及蚀刻液再生方法。
背景技术
随着人们对显示装置的需求量的与日俱增，显示装置的生产量也越来越大，随之而来的是显示装置的制造工艺中所需的蚀刻液的使用量的增加。
现有的蚀刻液处理再生装置，由于主要采取液液萃取的方式，存在萃取耗时长、使用大量有机溶剂易造成环境污染的问题。
因此，亟需一种新的蚀刻液再生装置及蚀刻液再生方法以解决上述技术问题。
发明内容
本申请提供了一种蚀刻液再生装置及蚀刻液再生方法，用于解决现有的蚀刻液再生装置存在萃取蚀刻废液中的铜离子耗时长且使用大量有机溶剂易造成环境污染的问题。
为了解决上述技术问题，本申请提供的技术方案如下：
本申请提出了一种蚀刻液再生装置，包括第一存储容器、第二存储容器、第三存储容器、第四存储容器、及位于所述第一存储容器和所述第四存储容器之间的再生容器；
其中，所述第一存储容器用于存储蚀刻废液；
所述第二存储容器用于存储解吸液；
所述第三存储容器用于存储解吸废液；
所述第四存储容器用于存储再生的蚀刻液；
所述再生容器用于所述蚀刻废液的再生；
所述第一存储容器、第二存储容器、第三存储容器、第四存储容器通过管道与所述再生容器选择性相连通。
本申请提供的蚀刻液再生装置中，所述管道包括位于所述第一存储容器与所述再生容器之间第一管道、位于所述第二存储容器与所述再生容器之间的第二管道、位于所述第三存储容器与所述再生容器之间的第三管道、及位于所述第四存储容器与所述再生容器之间的第四管道。
本申请提供的蚀刻液再生装置中，所述第一管道、所述第二管道、所述第三管道、及所述第四管道相互独立设置；或者
所述第一管道与所述第二管道靠近所述再生容器的一侧一体设置和/或所述第三管道与所述第四管道靠近所述再生容器的一侧一体设置。
本申请提供的蚀刻液再生装置中，所述管道还包括位于所述第一管道上靠近所述第一存储容器一侧的第一阀门、位于所述第二管道上靠近所述第二存储容器一侧的第二阀门、位于所述第三管道上靠近所述第三存储容器一侧的第三阀门、及位于所述第四管道上靠近所述第四存储容器一侧的第四阀门。
本申请提供的蚀刻液再生装置中，所述蚀刻液再生装置与蚀刻装置相连。
本申请提供的蚀刻液再生装置中，所述再生容器包括至少一填充柱；
所述填充柱的固定相的材料为硅基/金属-有机框架化合物的复合材料。
本申请提供的蚀刻液再生装置中，所述解吸液至少包括稀硝酸。
本申请还提供了一种蚀刻液再生方法，包括S1、开启第一阀门以及第四阀门使来自第一存储容器的蚀刻废液经过再生容器再生成蚀刻液进入第四存储容器；
S2、关闭所述第一阀门以及所述第四阀门；
S3、开启第二阀门以及第三阀门使来自第二存储容器的解吸液经过所述再生容器带出所述再生容器中的铜离子进入第三存储容器；
其中，所述再生容器至少包括一填充柱。
本申请提供的蚀刻液再生方法中，所述填充柱的固定相通过匀浆法填入所述填充柱中。
本申请提供的蚀刻液再生方法中，所述固定相的材料的制备方法包括：
经第一反应合成二氧化硅；
合成的所述二氧化硅与铜离子经第二反应形成二氧化硅/氢氧化铜的第一复合物；
所述第一复合物经第三反应形成二氧化硅/金属有机框架化合物的第二复合物；
所述第二复合物经第四反应形成氨基和羧基修饰的二氧化硅/金属有机框架化合物的第三复合物。
有益效果：本申请通过再生容器的设置，吸附蚀刻废液中的铜离子，实现了蚀刻液的再生，提高了蚀刻液的使用效率，减少了蚀刻液再生过程中有机溶剂的使用，减轻了对环境造成的污染。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请的蚀刻液再生装置的第一种结构示意图。
图2为本申请的蚀刻液再生装置的第二种结构示意图。
图3为本申请的蚀刻液再生装置的第三种结构示意图。
图4为本申请的蚀刻液再生方法的流程图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
现有的蚀刻液再生装置中，由于采用液-液萃取的方式，存在萃取耗时长且使用大量有机溶剂的问题，易造成环境污染。基于此，本申请提出了一种蚀刻液再生装置及蚀刻液再生方法。
请参阅图1～3，所述蚀刻液再生装置100包括第一存储容器101、第二存储容器102、第三存储容器103、第四存储容器104、及位于所述第一存储容器101和所述第四存储容器104之间的再生容器105。
其中，所述第一存储容器101用于存储蚀刻废液。
所述第二存储容器102用于存储解吸液。
所述第三存储容器103用于存储解吸废液。
所述第四存储容器104用于存储再生的蚀刻液。
所述再生容器105用于所述蚀刻废液的再生。
所述第一存储容器101、所述第二存储容器102、所述第三存储容器103、所述第四存储容器104通过管道与所述再生容器105选择性相连通。
本实施例中，所述解吸废液可通过铁粉置换或通过电化学沉积的方法回收其中的铜元素，有利于避免所述解吸废液造成重金属污染问题。
本申请通过再生容器105的设置，吸附蚀刻废液中的铜离子，实现了蚀刻液的再生，提高了蚀刻液的使用效率，减少了蚀刻液再生过程中有机溶剂的使用，减轻了对环境造成的污染。
请参阅图1～3，所述再生容器105包括至少一填充柱117。
所述填充柱117的固定相的材料为硅基/金属-有机框架化合物的复合材料。
本实施例中，所述填充柱117可以为一个也可以为多个。当所述填充柱117为多个时，多个所述填充柱117可以并联在所述蚀刻液再生装置100中，有利于加速所述再生容器105对所述蚀刻废液的处理；多个所述填充柱117也可以串联在所述蚀刻液再生装置100中，有利于提高所述再生容器105对所述蚀刻废液中铜离子的吸附效率。
本实施例中，所述填充柱117的内径和长度根据处理的所述蚀刻废液的总量、所需的处理速度等因素决定。
本实施例中，所述固定相的材料可以为氨基和羧基修饰的二氧化硅/金属有机框架化合物。
本实施例中，所述固定相的材料可以为SiO2@HKUST-1@L-Cys材料。
请参阅图1～3，所述解吸液至少包括稀硝酸。
发明人通过相同浓度的多种酸类，包括稀盐酸、稀硫酸、稀硝酸及稀硝酸与乙二胺四乙酸的混合物等，对吸附了相同量铜离子的所述固定相的材料进行解吸，结果发现稀硝酸及稀硝酸与乙二胺四乙酸的混合物的解吸率均大于98％，能实现完全解吸。
现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
实施例一
请参阅图1，所述管道包括位于所述第一存储容器101与所述再生容器105之间第一管道106、位于所述第二存储容器102与所述再生容器105之间的第二管道107、位于所述第三存储容器103与所述再生容器105之间的第三管道108、及位于所述第四存储容器104与所述再生容器105之间的第四管道109。
本实施例中，所述第一管道106与所述第二管道107靠近所述再生容器105的一侧一体设置和/或所述第三管道108与所述第四管道109靠近所述再生容器105的一侧一体设置。
本实施例中，所述管道可以还包括位于所述第一管道106上靠近所述第一存储容器101一侧的第一阀门110、位于所述第二管道107上靠近所述第二存储容器102一侧的第二阀门111、位于所述第三管道108上靠近所述第三存储容器103一侧的第三阀门112、及位于所述第四管道109上靠近所述第四存储容器104一侧的第四阀门113。
本实施例中的所述第一阀门110、所述第二阀门111、所述第三阀门112、及所述第四阀门113分别用于控制所述第一存储容器101、所述第二存储容器102、所述第三存储容器103、所述第四存储容器104与所述再生容器105之间的连通和关闭。
本实施例中，所述管道还可以包括位于所述第一管道与所述第二管道107非一体设置与一体设置交接处的第五阀门以及位于所述第三管道108与所述第四管道109非一体设置与一体设置交接处的第六阀门。
本实施例中，所述第五阀门以及所述第六阀门为多向阀门。
例如，当所述第一存储容器101和所述再生容器105相连通时，所述第五阀门断开所述第二管道107靠近所述第二存储容器102的一侧与所述第二管道107靠近所述再生容器105的一侧的连通，保持所述第一管道106靠近所述第一存储容器101的一侧与所述第一管道106靠近所述再生容器105的一侧的连通。
当所述第三存储容器103和所述再生容器105相连通时，所述第六阀门断开所述第四管道109靠近所述第四存储容器104的一侧与所述第四管道109靠近所述再生容器105的一侧的连通，保持所述第三管道108靠近所述第三存储容器103的一侧与所述第三管道靠近所述再生容器105的一侧的连通。
本实施例通过位于所述管道上的各个阀门，控制了所述第一存储容器101、所述第二存储容器102、所述第三存储容器103、所述第四存储容器104与所述再生容器105之间的连通和关闭，有利于防止各个存储容器中储存的溶液的混合，避免所述蚀刻液再生装置100的蚀刻液再生效率因为各个存储容器中储存的溶液的混合降低。
实施例二
请参阅图2，本实施例与实施例一相同或相似，不同之处在于：
本实施例中，所述第一管道106、所述第二管道107、所述第三管道108、及所述第四管道109相互独立设置。
本实施例中，所述第一阀门110、所述第二阀门111、所述第三阀门112、及所述第四阀门113可以分别位于所述第一管道106、所述第二管道107、所述第三管道108、及所述第四管道109上的任意位置。
本实施例通过独立设置的所述第一管道106、所述第二管道107、所述第三管道、及所述第四管道109，有利于避免当所述第一管道106与所述第二管道107靠近所述再生容器105的一侧一体设置和/或所述第三管道108与所述第四管道靠近所述再生容器105的一侧一体设置时，由于所述第一管道106与所述第二管道107和/或所述第三管道108与所述第四管道109一体设置的部分可能存在溶液混合，导致的所述蚀刻液再生装置100的蚀刻液再生效率的降低。
实施例三
请参阅图3，所述蚀刻液再生装置100与蚀刻装置114相连。
本实施例中，所述管道可以还包括位于所述第一存储容器101和所述蚀刻装置靠近所述第一存储容器101一侧的第五管道115、及位于所述第四存储容器104和所述蚀刻装置114靠近所述第四存储容器104一侧的第六管道116。
本实施例中，所述蚀刻液再生装置100通过所述第五管道115以及所述第六管道116与所述蚀刻装置114相连通。
本实施例中，所述第五管道115可以包括第七阀门和/或所述第六管道可以包括第八阀门，用于控制所述蚀刻再生装置100与所述蚀刻装置114选择性相连通。
本实施例通过将所述蚀刻液再生装置100与所述蚀刻装置114相连，有利于所述蚀刻装置114产生的蚀刻废液通过所述蚀刻液再生装置100及时处理，也有利于再生成的所述蚀刻液及时输送至所述蚀刻装置114进行循环利用。
上述各实施例中，所述蚀刻液再生装置100还可以包括压力泵，所述压力泵加速所述第一存储容器101、所述第二存储容器102中的溶液的流出并进入所述再生容器105，及加速溶液从所述再生容器105流出并进入所述第三存储容器103、所述第四存储容器104，有利于提高所述再生装置100对蚀刻液再生的速度。
上述实施例中，所述蚀刻液再生装置100还可以包括监测探头，用于对各存储容器、所述再生容器105、及所述管道进行实时监测，有利于及时发现并处理所述蚀刻液再生装置100的异常情况，避免所述蚀刻液再生装置100的损坏。
上述实施例均通过所述再生容器105的设置，吸附蚀刻废液中的铜离子，实现了蚀刻液的再生，提高了蚀刻液的使用效率，减少了蚀刻液再生过程中有机溶剂的使用，减轻了对环境造成的污染。
请参阅图1～4，本申请还提出了一种蚀刻液再生方法，包括：
S1、开启第一阀门110以及第四阀门113使来自第一存储容器101的蚀刻废液经过再生容器105再生成蚀刻液进入第四存储容器104；
S2、关闭所述第一阀门110以及所述第四阀门113；
S3、开启第二阀门111以及第三阀门112使来自第二存储容器102的解吸液经过所述再生容器105带出所述再生容器105中的铜离子进入第三存储容器103；
其中，所述再生容器105至少包括一填充柱117。
本申请通过再生容器105的设置，吸附蚀刻废液中的铜离子，实现了蚀刻液的再生，提高了蚀刻液的使用效率，减少了蚀刻液再生过程中有机溶剂的使用，减轻了对环境造成的污染。
现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
实施例四
请参阅图1～4，本实施例中，所述填充柱117的固定相通过匀浆法填入所述填充柱117中。
本实施例中，所述固定相填充入所述填充柱117的方法包括：
在所述填充柱117的出口处填入填充材料。
本实施例中，所述填充材料可以为硅烷化的玻璃棉。
本实施例中，所述填充材料的作用为防止填充过程中及填充完成后所述固定相从所述填充柱117中大量漏出。
所述填充柱117的入口与填料池的一端出口相连。
本实施例中，所述固定相的材料在所述填料池中分散于第一溶剂中。
所述第一溶剂可以为乙醇。
从所述填料池的另一端出口通入第一气体将分散于所述第一溶剂中的所述固定相的材料压入所述填充柱。
本实施例中，所述第一气体可以为氮气也可以为空气等不与所述第一溶剂及所述固定相的材料反应的其他气体。
本实施例中，所述第一溶剂进入所述填充柱117后通过所述填充材料滤出，所述固定相的材料停留在所述填充柱117内形成所述固定相。
本实施例中，可以通过敲击所述填充柱117的柱身使所述固定相的材料在所述填充柱117内的填充更均匀。
在所述填充柱117的入口处填入所述填充材料。
本实施例中，所述固定相的材料的制备方法包括：
经第一反应合成二氧化硅。
本实施例中，将第二溶液加入至第一溶液中经所述第一反应后离心得到二氧化硅。
本实施例中，所述第一溶液可以为浓氨水与乙醇、去离子水的混合溶液，所述第二溶液可以为正硅酸乙酯的乙醇溶液。
本实施例中，所述第一反应可以在20～30℃，优选为25℃下进行。
本实施例中，离心采用的转速优选为8000转/分钟～10000转/分钟。
合成的所述二氧化硅与铜离子经第二反应形成二氧化硅/氢氧化铜的第一复合物。
本实施例中，所述第一复合物可以通过所述二氧化硅与铜离子的共沉淀法制备。
所述第一复合物经第三反应形成二氧化硅/金属有机框架化合物的第二复合物。
本实施例中，所述第一复合物分散于去离子水中形成第一混合物；
不断搅拌下向所述第一混合物中滴加第三溶液得到第二混合物；
所述第二混合物第一反应温度下搅拌第一反应时间后经去离子水和乙醇清洗后烘干获得所述第二复合物。
本实施例中，所述第一反应温度可以为20～30℃，优选为25℃。
所述第一反应时间可以为10～14小时，优选为12小时。
本实施例中，所述第三溶液可以为均苯三甲酸的乙醇溶液。
所述第二复合物经第四反应形成氨基和羧基修饰的二氧化硅/金属有机框架化合物的第三复合物。
本实施例中，所述第二复合物超声分散于乙醇中获得第三混合物；
所述第三混合物在搅拌下加入与所述第二复合物等质量的L-半胱氨酸得到第四混合物；
所述第四混合物在第二反应温度下搅拌第二反应时间后经去离子水和乙醇清洗后烘干获得所述第三复合物。
本实施例中，所述第三复合物可以为氨基和羧基修饰的二氧化硅/金属有机框架化合物的复合物。
其中，氨基和羧基的含量范围为1.2～2.4mmol/g，优选为1.5～2.0mmol/g。当氨基和羧基的含量少于1.2mmol/g时，所述第三复合物中氨基和羧基的含量过少，不利于所述第三复合物对铜离子的吸附；当氨基和羧基的含量多于2.4mmol/g时，随所述第三复合物中氨基和羧基的含量的进一步增加，所述第三复合物对铜离子的吸附作用的提升程度有限，进一步提升所述第三复合物中氨基和羧基的含量起到进一步增强所述第三复合物对铜离子的吸附效果的作用有限；当所述第三复合物中所述第三复合物中氨基和羧基的含量为1.5～2.0mmol/g时，即能实现所述第三复合物对铜离子的有效吸附。
本实施例中，所述第三复合物可以为SiO2@HKUST-1@L-Cys。
当所述固定相的材料为SiO2@HKUST-1@L-Cys时，发明人将一定体积的含铜的所述蚀刻废液通入所述填充柱117中，再将解吸液通入所述填充柱117中进行解吸，所述解吸液通入所述填充柱117的流速不超过含铜的所述蚀刻废液通入所述填充柱117的流速，经检测表明对铜离子的回收率大于95％。
发明人将所述固定相的材料使用强酸或强碱的浸泡一段时间后、或使用高温烘烤一段时间后，进行铜离子的吸附和解吸附实验，结果表明对铜离子的回收率大于95％。
发明人对所述固定相的材料进行反复吸附和解吸实验，材料在重复吸附解吸10次后对铜离子的回收率应依然大于95％，说明所述固定相的材料有优异的稳定性，可以再生重复使用，节省成本。
发明人进行的关于吸附与解吸时间的实验表明，所述固定相的材料较快的吸附-解吸动力学，有利于加速所述蚀刻液再生的速度。
发明人通过所述固定相的材料在不同pH条件下对于铜离子的吸附和解吸实验表明，当pH在中性条件下，即pH值为7时，所述固定相的材料的吸附容量达到最大，且对铜离子的去除效率达到最大。
本实施例通过在所述再生容器中所述填充柱117的设置，及所述填充柱117的所述固定相的填充，使得蚀刻废液中的铜离子能通过固相萃取的方式去除，减少了蚀刻液再生过程中的有机溶剂的使用，减轻了对环境造成的污染。
上述各实施例均通过所述再生容器105的设置，吸附蚀刻废液中的铜离子，实现了蚀刻液的再生，提高了蚀刻液的使用效率，减少了蚀刻液再生过程中有机溶剂的使用，减轻了对环境造成的污染。
本申请提出了一种蚀刻液再生装置及蚀刻液再生方法。该蚀刻液再生装置包括：第一存储容器、第二存储容器、第三存储容器、第四存储容器、及位于第一存储容器和第四存储容器之间的再生容器其中，第一存储容器用于存储蚀刻废液，第二存储容器用于存储解吸液，第三存储容器用于存储解吸废液，第四存储容器用于存储再生的蚀刻液，再生容器用于所述蚀刻废液的再生。第一存储容器、第二存储容器、第三存储容器、第四存储容器通过管道与再生容器选择性相连通。本申请通过再生容器的设置，吸附蚀刻废液中的铜离子，实现了蚀刻液的再生，提高了蚀刻液的使用效率，减少了蚀刻液再生过程中有机溶剂的使用，减轻了对环境造成的污染。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种蚀刻液再生装置及蚀刻液再生方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (8)

1.一种蚀刻液再生装置，其特征在于，包括第一存储容器、第二存储容器、第三存储容器、第四存储容器、及位于所述第一存储容器和所述第四存储容器之间的再生容器；
其中，所述第一存储容器用于存储蚀刻废液；
所述第二存储容器用于存储解吸液；
所述第三存储容器用于存储解吸废液；
所述第四存储容器用于存储再生的蚀刻液；
所述再生容器用于所述蚀刻废液的再生，所述再生容器包括至少一填充柱；
所述填充柱的固定相的材料为氨基和羧基修饰的二氧化硅/金属有机框架化合物，其中所述氨基和羧基的含量范围为介于1.2mmol/g与2.4mmol/g之间；
所述第一存储容器、所述第二存储容器、所述第三存储容器、所述第四存储容器通过管道与所述再生容器选择性相连通。
2.根据权利要求1所述的蚀刻液再生装置，其特征在于，
所述管道包括位于所述第一存储容器与所述再生容器之间第一管道、位于所述第二存储容器与所述再生容器之间的第二管道、位于所述第三存储容器与所述再生容器之间的第三管道、及位于所述第四存储容器与所述再生容器之间的第四管道。
3.根据权利要求2所述的蚀刻液再生装置，其特征在于，
所述第一管道、所述第二管道、所述第三管道、及所述第四管道相互独立设置；或者
所述第一管道与所述第二管道靠近所述再生容器的一侧一体设置和/或所述第三管道与所述第四管道靠近所述再生容器的一侧一体设置。
4.根据权利要求3所述的蚀刻液再生装置，其特征在于，
所述管道还包括位于所述第一管道上靠近所述第一存储容器一侧的第一阀门、位于所述第二管道上靠近所述第二存储容器一侧的第二阀门、位于所述第三管道上靠近所述第三存储容器一侧的第三阀门、及位于所述第四管道上靠近所述第四存储容器一侧的第四阀门。
5.根据权利要求1所述的蚀刻液再生装置，其特征在于，
所述蚀刻液再生装置与蚀刻装置相连。
6.根据权利要求1所述的蚀刻液再生装置，其特征在于，
所述解吸液至少包括稀硝酸。
7.一种蚀刻液再生方法，其特征在于，包括
S1、开启第一阀门以及第四阀门使来自第一存储容器的蚀刻废液经过再生容器再生成蚀刻液进入第四存储容器；
S2、关闭所述第一阀门以及所述第四阀门；
S3、开启第二阀门以及第三阀门使来自第二存储容器的解吸液经过所述再生容器带出所述再生容器中的铜离子进入第三存储容器；
其中，所述再生容器至少包括一填充柱，所述填充柱的固定相材料的制备方法包括：
经第一反应合成二氧化硅；
合成的所述二氧化硅与铜离子经第二反应形成二氧化硅/氢氧化铜的第一复合物；
所述第一复合物经第三反应形成二氧化硅/金属有机框架化合物的第二复合物；
所述第二复合物经第四反应形成氨基和羧基修饰的二氧化硅/金属有机框架化合物的第三复合物，其中所述氨基和羧基的含量范围为介于1.2mmol/g与2.4mmol/g之间。
8.根据权利要求7所述的蚀刻液再生方法，其特征在于，
所述填充柱的固定相通过匀浆法填入所述填充柱中。
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