CN111384278B - 一种量子点发光二极管及其制备方法 - Google Patents
一种量子点发光二极管及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111384278B CN111384278B CN201811647285.2A CN201811647285A CN111384278B CN 111384278 B CN111384278 B CN 111384278B CN 201811647285 A CN201811647285 A CN 201811647285A CN 111384278 B CN111384278 B CN 111384278B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- quantum dot
- dot light
- layer
- emitting diode
- transport layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims abstract description 124
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 112
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims abstract description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 55
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims abstract description 43
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 30
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 claims abstract description 24
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 11
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 150000001733 carboxylic acid esters Chemical class 0.000 claims description 24
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 14
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims description 7
- QPJVMBTYPHYUOC-UHFFFAOYSA-N methyl benzoate Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC=C1 QPJVMBTYPHYUOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ANISOHQJBAQUQP-UHFFFAOYSA-N octyl prop-2-enoate Chemical compound CCCCCCCCOC(=O)C=C ANISOHQJBAQUQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 4
- IPBVNPXQWQGGJP-UHFFFAOYSA-N acetic acid phenyl ester Natural products CC(=O)OC1=CC=CC=C1 IPBVNPXQWQGGJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229940095102 methyl benzoate Drugs 0.000 claims description 3
- 229940065472 octyl acrylate Drugs 0.000 claims description 3
- 229940049953 phenylacetate Drugs 0.000 claims description 3
- WLJVXDMOQOGPHL-UHFFFAOYSA-N phenylacetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=CC=C1 WLJVXDMOQOGPHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229940043232 butyl acetate Drugs 0.000 claims 2
- 229940093499 ethyl acetate Drugs 0.000 claims 2
- NUKZAGXMHTUAFE-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid methyl ester Natural products CCCCCC(=O)OC NUKZAGXMHTUAFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 28
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 23
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 23
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 23
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 abstract description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 14
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 11
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 11
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 abstract description 10
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 abstract description 4
- 125000003262 carboxylic acid ester group Chemical class [H]C([H])([*:2])OC(=O)C([H])([H])[*:1] 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 127
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 34
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 15
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 15
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 description 15
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 13
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- -1 transition metal chalcogenide compounds Chemical class 0.000 description 10
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 7
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 5
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 4
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 4
- 229910021649 silver-doped titanium dioxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 3
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 3
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 2
- 229910019923 CrOx Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910015711 MoOx Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003185 MoSx Inorganic materials 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910005855 NiOx Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 2
- ATGUVEKSASEFFO-UHFFFAOYSA-N p-aminodiphenylamine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1NC1=CC=CC=C1 ATGUVEKSASEFFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIJSIIFAIYLAQW-UHFFFAOYSA-N 1-tert-butyl-9h-fluorene Chemical compound C12=CC=CC=C2CC2=C1C=CC=C2C(C)(C)C SIJSIIFAIYLAQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RKVIAZWOECXCCM-UHFFFAOYSA-N 2-carbazol-9-yl-n,n-diphenylaniline Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C(=CC=CC=1)N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21)C1=CC=CC=C1 RKVIAZWOECXCCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LOIBXBUXWRVJCF-UHFFFAOYSA-N 4-(4-aminophenyl)-3-phenylaniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1C1=CC=CC=C1 LOIBXBUXWRVJCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGDCSNDMFFFSHY-UHFFFAOYSA-N 4-butyl-n,n-diphenylaniline Polymers C1=CC(CCCC)=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 LGDCSNDMFFFSHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZPHQFGUXWQWWAA-UHFFFAOYSA-N 9-(2-phenylphenyl)carbazole Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 ZPHQFGUXWQWWAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003184 C60 fullerene group Chemical group 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001417 caesium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010931 ester hydrolysis Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- ZTLUNQYQSIQSFK-UHFFFAOYSA-N n-[4-(4-aminophenyl)phenyl]naphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C(C=C1)=CC=C1NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 ZTLUNQYQSIQSFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 125000000913 palmityl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920000141 poly(maleic anhydride) Polymers 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/50—Organic perovskites; Hybrid organic-inorganic perovskites [HOIP], e.g. CH3NH3PbI3
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
- H10K50/165—Electron transporting layers comprising dopants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法,所述制备方法包括步骤:提供溶液,所述溶液包括氧化锌纳米颗粒和羧酸酯;提供阳极基板,将所述溶液沉积在阳极基板上加热,制备得到电子传输层;或者,提供阴极基板,将所述溶液沉积在所述阴极基板上加热,制备得到电子传输层。本发明中,通过溶液法在氧化锌纳米颗粒作为电子传输材料制备电子传输层的过程中加入羧酸酯,羧酸酯可以以物理吸附的方式存在于制备得到的所述电子传输层中,当水氧侵入时,可以缓慢地吸收水氧,并与水气反应,减缓水氧对于量子点发光层以及空穴传输层的侵蚀,有效地提升器件的工作寿命。
Description
技术领域
本发明涉及量子点发光器件领域,尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。
背景技术
半导体量子点(Quantum dots)具备发光波长可调(仅通过调整纳米半导体尺寸即可覆盖从可见光到近红外的波长范围)、亮度高(量子产率超过90%)、色彩纯正(发光峰半高宽小于30nm)等优良特点,通过制备p-i-n结构的器件,可以获得高外量子效率和低驱动电压的量子点发光二极管(Quantum-dot Light Emitting Diode,QLED),当前QLED的色域值已经超越传统的LCD和有机发光二极管,是未来显示行业重要的发展技术。
不同于当前主流的通过蒸镀方式获得的有机发光二极管,QLED可通过旋涂、印刷、涂布、喷墨打印等溶液方法制备,大大降低了制备工艺的复杂程度和制备成本,有利于将来大规模工业化推广。经过了将近25年的发展,量子点的外量子效率已经由0.01%提升至超过25%,量子点发光二极管(QLED)已经相当接近或超越了有机发光二极管的器件效率。
然而,尽管量子点器件拥有上述的优势,目前QLED的工作寿命仍未满足工业化的要求。在QLED器件工作过程中,往往无法完全避免水氧的侵入,水氧对量子点发光层以及空穴传输层侵蚀,从而降低器件的工作寿命。因此,现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种量子点发光二极管及其制备方法,旨在解决量子点发光二极管工作过程中,无法完全避免水氧的侵入,导致降低器件工作寿命的问题。
本发明的技术方案如下:
一种量子点发光二极管的制备方法,其中,包括步骤:
提供溶液,所述溶液包括氧化锌纳米颗粒和羧酸酯;
提供阳极基板,将所述溶液沉积在所述阳极基板上加热,制备得到电子传输层;
或者,
提供阴极基板,将所述溶液沉积在所述阴极基板上加热,制备得到电子传输层。
一种量子点发光二极管,包括:阳极、阴极、设置在所述阳极和阴极之间的量子点发光层、设置在所述阴极和量子点发光层之间的电子传输层,其中,所述电子传输层材料包括氧化锌纳米颗粒和分散在氧化锌纳米颗粒之间的羧酸酯。
有益效果:本发明中,通过溶液法在氧化锌纳米颗粒作为电子传输材料制备电子传输层的过程中加入羧酸酯,羧酸酯分散在制备得到的所述电子传输层中,当水氧侵入时,可以缓慢地吸收水氧,并与水气反应,减缓水氧对于量子点发光层以及空穴传输层的侵蚀,有效地提升器件的工作寿命。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种量子点发光二极管的制备方法的流程示意图。
图2为本发明另一实施例提供的一种量子点发光二极管的制备方法的流程示意图。
图3为本发明一些具体的实施方式中提供的一种量子点发光二极管的制备方法的流程示意图。
图4为本发明另一些具体的实施方式中提供的一种量子点发光二极管的制备方法的流程示意图。
图5为本发明实施例中提供的一种量子点发光二极管的结构示意图。
具体实施方式
本发明提供一种量子点发光二极管及其制备方法,为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确,以下对本发明进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
请参阅图1,图1为本发明实施例提供的一种量子点发光二极管的制备方法的流程示意图,如图所示,其包括步骤:
S11、提供溶液,所述溶液包括氧化锌纳米颗粒和羧酸酯;
S12、提供阳极基板,将所述溶液沉积在所述阳极基板上加热,制备得到电子传输层。
请参阅图2,图2为本发明另一实施例提供的一种量子点发光二极管的制备方法的流程示意图,如图所示,其包括步骤:
S21、提供溶液,所述溶液包括氧化锌纳米颗粒和羧酸酯;
S22、提供阴极基板,将所述溶液沉积在所述阴极基板上加热,制备得到电子传输层。
一些具体的实施中,通过溶液法在氧化锌纳米颗粒作为电子传输材料制备电子传输层的过程中加入羧酸酯,羧酸酯分散在制备得到的所述电子传输层中,当水氧侵入时,可以缓慢地吸收水氧,并与水气反应,减缓水氧对于量子点发光层以及空穴传输层的侵蚀,有效地提升器件的工作寿命。
具体的,量子点发光二极管分正置结构和倒置结构。正置结构包括层叠设置的阳极、阴极和设置在阳极和阴极之间的量子点发光层,正置结构的阳极设置在衬底上,在阳极和量子点发光层之间还可以设置空穴传输层、空穴注入层和电子阻挡层等空穴功能层,在阴极和量子点发光层之间还可以设置电子传输层、电子注入层和空穴阻挡层等电子功能层。倒置结构包括层叠设置的阳极、阴极和设置在阳极和阴极之间的量子点发光层,倒置结构的阴极设置在衬底上,在阳极和量子点发光层之间还可以设置空穴传输层、空穴注入层和电子阻挡层等空穴功能层,在阴极和量子点发光层之间还可以设置电子传输层、电子注入层和空穴阻挡层等电子功能层。
对于正置结构而言,设置在衬底上的底电极为阳极,在本发明的一些实施方式中,所述阳极基板可以包括衬底、层叠设置在衬底表面的底电极、和层叠设置在底电极表面的量子点发光层;在本发明的另一些实施方式中,所述阳极基板可以包括衬底、层叠设置在衬底表面的底电极、层叠设置在底电极表面的空穴传输层和层叠设置在空穴传输层表面的量子点发光层;在本发明的又一些实施方式中,所述阳极基板可以包括衬底、层叠设置在衬底表面的底电极、层叠设置在底电极表面的空穴注入层、层叠设置在空穴注入层表面的空穴传输层和层叠设置在空穴传输层表面的量子点发光层;在本发明的又一些实施方式中,所述阳极基板可以包括衬底、层叠设置在衬底表面的底电极、层叠设置在底电极表面的空穴注入层、层叠设置在空穴注入层表面的空穴传输层、层叠设置在空穴传输层表面的电子阻挡层和层叠设置在电子阻挡层表面的量子点发光层;在本发明的又一些实施方式中,所述阳极基板可以包括衬底、层叠设置在衬底表面的底电极、层叠设置在底电极表面的空穴注入层、层叠设置在空穴注入层表面的空穴传输层、层叠设置在空穴传输层表面的电子阻挡层、层叠设置在电子阻挡层表面的量子点发光层和层叠设置在量子点发光层表面的空穴阻挡层。
对于倒置结构而言,设置在衬底上的底电极为阴极,在本发明的一些实施方式中,所述阴极基板可以为衬底上设置的底电极;在本发明的又一些实施方式中,所述基板可以包括衬底、层叠设置在衬底表面的底电极和层叠设置在底电极表面的电子注入层。
在一些具体的实施方式中,如图3所示,所述的量子点发光二极管的制备方法,包括步骤:
S31、提供溶液,所述溶液包括氧化锌纳米颗粒和羧酸酯;
S32、提供阳极基板,所述阳极基板表面设置有量子点发光层,将所述溶液沉积在所述量子点发光层上加热,制备得到电子传输层。
在另一些具体的实施方式中,如图4所示,所述的量子点发光二极管的制备方法,包括步骤:
S41、提供溶液,所述溶液包括氧化锌纳米颗粒和羧酸酯;
S42、提供阴极基板,将所述溶液沉积在所述阴极基板上加热,制备得到电子传输层,在所述电子传输层表面制备量子点发光层。
上述量子点发光二极管中,电子传输层与量子点发光层形成叠层结合的结构。靠近电子传输层的量子点,其表面结合有有机配体(量子点表面结合有羧酸配体,还可以包括有机胺、有机硫醇、有机膦和有机磷酸等但不限于此),而为了保证氧化锌纳米颗粒在溶液中的分散性,其表面往往富集大量的羟基 (-OH)。器件在工作过程中,量子点表面的有机配体容易受到氧化锌纳米颗粒表面的羟基侵蚀,导致配体脱落、器件效率快速衰减。本实施例利用上述方法,可以在制备过程中有效降低氧化锌纳米颗粒表面的羟基含量,保护量子点表面有机配体在器件工作中的稳定性,提升器件的工作寿命。具体的,通过溶液法在氧化锌纳米颗粒作为电子传输材料制备电子传输层的过程中加入羧酸酯,并通过在空气当中加热一定时间,利用加热过程,羧酸酯少量水解产生的H+,H+中和氧化锌纳米颗粒表面富集的羟基(-OH),从而缓解了氧化锌纳米颗粒表面的羟基对量子点表面的有机配体(以羧酸-COOH为主)的侵蚀,保护量子点表面有机配体在器件工作中的稳定性,提升器件的工作寿命。
在一些具体的实施方式中,在15℃-30℃条件下,所述羧酸酯的粘度为0.45mPa.s-1mPa.s,通过溶液法制备量子点发光二极管的过程中,功能层的成膜质量对器件工作稳定性有重要影响,一般氧化锌量子点选择醇类作为溶剂,所述醇类溶剂包括丙醇、丁醇和乙二醇等但不限于此,通常所述醇类在20°C下粘度为大于1mPa.s,以乙醇为例,在15℃-30℃条件下,粘度为1.074 mPa.s。一些具体的实施中所述羧酸酯的粘度为0.45mPa.s-1mPa.s,低于醇类的粘度。加入该粘度的羧酸酯可以降低氧化锌溶液的粘度,提升成膜质量。好的成膜质量可以有效降低漏电流,减少工作过程中的发热,提升器件的工作寿命。
一些具体的实施中,所述溶液通过在氧化锌纳米颗粒溶液中加入羧酸酯配制得到。在一些实施方式中,所述羧酸酯选自乙酸乙酯(CH3COOCH2CH3)、乙酸苯酯(CH3COOC6H5)、苯甲酸甲酯(C6H5COOCH3)、乙酸丁酯(CH3COOC4H9)和丙烯酸辛酯(CH2CHCOOC8H17)等中的一种或多种,但不限于此。
在一些具体的实施方式中,所述羧酸酯为乙酸乙酯。通过溶液法制备量子点发光二极管的过程中,功能层的成膜质量对器件工作稳定性有重要影响,一般氧化锌纳米颗粒选择醇类作为溶剂,以乙醇为例,在20℃下粘度为1.074 mPa.s。乙酸乙酯的粘度低于乙醇的粘度,在20℃为0.449mPa.s。加入乙酸乙酯可以降低氧化锌纳米颗粒溶液的粘度,提升成膜质量。好的成膜质量可以有效降低漏电流,减少工作过程中的发热,提升器件的工作寿命。
在一些具体的实施方式中,按所述羧酸酯与溶剂的体积比为10-30:100,配置得到所述溶液。过多的羧酸酯不利于电子传输层的导电性能,且增加器件的启亮电压。
在一些具体的实施方式中,所述加热的温度为60-120℃。通过加热处理,合适量的羧酸酯水解产生H+,产生的H+中和氧化锌纳米颗粒表面富集的羟基(-OH),从而缓解氧化锌纳米颗粒表面的羟基对量子点表面的有机配体(以羧酸-COOH为主)的侵蚀。更优选的,所述加热的温度为70-90℃。当制备正置结构的量子点发光二极管时,由于先沉积量子点发光层后沉积电子传输层,在空气中处理温度过高,会降低量子点发光层的性能,因此不应高于80℃。
在一些具体的实施方式中,所述加热的时间为2-15分钟。更优选的,所述加热的时间为2-10分钟。当制备正置结构的量子点发光二极管时,由于先沉积量子点发光层后沉积电子传输层,在空气中处理时间过长,会降低量子点发光层的性能,因此不应长于10分钟。
在一些具体的实施方式中,对得到的量子点发光二极管进行封装处理。其中所述封装处理可采用常用的机器封装,也可以采用手动封装。优选的,所述封装处理的环境中,氧含量和水含量均低于0 .1ppm,以保证器件的稳定性。
一些具体的实施方式中,各层制备方法可以是化学法或物理法,其中化学法包括但不限于化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法、共沉淀法中的一种或多种;物理法包括但不限于溶液法(如旋涂法、印刷法、刮涂法、浸渍提拉法、浸泡法、喷涂法、滚涂法、浇铸法、狭缝式涂布法或条状涂布法等)、蒸镀法(如热蒸镀法、电子束蒸镀法、磁控溅射法或多弧离子镀膜法等)、沉积法(如物理气相沉积法、原子层沉积法、脉冲激光沉积法等)中的一种或多种。
本发明实施例还提供一种量子点发光二极管,包括:阳极、阴极、设置在所述阳极和阴极之间的量子点发光层、设置在所述阴极和量子点发光层之间的电子传输层,其中,所述电子传输层材料包括氧化锌纳米颗粒和分散在氧化锌纳米颗粒之间的羧酸酯。
一些具体的实施方式中,所述电子传输层中分散有羧酸酯,当水氧侵入时,可以缓慢地吸收水氧,并与水气反应,减缓水氧对于量子点发光层的侵蚀,有效地提升器件的工作寿命。
本发明实施例还提供一种量子点发光二极管,包括:阳极、阴极和设置在所述阳极和阴极之间的叠层,其中,所述叠层包括层叠设置的量子点发光层和电子传输层,所述量子点发光层靠近所述阳极设置,所述电子传输层靠近所述阴极设置,所述电子传输层包括氧化锌纳米颗粒和分散在所述氧化锌纳米颗粒表面的羧酸酯。
一些具体的实施方式中,经羧酸酯处理电子传输层的工艺后,氧化锌纳米颗粒表面具有较少的羟基(-OH),从而缓解了氧化锌纳米颗粒表面的羟基对量子点表面的有机配体(量子点表面结合有羧酸配体,还可以包括有机胺、有机硫醇、有机膦和有机磷酸等但不限于此)的侵蚀,保护量子点表面有机配体在器件工作中的稳定性,提升器件的工作寿命。器件在工作过程中,量子点表面的有机配体容易受到氧化锌纳米颗粒表面的羟基侵蚀,导致配体脱落、器件效率快速衰减。本实施例利用上述方法,可以在制备过程中有效降低氧化锌纳米颗粒表面的羟基含量,保护量子点表面有机配体在器件工作中的稳定性,提升器件的工作寿命。具体的,通过溶液法在氧化锌纳米颗粒作为电子传输材料制备电子传输层的过程中加入羧酸酯,并通过在空气当中加热一定时间,利用加热过程,羧酸酯少量水解产生的H+,H+中和氧化锌纳米颗粒表面富集的羟基(-OH),从而缓解了氧化锌纳米颗粒表面的羟基对量子点表面的有机配体(以羧酸-COOH为主)的侵蚀,保护量子点表面有机配体在器件工作中的稳定性,提升器件的工作寿命。另外,器件工作过程往往无法完全避免水氧的侵入,羧酸酯可以以物理吸附的方式存在于电子传输层中,当水氧侵入时,可以缓慢地吸收并与水气反应,减缓水氧对于量子点发光层以及空穴传输层的侵蚀,有效地提升器件的工作寿命。
一些具体的实施中,量子点发光二极管有多种形式,且所述量子点发光二极管分为正置结构和倒置结构,本实施例将主要以如图5所示的正置结构的量子点发光二极管为例进行介绍。具体地,如图5所示,所述量子点发光二极管包括从下往上叠层设置的衬底1、阳极2、空穴注入层3、空穴传输层4、量子点发光层5、电子传输层6和阴极7;其中所述电子传输层6包括氧化锌纳米颗粒和吸附在所述氧化锌纳米颗粒表面的羧酸酯。
在一些具体的实施方式中,所述衬底可以为刚性材质的衬底,如玻璃等,也可以为柔性材质的衬底,如PET或PI等中的一种。
在一些具体的实施方式中,所述阳极材料包括但不限于金属材料、碳材料和金属氧化物中的一种或多种。其中,所述金属材料包括Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca和Mg中的一种或多种。所述碳材料包括石墨、碳纳米管、石墨烯和碳纤维中的一种或多种。所述金属氧化物可以是掺杂或非掺杂金属氧化物,包括ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO和AMO中的一种或多种,也包括掺杂或非掺杂透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极,其中,所述复合电极包括AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2和TiO2/Al/TiO2中的一种或多种。
在一些具体的实施方式中,所述空穴注入层材料包括但不限于PEDOT:PSS、CuPc、F4-TCNQ、HATCN、过渡金属氧化物和过渡金属硫系化合物中的一种或多种。其中,所述过渡金属氧化物包括NiOx、MoOx、WOx、CrOx和CuO中的一种或多种。所述过渡金属硫系化合物包括MoSx、MoSex、WSx、WSex和CuS中的一种或多种。
在一些具体的实施方式中,所述空穴传输层材料包括但不限于聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、聚乙烯咔唑、聚(N, N'双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)、4,4’,4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4'-二(9-咔唑)联苯、N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺、15 N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺、石墨烯和C60中的一种或多种。所述空穴传输层材料还可选自具有空穴传输能力的无机材料,包括但不限于NiOx、MoOx、WOx、CrOx、CuO、MoSx、MoSex、WSx、WSex和CuS中的一种或多种。
在一些具体的实施方式中,所述量子点发光层材料为具备发光能力的直接带隙化合物半导体,例如包括II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物和IV族单质中的一种或多种。具体地,所述量子点发光层材料包括但不限于II-VI半导体的纳米晶,比如CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、PbS、PbSe、PbTe和其他二元、三元、四元的II-VI族化合物;III-V族半导体的纳米晶,比如GaP、GaAs、InP、InAs和其他二元、三元、四元的III-V族化合物;用于电致发光的半导体材料还不限于II-V族化合物、III-VI族化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物、IV族单质等。其中,所述量子点发光层材料还可以为掺杂或非掺杂的无机钙钛矿型半导体、和/或有机-无机杂化钙钛矿型半导体;具体地,所述无机钙钛矿型半导体的结构通式为AMX3,其中A为Cs+离子,M为二价金属阳离子,包括但不限于Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+、Eu2+,X为卤素阴离子,包括但不限于Cl-、Br-、I-;所述有机-无机杂化钙钛矿型半导体的结构通式为BMX3,其中B为有机胺阳离子,可以为但不限于CH3(CH2)n-2NH3 + (n≥2)或NH3(CH2)nNH3 2+ (n≥2)。当n=2时,无机金属卤化物八面体MX6 4-通过共顶的方式连接,金属阳离子M位于卤素八面体的体心,有机胺阳离子B填充在八面体间的空隙内,形成无限延伸的三维结构;当 n>2时,以共顶的方式连接的无机金属卤化物八面体MX6 4-在二维方向延伸形成层状结构,层间***有机胺阳离子双分子层(质子化单胺)或有机胺阳离子单分子层(质子化双胺),有机层与无机层相互交叠形成稳定的二维层状结构;M为二价金属阳离子,包括但不限于Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+、Eu2+;X为卤素阴离子,包括但不限于Cl-、Br-、I-。
在一些具体的实施方式中,所述阴极材料包括但不限于金属材料、碳材料和金属氧化物中的一种或多种。其中,所述金属材料包括Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca和Mg中的一种或多种。所述碳材料包括石墨、碳纳米管、石墨烯和碳纤维中的一种或多种。所述金属氧化物可以是掺杂或非掺杂金属氧化物,包括ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO和AMO中的一种或多种,也包括掺杂或非掺杂透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极,其中,所述复合电极包括AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2和TiO2/Al/TiO2中的一种或多种。
下面通过具体实施例对本发明实施例进一步详细说明。
具体实施例一:一种正置结构的量子点发光二极管的制备过程如下:
步骤S1:在ITO衬底上,旋涂PEDOT:PSS,转速5000,时间30秒,随后150℃加热15分钟;
步骤S2:旋涂TFB(8mg/mL),转速3000,时间30秒,随后150℃加热30分钟;
步骤S3:旋涂量子点(20mg/mL),转速2000,时间30秒;
步骤S4:旋涂乙酸乙酯:乙醇=1:5的ZnO(30mg/mL)溶液,转速3000,时间30秒;
步骤S5:把器件置于空气中,加热80℃,8分钟;
步骤S6:把器件放入N2氛围中加热80℃,30分钟;
步骤S7:通过热蒸发,真空度不高于3×10-4Pa,蒸镀Ag,速度为1埃/秒,时间200秒,厚度20nm,得到顶发射的正置结构的量子点发光二极管。
具体实施例二:一种倒置结构的量子点发光二极管的制备过程如下:
步骤S1:在ITO衬底上,旋涂乙酸乙酯:乙醇=1:5的ZnO(30mg/mL)溶液,转速3000,时间30秒;
步骤S2:把器件置于空气中,加热80℃,8分钟;
步骤S3:把器件放入N2氛围中加热80℃,30分钟;
步骤S4:旋涂量子点(20mg/mL),转速2000,时间30秒;
步骤S5:旋涂PVK(8mg/mL),转速3000,时间30秒,随后100℃加热10分钟;
步骤S6:旋涂PMAH(聚马来酸酐十六醇酯,8mg/mL),转速3000,时间30秒,随后100℃加热10分钟;
步骤S7:通过热蒸发,真空度不高于3×10-4Pa,蒸镀Ag,速度为1埃/秒,时间700秒,厚度70nm,得到底发射的倒置结构的量子点发光二极管。
综上所述,本发明提供一种量子点发光二极管及其制备方法。本发明中,通过溶液法在氧化锌纳米颗粒作为电子传输材料制备电子传输层的过程中加入羧酸酯,羧酸酯可以以物理吸附的方式存在于制备得到的所述电子传输层中,当水氧侵入时,可以缓慢地吸收水氧,并与水气反应,减缓水氧对于量子点发光层以及空穴传输层的侵蚀,有效地提升器件的工作寿命。另外,当量子点发光二极管中,电子传输层与量子点发光层形成叠层结合的结构时,通过溶液法在氧化锌纳米颗粒作为电子传输材料制备电子传输层的过程中加入羧酸酯,并通过在空气当中加热一定时间,利用加热过程羧酸酯水解产生的H+,中和氧化锌纳米颗粒表面富集的羟基(-OH),从而缓解了氧化锌纳米颗粒表面的羟基对量子点表面的有机配体(以羧酸-COOH为主)的侵蚀,保护量子点表面有机配体在器件工作中的稳定性,提升器件的工作寿命。此外,羧酸酯的粘度低于醇类的粘度。加入该羧酸酯可以降低氧化锌溶液的粘度,提升成膜质量。好的成膜质量可以有效降低漏电流,减少工作过程中的发热,提升器件的工作寿命。综上,本发明通过加入羧酸酯处理电子传输层的工艺,保护与氧化锌纳米颗粒电子传输层靠近的量子点发光层表面的有机配体,提高电子传输层与量子点发光层的成膜质量,并减缓水氧的侵蚀,有效提升器件的工作寿命和稳定性。
应当理解的是,本发明的应用不限于上述的举例,对本领域普通技术人员来说,可以根据上述说明加以改进或变换,所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
Claims (7)
1.一种量子点发光二极管,包括:阳极、阴极、设置在所述阳极和阴极之间的量子点发光层、设置在所述阴极和量子点发光层之间的电子传输层,其特征在于,所述量子点发光层与所述电子传输层叠层结合,所述量子点发光层表面结合有羧酸配体,所述电子传输层材料包括氧化锌纳米颗粒和分散在氧化锌纳米颗粒之间的羧酸酯,所述羧酸酯的粘度为0.45mPa.s-1mPa.s。
2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述羧酸酯选自乙酸乙酯、乙酸苯酯、苯甲酸甲酯、乙酸丁酯和丙烯酸辛酯中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述羧酸酯为乙酸乙酯。
4.一种量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,包括步骤:
提供溶液,所述溶液包括氧化锌纳米颗粒和羧酸酯,所述羧酸酯的粘度为0.45mPa.s-1mPa.s;
提供阳极基板,所述阳极基板表面设置有量子点发光层,所述量子点发光层表面结合有羧酸配体,将所述溶液沉积在所述量子点发光层上加热,制备得到电子传输层;或者,
提供阴极基板,将所述溶液沉积在所述阴极基板上加热,制备得到电子传输层,在所述电子传输层表面制备量子点发光层,所述量子点发光层表面结合有羧酸配体。
5.根据权利要求4所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,所述羧酸酯选自乙酸乙酯、乙酸苯酯、苯甲酸甲酯、乙酸丁酯和丙烯酸辛酯中的一种或多种。
6.根据权利要求4所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,按所述羧酸酯与溶剂的体积比为10-30:100,配置得到所述溶液。
7.根据权利要求4所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,所述加热的温度为60-120℃;和/或,
所述加热的时间为2-15分钟。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811647285.2A CN111384278B (zh) | 2018-12-29 | 2018-12-29 | 一种量子点发光二极管及其制备方法 |
PCT/CN2019/103620 WO2020134151A1 (zh) | 2018-12-29 | 2019-08-30 | 一种量子点发光二极管及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811647285.2A CN111384278B (zh) | 2018-12-29 | 2018-12-29 | 一种量子点发光二极管及其制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111384278A CN111384278A (zh) | 2020-07-07 |
CN111384278B true CN111384278B (zh) | 2021-07-16 |
Family
ID=71128541
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811647285.2A Active CN111384278B (zh) | 2018-12-29 | 2018-12-29 | 一种量子点发光二极管及其制备方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111384278B (zh) |
WO (1) | WO2020134151A1 (zh) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112103405B (zh) * | 2020-10-20 | 2023-01-24 | 合肥福纳科技有限公司 | 固态膜的制备方法、量子点发光器件及制备方法 |
CN114520291A (zh) * | 2020-11-18 | 2022-05-20 | Tcl科技集团股份有限公司 | 量子点发光二极管及其制备方法 |
CN112382732B (zh) * | 2020-11-25 | 2023-01-24 | 合肥福纳科技有限公司 | 一种降低电子导体的电子传输性能的方法 |
CN114686232B (zh) * | 2020-12-30 | 2023-12-26 | Tcl科技集团股份有限公司 | 一种量子点的筛分方法及量子点发光二极管 |
WO2022143963A1 (zh) * | 2020-12-31 | 2022-07-07 | Tcl科技集团股份有限公司 | 量子点发光二极管及其制备方法 |
WO2022143962A1 (zh) * | 2020-12-31 | 2022-07-07 | Tcl科技集团股份有限公司 | 量子点发光二极管及其制备方法 |
CN114914371A (zh) * | 2021-02-09 | 2022-08-16 | Tcl科技集团股份有限公司 | 量子点发光二极管及其制备方法 |
JPWO2023105711A1 (zh) * | 2021-12-09 | 2023-06-15 | ||
CN114497405A (zh) * | 2021-12-29 | 2022-05-13 | 合肥福纳科技有限公司 | 发光二极管器件及其制备方法 |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005148272A (ja) * | 2003-11-13 | 2005-06-09 | Konica Minolta Opto Inc | 反射防止膜、反射防止フィルム及びその製造方法、並びに偏光板及び表示装置 |
CN104170112A (zh) * | 2012-03-15 | 2014-11-26 | 凸版印刷株式会社 | 有机电致发光元件及其制造方法 |
CN104982091A (zh) * | 2013-02-12 | 2015-10-14 | 柯尼卡美能达株式会社 | 有机电致发光元件及照明装置 |
CN105070849A (zh) * | 2015-07-14 | 2015-11-18 | Tcl集团股份有限公司 | 一种量子点发光层排布致密的发光器件及其制备方法 |
CN105244451A (zh) * | 2015-10-16 | 2016-01-13 | Tcl集团股份有限公司 | 一种具有混合htl的量子点发光二极管及其制备方法 |
CN105552248A (zh) * | 2016-01-26 | 2016-05-04 | 纳晶科技股份有限公司 | 一种电致发光器件的封装结构及其封装方法 |
CN105870347A (zh) * | 2016-04-15 | 2016-08-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 量子点发光器件及其制备方法、显示基板和显示装置 |
CN106098884A (zh) * | 2016-07-08 | 2016-11-09 | 东华大学 | 一种量子点发光二极管及其制备方法 |
CN106634948A (zh) * | 2016-10-31 | 2017-05-10 | 纳晶科技股份有限公司 | 氧化锌纳米晶、其制备方法、氧化锌纳米晶墨水和电致发光器件 |
CN107099190A (zh) * | 2017-05-27 | 2017-08-29 | 苏州星烁纳米科技有限公司 | 氧化锌基纳米颗粒墨水及电致发光器件 |
CN107140677A (zh) * | 2017-06-05 | 2017-09-08 | 苏州大学 | 一种功能器件用金属氧化物纳米颗粒的制备方法 |
CN108269939A (zh) * | 2018-01-08 | 2018-07-10 | 北京科技大学 | 一种近红外量子点发光二极管的制备方法 |
CN108735906A (zh) * | 2017-04-20 | 2018-11-02 | Tcl集团股份有限公司 | 丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物、qled及制备方法 |
WO2019017522A1 (ko) * | 2017-07-21 | 2019-01-24 | 엘지전자 주식회사 | 페로브스카이트 태양전지 및 이를 포함하는 탬덤 태양전지 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011509312A (ja) * | 2007-09-25 | 2011-03-24 | ザ テキサス エー アンド エム ユニバーシティ システム | 制御された凝集体サイズを有する水溶性ナノ粒子 |
US20140203259A1 (en) * | 2013-01-18 | 2014-07-24 | Universal Display Corporation | Host for organic light emitting devices |
CN105449110B (zh) * | 2015-12-28 | 2018-11-20 | Tcl集团股份有限公司 | 基于有机无机复合传输层的量子点发光二极管及制备方法 |
-
2018
- 2018-12-29 CN CN201811647285.2A patent/CN111384278B/zh active Active
-
2019
- 2019-08-30 WO PCT/CN2019/103620 patent/WO2020134151A1/zh active Application Filing
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005148272A (ja) * | 2003-11-13 | 2005-06-09 | Konica Minolta Opto Inc | 反射防止膜、反射防止フィルム及びその製造方法、並びに偏光板及び表示装置 |
CN104170112A (zh) * | 2012-03-15 | 2014-11-26 | 凸版印刷株式会社 | 有机电致发光元件及其制造方法 |
CN104982091A (zh) * | 2013-02-12 | 2015-10-14 | 柯尼卡美能达株式会社 | 有机电致发光元件及照明装置 |
CN105070849A (zh) * | 2015-07-14 | 2015-11-18 | Tcl集团股份有限公司 | 一种量子点发光层排布致密的发光器件及其制备方法 |
CN105244451A (zh) * | 2015-10-16 | 2016-01-13 | Tcl集团股份有限公司 | 一种具有混合htl的量子点发光二极管及其制备方法 |
CN105552248A (zh) * | 2016-01-26 | 2016-05-04 | 纳晶科技股份有限公司 | 一种电致发光器件的封装结构及其封装方法 |
CN105870347A (zh) * | 2016-04-15 | 2016-08-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 量子点发光器件及其制备方法、显示基板和显示装置 |
CN106098884A (zh) * | 2016-07-08 | 2016-11-09 | 东华大学 | 一种量子点发光二极管及其制备方法 |
CN106634948A (zh) * | 2016-10-31 | 2017-05-10 | 纳晶科技股份有限公司 | 氧化锌纳米晶、其制备方法、氧化锌纳米晶墨水和电致发光器件 |
CN108735906A (zh) * | 2017-04-20 | 2018-11-02 | Tcl集团股份有限公司 | 丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物、qled及制备方法 |
CN107099190A (zh) * | 2017-05-27 | 2017-08-29 | 苏州星烁纳米科技有限公司 | 氧化锌基纳米颗粒墨水及电致发光器件 |
CN107140677A (zh) * | 2017-06-05 | 2017-09-08 | 苏州大学 | 一种功能器件用金属氧化物纳米颗粒的制备方法 |
WO2019017522A1 (ko) * | 2017-07-21 | 2019-01-24 | 엘지전자 주식회사 | 페로브스카이트 태양전지 및 이를 포함하는 탬덤 태양전지 |
CN108269939A (zh) * | 2018-01-08 | 2018-07-10 | 北京科技大学 | 一种近红外量子点发光二极管的制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111384278A (zh) | 2020-07-07 |
WO2020134151A1 (zh) | 2020-07-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN111384278B (zh) | 一种量子点发光二极管及其制备方法 | |
CN109390476B (zh) | 一种具有氧化石墨烯界面层的qled器件及其制备方法 | |
US11485908B2 (en) | Quantum dot light-emitting diode and method for fabricating the same | |
CN108807720B (zh) | 功能化阴极、qled及制备方法、发光模组与显示装置 | |
CN110718637B (zh) | 一种量子点发光二极管及其制备方法 | |
CN109216566B (zh) | 复合发光层、qled器件及其制备方法 | |
CN109326726B (zh) | Qled器件及其制备方法 | |
US11744098B2 (en) | Quantum dot light-emitting diode and preparation method therefor | |
CN111224017B (zh) | 量子点发光二极管及其制备方法 | |
CN113972327B (zh) | 一种复合薄膜、电致发光器件及其制备方法 | |
CN111384263B (zh) | 量子点发光二极管及其制备方法 | |
CN112531123B (zh) | 电子传输膜层的制备方法和量子点发光二极管的制备方法 | |
CN114267801B (zh) | 一种量子点发光二极管及其制备方法 | |
CN110739408A (zh) | 量子点发光二极管及其制备方法 | |
CN112542553B (zh) | 一种复合物及其制备方法与量子点发光二极管 | |
CN112582565B (zh) | 发光器件及其制备方法 | |
CN114695695A (zh) | 量子点发光二极管及其制备方法 | |
CN114695819A (zh) | 一种量子点发光二极管及其制备方法 | |
CN114203941A (zh) | 薄膜的制备方法和发光二极管 | |
CN113046077A (zh) | 一种复合材料、量子点发光二极管及其制备方法 | |
CN111244301A (zh) | 量子点发光二极管 | |
CN111244300A (zh) | 量子点发光二极管及其制备方法 | |
CN111244302B (zh) | 量子点发光二极管及其制备方法 | |
CN118019425A (zh) | 光电器件的制备方法、光电器件及显示装置 | |
CN114695684A (zh) | 发光二极管及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
CB02 | Change of applicant information |
Address after: 516006 TCL science and technology building, No. 17, Huifeng Third Road, Zhongkai high tech Zone, Huizhou City, Guangdong Province Applicant after: TCL Technology Group Co.,Ltd. Address before: 516006 Guangdong province Huizhou Zhongkai hi tech Development Zone No. nineteen District Applicant before: TCL RESEARCH AMERICA Inc. |
|
CB02 | Change of applicant information | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |