CN111383999B - 传感器制作方法和传感器 - Google Patents
传感器制作方法和传感器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111383999B CN111383999B CN202010215690.8A CN202010215690A CN111383999B CN 111383999 B CN111383999 B CN 111383999B CN 202010215690 A CN202010215690 A CN 202010215690A CN 111383999 B CN111383999 B CN 111383999B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- dielectric layer
- substrate
- sensor
- conductive
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
- B81B7/0032—Packages or encapsulation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
- B81B7/02—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems containing distinct electrical or optical devices of particular relevance for their function, e.g. microelectro-mechanical systems [MEMS]
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00261—Processes for packaging MEMS devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/564—Details not otherwise provided for, e.g. protection against moisture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/02—Sensors
- B81B2201/0228—Inertial sensors
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2203/00—Forming microstructural systems
- B81C2203/01—Packaging MEMS
- B81C2203/0172—Seals
- B81C2203/019—Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
本发明公开了一种传感器制作方法和传感器,所述制作方法包括:在基板的上表面设置第一介质层,在所述基板的下表面设置第二介质层;设置贯穿所述基板、所述第一介质层和所述第二介质层的通孔;去除所述第一介质层,在所述基板的上表面对应所述通孔位置设置防水透气膜;在所述基板的上表面设置第三介质层,去除所述通孔位置对应的所述第三介质层。本发明能够有效避免防水透气膜脱落,保证传感器的防水效果。
Description
技术领域
本发明涉及传感器封装技术领域,尤其涉及一种传感器制作方法和传感器。
背景技术
目前的传感器种类繁多,很多传感器的需要保证外界的空气能够穿透到传感器内部,但是同时又需要避免水分渗入到传感器内,为此在传感器的透气孔对应位置贴附有防水透气膜,但是由于防水透气膜设置在传感器外部,容易脱落,导致传感器丧失防水效果。
上述内容仅用于辅助理解本申请的技术方案,并不代表承认上述内容是现有技术。
发明内容
基于此,针对防水透气膜容易脱落,导致传感器丧失防水效果的问题,有必要提供一种传感器制作方法和传感器,旨在能够有效避免防水透气膜脱落,保证传感器的防水效果。
为实现上述目的,本发明提出的一种传感器制作方法,所述制作方法包括:
在基板的上表面设置第一介质层,在所述基板的下表面设置第二介质层;
设置贯穿所述基板、所述第一介质层和所述第二介质层的通孔;
去除所述第一介质层,在所述基板的上表面对应所述通孔的位置设置防水透气膜;
在所述基板的上表面设置第三介质层,去除所述通孔位置对应的所述第三介质层。
可选地,所述设置贯穿所述基板、所述第一介质层和所述第二介质层的通孔的步骤,包括:
选定第一位置,去除所述第一位置在所述基板的上表面对应的所述第一介质层,并光刻定位曝光去除所述第一位置在所述基板的下表面对应的所述第二介质层;
去除所述第一位置对应的所述基板,形成贯穿所述基板、所述第一介质层和所述第二介质层的通孔。
可选地,所述基板为导电基板;
所述“去除所述第一介质层,在所述基板的上表面对应所述通孔位置设置防水透气膜”的步骤之前,包括:
设置分割结构,将所述基板分割为若干导电区。
可选地,所述分割结构包括第一分割结构和第二分割结构,所述若干导电区包括第一导电区和第二导电区;
所述设置分割结构,将所述基板分割为若干导电区的步骤,包括:
选定第二位置和第三位置,采用光刻定位曝光去除所述第二位置和所述第三位置对应的所述第一介质层;
采用化学湿法腐蚀去除所述第二位置处和所述第三位置处的所述基板,形成所述第一分割结构和所述第二分割结构,所述第一分割结构和所述第二分割结构将所述基板分割为所述第一导电区和所述第二导电区。
可选地,所述“在所述基板的上表面设置第三介质层”的步骤之后,包括:
在所述基板的所述第三介质层一侧对应所述第一导电区设选定第一接线位,对应所述第二导电区设选定第二接线位,去除所述第一接线位和所述第二接线位处的第三介质层;
在所述基板的所述第二介质层一侧对应所述第一导电区选定第一导通位,对应所述第二导电区选定第二导通位,去除所述第一导通位和所述第二导通位对应的所述第二介质层。
可选地,所述“在所述基板的上表面设置第三介质层,去除所述通孔位置对应的所述第三介质层”的步骤之后,包括:
在所述第三介质层的上表面,对应所述第一导电区设置第一集成电路,对应所述第二导电区设置第二集成电路;
通过所述第一接线位将所述第一集成电路和所述第一导电区电性连接,通过所述第二接线位将所述第二集成电路和所述第二导电区电性连接。
可选地,所述“通过所述第一接线位将所述第一集成电路和所述第一导电区电性连接,通过所述第二接线位将所述第二集成电路和所述第二导电区电性连接”的步骤之后,还包括:
在所述第二集成电路上设置有气压传感器或惯性传感器,所述气压传感器或所述惯性传感器与所述第二集成电路电性连接。
可选地,所述“在所述基板的上表面设置第三介质层,去除所述通孔位置对应的所述第三介质层”的步骤之后,还包括:
在所述第三介质层一侧设有气体传感器,所述气体传感器对应所述防水透气膜设置。
可选地,所述“在所述基板的上表面设置第三介质层”的步骤之后,还包括:
在所述基板的所述第三介质层一侧边缘位置选定第一贴壳区位和第二贴壳区位,去除所述第一贴壳区位和所述第二贴壳区位对应的所述第三介质层;
所述“在所述基板的上表面设置第三介质层,去除所述通孔位置对应的所述第三介质层”的步骤之后,还包括:
在所述基板的所述第三介质层一侧扣设外壳,所述外壳的端口壁插设于所述第一贴壳区位和所述第二贴壳区位。
此外,为了实现上述目的,本发明还提供一种传感器,所述传感器包括:
基板;
第二介质层,所述第二介质层设置于所述基板的下表面;
第三介质层,所述第三介质层设置于所述基板的上表面,所述基板设置有通孔,且所述通孔贯穿所述第二介质层和所述第三介质层;和
防水透气膜,所述防水透气膜盖设于所述通孔,且所述防水透气膜设置于所述第三介质层和所述基板之间。
本发明提出的技术方案中,基板上下两个表面分别设置有第一介质层和第二介质层,开设贯通基板、第一介质层和第二介质层的通孔,通孔作为透气用途,去除掉第一介质层后,在通孔位置覆盖设置防水透气膜,在通过设置第三介质层将防水透气膜固定在基板的上表面;在将第三介质层对应通孔的位置去除掉,保证通孔能够顺利透气。本发明技术方案通过第三介质层将防水透气膜固定在基板和第三介质层之间,有效避免防水透气膜脱落,进而保证了传感器的防水效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为本发明传感器制作方法第一实施例的流程示意图;
图2为本发明的基板、第一介质层和第二介质层的结构示意图;
图3为本发明设置通孔的结构示意图;
图4为本发明去除第一介质层的结构示意图;
图5为本发明设置防水透气膜的结构示意图;
图6为本发明设置第三介质层的结构示意图;
图7为本发明传感器制作方法第二实施例的流程示意图;
图8为本发明传感器制作方法第三实施例的流程示意图;
图9为本发明传感器制作方法第四实施例的流程示意图;
图10为本发明传感器制作方法第五实施例的流程示意图;
图11为本发明设置第一接线位、第二接线位、第一导通位、第二导通位、第一贴壳区位、第二贴壳区位以及第三介质层的结构示意图;
图12为本发明传感器制作方法第六实施例的流程示意图;
图13为本发明传感器制作方法第七实施例的流程示意图;
图14为本发明设置第一集成线路、第二集成线路和气体传感器的结构示意图;
图15为本发明传感器制作方法第八实施例的流程示意图;
图16为本发明设置气压传感器或者惯性传感器的结构示意图;
图17为本发明传感器制作方法第九实施例的流程示意图;
图18为本发明设置壳体的结构示意图。
附图标号说明:
标号 | 名称 | 标号 | 名称 |
10 | 基板 | 150 | 第二导电区 |
110 | 第一介质层 | 20 | 通孔 |
120 | 第二介质层 | 30 | 防水透气膜 |
121 | 第一导通位 | 41 | 第一位置 |
122 | 第二导通位 | 42 | 第二位置 |
130 | 第三介质层 | 43 | 第三位置 |
131 | 第一接线位 | 51 | 第一集成线路 |
132 | 第二接线位 | 52 | 第二集成线路 |
133 | 第一贴壳区位 | 60 | 气体传感器 |
134 | 第二贴壳区位 | 70 | 外壳 |
140 | 第一导电区 |
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
需要说明,本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等,如果该特定姿态发生改变时,则该方向性指示也相应地随之改变。
另外,在本发明中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是至少两个,例如两个,三个等,除非另有明确具体的限定。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,术语“连接”、“固定”等应做广义理解,例如,“固定”可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系,除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
另外,本发明各个实施例之间的技术方案可以相互结合,但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础,当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在,也不在本发明要求的保护范围之内。
参阅图1所示,本发明提出的第一实施例,一种传感器制作方法,所述传感器包括有多种传感器,其中的作用原理也可以有多种,例如MEMS(MicroElectroMechanicalSystem,微机电***)麦克风,MEMS麦克风通过空气传递到内部,声音依赖空气传播,但是MEMS麦克风内部设置有电子元件,需要避免水分进入,因此在MEMS麦克风的声音传递口位置设置防水透气膜,防水透气膜用于隔绝水分,同时保证声音能够通过,所述制作方法包括:
步骤S10,在基板的上表面设置第一介质层,在基板的下表面设置第二介质层。
参阅图2所示,基板10主要用于承载为传感器,基板10的上表面设置有第一介质层110,在基板10的下表面设置第二介质层120。其中基板10的上表面用于封装传感器,第一介质层110和第二介质层120主要用于保护基板10的上下两个表面。第一介质层110和第二介质层120可以为同一种材质,也可以为不同材质,第一介质层110和第二介质层120均与基板10的上下两个表面保持较好的亲和性。
步骤S20,设置贯穿基板、第一介质层和第二介质层的通孔。
参阅图3所示,设置的通孔20的作用在于透气作用,保证空气能够有效通过通孔20。通孔20的设置位置通常靠近基板10的边缘位置,基板10的中间位置用于封装其它电子元器件。
步骤S30,去除第一介质层,在基板的上表面对应通孔位置设置防水透气膜。
参阅图4和图5所示,清除掉第一介质层110,同时将防水透气膜30设置在通孔20位置。基板10的上方为传感器的内部,将防水透气膜30设置在基板10的上表面对应的通孔20位置,由此可知将防水透气膜30也设置在传感器的内部。从而避免防水透气膜脱落到传感器的外部。防水透气膜30可以粘贴设置于通孔20位置,且防水透气膜30的截面积大于通孔20的截面积。保证防水透气膜30能够完全覆盖住通孔20。
步骤S40,在基板的上表面设置第三介质层,去除通孔位置对应的第三介质层。
参阅图6和图11所示,为了进一步保护基板10的上表面,设置有第三介质层130,通过第三介质层130对基板10上表面的覆盖还能进一步提高防水透气膜30的牢固程度,即保证防水透气膜30紧密贴合在通孔20的位置。另外,第三介质层130和第一介质层110不同,第三介质层130在保证和基板10的上表面具有较好的亲和性外,第三介质层130还和防水透气膜30具有较好的亲和性保证防水透气膜能够很好的固定在通孔20位置。
本实施例的技术方案中,基板10上下两个表面分别设置有第一介质层110和第二介质层120,开设贯通基板10、第一介质层110和第二介质层120的通孔20,通孔20作为透气用途,去除掉第一介质层110后,在通孔20位置覆盖设置防水透气膜30,在通过设置第三介质层130将防水透气膜30固定在基板10的上表面;在将第三介质层130对应通孔20的位置去除掉,保证通孔20能够顺利透气。本实施例技术方案通过第三介质层130将防水透气膜30固定在基板10和第三介质层130之间,有效避免防水透气膜30脱落,进而保证了传感器的防水效果。
参阅图7所示,在本发明的第一实施例的基础上,提出本发明的第二实施例,设置贯穿基板、第一介质层和第二介质层的通孔的步骤S20,包括:
步骤S210,选定第一位置,去除第一位置在基板的上表面对应的第一介质层和基板的下表面对应的第二介质层。
具体地,参阅图3所示,选定第一位置41,采用光刻定位技术将第一位置41对应的基板10的第一介质层110和基板10的第二介质层120清除掉。光刻定位技术是一种精密的微细加工技术,一般用紫外光作为图像信息载体,以光致抗光刻技术蚀剂为中间媒介实现图形的变换、转移和处理,最终把图像信息传递到介质层上的一种工艺。并且利用化学或者物理的方法,将抗蚀剂膜层未掩蔽的介质层表面除去,从而在介质层表面获得与抗蚀剂膜层图形一致的图形。
步骤S220,去除第一位置对应的基板,形成贯穿基板、第一介质层和第二介质层的通孔。具体地,通过化学湿法腐蚀去除掉第一介质层110和第二介质层120后,基板10的表面裸露出来,化学湿法腐蚀是就是将被腐蚀物体置于液态的化学腐蚀液中进行腐蚀,在腐蚀过程中,腐蚀液将把它所接触的材料通过化学反应逐步浸蚀溶掉。由此可知,通过光刻定位曝光技术和化学湿法腐蚀技术有效形成通孔20。
参阅图8所示,在本发明的第一实施例的基础上,提出本发明的第三实施例,基板为导电基板,导电基板的上表面用于安装各种电子元件,电子元件通过导电基板将信号传递给外部,例如导电基板为铜基板或者为银基板。
去除第一介质层,在基板的上表面对应通孔位置设置防水透气膜的步骤S30之前,包括:
步骤S50,设置分割结构,将基板分割为若干导电区。
在基板10上设置有多个电子元件,每个电子元件需要通过各自的线路将信号传递出去,为此将导电基板依据需要连接外部电子元件的数量进行分割,每个电子元件连接各自的导电区,通过导电区将内部信号传递到外部,或者通过导电区接受外部信号。由此可知基板10除了具有能够支撑整个传感器的作用外,还能够传输内外信号,保证内外信号连接通畅的作用。
参阅图9所示,在本发明的第三实施例的基础上,提出本发明的第四实施例,分割结构包括第一分割结构(未标识)和第二分割结构(未标识),例如第一分割结构和第二分割结构为分割槽,若干导电区包括第一导电区140和第二导电区150,第一导电区140和第二导电区150通过分割槽被切分为独立的导电部件。
设置分割结构,将基板分割为若干导电区的步骤S50,包括:
步骤S510,选定第二位置和第三位置,采用光刻定位曝光去除第二位置和第三位置对应的第一介质层。
具体地,第二位置42和第三位置43可以选定在第一位置41两侧,也可以选定在第一位置41同侧。一般第一位置41选定在传感器的侧边,因此主要的电子元件设置在第一位置41的同侧,因此第二位置42和第三位置43也选定在第一位置41的同侧,保证第二位置42和第三位置43对应的电子元件能够通过较短的信号路径和外部进行连接。
步骤S520,采用化学湿法腐蚀去除第二位置和第三位置对应的基板,形成第一分割结构和第二分割结构,第一分割结构和第二分割结构将基板分割为第一导电区和第二导电区。
具体地,第一分割结构和第二分割结构可以为分割槽,分割槽的具体形状可以依据第一导电区140和第二导电区150设计要求而进行设定,由此可以形成大小不一,形状复杂的各种导电区图形。同样地,分割结构也不限于只有第一分割结构和第二分割结构,还可以根据设定的导电区数量要求而进行增加或减少。
参阅图10和图11所示,在本发明的第四实施例的基础上,提出本发明的第五实施例,在基板的上表面设置第三介质层的步骤之后,包括:
步骤S410,在基板的第三介质层一侧对应第一导电区设选定第一接线位,对应第二导电区设选定第二接线位,去除第一接线位和第二接线位对应的第三介质层。
具体地,第一接线位131的选定依据第一导电区140,第二接线位132的选定依据第二导电区150。去除掉第一导电区140上表面对应的部分第三介质层130,将第一导电区140上表面裸露出一小部分,用于接通对应电子元件。同样地,去除掉第二导电区150上表面对应的部分第三介质层130,将第二导电区150上表面裸露出一小部分,用于接通对应电子元件。去除第三介质层130的方式可以采用光刻定位曝光技术。
步骤S420,在基板的第二介质层一侧对应第一导电区选定第一导通位,对应第二导电区选定第二导通位,去除第一导通位和第二导通位对应的第二介质层。
具体地,为了保证信号传输的数据通畅,第一导电区140的上表面连接对应的电子元件,第一导电区140的下表面连接外部,即在第一导电区140的下表面选定第一导通位121。第二导电区150的上表面连接对应的电子元件,第二导电区150的下表面连接外部,即在第二导电区150的下表面选定第二导通位122。通过第一导通位121和第二导通位122将传感器内部信号传递给外部。去除的方式主要采用光刻定位曝光技术。
另外,需要指出的是,选定第一接线位131和第二接线位132,以及选定第一导通位121和第二导通位122可以是分开进行的,也可以是同步进行的,也就是说,同步的通过光刻定位曝光去除掉第二位置42和第三位置43对应的第三介质层130,以及第一导通位121和第二导通位122对应的第二介质层120。
参阅图12所示,在本发明的第五实施例的基础上,提出本发明的第六实施例,在基板的上表面设置第三介质层,去除通孔位置对应的第三介质层的步骤S40之后,包括:
步骤S61,在第三介质层的上表面,对应第一导电区设置第一集成线路,对应第二导电区设置第二集成线路。
具体地,在第一导电区140对应的第三介质层130的上表面设置有粘贴胶,将第一集成线路51贴附在第一导电区140的上表面。在第二导电区150对应的第三介质层130的上表面设置有粘贴胶,将第二集成线路52贴附在第二导电区150的上表面。第一集成线路51和第二集成线路52可以是集成电路,主要在于接收相应电子元件的信号,对电子元件的信号进行处理分析等。
步骤S62,通过第一接线位将第一集成线路和第一导电区电性连接,通过第二接线位将第二集成线路和第二导电区电性连接。
具体地,通过打金线的方式将第一集成线路140和第一接线位131进行连接,使第一集成线路51和第一导电区140电性连接在一起。同样的,通过打金线的方式将第二集成线路150和第二接线位132进行连接,使第二集成线路52和第二导电区150电性连接在一起。第一集成线路140和第二集成线路150的主要作用在于收集处理相应电子元件的数据,并对数据信号进行传递。
参阅图13所示,在本发明的第六实施例的基础上,提出本发明的第七实施例,通过第一接线位将第一集成线路和第一导电区电性连接,通过第二接线位将第二集成线路和第二导电区电性连接的步骤S62之后,还包括:
步骤S63,在第二集成线路上设置有气压传感器或惯性传感器,气压传感器或惯性传感器与第二集成线路电性连接。
具体地,参阅图14所示,在第二集成线路52上设置粘贴胶,气压传感器或惯性传感器设置于粘贴胶上,并且通过打金线的方式将气压传感器或惯性传感器与第二集成线路52电性连接在一起。气压传感器或惯性传感器用来测量相应数据,将测量结果传输给第二集成线路52,第二集成线路52将测量得到的数据通过第二接线位132传输给第二导电区150,第二导电区150将信号通过第二导通位122传输给外部。
另外,本发明还提供一种实施例,防水透气膜设置在第一介质层和基板之间,第一介质层上表面设置有第三介质层,将第一集成线路和第二集成线路设置在第三介质层和第一介质层之间。
参阅图15和图16所示,在本发明的第一实施例至第七实施例任一实施例的基础上,提出本发明的第八实施例,在基板的上表面设置第三介质层,去除通孔位置对应的第三介质层的步骤S40之后,还包括:
步骤S70,在第三介质层一侧设有气体传感器,气体传感器对应防水透气膜设置。
在第三介质层130对应通孔20的位置表面设置有粘贴胶,气体传感器60设置于粘贴胶上,气体传感器60对应测量通过防水透气膜30的气压,并将测量得出的信号传输至外部。
参阅图17和图18所示,在本发明的第一实施例至第七实施例任一实施例的基础上,提出本发明的第九实施例,在基板的上表面设置第三介质层的步骤之后,还包括:
步骤S430,在基板的第三介质层一侧边缘位置选定第一贴壳区位和第二贴壳区位,去除第一贴壳区位和第二贴壳区位对应的第三介质层。
具体地,选定第一贴壳区位133和第二贴壳区位134的位置,位于基板10上表面侧边,通过光刻定位曝光技术去除掉第一贴壳区位133和第二贴壳区位134对应的第三介质层130。第一贴壳区位133和第二贴壳区位134用于提供安装壳体60安装槽位。
在基板的上表面设置第三介质层,去除通孔位置对应的第三介质层的步骤S40之后,还包括:
步骤S80,在基板的第三介质层一侧扣设外壳,外壳的端口壁插设于第一贴壳区位和第二贴壳区位。
具体地,在第一贴壳区位133和第二贴壳区位134对应位置设置锡膏,将外壳70插设在第一贴壳区位133和第二贴壳区位134内,外壳70焊接固定于基板10上。外壳70通过焊锡固定进行固定,通过外壳70的支撑有效保护传感器内的电子元件。
本发明还提供一种传感器,所述传感器包括:基板10、第二介质层120、第三介质层130和防水透气膜30。
所述第二介质层120设置于所述基板10的下表面;所述第三介质层130设置于所述基板10的上表面,所述基板10设置有通孔20,且所述通孔20贯穿所述第二介质层120和所述第三介质层130;所述防水透气膜30盖设于所述通孔20,且所述防水透气膜30设置于所述第三介质层130和所述基板10之间。
本实施例技术方案通过第三介质层130将防水透气膜30固定在基板10和第三介质层130之间,有效避免防水透气膜30脱落,进而保证了传感器的防水效果。
需要说明的是,在本文中,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者***不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者***所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者***中还存在另外的相同要素。
上述本发明实施例序号仅仅为了描述,不代表实施例的优劣。
通过以上的实施方式的描述,本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现,当然也可以通过硬件,但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解,本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来,该计算机软件产品存储在如上所述的一个存储介质(如ROM/RAM、磁碟、光盘)中,包括若干指令用以使得一台终端设备(可以是手机,计算机,服务器,或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述的方法。
以上仅为本发明的优选实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是在本发明的发明构思下,利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换,或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (8)
1.一种传感器制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:
在基板的上表面设置第一介质层,在所述基板的下表面设置第二介质层;
设置贯穿所述基板、所述第一介质层和所述第二介质层的通孔;
所述基板为导电基板;设置分割结构,将所述基板分割为若干导电区;
去除所述第一介质层,在所述基板的上表面对应所述通孔的位置设置防水透气膜;
在所述基板的上表面设置第三介质层,去除所述通孔位置对应的所述第三介质层;
所述分割结构包括第一分割结构和第二分割结构,所述若干导电区包括第一导电区和第二导电区;
所述设置分割结构,将所述基板分割为若干导电区的步骤,包括:
选定第二位置和第三位置,采用光刻定位曝光去除所述第二位置和所述第三位置对应的所述第一介质层;
采用化学湿法腐蚀去除所述第二位置处和所述第三位置处的所述基板,形成所述第一分割结构和所述第二分割结构,所述第一分割结构和所述第二分割结构将所述基板分割为所述第一导电区和所述第二导电区。
2.如权利要求1所述的传感器制作方法,其特征在于,所述设置贯穿所述基板、所述第一介质层和所述第二介质层的通孔的步骤,包括:
选定第一位置,去除所述第一位置在所述基板的上表面对应的所述第一介质层,并光刻定位曝光去除所述第一位置在所述基板的下表面对应的所述第二介质层;
去除所述第一位置对应的所述基板,形成贯穿所述基板、所述第一介质层和所述第二介质层的通孔。
3.如权利要求1项所述的传感器制作方法,其特征在于,所述“在所述基板的上表面设置第三介质层”的步骤之后,包括:
在所述基板的所述第三介质层一侧对应所述第一导电区设选定第一接线位,对应所述第二导电区设选定第二接线位,去除所述第一接线位和所述第二接线位处的第三介质层;
在所述基板的所述第二介质层一侧对应所述第一导电区选定第一导通位,对应所述第二导电区选定第二导通位,去除所述第一导通位和所述第二导通位对应的所述第二介质层。
4.如权利要求3所述的传感器制作方法,其特征在于,所述“在所述基板的上表面设置第三介质层,去除所述通孔位置对应的所述第三介质层”的步骤之后,包括:
在所述第三介质层的上表面,对应所述第一导电区设置第一集成电路,对应所述第二导电区设置第二集成电路;
通过所述第一接线位将所述第一集成电路和所述第一导电区电性连接,通过所述第二接线位将所述第二集成电路和所述第二导电区电性连接。
5.如权利要求4所述的传感器制作方法,其特征在于,所述“通过所述第一接线位将所述第一集成电路和所述第一导电区电性连接,通过所述第二接线位将所述第二集成电路和所述第二导电区电性连接”的步骤之后,还包括:
在所述第二集成电路上设置有气压传感器或惯性传感器,所述气压传感器或所述惯性传感器与所述第二集成电路电性连接。
6.如权利要求1至5任一项所述的传感器制作方法,其特征在于,所述“在所述基板的上表面设置第三介质层,去除所述通孔位置对应的所述第三介质层”的步骤之后,还包括:
在所述第三介质层一侧设有气体传感器,所述气体传感器对应所述防水透气膜设置。
7.如权利要求1至5任一项所述的传感器制作方法,其特征在于,所述“在所述基板的上表面设置第三介质层”的步骤之后,还包括:
在所述基板的所述第三介质层一侧边缘位置选定第一贴壳区位和第二贴壳区位,去除所述第一贴壳区位和所述第二贴壳区位对应的所述第三介质层;
所述“在所述基板的上表面设置第三介质层,去除所述通孔位置对应的所述第三介质层”的步骤之后,还包括:
在所述基板的所述第三介质层一侧扣设外壳,所述外壳的端口壁插设于所述第一贴壳区位和所述第二贴壳区位。
8.一种传感器,其特征在于,所述传感器包括:
基板;
第二介质层,所述第二介质层设置于所述基板的下表面;
第三介质层,所述第三介质层设置于所述基板的上表面,所述基板设置有通孔,且所述通孔贯穿所述第二介质层和所述第三介质层;和
防水透气膜,所述防水透气膜盖设于所述通孔,且所述防水透气膜设置于所述第三介质层和所述基板之间;
所述基板上还设置有分割结构,将所述基板分割为若干导电区;所述分割结构包括第一分割结构和第二分割结构,所述若干导电区包括第一导电区和第二导电区。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010215690.8A CN111383999B (zh) | 2020-03-24 | 2020-03-24 | 传感器制作方法和传感器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010215690.8A CN111383999B (zh) | 2020-03-24 | 2020-03-24 | 传感器制作方法和传感器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111383999A CN111383999A (zh) | 2020-07-07 |
CN111383999B true CN111383999B (zh) | 2022-11-22 |
Family
ID=71221760
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010215690.8A Active CN111383999B (zh) | 2020-03-24 | 2020-03-24 | 传感器制作方法和传感器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111383999B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114132889A (zh) * | 2021-11-15 | 2022-03-04 | 歌尔微电子股份有限公司 | 一种mems传感器的制作方法及其mems传感器 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101006748A (zh) * | 2004-08-19 | 2007-07-25 | 美商楼氏电子有限公司 | 硅电容器麦克风及制造方法 |
CN103517558A (zh) * | 2012-06-20 | 2014-01-15 | 富葵精密组件(深圳)有限公司 | 封装基板、其制作方法及封装结构 |
CN208350272U (zh) * | 2018-07-13 | 2019-01-08 | 飞鸣科学仪器(武汉)有限公司 | 一种压力传感器 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9811121B2 (en) * | 2015-06-23 | 2017-11-07 | Apple Inc. | Liquid-resistant acoustic device gasket and membrane assemblies |
-
2020
- 2020-03-24 CN CN202010215690.8A patent/CN111383999B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101006748A (zh) * | 2004-08-19 | 2007-07-25 | 美商楼氏电子有限公司 | 硅电容器麦克风及制造方法 |
CN103517558A (zh) * | 2012-06-20 | 2014-01-15 | 富葵精密组件(深圳)有限公司 | 封装基板、其制作方法及封装结构 |
CN208350272U (zh) * | 2018-07-13 | 2019-01-08 | 飞鸣科学仪器(武汉)有限公司 | 一种压力传感器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111383999A (zh) | 2020-07-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN205590278U (zh) | 半导体集成设备以及电子设备 | |
JP4150396B2 (ja) | リジッドフレキシブル基板の製造方法 | |
US7373835B2 (en) | Semiconductor sensor | |
JP5882390B2 (ja) | チップ/基板アセンブリを形成する方法 | |
JP4607612B2 (ja) | 配線回路基板およびその製造方法 | |
US10327076B1 (en) | Top port MEMS package and method | |
CN107924215A (zh) | 制造可拉伸计算设备的方法 | |
CN213280225U (zh) | 埋入式电路板、设备或传感组件 | |
CN105578753B (zh) | 软硬结合板及其制备方法 | |
CN111383999B (zh) | 传感器制作方法和传感器 | |
JP2005109101A (ja) | 電磁シールド型可撓性回路基板 | |
CN106044698A (zh) | 用于封装的mems器件的***和方法 | |
JP2004063864A (ja) | プリント基板及び電子部品のハンダ付け構造 | |
JP2010287893A (ja) | 電子デバイスパッケージ及び製造方法 | |
JP2007220729A (ja) | 配線回路基板およびその製造方法 | |
CN112995866B (zh) | 传感器封装结构和电子设备 | |
CN111533082B (zh) | 微机电***传感器的封装结构及其封装方法、及电子设备 | |
JP2005077955A (ja) | エッチング方法およびそれを用いた回路装置の製造方法 | |
CN111422825B (zh) | 传感器的制造方法 | |
CN117156363A (zh) | Mems麦克风的制作方法及封装结构 | |
JP7166602B2 (ja) | Memsマイクロホン | |
CN101604634B (zh) | 电子元件载板的制作方法 | |
CN104603918B (zh) | 半导体装置的制造方法 | |
CN111463190B (zh) | 传感器及其制作方法、以及电子设备 | |
TWI324890B (en) | Micro electro-mechanical system device and manufacturing method thereof |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |