CN111344907B - 射频传输组件及电子设备 - Google Patents

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    • H01R12/00Structural associations of a plurality of mutually-insulated electrical connecting elements, specially adapted for printed circuits, e.g. printed circuit boards [PCB], flat or ribbon cables, or like generally planar structures, e.g. terminal strips, terminal blocks; Coupling devices specially adapted for printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures; Terminals specially adapted for contact with, or insertion into, printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures
    • H01R12/50Fixed connections
    • H01R12/51Fixed connections for rigid printed circuits or like structures

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Abstract

本申请公开一种射频传输组件,包括至少两个连接件。各连接件均包括主体部、两个连接端部及耦合部,两个连接端部分别连接于主体部的两端,耦合部连接于主体部的中部,耦合部具有耦合面,相邻两个连接件的耦合面相对设置且彼此之间形成电容器。上述射频传输组件的阻抗可控。本申请还公开一种电子设备。

Description

射频传输组件及电子设备
技术领域
本申请涉及射频信号传输技术领域,尤其涉及一种射频传输组件及应用该射频传输组件的电子设备。
背景技术
在电子设备中,通常需要在两个部件之间建立射频通路,以传输射频信号。为了降低对组装公差的要求、增加容错性,业内人士提出可以将弹簧针(pogo pin)或弹片应用于射频通路。然而,传统射频通路中的弹簧针或弹片大多没有做阻抗控制,只能适用于非常短的距离,一旦传输路径较长,则弹簧针或弹片的阻抗大幅度增加,导致射频通路的阻抗严重失配。
发明内容
本申请提供一种射频传输组件及应用该射频传输组件的电子设备。
第一方面,本申请提供了一种射频传输组件。射频传输组件可应用于电子设备。电子设备的射频通路包括第一电路板、第二电路板及连接在第一电路板与第二电路板之间的射频传输组件。
射频传输组件包括至少两个连接件。各连接件均包括主体部、两个连接端部及耦合部。两个连接端部分别连接于主体部的两端。信号在连接件中传输时,信号自其中一个连接端部经主体部向另一个连接端部传输。耦合部连接于主体部的中部。主体部的中部位于主体部的两端之间。耦合部具有耦合面。相邻两个连接件的耦合面相对设置且彼此之间形成电容器。相邻两个连接件的耦合面相当于电容器的两个电极,相邻两个连接件的耦合面之间的空气(或其他绝缘介质)相当于电容器的两个电极之间的电介质。
在本实施方式中,由于相邻两个连接件的耦合面相对设置且彼此之间形成电容器,因此相邻两个连接件的耦合面之间具有一定的耦合面积。故而,射频传输组件通过在连接件上增设耦合部,增加了相邻两个连接件之间的耦合面积。由于射频传输组件中相邻两个连接件的耦合面积较大,因此射频传输组件的阻抗较小,射频传输组件的阻抗可控,射频传输组件的阻抗得以与第一电路板和第二电路板上的射频传输线的阻抗相匹配,有利于电子设备的射频通路实现阻抗匹配,从而有效传递射频信号。同时,射频传输组件也能够降低射频通路的插损,提高射频通路的传输效率。
一种可选实施方式中,相邻两个连接件的耦合面彼此平行。此时,相邻两个连接件的耦合面在耦合中心面上的投影部分重叠或全部重叠。耦合中心面垂直于相邻两个连接件之间的信号辐射路径。相邻两个连接件具有相邻的两个耦合面,这两个耦合面面向彼此,并且这两个耦合面在耦合中心面上的投影发生重叠,重叠情况包括部分重叠和全部重叠。
在本实施例中,两个连接件的耦合面在耦合中心面上的投影的重叠面积较大,相邻两个连接件的耦合面之间的耦合面积也较大。其中,耦合面积大致为相邻两个连接件的耦合面在耦合中心面上的投影的重叠面积。当相邻两个连接件的耦合面在耦合中心面上的投影全部重叠时,连接件能够在增加较小体积的情况下,较大幅度地增加相邻两个连接件之间的耦合面积。
在其他实施例中,相邻两个连接件的耦合面之间也可以形成一定的夹角。例如,面向彼此的两个耦合面之间形成0°至45°之内的夹角。
一种可选实施方式中,耦合面为平面。或者,耦合面也可以为其他形状的曲面,例如弧面、波浪面。
一种可选实施方式中,耦合部包括两个耦合面,两个耦合面分别位于主体部的相背两侧。两个耦合面分别位于主体部的相背两侧。本实施方式中,至少两个连接件在排列时,可以互相调换各连接件的相对位置关系,而不影响射频传输组件的性能,从而降低了射频传输组件的组装难度。
一种可选实施方式中,射频传输组件包括一组或多组连接件。各组连接件包括三个在同一方向上排列的连接件。位于中间的连接件的两个耦合面分别与位于两侧的连接件的耦合面相对设置。换言之,各组连接件包括第一连接件、第二连接件及第三连接件,第二连接件为位于中间的连接件,第一连接件和第三连接件为位于两侧的连接件。第二连接件的朝向第一连接件的耦合面与第一连接件的耦合面相对设置,且两个耦合面之间形成电容器。第二连接件的朝向第三连接件的耦合面与第三连接件的耦合面相对设置,且两个耦合面之间形成电容器。
其中,位于中间的连接件用于传输射频信号,位于两侧的连接件用于传输地信号。位于两侧的连接件能够对射频信号(在位于中间的连接件中传输)起到屏蔽作用,减少射频信号的辐射,以降低射频信号的损耗。并且,当连接件为多组时,在不同组连接件中传输的射频信号对彼此的干扰较小。
位于中间的连接件的两个耦合面分别完全正对位于两侧的连接件的耦合面。也即,位于中间的连接件的耦合面在与其对应的耦合面上的投影完全落入对应的耦合面中。换言之,位于中间的连接件为第二连接件,位于两侧的连接件为第一连接件和第三连接件。第二连接件的朝向第一连接件的耦合面在第一连接件的耦合面上的投影完全落入第一连接件的耦合面内,这两个耦合面面向彼此。第二连接件的朝向第三连接件的耦合面在第三连接件的耦合面上的投影完全落入第三连接件的耦合面内,这两个耦合面面向彼此。
本实施方式中,射频传输组件对位于中间的连接件的耦合面的利用率更高,较大幅度地相邻两个连接件的耦合面之间的耦合面积,使得射频传输组件的阻抗更为可控。同时,位于两侧的连接件能够对射频信号(在位于中间的连接件中传输)起到充分的屏蔽作用,以降低射频信号的损耗。
其中,在一组连接件中,各连接件的耦合面垂直于三个连接件的排列方向。此时,在各耦合面的面积有限的情况下,相邻两个连接件的耦合面之间的耦合面积更大。
一种可选实施方式中,连接件为金属弹片。耦合部相对主体部弯折。其中,耦合部与主体部一体成型。连接件可以由一体的弹片通过弯折形成主体部、两个连接端部及耦合部。本实施方式中,连接件的加工方法较为简单,且成形后的连接件为一体件,结构强度较高。
其中,耦合部与主体部之间形成85°至95°的角。此时,主体部两侧的两个耦合部大致垂直于主体部,连接件的所需求的排布空间大致呈方形,使得多个连接件大致在一个方向上排列时,相邻两个连接件可以较为靠近彼此,射频传输组件的结构较为紧凑,且阻抗较小。
其中,各连接端部均包括第一端、第二端及连接在第一端与第二端之间的中部。第一端固接主体部,第二端悬空设置,中部相对第一端及第二端向远离主体部的方向凸出。此时,连接端部的中部可在抵持其他部件时,相对主体部具有一定的位移形变量,从而使得连接件可吸收部分装配公差,装配良率更高,适用范围更广。
其中,连接端部上可设有抵持触点。抵持触点设于中部。抵持触点相对中部的端部表面凸出,从而保证与其他部件的接触可靠性。抵持触点可通过冲压形成。
一种可选实施方式中,连接件为弹簧针。耦合部安装于主体部的外周侧。其中,耦合部与主体部一体成型,以简化连接件的加工工序,并增加连接件的结构强度。
其中,主体部可大致呈圆柱状,耦合部套设在主体部的外侧。耦合部包括耦合面。耦合部可以是大致呈内圆外方的柱体形状。“内圆外方”中的“圆”体现在耦合部内侧具有一个圆通孔,该圆通孔与主体部的形状相适配。“内圆外方”中的“方”主要体现在耦合部的外周侧面包括平整的耦合面。例如,耦合部包括两个耦合面,两个耦合面分别位于主体部的相背两侧。此时两个耦合面之间可通过平面或弧面连接。或者,在其他实施例中,耦合部也可包括三个或四个耦合面,三个或四个耦合面可直接连接彼此,也可通过平面或弧面连接。连接件的排布位置和数量不同时,耦合面的排布位置及数量也不同。
一种可选实施方式中,两个连接端部均为顶针;或,其中一个连接端部为顶针,另一个连接端部为导电弹片。例如,连接端部为顶针时,能够在主机壳体与充电壳体相装配时,可靠地抵持另一个连接件的连接端部。连接端部为导电弹片时,连接端部可焊接在第二电路板上,使得连接件可靠地连接第二电路板。
第二方面,本申请还提供一种电子设备。电子设备可以是无线热点装置。电子设备包括射频通路。射频通路包括第一电路板、第二电路板及上述射频传输组件。射频传输组件电连接在第一电路板与第二电路板之间。
在本申请中,射频传输组件通过在连接件上设置具有耦合面的耦合部,且相邻两个连接件的耦合面相对设置且彼此之间形成电容器,增加了相邻两个连接件之间的耦合面积,从而降低阻抗,使得射频传输组件的阻抗可控,射频传输组件的阻抗与第一电路板和第二电路板上的射频传输线的阻抗相匹配,有利于电子设备的射频通路实现阻抗匹配,从而有效传递射频信号。同时,射频传输组件也能够降低射频通路的插损,提高射频通路的传输效率。
一种可选实施方式中,第一电路板上设有射频信号焊盘和接地焊盘。射频传输组件的相邻两个连接件中的其中一个连接件的连接端部接触射频信号焊盘,另一个连接件的连接端部接触接地焊盘。例如,连接件的数量为三个,位于中间的连接件接触射频走线,位于两侧的连接件接触接地焊盘。
一种可选实施方式中,射频传输组件的数量为至少两组,至少两组射频传输组件串联在第一电路板与第二电路板之间。由于射频传输组件的数量可以为至少两组,因此第一电路板与第二电路板之间的相对位置的可调性较强,至少两组射频传输组件的具体结构及排布位置的设计灵活性较高,使得射频通路的适用性较高,适用范围较广。
一种可选实施方式中,相邻两组射频传输组件中的其中一组射频传输组件的各连接件的连接端部具有抵持平面,另一组射频传输组件的各连接件的连接端部具有抵持触点,抵持触点抵持抵持平面。
在本实施方式中,两组射频传输组件相串联,两组射频传输组件中的各连接件一一对应地串联在第一电路板与第二电路板之间。相串联的两个连接件的其中一个连接件设有抵持平面,另一个连接件设有抵持触点,抵持触点抵持抵持平面,使得两个连接件之间的抵持连接关系更为可靠。
一种可选实施方式中,电子设备还包括主机壳体、第一组天线、射频芯片、充电壳体及第二组天线,第一电路板、第一组天线及射频芯片收容于主机壳体,射频芯片电连接第一电路板,第一组天线电连接射频芯片,第二电路板和第二组天线收容于充电壳体,第二组天线电连接第二电路板,射频传输组件安装于主机壳体和/或充电壳体。
在本实施方式中,由于第二组天线可以通过射频通路连接至射频芯片,因此电子设备能够通过射频芯片所连接的第一组天线和第二组天线共同收发信号,从而在不增加主机壳体的体积的情况下,增加电子设备的用于收发信号的天线数量,提高电子设备的信道容量。
附图说明
图1是本申请提供的一种电子设备在一种使用状态中的结构示意图;
图2是图1所示电子设备在另一种使用状态中的结构示意图;
图3是图1所示电子设备的部分结构分解图;
图4是图1所示电子设备在A-A线处的部分结构的示意图;
图5是图1所示电子设备的射频通路在一种实施方式中的结构示意图;
图6是图5所示射频通路的其中一组射频传输组件的结构示意图;
图7是图6所示射频传输组件的连接件的结构示意图;
图8是信号在图6所示的两个连接件中传输时的等效电路示意图;
图9是两个传统弹片和图6所示两个连接件的等效模型的示意图;
图10是基于图9所示等效模型得到的一种可能的插损与频率的关系曲线图;
图11是图5所示射频通路的另一组射频传输组件的结构示意图;
图12是图11所示射频传输组件的连接件的结构示意图;
图13是一种可能的天线的初始效率和经图5所示射频通路转接后的转接效率的测试比对图;
图14是图1所示电子设备的射频通路在另一种实施方式中的结构示意图;
图15是一种可能的天线经图14所示射频通路转接后的插损的示意图;
图16是图1所示电子设备的射频通路在再一种实施方式中的结构示意图;
图17是图16所示射频通路的其中一组射频传输组件的结构示意图;
图18是基于图16所示射频通路得到的一种可能的插损与频率的关系曲线图。
具体实施方式
下面结合本申请实施方式中的附图对本申请实施方式进行描述。
请一并参阅图1和图2,图1是本申请提供的一种电子设备100在一种使用状态中的结构示意图,图2是图1所示电子设备100在另一种使用状态中的结构示意图。
本申请实施方式涉及的电子设备100可以是无线热点装置、平板电脑、手机、个人计算机(Personal Computer,PC)、笔记本电脑、车载设备、网络电视、可穿戴设备等设备。本申请实施方式以电子设备100是无线热点装置为例进行说明。
电子设备100包括主机壳体10和充电壳体20。电子设备100的零部件部分位于主机壳体10中,部分位于充电壳体20中。主机壳体10与充电壳体20之间为可拆卸连接关系。如图1所示,主机壳体10可与充电壳体20相固定;如图2所示,主机壳体10也可脱离充电壳体20。
主机壳体10与充电壳体20之间可通过凹凸结构实现配合。例如,主机壳体10上设有一个或多个凹槽或通孔101,充电壳体20上设有一个或多个凸起201,凸起201卡入凹槽或通孔101,以固定主机壳体10与充电壳体20。凹槽或通孔101的壁面与凸起201之间可设置如磁铁组件等彼此吸附的吸附件。或者,凸起201伸入凹槽或通孔101时,凹槽或通孔101的内周壁面与凸起201的外周侧壁之间为过盈配合。
可以理解的是,在本实施方式中,电子设备100包括两个壳体(10、20),电子设备100中的零部件可依据需求分布在主机壳体10和充电壳体20中,主机壳体10与收容于主机壳体10的零部件共同构成电子设备100的一部分,充电壳体20与其收容于充电壳体20的零部件构成电子设备100的另一部分,这两部分可拆卸连接。
在其他实施方式中,电子设备100可以包括一个壳体,例如包括整机壳体,电子设备100的所有零部件均收容于整机壳体。或者,电子设备100也可以包括三个壳体或更多的壳体,电子设备100的零部件分布在这些壳体中。
请一并参阅图3和图4,图3是图1所示电子设备100的部分结构分解图,图4是图1所示电子设备100在A-A线处的部分结构的示意图。
电子设备100还包括第一部件40、第二部件50及射频通路30。射频通路30连接在第一部件40与第二部件50之间。第一部件40包括但不限于天线、射频芯片、基带芯片、功率放大器(Power Amplifier,PA)、滤波器(filter)、中央处理器(Central Processing Unit,CPU)或***级芯片(System on Chip,SOC)中的一者或多者。第二部件50包括但不限于天线、射频芯片、基带芯片、功率放大器、滤波器、中央处理器或***级芯片中的一者或多者。射频通路30能够在第一部件40与第二部件50之间传输射频信号、地信号、电源信号中的一者或多者。其中,射频信号包括高频、甚高频和超高频,其频率在300kHz(千赫兹)至300GHz(吉赫兹)范围中。射频信号可以包括但不限于无线局域网(Wireless-Fidelity,Wi-Fi)信号、蓝牙信号、全球导航卫星***(Global Navigation Satellite System,GNSS)、2G(2-Generation wireless telephone technology,第二代手机通信技术规格)信号、3G(3-Generation wireless telephone technology,第三代手机通信技术规格)信号、4G(4-Generation wireless telephone technology,***手机通信技术规格)信号或5G(5-Generation wireless telephone technology,第五代手机通信技术规格)信号。
其中,第一部件40可收容于主机壳体10。第二部件50可收容于充电壳体20。射频通路30安装于主机壳体10和/或充电壳体20。换言之,射频通路30可安装于主机壳体10;或者,射频通路30可安装于充电壳体20;或者,部分射频通路30安装于主机壳体10、部分射频通路30安装于充电壳体20。如图2和图4所示,本申请实施方式以部分射频通路30安装于主机壳体10、部分射频通路30安装于充电壳体20为例进行说明。
在一种实施方式中,第一部件40包括基带芯片401、射频芯片402及第一组天线403。射频芯片402电连接基带芯片401,第一组天线403连接射频芯片402。信号在“基带芯片401——射频芯片402——第一组天线403”之间传输。第一组天线403包括一个或多个天线404。
第二部件50包括第二组天线501。第二组天线501包括一个或多个天线502。射频通路30用于在射频芯片402与第二组天线501之间传输射频信号。其中,电子设备100的第二部件50还可包括充电组件503。
在本实施方式中,由于第二组天线501可以通过射频通路30连接至射频芯片402,因此电子设备100能够通过射频芯片402所连接的第一组天线403和第二组天线501共同收发信号,从而在不增加主机壳体10的体积的情况下,增加电子设备100的用于收发信号的天线数量,提高电子设备100的信道容量。
例如,第一组天线403包括4个天线404,第二组天线501包括4个天线502,则电子设备100共包括8个天线(404、502)。在一些使用环境(例如室内)中,主机壳体10能够连接充电壳体20,8个天线(404、502)可以用于满足8×8的多输入多输出(Multiple-lnputMultiple-Output,MIMO)***的收发需求,使得电子设备100的信道容量增大。此时,电子设备100可以同步进行充电。在另一些使用环境(例如户外移动环境)中,主机壳体10也可以脱离充电壳体20,主机壳体10中的4个天线404能够实现4×4的多输入多输出***的收发需求。
请一并参阅图3和图4,射频通路30包括第一电路板60、第二电路板70及射频传输组件80。射频传输组件80电连接在第一电路板60与第二电路板70之间。射频传输组件80能够在第一电路板60与第二电路板70之间传输射频信号。
其中,第一电路板60收容于主机壳体10。第一组天线403、射频芯片402收容于主机壳体10。射频芯片402电连接第一电路板60。第一组天线403电连接射频芯片402。射频芯片402可固定在第一电路板60上。基带芯片401可固定在第一电路板60上。第一组天线403可固定在第一电路板60相背的两个板面的一者或多者上。其他实施例中,第一组天线403也可固定在主机壳体10上。
第二电路板70收容于充电壳体20。第二组天线501收容于充电壳体20。第二组天线501电连接第二电路板70。第二组天线501可固定在第二电路板70相背的两个板面的一者或多者上。其他实施例中,第二组天线501也可固定在充电壳体20上。
射频传输组件80安装于主机壳体10和/或充电壳体20。换言之,射频传输组件80安装于主机壳体10;或者,射频传输组件80安装于充电壳体20;或者,部分射频传输组件80安装于主机壳体10,部分射频传输组件80安装于充电壳体20。
本申请实施方式以部分射频传输组件80安装于主机壳体10、部分射频传输组件80安装于充电壳体20为例进行说明。
请一并参阅图3和图4,射频通路30包括两组射频传输组件80。两组射频传输组件80串联在第一电路板60与第二电路板70之间。一组射频传输组件80安装于主机壳体10,另一组射频传输组件80安装于充电壳体20。
在其他实施方式中,射频传输组件80的数量也可以为三组、四组等。也即,射频传输组件80的数量为至少两组,至少两组射频传输组件80串联在第一电路板60与第二电路板70之间。由于射频传输组件80的数量可以为至少两组,因此第一电路板60与第二电路板70之间的相对位置的可调性较强,至少两组射频传输组件80的具体结构及排布位置的设计灵活性较高,使得射频通路30的适用性较高,适用范围较广。例如,第一电路板60固定在主机壳体10上,第二电路板70固定在充电壳体20上。至少两组射频传输组件80部分安装于主机壳体10,部分安装于充电壳体20。
在其他实施方式中,射频传输组件80的数量也可以为一组。例如,射频传输组件80安装于主机壳体10或充电壳体20。射频传输组件80安装于主机壳体10时,射频传输组件80的一端接触第一电路板60,另一端在主机壳体10连接充电壳体20时接触第二电路板70。射频传输组件80安装于充电壳体20时,射频传输组件80的一端接触第二电路板70,另一端在主机壳体10连接充电壳体20时接触第一电路板60。
请结合参阅图2和图4,主机壳体10上设有第一连通孔102。充电壳体20上设有第二连通孔202。安装于主机壳体10的射频传输组件80的一端接触第一电路板60,另一端(定义为第一连接端)经第一连通孔102露出或伸出主机壳体10。安装于充电壳体20的射频传输组件80的一端接触第二电路板70,另一端(定义为第二连接端)经第二连通孔202露出或伸出充电壳体20。主机壳体10与充电壳体20相连接时,第一连接端连接第二连接端,串联的两组射频传输组件80电连接第一电路板60和第二电路板70,使得射频通路30连接第一部件40(例如射频芯片402)与第二部件50(例如第二组天线501)。如图2所示,主机壳体10与充电壳体20相分离时,第一连接端脱离第二连接端。
在本实施方式中,只需将主机壳体10固定在充电壳体20上,即能够一次性地导通射频通路30,因此射频通路30的连通方式简单、易实现。由于主机壳体10与充电壳体20相配合时,第一连通孔102、第二连通孔202及射频通路30均被这两个壳体所包围或覆盖,因此电子设备100的整机外观良好。
在本申请中,射频通路30的射频传输组件80的数量为多组时,多组射频传输组件80中各组射频传输组件80的结构可以相同,也可以不同。
请一并参阅图5至图7,图5是图1所示电子设备100的射频通路30在一种实施方式中的结构示意图,图6是图5所示射频通路30的其中一组射频传输组件80的结构示意图,图7是图6所示射频传输组件80的连接件8的结构示意图。两组射频传输组件80的结构大致相同,但也存在部分细节结构的差异。
各组射频传输组件80包括至少两个连接件8。至少两个连接件8并排地连接在第一电路板60与第二电路板70之间。至少两个连接件8中的各连接件8的结构可以是相同的,也可以是存在差异的。本申请实施方式以一组射频传输组件80中的至少两个连接件8中的各连接件8的结构是相同的为例进行说明。各连接件8结构相同不仅有利于射频传输组件80的批量化生产,也有利于简化射频传输组件80的组装工序。
各连接件8均包括主体部81、两个连接端部82及耦合部83。两个连接端部82分别连接于主体部81的两端811。信号在连接件8中传输时,信号自其中一个连接端部82经主体部81向另一个连接端部82传输。耦合部83连接于主体部81的中部812。主体部81的中部812位于主体部81的两端811之间。耦合部83位于两个连接端部82之间。耦合部83具有耦合面831。相邻两个连接件8的耦合面831相对设置且彼此之间形成电容器。相邻两个连接件8的耦合面831相当于电容器的两个电极,相邻两个连接件8的耦合面831之间的空气(或其他绝缘介质)相当于电容器的两个电极之间的电介质。
在本实施方式中,由于相邻两个连接件8的耦合面831相对设置且彼此之间形成电容器,因此相邻两个连接件8的耦合面831之间具有一定的耦合面积。故而,频传输组件80通过在连接件8上增设耦合部83,增加了相邻两个连接件8之间的耦合面积。
如图6所示,一种实施例中,相邻两个连接件8的耦合面831彼此平行。此时,相邻两个连接件8的耦合面831在耦合中心面801上的投影部分重叠或全部重叠。耦合中心面801垂直于相邻两个连接件8之间的信号辐射路径802。相邻两个连接件8具有相邻的两个耦合面831,这两个耦合面831面向彼此,并且这两个耦合面831在耦合中心面801上的投影发生重叠,重叠情况包括部分重叠和全部重叠。耦合中心面801是一个虚设的平面,该平面大致垂直于相邻两个连接件8之间的信号辐射路径802。当两个连接件8的信号辐射路径802发生变化时,耦合中心面801的位置也发生变化。例如,相邻两个连接件8包括两个面向彼此的耦合面831,其中一个耦合面831在另一个耦合面831所在平面上的投影与另一个耦合面831发生重叠,重叠情况包括部分重叠和全部重叠。
在本实施例中,两个连接件8的耦合面831在耦合中心面801上的投影的重叠面积较大,相邻两个连接件8的耦合面831之间的耦合面积也较大。其中,耦合面积大致为相邻两个连接件8的耦合面831在耦合中心面801上的投影的重叠面积。当相邻两个连接件8的耦合面831在耦合中心面801上的投影全部重叠时,连接件8能够在增加较小体积的情况下,较大幅度地增加相邻两个连接件8之间的耦合面积。
在其他实施例中,相邻两个连接件8的耦合面831之间也可以形成一定的夹角。例如,面向彼此的两个耦合面831之间形成0°至45°之内的夹角。
如图6所示,一种实施例中,耦合面831为平面。其他实施例中,耦合面831也可以为其他形状的曲面,例如弧面、波浪面。
如图5和图6所示,一种实施例中,耦合部83包括两个耦合面831。两个耦合面831分别位于主体部81的相背两侧。其中,耦合部83的数量为两个,两个耦合部83分别连接主体部81的中部812的两条侧边813,这两条侧边813连接在主体部81的两端811之间。两个耦合面831分别位于两个耦合部83上。本实施例中,至少两个连接件8在排列时,可以互相调换各连接件8的相对位置关系,而不影响射频传输组件80的性能,从而降低了射频传输组件80的组装难度。
例如,射频传输组件80的连接件8的数量为三个。三个连接件8沿同一方向排列。这三个连接件8的位置可以进行对调。位于中间的连接件8的两个耦合面831,分别与位于两侧的连接件8的耦合面831(处于靠近位于中间的连接件8的一侧)相对设置。
如图7所示,连接件8为金属弹片。耦合部83相对主体部81弯折。耦合部83与主体部81一体成型。例如,连接件8可以由一体的弹片通过弯折形成主体部81、两个连接端部82及耦合部83。本实施例中,连接件8的加工方法较为简单,且成形后的连接件8为一体件,结构强度较高。
其中,耦合部83与主体部81之间形成85°至95°的角。此时,主体部81两侧的两个耦合部83大致垂直于主体部81,连接件8的所需求的排布空间大致呈方形,使得多个连接件8大致在一个方向上排列时,相邻两个连接件8可以较为靠近彼此,射频传输组件80的结构较为紧凑。
其中,各连接端部82均包括第一端821、第二端822及连接在第一端821与第二端822之间的中部826。第一端821固接主体部81,第二端822悬空设置。中部826相对第一端821及第二端822向远离主体部81的方向凸出。此时,连接端部82可大致呈“√”形或倒“√”形。连接端部82的中部826可在抵持其他部件时,相对主体部81具有一定的位移形变量,从而使得连接件8可吸收部分装配公差,装配良率更高,适用范围更广。
其中,连接端部82上可设有抵持触点823。本实施例中,抵持触点823设于的中部826。抵持触点823相对中部826的端部表面824凸出,从而保证与其他部件的接触可靠性。抵持触点823可通过冲压形成。
其中,主体部81上可设有一个或多个通孔814。
请一并参阅图8和图9,图8是信号在图6所示的两个连接件8中传输时的等效电路示意图,图9是两个传统弹片和图6所示两个连接件8的等效模型的示意图。
信号在两个连接件8中传输时,连接件8等效成电感L和电阻R,两个连接件8之间信号耦合形成等效的电容C和电导G。信号在两个连接件8中传输时的阻抗Z为:
Figure GPA0000288754600000111
如图9所示,图9中左侧图示是传统弹片的等效模型的示意图,传统弹片包括主体部和连接在主体部两端的两个连接端部,因此传统弹片大致相当于扁平的走线41。信号在两个传统弹片中传输时,由于两个传统弹片之间的耦合面积(主要由两个传统弹片的主体部所形成)很小,因此阻抗Z很容易达到一个很大的值。如果想要将阻抗Z控制到靠近射频传输线阻抗(50欧),则两个弹片之间的间距需要控制到极小,生产无法实现。图9中右侧图示是本申请连接件8的等效模型的示意图,由于连接件8增设了具有耦合面831的耦合部83,相邻两个连接件8的耦合面831相对设置且彼此之间形成电容器,因此增加了相邻两个连接件8之间的耦合面积,连接件8大致相当于具有一定高度的耦合墙42。由于两个连接件8的耦合面积增加,因此两个连接件8之间的电容C和电导G增加,连接件8中的电感L和电阻R减小,从而能够有效减小阻抗Z,使得射频传输组件80的阻抗Z可控,阻抗Z能够靠近射频传输线阻抗,使得射频通路30实现阻抗匹配。
请参阅图10,图10是基于图9所示等效模型得到的一种可能的插损与频率的关系曲线图(也即S21曲线图)。图10的横坐标代表频率,单位为吉赫(GHz);纵坐标代表插损,单位为分贝(dB)。图10中901对应于图9中左侧等效模型;902对应于图9中右侧等效模型。由图10可知,在相同频率下,902曲线所对应的插损明显小于901曲线所对应的插损。本申请连接件8通过增设耦合面831,使得应用连接件8的射频通路30在使用中的插损相较于应用传统弹片的射频通路30的插损大幅度降低,改善明显。
一种实施例中,参阅图6,在调节各连接件8的耦合面831的位置与大小时,还可以调节相邻两个连接件8的耦合面831之间的间隙S,也即调节相邻两个连接件8之间的间隙,以更好地控制射频传输组件80的阻抗。当相邻两个连接件8较为靠近彼此,相邻两个耦合面831之间的距离较小时,电容C增加,射频传输组件80的阻抗Z减小。
请一并参阅图5、图11以及图12,图11是图5所示射频通路30的另一组射频传输组件80的结构示意图,图12是图11所示射频传输组件80的连接件8的结构示意图。
图12所示的射频传输组件80与图6所示的射频传输组件80的区别在于:图12所示的射频传输组件80中的连接件8的其中一个连接端部82具有抵持平面825。抵持平面825可设于连接端部82的中部826上。具体而言,相邻两组射频传输组件80中的其中一组射频传输组件80(对应于图12)的各连接件8的连接端部82具有抵持平面825,另一组射频传输组件80(对应于图6)的各连接件8的连接端部82具有抵持触点823,抵持触点823抵持抵持平面825。
在本实施方式中,两组射频传输组件80相串联,两组射频传输组件80中的各连接件8一一对应地串联在第一电路板60与第二电路板70之间。相串联的两个连接件8的其中一个连接件8设有抵持平面825,另一个连接件8设有抵持触点823,抵持触点823抵持抵持平面825,使得两个连接件8之间的抵持连接关系更为可靠。
本实施方式的射频传输组件80和连接件8的其他部分设计参阅图6所示射频传输组件80和图7所示连接件8,具体方案不再赘述。
进一步地,请参阅图13,图13是一种可能的天线的初始效率和经图5所示射频通路30转接后的转接效率的测试比对图。其中,测试中的天线相当于本申请中第二组天线501中的一个天线502。图13的横坐标代表频率,单位为兆赫(MHz);纵坐标代表效率,单位为分贝(dB)。图13中903代表在2500兆赫到2700兆赫范围内天线的初始效率;904代表在2500兆赫到2700兆赫范围内天线的转接效率;905代表在3400兆赫到3580兆赫范围内天线的初始效率;906代表在3400兆赫到3580兆赫范围内天线的转接效率。904和903之间的差值及906和905之间的差值代表插损。由图13可知,经过射频通路30的转接后,射频通路30的插损小于2分贝,并且整个***(包括射频通路30和天线)的天线效率仍然高于-3分贝,即50%,从而满足多输入输出***在B41频段(工作频率:2496至2690MHz)和B42频段(工作频率:3400至3600MHz)的指标要求。
故而,在本申请中,射频传输组件80通过在连接件8(例如金属弹片)上设置具有耦合面831的耦合部83,且相邻两个连接件8的耦合面831相对设置且彼此之间形成电容器,能够增加相邻两个连接件8之间的耦合面积,从而降低阻抗,使得射频传输组件80的阻抗可控,射频传输组件80的阻抗与第一电路板60和第二电路板70上的射频传输线的阻抗相匹配,有利于射频通路30实现阻抗匹配,同时,也能够降低射频通路30的插损,提高射频通路30的传输效率。
请一并参阅图5和图14,图14是图1所示电子设备100的射频通路30在另一种实施方式中的结构示意图。
射频传输组件80包括一组或多组连接件8。各组连接件8包括三个在同一方向上排列的连接件8。如图5所示射频通路30中的射频传输组件80包括一组连接件8。如图14所示的射频通路30中的射频传输组件80包括两组连接件8。图14中一个虚线框所包括的部分示意为一组连接件8。
其中,位于中间的连接件8的两个耦合面831分别与位于两侧的连接件8的耦合面831相对设置。换言之,各组连接件8包括第一连接件、第二连接件及第三连接件,第二连接件为位于中间的连接件,第一连接件和第三连接件为位于两侧的连接件。第二连接件的朝向第一连接件的耦合面与第一连接件的耦合面相对设置,且两个耦合面之间形成电容器。第二连接件的朝向第三连接件的耦合面与第三连接件的耦合面相对设置,且两个耦合面之间形成电容器。
一种实施例中,位于中间的连接件8用于传输射频信号,位于两侧的连接件8用于传输地信号。此时,位于两侧的连接件8能够对射频信号(在位于中间的连接件8中传输)起到屏蔽作用,减少射频信号的辐射,以降低射频信号的损耗。并且,当连接件8为多组时,在不同组连接件8中传输的射频信号对彼此的干扰较小。
请参阅图5,本申请以图5所示射频通路30为例进行说明。
第一电路板60上设有射频信号焊盘61和接地焊盘62。射频信号焊盘61与接地焊盘62彼此绝缘。第一电路板60上还设有射频走线63。射频走线63的一端用于电连接第一部件40(例如射频芯片402)。射频走线63的另一端连接射频信号焊盘61。射频传输组件80的相邻两个连接件8中的其中一个连接件8的连接端部82接触射频信号焊盘61,另一个连接件8的连接端部82接触接地焊盘62。具体而言,靠近第一电路板60的射频传输组件80的三个连接件8中,位于中间的连接件8接触射频信号焊盘61,位于两侧的连接件8接触接地焊盘62。
第二电路板70上设有射频信号焊盘71和接地焊盘72。射频信号焊盘71与接地焊盘72彼此绝缘。第二电路板70上还设有射频走线73。射频走线73的一端用于电连接第二部件50(例如第二组天线501的一个天线502)。射频走线73的另一端连接射频信号焊盘71。射频传输组件80的相邻两个连接件8中的其中一个连接件8的连接端部82接触射频信号焊盘71,另一个连接件8的连接端部82接触接地焊盘72。具体而言,靠近第二电路板70的射频传输组件80的三个连接件8中,位于中间的连接件8接触射频信号焊盘71,位于两侧的连接件8接触接地焊盘72。
其中,位于中间的连接件8的两个耦合面831分别完全正对位于两侧的连接件8的耦合面831。也即,位于中间的连接件8的耦合面831在与其对应的耦合面831上的投影完全落入对应的耦合面831中。换言之,位于中间的连接件8为第二连接件,位于两侧的连接件8为第一连接件和第三连接件。第二连接件的朝向第一连接件的耦合面在第一连接件的耦合面上的投影完全落入第一连接件的耦合面内,这两个耦合面面向彼此。第二连接件的朝向第三连接件的耦合面在第三连接件的耦合面上的投影完全落入第三连接件的耦合面内,这两个耦合面面向彼此。
在本实施例中,射频传输组件80对位于中间的连接件8的耦合面831的利用率更高,较大幅度地相邻两个连接件8的耦合面831之间的耦合面积,使得射频传输组件80的阻抗更为可控。同时,位于两侧的连接件8能够对射频信号(在位于中间的连接件8中传输)起到充分的屏蔽作用,以降低射频信号的损耗。
其中,在一组连接件8中,各连接件8的耦合面831垂直于三个连接件8的排列方向。此时,在各耦合面831的面积有限的情况下,相邻两个连接件8的耦合面831之间的耦合面积更大。
可以理解的,图5所示实施方式中,各射频传输组件80包括一组连接件8,用于实现一个天线502与射频芯片402的连接。图14所示实施方式中,各射频传输组件80包括两组连接件8,用于实现两个天线502与射频芯片402的连接。其他实施方式中,对应于图4,各射频传输组件80可包括四组连接件8,以使充电壳体20中的四个天线502能够与主机壳体10中的射频芯片402相连接。
在其他实施方式中,射频传输组件80的数量为一组时,位于中间的连接件8的两个连接端部82分别连接第一电路板60上的射频信号焊盘61和第二电路板70上的射频信号焊盘71,位于两侧的连接件8的两个连接端部82分别连接第一电路板60上的接地焊盘62和第二电路板70上的接地焊盘72。
在其他实施方式中,射频传输组件80中的各组连接件8也可包括两个连接件8。
进一步地,请参阅图15,图15是一种可能的天线经图14所示射频通路30转接后的插损的示意图。其中,测试中的天线相当于本申请中第二组天线501中的一个天线502。插损为天线的初始效率与经图14所示射频通路30转接后的转接效率之间的差值。图15的横坐标代表频率,单位为兆赫(MHz);纵坐标代表插损,单位为分贝(dB)。图15中907代表在2500兆赫到2700兆赫范围内,天线信号经过第一组连接件8的插损;908代表在2500兆赫到2700兆赫范围内,天线信号经过第二组连接件8的插损;909代表在3400兆赫到3580兆赫范围内,天线信号经过第一组连接件8的插损;9010代表在3400兆赫到3580兆赫范围内,天线信号经过第二组连接件8的插损。由图15可知,经过射频通路30的转接后,射频通路30的插损小于2分贝,射频通路30的插损很小,使得整个***(包括射频通路30和天线)仍可以保持较高的效率,以满足多输入输出***在B41和B42频段的指标要求。同时,由图15也可知,信号在两组连接件8中的插损是接近的,且均能够满足多输入输出***在B41和B42频段的指标要求。
请一并参阅图16和图17,图16是图1所示电子设备100的射频通路30在再一种实施方式中的结构示意图;图17是图16所示射频通路30的其中一组射频传输组件80的结构示意图。
图16所示射频通路30与图5所示射频通路30的区别在于:图16所示射频通路30中的其中一组射频传输组件80的连接件8为弹簧针。以下主要描述连接件8为弹簧针时与连接件8为金属弹片时所具有的不同点,相同地方则不再赘述。
射频通路30包括两组射频传输组件80。靠近第一电路板60的射频传输组件80的连接件8为弹片,靠近第二电路板70的射频传输组件80为弹簧针。
连接件8包括主体部81、两个连接端部82及耦合部83。两个连接端部82分别连接在主体部81相背的两端。耦合部83安装于主体部81的外周侧。耦合部83与主体部81一体成型,以简化连接件8的加工工序,并增加连接件8的结构强度。其他实施例中,耦合部83可通过组装方式固定连接主体部81。
其中,主体部81可大致呈圆柱状,耦合部83套设在主体部81的外侧。耦合部83包括耦合面831。耦合部83可以是大致呈内圆外方的柱体形状。“内圆外方”中的“圆”体现在耦合部83内侧具有一个圆通孔,该圆通孔与主体部81的形状相适配。“内圆外方”中的“方”主要体现在耦合部83的外周侧面包括平整的耦合面831。例如,耦合部83包括两个耦合面831,两个耦合面831分别位于主体部81的相背两侧。此时两个耦合面831之间可通过平面或弧面连接。或者,在其他实施例中,耦合部83也可包括三个或四个耦合面831,三个或四个耦合面831可直接连接彼此,也可通过平面或弧面连接。连接件8的排布位置和数量不同时,耦合面831的排布位置及数量也不同。
一种实施例中,如图17所示,连接件8的其中一个连接端部82为顶针,另一个连接端部82为导电弹片。例如,靠近另一组射频传输组件80的连接端部82为顶针,以在主机壳体10与充电壳体20相装配时,容易抵持另一组射频传输组件80的连接件8的连接端部82。同时,露出充电壳体20的部分只有顶针的端部,使得电子设备100更为美观,同时也不易划伤用户,使得用户体验更佳。靠近第二电路板70的连接端部82为导电弹片。导电弹片可焊接在第二电路板70上,使得连接件8可靠地连接第二电路板70。
在其他实施例中,连接件8的两个连接端部82也可以均为顶针。此时,连接件8的物料数量较少。连接件8的主体部81、两个连接端部82及耦合部83可以一体成型。
其中,相邻两组射频传输组件80中的其中一组射频传输组件80的各连接件8的连接端部82具有抵持平面825,另一组射频传输组件80的各连接件8的连接端部82具有抵持触点823(也即顶针的端部),抵持触点823抵持抵持平面825。
在其他实施例中,射频通路30中的各组射频传输组件80的连接件8的结构可以依据需要进行灵活组合,例如金属弹片与金属弹片组合、金属弹片与弹簧针组合或弹簧针与弹簧针组合。
请参阅图18,图18是基于图16所示射频通路30得到的一种可能的插损与频率的关系曲线图(也即S21曲线图)。图18的横坐标代表频率,单位为吉赫(GHz);纵坐标代表插损,单位为分贝(dB)。由图18可知,点M1至点M2之间的曲线所在频率对应于B41频段和B42频段,点M1至点M2之间的曲线所对应的插损在0.87分贝到1.10分贝之间。故而,本申请中连接件8为弹簧针时,可通过增设耦合面831,使得应用连接件8的射频通路30在使用中的插损能够控制在一个较小的范围内,以满足多输入输出***在B41频段和B42频段的指标要求。
在本申请中,射频传输组件80通过在连接件8(可以为金属弹片或弹簧针)上设置具有耦合面831的耦合部83,且相邻两个连接件8的耦合面831相对设置且彼此之间形成电容器,以增加相邻两个连接件8之间的耦合面积,从而降低阻抗,使得射频传输组件80的阻抗可控,射频传输组件80的阻抗与第一电路板60和第二电路板70上的射频传输线的阻抗相匹配,有利于射频通路30实现阻抗匹配,从而有效传递射频信号。同时,射频传输组件80也能够降低射频通路30的插损,提高射频通路30的传输效率。
以上所述,仅为本申请的具体实施方式,但本申请的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此,本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (17)

1.一种射频传输组件,其特征在于,包括至少两个连接件,各所述连接件均包括主体部、两个连接端部及耦合部,所述两个连接端部分别连接于所述主体部的两端,信号在所述连接件中传输时,所述信号自其中一个所述连接端部经所述主体部向另一个所述连接端部传输,所述耦合部连接于所述主体部的中部,所述耦合部具有耦合面,相邻两个所述连接件的所述耦合面相对设置且彼此之间形成电容器。
2.如权利要求1所述的射频传输组件,其特征在于,相邻两个所述连接件的所述耦合面彼此平行。
3.如权利要求1所述的射频传输组件,其特征在于,所述耦合部包括两个所述耦合面,两个所述耦合面分别位于所述主体部的相背两侧。
4.如权利要求3所述的射频传输组件,其特征在于,所述射频传输组件包括一组或多组所述连接件,各组所述连接件包括三个在同一方向上排列的所述连接件,位于中间的所述连接件的两个所述耦合面分别与位于两侧的所述连接件的所述耦合面相对设置。
5.如权利要求4所述的射频传输组件,其特征在于,位于中间的所述连接件用于传输射频信号,位于两侧的所述连接件用于传输地信号,位于中间的所述连接件的两个所述耦合面分别完全正对位于两侧的所述连接件的所述耦合面。
6.如权利要求4所述的射频传输组件,其特征在于,在一组所述连接件中,各所述连接件的所述耦合面垂直于三个所述连接件的排列方向。
7.如权利要求1至6中任意一项所述的射频传输组件,其特征在于,所述连接件为金属弹片,所述耦合部相对所述主体部弯折。
8.如权利要求7所述的射频传输组件,其特征在于,所述耦合部与所述主体部之间形成85°至95°的角。
9.如权利要求7所述的射频传输组件,其特征在于,各所述连接端部均包括第一端、第二端及连接在所述第一端与所述第二端之间的中部,所述第一端固接所述主体部,所述第二端悬空设置,所述中部相对所述第一端及所述第二端向远离所述主体部的方向凸出。
10.如权利要求1至6中任意一项所述的射频传输组件,其特征在于,所述连接件为弹簧针,所述耦合部安装于所述主体部的外周侧。
11.如权利要求10所述的射频传输组件,其特征在于,两个所述连接端部均为顶针;或,其中一个所述连接端部为顶针,另一个所述连接端部为导电弹片。
12.如权利要求7所述的射频传输组件,其特征在于,所述耦合部与所述主体部一体成型。
13.一种电子设备,其特征在于,包括第一电路板、第二电路板及权利要求1至12中任意一项所述的射频传输组件,所述射频传输组件电连接在所述第一电路板与所述第二电路板之间。
14.如权利要求13所述的电子设备,其特征在于,所述第一电路板上设有射频信号焊盘和接地焊盘,所述射频传输组件的相邻两个所述连接件中的其中一个所述连接件的连接端部接触所述射频信号焊盘,另一个所述连接件的连接端部接触所述接地焊盘。
15.如权利要求13所述的电子设备,其特征在于,所述射频传输组件的数量为至少两组,至少两组所述射频传输组件串联在所述第一电路板与所述第二电路板之间。
16.如权利要求15所述的电子设备,其特征在于,相邻两组所述射频传输组件中的其中一组所述射频传输组件的各所述连接件的连接端部具有抵持平面,另一组所述射频传输组件的各所述连接件的连接端部具有抵持触点,所述抵持触点抵持所述抵持平面。
17.如权利要求13至16中任意一项所述的电子设备,其特征在于,所述电子设备还包括主机壳体、第一组天线、射频芯片、充电壳体及第二组天线,所述第一电路板、所述第一组天线及所述射频芯片收容于所述主机壳体,所述射频芯片电连接所述第一电路板,所述第一组天线电连接所述射频芯片,所述第二电路板和所述第二组天线收容于所述充电壳体,所述第二组天线电连接所述第二电路板,所述射频传输组件安装于所述主机壳体和/或所述充电壳体。
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