CN111326562B - 量子点显示面板及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种量子点显示面板及其制备方法，本申请中量子点显示面板包括彩膜基板、位于彩膜基板表面的像素定义层、位于像素定义层的像素定义区中的量子点光致转换膜、以及位于量子点光致转换膜下方的蓝光显示器件，由于所述像素定义层设置了垫高层和遮光层，确保了像素定义层的厚度大于或等于6um，有利于量子点光致转换膜中量子点粒子均匀固化，无缝隙地贴合于像素定义层侧面，避免量子点显示面板产生混光和漏光现象，从蓝光显示器件中出射蓝色光源，激发量子点光致转换膜，发出纯净光，纯净光透过色阻变成相应的色彩，从而实现出射光更柔和、更均匀、亮度更高，提高了显示器件色域和视角，从而提升量子点显示面板显示品质。
Description
技术领域
本发明涉及显示面板制造技术领域，尤其涉及一种量子点显示面板及其制备方法。
背景技术
随着显示技术的蓬勃发展，高色域已经成为一个重要发展方向。高色域意味着显示画面具有更加丰富多彩的色彩，具有更强的色彩展现能力。QD(Quantum Dot，量子点)显示技术属于创新半导体纳米晶体技术，可以准确输送光线，高效提升显示屏的色域值以及视角，让色彩更加纯净鲜艳，使色彩表现更具张力，采用该技术的显示器不仅能产生色域范围更广的动态色彩，还能在画质中展现真实的色板，超越了传统意义上的背光技术。
随着柔性曲面触控显示技术的快速发展，相关领域技术更新也是日新月异。例如OLED是指利用有机半导体材料和发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光的二极管，QD-OLED显示面板结合了OLED电致发光技术以及量子点QD光致发光技术，包括一发射蓝光的OLED阵列基板、一量子点光致转换膜以及一彩色滤光片(Color Filter，简称CF)。QD-OLED显示面板利用蓝光OLED作为光源，激发量子点光致转换膜中红/绿量子点，红色量子点在接收到蓝光之后，会激发出红光通过彩色滤光片透出，绿色量子点在接收到蓝光之后，会激发出绿光通过彩色滤光片透出，蓝光会直接透过彩色滤光片，从而形成全彩显示，因此QD-OLED显示面板具有广色域，广视角等优异的性能，视为大尺寸OLED的潜在技术。
由于现有技术中光致转换膜制备过程中，需要将量子点粒子制备成墨滴，然后喷墨到相应的像素定义区中，然后采用热或紫外线固化，像素定义区两侧设置遮光能力强的黑色疏水材料，导致底层的量子点粒子固化不完全，与像素定义区的侧面之间存在间隙，影响量子点粒子光致转换膜光的转化效率和亮度，在大视角显示情况下，从各个方向观测到的发光光谱和亮度随观测角度变化而出现较大变化，导致大视角色偏和亮度较差，影响显示品质的技术问题，需要改进。
发明内容
本发明提供一种量子点显示面板及其制备方法，能够解决现有技术中光致转换膜制备过程中，需要将量子点粒子制备成墨滴，然后喷墨到相应的像素定义区中，然后采用热或紫外线固化，像素定义区两侧设置遮光能力强的黑色疏水材料，导致底层的量子点粒子固化不完全，与像素定义区的侧面之间存在间隙，影响量子点粒子光致转换膜光的转化效率和亮度，在大视角显示情况下，从各个方向观测到的发光光谱和亮度随观测角度变化而出现较大变化，导致大视角色偏和亮度较差，影响显示品质的技术问题。
为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
为实现上述目的，本发明提供了一种量子点显示面板，包括：
彩膜基板，包括衬底基板、以及位于所述衬底基板表面的色阻层，所述色阻层划分有R/G/B色阻，相邻R/G/B色阻之间未设置黑色矩阵。
像素定义层，设置在所述彩膜基板表面，与所述R/G/B色阻对位设置形成阵列的像素定义区；以及，量子点光致转换膜，形成在所述像素定义区内。
其中，所述像素定义层包括垫高层、以及覆盖在所述垫高层上的遮光层，所述垫高层与所述遮光层的叠加层位于相邻的所述R/G/B色阻之间。
根据本发明一优选实施例，所述量子点显示面板还包括阵列基板，以及位于所述阵列基板上的蓝光显示器件，所述彩膜基板与所述阵列基板对组设置，所述蓝光显示器件与所述量子点光致转换膜相对设置。
根据本发明一优选实施例，所述蓝光显示器件为OLED显示器件或Mini-LED显示器件。
根据本发明一优选实施例，所述量子点显示面板为顶发射型结构，所述彩膜基板、所述量子点光致转换膜、所述蓝光显示器件、以及所述阵列基板沿出光方向依次设置。
根据本发明一优选实施例，所述垫高层为SiN/SiO薄膜或者有机薄膜，所述遮光层为黑色矩阵，所述垫高层与所述遮光层的叠加层的厚度大于或等于6um。
根据本发明一优选实施例，所述像素定义区的截面为等腰梯形，所述量子点光致转换膜贴合于所述等腰梯形的两侧设置。
根据本发明一优选实施例，在所述量子点显示面板上每一R/G/B色阻与其对应的所述发光层共同定义出一子像素，所述色阻层为B色阻，所述B色阻对应的量子点光致转换膜不设置量子点粒子。
根据本发明一优选实施例，所述彩膜基板与所述像素定义层之间设置有机保护层，所述有机保护层的材料为透明有机薄膜或者光学透明胶。
依据上述量子点显示面板，本发明还提供一种量子点显示面板的制备方法，包括：
步骤1，提供衬底基板，在所述衬底基板上制备色阻层，完成彩膜基板的制备；
步骤2，在所述彩膜基板上制备像素定义层，所述像素定义层间隔设置以形成像素定义区，通过喷墨打印技术将量子点粒子以墨滴方式打印到所述像素定义区中，然后采用紫外线进行固化，完成量子点光致转换膜的制备；
步骤3，将量子点光致转换膜贴合于相应蓝光显示器件以及阵列基板表面。
根据本发明一优选实施例，在所述彩膜基板上制备像素定义层，所述像素定义层间隔设置以形成像素定义区，通过喷墨打印技术将量子点粒子以墨滴方式打印到所述像素定义区中，然后采用紫外线进行固化，完成量子点光致转换膜的制备的具体步骤2包括：
在所述彩膜基板表面设置垫高层、以及覆盖在所述垫高层上的遮光层，所述垫高层与所述遮光层叠加以形成像素定义层，且所述像素定义层的厚度大于或等于6um。
本发明的有益效果：本申请提供一种量子点显示面板及其制备方法，本申请中量子点显示面板包括彩膜基板、位于彩膜基板表面的像素定义层、位于像素定义层的像素定义区中的量子点光致转换膜、以及位于量子点光致转换膜下方的蓝光显示器件，由于所述像素定义层设置了垫高层和遮光层，确保了像素定义层的厚度大于或等于6um，有利于量子点光致转换膜中量子点均匀固化，无缝隙地贴合于像素定义层侧面，同时避免量子点显示面板产生混光和漏光现象，从蓝光显示器件中出射蓝色光源，激发量子点光致转换膜，发出纯净光，纯净光透过色阻变成相应的色彩，从而实现出射光更柔和、更均匀、亮度更高，提高了显示器件色域和视角，从而提升量子点显示面板显示品质。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请提供一种量子点显示面板结构示意图；
图2为本申请提供一种量子点OLED显示面板结构示意图；
图3为本申请提供一种量子点显示面板的制备流程示意图；
图4至图9为本申请提供一种量子点显示面板的制备结构示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示，图中虚线表示在结构中并不存在的，仅仅说明结构的形状和位置。
本发明针对现有技术中光致转换膜制备过程中，需要将量子点粒子制备成墨滴，然后喷墨到相应的像素定义区中，然后采用热或紫外线固化，像素定义区两侧设置遮光能力强的黑色疏水材料，导致底层的量子点粒子固化不完全，与像素定义区的侧面之间存在间隙，影响量子点粒子光致转换膜光的转化效率和亮度，在大视角显示情况下，从各个方向观测到的发光光谱和亮度随观测角度变化而出现较大变化，导致大视角色偏和亮度较差，影响显示品质的技术问题，本实施例能够解决该缺陷。
如图1所示，本申请提供一种量子点显示面板100，该量子点显示面板100包括：彩膜基板101，包括衬底基板1011、以及位于衬底基板1011表面的色阻层，色阻层划分有R/G/B色阻，例如色阻层包括一红色子色阻1012、一绿色子色阻1013、一蓝色子色阻1014，任意相邻两个子色阻之间未设置黑色矩阵，彩膜基板在色阻层远离第一基板1011还设置有有机保护层1015，有机保护层1015的材料为透明有机薄膜或者光学透明胶；像素定义层102，设置在彩膜基板表面101表面，与R/G/B色阻对位设置形成阵列的像素定义区，像素定义区的截面优选为等腰梯形，像素定义层102包括垫高层1021、以及覆盖在垫高层1021上的遮光层1022，垫高层1021与遮光层1022的叠加层位于相邻的R/G/B色阻之间；以及量子点光致转换膜103，形成在像素定义区内，例如量子点光致转换膜103包括第一量子点光致转换膜1031、第二量子点光致转换膜1032、以及第三量子点光致转换膜1033，第一量子点光致转换膜1031、第二量子点光致转换膜1032、以及第一量子点光致转换膜1033均设置在像素定义区中，贴合于像素定义层102的两侧设置，第三量子点光致转换膜1033与蓝色子色阻1015对位设置，第三量子点光致转换膜1033空出，不设置量子点粒子。
该量子点显示面板100还包括阵列基板105，以及位于阵列基板105上的蓝光显示器件104，彩膜基板101与阵列基板105对组设置，蓝光显示器件104与量子点光致转换膜103相对设置。蓝光显示器件104优选为OLED显示器件或Mini-LED显示器件，蓝光显示器件104出射光线1040，量子点显示面板100优选为顶发射型结构，彩膜基板101、量子点光致转换膜103、蓝光显示器件104、以及阵列基板105沿出光方向依次设置。在量子点OLED显示面板100上，每一R/G/B色阻与其对应的蓝光显示器件中发光层共同定义出一子像素，同一子像素对应的彩膜基板频谱、量子点光致转换膜发光光谱以及发光层光谱基本重合。从蓝光显示器件104中出射蓝色光源，激发量子点光致转换膜103，发出纯净光，纯净光透过色阻变成相应的色彩，从而实现出射光更柔和、更均匀、亮度更高，提高了显示器件色域和视角，从而提升量子点显示面板显示品质。
具体地，本实施例中像素定义层102间隔设置以形成多个像素定义区，像素定义区填充有量子点粒子以形成量子点光致转换膜103，且像素定义区与色阻层1017中R/G/B色阻对位设置；若像素定义层102采用一层设置，且像素定义层102全部采用黑色遮光疏水性材料，像素定义层102无法达到6um，当量子点粒子以墨滴的形式滴入到像素定义区中，采用热或紫外线固化，像素定义区底层的量子点粒子的固化速度和表面的量子点粒子固化速度不一样，导致底层的量子点粒子与像素定义区底部或侧部存在间隙，影响量子点光致转换膜的转化效率和亮度，因此本实施例中将像素定义层102制备成两层，包括垫高层1021、以及覆盖在垫高层1021上的遮光层1022，且遮光层1022和垫高层1021图案化的形状相同，且遮光层1022覆盖垫高层1021，避免量子点光致转换膜102漏光情况，便于垫高层1021与遮光层1022的叠加层的厚度大于或等于6um，垫高层1021为SiN/SiO薄膜或者有机薄膜，遮光层1022为黑色矩阵，有利于像素定义区中底部或表面的量子点粒子1021均匀固化，无缝隙地贴合于像素定义层侧面，同时避免量子点显示面板100产生混光和漏光现象。
如图2所示，本实施例中量子点显示面板100包括彩膜基板101、位于彩膜基板101表面的像素定义层102、位于像素定义层的像素定义区中量子点光致转换膜103、位于量子点光致转换膜103下方的蓝光显示器件104、以及位于蓝光显示器件104下的阵列基板105，蓝光显示器件104为OLED显示器件或Mini-LED显示器件，阵列基板105为TFT薄膜晶体管基板，该阵列基板105包括第二基板1051、设置于第二基板表面的TFT层、第二基板1051优选为玻璃基板或透明塑料基板，TFT层位于第二基板1051表面，包括设于第二基板1051上的第二遮光层1052、设于第二基板1051上且覆盖第二遮光层1052的缓冲层1053、设于缓冲层1053上的有源层1054、设于有源层1054上的栅绝缘层1055、设于栅绝缘层1055上的栅极1056、设于缓冲层1053上且覆盖有源层1054、栅绝缘层1055以及栅极1056的层间绝缘层1057，设于层间绝缘层1057上源极10581和漏极10582，设于层间绝缘层1057上且覆盖源极10581和漏极10582的钝化层10591，设于第二层间绝缘层1094钝化层10591上的平坦化层10592。其中，有源层1054包括对应于栅绝1056下方的沟道区以及分别位于沟道区两侧的源极接触区与漏极接触区，源极接触区与漏极接触区为导体化的金属氧化物半导体材料，沟道区的材料为保持半导体特性的金属氧化物半导体材料。在层间绝缘层1057上设有分别对应于源极接触区与漏极接触区上方的源极接触孔与漏极接触孔，源极10581与漏极10582分别通过源极接触孔与漏极接触孔和有源层1054的源极接触区与漏极接触区电性连接，第二遮光层1052在第二基板1051上的正投影覆盖有源层1052在第二基板1051上的正投影，从而使第二遮光层1052能够对有源层1054进行完全遮盖，防止有源层1054受到光线照射，避免了TFT层的阈值电压产生负漂。
蓝光显示器件104位于TFT层上，包括阳极层1041，位于阳极层1041上方的第二像素定义层1042、位于第二像素定义层1042表面的发光层1043、以及位于发光层1043表面的阴极层1044，设置于阴极层1044远离TFT层一侧的封装层1045，量子点光致转换膜103贴合于封装层1045设置。像素定义层1042分离设置形成像素开口，发光层1043对于像素开口的部分平铺在阳极层202上，阴极层1044对于像素开口的部分平铺在发光层1043上，阳极1041通过阳极过孔与TFT层中漏极10582电性接触，该TFT层的源极10581与外接电源的正极相连，阴极层1044通过电源走线层与外接电源的负极电性连接，当阳极1041与阴极层1044之间设置为2V至10V的直流电压时，阳极1041产生空穴，阴极层1044产生电子，在发光层1043相遇，电子和空穴分别带负电和正电，它们相互吸引，激发发光层1043中有机材料发光，以实现量子点OLED显示面板的正常工作。通过阳极1041与阴极层1044之间电压的大小，可调整发光层1043发光亮度，电压越大，亮度越高，反之越暗。依其不同的配方，可产生红、绿、蓝(R、G、B)三基色，构成基本色彩。本实施例发光层1043优选发出蓝光，蓝光更容易激发量子点光致转换膜102中量子点转化光的效率和亮度。
在另一实施例中，蓝光显示器件104为液晶显示装置，在量子点光致转换膜下方设置相应的液晶显示面板和相应的背光模组。
依据上述量子点显示面板，如图3所示，本申请还提供一种量子点显示面板的制备方法，包括：
步骤1，提供衬底基板，在所述衬底基板上制备色阻层，完成彩膜基板的制备；
步骤2，在所述彩膜基板上制备像素定义层，所述像素定义层间隔设置以形成像素定义区，通过喷墨打印技术将量子点粒子以墨滴方式打印到所述像素定义区中，然后采用紫外线进行固化，完成量子点光致转换膜的制备；
步骤3，将量子点光致转换膜贴合于相应蓝光显示器件以及阵列基板表面。
优选地，在所述彩膜基板上制备像素定义层，所述像素定义层间隔设置以形成像素定义区，通过喷墨打印技术将量子点粒子以墨滴方式打印到所述像素定义区中，然后采用紫外线进行固化，完成量子点光致转换膜的制备的具体步骤2包括：
在所述彩膜基板表面设置垫高层、以及覆盖在所述垫高层上的遮光层，所述垫高层与所述遮光层叠加以形成像素定义层，且所述像素定义层的厚度大于或等于6um。
具体地，如图4至图9所示，步骤1，如图4所示，提供衬底基板1011，在衬底基板1011上制备色阻层，色阻层划分有R/G/B色阻，任意相邻两个R/G/B色阻之间未设置有黑色矩阵，色阻层包括一红色子色阻1012、一绿色子色阻1013、一蓝色子色阻1014在色组层表面制备有机保护层1015，该有机保护层1015优选为有机透明薄膜或者光学透明胶层，完成彩色滤光片101的制备；步骤2，如图5和图6所示，在彩膜基板101上制备垫高层1021以及覆盖垫高层1021的遮光层1022，垫高层1021和遮光层1022叠层以形成像素定义层102，像素定义层102优选为等腰梯形，像素定义层102分离设置以形成像素定义区10212，像素定义层102具体地制备方法如下，在有机保护层1015上涂布一层SiN/SiO薄膜或者有机层，通过光罩对SiN/SiO薄膜或者有机层进行图案化处理，形成垫高层1021，在有机保护层1015上涂布光阻层，通过光罩对光阻层进行图案化处理，形成凹槽，且凹槽位于垫高层1021表面，在凹槽沉积一层黑色矩阵材料，形成遮光层1022；或者，在有机保护层1015上涂布一层SiN/SiO薄膜或者有机层，通过光罩对SiN/SiO薄膜或者有机层进行图案化处理，形成垫高层1021，在有机保护层1015上沉积一层黑色矩阵材料，通过光罩对黑色矩阵材料进行图案化处理，形成遮光层1022，且遮光层1022覆盖垫高层1021，其中，垫高层1021和遮光层1022的厚度之和大于或等于6um；如图7和图8所示，通过喷墨打印技术将量子点粒子以墨滴方式打印到不同像素定义区10212中，形成有第一量子点光致转换膜1031、第二量子点光致转换膜1032、以及第三量子点光致转换膜1033，第一量子点光致转换膜1031与红色子色阻1012对位设置，第二量子点光致转换膜1032与绿色子色阻1013对位设置，第三量子点光致转换膜1033与蓝色子色阻1015对位设置，第三量子点光致转换膜1033空出，不设置量子点粒子，采用紫外线进行固化，第一量子点光致转换膜1031、第二量子点光致转换膜1032、以及第三量子点光致转换膜1033收缩，边界与像素定义层102无缝隙贴合，完成量子点光致转换膜103的制备；步骤3，如图9所示，将量子点光致转换膜103贴合于相应蓝光显示器件104、以及相应阵列基板105。
本申请提供一种量子点显示面板及其制备方法，本申请中量子点显示面板包括彩膜基板、位于彩膜基板表面的像素定义层、位于像素定义层的像素定义区中的量子点光致转换膜、以及位于量子点光致转换膜下方的蓝光显示器件，由于所述像素定义层设置了垫高层和遮光层，确保了像素定义层的厚度大于或等于6um，有利于量子点光致转换膜中量子点均匀固化，无缝隙地贴合于像素定义层侧面，同时避免量子点显示面板产生混光和漏光现象，从蓝光显示器件中出射蓝色光源，激发量子点光致转换膜，发出纯净光，纯净光透过色阻变成相应的色彩，从而实现出射光更柔和、更均匀、亮度更高，提高了显示器件色域和视角，从而提升量子点显示面板显示品质。
综上，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (9)
1.一种量子点显示面板，其特征在于，包括：
彩膜基板，包括衬底基板、以及位于所述衬底基板表面的色阻层，所述色阻层划分有R/G/B色阻，相邻所述R/G/B色阻之间未设置黑色矩阵；
像素定义层，设置在所述彩膜基板表面，与所述R/G/B色阻对位设置以形成阵列的像素定义区；以及，
量子点光致转换膜，形成在所述像素定义区内；
其中，所述像素定义层包括垫高层、以及覆盖在所述垫高层上的遮光层，所述垫高层与所述遮光层的叠加层位于相邻的所述R/G/B色阻之间，所述垫高层与所述遮光层的叠加层的厚度大于或等于6um。
2.根据权利要求1所述的量子点显示面板，其特征在于，所述量子点显示面板还包括阵列基板，以及位于所述阵列基板上的蓝光显示器件，所述彩膜基板与所述阵列基板对组设置，所述蓝光显示器件与所述量子点光致转换膜相对设置。
3.根据权利要求2所述的量子点显示面板，其特征在于，所述蓝光显示器件为OLED显示器件或Mini-LED显示器件。
4.根据权利要求2所述的量子点显示面板，其特征在于，所述量子点显示面板为顶发射型结构，所述彩膜基板、所述量子点光致转换膜、所述蓝光显示器件、以及所述阵列基板沿出光方向依次设置。
5.根据权利要求1所述的量子点显示面板，其特征在于，所述垫高层为SiN/SiO薄膜或者有机薄膜，所述遮光层为黑色矩阵。
6.根据权利要求1所述的量子点显示面板，其特征在于，所述像素定义区的截面为等腰梯形，所述量子点光致转换膜贴合于所述等腰梯形的两侧设置。
7.根据权利要求1所述的量子点显示面板，其特征在于，在所述量子点显示面板上每一R/G/B色阻与其对应的所述发光层共同定义出一子像素，所述色阻层为B色阻，所述B色阻对应的量子点光致转换膜不设置量子点粒子。
8.根据权利要求1所述的量子点显示面板，其特征在于，所述彩膜基板与所述像素定义层之间设置有机保护层，所述有机保护层的材料为透明有机薄膜或者光学透明胶。
9.一种量子点显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
步骤1，提供衬底基板，在所述衬底基板上制备色阻层，所述色阻层划分有R/G/B色阻，相邻所述R/G/B色阻之间未设置黑色矩阵，完成彩膜基板的制备；
步骤2，在所述彩膜基板上制备像素定义层，所述像素定义层由设置在所述彩膜基板表面的垫高层及覆盖在所述垫高层上的遮光层形成，所述垫高层与所述遮光层的叠加层位于相邻的所述R/G/B色阻之间，且所述垫高层与所述遮光层的叠加层的厚度大于或等于6um，所述像素定义层与所述R/G/B色阻对位设置以形成阵列的像素定义区，通过喷墨打印技术将量子点粒子以墨滴方式打印到所述像素定义区中，然后采用紫外线进行固化，完成量子点光致转换膜的制备；
步骤3，将量子点光致转换膜贴合于相应蓝光显示器件以及阵列基板表面。
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105353554A (zh) * | 2015-12-04 | 2016-02-24 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 彩膜基板的制作方法及液晶显示装置 |
| CN107731873A (zh) * | 2017-10-12 | 2018-02-23 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 彩膜基板及其制作方法以及oled显示器件 |
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Patent Citations (3)
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